JP2001330857A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素スイッチング用のＴＦＴ上方に入射光に
対する遮光膜を設けると共に下方に戻り光に対する遮光
膜を設けた形式の電気光学装置において、画素開口率を
高めると同時に蓄積容量を増大させる。 【解決手段】 電気光学装置は、基板上にＴＦＴ（３
０）、データ線（６ａ）、走査線（３ａ）、及び画素電
極（９ａ）を備えており、ＴＦＴを構成する半導体層
（１ａ）は中継膜（８０ａ）を中継して画素電極と接続
されている。データ線と中継膜の層間に設けられた遮光
性の導電膜（９０ａ）と、中継膜と半導体層の層間に設
けられた走査線と同一膜からなる容量電極（３ｂ）とを
電気的に接続して定電位にすることにより、各層間で蓄
積容量を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素電極に対して蓄積容量を付加するための容量線を備え
ると共に、画素電極と画素スイッチング用の薄膜トラン
ジスタ（Thin Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称
す）との間で電気導通を良好にとるための導電膜を、基
板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分
野に属する。

【０００２】

【背景技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリ
クス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、
ＴＦＴのゲート電極に走査線を介して走査信号が供給さ
れると、ＴＦＴはオン状態とされ、半導体層のソース領
域にデータ線を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴ
のソース・ドレイン間を介して画素電極に供給される。
このような画像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電
極毎に極めて短時間しか行われないので、ＴＦＴを介し
て供給される画像信号の電圧を、このオン状態とされた
時間よりも遥かに長時間に亘って保持するために、各画
素電極には蓄積容量が付加されるのが一般的である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この種の電気光学装置
においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が
強く、このためには、各画素において、表示光が透過し
ない非画素開口領域に対して、表示光が透過する画素開
口領域を広げることで、画素ピッチを微細化しつつ、画
素開口率化を高めると同時に各画素電極に対して付加す
る蓄積容量を増大させることが極めて重要となる。

【０００４】一般に蓄積容量は、非画素開口領域を利用
して形成されるので、画素開口領域に蓄積容量を作り込
むことは基本的に困難である。このため、画素開口率を
高めるように画素開口領域を広げる程、蓄積容量を作り
込むことができる非画素開口領域は狭くなってしまう。
或いは蓄積容量を増大させるように非画素開口領域を広
げる程、画素開口率は低下してしまうという問題点があ
る。

【０００５】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大さ
せることができ、高品位の画像表示が可能な電気光学装
置を提供することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１）本発明の電気光学
装置は上記課題を解決するために、基板上に走査線と、
前記走査線に交差するデータ線と、前記走査線と前記デ
ータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラ
ンジスタのドレイン領域に接続された画素電極を有する
電気光学装置であって、前記走査線の上方でかつ前記デ
ータ線の下方に第１蓄積容量を積層したことを特徴とす
る。

【０００７】本発明のかかる構成によれば、積層構造を
利用して走査線の上方でかつデータ線の下方に第１蓄積
容量を形成することにより、蓄積容量を増大させ、高品
位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することがで
きる。

【０００８】（２）本発明の電気光学装置の一態様は、
前記第１蓄積容量は、第１容量電極と、前記第１容量電
極に対して絶縁膜を介して対向配置され、前記薄膜トラ
ンジスタのドレイン領域と前記画素電極とを電気的に接
続する中継膜をなす第２容量電極で形成されることを特
徴とする。

【０００９】本発明のかかる構成によれば、第１蓄積容
量を形成する第２容量電極は、薄膜トランジスタのドレ
イン領域と画素電極とを電気的に接続する中継膜として
構成したので、画素電極と半導体層との間の距離が長く
電気的な接続が困難であった問題を解決することができ
る。また、第２容量電極がコンタクトホール開孔時にお
けるエッチングの突き抜けを防止できる。

【００１０】（３）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第１蓄積容量は、前記薄膜トランジスタのソー
ス領域と前記データ線との接続領域を残して、前記半導
体層及び前記走査線の各々の領域に重なるように形成さ
れていることを特徴とする。

【００１１】本発明のかかる構成によれば、半導体層及
び走査線の各々の領域に重なるように形成したので、画
素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大させることが
できる。

【００１２】（４）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第２容量電極と、絶縁膜を介して前記第２容量
電極に対向配置し、前記走査線と同一膜からなる第３容
量電極とで第２蓄積容量を形成することを特徴とする。

【００１３】本発明のかかる構成によれば、第１蓄積容
量を形成する第２容量電極と走査線層を利用して第２蓄
積容量を形成したので、基板の厚み方向に蓄積容量を積
み重ねることができるため、画素ピッチを微細化して
も、非開口領域内に比較的大きな蓄積容量を構築するこ
とができる。また、第３容量電極は、走査線と同一膜か
らなるため、比較的少ない層数の積層構造により蓄積容
量を構築することができる。

【００１４】（５）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第３容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレ
イン領域と前記第２容量電極との接続領域を残して、前
記走査線と並行して形成されることを特徴とする。

【００１５】本発明のかかる構成によれば、第３容量電
極は走査線と並行して形成したので、非開口領域を利用
して蓄積容量を増大することができる。

【００１６】（６）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第３容量電極は、前記第１容量電極と電気的に
接続されていることを特徴とする。

【００１７】本発明のかかる構成によれば、第１容量電
極と第３容量電極とは電位変動がないので、薄膜トラン
ジスタの特性に影響を及ぼす事態を未然に防止できる。

【００１８】（７）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第３容量電極と前記第１容量電極との電気的接
続部は、前記データ線の下方領域に位置することを特徴
とする。

【００１９】本発明のかかる構成によれば、画素電極間
の間隙領域におけるデータ線の下方という各画素の開口
領域として利用不可能な領域を、第３容量電極と第１容
量電極との接続に利用したので、画素の高開口率化を図
る上で大変有利である。

【００２０】（８）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第３容量電極は前記走査線に沿って延びる第１
容量線の一部からなり、前記第１容量電極は前記走査線
に沿って延びる第２容量線の一部からなり、前記第１容
量線及び前記第２容量線は、前記画素電極が配置された
画像表示領域の周辺まで延設されて電気的に接続されて
なることを特徴とする。

【００２１】本発明のかかる構成によれば、走査線に沿
って配列された複数の第３容量電極を含む第１容量線
と、走査線に沿って配列された複数の第１容量電極を含
む第２容量線とは、画像表示領域の外側で相互に電気的
に接続されているので、第３容量電極と第１容量電極と
を比較的簡単に且つ確実に第１及び第２容量線を介して
相互に電気的に接続することが可能となる。また、画像
表示領域内において両者間を接続するためのコンタクト
ホールを設ける必要がないため、蓄積容量を増大させる
ことができる。

【００２２】（９）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第３容量電極と、絶縁膜を介して前記第３容量
電極に対向配置し、前記半導体層と同一膜からなる第４
容量電極とで第３蓄積容量を形成することを特徴とす
る。

【００２３】本発明のかかる構成によれば、第２蓄積容
量を形成する第３容量電極と半導体層を利用して第３蓄
積容量を形成したので、基板の厚み方向に蓄積容量を積
み重ねることができるため、画素ピッチを微細化して
も、非開口領域内に比較的大きな蓄積容量を構築するこ
とができる。また、第４容量電極は、半導体層と同一膜
からなるため、比較的少ない層数の積層構造により蓄積
容量を構築することができる。

【００２４】（１０）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第４容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレ
イン領域から延長して形成されることを特徴とする。

【００２５】本発明のかかる構成によれば、薄膜トラン
ジスタのドレイン領域を利用して蓄積容量を形成するこ
とができる。

【００２６】（１１）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第４容量電極は、前記走査線と並行して形成さ
れることを特徴とする。

【００２７】本発明のかかる構成によれば、第３容量電
極は走査線と並行して形成したので、非開口領域を利用
して蓄積容量を増大することができる。

【００２８】（１２）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第２蓄積容量の容量は、前記第１蓄積容量及び
前記第３蓄積容量の各々の容量に対して小さいことを特
徴とする。

【００２９】本発明のかかる構成によれば、第１容量電
極と走査線と同一膜からなる第３電極で構成される第２
蓄積容量を小さくしたので、ＴＦＴの誤動作に影響しな
い程度で容量を形成することができる。

【００３０】（１３）本発明の電気光学装置の他の態様
は、半導体層と同一膜からなる前記第４容量電極と、絶
縁膜を介して前記第４容量電極に対向配置し、前記半導
体層を遮光する第５容量電極とで第４蓄積容量を形成す
ることを特徴とする。

【００３１】本発明のかかる構成によれば、第３蓄積容
量を形成する半導体層と同一膜からなる第４容量電極と
半導体層を遮光する遮光膜を利用して第４蓄積容量を形
成したので、基板の厚み方向に蓄積容量を積み重ねるこ
とができるため、画素ピッチを微細化しても、非開口領
域内に比較的大きな蓄積容量を構築することができる。
また、第５容量電極は、遮光膜からなるため、比較的少
ない層数の積層構造により蓄積容量を構築することがで
きる。加えて、遮光膜は、少なくともチャネル領域を基
板側から見て覆うので、基板側からの戻り光がチャネル
領域に入射して、薄膜トランジスタの特性を変化させる
ことを効果的に防止できる。

【００３２】（１４）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第５容量電極は、画像表示領域の周辺で前記第
１容量電極と電気的に接続されていることを特徴とす
る。

【００３３】本発明のかかる構成によれば、前記第１容
量電極、前記第５容量電極さらに第３容量電極を共通電
位にすることができ、安定した蓄積容量を形成すること
ができる。

【００３４】（１５）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第１容量電極と、絶縁膜を介して前記第１容量
電極に対向配置し、前記画素電極をなす第６容量電極と
で第５蓄積容量を形成することを特徴とする。

【００３５】本発明のかかる構成によれば、第１蓄積容
量を形成する第１容量電極と画素電極を利用して第５蓄
積容量を形成したので、基板の厚み方向に蓄積容量を積
み重ねることができるため、画素ピッチを微細化して
も、非開口領域内に比較的大きな蓄積容量を構築するこ
とができる。また、第６容量電極は、画素電極からなる
ため、比較的少ない層数の積層構造により蓄積容量を構
築することができる。

【００３６】（１６）本発明の電気光学装置の他の態様
は、前記第５蓄積容量は、一画素のほぼ全周にわたり形
成されることを特徴とする。

【００３７】本発明のかかる構成によれば、一画素の周
辺領域を利用して蓄積容量を増大させることができる。

【００３８】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにする。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００４０】（第１実施形態）本発明の電気光学装置の
一例である液晶装置の構成について、図１から図１１を
参照して説明する。図１は、液晶装置の画像表示領域を
構成するマトリクス状に形成された複数の画素における
各種素子、配線等の等価回路であり、図２は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図
２のＡ−Ａ’に沿った断面図である。尚、図３において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００４１】図１において、本実施形態における液晶装
置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された
複数の画素は、画素電極９ａ及び画素電極９aを制御す
るためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号が供給
されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的
に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対し
て、グループ毎に供給するようにしても良い。また、Ｔ
ＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されてお
り、所定のタイミングで、走査線３ａに走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構
成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレイン
に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴ
ＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることによ
り、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａ
を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成さ
れた対向電極（後述する）との間で一定期間保持され
る。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配
向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示
を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印
加された電圧に応じて入射光の透過光量減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて
入射光の透過光量が増大し、全体として液晶装置からは
画像信号に応じたコントラスト比を持つ光が出射する。
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、
画素電極９ａと電気的に接続された一方の容量電極と、
定電位が供給された容量線３００と電気的に接続された
他方の容量電極との間に誘電体膜を介して形成される。
この蓄積容量７０により、例えば画素電極９ａの電圧
は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間
だけ保持される。これにより、保持特性は更に改善さ
れ、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。

【００４２】図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基
板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ
（点線部により画素電極端９ａ’が示されている）が設
けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿って
データ線６ａ、走査線３ａが設けられている。半導体層
１ａのうちチャネル領域１ａ’（図中右下りの斜線の領
域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走
査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走
査線３ａとデータ線６ａとが交差する箇所には夫々、チ
ャネル領域１ａ’に走査線３ａの一部がゲート電極とし
て対向配置されたＴＦＴ３０が設けられている。画素電
極９ａは、中間導電膜である中継膜８０ａを中継して、
コンタクトホール８ａ及び８ｂを介して半導体層１ａの
うち後述のドレインに電気的に接続されている。データ
線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜
等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気
的に接続されている。

【００４３】また、半導体層１ａから延設した容量電極
１ｆ（第４容量電極）と後述するゲート絶縁膜を介して
少なくとも部分的に重なるように、走査線３ａと同一膜
からなる容量電極３ｂ（第３容量電極）を設けても良
い。これにより、図１における蓄積容量７０の少なくと
も一部を形成することができる。

【００４４】更に、図２において太線で示した領域には
夫々、走査線３ａに沿ってＴＦＴ３０の下側を通るよう
に、下地遮光膜１１ａが設けられている。より具体的に
は、下地遮光膜１１ａは、 少なくともＴＦＴのチャネ
ル領域１ａ’及び当該チャネル領域１ａ’とソース及び
ドレイン領域との接合領域をＴＦＴアレイ基板側から見
て夫々覆う位置に設けられている。また、走査線３ａの
方向に沿って画素電極９ａがマトリクス状に形成された
画像表示領域からその周囲に延設され、周辺領域にて定
電位源と接続するようにすると良い。このように、下地
遮光膜１１ａの電位を定電位に固定することにより、Ｔ
ＦＴ３０の誤動作を防ぐことができる。定電位源として
は、後述する当該液晶装置を駆動するための周辺回路、
例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等に供給さ
れる負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極
に供給される定電位源等が挙げられる。電位レベルとす
れば、走査線３ａに供給される走査信号のオフレベルに
しておくことが望ましい。これにより、走査線３ａとの
間に寄生容量がほとんど発生しないので、走査線３ａに
供給される走査信号の遅延が生じることはほとんどな
い。

【００４５】本実施形態では特に、図中右上がりの斜線
で示した領域に、遮光性の導電膜（第１容量電極）９０
ａが形成されている。遮光性の導電膜９０ａは、走査線
３ａとデータ線６ａの間の層間に形成されており、コン
タクトホール５及びコンタクトホール８ｂの形成領域を
除く、データ線６ａや走査線３ａ等の配線及びＴＦＴ３
０や蓄積容量の形成領域と平面的に見て重ねることがで
きるため、ＴＦＴアレイ基板上での遮光を実現すること
ができる。また、遮光性の導電膜９０ａは、走査線３ａ
の方向に沿って画像表示領域からその周囲に延設し、周
辺領域にて定電位源と接続することができる。これによ
り、遮光性の導電膜９０ａは図１における容量線３００
として機能することができる。また、コンタクトホール
９５を介して走査線３ａと同一膜からなる容量電極３ｂ
に接続することにより、定電位を供給することで、容量
電極１ｆとの間で蓄積容量７０を容易に形成することが
できる。定電位源としては、後述する当該液晶装置を駆
動するための周辺回路、例えば、走査線駆動回路、デー
タ線駆動回路等に供給される負電源、正電源等の定電位
源、接地電源、対向電極に供給される定電位源等が挙げ
られる。

【００４６】次に図３の断面図に示すように、本実施形
態における液晶装置は、基板の一例を構成する透明なＴ
ＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対
向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、
例えば石英基板やガラス基板あるいはシリコン基板から
なり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、 ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる画素電極９ａが設けられており、
液晶層５０にＴＮ（Twisted Nematic）液晶等を用いる
場合、画素電極９ａの表面にラビング処理等の所定の配
向処理が施された配向膜１６を設けるようにする。

【００４７】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
てＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる対向電極２１が
設けられており、対向電極２１の表面にラビング処理等
の所定の配向処理が施された配向膜２２を設けるように
する。

【００４８】更に、ＴＦＴ３０に対向する位置におい
て、ＴＦＴアレイ基板１０とＴＦＴ３０との間には、下
地遮光膜１１ａが設けられている。下地遮光膜１１ａ
は、少なくとも画素スイッチング用のＴＦＴ３０のチャ
ネル領域１ａ’及び当該チャネル領域１ａ’とソース及
びドレイン領域との接合領域に対向する位置に形成され
ているので、ＴＦＴアレイ基板１０側からの反射光等
が、チャネル領域１ａ’やその隣接領域に照射されるこ
とはない。これにより、光に起因したリーク電流の発生
によりＴＦＴ３０の特性が変化することはない。下地遮
光膜１１ａとしては、好ましくはＴｉ（チタン）、Ｃｒ
（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、
Ｍｏ（モリブデン）及びＰｂ（鉛）などの不透明な高融
点金属を少なくとも一つ含む、金属単体、合金、金属シ
リサイド等から構成するのが好ましい。あるいは、直に
入射光が回り込んでも光を吸収できるように、下地遮光
膜１１ａの表面にポリシリコン等の反射防止膜を形成し
ても良い。また、ＴＦＴアレイ基板１０側からの反射光
等が弱い場合には、下地遮光膜１１ａにポリシリコン膜
を用いても構わない。このような材料から下地遮光膜１
１ａを構成すれば、例えば、ゲート絶縁膜２の形成にお
ける高温処理により、下地遮光膜１１ａが破壊されたり
溶融しないようにできる。尚、本実施形態では下地遮光
膜１１ａを、各走査線３ａの下方を当該走査線３ａに沿
って縞状に形成しているが、各データ線６ａの下方を当
該データ線６ａに沿って縞状に形成しても良いし、或い
は各走査線３ａ及び各データ線６ａの下方に格子状に形
成しても良いことは言うまでもない。このように下地遮
光膜１１ａを、縞状に形成すれば下地遮光膜１１ａによ
る応力の緩和を実現できるし、格子状に形成すれば遮光
性が高まるだけでなく下地遮光膜１１ａを更に低抵抗化
を図ることができる。

【００４９】また、下地遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との
間には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜
１２は、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを下地遮光
膜１１ａから電気的に絶縁するために設けられるもので
ある。更に、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０
の全面に形成されることにより、ＴＦＴ３０のための下
地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板
１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ
等でＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。下
地絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケ
ートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳ
Ｇ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリン
シリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜等からなる。また、下地絶縁
膜１２により、下地遮光膜１１ａがＴＦＴ３０等を汚染
する事態を未然に防ぐこともできる。

【００５０】更に本実施形態では、下地絶縁膜１２上に
形成されるＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drai
n)構造を有しており、例えばポリシリコン膜からなる半
導体層１ａは、走査線３ａからの電界によりチャネルが
形成されるチャネル領域１ａ’を挟んで低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃが形成され、低濃度
ソース領域１ｂには高濃度ソース領域１ｄが接続され、
低濃度ドレイン領域１ｃには高濃度ドレイン領域１ｅが
接続されている。このように、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造
で形成することにより、ＴＦＴ３０のオフ時におけるリ
ーク電流を大幅に低減することができ、保持性能を高め
ることができる。また、ＴＦＴ３０は、低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込み
を行わないオフセット構造を採っても良いし、走査線３
ａの一部であるゲート電極をマスクとして高濃度で不純
物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域１ｄ及び
高濃度ドレイン領域１ｅを形成するセルフアライン型の
ＴＦＴであっても良い。

【００５１】半導体層１ａ上には１００ｎｍ以下の薄膜
でゲート絶縁膜２が形成される。ゲート絶縁膜２は、ポ
リシリコン膜を１０００度以上の高温で酸化することに
より緻密で絶縁性の高い膜を形成することができる。高
温処理ができない場合は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition）等により形成しても良い。ゲート絶縁膜２上
には、例えばＰ（リン）が打ち込まれた低抵抗なポリシ
リコン膜で形成された走査線３ａを配置し、半導体層１
ａと重なった部分の走査線３ａがゲート電極として機能
する。

【００５２】半導体層１ａ上に形成したゲート絶縁膜２
及び走査線３ａ上に、ＣＶＤ等により層間絶縁膜８１を
堆積し、高濃度ドレイン領域１ｅの所定箇所において、
ゲート絶縁膜２及び層間絶縁膜８１に対してコンタクト
ホール８ａを開孔する。このコンタクトホール８ａを介
して高濃度ドレイン領域１ｅと導電性の中継膜８０ａを
電気的に接続する。中継膜８０ａ上には、層間絶縁膜９
１、層間絶縁膜４、層間絶縁膜７が順次積層され、これら
層間絶縁膜に対して中継膜８０ａ（第２容量電極）の所
定位置にコンタクトホール８ｂを開孔する。このコンタ
クトホール８ｂを介して中継膜８０ａと画素電極９ａを
電気的に接続する。このように、中継膜８０ａは、半導
体層１ａと画素電極９ａとを電気的に接続するための中
間導電膜として機能する。この中継膜８０ａにより、画
素電極９ａから半導体層１ａまでの長い距離に対して、
一気にコンタクトホールを開孔しなくても良いため、例
えば５０ｎｍ程度と非常に薄い膜厚の半導体層１ａの突
き抜けを防止することができる。また、コンタクトホー
ルを別々に開孔することで、コンタクトホール８ａ及び
８ｂの径を夫々小さくできる利点がある。これにより、
コンタクトホール８ａ及び８ｂを形成する領域が小さく
て済むため、その分だけ画素開口率を高めたり、高精細
化を実現することができる。中継膜８０ａの材質として
下地遮光膜１１ａと同様に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍ
ｏ及びＰｂなどの不透明な高融点金属を少なくとも一つ
含む、金属単体、合金、金属シリサイド等で形成すれ
ば、遮光膜としても機能することができる。更に、エッ
チング時における選択比が高いため、中継膜８０ａを例
えば５０ｎｍ程度の膜厚で形成しても、コンタクトホー
ル８ｂの開孔時に中継膜８０ａを突き抜けることはな
い。また、走査線３ａと中継膜８０ａを絶縁するための
層間絶縁膜８１をＴＦＴ３０のスイッチング動作に影響
を与えない、例えば５００ｎｍ以上の膜厚で形成すれ
ば、中継膜８０ａはＴＦＴ３０や走査線３ａ上に平面的
に見て重なるように設けることができる。これにより、
データ線６ａの下方で且つＴＦＴ３０を構成する半導体
層１ａの直近で遮光できるため、チャネル領域１ａ’や
その接合領域である低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ド
レイン領域１ｃに入射光が直に照射されたり、データ線
６ａ等により反射された迷光が照射されることがない。
これにより、ＴＦＴ３０のオフ時におけるリーク電流を
大幅に低減することができ、保持性能を格段に高めるこ
とができる。

【００５３】本実施形態では、更に図３に示すように、
中継膜８０ａ上に層間絶縁膜９１を介して遮光性の導電
膜９０ａを形成している。遮光性の導電膜９０ａは、前
述したようにコンタクトホール５及び８ｂを除く非開口
領域を遮光することができる。また、遮光性の導電膜９
０ａは図１における容量線３００として機能することが
できるため、導電膜９０ａと中継膜８０ａとの間で層間
絶縁膜９１を誘電体膜として蓄積容量７０の少なくとも
一部を形成することができる。即ち、中継膜８０ａと遮
光性の導電膜９０ａが蓄積容量７０を形成するための電
極として機能するのである。また、ＴＦＴ３０を構成す
る半導体層１ａの直近で中継膜８０ａ及び遮光性の導電
膜９０ａの２層で遮光できる。これにより、ＴＦＴ３０
のオフ時におけるリーク電流を更に大幅に低減すること
ができるため、投射型プロジェクタ等の強い光源の下で
使用される液晶装置にはとても有利である。遮光性の導
電膜９０ａの材質は、下地遮光膜１１ａあるいは中継膜
８０ａと同様に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ
などの不透明な高融点金属を少なくとも一つ含む、金属
単体、合金、金属シリサイド等で形成すれば、遮光性が
高く低抵抗な配線を実現することができる。また、遮光
性の導電膜９０ａを形成する前に、例えば活性化熱処理
等の４００度以上の高温処理が終わっていれば、更に低
抵抗なＡｌ（アルミニウム）を含む、金属単体、合金、
金属シリサイド等から遮光性の導電膜９０ａを形成する
ことができる。このように容量線３００を兼ねる遮光性
の導電膜９０ａをデータ線６ａの材質と同じＡｌで形成
することにより、容量線３００の抵抗を従来のポリシリ
コン膜に比べて２〜３桁分の低減を図ることができる。
これにより、容量線３００の時定数が大きいことにより
生じる走査線３ａ方向のクロストークを大幅に低減でき
る。

【００５４】また、遮光性の導電膜９０ａは各画素電極
９ａ毎にコンタクトホール９５を介して、走査線３ａと
同一膜からなる容量電極３ｂと電気的に接続するように
しても良い。これにより、容量電極３ｂは遮光性の導電
膜９０ａと同じ定電位に固定することができる。したが
って、容量電極３ｂと半導体層１ａの高濃度ドレイン領
域１ｅと電気的に接続された中継膜８０ａとの間で、層
間絶縁膜８１を誘電体膜として蓄積容量７０の少なくと
も一部をこの領域でも形成することができる。更に、容
量電極３ｂと半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅか
ら延設された容量電極１ｆとの間で、ゲート絶縁膜２を
誘電体膜としてこの領域にも蓄積容量７０の少なくとも
一部を形成することもできる。また、コンタクトホール
９５は、データ線６ａの下方にて開孔するようにし、デ
ータ線６ａに沿って隣接する画素電極９ａに接続された
半導体層１ａとデータ線６ａとを電気的に接続するため
のコンタクトホール５の直近にて、電気的に接続すると
良い。このような構成を採れば、データ線６ａの下方に
おいて、蓄積容量７０を形成するための大きな領域を確
保することが可能になる。

【００５５】図４に、本実施形態の液晶装置を構成する
１画素の等価回路図を示す。図４に示すとおり、半導体
層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと中継膜８０ａ及び画
素電極９ａを電気的に接続し、一方、遮光性の導電膜９
０ａと容量電極３ｂを電気的に接続する。遮光性の導電
膜９０ａは、画像表示領域からその周囲に延設し、周辺
領域にて定電位源と接続されている。また、下地遮光膜
１１ａと遮光性の導電膜９０ａを電気的に接続しても良
い。これらの導電膜を組み合わせることにより、理想的
なスタック構造による蓄積容量７０を形成することがで
きる。即ち本実施形態では、定電位に固定された遮光性
の導電膜９０ａ，容量電極３ｂ及び下地遮光膜１１ａの
各導電膜の層間に誘電体膜を介して高濃度ドレイン領域
１ｅから延設された容量電極１ｆ，中継膜８０ａ及び画
素電極９ａを形成することが可能になる。

【００５６】具体的に、図２の隣接する画素群の平面図
において、どの領域に蓄積容量が形成されているかを図
５から図９に示す。尚、図２及び図５から図９の縮尺は
同じとする。

【００５７】図５は、遮光性の導電膜９０ａと中継膜８
０ａとの間に形成される第１蓄積容量Ｃ１を示してい
る。誘電体膜として、層間絶縁膜９１を用いる。クロス
ハッチングの領域が実際に第１蓄積容量Ｃ１が形成され
る領域で、コンタクトホール５やコンタクトホール９５
並びにコンタクトホール８ｂを除く非開口領域のかなり
の部分で蓄積容量Ｃ１を形成できる。ここで、容量電極
３ｂを設けない場合は、当該容量電極３ｂと遮光性の導
電膜９０ａを電気的に接続するためのコンタクトホール
９５を開孔する必要がなくなるので、この領域でも第１
蓄積容量Ｃ１を形成することができる。また、本実施形
態では、従来不可能であったＴＦＴ３０のチャネル領域
１ａ’上にも第１蓄積容量Ｃ１を形成することができる
ため、透過型の液晶装置の画素開口率の向上や微細化に
はとても有利である。層間絶縁膜９１には、酸化膜や窒
化膜等の絶縁性及び誘電率の高い膜を用いることができ
る。また、中継膜８０ａをポリシリコン膜で形成し、更
に、遮光性の導電膜９０ａを、下層をポリシリコン膜、
上層を高融点金属を含有した遮光膜といった多層構造で
構成することにより、層間絶縁膜９１をポリシリコン膜
との連続工程で形成することができるため、欠陥の少な
い緻密な絶縁膜を形成することができる。これにより、
装置欠陥が減るばかりか、層間絶縁膜９１ａを１００ｎ
ｍ以下の膜厚に形成することが可能なため、第１蓄積容
量Ｃ１を更に増大することができる。

【００５８】次に図６は、中継膜８０ａと容量電極３ｂ
との間に形成される第２蓄積容量Ｃ２を示している。誘
電体膜として、層間絶縁膜８１を用いる。クロスハッチ
ングの領域が実際に第２蓄積容量Ｃ２が形成される領域
である。容量電極３ｂは、半導体層１ａと中継膜８０ａ
を電気的に接続するためのコンタクトホール８ａの領域
で、各画素毎に分断しており、コンタクトホール９５に
て上方の遮光性の導電膜９０ａと電気的に接続される。
図６に示すように、容量電極３ｂをＴ字型に形成する
と、効率的に第２蓄積容量Ｃ２を形成できる。層間絶縁
膜８１には、酸化膜や窒化膜等の絶縁性及び誘電率の高
い膜を用いることができる。但し、容量電極３ｂは走査
線３ａと同一膜で形成しているため、第２蓄積容量Ｃ２
を形成できる領域は、図５における第１蓄積容量Ｃ１を
形成する領域よりも小さくなる。また、中継膜８０ａで
チャネル領域１ａ’及びその隣接領域を遮光する場合に
は、ＴＦＴ３０の誤動作を防ぐために層間絶縁膜８１の
膜厚は５００ｎｍ以上必要なことから、第２蓄積容量Ｃ
２は第２蓄積容量Ｃ１ほど増大させることができない。

【００５９】図７は、容量電極３ｂと容量電極１ｆとの
間に形成される第３蓄積容量Ｃ３を示している。誘電体
膜として、ゲート絶縁膜２を用いる。クロスハッチング
の領域が実際に第３蓄積容量Ｃ３が形成される領域であ
る。ゲート絶縁膜２は前述のように、１０００度以上の
高温で酸化して形成するため、緻密で絶縁性の高い膜が
形成される。したがって、第３蓄積容量Ｃ３を形成でき
る面積は図６の第２蓄積容量Ｃ２を形成する領域とほと
んど変わらないが、第３蓄積容量Ｃ３は第２蓄積容量Ｃ
２より大きく形成することができる。また、容量電極３
ｂと上方の遮光性の導電膜９０ａを電気的に接続するた
めのコンタクトホール９５の形成領域の下方にも第３蓄
積容量Ｃ３を形成することができる。

【００６０】更に、図８に示すように、容量電極１ｆと
下地遮光膜１１ａとの間にも第４蓄積容量Ｃ４を形成す
ることができる。誘電体膜として、下地絶縁膜１２を用
いる。クロスハッチングの領域が実際に第４蓄積容量Ｃ
４が形成される領域である。下地絶縁膜１２を５００ｎ
ｍ以下の膜厚で形成すると、チャネル領域１ａ’と下地
遮光膜１１ａの距離も近づくため、ＴＦＴ３０が下地遮
光膜１１ａの電位によって誤動作してしまう。そこで、
蓄積容量１ｆと下地遮光膜１１ａが平面的に見て重なる
領域の下地絶縁膜１２を選択的に薄膜化して第４蓄積容
量Ｃ４を増大させるようにしても良い。すなわち、チャ
ネル領域１ａに対向する下地絶縁膜１２の領域以外の部
分を薄膜にすることで、第４蓄積容量Ｃ４を増大させる
ことができる。

【００６１】更に、図９に示すように、画素電極９ａと
遮光性の導電膜９０ａとの間にも第５蓄積容量Ｃ５を形
成することができる。誘電体膜として、層間絶縁膜４及
び層間絶縁膜７を用いる。クロスハッチングの領域が実
際に第５蓄積容量Ｃ５が形成される領域である。層間絶
縁膜４及び層間絶縁膜７としては、例えば、ＮＳＧ、Ｐ
ＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどの高絶縁性ガラス又は、酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。但し、デー
タ線６ａは層間絶縁膜４上に形成されるため、画素電極
９ａとデータ線６ａとの間に生じる寄生容量により表示
画像が劣化するため、層間絶縁膜７を厚くする必要があ
り、実際には第５蓄積容量Ｃ５を第１蓄積容量Ｃ１ほど
には増大することができない。

【００６２】このように、本実施形態の液晶装置は、蓄
積容量７０を形成するための容量電極を誘電体膜を介し
て積層していくことにより、第１蓄積容量Ｃ１から第５
蓄積容量Ｃ５まで５層からなるスタック型の蓄積容量７
０を形成することができる。これにより、蓄積容量形成
用の領域が小さくても、効率的に大きな蓄積容量７０を
形成することができる。ここで、本実施形態の液晶装置
は、少なくとも第１蓄積容量Ｃ１が形成できれば良い。
今後、画素の高開口率化や微細化が更に進み、例えば蓄
積容量電極３ｂを形成することができなくても、本実施
形態の構造によれば第１蓄積容量Ｃ１の誘電体膜である
層間絶縁膜９１を薄膜化することで十分な蓄積容量７０
を得ることができる。したがって、本実施形態によれ
ば、電気光学装置の目的にあった仕様に対して、第１蓄
積容量Ｃ１から第５蓄積容量Ｃ５までの蓄積容量の中か
ら選択して用いることができ有利である。

【００６３】再び図３に示すように、データ線６ａは、
遮光性の導電膜９０ａより上方の層間絶縁膜４上に形成
されている。また、データ線６ａは、ゲート絶縁膜２，
層間絶縁膜８１，層間絶縁膜９１及び層間絶縁膜７の所
定箇所にコンタクトホール５を開孔し、このコンタクト
ホール５を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１
ｅと電気的に接続されている。更に、データ線６ａは画
像信号が供給されるため、Ａｌ等の低抵抗で遮光性の高
い金属膜や金属シリサイド等から構成されている。

【００６４】ここで、本実施形態の液晶装置では、デー
タ線６ａに加えて、遮光性の導電膜９０ａ等により非開
口領域である遮光領域を規定することができる。具体的
には、図１０に示すように、画素電極９ａに重なるよう
に遮光性の導電膜９０ａを形成し、チャネル領域１ａ’
を含むほとんどの領域を遮光するようにする。また、遮
光性の導電膜９０ａでデータ線６ａに沿った領域のほと
んどを遮光することができるため、従来のようにデータ
線６ａだけで遮光領域を規定する必要がなくなり、デー
タ線６ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜７を介して極力
重ねないように構成することができる。これにより、デ
ータ線６ａと画素電極９ａとの間の寄生容量を大幅に低
減することができ、画素電極９ａの電位変動による表示
画質の低下を招くことがない。但し、遮光性の導電膜９
０ａはデータ線６ａより下方に形成されるので、データ
線６ａと半導体層１ａを電気的に接続するためのコンタ
クトホール５を形成する領域は遮光できない。そこで、
コンタクトホール５が形成される領域はデータ線６ａを
画素電極９ａに一部重ねるように幅広に形成すれば良
い。このコンタクトホール５を形成する領域がチャネル
領域１ａ’の直近にあると、遮光性の導電膜９０ａでチ
ャネル領域１ａ’付近を十分に遮光できなくなるため、
このような場合には、コンタクトホール５の形成領域を
データ線６ａに沿ってチャネル領域１ａ’から遠ざける
方向に移動しても何ら問題ない。本実施形態では、この
ようにコンタクトホール５の形成領域を移動しても中継
膜８０ａと遮光性の導電膜９０ａとの間に形成される第
１蓄積容量Ｃ１は変化しないという利点がある。また、
遮光性の導電膜９０ａは、中継膜８０ａと画素電極９ａ
とを電気的に接続するためのコンタクトホール８ｂの形
成領域にも設けることができないため、この領域は中継
膜８０ａで遮光すれば良い。もし、中継膜８０ａをポリ
シリコン膜等の光透過性の膜で形成する場合には、下地
遮光膜１１ａにて遮光しても構わない。この際、コンタ
クトホール８ｂの形成領域は、チャネル領域１ａ’から
遠ざけるようにした方が良い。図１０に示すように、隣
接するデータ線６ａの中間にコンタクトホール８ｂを設
けるようにすれば、入射光が下地遮光膜１１ａに照射さ
れても、チャネル領域１ａ’に到達することがなく有利
である。また、画素の構成をデータ線６ａに対して線対
称に形成できるため、例えば、ＴＮ液晶の捻れ方向が異
なる液晶装置を組み合わせるプロジェクタ等で、色むら
等の表示画質の低下を招くことがない。

【００６５】このように、本実施形態では、ＴＦＴアレ
イ基板１０上で遮光領域を規定することができるため、
図３に示すように、対向基板２０に遮光膜を設ける必要
がなくなる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０を機械的に貼り合わせる際に、アライメントが
ずれたとしても対向基板２０上に遮光膜がないため、光
が透過する領域（開口領域）が変化することはない。こ
れにより、常に安定した画素開口率が得られるため、装
置不良を大幅に低減することができる。

【００６６】また、本実施形態による液晶装置は、入射
光の入射角度に対しても従来より強い構造を採ることが
できる。そこで、図１１を参照して説明する。図１１
（１）は、図２における Ｂ−Ｂ’に沿った断面図で、
図１１（２）は従来の構造を示している。尚、図１１
（１）及び（２）においては、同じ縮尺で表している。

【００６７】一般に、半導体層１ａのチャネル領域付近
に光が照射されると、ＴＦＴ３０のオフ時において、光
励起によるリーク電流が発生するため、画素電極９ａに
書き込まれた電荷を保持する能力が低下してしまう。そ
こで、本実施形態では、図１１（１）に示すように、入
射光Ｌ１に対しては遮光性の導電膜９０ａを設け、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０方向からの反射光Ｌ２に対しては下地
遮光膜１１ａを設けることにより、半導体層１ａへの光
の照射を防ぐ構造を採る。また、入射光Ｌ１の光量に対
して、反射光Ｌ２は１００分の１以下の光量しか照射さ
れないため、チャネル領域及びその近接領域において入
射光Ｌ１を遮光するための遮光性の導電膜９０ａの幅Ｗ
１の方が、下地遮光膜１１ａの幅Ｗ２より長くなるよう
に構成する。即ち、チャネル領域及びその近接領域にお
いて下地遮光膜１１ａが遮光性の導電膜９０ａをはみ出
さないように形成されている。更に、半導体層１ａの幅
Ｗ３はチャネル領域及びその近接領域において下地遮光
膜１１ａの幅Ｗ２よりも短くなるように構成する。即
ち、チャネル領域及びその近接領域がＴＦＴアレイ基板
側から見て下地遮光膜１１ａにより覆われている。この
ような構成を採ることにより、入射光Ｌ１がある角度を
もって入射されたとしても、半導体層１ａへ光が到達す
る可能性を低減することができる。また、本実施形態で
は、遮光性の導電膜９０ａをデータ線６ａと半導体層１
ａの層間に形成することができるため、図１１（２）に
示す従来例のようにデータ線６ａでチャネル領域を遮光
する場合よりも、更にチャネル領域の直近で遮光するこ
とが可能になる。ここで、本実施形態及び従来例におい
て、入射光Ｌ１の入射角度に対するマージンを考えてみ
る。通常、入射光Ｌ１は、半導体層１ａに直接照射され
ることは半導体層１ａの幅Ｗ３が、例えば１μｍと短い
ことから、あまり考えられない。そこで、半導体層１ａ
の下方に設けられた下地遮光膜１１ａに照射された光が
反射して半導体層１ａに照射されると仮定してみる。こ
こで、図１１における（１）本実施形態及び（２）従来
例に示す下地遮光膜１１ａの幅は同じＷ２とする。ま
た、入射光Ｌ１を遮るための本実施形態における遮光性
の導電膜９０ａの幅と、従来例におけるデータ線６ａの
幅を同じＷ１とする。本実施形態では、下地遮光膜１１
ａと遮光性の導電膜９０ａの層間距離をＤ１とし、一方
従来例は、下地遮光膜１１ａとデータ線６ａまでの層間
距離をＤ２とする。ここで、本実施形態における下地遮
光膜１１ａとデータ線６ａまでの層間距離をＤ２とする
と、Ｄ１＞Ｄ２の関係になる。したがって、入射光Ｌ１
が同じ角度で入射されてきた場合、下地遮光膜１１ａま
での層間距離が短い分だけ、入射光Ｌ１の角度が本実施
形態の方がマージンがあることになる。即ち、本実施形
態における入射光Ｌ１のマージン角度をＲ１とし、従来
例における入射光Ｌ１のマージン角度をＲ２とすると、
Ｒ１＞Ｒ２の関係になる。この結果から、本実施形態の
液晶装置の方が入射光の入射角度にマージンがあるた
め、今後、光学系が小型化されて更に入射角度が大きく
なっても対応することができ、有利である。尚、本実施
形態では、半導体層１ａの側面部に絶縁膜を介して遮光
膜を形成することも可能であり、入射角度への対応を更
に向上させることができる。

【００６８】また、本実施形態の液晶装置では、従来例
のようにデータ線６ａで遮光する必要がないため、チャ
ネル領域及びその近接領域においてデータ線６ａの幅Ｗ
４を遮光性の導電膜９０ａの幅Ｗ１よりも短くすること
ができる。即ち、Ｗ１＞Ｗ４の関係になり、チャネル領
域及びその近接領域において、データ線６ａが遮光性の
導電膜９０ａをはみ出さないように形成されている。こ
れにより、データ線６ａで反射された光が迷光となって
半導体層１ａに照射されるのを未然に防ぐことができ
る。特に、遮光性の導電膜９０ａは、データ線６ａを形
成するＡｌよりも反射率の低い高融点金属を含有した膜
で形成することができるため、データ線６ａによる迷光
を遮光性の導電膜９０ａで吸収することも可能である。

【００６９】更に、本実施形態の液晶装置では、遮光性
の導電膜９０ａの下方に中継膜８０ａを形成することも
可能なことから、この中継膜８０ａにより半導体層１ａ
を直近で遮光することができ、遮光性が向上する。この
場合、中継膜８０ａの幅を遮光性の導電膜９０ａの幅Ｗ
１とほぼ同じにすると、更に遮光性が高まる。また、万
が一、ＴＦＴアレイ基板１０側から反射光Ｌ２が入射さ
れた場合、従来例では反射率の高いデータ線６ａを遮光
膜として代用するため、データ線６ａの下方で反射され
た迷光が半導体層１ａに照射される恐れがあったが、本
実施形態では中継膜８０ａをポリシリコン膜や低反射な
高融点金属を含有した膜で形成することにより光を吸収
するようにする。これにより、内面反射の迷光を大幅に
低減することができ、何らＴＦＴ３０のリークによる画
質表示の劣化を心配する必要がなくなる。また、中継膜
８０ａを低反射な膜で形成することにより、遮光性の導
電膜９０ａはデータ線６ａと同じ高反射なＡｌを少なく
とも含有した膜で形成しても構わない。このように、液
晶装置の遮光領域を例えば可視光領域において８０％以
上の反射率を有する高反射率のＡｌを少なくとも含有し
た膜で、データ線６ａ及び遮光性の導電膜９０ａを形成
することが可能になるため、入射光をデータ線６ａ及び
遮光性の導電膜９０ａで反射させ、液晶装置の温度上昇
を防ぐことができる。したがって本実施形態における液
晶装置では、例えばプロジェクタの冷却装置の開発にか
かるコストを低減したり、液晶装置の耐光性を向上させ
ることが可能である。

【００７０】以上説明した本実施形態において、画素電
極９ａ下の層間絶縁膜７の表面を平坦化している。これ
は、配線や素子等の段差による液晶のディスクリネーシ
ョンを防ぐためで、更に下方の層間絶縁膜４等に対して
行っても良い。ここで、平坦化処理としては、有機や無
機のＳＯＧ（Silicon On glass）膜をスピンコーターに
て塗布しても良いし、ＣＭＰ処理を施すことにより、平
坦化を図ることも可能である。

【００７１】（第２実施形態）本発明の電気光学装置の
第２実施形態の構成について、図１２から図１６を参照
して説明する。

【００７２】電気光学装置の一例である液晶装置は、一
般に液晶の劣化を防ぐために交流反転駆動を行わなけれ
ばならない。そこで、いくつかの駆動方法が提案されて
いるが、本発明の第２実施形態の液晶装置では、図１２
に示すように走査線３ａ毎に液晶にかかる画像信号の極
性を反転し、更に、これに加えて１フィールド毎に画像
信号の極性を反転する構成を採る。これにより、液晶に
かかる直流成分を極力抑えることができ、フリッカーの
発生を大幅に低減することができる。このように走査線
３ａ毎に画像信号の極性を反転させる場合、走査線３ａ
に沿ってＸ方向に隣接する画素電極９ａには同じ極性の
画像信号が書き込まれるため、隣接する画素電極９ａ間
において、電界が発生しない。一方、データ線６ａに沿
ってＹ方向に隣接する画素電極９ａには、異なる極性の
画像信号が書き込まれるため、隣接する画素電極９ａ間
において、電界が発生し液晶のディスクリネーション４
００が生じる。

【００７３】そこで、図１２におけるディスクリネーシ
ョン４００の発生領域を最小限に抑えるために、本発明
の第２実施形態では、図１３に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板の相隣接する複数の画素群は、右上がりの斜線領
域部において、ＴＦＴアレイ基板１０に対して溝１０’
を形成し、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０を部分的
に埋め込んで平坦化する。また、ＴＦＴアレイ基板に対
するラビング処理を矢印の方向で行う場合には、開口領
域に接した走査線３ａの領域に溝１０’を設けないよう
にすることで、ディスクリネーション４００の発生領域
を更に低減することができる。これにより、各画素の光
漏れ領域が低減し、画素開口率を大幅に向上することが
できる。特に、明るさ及び小型を要求されるプロジェク
タ用途の液晶装置には最適である。

【００７４】図１４は、図１３のＡ−Ａ’に沿った断面
図を示す。図１４に示すように、ＴＦＴ３０や蓄積容量
７０を形成する領域のＴＦＴアレイ基板１０に溝１０’
を形成することにより、画素電極９ａ及び配向膜１６を
ほぼ平坦に形成することができる。溝１０’は、パター
ン形成で通常に用いられるフォトリソグラフィ及びエッ
チングにより容易に形成できる。また、溝１０’の側壁
のテーパー角度はドライエッチング法やウェットエッチ
ング法を駆使することにより様々に制御することができ
る。また、溝１０’を形成しての平坦化は溝１０’の深
さの制御が重要になるが、ドライエッチングの時間管理
等により容易に制御できる。このように、溝１０’を形
成して平坦化する場合には、光に対して感光しやすい有
機膜等を一切使用せずに平坦化が実現できるので、強い
光源を用いるプロジェクタに用いられる液晶装置には特
に有利である。

【００７５】図１５は、図１３のＢ−Ｂ’に沿った断面
図で、図１２においてＸ方向に相隣接する画素電極９ａ
間の断面構造を示す。このように、ＴＦＴアレイ基板１
０に溝１０’を形成することで、データ線６ａの形成領
域をほぼ完全に平坦化することができる。特に、図１３
に示すようにデータ線６ａに沿ってラビング処理する場
合に、データ線６ａ等が形成されている領域は埋め込ま
れて平坦化されているため、データ線６ａ等の配線や素
子による段差でディスクリネーションが発生することは
ない。

【００７６】図１６は、図１３のＣ−Ｃ’に沿った断面
図で、図１２においてＹ方向に相隣接する画素電極９ａ
間の断面構造を示す。この領域では、隣接する画素電極
９ａ間の電界による液晶のディスクリネーションが発生
するため、図１６に示すように、隣接する画素電極９ａ
の分断領域において、液晶層５０のセルギャップが狭く
なるように、走査線３ａの形成領域にはＴＦＴアレイ基
板１０に溝１０’を形成しないようにする。これによ
り、相隣接する画素電極９ａ間で電界が生じても、対向
基板２０に設けられた対向電極２１と画素電極９ａとの
電界が強められるため、液晶のディスクリネーションが
発生する領域を極力小さくすることができるのである。
また、液晶のセルギャップそのものを狭くしてディスク
リネーションを低減する必要がないため、狭セルギャッ
プ用の液晶開発やセルギャップ制御が困難になるといっ
た諸問題が発生することもない。

【００７７】このように、本発明の第２実施形態では、
ＴＦＴアレイ基板１０上に溝１０’を形成し、その中に
配線や素子をほぼ完全にあるいは部分的に埋め込むこと
ができるので、ＣＭＰ処理のように完全にしか平坦化で
きない場合と比較して、更に高開口率な画素を備えた電
気光学装置を実現することができる。尚、溝１０’はＴ
ＦＴアレイ基板１０の他に、下地絶縁膜１２や層間絶縁
膜８１等の層間絶縁膜に形成しても同様な効果が得られ
る。また、 ＴＦＴアレイ基板１０に設けられた溝１
０’と、下地絶縁膜１２や層間絶縁膜８１等の層間絶縁
膜に設けた溝とを組み合わせて平坦化しても良いことは
言うまでもない。

【００７８】（第３実施形態）本発明による電気光学装
置の第３実施形態である液晶装置の構成について、図１
７及び図１８を参照して説明する。図１７は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１８は、
図１７のＡ−Ａ’に沿った断面図である。尚、図１８に
おいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめて
ある。

【００７９】図１７に示すように、第３実施形態では、
走査線３ａと同一膜で容量電極３ｂを兼ねた補助配線３
ｂ’を形成しているところが、第１実施形態と大きく違
う。また、補助配線３ｂ’は、走査線３ａの方向に沿っ
て画像表示領域からその周囲に延設し、周辺領域にて定
電位源と接続することができる。定電位源としては、後
述する当該液晶装置を駆動するための周辺回路（例え
ば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給され
る負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極に
供給される定電位源等が挙げられ、遮光性の導電膜９０
ａに供給される電位と同じであることが好ましい。これ
により、補助配線３ｂ’は図１における容量線３００の
一部として機能することができる。また、データ線６ａ
の下方でコンタクトホール９５を介して上方の遮光性の
導電膜９０ａと電気的に接続することもできる。この
際、コンタクトホール９５を介しての補助配線３ｂ’と
遮光性の導電膜９０ａとの接続は、各画素電極９ａ毎に
行っても構わないし、複数の画素電極９ａ毎に行っても
良い。このように、補助配線３ｂ’と遮光性の導電膜９
０ａにより冗長構造の容量線３００を構築することがで
きる。尚、第１実施形態や第２実施形態でも遮光領域に
余裕のある場合は、容量電極３ｂを延設して補助配線３
ｂ’を構築しても良いことは言うまでもない。

【００８０】また、第３実施形態では、図１７に示すよ
うに、右上がりの斜線で示される中継膜８０ａ’が走査
線３ａに平面的に重ならないように形成されているとこ
ろが、第１実施形態と大きく違う。これは、図１８に示
すように、層間絶縁膜８１を１００ｎｍ以下の膜厚で形
成することにより、容量電極を含む補助配線３ｂ’上で
大きな蓄積容量を形成することができる。即ち、図４に
示す蓄積容量Ｃ２を増大させることができる。この場
合、走査線３ａと中継膜８０ａ’の間を絶縁するための
層間絶縁膜８１が薄膜化されるため、走査線３ａ上に重
なるように中継膜８０ａ’を設けると寄生容量が増大
し、走査信号が遅延してしまう。また、中継膜８０ａ’
にかかる電位の影響でＴＦＴ３０が誤動作するため、チ
ャネル領域１ａ’付近にも中継膜８０ａ’を設けること
ができない。しかしながら、半導体層１ａと中継膜８０
ａ’との間の層間絶縁膜８１を非常に薄く形成すること
ができるため、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅ
と中継膜８０ａ’とを電気的に接続するためのコンタク
トホール８ａ開孔時に半導体層１ａを突き抜けることは
ない。また、コンタクトホール８ａの開口径を非常に小
さくすることができる利点がある。更に、遮光性の導電
膜９０ａは、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域と走
査線３ａ上の遮光をするために、層間絶縁膜９１を５０
０ｎｍ以上の膜厚で形成しなければならないが、補助配
線３ｂ’と遮光性の導電膜９０ａとの間で図４に示す蓄
積容量Ｃ１を形成することができる。

【００８１】（第４実施形態）本発明による電気光学装
置の第４実施形態である液晶装置の構成について、図１
９及び図２０を参照して説明する。図１９は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図２０は、
図１９のＡ−Ａ’に沿った断面図である。尚、図２０に
おいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめて
ある。第１実施形態と同一の部材については同一の符号
を付し詳細な説明は省略する。

【００８２】第４実施形態は、図１９に示すように、非
開口領域のほぼ中心に走査線３ａ及びデータ線６ａを設
けている。半導体層１ａは、走査線３ａと交差するよう
にデータ線６ａの下方に配置する。図２０に示すように
データ線６ａと半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ
は、データ線６ａの下方においてコンタクトホール５を
介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａの
高濃度ドレイン領域１ｅと中継膜８０ａは、データ線６
ａの下方においてコンタクトホール８ａを介して電気的
に接続されている。このように半導体層１ａを遮光性の
データ線６ａの下方に配置することにより、対向基板２
０側から入射される光が直接半導体層１ａに照射される
ことを防ぐ効果がある。更に、半導体層１ａとコンタク
トホール５及び８ａを、走査線３ａ方向の非開口領域及
びデータ線６ａ方向の非開口領域の中心線に対して線対
称に形成することにより、段差形状をデータ線６ａに対
して左右対称にすることができ、液晶の回転方向による
光抜けの差がなくなるので有利である。

【００８３】半導体層１ａの下方には、下地絶縁膜１２
を介して下地遮光膜１１ａが形成されている。下地遮光
膜１１ａはデータ線６ａ方向及び走査線３ａ方向に沿っ
て、マトリクス状に形成されている。半導体層１ａは下
地遮光膜１１ａの内側に配置されており、ＴＦＴアレイ
基板１０側からの戻り光が、直接半導体層１ａに照射さ
れることを防ぐ効果がある。

【００８４】中継膜８０ａはポリシリコン膜や高融点金
属等を含む導電膜から成り、半導体層１ａと画素電極９
ａの層間において、走査線３ａ及びデータ線６ａに沿っ
て略Ｔ字型に延設され、半導体層１ａと画素電極９ａを
電気的に接続するためのバッファとしての機能を果た
す。具体的には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１
ｅと導電性の中継膜８０ａをコンタクトホール８ａにお
いて電気的に接続し、中継膜８０ａと画素電極９ａをコ
ンタクトホール８ｂにおいて電気的に接続されている。
このような構成を採る事により、層間絶縁膜に対して深
いコンタクトホールを開孔する場合でも、エッチング選
択比が大きい中継膜８０ａを設けることにより、コンタ
クトホール開孔時に半導体層１ａを突き抜けてしまう危
険を回避する事ができる。尚、データ線６ａと半導体層
１ａの高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続するため
のコンタクトホール５においても同様に、中継膜８０ａ
と同一膜で中継させても良い。

【００８５】また、第４実施形態では、中継膜８０ａに
層間絶縁膜９１が積層され、その上に遮光性の導電膜９
０ａを形成している。遮光性の導電膜９０ａは、コンタ
クトホール８ｂを除いて中継膜８０ａを覆うように走査
線３ａ方向に画像表示領域の外側まで延設され、走査線
駆動回路やデータ線駆動回路等に供給される負電源、正
電源等の定電位源、接地電源、あるいは対向電極に供給
される定電位源等のいずれかと電気的に接続することに
より電位が固定されている。したがって、中継膜８０ａ
を一方の容量電極とし、遮光性の導電膜９０ａを他方の
容量電極として図４及び図５に示す蓄積容量Ｃ１を形成
することができる。この際、層間絶縁膜９１が蓄積容量
Ｃ１の誘電体膜として機能することは言うまでもない。
ここで、層間絶縁膜９１は蓄積容量Ｃ１を形成するため
だけに積層するので、中継膜８０ａと遮光性の導電膜９
０ａとの間でリークしない膜厚まで層間絶縁膜９１を薄
膜化することにより、蓄積容量Ｃ１を増大できる。更
に、第４実施形態では層間絶縁膜８１を厚く形成するこ
とにより、中継膜８０ａをＴＦＴ３０や走査線３ａの上
方まで延設することができるため、蓄積容量Ｃ１を効率
良く増大させることができる。更に、第４実施形態では
半導体層１ａを延設して容量電極を形成していない。こ
れにより、走査線３ａと同一膜で蓄積容量を形成するた
めの容量電極及び容量線を形成する必要がないため、図
１９に示すように、走査線３ａを遮光性の導電膜９０ａ
や下地遮光膜１１ａから規定される非開口領域のほぼ中
心に配置することができる。また、ポリシリコン膜から
成る半導体層１ａは膜の低抵抗化をする必要がないの
で、容量電極形成部に不純物を打ち込まなくても良く、
工程を削減する事ができる。

【００８６】第４実施形態では、ＴＦＴ３０のチャネル
領域１ａ’は、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に形
成することで、データ線６ａ方向と走査線３ａ方向の非
開口領域のほぼ中心に設けることができる。これによ
り、対向基板２０側からの入射光やＴＦＴアレイ基板１
０側からの戻り光に対して、最も光が照射されにくい位
置になるため、光によるＴＦＴ３０のリーク電流を大幅
に低減することができる。

【００８７】更に、第４実施形態では図１９に示すよう
に、チャネル領域１ａ’付近において、遮光性の導電膜
９０ａ，中継膜８０ａ，下地遮光膜１１ａの順にパター
ン幅を狭く形成する事により、入射光が直接下地遮光膜
１１ａに照射されないように工夫してある。また、遮光
性の導電膜９０ａと半導体層１ａの間にポリシリコン膜
からなる中継膜８０ａを介在させる事により、下地遮光
膜１１ａ表面での反射光やＴＦＴアレイ基板１０側から
の戻り光を吸収させる効果を持たせる事ができ、耐光性
に有利である。

【００８８】また、第４実施形態では、データ線６ａ，
遮光性の導電膜９０ａ，下地遮光膜１１ａ等によりＴＦ
Ｔアレイ基板１０上で非開口領域を形成できるため、対
向基板２０に遮光膜を設けなくても良い。これにより、
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０を機械的に貼り合
わせる際に、アライメントがずれたとしても対向基板２
０上に遮光膜がないため、光が透過する領域（開口領
域）が変化することはない。これにより、常に安定した
画素開口率が得られるため、装置不良を大幅に低減する
ことができる。

【００８９】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における液晶装置の全体構成を図
２１及び図２２を参照して説明する。尚、図２１は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図２２
は、図２１のＨ−Ｈ’断面図である。

【００９０】図２１において、素子や配線が形成された
ＴＦＴアレイ基板１０上には、シール材５２が対向基板
２０の縁に沿って設けられており、その内側に並行し
て、画像表示領域の周辺を規定するための遮光性の額縁
５３が設けられている。この額縁５３は、本実施形態の
ようにＴＦＴアレイ基板１０側に設けても良いし、対向
基板２０側に設けても良い。シール材５２の外側の領域
には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給
するためのデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端
子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けら
れており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供
給するための走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接
する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給さ
れる走査信号の遅延が問題にならないのならば、走査線
駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもな
い。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺
に沿って両側に配列しても良い。更にＴＦＴアレイ基板
１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた
走査線駆動回路１０４間に共通の信号を供給するための
複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２
０のコーナー部の少なくとも１箇所において、ＴＦＴア
レイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をと
るための上下導通材１０６が設けられている。即ち、外
部回路接続端子１０２から印加された対向電極電位が、
ＴＦＴアレイ基板１０に設けられた配線及び上下導通材
１０６を介して、対向基板２０に設けられた対向電極２
１に供給される。そして、図２２に示すように、対向基
板２０がシール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固
着されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これ
らのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等
に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイ
ミングで供給するサンプリング回路、複数のデータ線６
ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査
回路等を形成しても良い。このように、本実施形態にお
ける液晶装置では、画素電極９ａを制御するためのＴＦ
Ｔ３０を形成する工程で、データ線駆動回路１０１や走
査線駆動回路１０２等の周辺回路を同一のＴＦＴアレイ
基板１０上に形成することができるため、高精細で高密
度な液晶装置を実現することができる。

【００９１】また、データ線駆動回路１０１及び走査線
駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わ
りに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding)基板上
に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の
周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的
及び機械的に接続するようにしても良い。更に、対向基
板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０
の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、
ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置しても良い。

【００９２】以上説明した各実施形態における液晶装置
は、カラー表示のプロジェクタに適用されるため、３枚
の液晶装置がＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）用のライトバル
ブとして各々用いられ、各ライトバルブにはＲＧＢ色分
解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の
光が投射光として入射されることになる。従って、各実
施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けら
れていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所
定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、
対向基板２０上に形成しても良い。あるいは、ＴＦＴア
レイ基板１０上においてＲＧＢに対向する画素電極９ａ
下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成するこ
とも可能である。このようにすれば、プロジェクタ以外
にも直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー表
示用の液晶装置に各実施形態における液晶装置を適用で
きる。更に、対向基板２０上に１画素1個対応するよう
にマイクロレンズを形成しても良い。このようにマイク
ロレンズを形成することにより、入射光の集光効率を格
段に向上でき、明るい液晶装置が実現できる。更にま
た、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉
層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を
作り出すダイクロイックフィルタを形成しても良い。こ
のダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より
明るいカラー表示用の液晶装置が実現できる。

【００９３】尚、以上説明した各実施形態における液晶
装置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から
入射することとしたが、下地遮光膜１１ａ及び遮光性の
導電膜９０ａをＴＦＴアレイ基板１０上に設けているの
で、ＴＦＴアレイ基板１０の側から光を入射し、対向基
板２０の側から出射するようにしても良い。また、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するための反
射防止用のＡＲ（AntiReflection)被膜された偏光板を
別途配置したりＡＲフィルムを貼り付ける必要もなく、
その分だけ、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付
け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがな
く大変有利である。また、耐光性が優れているため、明
るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏
光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロ
ストーク等の画質劣化を生じない。また、本実施形態で
は、導電膜９０ａは遮光性で形成されているが、対向基
板側からの光の入射に対して他に遮光性の膜が形成され
ている場合は、導電膜９０ａは遮光性で形成しない場合
がある。導電膜９０ａが遮光性を有していない場合で
も、本実施例の構成によれば、蓄積容量を増大すること
が可能である。

【００９４】また、各画素に設けられるスイッチング素
子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコ
ンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴ
やアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに
対しても、各実施形態は有効である。

【００９５】本発明の電気光学装置は、上述した各実施
形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全
体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲
で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光
学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路図である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’に沿った断面図である。

【図４】本発明の実施形態の電気光学装置を構成する１
画素の等価回路図である。

【図５】図２のうち、遮光性の導電膜及び中継膜を抜粋
して示す平面図である。

【図６】図２のうち、中継膜及び容量電極を抜粋して示
す平面図である。

【図７】図２のうち、容量電極及び半導体層を抜粋して
示す平面図である。

【図８】図２のうち、半導体層及び下地遮光膜を抜粋し
て示す平面図である。

【図９】図２のうち、遮光性の導電膜及び画素電極を抜
粋して示す平面図である。

【図１０】図２のうち、下地遮光膜、遮光性の導電膜、
中継膜及びデータ線を抜粋して示す平面図である。

【図１１】（１）は図２のＢ−Ｂ’に沿った断面図で、
（２）は従来例の断面図である。

【図１２】本発明の第２実施形態の電気光学装置におけ
る画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素電
極に供給される画像信号の極性を示した模式図である。

【図１３】第２実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１４】図１３のＡ−Ａ’に沿った断面図である。

【図１５】図１３のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。

【図１６】図１３のＣ−Ｃ’に沿った断面図である。

【図１７】第３実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１８】図１７のＡ−Ａ’に沿った断面図である。

【図１９】第４実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図２０】図１９のＡ−Ａ’に沿った断面図である。

【図２１】各実施形態の液晶装置におけるＴＦＴアレイ
基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の
側から見た平面図である。

【図２２】図２１のＨ−Ｈ’に沿った断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…容量電極 ２…ゲート絶縁膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量電極 ４…層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ７…層間絶縁膜 ８ａ…コンタクトホール ８ｂ…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下地遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ８０ａ、８０ａ’…中継膜 ８１…層間絶縁膜 ９０ａ…遮光性の導電膜 ９１…層間絶縁膜 ９５…コンタクトホール １０１…データ線駆動回路 １０４…走査線駆動回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA24Y FB08 FC02 FC10 FC26 FD04 GA13 LA03 LA12 2H092 JA25 JA29 JA38 JA42 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB51 JB57 JB63 JB69 KA07 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA28 MA35 MA37 MA41 NA07 NA24 NA27 PA09 QA07 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 FB19 5F110 AA30 BB02 CC02 CC05 CC07 DD02 DD03 DD05 DD12 DD13 DD14 DD21 EE09 FF02 FF23 FF29 GG02 GG13 GG15 HL02 HL03 HL04 HL05 HM14 HM15 NN03 NN04 NN22 NN23 NN24 NN25 NN26 NN42 NN44 NN46 NN47 NN48 NN72 NN73 QQ01 QQ11 QQ19

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に走査線と、前記走査線に交差す
   るデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続された
   薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン
   領域に接続された画素電極を有する電気光学装置であっ
   て、 前記走査線の上方でかつ前記データ線の下方に第１蓄積
   容量を積層したことを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記第１蓄積容量は、第１容量電極と、
   前記第１容量電極に対して絶縁膜を介して対向配置さ
   れ、前記薄膜トランジスタのドレイン領域と前記画素電
   極とを電気的に接続する中継膜をなす第２容量電極で形
   成されることを特徴とする請求項１記載の電気光学装
   置。
3. 【請求項３】 前記第１蓄積容量は、前記薄膜トランジ
   スタのソース領域と前記データ線との接続領域を残し
   て、前記半導体層及び前記走査線の各々の領域に重なる
   ように形成されていることを特徴とする請求項１または
   ２記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記第２容量電極と、絶縁膜を介して前
   記第２容量電極に対向配置し、前記走査線と同一膜から
   なる第３容量電極とで第２蓄積容量を形成することを特
   徴とする請求項２または３記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記第３容量電極は、前記薄膜トランジ
   スタのドレイン領域と前記第２容量電極との接続領域を
   残して、前記走査線と並行して形成されることを特徴と
   する請求項４記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記第３容量電極は、前記第１容量電極
   と電気的に接続されていることを特徴とする請求項４ま
   たは５記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記第３容量電極と前記第１容量電極と
   の電気的接続部は、前記データ線の下方領域に位置する
   ことを特徴とする請求項６記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記第３容量電極は前記走査線に沿って
   延びる第１容量線の一部からなり、前記第１容量電極は
   前記走査線に沿って延びる第２容量線の一部からなり、
   前記第１容量線及び前記第２容量線は、前記画素電極が
   配置された画像表示領域の周辺まで延設されて電気的に
   接続されてなることを特徴とする請求項４乃至７のいず
   れか一項記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記第３容量電極と、絶縁膜を介して前
   記第３容量電極に対向配置し、前記半導体層と同一膜か
   らなる第４容量電極とで第３蓄積容量を形成することを
   特徴とする請求項４乃至８のいずれか一項記載の電気光
   学装置。
10. 【請求項１０】 前記第４容量電極は、前記薄膜トラン
    ジスタのドレイン領域から延長して形成されることを特
    徴とする請求項９記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記第４容量電極は、前記走査線と並
    行して形成されることを特徴とする請求項９または１０
    記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記第２蓄積容量の容量は、前記第１
    蓄積容量及び前記第３蓄積容量の各々の容量に対して小
    さいことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項
    記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 半導体層と同一膜からなる前記第４容
    量電極と、絶縁膜を介して前記第４容量電極に対向配置
    し、前記半導体層を遮光する第５容量電極とで第４蓄積
    容量を形成することを特徴とする請求項４乃至１２のい
    ずれか一項記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記第５容量電極は、画像表示領域の
    周辺で前記第１容量電極と電気的に接続されていること
    を特徴とする請求項１３記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】 前記第１容量電極と、絶縁膜を介して
    前記第１容量電極に対向配置し、前記画素電極をなす第
    ６容量電極とで第５蓄積容量を形成することを特徴とす
    る請求項２乃至１４のいずれか一項記載の電気光学装
    置。
16. 【請求項１６】 前記第５蓄積容量は、一画素のほぼ全
    周にわたり形成されることを特徴とする請求項１５記載
    の電気光学装置。