CN106981478A - 顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板 - Google Patents

顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。本发明提供的顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，并且可以有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。还可以简化薄膜晶体管的结构，从而可以有效地减少工艺复杂度，缩减薄膜晶体管的制作工序。

Description

顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。
背景技术
平面显示器(Flat Panel Display，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器、等离子体显示面板(Plasma DisplayPanel，PDP)及场发射显示器(Field Emission Display，FED)等。作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。尤其是金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor，MOTFT)，由于具有较高的迁移率(在5～50cm2/Vs左右)、制作工艺简单、成本较低，且具有优异的大面积均匀性等特点，因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。
白光OLED(White Organic Light Emitting Diode，WOLED)+彩色滤光片(ColorFilter，CF)技术作为有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light EmittingDiode，AMOLED)的一种开发方向，因为具有有机电致发光材料利用率高、对蒸镀电致发光材料的掩膜版要求低、采用顶发射的电致发光材料提高开口率等优点，备受关注。然而，作为关键技术的沟道层半导体的选择不仅要关注迁移率等指标，还要考虑相关工艺的复杂度等相关问题。
顶栅结构背板具有迁移率高，寄生电容小的显著优点。目前顶栅底发射或者顶发射背板需要添加遮光层，常规的金属遮光层需要经过多道工艺加工制成。如图1所示，现有的顶栅型薄膜晶体管包括衬底基板11、形成在衬底基板11上的金属遮光层13、形成在金属遮光层13上的缓冲层10、形成在缓冲层上的有源层14、形成在有源层14上的栅绝缘层19、形成在栅绝缘层19上的栅极16，还包括形成在栅极16和有源层14上的层间绝缘层15、形成在层间绝缘层15上的源漏极层12，并且源漏极层12通过设置在层间绝缘层15上的过孔与有源层14连接，还包括形成在层间绝缘层15和源漏极层12上的钝化层17、形成在钝化层17上的像素电极18，并且像素电极18通过设置在钝化层17上的过孔与源漏极层12连接。可见，现有的顶栅结构背板不但存在工艺复杂的问题，还存在寄生电容的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提出一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，以解决存在寄生电容和制程工艺复杂的问题。
基于上述目的，本发明提供顶栅型薄膜晶体管，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层采用光固化有机硅材料制成。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层采用遮光负性光固化有机硅材料制成。
在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料为笼型聚倍半硅氧烷或线性有机硅树脂；
所述笼型聚倍半硅氧烷的结构如下所示：
所述线性有机硅树脂的结构如下所示：
其中，R为负性胶光敏基团。
在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层的厚度小于等于所述源漏极层的厚度。
在本发明的一些实施例中，所述源漏极层的厚度为1-2μm；和/或，所述遮光层的厚度为小于1μm。
本发明还提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：
在衬底基板上形成遮光层，其中，所述遮光层采用非金属材料制成；
在所述遮光层上形成有源层。
在本发明的一些实施例中，所述在衬底基板上形成遮光层的步骤包括：
在衬底基板上沉积源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行图像化，形成源漏极层；
在所述源漏极层上沉积或者涂布非金属材料薄膜，以所述源漏极层作为掩膜版，对所述非金属材料薄膜进行背面曝光显影，形成遮光层。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层采用光固化有机硅材料制成。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层采用遮光负性光固化有机硅材料制成。
在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层的厚度小于等于所述源漏极层的厚度。
本发明还提供一种阵列基板，包括上述任意一个实施例中的顶栅型薄膜晶体管。
本发明还提供一种显示面板，包括上述任意一个实施例中的顶栅型薄膜晶体管。
本发明提供的顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，并且可以有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。还可以简化薄膜晶体管的结构，从而可以有效地减少工艺复杂度，缩减薄膜晶体管的制作工序。而且，本发明提供的顶栅型薄膜晶体管的制作方法可以通过自对准曝光技术进行背面曝光(自对准曝光相当于不用额外的掩膜版，直接用源漏极层做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光层，从而有效减少工艺复杂度，缩减工序。
附图说明
图1为现有技术中的顶栅型薄膜晶体管的结构示意图；
图2为本发明实施例的顶栅型薄膜晶体管的结构示意图；
图3a为本发明实施例的遮光层的厚度小于等于源漏极层时，背面曝光前的结构示意图；
图3b为本发明实施例的遮光层的厚度小于等于源漏极层时，背面曝光后的结构示意图；
图4a为本发明实施例的遮光层的厚度大于源漏极层时，背面曝光前的结构示意图；
图4b为本发明实施例的遮光层的厚度大于源漏极层时，背面曝光后的结构示意图；
图5为本发明一个实施例的顶栅型薄膜晶体管的制作方法的流程图；
图6为本发明又一个实施例的顶栅型薄膜晶体管的制作方法的流程图；
图7为本发明实施例在衬底基板上形成源漏极层的结构示意图；
图8为本发明实施例在衬底基板上形成遮光层的结构示意图；
图9为本发明实施例在遮光层上形成有源层的结构示意图；
图10为本发明实施例在有源层和源漏极层上形成绝缘层的结构示意图；
图11为本发明实施例在绝缘层上形成栅极的结构示意图；
图12为本发明实施例在栅极和绝缘层上形成钝化层的结构示意图；
图13为本发明实施例在钝化层和绝缘层上形成过孔的结构示意图；
图14为本发明实施例在钝化层上形成像素电极的结构示意图；
图15为本发明另一个实施例的顶栅型薄膜晶体管的制作方法的流程图；
图16为本发明实施例在绝缘层上形成过孔的结构示意图；
图17为本发明实施例在钝化层上形成过孔的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
作为本发明的一个实施例，本发明提供顶栅型薄膜晶体管包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。因此，本发明提供的顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，还可以有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。
如图2所示，其为本发明实施例的顶栅型薄膜晶体管的结构示意图。所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底基板21、形成在所述衬底基板21上的采用非金属材料制成的遮光层23、形成在所述遮光层上的有源层24、形成在所述有源层24上的绝缘层25、形成在所述绝缘层25与所述衬底基板21之间的源漏极层22、形成在所述绝缘层25上的栅极26、形成在所述栅极26和所述绝缘层25上的钝化层27、形成在所述钝化层27上的像素电极28，其中，所述有源层24与所述源漏极层22连接，所述像素电极28通过设置在所述钝化层27和所述绝缘层25上的过孔29与所述源漏极层22连接。
通过图1和图2的对比可以看出，在本发明提供的顶栅型薄膜晶体管中，所述遮光层23同时起到了现有技术中的缓冲层和遮光层的作用。不仅如此，在本发明提供的顶栅型薄膜晶体管中，所述绝缘层25不但可以使栅极26与源漏极层22沉积的时候不会连在一起，还可以起到栅绝缘的作用，即所述绝缘层25同时起到了现有技术中的层间绝缘层和栅绝缘层的作用。可见，该顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，并且可以有效地减少漏光对有源区影响(防止薄膜晶体管工作时光从下部射入，影响薄膜晶体管的工作性能)，从而有效地提升了产品良率和器件性能，还可以简化薄膜晶体管的结构，从而可以有效地减少工艺复杂度，缩减薄膜晶体管的制作工序。
作为本发明的另一个实施例，所述遮光层23可以采用光固化有机硅材料制成。本发明以光固化有机硅材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，还省去了金属溅射沉积和刻蚀的步骤，可以有效减少工艺复杂度，缩减工序，从而提高器件制程的效率和良率。
作为本发明的再一个实施例，所述遮光层23可以采用遮光负性光固化有机硅材料制成。所述光固化有机硅材料为负性光阻，可以通过自对准曝光技术进行背面曝光(自对准曝光相当于不用额外的掩膜版，直接用源漏极层做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光层23，从而有效减少工艺复杂度，缩减工序。
具体地，在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料可以为笼型聚倍半硅氧烷，所述笼型聚倍半硅氧烷的结构如下所示：
其中，R为负性胶光敏基团。
在本发明的另一些实施例中，所述光固化有机硅材料也可以为线性有机硅树脂，所述线性有机硅树脂的结构如下所示：
其中，R为负性胶光敏基团。
以这些光固化有机硅材料制成的遮光层可以更好地达到本发明的技术效果。
更为具体地，在本发明的另一些实施例中，上述结构式中的R可以选自(甲基)丙烯酸酯类负性胶光敏基团中的任意一种或者多种。从而可以通过自对准曝光技术进行背面曝光，使曝光部分留下，形成遮光层23，从而有效减少工艺复杂度，缩减工序。
需要说明的是，本发明仅仅是示例性地列举了可以作为遮光层的非金属材料，但并不限于上述非金属材料，在本发明的教导下，本领域技术人员可以根据需要选择其他非金属材料作为遮光层，从而达到解决存在寄生电容和制程工艺复杂的技术问题的目的。
为了提高遮光层23的遮光效果，可以进一步地在非金属材料中添加遮光材料。具体地，在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料，以提高遮光效果，减少光对有源层的影响。
在本发明的一些实施例中，所用的荧烷黑类染料包括荧烷黑(2-苯氨基-3-甲基-6-二丁氨基荧)、荧烷黑的衍生物、混合物、修饰物(此类衍生物或修饰物通常在热敏纸打印领域广泛使用，例如ODB、ODB-1等，均可从市场上购买，混合物可以是不同类型的荧烷黑的混合，如ODB与ODB-2等；可以是与其它成分的混合，例如ODB-2与CF-51等)；在本发明的一个实施例中，采用了荧烷黑ODB-2。
在本发明的一些实施例中，所用的结晶紫类染料包括结晶紫、结晶紫的衍生物、修饰物、混合物(隐色结晶紫、结晶紫-d6、隐色结晶紫-d6等)；在本发明的一个实施例中，采用了隐色结晶紫。
在本发明的一些实施例中，所述有源层24采用金属氧化物制成。其中，所述金属氧化物可选自铟镓锌氧化物(IGZO)、氮氧锌(ZnON)或/和铟锡氧化物(ITZO)。所述有源层24的厚度可以为500-1000nm。
作为本发明的又一个实施例，所述源漏极层22可以采用铜、钼、铝、钼铌合金或者钼铜合金等。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层23的厚度小于等于所述源漏极层22的厚度。图3a为本发明实施例的遮光层的厚度小于等于源漏极层时，背面曝光前的结构示意图，图3b为本发明实施例的遮光层的厚度小于等于源漏极层时，背面曝光后的结构示意图，图4a为本发明实施例的遮光层的厚度大于源漏极层时，背面曝光前的结构示意图，图4b为本发明实施例的遮光层的厚度大于源漏极层时，背面曝光后的结构示意图。从图中可以看出，由于是背面曝光，若所述遮光层23的厚度大于所述源漏极层22的厚度，则遮光层23留下来的部分容易形成倒梯形，造成后续沉积的有源层与源漏极层之间接触不良或断裂。因此，本发明的遮光层23的厚度小于等于所述源漏极层22的厚度，可以提高有源层与源漏极层之间的接触良性，避免遮光层或者有源层断裂。
在本发明的一些实施例中，所述源漏极层的厚度为1-2μm。进一步地，所述遮光层的厚度为小于1μm，以保证有源层与源漏极层之间的接触良性，还可以保证有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。
本发明还提供了一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，如图5所示，包括以下步骤：
步骤51：在衬底基板上形成遮光层，其中，所述遮光层采用非金属材料制成；
步骤52：在所述遮光层上形成有源层。
可见，本发明提供的顶栅型薄膜晶体管的制作方法以光固化有机硅材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，还省去了金属溅射沉积和刻蚀的步骤，可以有效减少工艺复杂度，缩减工序，从而提高器件制程的效率和良率。
具体地，作为本发明的一个实施例，所述顶栅型薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：
在衬底基板上形成源漏极层和遮光层，其中，所述遮光层采用非金属材料制成；
在遮光层上形成有源层。
在有源层和源漏极层上形成绝缘层；
在绝缘层上形成栅极；
在栅极和绝缘层上形成钝化层；
在钝化层上形成像素电极。
在本发明的一些实施例中，所述在衬底基板上形成遮光层的步骤包括：
在衬底基板上沉积源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行图像化，形成源漏极层；
在所述源漏极层上沉积或者涂布非金属材料薄膜，以所述源漏极层作为掩膜版，对所述非金属材料薄膜进行背面曝光显影，形成遮光层。
因此，本发明提供的顶栅型薄膜晶体管的制作方法可以利用自对准曝光技术(自对准曝光相当于不用额外的掩膜版，直接用源漏极层做光罩掩模)进行背面曝光，省去了一层光罩的制作，从而可以有效减少工艺复杂度，缩减工序。
下面对所述顶栅型薄膜晶体管的制作方法进行详细描述，包括以下步骤：
步骤61：在衬底基板上形成源漏极层。
参考图7，其为本发明实施例在衬底基板上形成源漏极层的结构示意图。具体地，在该步骤中，先在衬底基板21上沉积源漏金属薄膜，然后对所述源漏金属薄膜进行图像化，形成源漏极层22。较佳地，在沉积源漏金属薄膜前，先对衬底基板21进行清洗。作为本发明的又一个实施例，所述源漏极层22可以采用铜、钼、铝、钼铌合金或者钼铜合金等。在本发明的一些实施例中，所述源漏极层的厚度可以为1-2μm。需要说明的是，所述衬底基板21一般选用玻璃基板。
步骤62：在衬底基板上形成遮光层。
参考图8，其为本发明实施例在衬底基板上形成遮光层的结构示意图。具体地，在该步骤中，在所述源漏极层22上沉积或者涂布非金属材料薄膜，以所述源漏极层22作为掩膜版，对所述非金属材料薄膜进行背面曝光显影(从衬底基板21侧进行曝光)，形成遮光层23。
在本发明的一些实施例中，所述非金属材料可以是光固化有机硅材料。本发明以光固化有机硅材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，还省去了金属溅射沉积和刻蚀的步骤，可以有效减少工艺复杂度，缩减工序，从而提高器件制程的效率和良率。
在本发明的一些实施例中，所述非金属材料还可以是光固化有机硅材料。所述光固化有机硅材料为负性光阻，可以通过自对准曝光技术进行背面曝光(自对准曝光相当于不用额外的掩膜版，直接用源漏极层做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光层23，从而有效减少工艺复杂度，缩减工序。
具体地，在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料可以为笼型聚倍半硅氧烷，所述笼型聚倍半硅氧烷的结构如下所示：
其中，R为负性胶光敏基团。
在本发明的另一些实施例中，所述光固化有机硅材料也可以为线性有机硅树脂，所述线性有机硅树脂的结构如下所示：
其中，R为负性胶光敏基团。
更为具体地，在本发明的另一些实施例中，上述结构式中的R可以选自丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类负性胶光敏基团中的任意一种或者多种，包括但不限于甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甘油酯等。从而可以通过自对准曝光技术进行背面曝光，使曝光部分留下，形成遮光层23，从而有效减少工艺复杂度，缩减工序。
需要说明的是，本发明仅仅是示例性地列举了可以作为遮光层的非金属材料，但并不限于上述非金属材料，在本发明的教导下，本领域技术人员可以根据需要选择其他非金属材料作为遮光层，从而达到解决存在寄生电容和制程工艺复杂的技术问题的目的。
为了提高遮光层23的遮光效果，可以进一步地在非金属材料中添加遮光材料。具体地，在本发明的一些实施例中，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料，以提高遮光效果，减少光对有源层的影响。
在本发明的一些实施例中，所述遮光层的厚度小于等于所述源漏极层的厚度，以提高有源层与源漏极层之间的接触良性，避免遮光层或者有源层断裂。进一步地，所述遮光层的厚度为小于1μm，以保证有源层与源漏极层之间的接触良性，还可以保证有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。
步骤63：在遮光层上形成有源层。
参考图9，其为本发明实施例在遮光层上形成有源层的结构示意图。具体地，在该步骤中，所述有源层24的材质通常为半导体，可以采用金属氧化物制成，也可以采用氢化非晶硅(a-Si:H)制成，也可以采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)制成，以提供导电沟道。优选地，具体的金属氧化物可以为含有In、Zn、Ga和Sn中的至少一种的金属氧化物，例如所述金属氧化物可选自铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡锌氧化物(ISZO)、氮氧锌(ZnON)或/和铟锡氧化物(ITZO)。
步骤64：在有源层和源漏极层上形成绝缘层。
参考图10，其为本发明实施例在有源层和源漏极层上形成绝缘层的结构示意图。具体地，在该步骤中，在有源层24和源漏极层22上沉积绝缘材料薄膜(例如SiNx或者SiO2)，然后进行光刻图形化，从而形成绝缘层25。所述绝缘材料也可以为有机绝缘材料。
步骤65：在绝缘层上形成栅极。
参考图11，其为本发明实施例在绝缘层上形成栅极的结构示意图。具体地，在该步骤中，所述栅极26可以为铜等金属，或者多层金属叠层。
步骤66：在栅极和绝缘层上形成钝化层。
参考图12，其为本发明实施例在栅极和绝缘层上形成钝化层的结构示意图。具体地，在该步骤中，在栅极和绝缘层上沉积钝化材料薄膜，然后对所述钝化材料薄膜进行图像化，形成钝化层27。所述钝化层27起到绝缘、封装的作用。
步骤67：在绝缘层和钝化层上形成过孔。
参考图13，其为本发明实施例在钝化层和绝缘层上形成过孔的结构示意图。在该实施例中，在形成绝缘层25后不开孔，等到钝化层27形成后，一起开孔打通到源漏极层22，从而形成过孔29。
步骤68：在钝化层上形成像素电极。
参考图14，其为本发明实施例在钝化层上形成像素电极的结构示意图。在该步骤中，在钝化层上形成导电材料薄膜，然后对所述导电材料薄膜进行图像化，形成像素电极。所述像素电极28通过设置在所述钝化层27和所述绝缘层25上的过孔29与所述源漏极层22连接。所述像素电极28可以为透明导电膜层，例如氧化铟锡透明导电膜层。
作为本发明的另一个实施例，如图15所示，所述顶栅型薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：
步骤151：在衬底基板上形成源漏极层；
步骤152：在衬底基板上形成遮光层；
步骤153：在遮光层上形成有源层；
步骤154：在有源层和源漏极层上形成绝缘层；
步骤155：在绝缘层上形成过孔；
步骤156：在绝缘层上形成栅极；
步骤157：在栅极和绝缘层上形成钝化层；
步骤158：在钝化层上形成过孔；
步骤159：在钝化层上形成像素电极。
其中，步骤151、步骤152、步骤153、步骤154、步骤156、步骤157、步骤159可与前文相同，在此不再赘述。
如图16-17所示，在该实施例中，采用分步开孔的方式：在形成绝缘层25后先开孔，然后制作栅极26和钝化层27，再对钝化层27进行开孔并打通到源漏极层22。
本发明还提供一种阵列基板，包括上述任意一个实施例中的顶栅型薄膜晶体管，可以减少和降低氧化物薄膜晶体管阵列基板制造工艺的复杂程度。
本发明还提供一种显示面板，包括上述任意一个实施例中的顶栅型薄膜晶体管。
由此可见，本发明提供的顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，并且可以有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。还可以简化薄膜晶体管的结构，从而可以有效地减少工艺复杂度，缩减薄膜晶体管的制作工序。而且，本发明提供的顶栅型薄膜晶体管的制作方法可以通过自对准曝光技术进行背面曝光(自对准曝光相当于不用额外的掩膜版，直接用源漏极层做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光层23，从而有效减少工艺复杂度，缩减工序。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。
2.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层采用光固化有机硅材料制成。
3.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层采用遮光负性光固化有机硅材料制成。
4.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述光固化有机硅材料为笼型聚倍半硅氧烷或线性有机硅树脂；
所述笼型聚倍半硅氧烷的结构如下所示：
所述线性有机硅树脂的结构如下所示：
其中，R为负性胶光敏基团。
5.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料。
6.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的厚度小于等于所述源漏极层的厚度。
7.根据权利要求6所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极层的厚度为1-2μm；和/或，所述遮光层的厚度为小于1μm。
8.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底基板上形成遮光层，其中，所述遮光层采用非金属材料制成；
在所述遮光层上形成有源层。
9.根据权利要求8所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成遮光层的步骤包括：
在衬底基板上沉积源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行图像化，形成源漏极层；
在所述源漏极层上沉积或者涂布非金属材料薄膜，以所述源漏极层作为掩膜版，对所述非金属材料薄膜进行背面曝光显影，形成遮光层。
10.根据权利要求8或9所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述遮光层采用光固化有机硅材料制成。
11.根据权利要求10所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述遮光层采用遮光负性光固化有机硅材料制成。
12.根据权利要求10所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料。
13.根据权利要求8所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述遮光层的厚度小于等于所述源漏极层的厚度。
14.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-7中任意一项所述的顶栅型薄膜晶体管。
15.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求14所述的阵列基板。
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