JP2001222001A

JP2001222001A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2001222001A
Application number: JP2000030021A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Yamanaka; 一彦山中; Takehisa Kato; 剛久加藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-02-08
Filing date: 2000-02-08
Publication date: 2001-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶表示装置において、金属配線表面での多
重反射光の影響による画素トランジスタのリーク電流を
抑制すると共に、液晶パネルの温度上昇や配線抵抗を低
減して、投影映像の画質の劣化を防止する。【解決手段】画素トランジスタ１８及び金属配線２
３、２６が形成された駆動素子基板３と、共通透明電極
膜８及びブラックマトリクス膜７が形成された対向基板
１との間に液晶層２を封入してなる液晶パネルにおい
て、ブラックマトリクス膜７を、波長３８０〜６８０ｎ
ｍでの光反射率が４０％以上である光入射側の金属膜５
と、波長３８０〜６８０ｎｍでの光反射率が４０％以下
である光出射側の金属膜６とで構成し、金属配線２３、
２６を金属膜２１、２４と低反射率金属膜２２、２５で
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びそれを用いた投射型映像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、投射型の画像表示装置として、ア
クティブマトリクス駆動方式の液晶パネルを使用した液
晶表示装置が開発されている。アクティブマトリクス駆
動方式の液晶表示装置にあっては、画素スイッチング用
の画素トランジスタに直接光が入射してリーク電流が流
れ、それにより画質が劣化することを防止するために、
液晶層を挟んで、画素トランジスタが形成される駆動素
子基板の反対側に配置される対向基板に、ブラックマト
リクスと呼ばれるクロム膜あるいはアルミニウム膜等で
形成した遮光膜が形成されている。この遮光膜は、画素
トランジスタと重なるように形成され、対向基板側から
入射される光が直接画素トランジスタに照射されないよ
うになっている。

【０００３】一方、光によるリーク電流は、対向基板側
からの入射光のみならず、液晶パネルの裏面側に配置さ
れた遮光板等で反射した光が、画素トランジスタに照射
されることが原因で流れることがある。このため、画素
トランジスタの下層側にも遮光膜（以下、裏面遮光膜と
呼ぶ）を設け、画素トランジスタに光が届いて画素トラ
ンジスタにリーク電流が流れないような構成および方法
が、特開平３−５２６１１号公報や特開平１０−３０１
１００号公報等で提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光によ
るリーク電流は、対向基板側からの入射光や、裏面側か
らの反射光のみならず、駆動素子基板の信号線やドレイ
ン配線等の金属配線膜、裏面遮光膜、およびブラックマ
トリクス膜等の金属膜で多重反射された光が、画素トラ
ンジスタに照射されることが原因で流れることがある。

【０００５】ここで、図４に示す従来の液晶表示装置の
断面図を参照して、多重反射光の経路について説明す
る。

【０００６】液晶表示装置は、対向基板１と駆動素子基
板３の隙間に液晶層２が封入された液晶パネルと、その
入射側と出射側に配置された偏光板とにより構成され
る。対向基板１は、透明基板４にブラックマトリクス膜
１０１を形成した後、共通透明電極膜８がブラックマト
リクス膜１０１を覆うように透明基板４上に形成され
て、構成されている。

【０００７】駆動素子基板３は次のように構成されてい
る。まず、石英基板１０に裏面遮光膜１１が形成され、
この裏面遮光膜１１を有する石英基板１０上に第１の層
間絶縁膜１２が形成されている。この第１の層間絶縁膜
１２に画素トランジスタ１８を形成し、この画素トラン
ジスタ１８を覆うように第２の層間絶縁膜２０を形成
し、画素トランジスタ１８に通じる信号線１０２、およ
びドレイン配線１０３を形成する。この信号線１０２お
よびドレイン配線１０３が形成された第２の層間絶縁膜
２０上に平坦化膜である第３の層間絶縁膜２７を形成す
る。また、第３の層間絶縁膜２７上には、透明電極膜２
８が形成される。したがって、上記画素トランジスタ１
８は、ブラックマトリクス膜１０１と裏面遮光膜１１に
よって挟まれた状態で形成されている。

【０００８】ここで、ブラックマトリクス膜１０１は、
クロムもしくはアルミニウムで形成され、信号線１０２
およびドレイン配線１０３はアルミニウム等の低抵抗金
属で形成される。

【０００９】上記液晶表示装置を透過する入射光３４
は、各画素における液晶層２で所定の偏光方向に偏光さ
れることにより画像を形成することになり、映像に寄与
しない入射光３２は、ブラックマトリクス膜１０１によ
り反射されることになる。

【００１０】一方、画素トランジスタ１８へ到達する多
重反射光の原因となる光としては次の二つが考えられ
る。それは、信号線１０２もしくはドレイン配線１０３表面に照
射され、信号線１０２もしくはドレイン配線１０３とブ
ラックマトリクス膜１０１の間を多重反射する入射光３
１と、石英基板１０の表面もしくは出射側偏光板等で反射
し、信号線１０２もしくはドレイン配線１０３と裏面遮
光膜１１の間を多重反射する反射光３３である。

【００１１】入射光３１は、液晶パネルに照射される光
が完全な平行光ではなく約１０度程度の角度分布を持っ
た光であることから発生する。つまり、例えば、ブラッ
クマトリクス膜１０１から信号線１０２やドレイン配線
１０３などの金属配線までの距離が６μｍであるとする
と、ブラックマトリクス膜１０１の端を透過する入射光
３１が金属配線に照射されないためには、ブラックマト
リクス膜１０１の大きさが金属配線よりも約１μｍ大き
くなければならない。しかし、これは液晶パネルの画素
開口部の面積を減少させ、液晶表示装置の透過率を著し
く低下させることになるため非実現的である。

【００１２】また、図５に示すように、ブラックマトリ
クス膜１０１に用いられるクロムは入射光のおよそ５０
％を反射し、信号線１０２およびドレイン配線１０３に
用いられるアルミニウムは入射光の９０％を反射する。
このため、ブラックマトリクス膜１０１で反射されず信
号線１０２およびドレイン配線１０３である金属配線膜
に到達した入射光３１は、この金属配線膜の表面とブラ
ックマトリクス膜１０１の表面との間を多重反射するこ
とになる。特に、トランジスタ部分やコンタクト部分の
上部の金属配線膜は表面に凹凸を有するため、この部分
に到達した光はさまざまな角度に乱反射されることにな
る。これらの光は液晶パネル内で迷光となり、乱反射と
多重反射を繰り返し、結果として一部の光は画素トラン
ジスタに到達することになり、光によるリーク電流が発
生するため、画質の低下を招くことになる。

【００１３】一方、反射光３３も、入射光３１と同様
に、石英基板１０の表面および出射側光学系で反射され
る光がある角度分布を持っていることから発生する。つ
まり、反射光３３のうち、裏面遮光膜１１で遮光されず
信号線１０２やドレイン配線１０３の金属配線膜の出射
側表面に到達した光が、裏面遮光膜１１と金属配線膜と
の間で多重反射し、画素トランジスタ１８に到達するこ
とになる。

【００１４】このような入射光および反射光の多重反射
を防止する方法の一つとして、ブラックマトリクス膜１
０１、信号線１０２、およびドレイン配線１０３を低反
射金属で形成し、光の反射を防止する方法が考えられ
る。例えば、ブラックマトリクス膜１０１に関しては、
酸化クロム等の金属で形成することが考えられ、信号線
１０２およびドレイン配線１０３等の金属配線に関して
は、タングステンシリサイド等の金属で形成することが
考えられる。

【００１５】しかしその場合、まずブラックマトリクス
膜１０１に関していえば、例えば従来反射率約５０％程
度であったクロムから反射率約１５％程度の酸化クロム
（図５を参照）に変えた場合、従来約５０％程度の光が
吸収されていたものが、約８５％程度の光が吸収される
ことになり、液晶表示装置の温度上昇による画質の劣化
が問題になる。また、金属配線膜に関していえば、従来
のアルミニウムからタングステンシリサイドに変更する
と配線抵抗が増加し、それに伴う画質の劣化が問題にな
る。

【００１６】そこで、本発明の目的は、液晶表示装置お
よびそれを用いた投射型表示装置において、液晶表示装
置の温度上昇や配線抵抗の増加に伴う画質の劣化が生じ
ることなく、信号線およびドレイン配線に到達した光が
多重反射するのを低減させ、これら多重反射光の影響に
よる画素トランジスタのリーク電流を抑制し、画素トラ
ンジスタの特性の安定化を図ることができる技術を提供
することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る第１の液晶表示装置は、画素トランジ
スタおよび該画素トランジスタに接続される金属配線が
形成された駆動素子基板と、共通透明電極およびブラッ
クマトリクス膜が形成された対向基板との間に液晶層を
封入してなる液晶パネルを有する液晶表示装置であっ
て、前記ブラックマトリクス膜は、波長３８０ｎｍから
６８０ｎｍの範囲で４０％以上の光反射率を有する光入
射側の金属膜と、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲
で４０％以下の光反射率を有する光出射側の金属膜とか
らなる多層金属膜で構成されていることを特徴とする。

【００１８】前記第１の液晶表示装置において、前記金
属配線は少なくとも３層の多層金属膜から構成され、前
記多層金属膜のうち光入射側および光出射側の少なくと
も１つの金属膜が、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範
囲で４０％以下の光反射率を有する低反射金属遮光膜か
らなることが好ましい。

【００１９】また、上記目的を達成するため、本発明に
係る第２の液晶表示装置は、画素トランジスタおよび該
画素トランジスタに接続される金属配線が形成されてい
る駆動素子基板と、共通透明電極およびブラックマトリ
クス膜が形成された対向基板との間に液晶層を封入して
なる液晶パネルを有する液晶表示装置であって、前記金
属配線は多層金属膜から構成され、前記多層金属膜のう
ち光入射側の金属膜が、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍ
の範囲で４０％以下の光反射率を有する低反射金属遮光
膜からなることを特徴とする。

【００２０】さらに、上記目的を達成するため、本発明
に係る第３の液晶表示装置は、画素トランジスタおよび
該画素トランジスタに接続される金属配線が形成された
駆動素子基板と、共通透明電極およびブラックマトリク
ス膜が形成された対向基板との間に液晶層を封入してな
る液晶パネルを有する液晶表示装置であって、前記金属
配線は多層金属膜から構成され、前記多層金属膜のうち
光出射側の金属膜が、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの
範囲で４０％以下の光反射率を有する低反射金属遮光膜
からなることを特徴とする。

【００２１】前記第２および第３の液晶表示装置におい
て、前記ブラックマトリクス膜は、波長３８０ｎｍから
６８０ｎｍの範囲で４０％以上の光反射率を有する光入
射側の金属膜と、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲
で４０％以下の光反射率を有する光出射側の金属膜とか
らなる多層金属膜で構成されていることが好ましい。

【００２２】また、前記第１から第３の液晶表示装置に
おいて、前記ブラックマトリクス膜における前記光出射
側の金属膜は、波長３８０ｎｍから６００ｎｍの範囲で
２０％以下の光反射率を有することが好ましい。

【００２３】これらの構成によれば、ブラックマトリク
ス膜表面での反射率が従来の１／２以下、金属配線表面
での反射率が従来の１／２以下になる。このため、ブラ
ックマトリクス膜や金属配線表面で反射した光が画素ト
ランジスタのチャネル領域に届いても十分に小さいた
め、リーク電流が発生しない。

【００２４】さらに、ブラックマトリクス膜の光入射側
の金属は従来と同様の高反射率を示すため、液晶表示装
置の温度が従来に比較して高くなることはなく、また、
金属配線においては従来に比較して抵抗値が高くなるこ
とがないため、それに伴う画質の劣化も生じない。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００２６】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る液晶表示装置の構成を模式的に示す部
分断面図である。

【００２７】図１において、液晶表示装置は、駆動素子
基板３と対向基板１との間に液晶層２を封入して構成さ
れている。対向基板１にはブラックマトリクス膜７が形
成され、ブラックマトリクス膜７は、光入射側の金属膜
である高反射率金属膜５と光出射側の金属膜である低反
射率金属膜６の２層構造になった多層金属膜（以下、多
層ブラックマトリクス膜７と称する。）で構成されてい
る。この多層ブラックマトリクス膜７の作製方法として
は、透明基板４上に高反射率金属膜５、低反射率金属膜
６の順で蒸着形成し、エッチングにより所定の領域に多
層ブラックマトリクス膜７の形状を形成する。

【００２８】高反射率金属膜５は、図５に示すように、
波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲で光反射率が４０
％以上の金属であるアルミニウムもしくはクロム等で形
成され、また、低反射率金属膜６は、波長３８０ｎｍか
ら６８０ｎｍの範囲で光反射率が４０％以下の金属であ
る、例えばタングステンシリサイド等で形成される。

【００２９】ここで、波長を３８０ｎｍから６８０ｎｍ
の範囲に限定するのは、液晶表示装置で使用される光の
波長がこの範囲内にあり、他の波長の光は液晶表示装置
にとって温度上昇等の問題の原因にならないためであ
る。

【００３０】また、画素トランジスタ１８の光リークに
寄与する光の波長が３８０ｎｍから６００ｎｍの範囲に
あれば、図５に示すように、波長３８０ｎｍから６００
ｎｍの範囲で光反射率が２０％以下の金属である酸化ク
ロムを低反射率金属膜６に使用してもよい。

【００３１】この多層ブラックマトリクス膜７を形成し
た後、共通透明電極８を多層ブラックマトリクス膜７と
透明基板４上に形成することにより、対向基板１が構成
される。

【００３２】一方、駆動素子基板３は次のように構成さ
れている。まず、石英基板１０上に、裏面遮光膜１１を
形成し、この裏面遮光膜１１を有する石英基板１０上に
第１の層間絶縁膜１２を形成する。この第１の層間絶縁
膜１２上に画素トランジスタ１８と容量線１９が形成さ
れる。

【００３３】画素トランジスタ１８は、ソース領域１
３、チャネル領域１４、ドレイン領域１５、ゲート酸化
膜１６、ゲート線１７を有する。画素トランジスタ１８
を形成した後、画素トランジスタ１８上に、第２の層間
絶縁膜２０を形成し、画素トランジスタ１８のソース領
域１３、ドレイン領域１５に通じるように第２の層間絶
縁膜にエッチングによりコンタクトホールを形成する。
その後、金属膜２１、２４、続いて低反射率金属膜２
２、２５をコンタクトホールおよび第２の層間絶縁膜上
に形成し、エッチングにより信号線２３、ドレイン配線
２６を形成する。

【００３４】ここで、金属膜２１、２４には、アルミニ
ウム等の低抵抗金属を用い、低反射率金属膜２２、２５
には、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲で反射率が
４０％以下である酸化クロム、チタン、チタンナイトラ
イド、タングステン、タングステンシリサイド等の金属
を用いる。

【００３５】信号線２３およびドレイン配線２６を形成
した後、この信号線２３およびドレイン配線２６を有す
る第２の層間絶縁膜２０上に、平坦化膜である第３の層
間絶縁膜２７を形成する。そして、この第３の層間絶縁
膜２７上に透明電極膜２８を形成することにより、駆動
素子基板３を構成する。

【００３６】本実施形態に係る液晶表示装置によれば、
波長３８０ｎｍから６００ｎｍの範囲で、多層ブラック
マトリクス７表面での反射率が従来の１／２以下とな
り、信号線２３およびドレイン配線２６の金属配線表面
での反射率が従来の１／２以下となる。このため、多層
ブラックマトリクス膜７や信号線２３やドレイン配線２
６の金属配線表面で反射した光は従来の１／４以下とな
り、その光が画素トランジスタ１８のチャネル領域１４
に届いても十分に小さいため、リーク電流が発生するこ
とはない。

【００３７】また、ブラックマトリクス膜７の入射光側
は従来の高反射率金属であり、入射光を余分に吸収する
ことがないため、液晶表示装置の温度が従来よりも高く
なることがない。

【００３８】また、信号線２３とドレイン配線２６をア
ルミニウム等の低抵抗金属と低反射率金属の２層構造と
することにより、配線の抵抗が高くなることなく、光反
射率を低減させることができる。

【００３９】さらに、上記の液晶パネルにおいて、画素
トランジスタ１８への多重反射光が十分に小さい場合、
ブラックマトリクス膜７と金属配線２３、２６表面のい
ずれか一方のみに低反射率金属膜を形成してもよい。

【００４０】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る液晶表示装置の構成を模式的に示す部
分断面図である。なお、第１の実施形態では、画素トラ
ンジスタ１８の信号線２３とドレイン配線２６の光入射
側にそれぞれ低反射率金属膜２２、２５を形成したのに
対して、本実施形態では、その光出射側にそれぞれ低反
射率金属膜を形成する。

【００４１】図２において、駆動素子基板３は次のよう
に構成されている。まず、石英基板１０上に、裏面遮光
膜１１が形成され、この裏面遮光膜１１を有する石英基
板１０上に第１の層間絶縁膜１２が形成されている。こ
の第１の層間絶縁膜１２上に画素トランジスタ１８と容
量線１９が形成される。画素トランジスタ１８を形成し
た後、画素トランジスタ１８上に、第２の層間絶縁膜２
０を形成し、画素トランジスタ１８のソース領域１３、
ドレイン領域１５に通じるように第２の層間絶縁膜２０
にエッチングによりコンタクトホールを形成する。

【００４２】その後、低反射金属膜４２、４５、続いて
金属膜４１、４４をコンタクトホールおよび第２の層間
絶縁膜上に形成し、エッチングにより信号線４３、ドレ
イン配線４６を形成する。

【００４３】ここで、低反射金属膜４２、４５には、図
５に示すように、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲
で反射率が４０％以下である酸化クロム、チタン、チタ
ンナイトライド、タングステン、タングステンシリサイ
ド等の金属を用い、金属膜４１、４４には、アルミニウ
ム等の低抵抗金属を用いる。

【００４４】信号線４３およびドレイン配線４６を形成
した後、この信号線４３およびドレイン配線４６を有す
る第２の層間絶縁膜２０上に、平坦化膜である第３の層
間絶縁膜２７を形成する。そして、この第３の層間絶縁
膜２７上に透明電極膜２８を形成することにより、駆動
素子基板３を構成する。

【００４５】本実施形態に係る液晶表示装置によれば、
波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲において、信号線
４３およびドレイン配線４６の光出射側での反射率が従
来の少なくとも１／２以下となる。このため、液晶表示
装置の石英基板１０面および出射側光学系で反射した光
が、信号線４３やドレイン配線４６の金属配線表面およ
び裏面遮光膜１１で多重反射して、画素トランジスタ１
８のチャネル領域１４に届いても十分に小さいため、リ
ーク電流が発生することはない。

【００４６】また、対向基板１のブラックマトリクス膜
７を、ブラックマトリクス膜７の光入射側の金属膜であ
る高反射率金属膜５と光出射側の金属膜である低反射率
金属膜６の２層構造を有する多層ブラックマトリクス膜
７とすることにより、同時にブラックマトリクス膜７と
金属配線４３、４６表面での多重反射光も低減できる。

【００４７】さらに、多層ブラックマトリクス膜７の低
反射率金属膜６に、酸化クロムを用いることにより、ブ
ラックマトリクス膜７と金属配線４３、４６表面での多
重反射光を少なくとも従来の１／２にできるため、迷光
による画質の劣化を低減することができる。

【００４８】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る液晶表示装置の構成を模式的に示す部
分断面図である。なお、第１および第２の実施形態で
は、それぞれ、画素トランジスタの金属配線膜を、光入
射側の低反射率金属膜２２、２５と低抵抗金属膜２１、
２４、および低抵抗金属膜４１、４４と光出射側の低反
射率金属膜４２、４５からなる２層構造としたのに対し
て、本実施形態では、低反射率金属膜、低抵抗金属膜、
および低反射率金属膜からなる３層構造とする。

【００４９】図３において、駆動素子基板３は次のよう
に構成されている。まず、石英基板１０上に、裏面遮光
膜１１が形成され、この裏面遮光膜１１を有する石英基
板１０上に第１の層間絶縁膜１２が形成されている。こ
の第１の層間絶縁膜１２上に画素トランジスタ１８と容
量線１９が形成される。画素トランジスタ１８を形成し
た後、画素トランジスタ１８上に、第２の層間絶縁膜２
０を形成し、画素トランジスタ１８のソース領域１３、
ドレイン領域１５に通じるように、第２の層間絶縁膜２
０にエッチングによりコンタクトホールを形成する。

【００５０】その後、金属膜５１、５５をそれぞれ低反
射率金属膜５０、５２および５４、５６によりサンドイ
ッチして３層構造にしたものをコンタクトホールおよび
第２の層間絶縁膜２０上に形成し、エッチングにより信
号線５３、ドレイン配線５７を形成する。

【００５１】ここで、低反射率金属膜５０、５２、５
４、５６には、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲で
反射率が４０％以下である酸化クロム、チタン、チタン
ナイトライド、タングステン、タングステンシリサイド
等の金属を用い、金属膜５１、５５には、アルミニウム
等の低抵抗金属を用いる。

【００５２】信号線５３およびドレイン配線５７を形成
した後、この信号線５３およびドレイン配線５７を有す
る第２の層間絶縁膜２０上に、平坦化膜である第３の層
間絶縁膜２７を形成する。そして、この第３の層間絶縁
膜２７上に透明電極膜２８を形成することにより、駆動
素子基板３を構成する。

【００５３】本実施形態に係る液晶表示装置によれば、
波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲において、信号線
５３およびドレイン配線５７の光出射側および光入射側
の反射率が少なくとも従来の１／２以下となる。このた
め、液晶表示装置の石英基板１０面および出射側光学系
で反射し、金属配線膜と裏面遮光膜１１で多重反射する
光を従来の１／２以下にし、かつブラックマトリクス膜
７と金属配線膜５３、５７とでの多重反射光を従来の１
／２以下にすることができるので、迷光が画素トランジ
スタ１８のチャネル領域１４に届いて、それにより発生
するリーク電流を低減することができる。

【００５４】さらに、多層ブラックマトリクス膜７の低
反射率金属６に、酸化クロムを用いることにより、波長
３８０ｎｍから６００ｎｍの範囲で、多層ブラックマト
リクス膜７、信号線５３、およびドレイン配線５７の表
面で多重反射する光を従来の少なくとも１／４以下にす
ることができ、液晶表示装置の画質の劣化を防止するこ
とができる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
最良の形態として、液晶表示装置のブラックマトリクス
膜の光出射側に、波長３８０ｎｍから６００ｎｍの範囲
で光反射率が２０％以下の低反射率金属膜を形成し、金
属配線膜の光入射側および光出射側に、波長３８０ｎｍ
から６８０ｎｍの範囲で反射率が４０％以下の低反射率
金属遮光膜を形成することで、入射光の乱反射による液
晶パネル内の多重反射を従来の１／４以下に低減するこ
とができ、投影映像の画質の低下を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す部分断面図

【図２】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す部分断面図

【図３】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す部分断面図

【図４】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す部
分断面図

【図５】金属に応じた波長に対する反射率の特性図

【符号の説明】

１対向基板２液晶層３駆動素子基板４透明基板５高反射率金属膜６低反射率金属膜７多層ブラックマトリクス膜８共通透明電極膜１０石英基板１１裏面遮光膜１２第１の層間絶縁膜１３ソース領域１４チャネル領域１５ドレイン領域１６ゲート酸化膜１７ゲート線１８画素トランジスタ１９容量線２０第２の層間絶縁膜２１信号線２３の金属膜２２信号線２３の低反射率金属膜２３信号線２４ドレイン配線２６の金属膜２５ドレイン配線２６低反射率金属膜２６ドレイン配線２７第３の層間絶縁膜２８透明電極膜３１、３２、３４入射光３３反射光４１信号線４３の金属膜４２信号線４３の低反射率金属膜４３信号線４４ドレイン配線４６の金属膜４５ドレイン配線４６の低反射率金属膜４６ドレイン配線５０信号線５３の低反射率金属膜５１信号線５３の金属膜５２信号線５３の低反射率金属膜５３信号線５４ドレイン配線５７の低反射率金属膜５５ドレイン配線５７の金属膜５６ドレイン配線５７の低反射率金属膜５７ドレイン配線１０１ブラックマトリクス膜１０２信号線１０３ドレイン配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H091 FA35Y FA37Y FB06 FB08 FC02 FC26 FD04 FD12 FD23 GA03 GA13 HA07 KA10 LA03 2H092 JA25 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB52 KA16 KA18 NA22 NA25 NA29 PA09 QA07 5F110 AA06 AA21 BB01 CC02 DD03 DD11 HL01 HL03 HL04 HL09 HL11 HL12 HM18 HM19 NN03 NN72 QQ19 5G435 AA01 BB12 CC09 HH03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画素トランジスタおよび該画素トランジ
スタに接続される金属配線が形成された駆動素子基板
と、共通透明電極およびブラックマトリクス膜が形成さ
れた対向基板との間に液晶層を封入してなる液晶パネル
を有する液晶表示装置において、前記ブラックマトリクス膜は、波長３８０ｎｍから６８
０ｎｍの範囲で４０％以上の光反射率を有する光入射側
の金属膜と、波長３８０ｎｍから６８０ｎｍの範囲で４
０％以下の光反射率を有する光出射側の金属膜とからな
る多層金属膜で構成されていることを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２】前記金属配線は少なくとも３層の多層金
属膜から構成され、前記多層金属膜のうち光入射側およ
び光出射側の少なくとも１つの金属膜が、波長３８０ｎ
ｍから６８０ｎｍの範囲で４０％以下の光反射率を有す
る低反射率金属遮光膜からなる請求項１記載の液晶表示
装置。
【請求項３】画素トランジスタおよび該画素トランジ
スタに接続される金属配線が形成されている駆動素子基
板と、共通透明電極およびブラックマトリクス膜が形成
された対向基板との間に液晶層を封入してなる液晶パネ
ルを有する液晶表示装置において、前記金属配線は多層金属膜から構成され、前記多層金属
膜のうち光入射側の金属膜が、波長３８０ｎｍから６８
０ｎｍの範囲で４０％以下の光反射率を有する低反射率
金属遮光膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】画素トランジスタおよび該画素トランジ
スタに接続される金属配線が形成された駆動素子基板
と、共通透明電極およびブラックマトリクス膜が形成さ
れた対向基板との間に液晶層を封入してなる液晶パネル
を有する液晶表示装置において、前記金属配線は多層金属膜から構成され、前記多層金属
膜のうち光出射側の金属膜が、波長３８０ｎｍから６８
０ｎｍの範囲で４０％以下の光反射率を有する低反射率
金属遮光膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】前記ブラックマトリクス膜は、波長３８
０ｎｍから６８０ｎｍの範囲で４０％以上の光反射率を
有する光入射側の金属膜と、波長３８０ｎｍから６８０
ｎｍの範囲で４０％以下の光反射率を有する光出射側の
金属膜とからなる多層金属膜で構成されている請求項３
または４記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記ブラックマトリクス膜における光出
射側の金属膜は、波長３８０ｎｍから６００ｎｍの範囲
で２０％以下の光反射率を有する請求項１から５のいず
れか一項記載の液晶表示装置。