JP2000330133A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜トランジスタに到達する迷光を低減さ
せ、光リークによる投影映像の画質の劣化を防止する。 【解決手段】 薄膜トランジスタ１８と金属配線２１、
２４が形成されている駆動素子用基板３と、共通透明電
極膜８と遮光膜７が形成された対向基板１との間に液晶
層２を封入してなる液晶パネルであって、光入射側の遮
光膜７が高反射率層５で形成され、駆動素子用基板側の
遮光膜７が低反射率層６で形成されている。
せ、光リークによる投影映像の画質の劣化を防止する。 【解決手段】 薄膜トランジスタ１８と金属配線２１、
２４が形成されている駆動素子用基板３と、共通透明電
極膜８と遮光膜７が形成された対向基板１との間に液晶
層２を封入してなる液晶パネルであって、光入射側の遮
光膜７が高反射率層５で形成され、駆動素子用基板側の
遮光膜７が低反射率層６で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投射型映像表示装
置に用いられる液晶表示装置に関するものである。
置に用いられる液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】投射型の画像表示装置として、アクティ
ブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を使用した液晶表
示装置が開発されているが、その構成要素である液晶駆
動用の薄膜トランジスタに光が到達してリーク電流が流
れると、画質が劣化する問題が発生する。このため対向
基板の薄膜トランジスタと重なる領域にクロム膜あるい
はアルミニウム膜等からなる遮光膜を形成し、対向基板
側から入射される光で薄膜トランジスタが照射されるこ
とを防いでいる。
ブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を使用した液晶表
示装置が開発されているが、その構成要素である液晶駆
動用の薄膜トランジスタに光が到達してリーク電流が流
れると、画質が劣化する問題が発生する。このため対向
基板の薄膜トランジスタと重なる領域にクロム膜あるい
はアルミニウム膜等からなる遮光膜を形成し、対向基板
側から入射される光で薄膜トランジスタが照射されるこ
とを防いでいる。
【０００３】光によるリーク電流は、対向基板側から入
射する光による直接照射のみならず、液晶表示素子基板
の裏面側に配置された遮光板等で反射された光が、薄膜
トランジスタに到達することによっても流れる。このた
め、薄膜トランジスタの下層側にも遮光膜を設け、薄膜
トランジスタに光が届いて薄膜トランジスタにリーク電
流が流れる不都合を排除した構成および方法が特開平３
−５２６１１号公報や特開平１０−３０１１００号公報
等に記載された発明により開示されている。
射する光による直接照射のみならず、液晶表示素子基板
の裏面側に配置された遮光板等で反射された光が、薄膜
トランジスタに到達することによっても流れる。このた
め、薄膜トランジスタの下層側にも遮光膜を設け、薄膜
トランジスタに光が届いて薄膜トランジスタにリーク電
流が流れる不都合を排除した構成および方法が特開平３
−５２６１１号公報や特開平１０−３０１１００号公報
等に記載された発明により開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光によ
るリーク電流は、対向基板側からの入射光や、裏面側か
らの反射光のみならず、駆動素子基板上に形成された薄
膜トランジスタ用の電極配線あるいは相互接続配線等の
金属配線膜および遮光膜で多重反射された光が、薄膜ト
ランジスタに照射されることが原因で流れることもあ
る。
るリーク電流は、対向基板側からの入射光や、裏面側か
らの反射光のみならず、駆動素子基板上に形成された薄
膜トランジスタ用の電極配線あるいは相互接続配線等の
金属配線膜および遮光膜で多重反射された光が、薄膜ト
ランジスタに照射されることが原因で流れることもあ
る。
【０００５】ここで、図３に従来の液晶表示装置の断面
図を示し、多重反射光で薄膜トランジスタが照射される
経路について説明する。
図を示し、多重反射光で薄膜トランジスタが照射される
経路について説明する。
【０００６】液晶表示装置は、対向基板１と駆動素子用
基板３の間に液晶層２を封入することにより構成されて
いる。
基板３の間に液晶層２を封入することにより構成されて
いる。
【０００７】対向基板１は、透明基板４の所定の領域に
遮光膜１０１を形成し、さらに共通透明電極膜８が遮光
膜１０１を覆うように透明基板４の全面に形成される。
遮光膜１０１を形成し、さらに共通透明電極膜８が遮光
膜１０１を覆うように透明基板４の全面に形成される。
【０００８】駆動素子用基板３は次のように構成されて
いる。まず、遮光膜１１が作り込まれた石英基板１０上
の所定の領域に薄膜トランジスタ１８が設けられ、層間
絶縁膜２０を介して、薄膜トランジスタ１８に通じる相
互接続配線１０２およびドレイン配線１０３が層間絶縁
膜２０上に設けられる。この相互接続配線１０２等が形
成された層間絶縁膜２０上に平坦化膜２７が設けられ、
この平坦化膜２７上に、ドレイン配線１０３と接続する
透明電極膜２８が設けられている。
いる。まず、遮光膜１１が作り込まれた石英基板１０上
の所定の領域に薄膜トランジスタ１８が設けられ、層間
絶縁膜２０を介して、薄膜トランジスタ１８に通じる相
互接続配線１０２およびドレイン配線１０３が層間絶縁
膜２０上に設けられる。この相互接続配線１０２等が形
成された層間絶縁膜２０上に平坦化膜２７が設けられ、
この平坦化膜２７上に、ドレイン配線１０３と接続する
透明電極膜２８が設けられている。
【０００９】ここで遮光膜１０１は、クロムもしくはア
ルミニウムで形成され、相互接続配線１０２およびドレ
イン配線１０３はアルミニウム等の低抵抗金属で形成さ
れる。
ルミニウムで形成され、相互接続配線１０２およびドレ
イン配線１０３はアルミニウム等の低抵抗金属で形成さ
れる。
【００１０】上記液晶表示装置を透過する入射光３３
は、各画素における液晶層２が所定の偏光方向に偏光さ
れることにより画像を形成することになり、画像形成に
寄与しない入射光３２は遮光膜１０１により反射される
ことになる。
は、各画素における液晶層２が所定の偏光方向に偏光さ
れることにより画像を形成することになり、画像形成に
寄与しない入射光３２は遮光膜１０１により反射される
ことになる。
【００１１】また、液晶パネルへの入射光は完全な平行
光ではなくある程度の角度分布を持った光であるため、
遮光膜１０１で反射されることなく相互接続配線１０２
等に到達した入射光３１は、この相互接続配線１０２等
の表面と遮光膜１０１の表面との間を多重反射されるこ
とになる。特にトランジスタ部分やコンタクト部分の上
部の金属配線膜は表面が凹凸になっているため、この部
分に到達した光はさまざまな角度で乱反射されることに
なる。これらの光は液晶パネル内で迷光となり、乱反射
と多重反射を繰り返し、一部の光が薄膜トランジスタに
到達することとなり、光によるリーク電流が発生し、画
質の低下を招くことになる。
光ではなくある程度の角度分布を持った光であるため、
遮光膜１０１で反射されることなく相互接続配線１０２
等に到達した入射光３１は、この相互接続配線１０２等
の表面と遮光膜１０１の表面との間を多重反射されるこ
とになる。特にトランジスタ部分やコンタクト部分の上
部の金属配線膜は表面が凹凸になっているため、この部
分に到達した光はさまざまな角度で乱反射されることに
なる。これらの光は液晶パネル内で迷光となり、乱反射
と多重反射を繰り返し、一部の光が薄膜トランジスタに
到達することとなり、光によるリーク電流が発生し、画
質の低下を招くことになる。
【００１２】このような入射光の多重反射を防止する方
法として、まず遮光膜１０１を光反射率が低い酸化クロ
ム等で形成し、相互接続配線１０２等をタングステンシ
リサイド等の低反射率の金属で形成することが考えられ
る。
法として、まず遮光膜１０１を光反射率が低い酸化クロ
ム等で形成し、相互接続配線１０２等をタングステンシ
リサイド等の低反射率の金属で形成することが考えられ
る。
【００１３】しかしながら、遮光膜１０１を低光反射率
の酸化クロムに変えた場合、光の吸収率が高まり、液晶
表示装置の温度上昇を招き、画質が劣化する問題が発生
する。また、配線膜を高光反射率のアルミニウムに変え
て低光反射率のタングステンシリサイドを使用すると配
線抵抗が増加し、それに伴う画質の劣化が発生する。
の酸化クロムに変えた場合、光の吸収率が高まり、液晶
表示装置の温度上昇を招き、画質が劣化する問題が発生
する。また、配線膜を高光反射率のアルミニウムに変え
て低光反射率のタングステンシリサイドを使用すると配
線抵抗が増加し、それに伴う画質の劣化が発生する。
【００１４】そこで、本発明の目的は、入射光の吸収に
起因する液晶表示装置の温度上昇あるいは配線抵抗の増
加に伴う画質の劣化を招くことなく、相互接続配線等に
到達した光の多重反射を低減させ、多重反射光の照射に
起因する薄膜トランジスタのリーク電流を抑制し、薄膜
トランジスタの特性の安定化を図る。
起因する液晶表示装置の温度上昇あるいは配線抵抗の増
加に伴う画質の劣化を招くことなく、相互接続配線等に
到達した光の多重反射を低減させ、多重反射光の照射に
起因する薄膜トランジスタのリーク電流を抑制し、薄膜
トランジスタの特性の安定化を図る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、駆動用ト
ランジスタが形成された駆動素子用基板と透明電極が形
成された透光性基板との間に液晶層が封入されており、
前記透光性基板の前記駆動素子用基板と対向する面に遮
光層を有し、前記遮光層の光反射率は、前記透光性基板
の光入射側で高く、前記駆動素子用基板側で低く選定さ
れていることを特徴とするものである。また、本発明の
請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１記載の液晶表
示装置において、前記遮光層が光高反射率層と光低反射
率層との積層構造であることを特徴とするものである。
さらに、請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２記載
の液晶表示装置において、前記光高反射率層がアルミニ
ウム層若しくはクロム層のいずれかであり、光低反射率
層がモリブデンシリサイド層若しくは酸化クロム層のい
ずれかであることを特徴とするものである。
に、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、駆動用ト
ランジスタが形成された駆動素子用基板と透明電極が形
成された透光性基板との間に液晶層が封入されており、
前記透光性基板の前記駆動素子用基板と対向する面に遮
光層を有し、前記遮光層の光反射率は、前記透光性基板
の光入射側で高く、前記駆動素子用基板側で低く選定さ
れていることを特徴とするものである。また、本発明の
請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１記載の液晶表
示装置において、前記遮光層が光高反射率層と光低反射
率層との積層構造であることを特徴とするものである。
さらに、請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２記載
の液晶表示装置において、前記光高反射率層がアルミニ
ウム層若しくはクロム層のいずれかであり、光低反射率
層がモリブデンシリサイド層若しくは酸化クロム層のい
ずれかであることを特徴とするものである。
【００１６】これらの構成によれば、駆動素子用基板側
の遮光膜の反射率を従来より低減させることができるた
め、薄膜トランジスタのチャネル領域に届く光が十分に
小さくなり、リーク電流が発生することがない。さらに
入射光側の遮光膜は従来と同様の高反射率を有するた
め、液晶表示装置の温度が従来に比較して高くなること
はない。
の遮光膜の反射率を従来より低減させることができるた
め、薄膜トランジスタのチャネル領域に届く光が十分に
小さくなり、リーク電流が発生することがない。さらに
入射光側の遮光膜は従来と同様の高反射率を有するた
め、液晶表示装置の温度が従来に比較して高くなること
はない。
【００１７】次に、本発明の請求項４記載の液晶表示装
置は、駆動用トランジスタが形成された駆動素子用基板
と透明電極が形成された透光性基板との間に液晶層が封
入されており、前記駆動素子用基板の配線層の光反射率
が、前記透光性基板側で低く選定されていることを特徴
とするものである。また、本発明の請求項５記載の液晶
表示装置は、請求項４記載の液晶表示装置において、前
記配線層が光低反射率層と低抵抗層との積層構造である
ことを特徴とするものである。さらに、本発明の請求項
６記載の液晶表示装置は、請求項５記載の液晶表示装置
において、光低反射率層がモリブデンシリサイド層若し
くは酸化クロム層のいずれかであり、前記低抵抗層がア
ルミニウム層若しくはクロム層のいずれかであることを
特徴とするものである。
置は、駆動用トランジスタが形成された駆動素子用基板
と透明電極が形成された透光性基板との間に液晶層が封
入されており、前記駆動素子用基板の配線層の光反射率
が、前記透光性基板側で低く選定されていることを特徴
とするものである。また、本発明の請求項５記載の液晶
表示装置は、請求項４記載の液晶表示装置において、前
記配線層が光低反射率層と低抵抗層との積層構造である
ことを特徴とするものである。さらに、本発明の請求項
６記載の液晶表示装置は、請求項５記載の液晶表示装置
において、光低反射率層がモリブデンシリサイド層若し
くは酸化クロム層のいずれかであり、前記低抵抗層がア
ルミニウム層若しくはクロム層のいずれかであることを
特徴とするものである。
【００１８】これらの構成によれば、配線層の光反射率
が、前記透光性基板側で低く選定されているため、配線
表面での反射率を低くさせることができる。したがっ
て、薄膜トランジスタのチャネル領域に届く光が十分に
小さくなるため、リーク電流が発生しない。また、配線
層は、光低反射率層と低抵抗層との積層構造で構成され
るため、従来に比較して抵抗が高くなることもないた
め、画質の劣化も生じない。
が、前記透光性基板側で低く選定されているため、配線
表面での反射率を低くさせることができる。したがっ
て、薄膜トランジスタのチャネル領域に届く光が十分に
小さくなるため、リーク電流が発生しない。また、配線
層は、光低反射率層と低抵抗層との積層構造で構成され
るため、従来に比較して抵抗が高くなることもないた
め、画質の劣化も生じない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１を用いて説明する。
て図１を用いて説明する。
【００２０】図１は、本発明にかかる液晶表示装置の実
施形態を示す断面図である。
施形態を示す断面図である。
【００２１】図１に示すように、液晶表示装置は、駆動
用トランジスタが形成された駆動素子用基板３と透光性
基板である対向基板１との間に液晶層２が封入されるこ
とにより構成される。
用トランジスタが形成された駆動素子用基板３と透光性
基板である対向基板１との間に液晶層２が封入されるこ
とにより構成される。
【００２２】また、対向基板１の遮光層の光反射率は、
対向基板の光入射側で高く、駆動素子用基板側で低く選
定されたものを使用する。ここでは、遮光層として光入
射側に高反射率層５と光出射側に低反射率層６との積層
構造になった多層遮光膜７を使用している。この多層遮
光膜７は、まず透明基板４上に高反射率層５、低反射率
層６の順で蒸着形成し、エッチングにより所定の領域に
多層遮光膜７を形成することにより、構成される。
対向基板の光入射側で高く、駆動素子用基板側で低く選
定されたものを使用する。ここでは、遮光層として光入
射側に高反射率層５と光出射側に低反射率層６との積層
構造になった多層遮光膜７を使用している。この多層遮
光膜７は、まず透明基板４上に高反射率層５、低反射率
層６の順で蒸着形成し、エッチングにより所定の領域に
多層遮光膜７を形成することにより、構成される。
【００２３】図２は、遮光膜等を形成する金属等に関す
る、光の波長に対する反射率を示す図である。
る、光の波長に対する反射率を示す図である。
【００２４】高反射率層５は、図２に示すように波長４
００〜７００ｎｍで光反射率が４０％以上であるアルミ
ニウム等で形成され、また低反射率層６は、波長４００
〜７００ｎｍで光反射率が４０％以下である、例えば酸
化クロム等で形成される。ここで、波長を４００〜７０
０ｎｍに限定するのは、液晶表示装置で使用される光の
波長がこの範囲だからであり、他の波長の光は問題にな
らないためである。
００〜７００ｎｍで光反射率が４０％以上であるアルミ
ニウム等で形成され、また低反射率層６は、波長４００
〜７００ｎｍで光反射率が４０％以下である、例えば酸
化クロム等で形成される。ここで、波長を４００〜７０
０ｎｍに限定するのは、液晶表示装置で使用される光の
波長がこの範囲だからであり、他の波長の光は問題にな
らないためである。
【００２５】また、液晶表示装置で使用される光の波長
が４７０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲であれば、図２に示す
ように、波長４７０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で光反射率
が４０％以上の金属であるクロムを高反射率層５に使用
してもよい。
が４７０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲であれば、図２に示す
ように、波長４７０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で光反射率
が４０％以上の金属であるクロムを高反射率層５に使用
してもよい。
【００２６】この多層遮光膜７を形成した後、共通透明
電極膜８が多層遮光膜７上および透明基板４上に形成さ
れることにより、対向基板１が構成される。
電極膜８が多層遮光膜７上および透明基板４上に形成さ
れることにより、対向基板１が構成される。
【００２７】一方、駆動素子用基板３は次のように構成
されている。つまり、石英基板１０上に、液晶表示素子
基板の裏面側から反射した光を遮光する遮光膜１１が作
り込まれた石英基板１０上に第１の層間絶縁膜１２が設
けられ、この第１の層間絶縁膜１２上に薄膜トランジス
タ１８と容量線１９が設けられる。
されている。つまり、石英基板１０上に、液晶表示素子
基板の裏面側から反射した光を遮光する遮光膜１１が作
り込まれた石英基板１０上に第１の層間絶縁膜１２が設
けられ、この第１の層間絶縁膜１２上に薄膜トランジス
タ１８と容量線１９が設けられる。
【００２８】薄膜トランジスタ１８は、ここではソース
領域１３、チャネル領域１４、ドレイン領域１５、ゲー
ト酸化膜１６、ゲート線１７を有している。この薄膜ト
ランジスタ１８が設けれた第１の層間絶縁膜１２上に、
第２の層間絶縁膜２０が設けられ、この薄膜トランジス
タ１８のソース領域１３、ドレイン領域１５にそれぞれ
通じるように第２の層間絶縁膜に低抵抗層２１、２４と
低反射率層２２、２５が設けられる。さらに、相互接続
配線２３およびドレイン配線２６が設けられた第２の層
間絶縁膜２０上に、平坦化膜である第３の層間絶縁膜２
７が設けられ、そして、この第３の層間絶縁膜２７上に
ドレイン配線と接続する透明電極膜２８が設けられる。
領域１３、チャネル領域１４、ドレイン領域１５、ゲー
ト酸化膜１６、ゲート線１７を有している。この薄膜ト
ランジスタ１８が設けれた第１の層間絶縁膜１２上に、
第２の層間絶縁膜２０が設けられ、この薄膜トランジス
タ１８のソース領域１３、ドレイン領域１５にそれぞれ
通じるように第２の層間絶縁膜に低抵抗層２１、２４と
低反射率層２２、２５が設けられる。さらに、相互接続
配線２３およびドレイン配線２６が設けられた第２の層
間絶縁膜２０上に、平坦化膜である第３の層間絶縁膜２
７が設けられ、そして、この第３の層間絶縁膜２７上に
ドレイン配線と接続する透明電極膜２８が設けられる。
【００２９】ここで、低抵抗層２１、２４としてアルミ
ニウム等の低抵抗金属を用い、低反射率層２２、２５と
して、酸化クロム、チタン、チタンナイトライド、タン
グステン、タングステンシリサイド等の波長４７０〜７
００ｎｍで反射率が４０％以下のものを用いる。
ニウム等の低抵抗金属を用い、低反射率層２２、２５と
して、酸化クロム、チタン、チタンナイトライド、タン
グステン、タングステンシリサイド等の波長４７０〜７
００ｎｍで反射率が４０％以下のものを用いる。
【００３０】本発明にかかる液晶表示装置では、多層遮
光膜７表面での反射率が従来と比較すると１／３以下と
なり、相互接続配線２３およびドレイン配線２６の金属
配線表面での反射率が従来と比較すると１／２以下とな
る。したがって、薄膜トランジスタ１８のチャネル領域
１４に届く光が十分小さくなり、リーク電流を大幅に低
減することができる。
光膜７表面での反射率が従来と比較すると１／３以下と
なり、相互接続配線２３およびドレイン配線２６の金属
配線表面での反射率が従来と比較すると１／２以下とな
る。したがって、薄膜トランジスタ１８のチャネル領域
１４に届く光が十分小さくなり、リーク電流を大幅に低
減することができる。
【００３１】また、多層遮光膜７の入射光側は従来の高
反射率層であるため、入射光を余分に吸収することがな
いため、液晶表示装置の温度が従来よりも高くなること
がない。また、相互接続配線２３とドレイン配線２６を
アルミニウム等の低抵抗金属と低反射率層の２層構造と
しているため、配線の抵抗が高くなることもない。
反射率層であるため、入射光を余分に吸収することがな
いため、液晶表示装置の温度が従来よりも高くなること
がない。また、相互接続配線２３とドレイン配線２６を
アルミニウム等の低抵抗金属と低反射率層の２層構造と
しているため、配線の抵抗が高くなることもない。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶表示
装置の遮光層の光反射率が光入射側で高く、駆動素子用
基板側で低く選定されていることにより、入射光の乱反
射による液晶パネル内の多重反射を低減することがで
き、投影映像の画質の低下を防止することができる。
装置の遮光層の光反射率が光入射側で高く、駆動素子用
基板側で低く選定されていることにより、入射光の乱反
射による液晶パネル内の多重反射を低減することがで
き、投影映像の画質の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる液晶表示装置の断面図
【図２】波長に対する反射率を示す金属の特性図
【図３】従来の液晶表示装置の断面図
１ 対向基板 ２ 液晶層 ３ 駆動素子用基板 ４ 透明基板 ５ 高反射率層 ６ 低反射率層 ７ 多層遮光膜 ８ 共通透明電極膜 １０ 石英基板 １１ 遮光膜 １２ 第１の層間絶縁膜 １３ ソース領域 １４ チャネル領域 １５ ドレイン領域 １６ ゲート酸化膜 １７ ゲート線 １８ 薄膜トランジスタ １９ 容量線 ２０ 第２の層間絶縁膜 ２１ 金属膜 ２２ 低反射率層 ２３ 相互接続配線 ２４ 金属膜 ２５ 低反射率層 ２６ ドレイン配線 ２７ 第３の層間絶縁膜 ２８ 透明電極膜 ３１ 入射光 ３２ 入射光 ３３ 入射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA34Z FB08 FC02 FC26 GA13 LA03 MA07 2H092 JA24 JA25 JB51 KA24 NA01 PA09 RA05 5C094 AA02 AA25 BA03 BA43 DA13 ED15 5G435 AA02 AA03 BB12 DD12 FF13 LL15
Claims (6)
- 【請求項１】 駆動用トランジスタが形成された駆動素
子用基板と透明電極が形成された透光性基板との間に液
晶層が封入され、前記透光性基板の前記駆動素子用基板
と対向する面に遮光層を有し、前記遮光層の光反射率
は、前記透光性基板の光入射側で高く、前記駆動素子用
基板側で低く選定されている液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光層が光高反射率層と光低反射率
層との積層構造である請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記光高反射率層がアルミニウム層若し
くはクロム層のいずれかであり、前記光低反射率層がモ
リブデンシリサイド層若しくは酸化クロム層のいずれか
である請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 駆動用トランジスタが形成された駆動素
子用基板と透明電極が形成された透光性基板との間に液
晶層が封入され、前記駆動素子用基板の配線層の光反射
率が、前記透光性基板側で低く選定されている液晶表示
装置。 - 【請求項５】 前記配線層が光低反射率層と低抵抗層と
の積層構造である請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 光低反射率層がモリブデンシリサイド層
若しくは酸化クロム層のいずれかであり、前記低抵抗層
がアルミニウム層若しくはクロム層のいずれかである請
求項５記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142874A JP2000330133A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142874A JP2000330133A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000330133A true JP2000330133A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15325613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142874A Pending JP2000330133A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000330133A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134356A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR100547401B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2006-01-31 | 호야 가부시키가이샤 | 액정 표시패널용 대향 기판, 액정 표시패널, 및 그 제조 방법 |
| US7132694B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-11-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for fabricating the same, and electronic apparatus |
| JP2009047822A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP2010266845A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| WO2021103105A1 (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及电子装置 |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11142874A patent/JP2000330133A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132694B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-11-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for fabricating the same, and electronic apparatus |
| KR100547401B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2006-01-31 | 호야 가부시키가이샤 | 액정 표시패널용 대향 기판, 액정 표시패널, 및 그 제조 방법 |
| JP2004134356A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP4540303B2 (ja) * | 2002-05-24 | 2010-09-08 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2009047822A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP2010266845A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| WO2021103105A1 (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及电子装置 |
| US11545576B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-01-03 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and electronic device |
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