JP5158131B2 - 電気光学装置およびプロジェクタ - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画素電極に対し蓄積容量を付加するための一対の容量電極と、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）とを、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。

従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、ＴＦＴのゲート電極に走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦＴはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ドレイン間を介して画素電極に供給される。このような画像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電極毎に極めて短時間しか行われないので、ＴＦＴを介して供給される画像信号の電圧を、このオン状態とされた時間よりも遥かに長時間に亘って保持するために、各画素電極には（液晶容量等と並列に）蓄積容量が付加されるのが一般的である。

係る蓄積容量は一般に、画素電極に接続されたＴＦＴのドレイン領域を構成する導電性のポリシリコン膜等から延設され画素電極電位とされる第１容量電極と、この第１容量電極に誘電体膜を介して対向配置された第２容量電極を含み固定電位とされる容量線とを備えて構成されている。そして、このような容量線は、走査線と同一導電膜（例えば、導電性のポリシリコン膜）から構成され、走査線に平行して横並びに配線されるのが一般的である。

他方、この種の電気光学装置では、相隣接する画素電極の間隙を表示光が素通りしてしまうと（所謂光抜けにより）コントラスト比が低下し、画質が低下する。このため、一般に透明なポリシリコン膜等からなる走査線及び容量線に沿った画素電極の間隙を覆うように対向基板にストライプ状の遮光膜を設けたり、データ線に沿った画素電極の間隙を覆うように、当該データ線をＡｌ（アルミニウム）膜等の反射膜から幅広に形成したりする。このように、対向基板上の遮光膜やデータ線を組み合わせることにより各画素の開口領域（即ち、各画素において表示に有効に寄与する光が通過する領域）を規定している。

この種の電気光学装置においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素開口率化を高める（即ち、各画素において、表示光が透過しない各画素における非開口領域に対して、表示光が透過する開口領域を広げる）ことが重要となる。

しかしながら、画像表示領域内において走査線と容量線とが横並びに配線された前述の背景技術によれば、このように微細ピッチな画素の高開口率化に伴い走査線や容量線を配線可能な各画素の非開口領域は狭くなる。このため、画素ピッチの微細化が進む程、十分な大きさの蓄積容量を作り込むことや、走査線や容量線に十分な導電性を与えることが困難になるという問題点がある。そして、十分な蓄積容量が得られなかったり、走査線や容量線に十分な導電性が得られなかったりすると、最終的には、表示画像中におけるクロストークやゴーストが増大して画質劣化するという問題点が生じる。即ち、微細ピッチな画素の高開口率化に伴ってこのような画質劣化が顕在化してくるという画質向上のために解決困難な問題点がある。

他方、前述のように対向基板上の遮光膜やデータ線を組み合わせることにより各画素の開口領域を規定する技術によれば、斜めの入射光に対する遮光や特にプロジェクタ用途の如く強力な入射光に対する遮光を十分に行うことは困難である。即ち、この技術によれば、斜めの入射光に対する遮光や、裏面反射光や当該電気光学装置をライトバルブとして複板式のプロジェクタに組み合わせて使用する場合に合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光に対する遮光は十分でなく、更にこのような斜めの入射光や戻り光により内面反射光や多重反射光が発生するのを阻止することも困難である。従って、このような斜めの入射光、戻り光、内面反射光や多重反射光により、コントラスト比が低下するという問題点がある。加えて、このような斜めの入射光、戻り光、内面反射光や多重反射光が、画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域に侵入すると、光電効果によりＴＦＴのトランジスタ特性の劣化（光リーク）が生じて、最終的に画質劣化を引き起こすという問題点もある。

本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図る（或いは蓄積容量の減少を抑制する）ことができると共に表示に寄与しない斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を向上でき、クロストークやゴーストが低減されると共にコントラスト比が向上されており、高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、画素電極と薄膜トランジスタとを含む画素と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続する中間導電層と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとの間に、前記画素の開口領域の一部を規定するように第１方向に延在する遮光膜とを備え、前記中間導電層は、前記遮光膜と交差する第２方向に延在するように設けられており、前記画素電極と前記中間導電層とを電気的に接続する第１コンタクトホールと前記薄膜トランジスタと前記中間導電層とを電気的に接続する第２コンタクトホールとが、前記第２方向に沿って配置されていることを特徴とする。また、前記画素電極に電気的に接続される蓄積容量を備え、前記中間導電層は前記画素電極に重なると共に前記蓄積容量の電極に重なる部分を有してもよい。
また、本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに中間導電層を中継して接続された画素電極と、平面的に見て前記データ線に重なる領域に配置された蓄積容量と、各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の遮光膜とを備える。そして、前記蓄積容量は、前記走査線と同一膜からなると共に前記画素電極に接続されて画素電極電位とされる第１容量電極と、該第１容量電極に誘電体膜を介して対向配置され且つ前記中間導電層と同一膜からなると共に前記遮光膜に接続されて固定電位とされる第２容量電極とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、平面的に見てデータ線に重なる領域を利用して蓄積容量を構築することができる。この際、前述した背景技術の如く容量線或いは容量電極を走査線に横並びに配線する必要が無いので、当該横並びの走査線及び容量線或いは容量電極の存在により、各画素の非開口領域を広げないで済む。即ち、基板上で第１容量電極及び第２容量電極をデータ線に立体的に重ねて形成することにより各画素の開口領域を広げつつ相対的に蓄積容量を増大させることが可能となる。

しかも、画素電極電位とされる第１容量電極は、走査線と同一膜からなり、固定電位とされる第２容量電極は、薄膜トランジスタを画素電極に中継接続する中間導電層と同一膜からなるので、このような蓄積容量をデータ線に重なる領域に構築するために専用の導電膜を追加形成する必要はなく、装置構成及び製造工程を簡略化する上でも大変有利である。特に、データ線に重なる領域（走査線に重ならない領域）における、走査線と同一膜の有効利用が図られ、走査線形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第１容量電極を形成できるので実用上便利である。更に、このような中間導電層は、画素電極と薄膜トランジスタとの層間距離が長いため一つのコンタクトホールで両者を接続する技術的困難性を回避し、比較的小径の二つの直列なコンタクトホールで両者を接続することを可能ならしめ、両者を接続するために必要な平面領域を低減でき且つ装置信頼性を高めることができる。そして、このような中間導電層形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第２容量電極を形成できるので実用上便利である。

これらに加えて、第２容量電極は、各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の遮光膜に接続されて固定電位とされる、即ち、当該遮光膜を固定電位に落とすための容量線としても用いるので、走査線と横並びに、固定電位とされる容量線を配線する必要がなくなり、画素開口率を向上することができる。更に、特にプロジェクタ用途のように強力な入射光を扱う場合でも、第２容量電極を固定電位にする遮光膜により、前述の如き斜めの入射光、戻り光、内面反射光、多重反射光等の表示に悪影響を及ぼす光に対する遮光性能を向上できる。

以上の結果、本発明の電気光学装置により、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大できると共に遮光性能を向上でき、最終的には、クロストークやゴーストが低減され且つコントラスト比が向上された高品位の画像表示が可能となる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１容量電極と前記データ線との間に、前記第２容量電極が配置されている。

この態様によれば、画素電極電位とされる第１容量電極と画像信号が供給されるデータ線との間で、固定電位とされる第２容量電極が電磁シールドとして機能する。このため、データ線と第１容量電極との間の容量カップリングにより、データ線における電位変動が第１容量電極（更には画素電極）に悪影響を及ぼしたり、或いは第１容量電極における電位変動がデータ線に悪影響を及ぼすことを未然防止できる。逆に、このような容量カップリングによる悪影響を低減するために両者間の層間絶縁膜を厚くしないで済む。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの下層側に配置され且つ前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う導電性の下層遮光膜からなり、該下層遮光膜と前記第２容量電極とは、平面的に見て前記第１容量電極の形成されていない領域に開孔されたコンタクトホールを介して接続されている。

この態様によれば、下層遮光膜が薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を基板側から見て覆うので、薄膜トランジスタの下層側からの戻り光（即ち、裏面反射光や当該電気光学装置をライトバルブとして複板式のプロジェクタに組み合わせて使用する場合に合成光学系を突き抜けてくる光など）に対してチャネル領域を遮光でき、戻り光による薄膜トランジスタの特性劣化を低減できる。そして、第２容量電極は、平面的に見て第１容量電極の形成されていない領域に開孔されたコンタクトホールを介して、このような導電性の下層遮光膜に接続されて、固定電位とされる。従って、下層遮光膜を容量線としても利用して、蓄積容量をデータ線に重なる領域に構築できる。

この下層遮光膜を備えた態様では、前記薄膜トランジスタの上層側に前記各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する上層遮光膜を更に備えてもよい。

このように構成すれば、薄膜トランジスタの上層側に備えられた上層遮光膜により、薄膜トランジスタの上層側からの斜めの入射光に対する遮光を、例えば対向基板に設けられた遮光膜と比べて薄膜トランジスタの直近で行うことが可能となり、特にプロジェクタ用途のように強力な入射光の場合にも、斜めの入射光による光抜けを効果的に防止でき、更に斜めの入射光や更にこれや戻り光に基づく内面反射光や多重反射光をも有効に遮光可能となる。尚、この場合には、上層遮光膜が導電性である必要はない。

この場合には更に、前記上層遮光膜は、前記基板上で前記データ線よりも上層側に積層され且つ平面的に見て格子状に形成されてもよい。

このように構成すれば、データ線と薄膜トランジスタとの間に上層遮光膜が存在しないため、平面的に見てデータ線と薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールを上層遮光膜に重なる位置に開孔できる。即ち、係るコンタクトホールを開孔する隙間を確保するために、上層遮光膜に括れや開口を設けたり、上層遮光膜をストライプ状に分断形成する必要が無くなり、上層遮光膜をデータ線及び走査線を完全に覆う格子状に形成できる。これにより、各画素の開口領域を上層遮光膜のみにより規定することが可能となり、遮光性能を一層高められる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの上層側に配置された導電性の上層遮光膜からなる。

この態様によれば、薄膜トランジスタの上層側に備えられた上層遮光膜により、薄膜トランジスタの上層側からの斜めの入射光に対する遮光を行うことが可能となり、特にプロジェクタ用途のように強力な入射光の場合にも、斜めの入射光による光抜けを効果的に防止でき、更に斜めの入射光や更にこれや戻り光に基づく内面反射光や多重反射光をも有効に遮光可能となる。そして、第２容量電極は、このような導電性の上層遮光膜に接続されて、固定電位とされる。従って、上層遮光膜を容量線としても利用して、蓄積容量をデータ線に重なる領域に構築できる。

この上層遮光膜を備えた態様では、前記上層遮光膜は、前記基板上で前記データ線よりも下層側に積層され且つ平面的に見て前記走査線に沿った本線部と該本線部から前記データ線に沿って突出した突出部とを含むストライプ状に形成されており、前記データ線と前記薄膜トランジスタとは、平面的に見て前記ストライプ状の上層遮光膜が形成されていない領域に開孔されたコンタクトホールを介して接続されてもよい。

このように構成すれば、走査線に沿った本線部と該本線部からデータ線に沿って突出した突出部とを含むストライプ状に形成された上層遮光膜により、走査線の全部とデータ線の大部分とにおける画素の開口領域を規定できる。そして、上層遮光膜がデータ線と薄膜トランジスタとの間に積層されているものの、ストライプ状の上層遮光膜が形成されていない領域（即ち、突出部の先にある領域）に、データ線と薄膜トランジスタとを接続するコンタクトホールを何ら問題なく開孔できる。

或いは、この上層遮光膜を備えた態様では、前記上層遮光膜は、前記基板上で前記データ線よりも上層側に積層され且つ平面的に見て格子状に形成されており、前記上層遮光膜と前記第２容量電極とは、平面的に見て前記データ線が形成されていない領域に開孔されたコンタクトホールを介して接続されてもよい。

このように構成すれば、データ線と薄膜トランジスタとの間に上層遮光膜が存在しないため、データ線と薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールを開孔する隙間を確保するために、上層遮光膜に括れや開口を設けたり、上層遮光膜をストライプ状に分断形成する必要が無くなり、上層遮光膜をデータ線及び走査線を完全に覆う格子状に形成できる。これにより、各画素の開口領域を上層遮光膜のみにより規定することが可能となり、遮光性能を一層高められる。そして、データ線が上層遮光膜と第２容量電極との間に積層されているものの、データ線が形成されていない領域に（平面的に見てデータ線の形成領域から第２容量電極を若干突出して形成することにより）上層遮光膜と第２容量電極とを接続するコンタクトホールを何ら問題なく開孔できる。

この上層遮光膜を備えた態様では、前記薄膜トランジスタの下層側に前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う下層遮光膜を更に備えてもよい。

このように構成すれば、下層遮光膜が薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を基板側から見て覆うので、薄膜トランジスタの下層側からの戻り光に対してチャネル領域を遮光でき、戻り光による薄膜トランジスタの特性劣化を低減できる。尚、この場合には、下層遮光膜が導電性である必要はない。

上述した上層遮光膜及び下層遮光膜の両者を備えた態様では、前記下層遮光膜、前記走査線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上で平面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないのが好ましい。

このように構成すれば、基板上に入射した入射光が上層遮光膜の形成領域からはみ出した走査線、データ線、薄膜トランジスタ又は下層遮光膜の上面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。尚、戻り光が下層遮光膜の形成領域からはみ出した上層遮光膜の下面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光は若干発生するが、戻り光は入射光に比べて遥かに光強度が低いために、戻り光による内面反射や多重反射光の悪影響は入射光のそれ比べて軽微である。従って、このように下層遮光膜が上層遮光膜からはみ出さない（即ち、上層遮光膜が下層遮光膜よりも一回り大きい）方が好ましい。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線に重なる領域に加えて、前記走査線に沿った領域にも部分的に配置されている。

この態様によれば、基板上で第１容量電極及び第２容量電極を、データ線に立体的に重ねて形成するのみならずデータ線に沿った領域にも形成することにより、各画素の開口領域を広げつつ相対的に蓄積容量を増大させることが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、画像表示領域内から該画像表示領域外に延設されており、該画像表示領域外で固定電位に落とされている。

この態様によれば、画像表示領域内において第２容量電極と接続された遮光膜は、画像表示領域外に延設されて固定電位に落とされているので、容量線として良好に機能する。この際特に、画像表示領域外の周辺領域にある周辺回路や駆動回路用の定電位線或いは定電位源を利用して、遮光膜を比較的簡単且つ確実に固定電位にできる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。 第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図２のＡ−Ａ’断面図である。 図２のＢ−Ｂ’断面図である。 第１実施形態における遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。 第２実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 第３実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図７のＡ−Ａ’断面図である。 図８のＢ−Ｂ’断面図である。 第４実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 第１容量電極と高濃度ドレイン領域との電気的接続の一例を示す断面図（図１１(a））及び他の例を示す断面図（図１１(b）、図１１（c））である。 各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図１２のＨ−Ｈ’断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態における電気光学装置の構成について、図１から図５を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’断面図である。また図５は、遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。尚、図３及び図４においては夫々、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９aを制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光の通過光量が低減され、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光の通過光量が増大され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと定電位を供給する容量線３００との間に形成されている。

図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

また、半導体層１ａのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

本実施形態では、上層遮光膜の一例たる内蔵遮光膜４１と下層遮光膜の一例たる第１遮光膜１１ａとが夫々、図中太線で示したように、走査線３ａ及びデータ線６ａに沿って格子状に形成されており、各画素の開口領域を規定している。尚、各画素電極９ａの縁は、図示されていないが、第１遮光膜１１ａ及び内臓遮光膜４１の縁に僅かに重なるように平面配置されている。

図２から図４に示すように、第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側（図３及び図４中、下側）から覆う部分を含み、更に平面的に見て走査線３ａ及びデータ線６ａに沿って格子状に形成されている。第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面や投射光学系からの戻り光を遮光し、この光に基づく光励起によりＴＦＴ３０のオフ時のリーク電流が原因でＴＦＴ３０の特性が変化するのを有効に防止する。このような第１遮光層１１ａは、例えば、ＣＶＤ又はスパッタリングにより形成したＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。またその膜厚は、例えば５０〜３００ｎｍ程度である。特に、複板式のカラー表示用のプロジェクタ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合には、他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部分からなる戻り光は強力であるので、このようにＴＦＴ３０の下側に第１遮光膜１１ａを設けることは大変有効である。他方、内臓遮光膜４１も、第１遮光膜１１ａと同様に、膜厚５０〜３００ｎｍ程度の高融点金属を含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。或いは、データ線６ａと同様に、膜厚５０〜５００ｎｍ程度のＡｌ膜からなる。

図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で、データ線６ａは、コンタクトホールＡＣＮＴを介して例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。

他方、図４に示すように、画素電極９ａは、中間導電層の一例たるバリア層３４を中継することにより、コンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴを介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。バリア層３４は、図２に示すように、画素電極９ａの角部に走査線3ａに沿って島状に形成されている。このようにバリア層３４を用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めることが可能となる。特にこのようなバリア層３４を用いれば、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。このようなバリア層３４は、例えばＣＶＤにより形成した導電性のポリシリコン膜からなる。或いは、ＣＶＤ又はスパッタリングにより形成したＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。このような高融点金属から構成することにより、バリア層３４を各画素の開口領域の一部を規定する遮光膜として機能させることも可能となる。但し、このようなバリア層３４は、高融点金属以外のＡｌ（アルミニウム）等の金属膜から構成されてもよいし、更に、これらの膜（例えば、ポリシリコン膜と金属膜と）を複数含む多層膜から構成されてもよい。いずれの場合にも、バリア層３４の膜厚は、例えば５０〜４５０ｎｍ程度とされる。

図２から図４に示すように、走査線３ａと同一膜（例えば、導電性のポリシリコン膜）からなる第１容量電極１３-1と、バリア層３４と同一膜からなる第２容量電極３３-1とが誘電体膜４２を介して対向配置されることにより、平面的に見てデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量７０（図１参照）の一例たる蓄積容量７０-1が構築されている。すなわち、第１容量電極１３-1は平面的に見て、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部位に隣接した部位からデータ線６ａに沿って延び、その一部がバリア層３４の領域に延びる突出部を有する島状の電極で形成されている。そして、第２容量電極３３-1は第１容量電極１３-1に重なるように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部位に隣接した部位から第１容量電極１３-1を越えて半導体層１ａに隣接する部位までデータ線６ａに沿って延び、その一部がバリア層３４の領域に延びる突出部を有する島状の電極で形成されている。

第１容量電極１３-1は、誘電体膜４２が除去されたコンタクトホールＢＣＮＴの隣接領域でバリア層３４と面接触しており、バリア層３４を中継して画素電極９ａと接続されて（同時にコンタクトホールＢＣＮＴで高濃度ドレイン領域１ｅと接続されて）、画素電極電位とされる。

第２容量電極３３-1は、コンタクトホールＳＣＮＴを介して導電性の第１遮光膜１１ａに接続されている。格子状の第１遮光膜１１ａは、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。即ち、第２容量電極３３-1は、第１遮光膜１１ａに接続されて固定電位とされる。このように本実施形態では、第１遮光膜１１ａが、図１に示した容量線３００として機能する。そして、画像表示領域から周辺領域に延設される第１遮光膜１１ａが接続される定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板２０側に供給される定電位でも構わない。

蓄積容量７０-1の誘電体膜４２は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＢＨＴＯ膜やＨＴＯ膜から構成される。蓄積容量７０-1を増大させる観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜４２は薄い程良い。

図３に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

対向基板２０には、更に図３及び図４に示すように、格子状或いはストライプ状の第２遮光膜２３を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基板２０側からの入射光に対する遮光をより確実に行える。しかも、第２遮光膜２３は、入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、第１遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を絶縁すると共に、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、図４に示すように複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが、コンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴを介してバリア層３４により中継接続されている。

図３及び図４に示すように、走査線３ａの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホールＡＣＮＴ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホールＩＣＮＴが各々形成された第１層間絶縁膜４が形成されている。データ線６ａ上には、バリア層３４へ通じるコンタクトホールＩＣＮＴが形成された第２層間絶縁膜７が形成されている。第２層間絶縁膜７上には、内臓遮光膜４１が形成されており、この上には更に、バリア層３４へのコンタクトホールＩＣＮＴが形成された第３層間絶縁膜８が形成されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜８の上面に設けられている。

以上説明したように本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上で第１容量電極１３-1及び第２容量電極３３-1をデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、前述した背景技術の如く容量線或いは容量電極を走査線に横並びに配線する必要が無いので各画素の非開口領域を広げないで済み、大きな蓄積容量が得られる。しかも、第１容量電極１３-1は、走査線３ａと同一膜からなり、第２容量電極３３-1は、バリア層３４と同一膜からなるので、このような蓄積容量７０-1をデータ線６ａに重なる領域に構築するために専用の導電膜を追加形成する必要はなく、装置構成及び製造工程を簡略化する上でも大変有利である。特に、走査線３ａの形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第１容量電極１３-1を形成でき、バリア層３４の形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第２容量電極３３-1を形成できる。これらに加えて、各画素の開口領域を規定する第１遮光膜１１ａを、第２容量電極３３-1を固定電位に落とすための容量線３００（図１参照）としても用いるので、走査線３ａと横並びに容量線を配線する必要もない。更に、データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等を上下から覆う格子状の内蔵遮光膜４１及び第１遮光膜１１ａにより、プロジェクタ用途のように強力な入射光を扱う場合でも、斜めの入射光、戻り光、内面反射光、多重反射光等の表示に悪影響を及ぼす光に対して十分な遮光を行える。

以上説明した実施形態では、多数の導電層を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるが、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜７に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層間絶縁膜８や第２層間絶縁膜７の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。

更に以上説明した実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。

尚、第１実施形態及び以下に説明する各実施形態の電気光学装置において導電膜間を絶縁する各層間絶縁膜は、例えば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から構成すればよい。また、各層間絶縁膜の膜厚は、１００〜１０００ｎｍ程度である。

本実施形態では特に、画素電極電位とされる第１容量電極１３-1とデータ線６ａとの間に、固定電位とされる第２容量電極３３-1が配置されているので、データ線６ａと第１容量電極１３-1との間の容量カップリングにより、両者の電位変動が相互に悪影響を及ぼすことを未然防止できる。逆に、このような容量カップリングによる悪影響を低減するために両者間の第１層間絶縁膜４を厚くしないで済む。

また本実施形態では、前述のように容量線３００としての機能を有する第１遮光膜１１ａ及び内蔵遮光膜４１は、共に格子状に形成されているが、第１遮光膜１１ａは容量線３００としての機能を果たす限りにおいてストライプ状に形成されていてもよい。更に、両方の遮光膜が重なることで格子状の非開口領域となるように構成されてもよい。加えて本実施形態では、第１遮光膜１１ａ及び内蔵遮光膜４１を抽出して示す図５のように、第１遮光膜１１ａ及び内蔵遮光膜４１が共に格子状に形成されており且つ第１遮光膜１１ａが平面的に見て内蔵遮光膜４１の形成領域からはみ出さないように（即ち、一回り小さく）構成するのが好ましい。この際更に、両者間にある不図示の走査線、データ線及びＴＦＴ等は、平面的に見て第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出さないように構成されるのが好ましい。このように構成すれば、対向基板２０側からの入射光が内蔵遮光膜４１の形成領域からはみ出した第１遮光膜１１ａ（更に、走査線、データ線等）で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。尚、このように内蔵遮光膜４１を第１遮光膜１１ａよりも一回り大きく形成すると、ＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光が第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出した内蔵遮光膜４１部分で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光は若干発生する。しかしながら、戻り光は入射光に比べて遥かに光強度が低いために、戻り光による内面反射や多重反射光の悪影響は入射光のそれに比べて軽微である。従って本実施形態の構成は有利である。

尚、本実施形態では、第１遮光膜１１ａを容量線３００として利用し、内蔵遮光膜４１を容量線３００として利用しないので、内蔵遮光膜４１は導電性である必要はない。

（第２実施形態）
次に、図６を参照して本発明の電気光学装置の第２実施形態について説明する。ここに、図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。また、図６において、図２から図５（第１実施形態）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

図６に示すように、第２実施形態では、第１実施形態と比べて、平面的に見て図１に示した蓄積容量７０の他の一例たる蓄積容量７０-2が、データ線６ａに重なる領域のみならず走査線３ａに沿った領域にも形成されている点が異なる。より具体的には、第２実施形態では、第１容量電極１３-2は、データ線６ａに重なる部分に加えて走査線３ａに沿って伸びる部分からなり（即ち、図６中で略Ｔ字状に形成されており）、第２容量電極３３-2は、データ線６ａに重なる部分に加えて走査線３ａに沿って伸びる部分からなる（即ち、図６中で略Ｌ字状に形成されている）。そして、内蔵遮光膜４１’は、このような蓄積容量７０-2を隠すように、走査線３ａに沿って伸びる部分が幅広に形成され且つコンタクトホールＩＣＮＴを形成可能なようにコンタクトホールＩＣＮＴに対応する個所が括れて形成されている。更に、この内蔵遮光膜４１’の括れ部分における遮光性能の低下を補うべく、コンタクトホールＩＣＮＴの周囲には、走査線３ａ或いは第１用容量電極１３-2と同一膜からなる島状の導電層３ｂが形成されている。また、バリア層３４は走査線３ａに沿って配置されている。その他の構成については、第１実施形態の場合と同様である。

従って、第２実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上で第１容量電極１３-2及び第２容量電極３３-2をデータ線６ａに立体的に重ねて形成することに加えて、走査線３ａに沿った領域にも形成することにより、より大きな蓄積容量が得られる。

（第３実施形態）
次に、図７から図９を参照して本発明の電気光学装置の第３実施形態について説明する。ここに、図７は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図８は、図７のＡ−Ａ’断面図であり、図９は、図７のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図８及び図９においては夫々、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図７から図９において、図２から図５（第１実施形態）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

図７から図９に示すように、第３実施形態では、第１実施形態と比べて、ＴＦＴ３０の下側にある第１遮光膜１１ａに代えて、ＴＦＴ３０の上側にある導電性の内蔵遮光膜４３を容量線３００（図１参照）として用いている。更に、内蔵遮光膜４３は、第１実施形態における内蔵遮光膜４１のようにデータ線６ａの上側ではなく、データ線６ａの下側に積層されており、コンタクトホールＡＣＮＴを開孔するためにコンタクトホールＡＣＮＴに対応する個所で分断されている。即ち、内蔵遮光膜４３は、格子状ではなく、走査線３ａに沿って伸びる本線部とこの本線部からデータ線６ａに沿って（図７中上側に）突出した突出部とを含むストライプ状に形成されている。更に、第２容量電極３３-3と容量線３００としての内蔵遮光膜４３との間には、第１容量電極１３-3が介在しないため、平面的に見て第２容量電極３３-3と内蔵遮光膜４３（容量線３００）とを接続するコンタクトホールＢＭＣＮＴを開孔する個所にも、蓄積容量７０-3が形成されている。即ち、第２容量電極３３-1と第１遮光膜１１ａ（容量線３００）とを接続するコンタクトホールＳＣＮＴを開孔する個所に蓄積容量を形成できない第１実施形態の場合と比べて、蓄積容量の面積が増大している。その他の構成については、第１実施形態の場合と同様である。

このように第３実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上で第１容量電極１３-3及び第２容量電極３３-3をデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。

また第３実施形態において、データ線６ａの下側に代えてデータ線６ａの上側に、容量線３００としての内蔵遮光膜４３を配置することも可能である。この場合には、コンタクトホールＡＣＮＴを避けて内蔵遮光膜４３を分断させる必要はなく格子状の内蔵遮光膜により遮光性能を向上できる。他方、コンタクトホールＢＭＣＮＴについては、データ線６ａの形成領域から外して開孔すればよい。

尚、本実施形態では、内蔵遮光膜４３を容量線３００として利用し、第１遮光膜１１ａを容量線３００として利用しないので、第１遮光膜１１ａは導電性である必要はない。

（第４実施形態）
次に、図１０を参照して本発明の電気光学装置の第４実施形態について説明する。ここに、図１０は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。また、図１０において、図２から図５（第１実施形態）或いは図７から図９（第３実施形態）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

図１０に示すように、第４実施形態では、第３実施形態と比べて、平面的に見て図１に示した蓄積容量７０の他の一例たる蓄積容量７０-4が、データ線６ａに重なる領域のみならず走査線３ａに沿った領域にも形成されている点が異なる。より具体的には、第４実施形態では、第１容量電極１３-4は、データ線６ａに重なる部分に加えて走査線３ａに沿って伸びる部分からなり（即ち、図１０中で略Ｔ字状に形成されており）、第２容量電極３３-4は、データ線６ａに重なる部分に加えて走査線３ａに沿って伸びる部分からなる（即ち、図１０中で略Ｌ字状に形成されている）。そして、内蔵遮光膜４３’は、このような蓄積容量７０-4を隠すように、走査線３ａに沿って伸びる部分が幅広に形成され且つコンタクトホールＩＣＮＴを形成可能なようにコンタクトホールＩＣＮＴに対応する個所が括れて形成されている。更に、この内蔵遮光膜４３’の括れ部分における遮光性能の低下を補うべく、コンタクトホールＩＣＮＴの周囲には、走査線３ａ或いは第１用容量電極１３-4と同一膜からなる島状の導電層３ｂが形成されている。その他の構成については、第３実施形態の場合と同様である。

従って、第４実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上で第１容量電極１３-4及び第２容量電極３３-４をデータ線６ａに立体的に重ねて形成することに加えて、走査線３ａに沿った領域にも形成することにより、より大きな蓄積容量が得られる。

ここで、以上説明した第１から第４実施形態における第１容量電極１３（１３-1〜１３-4）と高濃度ドレイン領域１ｅとの電気的接続について、図１１を参照して説明を加える。ここに、図１１（ａ）は、図４或いは図９に示したＢ−Ｂ’断面のうち、この電気的接続に係る部分を拡大して示す断面図である。

図１１(a）に示すように、第１容量電極１３（１３-1〜１３-4）は、バリア層３４を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されて、画素電極電位とされる。このような接続は、“バリア層３４の膜厚＞絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）の膜厚”とすることで、コンタクトホールＢＣＯＮＴを形成する際に、比較的簡単に得られる。

但し、図１１(b）に示すように、第１容量電極１３を形成する前に絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）にコンタクトホールＢＣＮＴ’を開孔することで、第１容量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとを直接接続してもよい。このような接続のためには、コンタクトホールＢＣＮＴ’の底にポリシリコン膜等からなる高濃度ドレイン領域１ｅが露出した際における、当該高濃度ドレイン領域１ｅの表面酸化が障害となり得るが、このような酸化膜は、フッ酸でライトエッチングすれば比較的簡単に除去できる。但し、絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）に対して、フッ酸でライトエッチングすると、ピンホール等の欠陥が発生する可能性があるので、図１１(a）に示したように第１容量電極１３を、バリア層３４を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続した方が、装置信頼性を高める上で有利である。

或いは、図１１(ｃ）に示すように、第１容量電極１３を形成する前に絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）にコンタクトホールＢＣＮＴ’を開孔することで、第１容量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとを直接接続すると共に、バリア層３４を中継することなく第１容量電極１３を画素電極９ａに直接接続してもよい。即ち、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示した例では、第１容量電極１３は、バリア層３４に接続され且つ図中右方に延設されたバリア層３４がコンタクトホールＩＣＮＴにより画素電極９ａに接続されるが（図４及び図９参照）、図１１（ｃ）に示した例では、第１容量電極１３そのものが図中右方に延設され、当該延設された第１容量電極１３上に形成されたコンタクトホールＩＣＮＴにより、第１容量電極１３が画素電極９ａに接続される。この場合、バリア層３４は、例えば図６に示した略Ｌ字状の第２容量電極３３-2のコーナー領域から延設して設ければよく、図１１（ｃ）中の誘電体膜４２を、第１容量電極１３とバリア層３４との間に介在する誘電体膜として利用することで、この領域にも蓄積容量を形成できる。

（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１２及び図１３を参照して説明する。尚、図１２は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１３は、図１２のＨ−Ｈ’断面図である。

図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１３に示すように、図１２に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

以上図１から図１３を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

以上説明した各実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。

本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…低濃度ソース領域、１ｃ…低濃度ドレイン領域、１ｄ…高濃度ソース領域、１ｅ…高濃度ドレイン領域、２…絶縁薄膜（ゲート絶縁膜）、３ａ…走査線、４…第１層間絶縁膜、６ａ…データ線、７…第２層間絶縁膜、８…第３層間絶縁膜、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ…第１遮光膜、１２…下地絶縁膜、１３（１３-1〜１３-4）…第１容量電極、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…第２遮光膜、３０…ＴＦＴ、３３（３３‐1〜３３‐4）…第２容量電極、３４…バリア層、４１，４１’，４３，４３’…内蔵遮光膜、５０…液晶層、７０（７０-1〜７０-4）…蓄積容量、３００…容量線、ＳＣＮＴ、ＢＣＮＴ、ＩＣＮＴ、ＡＣＮＴ、ＢＭＣＮＴ…コンタクトホール。

Claims (4)

1. 画素電極と薄膜トランジスタとを含む画素と、
   前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続する中間導電層と、
   前記画素電極と前記薄膜トランジスタとの間に、第１方向に延在する本線部と、前記本線部から前記第１方向と交差する第２方向に突出した突出部と、を有する遮光性の容量線と、
   前記薄膜トランジスタ及び前記中間導電層と電気的に接続され、前記突出部と重なるように前記第２方向に延在する第１容量電極と、
   前記突出部と重なるように前記第２方向に延在し、前記容量線と電気的に接続され、前記第１導電層と対向する部分で蓄積容量を構成する第２容量電極と、を備え、
   前記中間導電層は、前記第１方向に延在するように設けられており、前記画素電極と前記中間導電層とを電気的に接続する第１コンタクトホールと前記薄膜トランジスタ及び前記第１容量電極と前記中間導電層とを電気的に接続する第２コンタクトホールとが、前記第１方向に沿って配置されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記中間導電層は、前記画素電極に重なると共に前記第１容量電極に重なる部分を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記容量線と前記第２容量電極とを電気的に接続する第３コンタクトホールを備え、
   前記第３コンタクトホールは、平面視で、前記第１容量電極及び前記突出部が形成されている領域に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とするプロジェクタ。

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