JP2000338524A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2000338524A JP2000338524A JP11152047A JP15204799A JP2000338524A JP 2000338524 A JP2000338524 A JP 2000338524A JP 11152047 A JP11152047 A JP 11152047A JP 15204799 A JP15204799 A JP 15204799A JP 2000338524 A JP2000338524 A JP 2000338524A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射画素電極に適性な凹凸が形成されること
により良好な反射特性を有し表示品質の高い反射型液晶
表示装置を高歩留りで得る。 【解決手段】 ＴＦＴアレイを形成する基板として透明
絶縁性基板１ａにＵＶ吸収膜１ｂと絶縁層１ｃを形成し
てＵＶ光に対して不透過な状態に処理した絶縁性基板１
を用い、ＴＦＴや電極配線上に形成され表面を平坦化す
る層間絶縁膜１１を構成する感光性樹脂の露光時に、感
光性樹脂に吸収されなかったＵＶ光が基板を透過し、基
板ホルダーからの反射光等の不適当な光となって感光性
樹脂を感光させるのを防止する。
により良好な反射特性を有し表示品質の高い反射型液晶
表示装置を高歩留りで得る。 【解決手段】 ＴＦＴアレイを形成する基板として透明
絶縁性基板１ａにＵＶ吸収膜１ｂと絶縁層１ｃを形成し
てＵＶ光に対して不透過な状態に処理した絶縁性基板１
を用い、ＴＦＴや電極配線上に形成され表面を平坦化す
る層間絶縁膜１１を構成する感光性樹脂の露光時に、感
光性樹脂に吸収されなかったＵＶ光が基板を透過し、基
板ホルダーからの反射光等の不適当な光となって感光性
樹脂を感光させるのを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、反射型液晶表示
装置およびその製造方法に関するものである。
装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、ＣＲＴに代わるフラッ
トパネルディスプレイの一つとして活発に研究開発が進
められており、特に低消費電力および薄型であるという
特徴を生かして、電池駆動の小型ＴＶ、ノートブック型
コンピュータ、カーナビゲーション等に実用化されてい
る。液晶表示装置の駆動方法としては、高品質表示の観
点から薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）をス
イッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の
ＴＦＴアレイが主として用いられている。また、ディス
プレイの構成としては、透過型と反射型のものがある。
反射型のディスプレイは、透過型のディスプレイに用い
られるバックライト光源が不要であることから低消費電
力が実現でき、携帯端末等の用途として極めて適した構
成である。従来の反射型液晶表示装置は、透明絶縁性基
板上にマトリクス状に配列形成された走査電極、信号電
極、半導体層等からなるＴＦＴと反射型の画素電極、お
よび画素電極の周りに形成された電極配線を有する第一
の基板（ＴＦＴアレイ基板）と、他の透明絶縁性基板上
にカラーフィルタ、ブラックマトリクス（以下、ＢＭと
称する）、対向電極を有する第二の基板（対向基板）を
対向させ接着すると共に、第一の基板と第二の基板の間
に液晶材料を注入することにより構成されている。
トパネルディスプレイの一つとして活発に研究開発が進
められており、特に低消費電力および薄型であるという
特徴を生かして、電池駆動の小型ＴＶ、ノートブック型
コンピュータ、カーナビゲーション等に実用化されてい
る。液晶表示装置の駆動方法としては、高品質表示の観
点から薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）をス
イッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の
ＴＦＴアレイが主として用いられている。また、ディス
プレイの構成としては、透過型と反射型のものがある。
反射型のディスプレイは、透過型のディスプレイに用い
られるバックライト光源が不要であることから低消費電
力が実現でき、携帯端末等の用途として極めて適した構
成である。従来の反射型液晶表示装置は、透明絶縁性基
板上にマトリクス状に配列形成された走査電極、信号電
極、半導体層等からなるＴＦＴと反射型の画素電極、お
よび画素電極の周りに形成された電極配線を有する第一
の基板（ＴＦＴアレイ基板）と、他の透明絶縁性基板上
にカラーフィルタ、ブラックマトリクス（以下、ＢＭと
称する）、対向電極を有する第二の基板（対向基板）を
対向させ接着すると共に、第一の基板と第二の基板の間
に液晶材料を注入することにより構成されている。
【０００３】反射型液晶表示装置の表示特性向上のため
には、液晶表示パネルの画素部の有効表示面積を大きく
し光の利用効率を高めること、すなわち画素の開口率を
向上させることが有効であり、高開口率のＴＦＴアレイ
を得る方法として、透明絶縁性基板上にＴＦＴおよび電
極配線を形成した後、これらを覆うように樹脂からなる
層間絶縁膜を形成することにより平坦化し、層間絶縁膜
の下層にある走査電極等とオーバーラップさせて層間絶
縁膜上に広い面積を有する反射画素電極を形成し、反射
画素電極とＴＦＴのドレイン電極との電気的接続は層間
絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して行うＴＦ
Ｔアレイの構造が提案されている。また、光の利用効率
を一層高めるための方法として、入射光側に散乱フィル
ムを施す前方散乱板方式を採用せず、ＴＦＴアレイ基板
に良好な指向性を有する散乱光を得るための反射膜兼画
素電極を具備した反射型液晶表示装置が提案されてい
る。このような反射型液晶表示装置では、反射膜兼画素
電極の表面に凹凸形状を設けることにより良好な散乱光
を得ている。
には、液晶表示パネルの画素部の有効表示面積を大きく
し光の利用効率を高めること、すなわち画素の開口率を
向上させることが有効であり、高開口率のＴＦＴアレイ
を得る方法として、透明絶縁性基板上にＴＦＴおよび電
極配線を形成した後、これらを覆うように樹脂からなる
層間絶縁膜を形成することにより平坦化し、層間絶縁膜
の下層にある走査電極等とオーバーラップさせて層間絶
縁膜上に広い面積を有する反射画素電極を形成し、反射
画素電極とＴＦＴのドレイン電極との電気的接続は層間
絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して行うＴＦ
Ｔアレイの構造が提案されている。また、光の利用効率
を一層高めるための方法として、入射光側に散乱フィル
ムを施す前方散乱板方式を採用せず、ＴＦＴアレイ基板
に良好な指向性を有する散乱光を得るための反射膜兼画
素電極を具備した反射型液晶表示装置が提案されてい
る。このような反射型液晶表示装置では、反射膜兼画素
電極の表面に凹凸形状を設けることにより良好な散乱光
を得ている。
【０００４】反射膜兼画素電極を有する反射型液晶表示
装置としては、特開平６−１７５１２６号公報および特
開平８−１８４８４６号公報に開示されており、感光性
樹脂（レジスト等を含む）を用いたフォトリソグラフィ
法により緻密な凹凸を層間絶縁膜を構成する樹脂の表面
に形成し、その上に高反射特性を有する膜からなる画素
電極を形成することにより、画素電極の表面に凹凸を形
成している。
装置としては、特開平６−１７５１２６号公報および特
開平８−１８４８４６号公報に開示されており、感光性
樹脂（レジスト等を含む）を用いたフォトリソグラフィ
法により緻密な凹凸を層間絶縁膜を構成する樹脂の表面
に形成し、その上に高反射特性を有する膜からなる画素
電極を形成することにより、画素電極の表面に凹凸を形
成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、反射型
液晶表示装置において、光の利用効率を高めるために反
射膜兼画素電極の表面に形成する緻密な凹凸をフォトリ
ソグラフィ法により形成する方法が提案されているが、
凹凸を形成するために用いる感光性樹脂を露光する際、
感光性樹脂部で吸収されなかったＵＶ光は、透明基板を
透過して基板ホルダーで吸収されなかった一部が反射
し、特に基板ホルダーに設けられた吸着溝等の端部で反
射されたＵＶ光は迷光となって吸着溝近傍の感光性樹脂
を感光させ、吸着溝形状に対応した領域で得られる凹凸
形状に微妙な寸法差をもたらす。このような凹凸形成膜
上に高反射膜を形成した場合、微妙な寸法差を有してい
る凹凸形状部も高反射膜にそのまま転写され、その部分
は反射斑として視認されて表示装置の画質を低下させる
という問題があった。
液晶表示装置において、光の利用効率を高めるために反
射膜兼画素電極の表面に形成する緻密な凹凸をフォトリ
ソグラフィ法により形成する方法が提案されているが、
凹凸を形成するために用いる感光性樹脂を露光する際、
感光性樹脂部で吸収されなかったＵＶ光は、透明基板を
透過して基板ホルダーで吸収されなかった一部が反射
し、特に基板ホルダーに設けられた吸着溝等の端部で反
射されたＵＶ光は迷光となって吸着溝近傍の感光性樹脂
を感光させ、吸着溝形状に対応した領域で得られる凹凸
形状に微妙な寸法差をもたらす。このような凹凸形成膜
上に高反射膜を形成した場合、微妙な寸法差を有してい
る凹凸形状部も高反射膜にそのまま転写され、その部分
は反射斑として視認されて表示装置の画質を低下させる
という問題があった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、反射画素電極に適性な凹凸が
形成されることにより良好な反射特性を有し表示品質の
高い反射型液晶表示装置を高歩留りで得ることを目的と
する。さらにこの装置に適した製造方法を提供すること
を目的とする。
るためになされたもので、反射画素電極に適性な凹凸が
形成されることにより良好な反射特性を有し表示品質の
高い反射型液晶表示装置を高歩留りで得ることを目的と
する。さらにこの装置に適した製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる反射型
液晶表示装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成さ
れた走査線、走査電極および共通電極配線と、走査線、
走査電極および共通電極配線上に形成された絶縁膜と、
絶縁膜を介して走査電極上に形成された半導体層と、半
導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の
電極、および第一の電極と接続された信号線と、第一の
電極、第二の電極および信号線上に形成され、走査線、
第一の電極、第二の電極および信号線の段差を吸収し、
かつ表面に緻密な凹凸を有する層間絶縁膜と、層間絶縁
膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写され
た形状を有すると共に、層間絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールを介して第二の電極と電気的に接続された高
反射金属膜からなる反射画素電極を有する第一の基板、
および第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板
を備え、絶縁性基板はＵＶ光に対して不透過な状態に処
理されているものである。また、絶縁性基板は、全面が
ＵＶ光に対して不透過な状態に処理されているものであ
る。また、絶縁性基板は、表示部がＵＶ光に対して不透
過な状態に処理されているものである。
液晶表示装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成さ
れた走査線、走査電極および共通電極配線と、走査線、
走査電極および共通電極配線上に形成された絶縁膜と、
絶縁膜を介して走査電極上に形成された半導体層と、半
導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の
電極、および第一の電極と接続された信号線と、第一の
電極、第二の電極および信号線上に形成され、走査線、
第一の電極、第二の電極および信号線の段差を吸収し、
かつ表面に緻密な凹凸を有する層間絶縁膜と、層間絶縁
膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写され
た形状を有すると共に、層間絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールを介して第二の電極と電気的に接続された高
反射金属膜からなる反射画素電極を有する第一の基板、
および第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板
を備え、絶縁性基板はＵＶ光に対して不透過な状態に処
理されているものである。また、絶縁性基板は、全面が
ＵＶ光に対して不透過な状態に処理されているものであ
る。また、絶縁性基板は、表示部がＵＶ光に対して不透
過な状態に処理されているものである。
【０００８】さらに、絶縁性基板は、透明絶縁性基板の
片面あるいは両面、もしくは二枚の透明絶縁性基板の間
にＵＶ光吸収膜が形成されることによりＵＶ光に対して
不透過な状態に処理されているものである。また、絶縁
性基板は、透明絶縁性基板の片面あるいは両面、もしく
は二枚の透明絶縁性基板の間に金属膜等のＵＶ光不透過
膜が形成されることによりＵＶ光に対して不透過な状態
に処理されているものである。また、絶縁性基板は、透
明もしくは着色されたＵＶカットガラスである。
片面あるいは両面、もしくは二枚の透明絶縁性基板の間
にＵＶ光吸収膜が形成されることによりＵＶ光に対して
不透過な状態に処理されているものである。また、絶縁
性基板は、透明絶縁性基板の片面あるいは両面、もしく
は二枚の透明絶縁性基板の間に金属膜等のＵＶ光不透過
膜が形成されることによりＵＶ光に対して不透過な状態
に処理されているものである。また、絶縁性基板は、透
明もしくは着色されたＵＶカットガラスである。
【０００９】また、透明絶縁性基板と、絶縁性基板上に
形成された走査線、走査電極および共通電極配線と、走
査線、走査電極および共通電極配線上に形成された絶縁
膜と、絶縁膜を介して走査電極上に形成された半導体層
と、半導体層と同一膜により構成された半導体膜と、半
導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の
電極、および第一の電極と接続された信号線と、第一の
電極、第二の電極および信号線上に形成され、走査線、
第一の電極、第二の電極および信号線の段差を吸収し、
かつ表面に緻密な凹凸を有する層間絶縁膜と、層間絶縁
膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写され
た形状を有すると共に、層間絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールを介して第二の電極と電気的に接続された高
反射金属膜からなる反射画素電極を有する第一の基板、
および第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板
を備え、半導体膜は走査線、信号線およびコンタクトホ
ール形成領域以外の画素領域に形成されているものであ
る。
形成された走査線、走査電極および共通電極配線と、走
査線、走査電極および共通電極配線上に形成された絶縁
膜と、絶縁膜を介して走査電極上に形成された半導体層
と、半導体層と同一膜により構成された半導体膜と、半
導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の
電極、および第一の電極と接続された信号線と、第一の
電極、第二の電極および信号線上に形成され、走査線、
第一の電極、第二の電極および信号線の段差を吸収し、
かつ表面に緻密な凹凸を有する層間絶縁膜と、層間絶縁
膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写され
た形状を有すると共に、層間絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールを介して第二の電極と電気的に接続された高
反射金属膜からなる反射画素電極を有する第一の基板、
および第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板
を備え、半導体膜は走査線、信号線およびコンタクトホ
ール形成領域以外の画素領域に形成されているものであ
る。
【００１０】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、二枚の透明絶縁性基板の一方にＵＶ光吸収膜あるい
は金属膜等のＵＶ光不透過膜および絶縁層を形成する工
程と、透明絶縁性基板のＵＶ光吸収膜あるいは金属膜等
のＵＶ光不透過膜および絶縁層が形成された面側あるい
は裏面側に走査線、走査電極および共通電極配線を形成
する工程と、走査線、走査電極および共通電極配線上に
絶縁膜を形成する工程と、走査電極上に絶縁膜を介して
半導体層を形成する工程と、半導体層と共に半導体素子
を構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形
成する工程と、第一の電極、第二の電極および信号線上
に感光性を有する樹脂を塗布し、露光、現像処理により
所定の位置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を
有する層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およ
びコンタクトホール内に高反射金属膜を成膜し、パター
ニングして層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写され
た形状を有すると共に、第二の電極とコンタクトホール
を介して電気的に接続された反射画素電極を形成する工
程を含むものである。
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、二枚の透明絶縁性基板の一方にＵＶ光吸収膜あるい
は金属膜等のＵＶ光不透過膜および絶縁層を形成する工
程と、透明絶縁性基板のＵＶ光吸収膜あるいは金属膜等
のＵＶ光不透過膜および絶縁層が形成された面側あるい
は裏面側に走査線、走査電極および共通電極配線を形成
する工程と、走査線、走査電極および共通電極配線上に
絶縁膜を形成する工程と、走査電極上に絶縁膜を介して
半導体層を形成する工程と、半導体層と共に半導体素子
を構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形
成する工程と、第一の電極、第二の電極および信号線上
に感光性を有する樹脂を塗布し、露光、現像処理により
所定の位置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を
有する層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およ
びコンタクトホール内に高反射金属膜を成膜し、パター
ニングして層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写され
た形状を有すると共に、第二の電極とコンタクトホール
を介して電気的に接続された反射画素電極を形成する工
程を含むものである。
【００１１】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されているＵＶカットガラスと透明絶縁性基板を対
向させて接着すると共に、ＵＶカットガラスと透明絶縁
性基板の間には液晶材料が挟持されている反射型液晶表
示装置の製造方法において、ＵＶカットガラス上に走査
線、走査電極および共通電極配線を形成する工程と、走
査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を形成す
る工程と、走査電極上に絶縁膜を介して半導体層を形成
する工程と、半導体層と共に半導体素子を構成する第一
の電極と第二の電極、および信号線を形成する工程と、
第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を有す
る樹脂を塗布し、露光、現像処理により所定の位置にコ
ンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層間絶縁
膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコンタクトホ
ール内に高反射金属膜を成膜し、パターニングして層間
絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有する
と共に、第二の電極とコンタクトホールを介して電気的
に接続された反射画素電極を形成する工程を含むもので
ある。
形成されているＵＶカットガラスと透明絶縁性基板を対
向させて接着すると共に、ＵＶカットガラスと透明絶縁
性基板の間には液晶材料が挟持されている反射型液晶表
示装置の製造方法において、ＵＶカットガラス上に走査
線、走査電極および共通電極配線を形成する工程と、走
査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を形成す
る工程と、走査電極上に絶縁膜を介して半導体層を形成
する工程と、半導体層と共に半導体素子を構成する第一
の電極と第二の電極、および信号線を形成する工程と、
第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を有す
る樹脂を塗布し、露光、現像処理により所定の位置にコ
ンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層間絶縁
膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコンタクトホ
ール内に高反射金属膜を成膜し、パターニングして層間
絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有する
と共に、第二の電極とコンタクトホールを介して電気的
に接続された反射画素電極を形成する工程を含むもので
ある。
【００１２】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極お
よび共通電極配線を形成する工程と、走査線、走査電極
および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、走査
電極上に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、半
導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の
電極、および信号線を形成する工程と、第一の電極、第
二の電極および信号線上に感光性を有する樹脂を塗布す
る工程と、感光性を有する樹脂が塗布された透明絶縁性
基板の裏面側にＵＶカットフィルムを貼り付ける工程
と、感光性を有する樹脂に露光処理を施す工程と、ＵＶ
カットフィルムを剥離した後、現像処理を施し所定の位
置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層
間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコンタ
クトホール内に高反射金属膜を成膜し、パターニングし
て層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を
有すると共に、第二の電極とコンタクトホールを介して
電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含む
ものである。
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極お
よび共通電極配線を形成する工程と、走査線、走査電極
および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、走査
電極上に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、半
導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の
電極、および信号線を形成する工程と、第一の電極、第
二の電極および信号線上に感光性を有する樹脂を塗布す
る工程と、感光性を有する樹脂が塗布された透明絶縁性
基板の裏面側にＵＶカットフィルムを貼り付ける工程
と、感光性を有する樹脂に露光処理を施す工程と、ＵＶ
カットフィルムを剥離した後、現像処理を施し所定の位
置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層
間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコンタ
クトホール内に高反射金属膜を成膜し、パターニングし
て層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を
有すると共に、第二の電極とコンタクトホールを介して
電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含む
ものである。
【００１３】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極お
よび共通電極配線を形成する工程と、走査線、走査電極
および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、走査
電極上に絶縁膜を介して半導体層および所定の領域に半
導体膜を形成する工程と、半導体層と共に半導体素子を
構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形成
する工程と、第一の電極、第二の電極および信号線上に
感光性を有する樹脂を塗布し、露光、現像により所定の
位置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する
層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコン
タクトホール内に高反射金属膜を成膜し、パターニング
して層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状
を有すると共に、第二の電極とコンタクトホールを介し
て電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含
むものである。
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極お
よび共通電極配線を形成する工程と、走査線、走査電極
および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、走査
電極上に絶縁膜を介して半導体層および所定の領域に半
導体膜を形成する工程と、半導体層と共に半導体素子を
構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形成
する工程と、第一の電極、第二の電極および信号線上に
感光性を有する樹脂を塗布し、露光、現像により所定の
位置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する
層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコン
タクトホール内に高反射金属膜を成膜し、パターニング
して層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状
を有すると共に、第二の電極とコンタクトホールを介し
て電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含
むものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施の形態である反射型液晶表示装置およびその製造
方法を図について説明する。図１は本発明の実施の形態
１によるスイッチング素子としてＴＦＴを搭載した反射
型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図、
図２は図１に示すＴＦＴアレイ基板のＡ−Ａ線に沿った
部分の製造工程の一部を示す断面図である。図におい
て、１は絶縁性基板で、ガラス基板等の透明絶縁性基板
１ａ上にＵＶ光を透過させないＵＶ吸収膜１ｂおよび絶
縁層１ｃを形成することにより構成されている。２は絶
縁性基板１上に形成された走査線（ゲート電極配線）、
２ａはゲート電極配線２の一部で形成された走査電極
（ゲート電極）、３は絶縁性基板１上に形成された共通
電極配線、４はゲート電極配線２、ゲート電極２ａおよ
び共通電極配線３上に形成されたゲート絶縁膜、５はゲ
ート絶縁膜４を介してゲート電極２ａ上に形成されたア
モルファスシリコン膜からなる半導体層、６は半導体層
５上に形成された低抵抗アモルファスシリコン膜からな
るオーミックコンタクト層、７は信号線（ソース電極配
線）、７ａ、８はオーミックコンタクト層６上に形成さ
れた対を成す第一の電極（ソース電極）と第二の電極
（ドレイン電極）で、第一の電極（ソース電極）７ａは
信号線（ソース電極配線）７と接続されている。９はチ
ャネル部、１０はＴＦＴを保護するためのパッシベーシ
ョン膜、１１はパッシベーション膜１０上に形成された
層間絶縁膜、１２はパッシベーション膜１０および層間
絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール、１３は層間
絶縁膜１１上に形成された反射画素電極で、コンタクト
ホール１２を介してドレイン電極８と電気的に接続され
る。
一実施の形態である反射型液晶表示装置およびその製造
方法を図について説明する。図１は本発明の実施の形態
１によるスイッチング素子としてＴＦＴを搭載した反射
型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図、
図２は図１に示すＴＦＴアレイ基板のＡ−Ａ線に沿った
部分の製造工程の一部を示す断面図である。図におい
て、１は絶縁性基板で、ガラス基板等の透明絶縁性基板
１ａ上にＵＶ光を透過させないＵＶ吸収膜１ｂおよび絶
縁層１ｃを形成することにより構成されている。２は絶
縁性基板１上に形成された走査線（ゲート電極配線）、
２ａはゲート電極配線２の一部で形成された走査電極
（ゲート電極）、３は絶縁性基板１上に形成された共通
電極配線、４はゲート電極配線２、ゲート電極２ａおよ
び共通電極配線３上に形成されたゲート絶縁膜、５はゲ
ート絶縁膜４を介してゲート電極２ａ上に形成されたア
モルファスシリコン膜からなる半導体層、６は半導体層
５上に形成された低抵抗アモルファスシリコン膜からな
るオーミックコンタクト層、７は信号線（ソース電極配
線）、７ａ、８はオーミックコンタクト層６上に形成さ
れた対を成す第一の電極（ソース電極）と第二の電極
（ドレイン電極）で、第一の電極（ソース電極）７ａは
信号線（ソース電極配線）７と接続されている。９はチ
ャネル部、１０はＴＦＴを保護するためのパッシベーシ
ョン膜、１１はパッシベーション膜１０上に形成された
層間絶縁膜、１２はパッシベーション膜１０および層間
絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール、１３は層間
絶縁膜１１上に形成された反射画素電極で、コンタクト
ホール１２を介してドレイン電極８と電気的に接続され
る。
【００１５】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板等の透明絶
縁性基板１ａの表面にＣＶＤ法等を用いてＵＶ吸収膜１
ｂおよび絶縁層１ｃを構成するＳｉＮ膜（３００ｎｍ）
を基板全面に連続して形成し、ＵＶ光に対してフィルタ
機能を有する絶縁性基板１を形成する。なお、ＵＶ吸収
膜１ｂとしては、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン
膜（ａ−Ｓｉ膜）を用いた。図３はａ−Ｓｉ膜の膜厚と
紫外線透過率の関係（計算値）を示す図で、膜厚５０ｎ
ｍのａ−Ｓｉ膜は、ＵＶ光（ｈ線露光波長：４０５ｎ
ｍ）に対して９７．５％のカットフィルタとなる。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板等の透明絶
縁性基板１ａの表面にＣＶＤ法等を用いてＵＶ吸収膜１
ｂおよび絶縁層１ｃを構成するＳｉＮ膜（３００ｎｍ）
を基板全面に連続して形成し、ＵＶ光に対してフィルタ
機能を有する絶縁性基板１を形成する。なお、ＵＶ吸収
膜１ｂとしては、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン
膜（ａ−Ｓｉ膜）を用いた。図３はａ−Ｓｉ膜の膜厚と
紫外線透過率の関係（計算値）を示す図で、膜厚５０ｎ
ｍのａ−Ｓｉ膜は、ＵＶ光（ｈ線露光波長：４０５ｎ
ｍ）に対して９７．５％のカットフィルタとなる。
【００１６】次に、絶縁性基板１の表面にスパッタ法等
を用いてＣｒを成膜した後、フォトリソグラフィ法によ
り形成したレジストを用いてパターニングし、ゲート電
極配線２、ゲート電極２ａおよび共通電極配線３を形成
する。次に、プラズマＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜
４となるシリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜、不
純物がドープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順
次成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレ
ジストを用いてアモルファスシリコン膜および低抵抗ア
モルファスシリコン膜をパターニングし、半導体層５お
よびオーミックコンタクト層６を形成する。次に、スパ
ッタ法による成膜およびフォトリソグラフィ法によるパ
ターニングを行い、オーミックコンタクト層６上にソー
ス電極配線７、ソース電極７ａおよびドレイン電極８を
形成すると共に、ソース電極７ａとドレイン電極８に覆
われていない部分の低抵抗アモルファスシリコン膜（オ
ーミックコンタクト層６）をエッチングし、チャネル部
９を形成してＴＦＴを構成する。なお、ドレイン電極８
の一端は、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜４を挟み低
抵抗金属からなる共通電極配線３と対向し、反射画素電
極１３の形成領域内で容量（コンデンサ）を形成してい
る。次に、ＴＦＴを保護するためのパッシベーション膜
１０をＣＶＤ法等により成膜する（図２（ｂ））。
を用いてＣｒを成膜した後、フォトリソグラフィ法によ
り形成したレジストを用いてパターニングし、ゲート電
極配線２、ゲート電極２ａおよび共通電極配線３を形成
する。次に、プラズマＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜
４となるシリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜、不
純物がドープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順
次成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレ
ジストを用いてアモルファスシリコン膜および低抵抗ア
モルファスシリコン膜をパターニングし、半導体層５お
よびオーミックコンタクト層６を形成する。次に、スパ
ッタ法による成膜およびフォトリソグラフィ法によるパ
ターニングを行い、オーミックコンタクト層６上にソー
ス電極配線７、ソース電極７ａおよびドレイン電極８を
形成すると共に、ソース電極７ａとドレイン電極８に覆
われていない部分の低抵抗アモルファスシリコン膜（オ
ーミックコンタクト層６）をエッチングし、チャネル部
９を形成してＴＦＴを構成する。なお、ドレイン電極８
の一端は、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜４を挟み低
抵抗金属からなる共通電極配線３と対向し、反射画素電
極１３の形成領域内で容量（コンデンサ）を形成してい
る。次に、ＴＦＴを保護するためのパッシベーション膜
１０をＣＶＤ法等により成膜する（図２（ｂ））。
【００１７】次に、誘電率が４以下の感光性を有するア
クリル系樹脂をＴＦＴおよび電極配線（ゲート電極配線
２、共通電極配線３、ソース電極配線７等）による段差
を吸収して表面が平坦化されるように塗布し、露光およ
び現像処理によりゲート電極配線２上、ソース電極配線
７上および上記容量形成部の一部を除く画素領域内では
表面に凹凸形状、ドレイン電極８がゲート絶縁膜４を介
して共通電極配線３と対向し容量を形成している部分上
にはコンタクトホール、および端子コンタクト用の開口
部（図示せず）を形成した後、焼成を行い層間絶縁膜１
１を形成する。本実施の形態では、層間絶縁膜１１とし
てポジ型のアクリル樹脂（ＪＳＲ製ＰＣ−３５５：ｉ
線、ｈ線感光品）を約４μｍ塗布し、ｈ線のステッパー
露光機を用い、コンタクトホール部は４００ｍｊ／ｃｍ
2 、画素領域内の凹凸形成部は１６０ｍｊ／ｃｍ2 で露
光処理を施し、感光剤の分解率を変えて溶解速度に差を
持たせる分割露光のフォトリソグラフィ法を用いた。現
像液は弱アルカリ現像液（ＴＭＡＨ０．４ｗｔ％）を用
い、コンタクトホール部および端子コンタクト部では下
層のパッシベーション膜１０を露出させ、凹凸形状は表
面層にのみ形成した後、２００〜２３０゜Ｃで約１時間
焼成を行い層間絶縁膜１１を形成した。なお、層間絶縁
膜１１を構成する感光性樹脂の露光時、感光性樹脂等が
形成されている絶縁性基板１はＵＶ光に対して不透過な
状態に処理されているため、絶縁性基板１裏面の基板ホ
ルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等
の不適当な光による感光が生じない。
クリル系樹脂をＴＦＴおよび電極配線（ゲート電極配線
２、共通電極配線３、ソース電極配線７等）による段差
を吸収して表面が平坦化されるように塗布し、露光およ
び現像処理によりゲート電極配線２上、ソース電極配線
７上および上記容量形成部の一部を除く画素領域内では
表面に凹凸形状、ドレイン電極８がゲート絶縁膜４を介
して共通電極配線３と対向し容量を形成している部分上
にはコンタクトホール、および端子コンタクト用の開口
部（図示せず）を形成した後、焼成を行い層間絶縁膜１
１を形成する。本実施の形態では、層間絶縁膜１１とし
てポジ型のアクリル樹脂（ＪＳＲ製ＰＣ−３５５：ｉ
線、ｈ線感光品）を約４μｍ塗布し、ｈ線のステッパー
露光機を用い、コンタクトホール部は４００ｍｊ／ｃｍ
2 、画素領域内の凹凸形成部は１６０ｍｊ／ｃｍ2 で露
光処理を施し、感光剤の分解率を変えて溶解速度に差を
持たせる分割露光のフォトリソグラフィ法を用いた。現
像液は弱アルカリ現像液（ＴＭＡＨ０．４ｗｔ％）を用
い、コンタクトホール部および端子コンタクト部では下
層のパッシベーション膜１０を露出させ、凹凸形状は表
面層にのみ形成した後、２００〜２３０゜Ｃで約１時間
焼成を行い層間絶縁膜１１を形成した。なお、層間絶縁
膜１１を構成する感光性樹脂の露光時、感光性樹脂等が
形成されている絶縁性基板１はＵＶ光に対して不透過な
状態に処理されているため、絶縁性基板１裏面の基板ホ
ルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等
の不適当な光による感光が生じない。
【００１８】次に、層間絶縁膜１１をマスクとして層間
絶縁膜１１に設けられたコンタクトホールにより露出し
たパッシベーション膜１０をエッチングし、コンタクト
ホール１２を形成してドレイン電極８を露出させる。同
時に端子コンタクト部（図示せず）のパッシベーション
膜も除去する。次に、図２（ｃ）に示すように、層間絶
縁膜１１上およびコンタクトホール１２内にＡｌ等の高
反射金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法により
形成したレジストを用いてパターニングし、各画素部に
対応した反射画素電極１３を形成する。このとき、反射
画素電極１３はコンタクトホール１２を介してドレイン
電極８と電気的に接続される。なお、反射画素電極１３
はゲート電極配線２やソース電極配線７とオーバーラッ
プさせて形成することにより高開口率化が図られる。
絶縁膜１１に設けられたコンタクトホールにより露出し
たパッシベーション膜１０をエッチングし、コンタクト
ホール１２を形成してドレイン電極８を露出させる。同
時に端子コンタクト部（図示せず）のパッシベーション
膜も除去する。次に、図２（ｃ）に示すように、層間絶
縁膜１１上およびコンタクトホール１２内にＡｌ等の高
反射金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法により
形成したレジストを用いてパターニングし、各画素部に
対応した反射画素電極１３を形成する。このとき、反射
画素電極１３はコンタクトホール１２を介してドレイン
電極８と電気的に接続される。なお、反射画素電極１３
はゲート電極配線２やソース電極配線７とオーバーラッ
プさせて形成することにより高開口率化が図られる。
【００１９】以上の工程により形成されたＴＦＴアレイ
基板（第一の基板）と、他の透明絶縁性基板上に対向電
極が形成された対向基板（第二の基板）の表面に配向膜
を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入することに
より反射型液晶表示素子を構成する。
基板（第一の基板）と、他の透明絶縁性基板上に対向電
極が形成された対向基板（第二の基板）の表面に配向膜
を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入することに
より反射型液晶表示素子を構成する。
【００２０】なお、層間絶縁膜１１を構成する感光性樹
脂としては、ネガ型を用いてもよい。また、反射画素電
極１３は、銀膜等の他の高反射膜を用いて形成してもよ
い。また、本実施の形態では、絶縁性基板１として、通
常透過型液晶表示素子に用いられる透明絶縁性基板の表
面にＵＶ吸収膜１ｂおよび絶縁層１ｃを形成したが、透
明もしくは着色されたＵＶカットガラスを用いて絶縁性
基板としてもよい。また、図４（ａ）に示すように、Ｕ
Ｖ吸収膜１ｂおよび絶縁層１ｃを透明絶縁性基板１ａの
裏面側（ＴＦＴ等が形成されない面側）に形成、または
図４（ｂ）に示すように、ＵＶ吸収膜１ｂおよび絶縁層
１ｃを透明絶縁性基板１ａの両面に形成、または図４
（ｃ）に示すように、ＵＶ吸収膜１ｂを二枚の透明絶縁
性基板１ａに挟む形で形成することにより絶縁性基板１
を構成してもよい。さらにまた、ＵＶ吸収膜の代わりに
金属膜等のＵＶ光不透過膜を用いて絶縁性基板を構成し
てもよい。また、絶縁層１ｃとして、ＳｉＯｘ等の無機
絶縁材料や耐熱性の硬質有機膜を用いてもよい。また、
本実施の形態ではパッシベーション膜１０を設けたが、
パッシベーション膜１０を有しない構造の反射型液晶表
示装置においても同様の効果が得られる。
脂としては、ネガ型を用いてもよい。また、反射画素電
極１３は、銀膜等の他の高反射膜を用いて形成してもよ
い。また、本実施の形態では、絶縁性基板１として、通
常透過型液晶表示素子に用いられる透明絶縁性基板の表
面にＵＶ吸収膜１ｂおよび絶縁層１ｃを形成したが、透
明もしくは着色されたＵＶカットガラスを用いて絶縁性
基板としてもよい。また、図４（ａ）に示すように、Ｕ
Ｖ吸収膜１ｂおよび絶縁層１ｃを透明絶縁性基板１ａの
裏面側（ＴＦＴ等が形成されない面側）に形成、または
図４（ｂ）に示すように、ＵＶ吸収膜１ｂおよび絶縁層
１ｃを透明絶縁性基板１ａの両面に形成、または図４
（ｃ）に示すように、ＵＶ吸収膜１ｂを二枚の透明絶縁
性基板１ａに挟む形で形成することにより絶縁性基板１
を構成してもよい。さらにまた、ＵＶ吸収膜の代わりに
金属膜等のＵＶ光不透過膜を用いて絶縁性基板を構成し
てもよい。また、絶縁層１ｃとして、ＳｉＯｘ等の無機
絶縁材料や耐熱性の硬質有機膜を用いてもよい。また、
本実施の形態ではパッシベーション膜１０を設けたが、
パッシベーション膜１０を有しない構造の反射型液晶表
示装置においても同様の効果が得られる。
【００２１】本実施の形態によれば、ＴＦＴアレイが形
成される絶縁性基板１をＵＶ光に対して不透過な基板に
より構成することにより、層間絶縁膜１１を構成する感
光性樹脂の露光時、絶縁性基板１裏面の基板ホルダー等
からの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等の不適
当な光による感光が生じないため、層間絶縁膜１１表面
には適性な凹凸が形成され、この適性な凹凸が反射画素
電極１３に転写されることにより、良好な反射特性を有
した表示品質の高い反射型液晶表示装置を構成できる。
また、レジストパターンで非感光性の樹脂をエッチング
し凹凸形成の場合、及びレジストパターンそのものを残
し凹凸形成する場合においても、露光工程を使用する限
り有効である。
成される絶縁性基板１をＵＶ光に対して不透過な基板に
より構成することにより、層間絶縁膜１１を構成する感
光性樹脂の露光時、絶縁性基板１裏面の基板ホルダー等
からの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等の不適
当な光による感光が生じないため、層間絶縁膜１１表面
には適性な凹凸が形成され、この適性な凹凸が反射画素
電極１３に転写されることにより、良好な反射特性を有
した表示品質の高い反射型液晶表示装置を構成できる。
また、レジストパターンで非感光性の樹脂をエッチング
し凹凸形成の場合、及びレジストパターンそのものを残
し凹凸形成する場合においても、露光工程を使用する限
り有効である。
【００２２】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２による反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製
造方法を説明するための平面図である。図において、１
ａはガラス基板等の透明絶縁性基板、１ｂはＵＶ吸収
膜、１ｃは絶縁層、１４は液晶パネルにおける表示部、
１５は表示部の周縁に設けられた端子部である。なお、
一個の液晶パネルを構成するＴＦＴアレイは、図５に示
すように、一枚の透明絶縁性基板１ａに一個または複数
個取りで形成される。
態２による反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製
造方法を説明するための平面図である。図において、１
ａはガラス基板等の透明絶縁性基板、１ｂはＵＶ吸収
膜、１ｃは絶縁層、１４は液晶パネルにおける表示部、
１５は表示部の周縁に設けられた端子部である。なお、
一個の液晶パネルを構成するＴＦＴアレイは、図５に示
すように、一枚の透明絶縁性基板１ａに一個または複数
個取りで形成される。
【００２３】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１ａの表面にＵＶ
吸収膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により液晶パネ
ルの表示部１４にのみＵＶ吸収膜１ｂを形成する。次に
絶縁層１ｃを基板全面に形成して絶縁性基板を構成す
る。その後、実施の形態１と同様の方法によりＴＦＴア
レイ基板および反射型液晶表示素子を形成する。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１ａの表面にＵＶ
吸収膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により液晶パネ
ルの表示部１４にのみＵＶ吸収膜１ｂを形成する。次に
絶縁層１ｃを基板全面に形成して絶縁性基板を構成す
る。その後、実施の形態１と同様の方法によりＴＦＴア
レイ基板および反射型液晶表示素子を形成する。
【００２４】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様の効果が得られると共に、ＵＶ吸収膜１ｂを金属等の
不透明膜により構成した場合においても、アライメント
マーク等が形成されるエリアは透明な状態とすることが
できるため、アライメントを必要とする工程における使
用装置や、ＵＶ不透過膜に対する制約がなくなる。
様の効果が得られると共に、ＵＶ吸収膜１ｂを金属等の
不透明膜により構成した場合においても、アライメント
マーク等が形成されるエリアは透明な状態とすることが
できるため、アライメントを必要とする工程における使
用装置や、ＵＶ不透過膜に対する制約がなくなる。
【００２５】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３による反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製
造工程の一部を示す断面図である。図において、１６は
層間絶縁膜１１を構成する感光性樹脂を露光する際に用
いられるマスク、１７はＵＶカットフィルムである。な
お、図２と同一部分には同符号を付し説明を省略する。
態３による反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製
造工程の一部を示す断面図である。図において、１６は
層間絶縁膜１１を構成する感光性樹脂を露光する際に用
いられるマスク、１７はＵＶカットフィルムである。な
お、図２と同一部分には同符号を付し説明を省略する。
【００２６】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、透明絶縁性基板１ａ上に実施の形態１と同様の方
法によりゲート電極配線２、ゲート電極２ａ、共通電極
配線３、ゲート絶縁膜４、半導体層５、オーミックコン
タクト層６、ソース電極配線７、ソース電極７ａ、ドレ
イン電極８、チャネル部９およびパッシベーション膜１
０を形成する（図６（ａ））。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、透明絶縁性基板１ａ上に実施の形態１と同様の方
法によりゲート電極配線２、ゲート電極２ａ、共通電極
配線３、ゲート絶縁膜４、半導体層５、オーミックコン
タクト層６、ソース電極配線７、ソース電極７ａ、ドレ
イン電極８、チャネル部９およびパッシベーション膜１
０を形成する（図６（ａ））。
【００２７】次に、図６（ｂ）に示すように、誘電率が
４以下の感光性を有するアクリル系樹脂をＴＦＴおよび
電極配線（ゲート電極配線２、共通電極配線３、ソース
電極配線７等）による段差を吸収して表面が平坦化され
るように塗布した後、透明絶縁性基板１ａの裏面側（電
極配線およびＴＦＴが形成されていない面側）にＵＶカ
ットフィルム１７を貼り付けた状態で、マスク１４を介
して感光剤の分解率を変えて溶解速度に差を持たせる分
割露光のフォトリソグラフィ法により露光処理する。続
いてＵＶカットフィルム１７を剥した後に弱アルカリ現
像液を用いて現像処理を施し、ゲート電極配線２上、ソ
ース電極配線７上および上記容量形成部の一部を除く画
素領域内では表面に凹凸形状、ドレイン電極８がゲート
絶縁膜４を介して共通電極３と対向し容量を形成してい
る部分上にはコンタクトホール、および端子コンタクト
用の開口部（図示せず）を形成し、焼成を行い層間絶縁
膜１１を形成する。なお、層間絶縁膜１１を構成する感
光性樹脂の露光時、感光性樹脂等が形成されている透明
絶縁性基板１ａの裏面側にはＵＶカットフィルムが貼り
付けられＵＶ光に対して不透過な状態に処理されている
ため、基板裏面側の基板ホルダーからの反射光が抑制さ
れ、感光性樹脂に反射光等の不適当な光による感光が生
じない。
４以下の感光性を有するアクリル系樹脂をＴＦＴおよび
電極配線（ゲート電極配線２、共通電極配線３、ソース
電極配線７等）による段差を吸収して表面が平坦化され
るように塗布した後、透明絶縁性基板１ａの裏面側（電
極配線およびＴＦＴが形成されていない面側）にＵＶカ
ットフィルム１７を貼り付けた状態で、マスク１４を介
して感光剤の分解率を変えて溶解速度に差を持たせる分
割露光のフォトリソグラフィ法により露光処理する。続
いてＵＶカットフィルム１７を剥した後に弱アルカリ現
像液を用いて現像処理を施し、ゲート電極配線２上、ソ
ース電極配線７上および上記容量形成部の一部を除く画
素領域内では表面に凹凸形状、ドレイン電極８がゲート
絶縁膜４を介して共通電極３と対向し容量を形成してい
る部分上にはコンタクトホール、および端子コンタクト
用の開口部（図示せず）を形成し、焼成を行い層間絶縁
膜１１を形成する。なお、層間絶縁膜１１を構成する感
光性樹脂の露光時、感光性樹脂等が形成されている透明
絶縁性基板１ａの裏面側にはＵＶカットフィルムが貼り
付けられＵＶ光に対して不透過な状態に処理されている
ため、基板裏面側の基板ホルダーからの反射光が抑制さ
れ、感光性樹脂に反射光等の不適当な光による感光が生
じない。
【００２８】その後、実施の形態１と同様の方法によ
り、コンタクトホール１２および反射画素電極１３を形
成してＴＦＴアレイ基板を構成し、このＴＦＴアレイ基
板と対向基板の表面に配向膜を形成後対向させ、この間
に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示素子を
構成する。本実施の形態によれば、実施の形態１と同様
の効果が得られる。
り、コンタクトホール１２および反射画素電極１３を形
成してＴＦＴアレイ基板を構成し、このＴＦＴアレイ基
板と対向基板の表面に配向膜を形成後対向させ、この間
に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示素子を
構成する。本実施の形態によれば、実施の形態１と同様
の効果が得られる。
【００２９】実施の形態４．図７は本発明の実施の形態
４によるスイッチング素子としてＴＦＴを搭載した反射
型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図、
図８は図７のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図におい
て、５ａは半導体層５形成と同時に形成された島状の半
導体膜（アモルファスシリコン膜）、６ａはオーミック
コンタクト層６形成と同時に形成された島状の低抵抗ア
モルファスシリコン膜である。なお、図１および図２と
同一部分には同符号を付し説明を省略する。
４によるスイッチング素子としてＴＦＴを搭載した反射
型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図、
図８は図７のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図におい
て、５ａは半導体層５形成と同時に形成された島状の半
導体膜（アモルファスシリコン膜）、６ａはオーミック
コンタクト層６形成と同時に形成された島状の低抵抗ア
モルファスシリコン膜である。なお、図１および図２と
同一部分には同符号を付し説明を省略する。
【００３０】次に、本実施の形態による反射型液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１ａの表面に実施
の形態１と同様の方法によりゲート電極配線２、ゲート
電極２ａおよび共通電極配線３を形成する。次に、プラ
ズマＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜４となるシリコン
窒化膜、アモルファスシリコン膜、不純物がドープされ
た低抵抗アモルファスシリコン膜を順次成膜した後、フ
ォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてア
モルファスシリコン膜および低抵抗アモルファスシリコ
ン膜をパターニングし、半導体層５およびオーミックコ
ンタクト層６を形成する。このとき、コンタクトホール
１２およびゲート電極配線２、ソース電極配線７の形成
領域以外の画素領域内にもアモルファスシリコン膜５ａ
および低抵抗アモルファスシリコン膜６ａが島状に残さ
れる。なお、島状に形成されるアモルファスシリコン膜
５ａおよび低抵抗アモルファスシリコン膜６ａは、図９
に示すように、ドレイン電極８等不透明な金属膜が形成
されていない透明な領域のみに形成してもよい。
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１ａの表面に実施
の形態１と同様の方法によりゲート電極配線２、ゲート
電極２ａおよび共通電極配線３を形成する。次に、プラ
ズマＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜４となるシリコン
窒化膜、アモルファスシリコン膜、不純物がドープされ
た低抵抗アモルファスシリコン膜を順次成膜した後、フ
ォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてア
モルファスシリコン膜および低抵抗アモルファスシリコ
ン膜をパターニングし、半導体層５およびオーミックコ
ンタクト層６を形成する。このとき、コンタクトホール
１２およびゲート電極配線２、ソース電極配線７の形成
領域以外の画素領域内にもアモルファスシリコン膜５ａ
および低抵抗アモルファスシリコン膜６ａが島状に残さ
れる。なお、島状に形成されるアモルファスシリコン膜
５ａおよび低抵抗アモルファスシリコン膜６ａは、図９
に示すように、ドレイン電極８等不透明な金属膜が形成
されていない透明な領域のみに形成してもよい。
【００３１】次に、スパッタ法による成膜およびフォト
リソグラフィ法によるパターニングを行い、オーミック
コンタクト層６上にソース電極配線７、ソース電極７ａ
およびドレイン電極８を形成すると共に、ソース電極７
ａとドレイン電極８に覆われていない部分の低抵抗アモ
ルファスシリコン膜６ａをエッチングし、チャネル部９
を形成してＴＦＴを構成する。このとき、ドレイン電極
８形成領域以外の低抵抗アモルファスシリコン膜６ａは
エッチングされるため、ドレイン電極８の下層にはアモ
ルファスシリコン膜５ａと低抵抗アモルファスシリコン
膜６ａが存在するが、その他の画素領域内にはアモルフ
ァスシリコン膜５ａのみが残される。
リソグラフィ法によるパターニングを行い、オーミック
コンタクト層６上にソース電極配線７、ソース電極７ａ
およびドレイン電極８を形成すると共に、ソース電極７
ａとドレイン電極８に覆われていない部分の低抵抗アモ
ルファスシリコン膜６ａをエッチングし、チャネル部９
を形成してＴＦＴを構成する。このとき、ドレイン電極
８形成領域以外の低抵抗アモルファスシリコン膜６ａは
エッチングされるため、ドレイン電極８の下層にはアモ
ルファスシリコン膜５ａと低抵抗アモルファスシリコン
膜６ａが存在するが、その他の画素領域内にはアモルフ
ァスシリコン膜５ａのみが残される。
【００３２】その後、実施の形態１と同様の方法によ
り、パッシベーション膜１０、層間絶縁膜１１、コンタ
クトホール１２および反射画素電極１３を形成してＴＦ
Ｔアレイ基板を構成し、このＴＦＴアレイ基板と対向基
板に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入
することにより反射型液晶表示素子を構成する。なお、
層間絶縁膜１１を構成する感光性樹脂の露光時、感光性
樹脂の表面に凹凸形状を形成する画素領域内には、前工
程においてアモルファスシリコン膜５ａが形成されてＵ
Ｖ光に対して不透過となっているため、基板裏面の基板
ホルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光
等の不適当な光による感光が生じない。本実施の形態に
よっても、従来プロセスを変更することなく実施の形態
１と同様の効果が得られる。
り、パッシベーション膜１０、層間絶縁膜１１、コンタ
クトホール１２および反射画素電極１３を形成してＴＦ
Ｔアレイ基板を構成し、このＴＦＴアレイ基板と対向基
板に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入
することにより反射型液晶表示素子を構成する。なお、
層間絶縁膜１１を構成する感光性樹脂の露光時、感光性
樹脂の表面に凹凸形状を形成する画素領域内には、前工
程においてアモルファスシリコン膜５ａが形成されてＵ
Ｖ光に対して不透過となっているため、基板裏面の基板
ホルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光
等の不適当な光による感光が生じない。本実施の形態に
よっても、従来プロセスを変更することなく実施の形態
１と同様の効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ＴＦ
Ｔアレイ基板のＴＦＴや電極配線上に形成され表面を平
坦化する感光性樹脂からなる層間絶縁膜の露光時におい
て、少なくとも上層に形成される反射画素電極の反射特
性を向上させるために設けられる凹凸が形成される領域
をＵＶ光に対して不透過な状態とすることにより、感光
性樹脂の露光時に感光性樹脂に吸収されなかったＵＶ光
が基板を透過することがなく、感光性樹脂に基板裏面の
基板ホルダーからの反射光等の不適当な光による感光が
生じないため、層間絶縁膜表面には適性な凹凸が形成さ
れ、この適性な凹凸が反射画素電極に転写されて良好な
反射特性を有した表示品質の高い反射型液晶表示装置を
高歩留りで得ることができる。
Ｔアレイ基板のＴＦＴや電極配線上に形成され表面を平
坦化する感光性樹脂からなる層間絶縁膜の露光時におい
て、少なくとも上層に形成される反射画素電極の反射特
性を向上させるために設けられる凹凸が形成される領域
をＵＶ光に対して不透過な状態とすることにより、感光
性樹脂の露光時に感光性樹脂に吸収されなかったＵＶ光
が基板を透過することがなく、感光性樹脂に基板裏面の
基板ホルダーからの反射光等の不適当な光による感光が
生じないため、層間絶縁膜表面には適性な凹凸が形成さ
れ、この適性な凹凸が反射画素電極に転写されて良好な
反射特性を有した表示品質の高い反射型液晶表示装置を
高歩留りで得ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１による反射型液晶表
示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図である。
示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による反射型液晶表
示装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図であ
る。
示装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図３】 アモルファスシリコン膜の膜厚と紫外線透過
率の関係を示す図である。
率の関係を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態１による他の反射型液
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の一部を示す断面図であ
る。
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の一部を示す断面図であ
る。
【図５】 この発明の実施の形態２による反射型液晶表
示装置のＴＦＴアレイ基板を説明するための平面図であ
る。
示装置のＴＦＴアレイ基板を説明するための平面図であ
る。
【図６】 この発明の実施の形態３による反射型液晶表
示装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図であ
る。
示装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図７】 この発明の実施の形態４による反射型液晶表
示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図である。
示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図である。
【図８】 この発明の実施の形態４による反射型液晶表
示装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図であ
る。
示装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図９】 この発明の実施の形態４による他の反射型液
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図であ
る。
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示す概略平面図であ
る。
１ 絶縁性基板、１ａ 透明絶縁性基板、１ｂ ＵＶ吸
収膜、１ｃ 絶縁層、２ ゲート電極配線、２ａ ゲー
ト電極、３ 共通電極配線、４ ゲート絶縁膜、５ 半
導体層、５ａ アモルファスシリコン膜、６ オーミッ
クコンタクト層、６ａ 低抵抗アモルファスシリコン
膜、７ ソース電極配線、７ａ ソース電極、８ ドレ
イン電極、９ チャネル部、１０ パッシベーション
膜、１１ 層間絶縁膜、１２ コンタクトホール、１３
反射画素電極、１４ 表示部、１５ 端子部、１７
マスク、１８ ＵＶカットフィルム。
収膜、１ｃ 絶縁層、２ ゲート電極配線、２ａ ゲー
ト電極、３ 共通電極配線、４ ゲート絶縁膜、５ 半
導体層、５ａ アモルファスシリコン膜、６ オーミッ
クコンタクト層、６ａ 低抵抗アモルファスシリコン
膜、７ ソース電極配線、７ａ ソース電極、８ ドレ
イン電極、９ チャネル部、１０ パッシベーション
膜、１１ 層間絶縁膜、１２ コンタクトホール、１３
反射画素電極、１４ 表示部、１５ 端子部、１７
マスク、１８ ＵＶカットフィルム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沼野 良典 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 中口 佳祐 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HB07X HC05 HC12 HD03 HD06 JA06 JB02 JC07 JD03 JD06 LA01 2H091 FA14Y FA34Y FA34Z FA37Y FA37Z FB09 2H092 HA28 JA24 JB07 JB57 JB58 KA05 KA12 KA18 KB13 KB25 MA05 MA07 MA13 MA15 MA16 MA18 MA20 MA27 MA37 NA01 NA07 NA29
Claims (11)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、 上記絶縁性基板上に形成された走査線、走査電極および
共通電極配線と、 上記走査線、走査電極および共通電極配線上に形成され
た絶縁膜と、 上記絶縁膜を介して上記走査電極上に形成された半導体
層と、 上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と
第二の電極、および第一の電極と接続された信号線と、 上記第一の電極、第二の電極および信号線上に形成さ
れ、上記走査線、第一の電極、第二の電極および信号線
の段差を吸収し、かつ表面に緻密な凹凸を有する層間絶
縁膜と、 上記層間絶縁膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹
凸が転写された形状を有すると共に、上記層間絶縁膜に
設けられたコンタクトホールを介して上記第二の電極と
電気的に接続された高反射金属膜からなる反射画素電極
を有する第一の基板、 上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を
備え、 上記絶縁性基板はＵＶ光に対して不透過な状態に処理さ
れていることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁性基板は、全面がＵＶ光に対して不
透過な状態に処理されていることを特徴とする請求項１
記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 絶縁性基板は、表示部がＵＶ光に対して
不透過な状態に処理されていることを特徴とする請求項
１記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 絶縁性基板は、透明絶縁性基板の片面あ
るいは両面、もしくは二枚の透明絶縁性基板の間にＵＶ
光吸収膜が形成されることによりＵＶ光に対して不透過
な状態に処理されていることを特徴とする請求項２また
は請求項３記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 絶縁性基板は、透明絶縁性基板の片面あ
るいは両面、もしくは二枚の透明絶縁性基板の間に金属
膜等のＵＶ光不透過膜が形成されることによりＵＶ光に
対して不透過な状態に処理されていることを特徴とする
請求項２または請求項３記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項６】 絶縁性基板は、透明もしくは着色された
ＵＶカットガラスであることを特徴とする請求項２記載
の反射型液晶表示装置。 - 【請求項７】 透明絶縁性基板と、 上記絶縁性基板上に形成された走査線、走査電極および
共通電極配線と、 上記走査線、走査電極および共通電極配線上に形成され
た絶縁膜と、 上記絶縁膜を介して上記走査電極上に形成された半導体
層と、 上記半導体層と同一膜により構成された半導体膜と、 上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と
第二の電極、および第一の電極と接続された信号線と、 上記第一の電極、第二の電極および信号線上に形成さ
れ、上記走査線、第一の電極、第二の電極および信号線
の段差を吸収し、かつ表面に緻密な凹凸を有する層間絶
縁膜と、 上記層間絶縁膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹
凸が転写された形状を有すると共に、上記層間絶縁膜に
設けられたコンタクトホールを介して上記第二の電極と
電気的に接続された高反射金属膜からなる反射画素電極
を有する第一の基板、 上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を
備え、 上記半導体膜は上記走査線、信号線およびコンタクトホ
ール形成領域以外の画素領域に形成されていることを特
徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項８】 少なくともいずれか一方には電極が形成
されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着する
と共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方にＵＶ光吸収膜あるい
は金属膜等のＵＶ光不透過膜および絶縁層を形成する工
程と、 上記透明絶縁性基板のＵＶ光吸収膜あるいは金属膜等の
ＵＶ光不透過膜および絶縁層が形成された面側あるいは
裏面側に走査線、走査電極および共通電極配線を形成す
る工程と、 上記走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を
形成する工程と、 上記走査電極上に上記絶縁膜を介して半導体層を形成す
る工程と、 上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と
第二の電極、および信号線を形成する工程と、 上記第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を
有する樹脂を塗布し、露光、現像処理により所定の位置
にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層間
絶縁膜を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に高反
射金属膜を成膜し、パターニングして上記層間絶縁膜表
面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、
上記第二の電極と上記コンタクトホールを介して電気的
に接続された反射画素電極を形成する工程を含むことを
特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 少なくともいずれか一方には電極が形成
されているＵＶカットガラスと透明絶縁性基板を対向さ
せて接着すると共に、上記ＵＶカットガラスと透明絶縁
性基板の間には液晶材料が挟持されている反射型液晶表
示装置の製造方法において、 上記ＵＶカットガラス上に走査線、走査電極および共通
電極配線を形成する工程と、 上記走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を
形成する工程と、 上記走査電極上に上記絶縁膜を介して半導体層を形成す
る工程と、 上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と
第二の電極、および信号線を形成する工程と、 上記第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を
有する樹脂を塗布し、露光、現像処理により所定の位置
にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層間
絶縁膜を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に高反
射金属膜を成膜し、パターニングして上記層間絶縁膜表
面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、
上記第二の電極と上記コンタクトホールを介して電気的
に接続された反射画素電極を形成する工程を含むことを
特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極お
よび共通電極配線を形成する工程と、 上記走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を
形成する工程と、 上記走査電極上に上記絶縁膜を介して半導体層を形成す
る工程と、 上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と
第二の電極、および信号線を形成する工程と、 上記第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を
有する樹脂を塗布する工程と、 上記感光性を有する樹脂が塗布された透明絶縁性基板の
裏面側にＵＶカットフィルムを貼り付ける工程と、 上記感光性を有する樹脂に露光処理を施す工程と、 上記ＵＶカットフィルムを剥離した後、現像処理を施し
所定の位置にコンタクトホールと表面に所望する凹凸を
有する層間絶縁膜を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に高反
射金属膜を成膜し、パターニングして上記層間絶縁膜表
面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、
上記第二の電極と上記コンタクトホールを介して電気的
に接続された反射画素電極を形成する工程を含むことを
特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極お
よび共通電極配線を形成する工程と、 上記走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を
形成する工程と、 上記走査電極上に上記絶縁膜を介して半導体層および所
定の領域に半導体膜を形成する工程と、 上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と
第二の電極、および信号線を形成する工程と、 上記第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を
有する樹脂を塗布し、露光、現像により所定の位置にコ
ンタクトホールと表面に所望する凹凸を有する層間絶縁
膜を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に高反
射金属膜を成膜し、パターニングして上記層間絶縁膜表
面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、
上記第二の電極と上記コンタクトホールを介して電気的
に接続された反射画素電極を形成する工程を含むことを
特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15204799A JP4034470B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR1020000008734A KR100723599B1 (ko) | 1999-02-25 | 2000-02-23 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법과 반사형액정표시장치의 제조용 마스크 |
| TW089103197A TW477904B (en) | 1999-02-25 | 2000-02-24 | Reflection type liquid display device, its manufacturing process, and mask for making such reflection type liquid display device |
| US09/512,107 US6985195B1 (en) | 1999-02-25 | 2000-02-24 | Reflection type liquid crystal display and method for manufacturing the same and mask for manufacturing reflection type liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15204799A JP4034470B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007042134A Division JP4558752B2 (ja) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2007194437A Division JP4668247B2 (ja) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15204799A Expired - Fee Related JP4034470B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-05-31 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004163938A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Prime View Internatl Co Ltd | 反射型液晶ディスプレイの反射板及びその製造方法 |
| US6844955B2 (en) | 2001-06-05 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, electronic apparatus, and method for manufacturing electro-optical device |
| KR100494703B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
| KR100507283B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2005-08-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
| US7042539B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-05-09 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| JP2006126307A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2007133442A (ja) * | 2007-02-20 | 2007-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半透過型表示装置の製造方法 |
| US7567329B2 (en) | 2003-05-12 | 2009-07-28 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15204799A patent/JP4034470B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007133442A (ja) * | 2007-02-20 | 2007-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半透過型表示装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP4034470B2 (ja) | 2008-01-16 |
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