JP2001100192A - 液晶ライトバルブおよびその製造方法ならびに投射型液晶表示装置 - Google Patents
液晶ライトバルブおよびその製造方法ならびに投射型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、液晶表示装置、特に反射式
液晶表示装置における液晶ライトバルブにおいて、光反
射膜の間隙部から入射する光を効果的に遮蔽することに
ある。 【解決手段】 半導体基板と、対向基板と、光反射膜
と、液晶とを有する液晶表示装置であって、光吸収体層
及び、この光吸収体層と光反射膜との間に遮光体を設け
ることにより、効果的な遮光手段を備えた液晶ライトバ
ルブを構成する。
液晶表示装置における液晶ライトバルブにおいて、光反
射膜の間隙部から入射する光を効果的に遮蔽することに
ある。 【解決手段】 半導体基板と、対向基板と、光反射膜
と、液晶とを有する液晶表示装置であって、光吸収体層
及び、この光吸収体層と光反射膜との間に遮光体を設け
ることにより、効果的な遮光手段を備えた液晶ライトバ
ルブを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、詳しくは、投射（「投写」と表記
する場合もある）型液晶表示装置に用いられる反射型液
晶ライトバルブに関する。
その製造方法に関し、詳しくは、投射（「投写」と表記
する場合もある）型液晶表示装置に用いられる反射型液
晶ライトバルブに関する。
【０００２】
【従来技術】近年、超高精細ディスプレイとして、ＣＲ
Ｔにかわるものとして、投射型アクティブマトリックス
型液晶表示装置が、大画面表示を可能とし、ハイビジョ
ン用にも用い得ることから、注目されている。一般に、
アクティブマトリックス型液晶表示装置は、スイッチン
グ素子及びスイッチング素子に電気的に接続されている
表示電極が形成された半導体基板と、半導体基板と所定
の間隔を隔てて設けられた対向電極が形成された対向基
板とからなり、半導体基板と対向基板との間の領域（セ
ルギャップ）に液晶が封入されている。
Ｔにかわるものとして、投射型アクティブマトリックス
型液晶表示装置が、大画面表示を可能とし、ハイビジョ
ン用にも用い得ることから、注目されている。一般に、
アクティブマトリックス型液晶表示装置は、スイッチン
グ素子及びスイッチング素子に電気的に接続されている
表示電極が形成された半導体基板と、半導体基板と所定
の間隔を隔てて設けられた対向電極が形成された対向基
板とからなり、半導体基板と対向基板との間の領域（セ
ルギャップ）に液晶が封入されている。
【０００３】投射型液晶表示装置は、光源、ライトバル
ブ、スクリーン、及び光学フィルタ、投射レンズ等から
構成される。また、ライトバルブには、液晶表示パネル
が用いられ、光源からの光を透過させてスクリーンに画
像を投射する方式の透過型液晶ライトバルブや、光源か
らの光を反射させてスクリーンに画像を映しだす反射型
液晶ライトバルブがある。
ブ、スクリーン、及び光学フィルタ、投射レンズ等から
構成される。また、ライトバルブには、液晶表示パネル
が用いられ、光源からの光を透過させてスクリーンに画
像を投射する方式の透過型液晶ライトバルブや、光源か
らの光を反射させてスクリーンに画像を映しだす反射型
液晶ライトバルブがある。
【０００４】図１１は、反射型液晶ライトバルブ２００
の１例の概略断面模式図である。同図で示すように、反
射型液晶ライトバルブ２００は、半導体基板２０２内に
形成されたトランジスタ２０４と、光入射側に設けられ
た対向基板２０６と、相互に間隙部２０８を設けて形成
され半導体基板と電気的に接続されている複数の光反射
膜２１０と、光反射膜と対向基板との間に封止された液
晶２１２とを有する。トランジスタ２０４の上部に層間
絶縁体層２１４等を介して反射電極である光反射膜２１
０が形成されている。この反射電極である光反射膜２１
０と、対向電極２１６とガラス保護基板２１８等からな
る対向基板２０６との間に、液晶２１２が封入されてい
る。反射電極である光反射膜２１０は、各トランジスタ
２０４を含む各ピクセル領域に対応している。隣接する
光反射膜２１０相互間には、間隙部２０８が形成されて
いる。このような、液晶ライトバルブにおいては、トラ
ンジスタ２０４と対向電極２１６との間の電圧が表示信
号に対応して制御され、その間の液晶２１２の結晶配列
が制御される機構となっている。
の１例の概略断面模式図である。同図で示すように、反
射型液晶ライトバルブ２００は、半導体基板２０２内に
形成されたトランジスタ２０４と、光入射側に設けられ
た対向基板２０６と、相互に間隙部２０８を設けて形成
され半導体基板と電気的に接続されている複数の光反射
膜２１０と、光反射膜と対向基板との間に封止された液
晶２１２とを有する。トランジスタ２０４の上部に層間
絶縁体層２１４等を介して反射電極である光反射膜２１
０が形成されている。この反射電極である光反射膜２１
０と、対向電極２１６とガラス保護基板２１８等からな
る対向基板２０６との間に、液晶２１２が封入されてい
る。反射電極である光反射膜２１０は、各トランジスタ
２０４を含む各ピクセル領域に対応している。隣接する
光反射膜２１０相互間には、間隙部２０８が形成されて
いる。このような、液晶ライトバルブにおいては、トラ
ンジスタ２０４と対向電極２１６との間の電圧が表示信
号に対応して制御され、その間の液晶２１２の結晶配列
が制御される機構となっている。
【０００５】ところで、反射型液晶ライトバルブにおい
ては、電圧が印加された液晶内では、入射光は液晶内で
散乱せず、トランジスタに対向設定された反射電極で正
反射され、対向基板を通過し外部に導出される。しか
し、液晶層に電圧が印加されていない場合は、反射電極
で入射光が正反射することができないために液晶内で入
射光が散乱することとなる。この光は、反射電極相互間
の間隙部を通過して層間絶縁体層に進入し、層間絶縁体
層中を多重反射しながら伝播する。そして、トランジス
タ近傍まで到達すると、光導電効果によってリーク電流
が発生し、液晶表示におけるコントラストを低下させる
という問題がある。この光の影響は、ピクセルの微細化
が進むほどに顕著である。従って、通常、液晶ライトバ
ルブは、上記光の影響を防止するため、図１１に示す液
晶ライトバルブ２００のように、遮光層２２０を設けさ
らにその上に絶縁体層２２２を設けて、入射光を遮蔽す
る構造となっている。
ては、電圧が印加された液晶内では、入射光は液晶内で
散乱せず、トランジスタに対向設定された反射電極で正
反射され、対向基板を通過し外部に導出される。しか
し、液晶層に電圧が印加されていない場合は、反射電極
で入射光が正反射することができないために液晶内で入
射光が散乱することとなる。この光は、反射電極相互間
の間隙部を通過して層間絶縁体層に進入し、層間絶縁体
層中を多重反射しながら伝播する。そして、トランジス
タ近傍まで到達すると、光導電効果によってリーク電流
が発生し、液晶表示におけるコントラストを低下させる
という問題がある。この光の影響は、ピクセルの微細化
が進むほどに顕著である。従って、通常、液晶ライトバ
ルブは、上記光の影響を防止するため、図１１に示す液
晶ライトバルブ２００のように、遮光層２２０を設けさ
らにその上に絶縁体層２２２を設けて、入射光を遮蔽す
る構造となっている。
【０００６】一方、上記半導体基板を形成する際に、種
々の形成工程において、例えば、ＣＶＤ（chemical vap
or deposition ）などの成膜操作に伴う反応生成物残渣
のほか、装置機構の作動による金属粉および有機物片な
どの異物が生じ、いずれも装置中に残留・堆積して基板
面に付着する可能性がある。例えば、フォトリソグラフ
ィ工程中に異物が生成し、レジスト層や金属層の表面に
付着する場合がある。図１２（ａ）は、液晶ライトバル
ブ製造工程において、絶縁体層２１４形成後に異物２３
０が付着した場合を示す図である。絶縁体層２１４に異
物２３０が付着したまま遮光層２２０を積層すると、図
１２（ｂ）のように、表面の平滑性を損ない、遮光層２
２０表面に凸部が形成される。その結果、遮光層２２０
の上部に絶縁対層２２２を形成しても、遮光層２２２が
反射電極２１０と接触して反射電極２１０との間の絶縁
性が保持されない場合がある。
々の形成工程において、例えば、ＣＶＤ（chemical vap
or deposition ）などの成膜操作に伴う反応生成物残渣
のほか、装置機構の作動による金属粉および有機物片な
どの異物が生じ、いずれも装置中に残留・堆積して基板
面に付着する可能性がある。例えば、フォトリソグラフ
ィ工程中に異物が生成し、レジスト層や金属層の表面に
付着する場合がある。図１２（ａ）は、液晶ライトバル
ブ製造工程において、絶縁体層２１４形成後に異物２３
０が付着した場合を示す図である。絶縁体層２１４に異
物２３０が付着したまま遮光層２２０を積層すると、図
１２（ｂ）のように、表面の平滑性を損ない、遮光層２
２０表面に凸部が形成される。その結果、遮光層２２０
の上部に絶縁対層２２２を形成しても、遮光層２２２が
反射電極２１０と接触して反射電極２１０との間の絶縁
性が保持されない場合がある。
【０００７】これを防止するために、図１２（ｃ）のよ
うに、遮光層２２０を形成後、ＣＭＰ（chemical mecha
nical polish）等の物理的方法を用いて異物を含む凸部
を除去し遮光層２２０表面を平坦化した後に、絶縁体層
２２２を製膜する方法がある。
うに、遮光層２２０を形成後、ＣＭＰ（chemical mecha
nical polish）等の物理的方法を用いて異物を含む凸部
を除去し遮光層２２０表面を平坦化した後に、絶縁体層
２２２を製膜する方法がある。
【０００８】しかし、この方法では、その位置にある遮
光層そのものもなくなってしまうために、その箇所から
光が漏れ下層に配したトランジスタが誤動作し、ピクセ
ルの不良の原因となる。つまり、遮光層を形成する工程
前後の異物は、遮光層と反射電極が、機能上必然的に半
導体基板全面にわたって配置されるため、遮光層と反射
電極との間でショートが引き起こされ、あるいは光の漏
れによるトランジスタの誤動作を引き起こし、その発生
した位置のピクセルを不良とする問題があった。
光層そのものもなくなってしまうために、その箇所から
光が漏れ下層に配したトランジスタが誤動作し、ピクセ
ルの不良の原因となる。つまり、遮光層を形成する工程
前後の異物は、遮光層と反射電極が、機能上必然的に半
導体基板全面にわたって配置されるため、遮光層と反射
電極との間でショートが引き起こされ、あるいは光の漏
れによるトランジスタの誤動作を引き起こし、その発生
した位置のピクセルを不良とする問題があった。
【０００９】また、光導電効果によるリーク電流の発生
を抑制するため、特開平８−３２８０３４号は、複数の
遮光層を形成した液晶ライトバルブ３００を開示してい
る。例えば、図１３に示すように、電気回路３０２に対
する反射電極２１０の間隙部２０８からの光の進入か
ら、半導体基板の表面を遮蔽するように、それぞれ絶縁
体層２１２を介し２層の金属層３０４，３０６が相互に
重畳されて配置されている。これらの金属層３０４，３
０６にはスリット３０８が形成されている。これらスリ
ット３０８はオーバラップすることなく、相互にずらし
て形成されているため、入射した光は、金属層３０４，
３０６のいずれかで反射されて半導体基板には到達しな
い構造となっている。
を抑制するため、特開平８−３２８０３４号は、複数の
遮光層を形成した液晶ライトバルブ３００を開示してい
る。例えば、図１３に示すように、電気回路３０２に対
する反射電極２１０の間隙部２０８からの光の進入か
ら、半導体基板の表面を遮蔽するように、それぞれ絶縁
体層２１２を介し２層の金属層３０４，３０６が相互に
重畳されて配置されている。これらの金属層３０４，３
０６にはスリット３０８が形成されている。これらスリ
ット３０８はオーバラップすることなく、相互にずらし
て形成されているため、入射した光は、金属層３０４，
３０６のいずれかで反射されて半導体基板には到達しな
い構造となっている。
【００１０】上記の遮光構造は、金属層３０４，３０６
のような遮光層が多層となるほど、入射する光の反射・
吸収効果が高まり、遮蔽効果が良好となる。しかし、一
方において、金属層３０４，３０６を形成するための工
程を繰り返すこととなり、工程が複雑となる。また、増
加した工程のための装置設備に費用がかさみ、コスト高
となる。
のような遮光層が多層となるほど、入射する光の反射・
吸収効果が高まり、遮蔽効果が良好となる。しかし、一
方において、金属層３０４，３０６を形成するための工
程を繰り返すこととなり、工程が複雑となる。また、増
加した工程のための装置設備に費用がかさみ、コスト高
となる。
【００１１】また、上記問題に鑑み、特開平９−３３９
５２号は、図１４に示す液晶ライトバルブ４００を開示
する。この液晶ライトバルブ４００は、反射電極である
光反射膜２１０の間隙部４０２に赤、青、緑から選択さ
れる２色のカラーレジストからなる遮光性絶縁層４０４
が埋め込まれている。この遮光性絶縁層４０４により、
光反射膜２１０の相互間間隙部４０２を通過する特定波
長領域の光が、ＭＯＳ（metal oxide semicoductor) ト
ランジスタ部近傍に至るまでに確実に遮断されて、光導
電効果によるリーク電流の発生が抑制される。しかし、
上記文献においては、カラーレジストを２層に均一に配
置するためには、光反射膜２１０に一定以上の厚さが必
要であり、薄層化の観点より問題がある場合があった。
５２号は、図１４に示す液晶ライトバルブ４００を開示
する。この液晶ライトバルブ４００は、反射電極である
光反射膜２１０の間隙部４０２に赤、青、緑から選択さ
れる２色のカラーレジストからなる遮光性絶縁層４０４
が埋め込まれている。この遮光性絶縁層４０４により、
光反射膜２１０の相互間間隙部４０２を通過する特定波
長領域の光が、ＭＯＳ（metal oxide semicoductor) ト
ランジスタ部近傍に至るまでに確実に遮断されて、光導
電効果によるリーク電流の発生が抑制される。しかし、
上記文献においては、カラーレジストを２層に均一に配
置するためには、光反射膜２１０に一定以上の厚さが必
要であり、薄層化の観点より問題がある場合があった。
【００１２】また、一方においては、液晶ライトバルブ
の製造工程において、高精細化、生産効率の高度化等の
要求に伴い、工程の簡略化および、ピクセルの低消費電
力化、動作速度の高速化が常に要求されている。
の製造工程において、高精細化、生産効率の高度化等の
要求に伴い、工程の簡略化および、ピクセルの低消費電
力化、動作速度の高速化が常に要求されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、投射型液晶装置における反射型液晶ライトバルブに
おいて、光源からの入射光の漏れにより下層のトランジ
スタの誤動作を防止し得る液晶ライトバルブを提供する
ことにある。
は、投射型液晶装置における反射型液晶ライトバルブに
おいて、光源からの入射光の漏れにより下層のトランジ
スタの誤動作を防止し得る液晶ライトバルブを提供する
ことにある。
【００１４】本発明の第２の目的は、異物による遮光層
と反射電極との間のショートを防止し得る液晶ライトバ
ルブを提供することにある。
と反射電極との間のショートを防止し得る液晶ライトバ
ルブを提供することにある。
【００１５】さらに、本発明の第３の目的は、遮光体形
成により得られる電気容量により、液晶ライトバルブの
半導体基板製造工程の簡略化、低消費電力化、動作速度
の高速化を実現することにある。
成により得られる電気容量により、液晶ライトバルブの
半導体基板製造工程の簡略化、低消費電力化、動作速度
の高速化を実現することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意研究開発を重ねた結果、本発明を
想到するに至ったのである。
を達成するために鋭意研究開発を重ねた結果、本発明を
想到するに至ったのである。
【００１７】本発明にかかる液晶ライトバルブは、半導
体基板と、光入射側に設けられた対向基板と、相互に間
隙部を設けて形成されている複数の光反射膜と、光反射
膜と対向基板との間に封止された液晶と、光反射膜と電
気的に接続されている半導体基板とを有する液晶ライト
バルブであって、光反射膜と対向基板に形成された対向
電極との間に電圧を印加するために、半導体基板中に光
反射膜に対応して形成される電気回路と、光反射膜の下
層に配置された光吸収体層と、光吸収体層と電気回路と
の間に形成された第１の絶縁体層と、光反射膜と光吸収
体層との間に形成された第２の絶縁体層と、光吸収体層
と電気的に絶縁され、かつ電気回路と光反射膜とを接続
するスタッドと、電気回路を入射光から遮蔽するため、
光反射膜の下部に位置する光吸収体層上に設けられた遮
光体と、遮光体と光反射膜との間に形成された第３の絶
縁体層と、を含む。
体基板と、光入射側に設けられた対向基板と、相互に間
隙部を設けて形成されている複数の光反射膜と、光反射
膜と対向基板との間に封止された液晶と、光反射膜と電
気的に接続されている半導体基板とを有する液晶ライト
バルブであって、光反射膜と対向基板に形成された対向
電極との間に電圧を印加するために、半導体基板中に光
反射膜に対応して形成される電気回路と、光反射膜の下
層に配置された光吸収体層と、光吸収体層と電気回路と
の間に形成された第１の絶縁体層と、光反射膜と光吸収
体層との間に形成された第２の絶縁体層と、光吸収体層
と電気的に絶縁され、かつ電気回路と光反射膜とを接続
するスタッドと、電気回路を入射光から遮蔽するため、
光反射膜の下部に位置する光吸収体層上に設けられた遮
光体と、遮光体と光反射膜との間に形成された第３の絶
縁体層と、を含む。
【００１８】上記構成である本発明の液晶ライトバルブ
は、遮光体により光反射膜の間隙部から進入する光を反
射・吸収し、光吸収体層によりさらに反射・吸収して、
効果的に遮光することが可能である。
は、遮光体により光反射膜の間隙部から進入する光を反
射・吸収し、光吸収体層によりさらに反射・吸収して、
効果的に遮光することが可能である。
【００１９】また、第３の絶縁体層は、遮光体と光反射
膜との絶縁性を確保すると共に、遮光体と光反射膜との
間で電荷が蓄積し、キャパシタンスとしても機能するこ
とが可能である。従って、ピクセルに必要な蓄積容量の
一部または全部をこのギャップで担保することが可能と
なる。
膜との絶縁性を確保すると共に、遮光体と光反射膜との
間で電荷が蓄積し、キャパシタンスとしても機能するこ
とが可能である。従って、ピクセルに必要な蓄積容量の
一部または全部をこのギャップで担保することが可能と
なる。
【００２０】さらに、本発明は、上記液晶ライトバルブ
の製造方法を開示する。この液晶ライトバルブの製造方
法において、スタッドを形成する工程において同時に遮
光体を形成することが可能であり、従来の液晶表示装置
の製造工程に何ら複雑な工程を追加することなく、顕著
な遮光性を得ることができる。
の製造方法を開示する。この液晶ライトバルブの製造方
法において、スタッドを形成する工程において同時に遮
光体を形成することが可能であり、従来の液晶表示装置
の製造工程に何ら複雑な工程を追加することなく、顕著
な遮光性を得ることができる。
【００２１】また、本発明は、上記液晶ライトバルブを
用いた投射型液晶表示装置を開示する。
用いた投射型液晶表示装置を開示する。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかる液晶ライト
バルブ及びその製造方法について、実施の形態を図面に
基づいて、説明する。
バルブ及びその製造方法について、実施の形態を図面に
基づいて、説明する。
【００２３】図１は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造の一例１０を示している。また、図２は、図１で示
す発明にかかる液晶ライトバルブの半導体基板の構造を
示した斜視図である。液晶ライトバルブは、基本的に
は、半導体基板と、光入射側に設けられた対向基板と、
相互に間隙部を設けて形成され半導体基板と電気的に接
続されている複数の光反射膜と、光反射膜と対向基板と
の間に封止された液晶を有する。本実施の形態の液晶ラ
イトバルブ１０の構造について、以下詳述する。
構造の一例１０を示している。また、図２は、図１で示
す発明にかかる液晶ライトバルブの半導体基板の構造を
示した斜視図である。液晶ライトバルブは、基本的に
は、半導体基板と、光入射側に設けられた対向基板と、
相互に間隙部を設けて形成され半導体基板と電気的に接
続されている複数の光反射膜と、光反射膜と対向基板と
の間に封止された液晶を有する。本実施の形態の液晶ラ
イトバルブ１０の構造について、以下詳述する。
【００２４】電気回路は、シリコン基板１２上に形成さ
れ、複数のトランジスタ１４と、蓄積容量１６を含み、
トランジスタ１４と電気的に接続するゲート線やデータ
線の相互接続層とで構成される。電気回路の上には、第
１の絶縁体層１８であるシリコン酸化膜、第１の絶縁体
層１８上には光吸収体層２０が形成されている。光吸収
体層２０上には、第２の絶縁体層２２であるシリコン窒
化膜が形成されている。その上に個々のトランジスタ１
４に対応して複数の光反射膜２４が、互いに間隙部２６
で隔てられ形成されている。ガラス保護基板２８と光反
射膜２４との間にスペーサ３０が設置され、これにより
形成されたセルギャップ３２に液晶が封入され液晶層３
４が形成されている。ガラス保護基板２８の光反射膜２
４側には、対向電極３６が全面に形成されて対向基板を
構成している。スペーサ３０は、図２で示されているよ
うに、光反射膜２４上に設けられている。
れ、複数のトランジスタ１４と、蓄積容量１６を含み、
トランジスタ１４と電気的に接続するゲート線やデータ
線の相互接続層とで構成される。電気回路の上には、第
１の絶縁体層１８であるシリコン酸化膜、第１の絶縁体
層１８上には光吸収体層２０が形成されている。光吸収
体層２０上には、第２の絶縁体層２２であるシリコン窒
化膜が形成されている。その上に個々のトランジスタ１
４に対応して複数の光反射膜２４が、互いに間隙部２６
で隔てられ形成されている。ガラス保護基板２８と光反
射膜２４との間にスペーサ３０が設置され、これにより
形成されたセルギャップ３２に液晶が封入され液晶層３
４が形成されている。ガラス保護基板２８の光反射膜２
４側には、対向電極３６が全面に形成されて対向基板を
構成している。スペーサ３０は、図２で示されているよ
うに、光反射膜２４上に設けられている。
【００２５】また、本実施形態の液晶ライトバルブ１０
は、遮光体３８が、上記光反射膜２４の端部の下部に設
けられている。トランジスタ１４のオン時に表示電極で
ある光反射膜２４と対向電極３６と間に印加される電圧
に応じて、液晶層３４にある液晶分子の配向を変化させ
光透過率を変化させることにより、ガラス保護基板２８
側から入射した光源の光を光反射膜２４まで透過させた
り、あるいは透過させないことによって液晶ライトバル
ブの表示が行われる。
は、遮光体３８が、上記光反射膜２４の端部の下部に設
けられている。トランジスタ１４のオン時に表示電極で
ある光反射膜２４と対向電極３６と間に印加される電圧
に応じて、液晶層３４にある液晶分子の配向を変化させ
光透過率を変化させることにより、ガラス保護基板２８
側から入射した光源の光を光反射膜２４まで透過させた
り、あるいは透過させないことによって液晶ライトバル
ブの表示が行われる。
【００２６】トランジスタ１４は、薄層半導体に、ゲー
ト電極、ソース電極、ドレイン電極を構成した三端子ス
イッチであるＦＥＴ（field effect transistor ）であ
る。電圧オンーオフ比が大きいこと等の良好で安定であ
る特性を得ることができるＭＯＳ−ＦＥＴ方式が好まし
い。
ト電極、ソース電極、ドレイン電極を構成した三端子ス
イッチであるＦＥＴ（field effect transistor ）であ
る。電圧オンーオフ比が大きいこと等の良好で安定であ
る特性を得ることができるＭＯＳ−ＦＥＴ方式が好まし
い。
【００２７】データ線４０に電気的に接続されたソース
−ドレイン領域４２は、ゲート電極４４に電圧が印加さ
れると、液晶層３４および蓄積容量１６に駆動電圧を加
える。ゲート電極４４は、ゲート線からの信号によりオ
ン／オフ制御される。ゲート電極４４がオン状態となる
と、データ線４０からの表示信号により印加された信号
電圧は、ソースードレイン領域４２を経て表示電極であ
る光反射膜２４に印加される。表示電極電圧と対向電極
３６に供給される電圧との電位差が、液晶を動作させる
駆動電圧となる。同様に、蓄積容量１６にも電圧が加わ
り、ゲート電極４４がオフ状態となると、液晶層３４と
蓄積容量１６に加えられた電圧が保持される。蓄積容量
１６は、図１では、隣接するゲート線に接続されるＣｓ
オンゲート構造であるが、独立構造をとってもよい。
−ドレイン領域４２は、ゲート電極４４に電圧が印加さ
れると、液晶層３４および蓄積容量１６に駆動電圧を加
える。ゲート電極４４は、ゲート線からの信号によりオ
ン／オフ制御される。ゲート電極４４がオン状態となる
と、データ線４０からの表示信号により印加された信号
電圧は、ソースードレイン領域４２を経て表示電極であ
る光反射膜２４に印加される。表示電極電圧と対向電極
３６に供給される電圧との電位差が、液晶を動作させる
駆動電圧となる。同様に、蓄積容量１６にも電圧が加わ
り、ゲート電極４４がオフ状態となると、液晶層３４と
蓄積容量１６に加えられた電圧が保持される。蓄積容量
１６は、図１では、隣接するゲート線に接続されるＣｓ
オンゲート構造であるが、独立構造をとってもよい。
【００２８】光反射膜２４は、互いに間隙部２６を設け
電気的に絶縁されており、一つの光反射膜２４で１つの
ピクセルを構成している。光反射膜２４は、第１の絶縁
体層１８であるシリコン酸化膜及び第２の絶縁体層２２
であるシリコン窒化膜を貫通して形成された溝に埋め込
まれたスタッド４６により、各トランジスタ１４に電気
的に接続されている。光反射膜２４は、ガラス保護基板
２８側から入射した光を反射させる機能、及びＦＥＴか
ら液晶層３４に電圧が印加された場合の表示電極として
の機能を有する。
電気的に絶縁されており、一つの光反射膜２４で１つの
ピクセルを構成している。光反射膜２４は、第１の絶縁
体層１８であるシリコン酸化膜及び第２の絶縁体層２２
であるシリコン窒化膜を貫通して形成された溝に埋め込
まれたスタッド４６により、各トランジスタ１４に電気
的に接続されている。光反射膜２４は、ガラス保護基板
２８側から入射した光を反射させる機能、及びＦＥＴか
ら液晶層３４に電圧が印加された場合の表示電極として
の機能を有する。
【００２９】第１の絶縁体層１８は、トランジスタ１４
と光吸収体層２０との間を充填する。第１の絶縁体層１
８を構成する材質は、ＳｉＯ2 またＳｉＯ2 を主成分と
するガラス，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＯX ，ＺｒＯX ，ダイア
モンド状炭素、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＰＳＧ、及びポリアミド等
の化合物が例示される。例えば、シリコン酸化膜は、Ｔ
ＥＯＳ（tetraetyl ortho silicate）を前駆ガスとして
使用しＣＶＤにより形成される。
と光吸収体層２０との間を充填する。第１の絶縁体層１
８を構成する材質は、ＳｉＯ2 またＳｉＯ2 を主成分と
するガラス，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＯX ，ＺｒＯX ，ダイア
モンド状炭素、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＰＳＧ、及びポリアミド等
の化合物が例示される。例えば、シリコン酸化膜は、Ｔ
ＥＯＳ（tetraetyl ortho silicate）を前駆ガスとして
使用しＣＶＤにより形成される。
【００３０】光吸収体層２０は、光源からの光を反射・
吸収する機能を有し、光吸収体層２０に入射する光の反
射を防止するとともに、後に形成される遮光体３８のエ
ッチング・ストッパの役割をもはたす。従って、ＦＥＴ
側への光の進入防止が可能であり、絶縁体層のエッチン
グ剤に反応せず、さらにはエレクトロマイグレーション
を防止し得る材質が好ましく用いられる。例えば、Ａ
ｌ，Ｃｒ−ＣｒX Ｏy ，Ｔｉ，ＴｉＮ，およびＴｉＮX
Ｃy からなる群から選択される１以上の金属を積層して
構成されることが好ましい。具体的には、例えば、厚さ
１０ｎｍのＴｉ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ（Ｃｕ）層、
及び厚さ５００ｎｍのＴｉＮ層が、スパッタ付着され、
それを反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によるパタ
ーニングにより形成され得る。
吸収する機能を有し、光吸収体層２０に入射する光の反
射を防止するとともに、後に形成される遮光体３８のエ
ッチング・ストッパの役割をもはたす。従って、ＦＥＴ
側への光の進入防止が可能であり、絶縁体層のエッチン
グ剤に反応せず、さらにはエレクトロマイグレーション
を防止し得る材質が好ましく用いられる。例えば、Ａ
ｌ，Ｃｒ−ＣｒX Ｏy ，Ｔｉ，ＴｉＮ，およびＴｉＮX
Ｃy からなる群から選択される１以上の金属を積層して
構成されることが好ましい。具体的には、例えば、厚さ
１０ｎｍのＴｉ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ（Ｃｕ）層、
及び厚さ５００ｎｍのＴｉＮ層が、スパッタ付着され、
それを反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によるパタ
ーニングにより形成され得る。
【００３１】第２の絶縁体層２２は、光吸収体層２０と
光反射膜２４の表面の欠陥を補填しつつ光吸収体層２０
と光反射膜２４との絶縁性を確保する機能を有する。さ
らに、光反射膜２４と光吸収体層２０との間で電気容量
を蓄積し、光反射膜２４に電圧を保持させる機能を有す
る。従って、その厚さは、電気容量を大きくする観点お
よび光吸収体層２０と光反射膜２４との短絡防止の観点
より選択される。第２の絶縁体層２２は、第１の絶縁体
層１８と、同一の材料であっても、異なる材料であって
もよいが、ＳｉＯ2 またＳｉＯ2 を主成分とするガラ
ス，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＯX ，ＺｒＯX ，ダイアモンド状
炭素、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＰＳＧ、及びポリアミド等の化合物
が選択され得る。Ｓｉ3 Ｎ4 は、ＳｉＯ2 より誘電率が
高く、電気容量を大きく保持することが可能であるた
め、第２の絶縁体層２２の材料としてより好ましい。第
２の絶縁体層２２は、例えば、シリコン窒化膜とする場
合、ＳｉＨ4 ，ＮＨ3 を前駆ガスとして使用しＣＶＤ法
により形成され得る。
光反射膜２４の表面の欠陥を補填しつつ光吸収体層２０
と光反射膜２４との絶縁性を確保する機能を有する。さ
らに、光反射膜２４と光吸収体層２０との間で電気容量
を蓄積し、光反射膜２４に電圧を保持させる機能を有す
る。従って、その厚さは、電気容量を大きくする観点お
よび光吸収体層２０と光反射膜２４との短絡防止の観点
より選択される。第２の絶縁体層２２は、第１の絶縁体
層１８と、同一の材料であっても、異なる材料であって
もよいが、ＳｉＯ2 またＳｉＯ2 を主成分とするガラ
ス，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＯX ，ＺｒＯX ，ダイアモンド状
炭素、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＰＳＧ、及びポリアミド等の化合物
が選択され得る。Ｓｉ3 Ｎ4 は、ＳｉＯ2 より誘電率が
高く、電気容量を大きく保持することが可能であるた
め、第２の絶縁体層２２の材料としてより好ましい。第
２の絶縁体層２２は、例えば、シリコン窒化膜とする場
合、ＳｉＨ4 ，ＮＨ3 を前駆ガスとして使用しＣＶＤ法
により形成され得る。
【００３２】また、スタッド４６は、トランジスタと液
晶との電気的接続のために、設置される。スタッド４６
に求められる特性としては、機能上からは、良導電体で
あること、低反射率を有すること、また、プロセス上の
観点からは、高アスペクト比での埋め込みが良好である
こと、ＣＭＰによる除去が可能であること、半導体素子
に影響を与えない材質であること等が求められ、このよ
うな観点より、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｌな
どの金属単体、これらの合金、またはこれらと珪素など
との化合物が用いられ得る。
晶との電気的接続のために、設置される。スタッド４６
に求められる特性としては、機能上からは、良導電体で
あること、低反射率を有すること、また、プロセス上の
観点からは、高アスペクト比での埋め込みが良好である
こと、ＣＭＰによる除去が可能であること、半導体素子
に影響を与えない材質であること等が求められ、このよ
うな観点より、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｌな
どの金属単体、これらの合金、またはこれらと珪素など
との化合物が用いられ得る。
【００３３】遮光体３８は、光反射膜２４と光吸収体層
２０との間に構成されており、図２で示すように、光反
射膜２４の端部周辺を取り囲むように構成されている。
遮光体３８は、光線の乱反射を防止し遮光性のある材質
であれば、基本的には特に限定されない。上記スタッド
４６と同一の材質であってもよい。同一である場合、こ
れらを設置するステップを同時に行うことが可能である
ことより、製造工程上好ましい。具体的には、例えば、
Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｌなどの金属単体、これらの
合金、またはこれらと珪素などとの化合物が用いられ得
る。
２０との間に構成されており、図２で示すように、光反
射膜２４の端部周辺を取り囲むように構成されている。
遮光体３８は、光線の乱反射を防止し遮光性のある材質
であれば、基本的には特に限定されない。上記スタッド
４６と同一の材質であってもよい。同一である場合、こ
れらを設置するステップを同時に行うことが可能である
ことより、製造工程上好ましい。具体的には、例えば、
Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｌなどの金属単体、これらの
合金、またはこれらと珪素などとの化合物が用いられ得
る。
【００３４】図１で示す液晶ライトバルブの遮光体３８
は、第３の絶縁体層５０であるシリコン窒化膜で光反射
膜２４から電気的に絶縁されている。光反射膜２４の間
隙部２６から入射した光は、遮光体３８と光吸収体層２
０により大部分遮蔽される。残りの進入光が遮光体３８
と光反射膜２４との間の第３の絶縁体層５０であるシリ
コン窒化膜に回りこんだ場合、光反射膜２４により反射
され、一方で遮光体３８の上面により反射されつつ進行
し、第２の絶縁体２２であるシリコン窒化膜に到達し、
光吸収体層２０により吸収される。従って、光反射膜２
４の間隙部２６に進入した光はほぼ完全に遮蔽されて下
部のトランジスタには到達せず、ピクセルの欠陥を生じ
ない。
は、第３の絶縁体層５０であるシリコン窒化膜で光反射
膜２４から電気的に絶縁されている。光反射膜２４の間
隙部２６から入射した光は、遮光体３８と光吸収体層２
０により大部分遮蔽される。残りの進入光が遮光体３８
と光反射膜２４との間の第３の絶縁体層５０であるシリ
コン窒化膜に回りこんだ場合、光反射膜２４により反射
され、一方で遮光体３８の上面により反射されつつ進行
し、第２の絶縁体２２であるシリコン窒化膜に到達し、
光吸収体層２０により吸収される。従って、光反射膜２
４の間隙部２６に進入した光はほぼ完全に遮蔽されて下
部のトランジスタには到達せず、ピクセルの欠陥を生じ
ない。
【００３５】光反射膜２４の端部から内側へ遮光体３８
が位置する距離は、吸収体層２０、光反射膜２４の間の
光の反射がこれらの材質の有する反射率や入射光の強度
等により変化するため、これらを考慮して選択され得
る。下層に漏れる光の許容量、及びフォトリソグラフィ
工程でのアライメント精度の観点より、少なくとも光反
射膜２４の端部から０．２μｍ内側であることが好まし
い。例えば、第３の絶縁体層５０の膜厚が４００Åであ
り、光吸収体層２０及び光反射膜２４の反射率を６０
％、入射光角度を８０度とした場合、内部に進入する光
の許容量を考慮すると、遮光体３８の位置する光反射膜
２４の端部から内側への距離は、約０．４μｍが好まし
い。
が位置する距離は、吸収体層２０、光反射膜２４の間の
光の反射がこれらの材質の有する反射率や入射光の強度
等により変化するため、これらを考慮して選択され得
る。下層に漏れる光の許容量、及びフォトリソグラフィ
工程でのアライメント精度の観点より、少なくとも光反
射膜２４の端部から０．２μｍ内側であることが好まし
い。例えば、第３の絶縁体層５０の膜厚が４００Åであ
り、光吸収体層２０及び光反射膜２４の反射率を６０
％、入射光角度を８０度とした場合、内部に進入する光
の許容量を考慮すると、遮光体３８の位置する光反射膜
２４の端部から内側への距離は、約０．４μｍが好まし
い。
【００３６】第３の絶縁体層５０は、遮光体３８の上部
と第２の絶縁体層２２上部を薄く被覆して構成される。
第３の絶縁体層５０は、第２の絶縁体層２２上に密着す
ることにより第２の絶縁体層２２表面のピン・ホール等
を補修する役割をはたす。また、薄層で平坦な表面を得
ることが可能であり、上層の光反射膜２４を平坦に形成
することができる。さらに、第３の絶縁体層５０は、遮
光体３８が導電体である場合の電気的絶縁の役割を負う
と共に、電気容量を保持することが可能である。第３の
絶縁体層５０の材質としては、上記第１の絶縁体層、第
２の絶縁体層と基本的には同様の材質であってもよい。
と第２の絶縁体層２２上部を薄く被覆して構成される。
第３の絶縁体層５０は、第２の絶縁体層２２上に密着す
ることにより第２の絶縁体層２２表面のピン・ホール等
を補修する役割をはたす。また、薄層で平坦な表面を得
ることが可能であり、上層の光反射膜２４を平坦に形成
することができる。さらに、第３の絶縁体層５０は、遮
光体３８が導電体である場合の電気的絶縁の役割を負う
と共に、電気容量を保持することが可能である。第３の
絶縁体層５０の材質としては、上記第１の絶縁体層、第
２の絶縁体層と基本的には同様の材質であってもよい。
【００３７】上記の構造を有する本発明にかかる液晶ラ
イトバルブは、蓄積容量１６のほか、光吸収体層２０と
光反射膜２４とが電極を形成してその間の第２の絶縁体
層２２がキャパシタンスとして機能する。さらに遮光体
３８と光反射膜２４との間で第３の絶縁体層５０が、キ
ャパシタンスとして機能し得る。より詳しくは、遮光体
３８と光反射膜２４がそれぞれ電極を形成し、第３の絶
縁体層５０に電気容量が蓄積し、各ピクセルの液晶駆動
に必要な蓄積容量の一部を担保する効果を有する。これ
らが蓄積容量に付加され、ゲート電極４４がオフ状態の
場合に、液晶を駆動するための電圧を保持する役割をは
たす。従って、第３の絶縁体層５０の材質としては、上
記第１及び第２の絶縁体層と同様の材質であってもよい
が、電気容量を大きく保持するためには、特に、Ｓｉ3
Ｎ4 ，ＴａＯX ，またはＺｒＯXが好ましく用いられ得
る。
イトバルブは、蓄積容量１６のほか、光吸収体層２０と
光反射膜２４とが電極を形成してその間の第２の絶縁体
層２２がキャパシタンスとして機能する。さらに遮光体
３８と光反射膜２４との間で第３の絶縁体層５０が、キ
ャパシタンスとして機能し得る。より詳しくは、遮光体
３８と光反射膜２４がそれぞれ電極を形成し、第３の絶
縁体層５０に電気容量が蓄積し、各ピクセルの液晶駆動
に必要な蓄積容量の一部を担保する効果を有する。これ
らが蓄積容量に付加され、ゲート電極４４がオフ状態の
場合に、液晶を駆動するための電圧を保持する役割をは
たす。従って、第３の絶縁体層５０の材質としては、上
記第１及び第２の絶縁体層と同様の材質であってもよい
が、電気容量を大きく保持するためには、特に、Ｓｉ3
Ｎ4 ，ＴａＯX ，またはＺｒＯXが好ましく用いられ得
る。
【００３８】この第３の絶縁体層５０の層厚は、信号電
圧の大きさ及び絶縁体層の材質により選択され得るが、
電気容量は電極間の距離が狭い程大きいため、１０００
Å以下、好ましくは５００Å以下、さらに好ましくは、
４００Å以下である。また、電気容量として機能する場
合の真性耐圧の観点、及び絶縁性保持の観点より、５０
Å以上であることが好ましい。具体的には、例えば、信
号電圧が最大５Ｖであり、第３の絶縁体層５０が層厚４
００Åのシリコン窒化膜であり、遮光体３８が光反射膜
２４の端部から１μｍ内側に設置されている場合、通常
の大きさのピクセルに必要な電気容量を保持することが
可能である。
圧の大きさ及び絶縁体層の材質により選択され得るが、
電気容量は電極間の距離が狭い程大きいため、１０００
Å以下、好ましくは５００Å以下、さらに好ましくは、
４００Å以下である。また、電気容量として機能する場
合の真性耐圧の観点、及び絶縁性保持の観点より、５０
Å以上であることが好ましい。具体的には、例えば、信
号電圧が最大５Ｖであり、第３の絶縁体層５０が層厚４
００Åのシリコン窒化膜であり、遮光体３８が光反射膜
２４の端部から１μｍ内側に設置されている場合、通常
の大きさのピクセルに必要な電気容量を保持することが
可能である。
【００３９】なお、図２においては、スペーサ３０は、
柱状のスペーサで表されているが、スペーサの形状、材
質、設置個所、設定方法は本発明において特に限定され
ず、当業者の通常行い得る技術によりなされ得る。ま
た、透明保護基板であるガラス保護基板２８は、ガラス
に限定されず、耐熱性、耐薬品性、量産性等を満たす他
の材料であってもよい。
柱状のスペーサで表されているが、スペーサの形状、材
質、設置個所、設定方法は本発明において特に限定され
ず、当業者の通常行い得る技術によりなされ得る。ま
た、透明保護基板であるガラス保護基板２８は、ガラス
に限定されず、耐熱性、耐薬品性、量産性等を満たす他
の材料であってもよい。
【００４０】次に、本発明にかかる液晶ライトバルブの
製造方法一例について、図３，４に基づいて説明する。
まず、シリコン基板１２にトランジスタ１４および相互
接続層からなる電気回路が形成され、この電気回路上に
第１の絶縁体層１８が形成される。ＣＭＰ等の方法によ
り異物を取り除き、第１の絶縁体層１８の表面が平滑化
された後、光吸収体層２０が形成される。後にスタッド
４６が形成されるべき領域から絶縁するため光吸収体層
２０の一定の領域にスルーホールが設けられた後、光吸
収体層２０の上部に第２の絶縁体層２２が形成される
（図３（ａ））。
製造方法一例について、図３，４に基づいて説明する。
まず、シリコン基板１２にトランジスタ１４および相互
接続層からなる電気回路が形成され、この電気回路上に
第１の絶縁体層１８が形成される。ＣＭＰ等の方法によ
り異物を取り除き、第１の絶縁体層１８の表面が平滑化
された後、光吸収体層２０が形成される。後にスタッド
４６が形成されるべき領域から絶縁するため光吸収体層
２０の一定の領域にスルーホールが設けられた後、光吸
収体層２０の上部に第２の絶縁体層２２が形成される
（図３（ａ））。
【００４１】次に、第２の絶縁体層２２の上面全面に、
ポジ型フォトレジストを塗布してレジスト層５２が形成
される。このレジスト層５２を上面から露光し現像する
ことにより、遮光体３８及びスタッド４６が形成される
べき領域上部を除いた第２の絶縁体層２２の領域に、前
記レジスト層を残してマスクが形成される。さらに、第
２の絶縁体層２２及び第１の絶縁体層１８のエッチング
により、後に遮光体３８及びスタッド４６を形成するべ
き領域に溝５４，５６が形成される（図３（ｂ））。こ
の場合、エッチングは、遮光体３８のための溝５６を形
成後、光吸収体層２０に到達して停止し、その後第１の
絶縁体層１６におけるスタッド４６のための溝５４のエ
ッチングのみ進行し、電気回路に至って停止する。この
ように、遮光体３８及びスタッド４６のための溝５４，
５６の形成は、同一工程において行うことができる。エ
ッチングには、異方性エッチング、例えばＲＩＥ法が好
ましく用いられ得る。
ポジ型フォトレジストを塗布してレジスト層５２が形成
される。このレジスト層５２を上面から露光し現像する
ことにより、遮光体３８及びスタッド４６が形成される
べき領域上部を除いた第２の絶縁体層２２の領域に、前
記レジスト層を残してマスクが形成される。さらに、第
２の絶縁体層２２及び第１の絶縁体層１８のエッチング
により、後に遮光体３８及びスタッド４６を形成するべ
き領域に溝５４，５６が形成される（図３（ｂ））。こ
の場合、エッチングは、遮光体３８のための溝５６を形
成後、光吸収体層２０に到達して停止し、その後第１の
絶縁体層１６におけるスタッド４６のための溝５４のエ
ッチングのみ進行し、電気回路に至って停止する。この
ように、遮光体３８及びスタッド４６のための溝５４，
５６の形成は、同一工程において行うことができる。エ
ッチングには、異方性エッチング、例えばＲＩＥ法が好
ましく用いられ得る。
【００４２】その後、形成した溝５４、５６に、例えば
ＣＶＤ法を用いタングステン単体を材料として、遮光体
３８及びスタッド４６が形成される。この遮光体及びス
タッド形成ステップも同一工程で行うことができる。そ
の後遮光体３８及びスタッド４６の表面がＣＭＰ等の方
法により平滑化される（図３（ｃ））。遮光体３８は、
光反射膜２４からの入射光を遮蔽するために前記第１の
絶縁体層１８を貫いて光吸収体層２０上に形成されてい
る。スタッド４６は、電気回路と後に形成される光反射
膜２４との電気的接続のために、前記第１の絶縁体層１
８及び第２の絶縁体層２２を貫通して構成されている。
ＣＶＤ法を用いタングステン単体を材料として、遮光体
３８及びスタッド４６が形成される。この遮光体及びス
タッド形成ステップも同一工程で行うことができる。そ
の後遮光体３８及びスタッド４６の表面がＣＭＰ等の方
法により平滑化される（図３（ｃ））。遮光体３８は、
光反射膜２４からの入射光を遮蔽するために前記第１の
絶縁体層１８を貫いて光吸収体層２０上に形成されてい
る。スタッド４６は、電気回路と後に形成される光反射
膜２４との電気的接続のために、前記第１の絶縁体層１
８及び第２の絶縁体層２２を貫通して構成されている。
【００４３】次に、第３の絶縁体層５０が形成される
（図４（ｄ））。形成方法は、例えば、第３の絶縁体層
５０であるシリコン窒化膜は、ＣＶＤ法等により形成さ
れ得る。次に、スタッド４６上の第３の絶縁体層５０を
除去する。除去する方法は、例えば、第３の絶縁体層５
０上全面にポジ型フォトレジストを塗布して、レジスト
層を形成し、レジスト層を上面から露光し現像する。こ
れにより、第３の絶縁体層５０上にスタッド４６の上部
を除いた領域にレジスト層を残しマスクが形成される。
（図４（ｄ））。形成方法は、例えば、第３の絶縁体層
５０であるシリコン窒化膜は、ＣＶＤ法等により形成さ
れ得る。次に、スタッド４６上の第３の絶縁体層５０を
除去する。除去する方法は、例えば、第３の絶縁体層５
０上全面にポジ型フォトレジストを塗布して、レジスト
層を形成し、レジスト層を上面から露光し現像する。こ
れにより、第３の絶縁体層５０上にスタッド４６の上部
を除いた領域にレジスト層を残しマスクが形成される。
【００４４】その後、このマスクを用いてエッチングに
より、スタッド４６上の絶縁体層を除去する（図４
（ｅ））。残存している第３の絶縁体層５０上のレジス
トを除去する。
より、スタッド４６上の絶縁体層を除去する（図４
（ｅ））。残存している第３の絶縁体層５０上のレジス
トを除去する。
【００４５】次に、各電気回路に個々に対応するように
パターン化された複数の光反射膜２４を、第３の絶縁体
層５０とスタッド４６の上部に形成する（図４
（ｆ））。光反射膜２４は、Ａｌ単体であっても良い
が、例えば、１０ｎｍのＴｉ層を形成した後、１００ｎ
ｍのＡｌ，Ａｌ（Ｃｕ）、その他の金属とＡｌの合金を
蒸着またはスパッタリングして形成され得る。反射光の
強度をなるべく大きくとるために反射膜の間隙部は間隔
が小さいことが望ましい。従って、ＲＩＥにより光反射
膜をパターニングすることが好ましい。光反射膜２４相
互の間隙部２６は、エッチングにより形成される。
パターン化された複数の光反射膜２４を、第３の絶縁体
層５０とスタッド４６の上部に形成する（図４
（ｆ））。光反射膜２４は、Ａｌ単体であっても良い
が、例えば、１０ｎｍのＴｉ層を形成した後、１００ｎ
ｍのＡｌ，Ａｌ（Ｃｕ）、その他の金属とＡｌの合金を
蒸着またはスパッタリングして形成され得る。反射光の
強度をなるべく大きくとるために反射膜の間隙部は間隔
が小さいことが望ましい。従って、ＲＩＥにより光反射
膜をパターニングすることが好ましい。光反射膜２４相
互の間隙部２６は、エッチングにより形成される。
【００４６】このようにして、本発明にかかる液晶ライ
トバルブの半導体基板が、製造される。
トバルブの半導体基板が、製造される。
【００４７】この半導体基板の光反射膜２４上にスペー
サ３０が形成され、上記製造した半導体基板と、ガラス
保護基板２８に対向電極３６が形成された対向基板とが
貼り合される。その後、スペーサ３０で形成される半導
体基板と対向基板との間のセルギャップ３２中に液晶が
封止される。
サ３０が形成され、上記製造した半導体基板と、ガラス
保護基板２８に対向電極３６が形成された対向基板とが
貼り合される。その後、スペーサ３０で形成される半導
体基板と対向基板との間のセルギャップ３２中に液晶が
封止される。
【００４８】なお、各製造工程中において、必要に応じ
て、各層の表面をＣＭＰ等により平坦化する処理を用い
得る。平坦化は、微細化、高密度化に伴い、配線の容易
性、絶縁性の確保、薄層の均一形成等の観点から、重要
な処理である。以上のようにして、本発明の液晶ライト
バルブの一例が得られるが、本発明の膜形成方法等の実
施の態様は、これらの実施例に限定されるものではな
い。
て、各層の表面をＣＭＰ等により平坦化する処理を用い
得る。平坦化は、微細化、高密度化に伴い、配線の容易
性、絶縁性の確保、薄層の均一形成等の観点から、重要
な処理である。以上のようにして、本発明の液晶ライト
バルブの一例が得られるが、本発明の膜形成方法等の実
施の態様は、これらの実施例に限定されるものではな
い。
【００４９】ここで、上記得られた液晶ライトバルブの
構造における、電気容量の相互の関係を示した等価回路
図を図５に示す。図５中、Ｓはデータ線、Ｇはゲート線
を示す。６０は、ＦＥＴである。６２は対向電極３６に
相当し、６４は光吸収体層２０の電極に相当する。Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、電気容量を示し、Ｃ１は、遮
光体３８と光反射膜２４との間の電気容量，Ｃ２は、光
吸収体層２０と光反射膜２４との間の電気容量を示し、
Ｃ３は、光反射膜２４と対向電極３６との間の電気容量
を示す。Ｃ４は、電気回路に設置されている蓄積容量１
６を示す。このように、各ピクセル内で、電気容量を複
数の電極で保持することが可能となり、蓄積容量のみに
大きな電気容量を負荷させることなく、また寄生容量を
少なく保持することが可能である。
構造における、電気容量の相互の関係を示した等価回路
図を図５に示す。図５中、Ｓはデータ線、Ｇはゲート線
を示す。６０は、ＦＥＴである。６２は対向電極３６に
相当し、６４は光吸収体層２０の電極に相当する。Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、電気容量を示し、Ｃ１は、遮
光体３８と光反射膜２４との間の電気容量，Ｃ２は、光
吸収体層２０と光反射膜２４との間の電気容量を示し、
Ｃ３は、光反射膜２４と対向電極３６との間の電気容量
を示す。Ｃ４は、電気回路に設置されている蓄積容量１
６を示す。このように、各ピクセル内で、電気容量を複
数の電極で保持することが可能となり、蓄積容量のみに
大きな電気容量を負荷させることなく、また寄生容量を
少なく保持することが可能である。
【００５０】次に、本発明の他の実施形態による液晶ラ
イトバルブの実施例８０を、図６により説明する。本実
施例は、図１に示す上記の実施例と、遮光体の設置位置
が相違する他は、同様の構成をなす。すなわち、本実施
例における液晶ライトバルブにおける遮光体８２は、光
反射膜２４の間隙部２６の下部および隣接する光反射膜
２４の端部から一定距離内側の下部にわたって位置す
る。この構造の場合は、光源からの入射光は、遮光体８
２により反射され、反射された光の一部のみが、スタッ
ド８２と光反射膜２４との間の薄層の第３の絶縁体層５
０に回り込むことになる。従って、この実施例において
は、光の回り込みが少ないため、より大きな遮光効果を
得ることができる。
イトバルブの実施例８０を、図６により説明する。本実
施例は、図１に示す上記の実施例と、遮光体の設置位置
が相違する他は、同様の構成をなす。すなわち、本実施
例における液晶ライトバルブにおける遮光体８２は、光
反射膜２４の間隙部２６の下部および隣接する光反射膜
２４の端部から一定距離内側の下部にわたって位置す
る。この構造の場合は、光源からの入射光は、遮光体８
２により反射され、反射された光の一部のみが、スタッ
ド８２と光反射膜２４との間の薄層の第３の絶縁体層５
０に回り込むことになる。従って、この実施例において
は、光の回り込みが少ないため、より大きな遮光効果を
得ることができる。
【００５１】さらに、この構造によれば、光反射膜２４
の形成ステップにおいて、光反射膜２４の間隙部２６の
位置合わせの際遮光体８２の上部で位置ずれを起こして
も、光反射膜２４の間隙部２６を完全にカバーすること
ができる。さらに、光反射膜２４下の遮光体部分は、隣
同士の光反射膜２４の端部からの幅の過少により調整さ
れ得る。このように、遮光体８２と光反射膜２４との間
の電気容量が自己整合的に各ピクセルごとに同一の容量
を安定して確保できる点好ましい。
の形成ステップにおいて、光反射膜２４の間隙部２６の
位置合わせの際遮光体８２の上部で位置ずれを起こして
も、光反射膜２４の間隙部２６を完全にカバーすること
ができる。さらに、光反射膜２４下の遮光体部分は、隣
同士の光反射膜２４の端部からの幅の過少により調整さ
れ得る。このように、遮光体８２と光反射膜２４との間
の電気容量が自己整合的に各ピクセルごとに同一の容量
を安定して確保できる点好ましい。
【００５２】次に、本発明にかかる液晶ライトバルブの
さらに他の実施例９０について、図７に示して説明す
る。本実施例の液晶ライトバルブ９０は、光吸収体層９
２が遮光体９４の下部にのみ構成されることが異なる他
は、上記の実施例の構造と同様である。遮光体９４の形
状は、図１に示したように、遮光体が、光反射膜の端部
領域の下部のみ、または、図６で示したように光反射膜
の端部領域および光反射膜の間隙部の下部に設置されて
いてもよい。光反射膜の間隙部から入射した光は、遮光
体によりほぼ遮蔽され得る。従って、第１の絶縁体層と
第２の絶縁体層間の光吸収体層が存在しなくても、トラ
ンジスタに影響を及ぼさないので、光吸収体層と光反射
膜との間の電気容量の付加を考慮しなければ、このよう
な構成も可能である。
さらに他の実施例９０について、図７に示して説明す
る。本実施例の液晶ライトバルブ９０は、光吸収体層９
２が遮光体９４の下部にのみ構成されることが異なる他
は、上記の実施例の構造と同様である。遮光体９４の形
状は、図１に示したように、遮光体が、光反射膜の端部
領域の下部のみ、または、図６で示したように光反射膜
の端部領域および光反射膜の間隙部の下部に設置されて
いてもよい。光反射膜の間隙部から入射した光は、遮光
体によりほぼ遮蔽され得る。従って、第１の絶縁体層と
第２の絶縁体層間の光吸収体層が存在しなくても、トラ
ンジスタに影響を及ぼさないので、光吸収体層と光反射
膜との間の電気容量の付加を考慮しなければ、このよう
な構成も可能である。
【００５３】さらには、本発明にかかる液晶ライトバル
ブは、遮光体と光反射膜との間の電気容量Ｃ１でピクセ
ルに必要な電気容量をすべて確保するように設計するこ
とも可能である。この場合、Ｃ４を設置することが不要
となる。従って、図８に示すように、前述した実施態様
における蓄積容量１６を別途設けない構造を有する液晶
ライトバルブ９６も可能となる。この実施例にかかる液
晶ライトバルブ９６における電気容量の等価回路図を図
９に示す。なお、遮光体は、図１に示したように、光反
射膜の端部領域の下部のみ、または図６に示したよう
に、前記光反射膜の端部領域および光反射膜の間隙部の
下部に形成されていてもよい。さらに、光吸収体層の構
造は、図１のように、第１の絶縁体層上にほぼ全面設け
られる構造であっても、図７に示したように、遮光体の
下部にのみ形成される態様であり得る。本実施例の構造
によれば、半導体基板の製造工程の簡略化が可能とな
り、さらにゲート線の容量削減、液晶の応答速度の向
上、また低消費電力化を実現することができる。
ブは、遮光体と光反射膜との間の電気容量Ｃ１でピクセ
ルに必要な電気容量をすべて確保するように設計するこ
とも可能である。この場合、Ｃ４を設置することが不要
となる。従って、図８に示すように、前述した実施態様
における蓄積容量１６を別途設けない構造を有する液晶
ライトバルブ９６も可能となる。この実施例にかかる液
晶ライトバルブ９６における電気容量の等価回路図を図
９に示す。なお、遮光体は、図１に示したように、光反
射膜の端部領域の下部のみ、または図６に示したよう
に、前記光反射膜の端部領域および光反射膜の間隙部の
下部に形成されていてもよい。さらに、光吸収体層の構
造は、図１のように、第１の絶縁体層上にほぼ全面設け
られる構造であっても、図７に示したように、遮光体の
下部にのみ形成される態様であり得る。本実施例の構造
によれば、半導体基板の製造工程の簡略化が可能とな
り、さらにゲート線の容量削減、液晶の応答速度の向
上、また低消費電力化を実現することができる。
【００５４】本発明にかかる投射型液晶表示装置は、上
記説明した本発明にかかる液晶ライトバルブを用いたも
のである。具体的には、例えば、図１０に示すように、
本発明にかかる投射型液晶表示装置１００は、光源１０
２、ライトバルブ１０４、スクリーン１０６、及び光学
フィルタ１０８、投射レンズ１１０等から構成される。
光源１０２から発せられた光は、偏光ビームスプリッタ
１１２により反射されてカラーセパレーションプリズム
１０８に入射し、赤、青、緑の三原色に分離されて、
赤、緑、青用の反射型液晶ライトバルブ１０４にそれぞ
れ入射する。各反射型液晶ライトバルブ１０４で各ピク
セルに対する輝度変調が行われた光は反射して再度カラ
ーセパレーションプリズム１０８に入射し、もとの偏光
と９０度ずれた直線偏光となって偏光ビームスプリッタ
１１２を通過し、投射レンズ１１０に入射し、拡大され
てスクリーン１０６に画像として映しだされる。なお、
図中、矢印は光路を示す。
記説明した本発明にかかる液晶ライトバルブを用いたも
のである。具体的には、例えば、図１０に示すように、
本発明にかかる投射型液晶表示装置１００は、光源１０
２、ライトバルブ１０４、スクリーン１０６、及び光学
フィルタ１０８、投射レンズ１１０等から構成される。
光源１０２から発せられた光は、偏光ビームスプリッタ
１１２により反射されてカラーセパレーションプリズム
１０８に入射し、赤、青、緑の三原色に分離されて、
赤、緑、青用の反射型液晶ライトバルブ１０４にそれぞ
れ入射する。各反射型液晶ライトバルブ１０４で各ピク
セルに対する輝度変調が行われた光は反射して再度カラ
ーセパレーションプリズム１０８に入射し、もとの偏光
と９０度ずれた直線偏光となって偏光ビームスプリッタ
１１２を通過し、投射レンズ１１０に入射し、拡大され
てスクリーン１０６に画像として映しだされる。なお、
図中、矢印は光路を示す。
【００５５】以上、本発明にかかる液晶ライトバルブ及
びその製造方法並びにこれを用いた投射型液晶表示装置
について、実施の形態を図示して説明したが、本発明は
これらの実施の形態に限定されるものではない。その
他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の
知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で
実施し得るものである。
びその製造方法並びにこれを用いた投射型液晶表示装置
について、実施の形態を図示して説明したが、本発明は
これらの実施の形態に限定されるものではない。その
他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の
知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で
実施し得るものである。
【００５６】本発明にかかる液晶ライトバルブによれ
ば、特に投射型液晶表示装置における反射型液晶ライト
バルブにおいて、光反射膜の間隙部から入射する光源か
らの入射光から下層のトランジスタを保護するための遮
光構造が、従来技術と異なる。すなわち、スタッド形状
をした遮光体が、光反射膜の端部から一定領域の下部に
形成され、液晶への電気的接続のためのスタッドを取り
囲むように光反射膜の端部周辺に配置されている。この
ため、光反射膜の間隙部からの入射光を効果的に遮蔽す
ることが可能である。従って、光が漏れて下層に配した
トランジスタが誤動作して、ピクセルの不良の原因とな
ることがなく、歩留まりが良好となり生産効率が向上す
る。
ば、特に投射型液晶表示装置における反射型液晶ライト
バルブにおいて、光反射膜の間隙部から入射する光源か
らの入射光から下層のトランジスタを保護するための遮
光構造が、従来技術と異なる。すなわち、スタッド形状
をした遮光体が、光反射膜の端部から一定領域の下部に
形成され、液晶への電気的接続のためのスタッドを取り
囲むように光反射膜の端部周辺に配置されている。この
ため、光反射膜の間隙部からの入射光を効果的に遮蔽す
ることが可能である。従って、光が漏れて下層に配した
トランジスタが誤動作して、ピクセルの不良の原因とな
ることがなく、歩留まりが良好となり生産効率が向上す
る。
【００５７】また、この遮光体と光反射膜との間の絶縁
体層が、キャパシタンスとしても機能するため、蓄積容
量の一部をこの部分で担保することにより、液晶に安定
した電圧を保持することが可能である。
体層が、キャパシタンスとしても機能するため、蓄積容
量の一部をこの部分で担保することにより、液晶に安定
した電圧を保持することが可能である。
【００５８】さらに、本発明にかかる液晶ライトバルブ
の製造方法において、複雑な工程を付加することなく、
従来と同様の工程において、上記構造を得ることができ
る。
の製造方法において、複雑な工程を付加することなく、
従来と同様の工程において、上記構造を得ることができ
る。
【００５９】さらには、遮光体と光反射膜との間の電気
容量で、ピクセルに要する電気容量を全面担保させるこ
とも可能である。この場合、電気回路に蓄積容量を別途
設けない構造が可能となり、製造工程を大幅に簡略化す
ることができる。
容量で、ピクセルに要する電気容量を全面担保させるこ
とも可能である。この場合、電気回路に蓄積容量を別途
設けない構造が可能となり、製造工程を大幅に簡略化す
ることができる。
【図１】本発明にかかる液晶ライトバルブの１実施例の
側面模式図である。
側面模式図である。
【図２】図１で示した本発明にかかる液晶ライトバルブ
の半導体基板の斜視図である。
の半導体基板の斜視図である。
【図３】図１で示した本発明にかかる液晶ライトバルブ
の製造工程の一部を示す。
の製造工程の一部を示す。
【図４】図１で示した本発明にかかる液晶ライトバルブ
の製造工程の一部を示す。
の製造工程の一部を示す。
【図５】本発明にかかる液晶ライトバルブの電気容量相
互の関係を示した等価回路図である。
互の関係を示した等価回路図である。
【図６】本発明にかかる液晶ライトバルブの他の実施例
の側面模式図である。
の側面模式図である。
【図７】本発明にかかる液晶ライトバルブの他の実施例
の側面模式図である。
の側面模式図である。
【図８】本発明にかかる液晶ライトバルブのさらに他の
実施例の側面模式図である。る。
実施例の側面模式図である。る。
【図９】図８の構造を示す本発明にかかる液晶ライトバ
ルブの電気容量相互の関係を示した等価回路図である。
ルブの電気容量相互の関係を示した等価回路図である。
【図１０】本発明にかかる投射型液晶表示装置の１例の
側面模式図である。
側面模式図である。
【図１１】従来技術による液晶ライトバルブの側面模式
図である。
図である。
【図１２】異物が発生した場合の液晶ライトバルブの側
面模式図である。（ａ）は、絶縁体層に、異物がある場
合、（ｂ）は、異物の上に金属層を形成した場合、
（ｃ）は、（ｂ）の状態にＣＭＰ処理をした場合を示
す。
面模式図である。（ａ）は、絶縁体層に、異物がある場
合、（ｂ）は、異物の上に金属層を形成した場合、
（ｃ）は、（ｂ）の状態にＣＭＰ処理をした場合を示
す。
【図１３】従来技術による液晶ディスプレイの他の例の
側面模式図である。
側面模式図である。
【図１４】従来技術による液晶ライトバルブの他の例の
側面模式図である。
側面模式図である。
１０，８０，９０，９６；本発明にかかる液晶ライトバ
ルブ １２；シリコン基板 １４；トランジスタ １６；蓄積容量 １８；第１の絶縁体層 ２０，９２；光吸収体層 ２２；第２の絶縁体層 ２４；光反射膜（表示電極） ２６；光反射膜の間隙部 ２８；ガラス保護基板 ３０；スペーサ ３２；セルギャップ ３４；液晶層 ３６；対向電極 ３８，８２，９４；遮光体 ４０；データ線 ４２；ソース・ドレイン領域 ４４；ゲート電極 ４６；スタッド ５０；第３の絶縁体層 ５２；レジスト層 ５４，５６；溝 ６０；ＴＦＴ １００；本発明にかかる投射型液晶表示装置 １０２；光源 １０４；本発明にかかる液晶ライトバルブ １０６；スクリーン １０８；光学フィルタ（カラーセパレーションプリズ
ム） １１０；投射レンズ １１２：偏光ビームスプリッタ ２００；従来技術にかかる液晶ライトバルブ ２０２；半導体基板 ２０４；トランジスタ ２０６；対向基板 ２０８；光反射膜の間隙部 ２１０；光反射膜 ２１２；液晶 ２１４；層間絶縁体層 ２１６；対向電極 ２１８；ガラス保護基板 ２２０；遮光層 ２２２；絶縁体層 ２３０；異物 ３００；他の従来技術にかかる液晶ライトバルブ ３０２；電気回路 ３０４，３０６；金属層 ４００；さらに他の従来技術にかかる液晶ライトバルブ ４０２；反射電極の間隙部 ４０４；２色のカラーレジストからなる遮光性絶縁層
ルブ １２；シリコン基板 １４；トランジスタ １６；蓄積容量 １８；第１の絶縁体層 ２０，９２；光吸収体層 ２２；第２の絶縁体層 ２４；光反射膜（表示電極） ２６；光反射膜の間隙部 ２８；ガラス保護基板 ３０；スペーサ ３２；セルギャップ ３４；液晶層 ３６；対向電極 ３８，８２，９４；遮光体 ４０；データ線 ４２；ソース・ドレイン領域 ４４；ゲート電極 ４６；スタッド ５０；第３の絶縁体層 ５２；レジスト層 ５４，５６；溝 ６０；ＴＦＴ １００；本発明にかかる投射型液晶表示装置 １０２；光源 １０４；本発明にかかる液晶ライトバルブ １０６；スクリーン １０８；光学フィルタ（カラーセパレーションプリズ
ム） １１０；投射レンズ １１２：偏光ビームスプリッタ ２００；従来技術にかかる液晶ライトバルブ ２０２；半導体基板 ２０４；トランジスタ ２０６；対向基板 ２０８；光反射膜の間隙部 ２１０；光反射膜 ２１２；液晶 ２１４；層間絶縁体層 ２１６；対向電極 ２１８；ガラス保護基板 ２２０；遮光層 ２２２；絶縁体層 ２３０；異物 ３００；他の従来技術にかかる液晶ライトバルブ ３０２；電気回路 ３０４，３０６；金属層 ４００；さらに他の従来技術にかかる液晶ライトバルブ ４０２；反射電極の間隙部 ４０４；２色のカラーレジストからなる遮光性絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠原 昌己 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 (72)発明者 宇田 満 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 (72)発明者 エバン・ジョージ・コルガン 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 Ｆターム(参考） 2H090 HA01 HB02X HD01 LA05 LA11 LA16 LA20 2H091 FA10X FA14Z FA15X FA21X FA34Y FA41X GA07 GA13 LA03 LA12 LA17 MA07 2H092 GA25 GA29 HA05 JA23 JA46 JB63 MA00 NA01 PA09 PA12 RA05
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体基板と、光入射側に設けられた対
向基板と、相互に間隙部を設けて形成され半導体基板と
電気的に接続されている複数の光反射膜と、光反射膜と
対向基板との間に封止された液晶とを有する液晶ライト
バルブであって、該光反射膜と該対向基板に形成された
対向電極との間に電圧を印加するために、該半導体基板
に光反射膜に対応して形成される電気回路と、該電気回
路を入射光から遮蔽するために、該光反射膜の下層に配
置された光吸収体層と、該光吸収体層と該電気回路との
間に形成された第１の絶縁体層と、該光反射膜と該光吸
収体層との間に形成された第２の絶縁体層と、該電気回
路と該光反射膜とを電気的に接続するスタッドと、該電
気回路を入射光から遮蔽するため該光反射膜の下部に位
置する該光吸収体層上に設けられた遮光体と、該遮光体
と該光反射膜との間に形成される第３の絶縁体層と、を
含む液晶ライトバルブ。 - 【請求項２】 前記遮光体が、前記光反射膜の端部領域
の下部に設けられる、請求項１に記載する液晶ライトバ
ルブ。 - 【請求項３】 前記遮光体が、前記光反射膜の端部領域
および光反射膜の間隙部の下部に設けられる、請求項１
に記載する液晶ライトバルブ。 - 【請求項４】 前記光吸収体層が、前記遮光体の下部に
のみ形成される、請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載される液晶ライトバルブ。 - 【請求項５】 前記第１の絶縁体層、第２の絶縁体層、
及び第３の絶縁体層が、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＯ
X ，ＺｒＯX ，ダイアモンド状炭素、及びポリアミドか
らなる群から選択される１以上の物質を含む、請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載される液晶ライトバル
ブ。 - 【請求項６】 前記第１の絶縁体層および第２の絶縁体
層が、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＯX ，またはＺｒＯ
X のいずれかから選択される、請求項１乃至請求項５の
いずれかに記載する液晶ライトバルブ。 - 【請求項７】 前記第３の絶縁体層が、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｔ
ａＯX ，またはＺｒＯX のいずれかから選択される、請
求項１乃至請求項６のいずれかに記載する液晶ライトバ
ルブ。 - 【請求項８】 前記スタッド及び遮光体が、Ｔｉ，Ｗ，
Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｌの金属単体、合金、またはこれらの珪
素化合物からなる群より選択される、請求項１乃至請求
項７のいずれかに記載する液晶ライトバルブ。 - 【請求項９】 前記光吸収体層が、Ａｌ，Ｃｒ−ＣｒX
Ｏy ，Ｔｉ，ＴｉＮ，及びＴｉＮX Ｃy からなる群より
選択される１以上の金属を積層して構成される、請求項
１乃至請求項８のいずれかに記載する液晶ライトバル
ブ。 - 【請求項１０】 前記第３の絶縁体層の厚さが、５０Å
〜１０００Åである、請求項１乃至請求項８のいずれか
に記載する液晶ライトバルブ。 - 【請求項１１】 前記遮光体が、前記光反射膜の端部か
ら少なくとも、０．２μｍ内側の領域の下部に設けられ
ている、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載する液
晶ライトバルブ。 - 【請求項１２】 前記半導体基板の電気回路に蓄積容量
が設置して構成されている、請求項１乃至請求項１１の
いずれかに記載する液晶ライトバルブ。 - 【請求項１３】 前記半導体基板の電気回路に蓄積容量
が設置されずに構成されている、請求項１乃至請求項１
１のいずれかに記載する液晶ライトバルブ。 - 【請求項１４】 請求項１乃至請求項１３のいずれかに
記載する液晶ライトバルブを有する、投射型液晶表示装
置。 - 【請求項１５】 半導体基板と、光入射側に設けられた
対向基板と、相互に間隙部を設けて形成され該半導体基
板と電気的に接続されている複数の光反射膜と、光反射
膜と対向基板との間に封止された液晶とを有する液晶ラ
イトバルブの製造方法であって、該半導体基板中に、該
光反射膜に対応する電気回路を形成するステップと、該
電気回路の上に第１の絶縁体層を形成するステップと、
該第１の絶縁体層上に光吸収体層を形成するステップ
と、該光吸収体層に、後にスタッドが貫通するホールを
形成するステップと、該光吸収体層上に、第２の絶縁体
層を形成するステップと、後にスタッドを形成するべき
領域に、該第２の絶縁体層及び該第１の絶縁体層を貫通
する溝を形成するステップと、後に遮光体を形成するべ
き領域に、該第２の絶縁体層を貫通する溝を形成するス
テップと、該光反射膜と該電気回路との電気的接続のた
めにスタッドを形成するステップと、該光反射膜の間隙
部からの入射光を遮蔽するために該光吸収体層上に遮光
体を形成するステップと、第２の絶縁体層と該スタッド
及び該遮光体の上面全体にわたって、第３の絶縁体層を
形成するステップと、前記スタッドの上面の第３の絶縁
体層を除去するステップと、該電気回路に個々に対応す
るようにパターン化された複数の光反射膜を、第３の絶
縁体層の上部に形成するステップと、を含む半導体基板
製造工程、及び、該半導体基板と対向電極が形成された
対向基板とを張り合わせるステップと、スペーサで形成
されるセルギャップ中に液晶を封止するステップと、を
含む液晶パネル製造工程を有する、液晶ライトバルブの
製造方法。 - 【請求項１６】 後に前記スタッドを形成するべき領域
に、前記第２の絶縁体層及び前記第１の絶縁体層を貫通
する溝を形成するステップと、後に前記遮光体を形成す
るべき領域に、前記第２の絶縁体層を貫通する溝を形成
するステップとが、同一ステップにおいて行われ、か
つ、前記光反射膜と前記電気回路との電気的接続のため
にスタッドを形成するステップと、前記光反射膜の間隙
部からの入射光を遮蔽するために前記光吸収体層上に前
記遮光体を形成するステップとが、同一ステップにおい
て行われる、請求項１５に記載する液晶ライトバルブの
製造方法。
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|---|---|---|---|
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| KR10-2000-0053481A KR100380840B1 (ko) | 1999-09-17 | 2000-09-08 | 액정 광 밸브와 그 제조 방법 및 투사형 액정 표시 장치 |
| CN00127029A CN1126978C (zh) | 1999-09-17 | 2000-09-13 | 液晶光阀、生产液晶光阀的方法以及投影型液晶显示装置 |
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|---|---|---|---|
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