JPH0980476A - アクティブマトリックス基板とその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリックス基板とその製造方法Info
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- JPH0980476A JPH0980476A JP23374895A JP23374895A JPH0980476A JP H0980476 A JPH0980476 A JP H0980476A JP 23374895 A JP23374895 A JP 23374895A JP 23374895 A JP23374895 A JP 23374895A JP H0980476 A JPH0980476 A JP H0980476A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置を通り抜けた透過光が、光学系
に用いられるレンズのレンズ面において反射し、それに
より、反射光がアクティブマトリックス基板の裏面から
薄膜トランジスタに照射されてしまい、光励起によるオ
フ電流が増加し、表示画像のコントラストの低下を引き
起こしてしまう。 【解決手段】 薄膜トランジスタ２上に薄膜トランジス
タ２に対して照射される光を遮る第１の遮光膜７と、透
明絶縁基板１の裏面における透明絶縁基板１を挟んで第
１の遮光膜７と対向する位置に薄膜トランジスタ２に対
して照射される光を遮る第２の遮光膜１１とを設ける。
に用いられるレンズのレンズ面において反射し、それに
より、反射光がアクティブマトリックス基板の裏面から
薄膜トランジスタに照射されてしまい、光励起によるオ
フ電流が増加し、表示画像のコントラストの低下を引き
起こしてしまう。 【解決手段】 薄膜トランジスタ２上に薄膜トランジス
タ２に対して照射される光を遮る第１の遮光膜７と、透
明絶縁基板１の裏面における透明絶縁基板１を挟んで第
１の遮光膜７と対向する位置に薄膜トランジスタ２に対
して照射される光を遮る第２の遮光膜１１とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に用
いられるアクティブマトリックス基板とその製造方法に
関し、特に、薄膜トランジスタの光励起による特性劣化
の防止に関する。
いられるアクティブマトリックス基板とその製造方法に
関し、特に、薄膜トランジスタの光励起による特性劣化
の防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、壁掛けＴＶや投射型ＴＶ、あるい
は、ＯＡ機器用ディスプレイとして液晶パネルを用いた
各種表示装置の開発が行われている。液晶パネルの中で
もアクティブ素子である薄膜トランジスタを液晶表示装
置に組み込んだアクティブマトリックス液晶ディスプレ
イは、走査線数が増加してもコントラストや応答速度が
低下しない等の利点から、高品位のＯＡ機器用表示装置
やハイビジョン用表示装置を実現する上で有力であり、
投射型液晶ディスプレイにおいては、大画面表示が容易
に得られる。
は、ＯＡ機器用ディスプレイとして液晶パネルを用いた
各種表示装置の開発が行われている。液晶パネルの中で
もアクティブ素子である薄膜トランジスタを液晶表示装
置に組み込んだアクティブマトリックス液晶ディスプレ
イは、走査線数が増加してもコントラストや応答速度が
低下しない等の利点から、高品位のＯＡ機器用表示装置
やハイビジョン用表示装置を実現する上で有力であり、
投射型液晶ディスプレイにおいては、大画面表示が容易
に得られる。
【０００３】このような液晶表示装置においては、その
使用上、強い光照射にさらされるため、構成要素である
アクティブマトリックス基板上に作製される薄膜トラン
ジスタにおいて光励起により発生するオフ電流が増加
し、これにより、表示画像のコントラストが低下してし
まう。
使用上、強い光照射にさらされるため、構成要素である
アクティブマトリックス基板上に作製される薄膜トラン
ジスタにおいて光励起により発生するオフ電流が増加
し、これにより、表示画像のコントラストが低下してし
まう。
【０００４】そこで、光が照射されることによる薄膜ト
ランジスタ特性の劣化を防ぐために、例えば、特開平２
−３９１２９号公報に記載されているような、遮光膜を
用いて光の照射を制限する方法が知られている。
ランジスタ特性の劣化を防ぐために、例えば、特開平２
−３９１２９号公報に記載されているような、遮光膜を
用いて光の照射を制限する方法が知られている。
【０００５】図３は、遮光膜を用いた従来のアクティブ
マトリックス基板の一構成例を示す断面図である。
マトリックス基板の一構成例を示す断面図である。
【０００６】以下に、図３を参照して本従来例における
アクティブマトリックス基板の製造方法について説明す
る。
アクティブマトリックス基板の製造方法について説明す
る。
【０００７】まず、透明絶縁基板１０１上に薄膜トラン
ジスタ１０２を形成し、薄膜トランジスタ１０２上及び
薄膜トランジスタ１０２が形成されていない画素部とな
る透明絶縁基板１０１上に信号線であるＩＴＯ（インジ
ウム−スズ酸化物）１０３をパターニングし、その後、
パターニングされたＩＴＯ１０３のうち、画素部上のＩ
ＴＯ１０３のみをＡＬ膜１０６により覆う（図３
（ａ））。
ジスタ１０２を形成し、薄膜トランジスタ１０２上及び
薄膜トランジスタ１０２が形成されていない画素部とな
る透明絶縁基板１０１上に信号線であるＩＴＯ（インジ
ウム−スズ酸化物）１０３をパターニングし、その後、
パターニングされたＩＴＯ１０３のうち、画素部上のＩ
ＴＯ１０３のみをＡＬ膜１０６により覆う（図３
（ａ））。
【０００８】そして、プラズマ処理を行い、薄膜トラン
ジスタ１０２上にパターニングされたＩＴＯ１０３を還
元及び失透させることにより遮光膜１０７を形成し、そ
の後、ＡＬ膜１０６をフォトエッチングによりパターニ
ングして、ソース電極１０４及びドレイン電極１０５を
形成する（図３（ｂ））。
ジスタ１０２上にパターニングされたＩＴＯ１０３を還
元及び失透させることにより遮光膜１０７を形成し、そ
の後、ＡＬ膜１０６をフォトエッチングによりパターニ
ングして、ソース電極１０４及びドレイン電極１０５を
形成する（図３（ｂ））。
【０００９】上記の工程により製造されたアクティブマ
トリックス基板においては、薄膜トランジスタ１０２に
対し、薄膜トランジスタ１０２上部から照射される光は
遮光膜１０７により遮られ、薄膜トランジスタ１０２に
は達しない。
トリックス基板においては、薄膜トランジスタ１０２に
対し、薄膜トランジスタ１０２上部から照射される光は
遮光膜１０７により遮られ、薄膜トランジスタ１０２に
は達しない。
【００１０】図４は、遮光膜を用いた従来のアクティブ
マトリックス基板の他の構成例を示す断面図である。
マトリックス基板の他の構成例を示す断面図である。
【００１１】本従来例は図４に示すように、透明絶縁基
板２０１上にＩＴＯ２０３がパターニングされ、ＩＴＯ
２０３上にＳｉＯ2膜２０５が成膜され、ＳｉＯ2膜２０
５上に薄膜トランジスタ２０２が形成され、さらに、薄
膜トランジスタ２０２上に保護膜としてプラズマ−Ｓｉ
Ｎ：Ｈ２１２がパターニングされ、その後、３５０℃以
上の熱処理によりプラズマ−ＳｉＮ：Ｈ２１２から水素
が放出してプラズマ−ＳｉＮ：Ｈ２１２直下の領域にお
けるＩＴＯ２０３が還元及び失透されて遮光膜２０７が
形成される。
板２０１上にＩＴＯ２０３がパターニングされ、ＩＴＯ
２０３上にＳｉＯ2膜２０５が成膜され、ＳｉＯ2膜２０
５上に薄膜トランジスタ２０２が形成され、さらに、薄
膜トランジスタ２０２上に保護膜としてプラズマ−Ｓｉ
Ｎ：Ｈ２１２がパターニングされ、その後、３５０℃以
上の熱処理によりプラズマ−ＳｉＮ：Ｈ２１２から水素
が放出してプラズマ−ＳｉＮ：Ｈ２１２直下の領域にお
けるＩＴＯ２０３が還元及び失透されて遮光膜２０７が
形成される。
【００１２】上記のように構成されたアクティブマトリ
ックス基板においては、薄膜トランジスタ２０２に対
し、透明絶縁基板２０１側から照射される光は遮光膜２
０７により遮られ、薄膜トランジスタ２０２には達しな
い。
ックス基板においては、薄膜トランジスタ２０２に対
し、透明絶縁基板２０１側から照射される光は遮光膜２
０７により遮られ、薄膜トランジスタ２０２には達しな
い。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
ようなアクティブマトリックス基板においては、薄膜ト
ランジスタにおいて、透明絶縁基板側あるいは上部すな
わち透明絶縁基板と反対側のどちらか一方にしか遮光膜
が設けられていないため、遮光膜が設けられていない側
からの光を遮ることができないという問題点がある。
ようなアクティブマトリックス基板においては、薄膜ト
ランジスタにおいて、透明絶縁基板側あるいは上部すな
わち透明絶縁基板と反対側のどちらか一方にしか遮光膜
が設けられていないため、遮光膜が設けられていない側
からの光を遮ることができないという問題点がある。
【００１４】図５は、薄膜トランジスタの上部に遮光膜
が設けられた場合における遮光動作について説明するた
めの図である。
が設けられた場合における遮光動作について説明するた
めの図である。
【００１５】図５に示すように、薄膜トランジスタ１０
２に対して遮光膜１０７が設けられた側から照射される
入射光１２１は、遮光膜１０７により遮られて薄膜トラ
ンジスタ１０２に達することができない。
２に対して遮光膜１０７が設けられた側から照射される
入射光１２１は、遮光膜１０７により遮られて薄膜トラ
ンジスタ１０２に達することができない。
【００１６】しかし、液晶表示装置１２０を通り抜けた
透過光１２２は、光学系に用いられるレンズ１２５のレ
ンズ面において反射し、それにより、反射光１２３がア
クティブマトリックス基板の裏面から薄膜トランジスタ
１０２に照射されてしまう。
透過光１２２は、光学系に用いられるレンズ１２５のレ
ンズ面において反射し、それにより、反射光１２３がア
クティブマトリックス基板の裏面から薄膜トランジスタ
１０２に照射されてしまう。
【００１７】そのため、光励起によるオフ電流が増加
し、表示画像のコントラストの低下を引き起こしてしま
う。
し、表示画像のコントラストの低下を引き起こしてしま
う。
【００１８】また、遮光膜１０７の形成工程におけるＡ
Ｌ膜のパターニングにおいては、水素プラズマ処理のた
めに薄膜トランジスタ１０２上だけにＩＴＯを露出させ
る工程と、その後に画素部のＩＴＯ上のＡＬ膜を除去す
ると同時にドレイン電極を形成する工程との合計２回の
パターニングが必要となり、工程数が増加してしまうと
いう問題点もある。
Ｌ膜のパターニングにおいては、水素プラズマ処理のた
めに薄膜トランジスタ１０２上だけにＩＴＯを露出させ
る工程と、その後に画素部のＩＴＯ上のＡＬ膜を除去す
ると同時にドレイン電極を形成する工程との合計２回の
パターニングが必要となり、工程数が増加してしまうと
いう問題点もある。
【００１９】一方、図４に示したアクティブマトリック
ス基板においては、入射光が透明絶縁基板側から照射さ
れるため、上記同様に入射光においては、遮光膜により
薄膜トランジスタに達することを防止することができる
が、液晶表示装置を通り抜けた透過光が光学系に用いら
れるレンズのレンズ面にて反射した反射光においては、
遮光膜が設けられていない側から薄膜トランジスタに照
射されてしまう。
ス基板においては、入射光が透明絶縁基板側から照射さ
れるため、上記同様に入射光においては、遮光膜により
薄膜トランジスタに達することを防止することができる
が、液晶表示装置を通り抜けた透過光が光学系に用いら
れるレンズのレンズ面にて反射した反射光においては、
遮光膜が設けられていない側から薄膜トランジスタに照
射されてしまう。
【００２０】また、遮光膜となるＩＴＯの膜厚分だけの
段差が生じ、配線パターンの断線やアクティブマトリッ
クス基板と対向基板とを貼り合わせる際のギャップむら
が生じやすくなるという問題点もある。
段差が生じ、配線パターンの断線やアクティブマトリッ
クス基板と対向基板とを貼り合わせる際のギャップむら
が生じやすくなるという問題点もある。
【００２１】また、図４に示すような遮光膜の代わり
に、薄膜トランジスタの下部に例えばシリコン膜を形成
して遮光膜とすることも可能であるが、この場合も構造
が同じであるため、反射光が薄膜トランジスタに達する
ことを防ぐことはできず、さらに、シリコン膜は膜厚が
薄くなるにつれて光の透過率が上がるため、膜厚を薄く
すると完全な遮光が不可能となり、かといって、膜厚を
厚くすると段差が大きくなってしまうという問題点があ
る。
に、薄膜トランジスタの下部に例えばシリコン膜を形成
して遮光膜とすることも可能であるが、この場合も構造
が同じであるため、反射光が薄膜トランジスタに達する
ことを防ぐことはできず、さらに、シリコン膜は膜厚が
薄くなるにつれて光の透過率が上がるため、膜厚を薄く
すると完全な遮光が不可能となり、かといって、膜厚を
厚くすると段差が大きくなってしまうという問題点があ
る。
【００２２】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって、薄膜トラン
ジスタにおいて光励起により発生するオフ電流の増加を
なくし、表示画像のコントラストの低下を防ぐことがで
きるアクティブマトリックス基板とその製造方法を提供
することを目的とする。
する問題点に鑑みてなされたものであって、薄膜トラン
ジスタにおいて光励起により発生するオフ電流の増加を
なくし、表示画像のコントラストの低下を防ぐことがで
きるアクティブマトリックス基板とその製造方法を提供
することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、走査線及び信号線が設けられた透明絶縁基
板上に薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリ
ックス基板において、前記薄膜トランジスタ上に形成さ
れ、前記薄膜トランジスタに対して照射される光を遮る
第１の遮光膜と、前記透明絶縁基板の裏面における前記
透明絶縁基板を挟んで前記第１の遮光膜と対向する位置
に形成され、前記薄膜トランジスタに対して照射される
光を遮る第２の遮光膜とを有し、前記透明絶縁基板の裏
面における前記第２の遮光膜が形成される部分が粗面で
あることを特徴とする。
に本発明は、走査線及び信号線が設けられた透明絶縁基
板上に薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリ
ックス基板において、前記薄膜トランジスタ上に形成さ
れ、前記薄膜トランジスタに対して照射される光を遮る
第１の遮光膜と、前記透明絶縁基板の裏面における前記
透明絶縁基板を挟んで前記第１の遮光膜と対向する位置
に形成され、前記薄膜トランジスタに対して照射される
光を遮る第２の遮光膜とを有し、前記透明絶縁基板の裏
面における前記第２の遮光膜が形成される部分が粗面で
あることを特徴とする。
【００２４】また、走査線及び信号線が設けられた透明
絶縁基板上に薄膜トランジスタが形成されたアクティブ
マトリックス基板において、前記薄膜トランジスタ上に
形成され、前記薄膜トランジスタに対して照射される光
を遮る第１の遮光膜と、前記透明絶縁基板の裏面におけ
る前記透明絶縁基板を挟んで前記第１の遮光膜と対向す
る位置に形成され、前記薄膜トランジスタに対して照射
される光を遮る第２の遮光膜とを有し、前記透明絶縁基
板は、前記第２の遮光膜が形成される部分のみ不透明で
あることを特徴とする。
絶縁基板上に薄膜トランジスタが形成されたアクティブ
マトリックス基板において、前記薄膜トランジスタ上に
形成され、前記薄膜トランジスタに対して照射される光
を遮る第１の遮光膜と、前記透明絶縁基板の裏面におけ
る前記透明絶縁基板を挟んで前記第１の遮光膜と対向す
る位置に形成され、前記薄膜トランジスタに対して照射
される光を遮る第２の遮光膜とを有し、前記透明絶縁基
板は、前記第２の遮光膜が形成される部分のみ不透明で
あることを特徴とする。
【００２５】また、前記透明絶縁基板は、前記粗面であ
る部分のみ不透明であることを特徴とする。
る部分のみ不透明であることを特徴とする。
【００２６】また、前記第１及び第２の遮光膜は、アル
ミニウムからなることを特徴とするアクティブマトリッ
クス基板。
ミニウムからなることを特徴とするアクティブマトリッ
クス基板。
【００２７】また、前記薄膜トランジスタは、プレーナ
型であることを特徴とする。
型であることを特徴とする。
【００２８】また、前記薄膜トランジスタは、スタガ型
であることを特徴とする。
であることを特徴とする。
【００２９】また、薄膜トランジスタが形成された透明
絶縁基板の表面及び裏面に前記薄膜トランジスタに対し
て照射される光を遮る金属膜よりなる第１及び第２の遮
光膜をそれぞれ形成するアクティブマトリックス基板の
製造方法であって、前記薄膜トランジスタにおけるドレ
イン電極に接続されるように信号線をパターニングし、
前記透明絶縁基板及び前記薄膜トランジスタ上に第１の
金属膜を形成し、前記第１の金属膜のうち前記薄膜トラ
ンジスタ上に形成された金属膜を残して全ての金属膜を
フォトエッチングにより除去することにより前記薄膜ト
ランジスタ上に前記第１の遮光膜を形成し、前記透明絶
縁基板の裏面における前記第１の遮光膜と対向しない部
分にフォトレジストを形成し、前記透明絶縁基板の裏面
における前記第１の遮光膜と対向する部分を水素プラズ
マ処理により粗面とし、前記透明絶縁基板の裏面及び前
記フォトレジスト上に第２の金属膜を形成し、前記第２
の金属膜のうち前記薄膜粗面上に形成された金属膜を残
して全ての金属膜をリフトオフ法により除去することに
より前記粗面上に前記第２の遮光膜を形成することを特
徴とする。
絶縁基板の表面及び裏面に前記薄膜トランジスタに対し
て照射される光を遮る金属膜よりなる第１及び第２の遮
光膜をそれぞれ形成するアクティブマトリックス基板の
製造方法であって、前記薄膜トランジスタにおけるドレ
イン電極に接続されるように信号線をパターニングし、
前記透明絶縁基板及び前記薄膜トランジスタ上に第１の
金属膜を形成し、前記第１の金属膜のうち前記薄膜トラ
ンジスタ上に形成された金属膜を残して全ての金属膜を
フォトエッチングにより除去することにより前記薄膜ト
ランジスタ上に前記第１の遮光膜を形成し、前記透明絶
縁基板の裏面における前記第１の遮光膜と対向しない部
分にフォトレジストを形成し、前記透明絶縁基板の裏面
における前記第１の遮光膜と対向する部分を水素プラズ
マ処理により粗面とし、前記透明絶縁基板の裏面及び前
記フォトレジスト上に第２の金属膜を形成し、前記第２
の金属膜のうち前記薄膜粗面上に形成された金属膜を残
して全ての金属膜をリフトオフ法により除去することに
より前記粗面上に前記第２の遮光膜を形成することを特
徴とする。
【００３０】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、透明絶縁基板上に形成される薄膜トランジス
タの上部には第１の遮光膜が形成され、透明絶縁基板の
裏面の薄膜トランジスタと対向する部分には第２遮光膜
が形成されているので、薄膜トランジスタが上下２つの
遮光膜によって挟まれた構成となり、透明絶縁基板の両
面に対して照射される光は、第１及び第２の遮光膜によ
りそれぞれ遮られ、薄膜トランジスタに達することはな
い。
おいては、透明絶縁基板上に形成される薄膜トランジス
タの上部には第１の遮光膜が形成され、透明絶縁基板の
裏面の薄膜トランジスタと対向する部分には第２遮光膜
が形成されているので、薄膜トランジスタが上下２つの
遮光膜によって挟まれた構成となり、透明絶縁基板の両
面に対して照射される光は、第１及び第２の遮光膜によ
りそれぞれ遮られ、薄膜トランジスタに達することはな
い。
【００３１】また、透明絶縁基板の裏面の第２の遮光膜
が形成される部分が粗面であるので、透明絶縁基板内に
光が進入した場合においても、進入した光は乱反射さ
れ、薄膜トランジスタに達することはない。
が形成される部分が粗面であるので、透明絶縁基板内に
光が進入した場合においても、進入した光は乱反射さ
れ、薄膜トランジスタに達することはない。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００３３】図１は、本発明のアクティブマトリックス
基板の製造工程を示す図である。
基板の製造工程を示す図である。
【００３４】まず、透明絶縁基板１上に薄膜トランジス
タ２を形成し、薄膜トランジスタ２においてソース電極
４及びドレイン電極５を形成し、画素部において信号線
であるＩＴＯ３をドレイン電極５に接続されるようにパ
ターニングする（図１（ａ））。
タ２を形成し、薄膜トランジスタ２においてソース電極
４及びドレイン電極５を形成し、画素部において信号線
であるＩＴＯ３をドレイン電極５に接続されるようにパ
ターニングする（図１（ａ））。
【００３５】次に、ＳｉＯ2膜１２及び第１の金属膜で
あるＡＬ膜６をそれぞれ１００ｎｍずつ堆積させる（図
１（ｂ））。
あるＡＬ膜６をそれぞれ１００ｎｍずつ堆積させる（図
１（ｂ））。
【００３６】次に、フォトエッチングを用いて薄膜トラ
ンジスタ２上に堆積しているものを除くＡＬ膜６を全て
除去して薄膜トランジスタ２上に堆積しているＡＬ膜６
により第１の遮光膜７を形成する。そして、透明絶縁基
板１の裏面にネガ型フォトレジストを塗布して、その
後、透明絶縁基板１に対して薄膜トランジスタ２が形成
されている面側から全面露光を行い、現像処理を施すこ
とによりフォトレジスト８を形成する（図１（ｃ））。
ンジスタ２上に堆積しているものを除くＡＬ膜６を全て
除去して薄膜トランジスタ２上に堆積しているＡＬ膜６
により第１の遮光膜７を形成する。そして、透明絶縁基
板１の裏面にネガ型フォトレジストを塗布して、その
後、透明絶縁基板１に対して薄膜トランジスタ２が形成
されている面側から全面露光を行い、現像処理を施すこ
とによりフォトレジスト８を形成する（図１（ｃ））。
【００３７】そして、水素プラズマ雰囲気中で熱処理を
行い、透明絶縁基板１の裏面のフォトレジスト８が形成
されていない部分を粗面９にした後、透明絶縁基板１の
裏面全体に第２の金属膜であるＡＬ膜１０を成膜する
（図１（ｄ））。
行い、透明絶縁基板１の裏面のフォトレジスト８が形成
されていない部分を粗面９にした後、透明絶縁基板１の
裏面全体に第２の金属膜であるＡＬ膜１０を成膜する
（図１（ｄ））。
【００３８】その後、リフトオフ法により、フォトレジ
スト８をフォトレジスト８上に成膜されたＡＬ膜１０と
ともに除去し、粗面９上のみにＡＬ膜１０を残して、残
ったＡＬ膜１０により第２の遮光膜１１を形成する（図
１（ｅ））。
スト８をフォトレジスト８上に成膜されたＡＬ膜１０と
ともに除去し、粗面９上のみにＡＬ膜１０を残して、残
ったＡＬ膜１０により第２の遮光膜１１を形成する（図
１（ｅ））。
【００３９】以下に、上述した工程により製造されたア
クティブマトリックス基板における遮光動作について説
明する。
クティブマトリックス基板における遮光動作について説
明する。
【００４０】図２は、図１に示した工程により製造され
たアクティブマトリックス基板における遮光動作につい
て説明するための図である。
たアクティブマトリックス基板における遮光動作につい
て説明するための図である。
【００４１】上述した工程により製造されたアクティブ
マトリックス基板においては、入射光２１に対しては第
１の遮光膜７により薄膜トランジスタ２に光が達するこ
とを防ぐことができ、入射光２１が液晶表示装置２０を
通り抜けた後に光学系に用いられるレンズ２５のレンズ
面において反射した反射光２３に対しては第２の遮光膜
１１により薄膜トランジスタ２に光が達することを防ぐ
ことができる。
マトリックス基板においては、入射光２１に対しては第
１の遮光膜７により薄膜トランジスタ２に光が達するこ
とを防ぐことができ、入射光２１が液晶表示装置２０を
通り抜けた後に光学系に用いられるレンズ２５のレンズ
面において反射した反射光２３に対しては第２の遮光膜
１１により薄膜トランジスタ２に光が達することを防ぐ
ことができる。
【００４２】また、第２の遮光膜１１と薄膜トランジス
タ２との間に透明絶縁基板１が存在するため、回折によ
って透明絶縁基板１内に光が進入することが考えられる
が、透明絶縁基板１の裏面における第２の遮光膜１１が
形成された領域が粗面９となっているため、透明絶縁基
板１内に光が進入した場合においては、入射した光が乱
反射することにより減衰し、オフ電流を増加させる程度
の光量が薄膜トランジスタ２に達することを回避でき
る。
タ２との間に透明絶縁基板１が存在するため、回折によ
って透明絶縁基板１内に光が進入することが考えられる
が、透明絶縁基板１の裏面における第２の遮光膜１１が
形成された領域が粗面９となっているため、透明絶縁基
板１内に光が進入した場合においては、入射した光が乱
反射することにより減衰し、オフ電流を増加させる程度
の光量が薄膜トランジスタ２に達することを回避でき
る。
【００４３】従って、薄膜トランジスタ２において光励
起により発生するオフ電流の増加をなくし、表示画質の
低下を防ぐことができる。
起により発生するオフ電流の増加をなくし、表示画質の
低下を防ぐことができる。
【００４４】なお、本形態においては、薄膜トランジス
タとしてプレーナ型を用いたが、これに拘束されること
は無く、スタガ型やその他の構造であっても同様の効果
を得ることができる。
タとしてプレーナ型を用いたが、これに拘束されること
は無く、スタガ型やその他の構造であっても同様の効果
を得ることができる。
【００４５】また、図１（ｃ）に示す工程において、透
明絶縁基板１の裏面の一部を粗面９としたが、透明絶縁
基板１の薄膜トランジスタ２直下における部分を失透さ
せることと組み合わせることも可能である。
明絶縁基板１の裏面の一部を粗面９としたが、透明絶縁
基板１の薄膜トランジスタ２直下における部分を失透さ
せることと組み合わせることも可能である。
【００４６】さらに、第１及び第２遮光膜を形成する材
料としてアルミニウムを用いたが、これに限定されるこ
とは無く、他の金属を用いてもよい。ただし、可視光付
近での吸収係数の低いものが望ましい。
料としてアルミニウムを用いたが、これに限定されるこ
とは無く、他の金属を用いてもよい。ただし、可視光付
近での吸収係数の低いものが望ましい。
【００４７】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、薄膜トラ
ンジスタの上部と下部とに薄膜トランジスタに照射され
る光を遮る第１の遮光膜及び第２の遮光膜を形成したた
め、アクティブマトリックス基板に対する入射光及び光
学系に用いられるレンズ等により生ずる反射光が薄膜ト
ランジスタに達することを防止することができる。
ンジスタの上部と下部とに薄膜トランジスタに照射され
る光を遮る第１の遮光膜及び第２の遮光膜を形成したた
め、アクティブマトリックス基板に対する入射光及び光
学系に用いられるレンズ等により生ずる反射光が薄膜ト
ランジスタに達することを防止することができる。
【００４８】このため、薄膜トランジスタにおいて光励
起により発生するオフ電流の増加をなくし、表示画像の
コントラストの低下を防ぐことができる。
起により発生するオフ電流の増加をなくし、表示画像の
コントラストの低下を防ぐことができる。
【００４９】また、基板の表面または裏面のどちら側を
入射光側に設定しても良く、基板の向きを変えるだけ
で、走査方向を変えることができるので、走査方向を反
転する場合においても特殊な回路を用いる必要がない。
従って投射型、反射型のどちらの場合においても対応す
ることができる。
入射光側に設定しても良く、基板の向きを変えるだけ
で、走査方向を変えることができるので、走査方向を反
転する場合においても特殊な回路を用いる必要がない。
従って投射型、反射型のどちらの場合においても対応す
ることができる。
【図１】本発明のアクティブマトリックス基板の製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図２】図１に示した工程により製造されたアクティブ
マトリックス基板における遮光動作について説明するた
めの図である。
マトリックス基板における遮光動作について説明するた
めの図である。
【図３】遮光膜を用いた従来のアクティブマトリックス
基板の一構成例を示す断面図である。
基板の一構成例を示す断面図である。
【図４】遮光膜を用いた従来のアクティブマトリックス
基板の他の構成例を示す断面図である。
基板の他の構成例を示す断面図である。
【図５】薄膜トランジスタ上部に遮光膜が設けられた場
合における遮光動作について説明するための図である。
合における遮光動作について説明するための図である。
１ 透明絶縁基板 ２ 薄膜トランジスタ ３ ＩＴＯ ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６，１０ ＡＬ膜 ７ 第１の遮光膜 ８ フォトレジスト ９ 粗面 １１ 第２の遮光膜 １２ ＳｉＯ2膜 ２０ 液晶表示装置 ２１ 入射光 ２２ 透過光 ２３ 反射光 ２５ レンズ
Claims (7)
- 【請求項１】 走査線及び信号線が設けられた透明絶縁
基板上に薄膜トランジスタが形成されたアクティブマト
リックス基板において、 前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジ
スタに対して照射される光を遮る第１の遮光膜と、 前記透明絶縁基板の裏面における前記透明絶縁基板を挟
んで前記第１の遮光膜と対向する位置に形成され、前記
薄膜トランジスタに対して照射される光を遮る第２の遮
光膜とを有し、 前記透明絶縁基板の裏面における前記第２の遮光膜が形
成される部分が粗面であることを特徴とするアクティブ
マトリックス基板。 - 【請求項２】 走査線及び信号線が設けられた透明絶縁
基板上に薄膜トランジスタが形成されたアクティブマト
リックス基板において、 前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジ
スタに対して照射される光を遮る第１の遮光膜と、 前記透明絶縁基板の裏面における前記透明絶縁基板を挟
んで前記第１の遮光膜と対向する位置に形成され、前記
薄膜トランジスタに対して照射される光を遮る第２の遮
光膜とを有し、 前記透明絶縁基板は、前記第２の遮光膜が形成される部
分のみ不透明であることを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板。 - 【請求項３】 請求項１に記載のアクティブマトリック
ス基板において、 前記透明絶縁基板は、前記粗面である部分のみ不透明で
あることを特徴とするアクティブマトリックス基板。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
アクティブマトリックス基板において、 前記第１及び第２の遮光膜は、アルミニウムからなるこ
とを特徴とするアクティブマトリックス基板。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
アクティブマトリックス基板において、 前記薄膜トランジスタは、プレーナ型であることを特徴
とするアクティブマトリックス基板。 - 【請求項６】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
アクティブマトリックス基板において、 前記薄膜トランジスタは、スタガ型であることを特徴と
するアクティブマトリックス基板。 - 【請求項７】 薄膜トランジスタが形成された透明絶縁
基板の表面及び裏面に前記薄膜トランジスタに対して照
射される光を遮る金属膜よりなる第１及び第２の遮光膜
をそれぞれ形成するアクティブマトリックス基板の製造
方法であって、 前記薄膜トランジスタにおけるドレイン電極に接続され
るように信号線をパターニングし、 前記透明絶縁基板及び前記薄膜トランジスタ上に第１の
金属膜を形成し、 前記第１の金属膜のうち前記薄膜トランジスタ上に形成
された金属膜を残して全ての金属膜をフォトエッチング
により除去することにより前記薄膜トランジスタ上に前
記第１の遮光膜を形成し、 前記透明絶縁基板の裏面における前記第１の遮光膜と対
向しない部分にフォトレジストを形成し、 前記透明絶縁基板の裏面における前記第１の遮光膜と対
向する部分を水素プラズマ処理により粗面とし、 前記透明絶縁基板の裏面及び前記フォトレジスト上に第
２の金属膜を形成し、 前記第２の金属膜のうち前記薄膜粗面上に形成された金
属膜を残して全ての金属膜をリフトオフ法により除去す
ることにより前記粗面上に前記第２の遮光膜を形成する
ことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23374895A JPH0980476A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
| TW085111037A TW333618B (en) | 1995-09-12 | 1996-09-10 | Active-matrix board and manufacturing method |
| KR1019960039359A KR100248602B1 (ko) | 1995-09-12 | 1996-09-11 | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조방법 |
| US08/713,968 US5811866A (en) | 1995-09-12 | 1996-09-12 | Active-matrix board having top and bottom light shielding films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23374895A JPH0980476A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980476A true JPH0980476A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16959966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23374895A Pending JPH0980476A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5811866A (ja) |
| JP (1) | JPH0980476A (ja) |
| KR (1) | KR100248602B1 (ja) |
| TW (1) | TW333618B (ja) |
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