CN106898710A - 一种oled显示面板及其制备方法、显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法、显示器，该方法包括在第一基板的表面形层多个膜层，多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于缓冲层上的半导体氧化物图案层；在多个膜层上设置第二基板；在第一基板的底面形成遮光层，遮光层与半导体氧化物图案层对应设置的方法，将遮光层设置于第一基板的底面，在对半导体氧化物图案层进行遮光的同时，去除了现有技术中的金属遮光层，避免了金属遮光层产生的寄生电容。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示器。
背景技术
目前，由于顶栅结构的半导体氧化物TFT具有较小的寄生电容，TFT尺寸可以较小，成为OLED驱动的较好选择，但是半导体氧化物在被外界光照射的情况下会改变其特性，降低TFT功能。
现有技术中，一般在TFT沟道层与半导体氧化物相对应的位置设置一层金属遮光层，以防止外界光照射半导体氧化物，但是金属遮光层会与TFT产生额外的寄生电容从而影响TFT的功能。
发明内容
本发明主要提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示器，旨在解决金属遮光层的存在会产生寄生电容的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种OLED显示面板的制备方法，该方法包括：在第一基板的表面形层多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；在所述多个膜层上设置第二基板；在所述第一基板的底面形成遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，该显示面板包括：第一基板，所述第一基板的表面有多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；第二基板，设置于所述多个膜层上；其中，所述第一基板的底面设有遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，该显示器包括上述的显示面板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在第一基板的表面形层多个膜层，多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于缓冲层上的半导体氧化物图案层；在多个膜层上设置第二基板；在第一基板的底面形成遮光层，遮光层与半导体氧化物图案层对应设置的方法，将遮光层设置于第一基板的底面，在对半导体氧化物图案层进行遮光的同时，去除了现有技术中的金属遮光层，避免了金属遮光层产生的寄生电容。
附图说明
图1是本发明OLED显示面板的制备方法实施例的流程示意图；
图2是图1中各步骤制备而成的OLED显示面板实施例的结构示意图；
图3是图1中步骤S11的具体流程示意图；
图4是图3中步骤S113的具体流程示意图；
图5是图3中步骤S114的具体流程示意图；
图6是图1中步骤S13的一具体流程示意图；
图7是图6中薄膜层的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种OLED显示面板及其制备方法、显示器做进一步详细描述。
参阅图1和图2，本发明提供的OLED显示面板的制备方法实施例包括：
S11：在第一基板10的表面形成多个膜层；
其中，多个膜层包括位于底层的缓冲层101和设于缓冲层101上的半导体氧化物图案层102。
参阅图3，该步骤S11可具体包括：
S111：在第一基板10的表面形成依次层叠的缓冲层101及半导体氧化物图案层102；
具体地，将第一基板10清洗干净之后，可使用物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在第一基板10上沉积一层氧化硅层作为缓冲层，或者先沉积一层氮化硅层，然后在氮化硅层上继续沉积一层氧化硅层以共同作为缓冲层101；进而在缓冲层101上沉积半导体氧化物层，经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，形成图案化的半导体氧化物层，即为半导体氧化物图案层102。
其中，半导体氧化物图案层102包括第一部分1021及与第一部分1021相邻的第二部分1022，在本实施例图示中，第二部分1022位于第一部分1021相对的两侧。
可选的，第一基板10为玻璃基板或硅片基板，半导体氧化物为IGZO，即铟镓锌氧化物。
S112：在半导体氧化物图案层102上形成依次层叠的栅极绝缘层103和栅极图案层104；
可选的，在缓冲层101上沉积一层覆盖半导体氧化物图案层102的氧化硅层，经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，在半导体氧化物图案层102上形成与半导体氧化物图案层102的第一部分1021相对设置的栅极绝缘层103；然后在沉积一层金属层，经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，形成图案化的金属层以作为栅极图案层104。
可选的，金属层为钼、铝或铜金属层。
进一步地，对半导体氧化物图案层102进行退火处理，可使用氢气等离子或氩气等离子的退火方式对半导体氧化物图案层102进行退火处理，以在退火过程中，使得半导体氧化物图案层102的第二部分1022具有导体特性，第一部分1021与栅极绝缘层103相对设置而被栅极绝缘层103保护以在退火之后仍然保留半导体特性，当然，使得半导体氧化物图案层102的第二部分1022具有导体特性的退火处理也可以在其他步骤中进行，在此不作限定。
S113：形成与半导体氧化物图案层102接触的源极图案层105和漏极图案层106。
参阅图4，该步骤S113可具体包括：
S1131：在缓冲层101上形成覆盖半导体氧化物图案层102、栅极绝缘层103及栅极图案层104的介电层107；
具体地，可使用物理气相沉积法或化学气相沉积法在缓冲层101形成覆盖半导体氧化物图案层102、栅极绝缘层103及栅极图案层104的介电层107，该介电层107可以是氧化硅或氮化硅的单层结构，也可以是包括氧化硅及氮化硅的双层结构。
S1132：开设贯穿介电层107且连通半导体氧化物图案层102的第一接触孔1071；
具体地，在介电层107上通过光阻涂布、曝光之后形成图案化的接触孔，然后对该图案化的接触孔进行蚀刻，在剥离之后即可得到第一接触孔1071。
其中，在本实施例中，第一接触孔1071连通半导体氧化物图案层102的第二部分1022。
S1133：在介电层107上通过第一接触孔1071形成与半导体氧化物图案层102接触的源极图案层105和漏极图案层106。
具体地，在介电层107上及第一接触孔1071中沉积金属，形成金属层，然后在沉积的金属层上沉积光阻层，再进行曝光、显影、刻蚀和剥离的制程，以得到图案化的金属层作为源极图案层105和漏极图案层106，由于第一接触孔1071与半导体氧化物图案层102的第二部分1022连通，以使得源极图案层105和漏极图案层106与半导体氧化物图案层102的第二部分1022接触。
S114：形成与源极图案层105或漏极图案层106电连接的第一电极图案层108；
参阅图5，该步骤S114可具体包括：
S1141：在介电层107上形成依次层叠的保护层109及平坦层110；
其中，在保护层109上设有彩色滤光层1091，平坦层110设置于保护层109上且覆盖彩色滤光层1091。
S1142：开设贯穿保护层109及平坦层110且连通源极图案层105或漏极图案层106的第二接触孔1101；
具体地，在平坦层110上与源极图案层105或漏极图案层106相对应的位置通过光阻涂布、曝光之后形成图案化的接触孔，然后蚀刻该图案化的接触孔至源极图案层105或漏极图案层106，在剥离之后即可得到与源极图案层105或漏极图案层106连通的第二接触孔1101。
S1143：在平坦层110上通过第二接触孔1101形成与源极图案层105或漏极图案层106电连接的第一电极图案层108。
具体地，可使用物理气相沉积法在平坦层110上及第二接触孔1101中沉积金属，形成金属层，然后在沉积的金属层上沉积光阻层，再进行曝光、显影、刻蚀和剥离的制程，即可得到图案化的第一电极层，且由于第二接触孔1101与源极图案层105或漏极图案层106连通，可使第一电极图案层108通过第二接触孔1101与源极图案层105或漏极图案层106电连接。
其中，该第一电极图案层108可以作为本实施例中显示面板的阳极层，也可以作为显示面板的阴极层。
S115：形成覆盖第一电极图案层108的像素定义层111；
其中，像素定义层111设置有像素发光区1111。
具体地，可通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在平坦上110形成覆盖第一电极图案层108的像素定义层111，然后在像素定义层111上与彩色滤光层1091相对应的位置通过光阻涂布、曝光、显影、蚀刻及剥离的光刻工艺之后，形成与彩色滤光层1091对应设置的像素发光区1111。
S116：在像素定义层111上依次形成与像素发光区1111对应设置的功能层112及第二电极图案层113。
具体地，在像素发光区1111相对应的位置依次设置电子传输层1121、发光层1122、空穴传输层1123及第二电极图案层113。
其中，第二电极图案层113与第一电极图案层108电连接，且与第一电极图案层108的极性相反。
S12：在多个膜层上设置第二基板20；
具体地，在完成上述的第一基板10上形成多个膜层之后，在多个膜层上将第二基板20与第一基板10贴合。
S13：在第一基板10的底面形成遮光层114。
其中，遮光层114与半导体氧化物图案层102对应设置。
可选的，在本实施例中，遮光层114的形成有两种方法，其中一种为：在第一基板10的底面印刷吸光材料以形成遮光层114，具体地，在第一基板10的底面且与半导体氧化物图案层102相对应的位置印刷一层黑色材料，该黑色材料能够在被光照射时，不会透射光线，从而使得光线不会照射至半导体氧化物图案层102。
参阅图6，第二种方法可具体包括：
S131：形成具有吸光材料的薄膜层，并将薄膜层贴附于一偏光片上；
一般的，在第一基板10和第二基板20贴合之后，通常会在第一基板10的底面贴合一偏光片，在本实施例中，可先制备一薄膜层，如图7所示，该薄膜层上具有多个位置的黑色材料，即为本实施例中的遮光层114，然后将该薄膜层与偏光片贴附在一起。
S132：将偏光片贴附于第一基板10底面。
具体地，将偏光片贴附于第一基板10底面，且使得薄膜层上黑色材料的遮光层114与半导体氧化物图案层102对应设置。
此外，在本实施例中，还可以在显示面板的非显示区印刷上述的黑色材料或者如图7所示的在薄膜层上与非显示区对应的位置印刷黑色材料，以遮挡非显示区。
进一步参阅图2，本发明提供的OLED显示面板实施例包括第一基板10及与第一基板10相对设置的第二基板20。
第一基板10的表面设有多个膜层，该多个膜层包括位于底层的缓冲层101和设于缓冲层101上的半导体氧化物图案层102。
进一步地，在第一基板10的底面设置有遮光层114，遮光层114与半导体氧化物图案层102对应设置。
其中，该多个膜层以及遮光层可参阅上述方法制备而成，在此不再赘述。
第二基板20设置于多个膜层上。
本发明提供的显示器实施例包括上述的显示面板。
区别于现有技术，本发明通过在第一基板的表面形层多个膜层，多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于缓冲层上的半导体氧化物图案层；在多个膜层上设置第二基板；在第一基板的底面形成遮光层，遮光层与半导体氧化物图案层对应设置的方法，将遮光层设置于第一基板的底面，在对半导体氧化物图案层进行遮光的同时，去除了现有技术中的金属遮光层，避免了金属遮光层产生的寄生电容，同时由于去除了金属遮光层，减少了显示面板的制程数以及制备过程中的光罩数，简化了工艺步骤，降低了生产成本，提高了生产效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一基板的表面形层多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；
在所述多个膜层上设置第二基板；
在所述第一基板的底面形成遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的底面形成遮光层包括：
在所述第一基板的底面印刷吸光材料以形成所述遮光层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的底面形成遮光层包括：
形成具有吸光材料的薄膜层，并将所述薄膜层贴附于一偏光片上；
将所述偏光片贴附于所述第一基板底面，并使得所述薄膜层具有所述吸光材料的位置与所述半导体氧化物图案层对应设置。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的表面形层多个膜层包括：
在所述第一基板的表面形成依次层叠的缓冲层及半导体氧化物图案层；
在所述半导体氧化物图案层上形成依次层叠的栅极绝缘层和栅极图案层；
形成与所述半导体氧化物图案层接触的源极图案层和漏极图案层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成与所述半导体氧化物图案层接触的源极图案层和漏极图案层包括：
在所述缓冲层上形成覆盖所述半导体氧化物图案层、所述栅极绝缘层及所述栅极图案层的介电层；
开设贯穿所述介电层且连通所述半导体氧化物图案层的第一接触孔；
在所述介电层上通过所述第一接触孔形成与所述半导体氧化物图案层接触的所述源极图案层和所述漏极图案层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的表面形层多个膜层进一步包括：
形成与所述源极图案层或所述漏极图案层电连接的第一电极图案层；
形成覆盖所述第一电极图案层的像素定义层，所述像素定义层设置有像素发光区；
在所述像素定义层上依次形成与所述像素发光区对应设置的功能层及第二电极图案层，所述第二电极图案层与所述第一电极图案层电连接。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成与所述源极图案层或所述漏极图案层电连接的第一电极图案层包括：
在所述介电层上形成依次层叠的保护层及平坦层；
开设贯穿所述保护层及所述平坦层且连通所述源极图案层或所述漏极图案层的第二接触孔；
在所述平坦层上通过所述第二接触孔形成与所述源极图案层或所述漏极图案层电连接的第一电极图案层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述保护层上设有彩色滤光层，所述彩色滤光层与所述像素发光区对应设置。
9.一种OLED显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
第一基板，所述第一基板的表面有多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；
第二基板，设置于所述多个膜层上；
其中，所述第一基板的底面设有遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。
10.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括权利要求9所述的显示面板。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107657231A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别传感器及其制作方法和显示装置 |
| CN109065595A (zh) * | 2018-08-15 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制备方法 |
| WO2019000519A1 (zh) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 材料性能测试装置及制作方法 |
| CN109273482A (zh) * | 2017-07-17 | 2019-01-25 | 和鑫光电股份有限公司 | 触控显示装置 |
| US10305039B2 (en) | 2017-06-28 | 2019-05-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Material property testing device and manufacturing method for the same |
| CN110233168A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-09-13 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示器 |
| CN111029370A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-04-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US11437411B2 (en) * | 2019-07-24 | 2022-09-06 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor drive backplane and micro-light emitting diode display |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1098191A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Sharp Corp | 半導体薄膜の加工方法及び容量素子を有する半導体装置の製造方法 |
| JP2001305585A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US20070090365A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor |
| CN102097454A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-06-15 | 信利半导体有限公司 | 一种oled显示器及其制造方法 |
| CN103035848A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN104885250A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-02 | 乐金显示有限公司 | 透明有机发光显示装置及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01267616A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | 液晶デイスプレイ |
| JPH0980476A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nec Corp | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
| KR20130111872A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
-
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- 2017-06-15 WO PCT/CN2017/088359 patent/WO2018196125A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1098191A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Sharp Corp | 半導体薄膜の加工方法及び容量素子を有する半導体装置の製造方法 |
| JP2001305585A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US20070090365A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor |
| CN102097454A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-06-15 | 信利半导体有限公司 | 一种oled显示器及其制造方法 |
| CN103035848A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN104885250A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-02 | 乐金显示有限公司 | 透明有机发光显示装置及其制造方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019000519A1 (zh) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 材料性能测试装置及制作方法 |
| US10305039B2 (en) | 2017-06-28 | 2019-05-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Material property testing device and manufacturing method for the same |
| CN109273482A (zh) * | 2017-07-17 | 2019-01-25 | 和鑫光电股份有限公司 | 触控显示装置 |
| CN109273482B (zh) * | 2017-07-17 | 2021-12-31 | 和鑫光电股份有限公司 | 触控显示装置 |
| CN107657231A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别传感器及其制作方法和显示装置 |
| US10627550B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-04-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Fingerprint recognition sensor, manufacturing method thereof and display device |
| CN107657231B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别传感器及其制作方法和显示装置 |
| CN110233168B (zh) * | 2018-06-22 | 2023-10-27 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示器 |
| CN110233168A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-09-13 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示器 |
| CN109065595B (zh) * | 2018-08-15 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制备方法 |
| CN109065595A (zh) * | 2018-08-15 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制备方法 |
| US11437411B2 (en) * | 2019-07-24 | 2022-09-06 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor drive backplane and micro-light emitting diode display |
| CN111029370A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-04-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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