KR20040094323A - 전기광학장치 및 그 제조방법 그리고 전자기기 - Google Patents

Abstract

전기광학장치는 기판상에 형성되어 평탄화 처리된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 평탄화 처리된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에 형성되고, 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부로 접속단자부를 구성한다.

Description

전기광학장치 및 그 제조방법 그리고 전자기기{ELECTROOPTICAL DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS}

본 발명은 예를 들면, 액티브 매트릭스 구동의 액정장치, 전자 페이퍼 등의 전기영동장치, EL(Electro-Luminescence)표시장치 등의 전기광학장치 및 그 제조방법의 기술분야에 속한다. 또한, 본 발명은 이러한 전기광학장치를 구비하여 이루어지는 전자기기의 기술분야에도 속한다.

종래, 기판상에 매트릭스 형상으로 배열된 화소전극 및 이 전극의 각각에 접속된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, 적절히「TFT」라 함), 이 TFT 의 각각에 접속되고, 행 및 열 방향 각각에 평행하게 형성된 데이터선 및 주사선 등을 구비함으로써, 소위 액티브 매트릭스 구동이 가능한 전기광학장치가 알려져 있다.

이러한 전기광학장치에서는 상기에 더하여, 화소전극에 대향배치되는 대향전극, 화소전극 및 대향전극 사이에 협지되는 액정층, 나아가서는 화소전극 및 대향전극 각각의 위에 형성되는 배향막 등을 구비함으로써, 화상 표시가 가능해진다.

즉, 배향막에 의하여 소정의 배향상태가 된 액정층 내의 액정 분자는 화소전극 및 대향전극 사이에 설정된 소정의 전위차에 의하여, 그 배향상태가 적당히 변경되고, 이로 인하여 해당 액정층을 투과하는 광의 투과율이 변화함으로써 화상의 표시가 가능하게 되는 것이다.

이 경우 특히, 상기 배향막은 전계가 인가되어 있지 않은 액정분자를 소정의 배향상태로 유지시키는 역할을 담당하고 있다. 이를 실현하기 위해서는, 예를 들면 배향막을 폴리이미드 등의 고분자 유기화합물에 의하여 구성하는 동시에, 이것에 러빙 처리를 실시하는 것이 널리 행해진다. 여기서 러빙 처리란, 회전 금속롤러 등에 감은 버프천으로 소성후의 배향막 표면을 일정 방향으로 문지르는 처리를 말한다. 이로써, 고분자의 주쇄가 소정 방향으로 연신되게 되어, 이 연신의 방향을 따라 액정분자는 배열되게 된다.

또한, 상기 기술한 전기광학장치에 있어서의 상기 기판은 주사선, 데이터선 및 화소전극 등이 형성되는 화상표시영역과 주사선 구동회로, 데이터선 구동회로, 이들 회로에 소정 신호를 공급하기 위한 외부회로 접속단자 등이 형성되는 주변영역을 갖는다.

그러나, 종래의 전기광학장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다. 즉, 먼저 상기 주사선, 데이터선, 화소전극 및 TFT 는 기판상에 적층구조를 구축하도록 형성된다. 예를 들면, 기판의 표면에 가까운 순으로, TFT, 주사선, 데이터선 및 화소전극이 각각의 사이에 층간절연막을 끼운 상태에서 수직적으로 겹쳐져 감으로써 상기 적층구조는 구축된다. 그러나, 이러한 구조에 있어서는 예를 들면, TFT 가 형성되어 있는 영역과 그 이외의 영역에서 적층구조가 상이한 등, 층두께가 두꺼운 영역과 얇은 영역이 형성되고, 그 결과 최상층에 단차가 발생하고, 그 위에 형성되는 배향막에도 단차가 발생하여, 표시 편차의 발생 원인이 되었다. 이 표시 편차는 배향막에 러빙 처리를 할 때, 버프천의 털끝이 상기 단차에 의하여 흐트러지는 결과, 문지르는 정도가 기판면 전체에 걸쳐 불균일해지므로, 액정분자가 일정 방향으로 배향하지 않아 발생하는 것으로 생각된다. 또한, 상기 표시 편차란, 구체적으로는 러빙 방향을 따른 줄무늬 형상으로 발생하는 경우가 있어 표시 품위를 저하시킨다.

그래서, 종래에는 층 두께가 두꺼운 영역에 에칭에 의하여 홈을 형성하여 얇은 영역에 비하여 두꺼워져 있는 만큼을 조절하는 구성이 제안되어 있다. 그러나, 이러한 구성에서는 예를 들면, 층 두께가 다른 영역이 복수 있는 경우, 각각의 조정에 에칭이 필요하게 되므로 에칭 공정의 회수를 증가시켜 복수회 처리할 필요가 있다. 그러나, 실제로는 공정이 번잡해지기 때문에 복수회 처리하는 것은 현실적이지 못하여, 부분적인 두께의 조절에 그쳤다. 이로 인하여, 종래의 구성에서는 일부분, 예를 들면 단자영역에서는 평탄하나 기판 전체로 보면 단차가 발생하였다.

또한, 에칭에 의하여 홈을 형성하면 하지 잔여가 발생할 가능성이 있으며, 그것이 배선간의 단락을 일으키는 원인이 되었다.

한편, 종래의 전기광학장치에서는 다음과 같은 문제점도 있다. 즉, 상기 적층구조에 있어서, 상기 외부회로 접속단자는 데이터선 구동회로 또는 주사선 구동회로 등에 소정 신호를 공급하기 위한 회로, 또는 대향전극에 소정 전위를 공급하기 위한 전원 등, 전기광학장치의 외부에 형성되는 회로 등과의 전기적 접속을 도모하기 위한 단자이므로, 이 외부회로 접속단자는 반드시 외부에 노출된 부분을 구비하고 있을 필요가 있다. 그러나, 상기 적층구조를 전제로 하여, 층간절연막 아래의 상기 부분을 외부에 노출시키는 구조를 취하려면, 해당 부분을 향하여 층간절연막에 개구부를 형성할 필요가 있다. 이것에 의하면, 이 개구부에 대응하여 적층구조의 최표면이 움푹 패이는 형상이 형성되고, 해당 최표면에 요철을 발생시키는 결과가 된다. 그리고, 이러한 최표면에 배향막을 형성하면, 이 배향막에 상기 요철이 전사되는 형태가 되어, 이 배향막에도 요철을 발생시키게 된다. 그 결과, 이 배향막을 러빙할 때, 상기 회전 롤러는 장소에 따라서 불규칙한 힘을 받게 되어, 배향막을 깎을 가능성이 커진다. 이러한 깎여진 부스러기가 발생하고, 이 깎여진 부스러기가 화소전극 및 대향전극 사이에 남으면, 양자간에 걸린 전위차에 대응하는 원하는 배향상태의 실현에 방해가 되는(즉, 배향불량을 발생시키는)경우가 있어, 화상의 품질을 저하시킬 가능성(예를 들면, 광 누설이 발생하는 등)이 생긴다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 층 두께가 다른 영역을 최대한 없앰으로써 배향막상의 단차를 없애고, 또는 외부회로 접속단자의 형성영역을 가능한 한 평탄하게 하여 러빙할 때 발생하는 배향막의 깎여진 부스러기를 최대한 발생시키지 않도록 함으로써, 더욱 고품질의 화상을 표시할 수 있는 전기광학장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 발명은 그러한 전기광학장치를 구비하는 전자기기를 제공하는 것도 과제로 한다.

도 1 은 TFT 어레이기판을 그 위에 형성된 각 구성요소와 함께 대향기판측에서 본 전기광학장치의 평면도이다.

도 2 는 도 1 의 H-H' 단면도이다.

도 3 은 전기광학장치의 화상표시영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가회로이다.

도 4 는 데이터선, 주사선, 화소전극 등이 형성된 TFT 어레이기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도로서, 하층 부분(도 6 에 있어서의 부호 70(축적용량)까지의 하층 부분)과 관련된 구성만을 나타내는 것이다.

도 5 는 데이터선, 주사선, 화소전극 등이 형성된 TFT 어레이기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도로서, 상층 부분(도 6 에 있어서의 부호 70(축적용량)를 넘어 상층 부분)과 관련된 구성만을 나타내는 것이다.

도 6 은 도 4 및 도 5 를 마주겹친 경우의 A-A' 단면도이다.

도 7 은 도 1 에 있어서의 부호 Z1 을 부여한 원내 부분(외부회로 접속단자 및 그 부근)을 확대한 평면도이다.

도 8 은 도 7 의 P1-P1' 단면도이다(도 2 에 있어서의 부호 Z2 를 부여한 원내 부분의 확대도로서, 도 6 에 나타내는 적층구조에 대응하는 단면도이기도 하다).

도 9 는 도 8 과 동일한 취지의 단면도인데, 특히 개구부(44H), 패드(404P) 및 콘택트 홀(43H)의 배치관계에 대하여 상세히 나타내는 것으로, 9(a) 는 제 1 실시형태의 전기광학장치, 9(b) 는 그 비교예이다.

도 10 은 본 발명의 제 2 실시형태와 관련되며, 도 7 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 조정막(9aP)이 형성되어 있는 점에서 상이한 평면도이다.

도 11 은 도 10 의 P2-P2' 단면도이다.

도 12 는 본 발명의 제 3 실시형태와 관련되며, 도 7 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 패드의 표면 전체면이 노출되어 있는 점에서 상이한 평면도이다.

도 13 은 도 12 의 P3-P3' 단면도이다.

도 14 는 도 6 과 동일한 취지의 도면으로서, 본 발명의 제 3 실시형태에 관한 것이며, 화소부에 있어서의 보다 바람직한 적층구조의 구성예를 나타내는 단면도이다.

도 15 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관한 것으로, 도 7 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 제 4 층간절연막에 개공되는 콘택트 홀의 형태의 점에서 상이한 평면도이다.

도 16 은 도 15 의 P4-P4' 단면도이다.

도 17 은 도 15 에 대한 변형형태를 나타내는 평면도이다.

도 18 은 도 16 에 대한 변형형태를 나타내는 단면도이다.

도 19 는 본 발명의 제 5 실시형태에 관한 것으로, 도 7 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 제 3 층간절연막에 콘택트 홀이 개공되어 있지 않은 점에서 상이한 평면도이다.

도 20 은 도 19 의 P5-P5' 단면도이다.

도 21 은 상하도통단자 및 그 주위의 구조에 관한 단면도이다.

도 22 는 도 13 의 구조 중, 패드가 형성되는 부분에서 배향막이 형성되기에 이르기까지의 공정을 순서대로 나타낸 제조공정 단면도이다.

도 23 은 본 발명의 전자기기의 실시형태인 투사형 컬러표시장치의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10: TFT 어레이기판 10a: 화상표시영역

11a: 주사선 6a: 데이터선

30: TFT 9a: 화소전극

70: 축적용량 300: 용량전극

400: 용량배선(제 1 배선) 102: 외부회로 접속단자

106: 상하도통단자 404P, 404Q, 406: 패드

43: 제 3 층간절연막 44: 제 4 층간절연막

44H, 44H2: 개구부 43H, 43J, 44J: 콘택트 홀

6aP, 404R: 배선 9aP, 9aQ: 더미 화소전극막

11aP, 11aQ: 더미 주사선 3aP, 3aQ: 더미 게이트전극

70P: 더미 축적용량 20: 대향기판

21: 대향전극

본 발명의 이러한 작용 및 기타 이득은 다음에 설명하는 실시형태에서 명백해진다.

본 발명의 제 1 전기광학장치는 상기 과제를 해결하기 위하여, 기판상에 형성되어 평탄화 처리된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 평탄화 처리된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에 형성되고, 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부로 접속단자부를 구성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제 1 전기광학장치에 의하면, 제 1 절연막 및 제 2 절연막이 예를 들면, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 처리 등에 의하여 평탄화되어 있으므로, 그 표면은 우수한 평탄성을 갖는다. 그리고, 이 제 2 절연막에는 제 1 도전막에 달하는 개구부가 형성됨으로써 접속단자부를 구성한다. 이에 의하면, 제 1 절연막을 평탄화시킴으로써 제 1 절연막 아래의 적층구조에 있어서 배선 또는 전극이 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역에서 총 두께가 달라져, 상층의 제 2 절연막에서 평탄화시키기 위하여 제 2 절연막을 두껍게 퇴적시켜 평탄화시켜야 한다. 그러나, 본 발명에 의하면, 제 2 절연막은 얇게 퇴적시켜 평탄화시키면 되며, 접속단자영역의 단차를 용이하게 저감시킬 수 있어, 비용 저감화 등을 도모할 수 있다. 그리고, 우수한 평탄성을 실현할 수 있으므로 총 두께가 다른 영역은 감소하게 되고, 또한 배향막에 대한 러빙 처리를 실시할 때, 상기 요철에 기인하여 깎여진 부스러기가 발생하는 사태를 방지할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는더욱 고품질의 화상을 표시할 수 있게 된다.

본 발명의 제 1 전기광학장치의 일 태양에서는 화상표시영역에 배치된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 데이터선과, 상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 화소전극을 구비한다. 또한, 상기 화소전극의 화소전위에 전기적으로 접속되는 화소전위측 용량전극과, 이 화소전위측 용량전극에 절연막을 통하여 대향배치된 고정전위측 용량전극으로 이루어지는 축적용량과, 상기 데이터선보다 상층에 형성되어 상기 고정전위측 용량전극에 전기적으로 접속된 용량선을 구비한다. 그리고, 상기 용량선은 상기 제 1 절연막상에 형성되고, 상기 제 1 도전막은 상기 용량선의 막과 동일 막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이 태양에 의하면, 화상표시영역에 배치된 스위칭소자, 데이터선, 축적용량을 구성하는 전극, 용량선과 같은 각 요소를 적층하는 구조에 의하여, 배선 또는 전극이 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역에서 총 두께의 차이가 커져도, 제 1 절연막 및 제 2 절연막을 평탄화 처리함으로써 제조 비용의 저감화를 도모하고, 우수한 평탄성을 실현할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 1 전기광학장치의 일 태양에서는 상기 접속단자부에 대응한 상기 제 1 절연막의 하층에는 상기 화상표시영역에 적층된 배선 또는 전극의 막과 동일 막의 도전막이 형성된다.

이 태양에 의하면, 화상표시영역에 적층된 배선을 이용하므로, 비용의 저감을 도모하고, 접속단자영역의 적층구조와 화상표시영역의 적층구조의 차이를 메울 수 있다.

또한, 본 발명의 제 1 전기광학장치의 일 태양에서는, 상기 제 1 도전막은 상기 외부회로와 접속하기 위한 기판에 접속되는 접속단자의 표면을 이루면 된다.

또한, 본 발명의 제 1 전기광학장치의 1 태양에서는 상기 제 2 절연막의 상면은 상기 제 1 도전막의 상면과 동일 평면을 이루면 된다.

이 태양에서는 제 2 절연막과 제 1 도전막의 단차가 발생하는 일이 없으므로, 배향막에 대한 러빙 처리를 실시할 때 깎여진 부스러기가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 1 전기광학장치의 1 태양에서는, 상기 제 2 절연막의 개구부를 통하여 상기 제 1 도전막과 도통하는 제 2 도전막을 가지면 된다.

이 태양에 의하면, 제 2 도전막은 평탄화시키기 위한 두께 조정막으로서 기능시킬 수 있다.

또한 이 태양에서는, 제 2 도전막은 예를 들면 화소전극과 동일 막으로 형성하면 된다. 그리고, 이 제 2 도전막은 외부회로와 접속하기 위한 기판에 접속되는 접속단자부의 표면을 이루면 된다.

또한, 이 태양에서는, 상기 제 2 절연막의 개구부는 복수의 제 1 콘택트 홀로 구성되며, 이 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 상기 제 2 도전막이 도통하면 된다. 제 1 절연막은 평탄화되어 있으므로 제 2 도전막의 막두께를 얇게 할 수 있어 제 1 콘택트 홀의 깊이는 얕아도 된다. 또한, 복수의 콘택트 홀을 형성하므로, 제 1 도전막과 제 2 도전막의 접속의 낮은 저항화에 기여한다.

또한 이 태양은, 상기 제 1 콘택트 홀은 적어도 상기 제 1 도전막에 점재하도록 형성되면 된다.

이 태양에 의하면, 예를 들면 도전막의 면적과 대략 동등한 제 1 콘택트 홀이 하나만 형성되는 등의 경우에 비하여, 제 2 도전막이 제 1 콘택트 홀의 바닥쪽으로 움푹 패이는 일이 없다. 따라서, 배향막을 본 태양과 관련된 구조상, 즉 제 2 도전막상에 형성했다 하더라도 그 표면에 요철이 형성될 우려는 한층 저감되어 있어, 층 두께가 다른 영역은 감소하게 되고, 또한 이 배향막에 대한 러빙 처리에 의하여 그 깎여진 부스러기를 발생시킬 가능성은 현저히 감퇴되게 된다. 또한, 제 1 콘택트 홀이 점재하는 형태는 균등하게 도전막 전체면에 형성되어도 되며, 선 형상, 격자 형상, 체크무늬 형상 등이어도 된다.

또한, 본 발명의 제 1 전기광학장치의 1 태양에서는, 상기 제 1 도전막은 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선에 도통되면 된다. 그리고, 상기 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선은 상기 제 1 절연막상에 형성되고, 상기 제 1 도전막의 막과 동일 막으로 이루어지면 된다. 또는, 상기 제 1 절연막의 하층의 제 3 절연막상에 형성되고, 제 2 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 도통되어도 된다.

그리고 이 태양에서는, 상기 제 2 콘택트 홀은 상기 제 1 도전막의 주위 가장자리에 형성되면 된다.

이 태양에 의하면, 제 1 도전막 중, 이 제 1 도전막의 주위 영역이 아닌 영역, 바꿔 말하면 도전막의 중앙영역은 제 1 콘택트 홀상에는 형성되지 않게 되므로, 해당 영역에 있어서 우수한 평탄성을 수득할 수 있다.

또한, 이 태양은 상기 제 2 콘택트 홀은 상기 제 2 절연막과 겹치는 영역에 위치하면 된다. 이 구성에 의하면, 제 1 도전막의 평탄성이 유지된다.

또한, 상기 제 2 콘택트 홀을 상기 제 1 도전막에 점재하도록 복수 형성해도 된다. 이 제 2 콘택트 홀이 점재하는 형태는 균등하게 도전막 전체면에 형성되어도 되며, 선 형상, 격자 형상, 체크무늬 형상 등이어도 된다.

또한 이 태양은, 상기 데이터선은 상기 제 3 절연막상에 형성되고, 상기 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선은 상기 데이터선의 막과 동일 막으로 이루어지면 된다.

이 태양에 의하면, 화상표시영역에 적층된 배선을 이용하므로, 비용의 저감을 도모하고, 접속단자영역의 적층구조와 화상표시영역의 적층구조의 차이를 메울 수 있다.

또한, 본 발명의 제 1 전기광학장치의 1 태양에서는, 상기 기판에 대향하여 대향전극을 갖는 대향기판과, 상기 제 1 도전막의 막과 동일 막의 패드를 구비하고, 상기 대향전극과 상기 패드는 도통단자를 통하여 전기적으로 접속되면 된다.

이 태양에 의하면, 대향기판의 대향전극과의 도통을 취하기 위하여, 패드를 접속단자부의 제 1 도전막의 형성과 동시에 형성하면, 제조 비용의 저감화를 도모할 수 있다. 또한, 접속단자부와 같이 더미(dummy) 도전막을 형성하면 패드 형성부도 포함하여 우수한 평탄성을 실현할 수 있다.

본 발명의 제 2 전기광학장치는 상기 과제를 해결하기 위하여, 기판상에 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 평탄화 처리된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에 형성되고, 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부로 접속단자부를 구성하고, 또한 상기 제 1 절연막의 하층의 제 3 절연막상에 형성되고, 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 도통하는 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제 2 전기광학장치에 의하면, 제 2 절연막이 예를 들면 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 처리 등에 의하여 평탄화되어 있으므로, 그 표면은 우수한 평탄성을 갖는다. 그리고, 이 제 2 절연막에는 제 1 도전막에 달하는 개구부가 형성됨으로써 접속단자부를 구성한다. 이것에 의하면, 제 1 절연막 아래의 적층구조에 있어서, 배선 또는 전극이 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역에서 총 두께가 달라도, 제 2 절연막에서 평탄화되기 때문에, 접속단자영역의 단차를 저감시킬 수 있다. 그리고, 우수한 평탄성을 실현할 수 있으므로, 총 두께가 다른 영역은 감소하게 되고, 또한 배향막에 대한 러빙 처리를 실시할 때, 상기 요철에 기인하여 깎여진 부스러기가 발생하는 사태를 방지할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 더욱 고품질의 화상을 표시할 수 있게 된다.

또한, 본 발명의 제 2 전기광학장치의 1 태양에서는, 상기 제 2 절연막의 상면은 상기 제 1 도전막의 상면과 동일 평면을 이루면 된다.

이 태양에 의하면, 제 2 절연막과 제 1 도전막의 단차가 발생하지 않으므로, 배향막에 대한 러빙 처리를 실시할 때 깎여진 부스러기가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 제 3 전기광학장치는 상기 과제를 해결하기 위하여, 화상표시영역에 배치된 스위칭소자와, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 데이터선과, 상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 화소전극과, 상기 화소전극의 화소전위에 접속되는 화소전위측 용량전극과, 이 화소전위측 용량전극에 절연막을 통하여 대향배치된 고정전위측 용량전극으로 이루어지는 축적용량과, 상기 데이터선보다 상층의 제 2 절연막상에 형성되어 상기 고정전위측 용량전극에 전기적으로 접속된 용량선과, 상기 용량선상에 제 3 절연막을 구비하고, 상기 제 2 절연막상에 상기 용량선의 막과 동일 막으로 형성되고, 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막과, 상기 제 3 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에, 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부로 접속단자부를 구성하고, 상기 제 1 절연막상에 상기 데이터선의 막과 동일 막으로 형성되고, 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 도통하여 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제 3 전기광학장치에 의하면, 데이터선보다 상층의 용량선의 막과 동일 막으로 제 1 도전막을 형성하고, 데이터선의 막과 동일 막으로 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선으로 하였다. 이로써, 상층측에 제 1 도전막이 형성되므로, 제 3 절연막과 제 1 도전막의 단차를 저감시킬 수 있어, 배향막에 대한 러빙 처리를 실시할 때 깎여진 부스러기가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선은 용량선 아래의 데이터선의 막과 동일 막으로 형성하였으므로, 제 1 도전막과 배선의 콘택트 홀과의 깊이를 얕게 할 수 있다.

본 발명의 전기광학장치의 제조방법은 기판상에 제 1 절연막을 형성하여 상기 제 1 절연막의 표면을 평탄화 처리하는 공정과, 상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 1 도전막상에 제 2 절연막을 형성하여 평탄화 처리하는 공정과, 상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역을 제거하고, 상기 제 1 도전막을 개구하는 공정을 포함하여, 접속단자부를 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 전기광학장치의 제조방법에 의하면, 상기 기술한 본 발명의 전기광학장치를 비교적 용이하게 제조할 수 있다.

본 발명의 전기광학장치의 제조방법의 1 태양에서는, 상기 제 1 도전막은 화상표시영역에 형성되는 용량선과 동시에 형성하고, 상기 제 2 도전막은 상기 화상표시영역에 형성되는 데이터선과 동시에 형성하면 된다.

본 발명의 전자기기는 상기 과제를 해결하기 위하여, 상기 기술한 각종 태양을 포함하는 본 발명의 전기광학장치를 구비하여 이루어진다.

본 발명의 전자기기에 의하면, 상기 기술한 본 발명의 전기광학장치를 구비하여 이루어지므로, 배향막에 러빙 처리를 실시해도 그 깎여진 부스러기가 거의 발생하지 않으므로, 고품질의 화상을 표시할 수 있는 액정 TV, 휴대전화, 전자수첩, 워드프로세서, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, TV 전화, POS 단말, 터치패널 등의 각종 전자기기를 실현할 수 있다.

발명의 실시형태

이하에서는, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 실시형태는 본 발명의 전기광학장치를 액정장치에 적용한 것이다.

[제 1 실시형태]

[전기광학장치의 전체 구성]

먼저, 본 발명의 전기광학장치와 관련된 제 1 실시형태의 전체 구성에 대하여 도 1 및 도 2 를 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1 은 TFT 어레이기판을 그 위에 형성된 각 구성요소와 함께 대향기판측에서 본 전기광학장치의 평면도이며, 도 2 는 도 1 의 H-H' 단면도이다. 여기서는, 전기광학장치의 일례인 구동회로 내장형 TFT 액티브 매트릭스 구동방식의 액정장치를 예로 든다.

도 1 및 도 2 에 있어서, 제 1 실시형태와 관련된 전기광학장치에서는 TFT 어레이기판(10)과 대향기판(20)이 대향배치되어 있다. TFT 어레이기판(10)과 대향기판(20) 사이에 액정층(50)이 봉입되어 있으며, TFT 어레이기판(10)과 대향기판(20)은 화상표시영역(10a)의 주위에 위치하는 봉합영역에 형성된 봉합재(52)에 의하여 상호 접착되어 있다.

봉합재(52)는 양 기판을 점합시키기 위한, 예를 들면 자외선 경화수지, 열경화수지 등으로 이루어지며, 제조 프로세스에 있어서 TFT 어레이기판(10)상에 도포된 후, 자외선 조사, 가열 등에 의하여 경화된 것이다. 또한, 봉합재(52) 중에는 TFT 어레이기판(10)과 대향기판(20)의 간격(기판간 갭)을 소정값으로 하기 위한 유리섬유 또는 유리비즈 등의 갭 재료가 살포되어 있다. 즉, 제 1 실시형태의 전기광학장치는 프로젝터의 라이트 벌브용으로서 소형으로 확대 표시하기에 적합하다.

봉합재(52)가 배치된 봉합 영역의 내측에 병행하여, 화상표시영역(10a)의 프레임영역을 규정하는 차광성 프레임 차광막(53)이 대향기판(20)측에 형성되어 있다. 단, 이러한 프레임 차광막(53)의 일부 또는 전부는 TFT 어레이기판(10)측에 내장 차광막으로서 형성되어도 된다. 또한, 제 1 실시형태에 있어서는, 상기 화상표시영역(10a)의 주변을 규정하는 주변영역이 존재한다. 바꿔 말하면, 제 1 실시형태에 있어서는 특히 TFT 어레이기판(10)의 중심에서 보아, 이 프레임 차광막(53)보다 바깥쪽(以遠)이 주변영역으로서 규정되어 있다.

주변영역 중, 봉합재(52)가 배치된 봉합영역의 외측에 위치하는 영역에는 데이터선 구동회로(101) 및 외부회로 접속단자(102)가 TFT 어레이기판(10)의 1변을 따라 형성되어 있다. 또한, 주사선 구동회로(104)는 이 1변에 인접하는 2변을 따라, 또한 상기 프레임 차광막(53)에 덮여지도록 하여 형성되어 있다. 또한, 이와 같이 화상표시영역(10a)의 양측에 형성된 2개의 주사선 구동회로(104) 사이를 연결하기 위하여, TFT 어레이기판(10)의 나머지 1변을 따라, 또한 상기 프레임 차광막(53)에 덮여지도록 하여 복수의 배선(105)이 형성되어 있다. 이 중, 데이터선 구동회로(101) 및 주사선 구동회로(104)는 배선(6aP)을 통하여 외부회로 접속단자(102)와 접속되어 있다. 이 점에 대해서는 추후 상세히 설명한다.

또한, 대향기판(20)의 4개의 코너부에는 상하도통단자(106)가 배치되어 있다. 이로써, TFT 어레이기판(10)과 대향기판(20) 사이에서 전기적인 도통을 취할 수 있다.

도 2 에 있어서, TFT 어레이기판(10) 위에는 화소 스위칭용 TFT 나 주사선, 데이터선 등의 배선이 형성된 후의 화소전극(9a) 위에, 도시하지 않은 배향막이 형성되어 있다. 한편, 대향기판(20) 위에는 대향전극(21) 외, 격자 형상 또는 스트라이프 형상의 차광막(23), 나아가서는 최상층 부분에 도시하지 않은 배향막이 형성되어 있다. 또한, 액정층(50)은 예를 들면 한 종류 또는 여러 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어지며, 이들 한쌍의 배향막간에 소정의 배향상태를 갖는다.

이상과 같은 전체 구성을 갖는 제 1 실시형태의 전기광학장치에 있어서는 상기 기술한 각종 요소 중, 외부회로 접속단자(102)에 관한 구체적 구성에 대하여 특징이 있는데, 그 점에 대해서는 도 7 등을 참조하면서 추후 설명한다.

또한, 도 1 및 도 2 에 나타낸 TFT 어레이기판(10) 위에는 이들 데이터선 구동회로(101), 주사선 구동회로(104) 등에 더하여, 화상신호선상의 화상신호를 샘플링하여 데이터선에 공급하는 샘플링 회로, 복수의 데이터선에 소정 전압 레벨의 프리차지 신호를 화상신호에 선행하여 각각 공급하는 프리차지 회로, 제조 도중이나 출하시의 해당 전기광학장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사회로 등을 형성해도 된다.

[화소부에 있어서의 구성]

이하에서는, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 전기광학장치의 화소부에 있어서의 구성에 대하여 도 3 내지 도 8 을 참조하여 설명한다. 여기에서 도 3 은 전기광학장치의 화상표시영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가회로이며, 도 4 및 도 5 는 데이터선, 주사선, 화소전극 등이 형성된 TFT 어레이기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이다. 또한, 도 4 및 도 5 는 각각 후술하는 적층구조 중 하층 부분(도 4)과 상층 부분(도 5)을 나누어 도시하고 있다.

또한, 도 6 은 도 4 및 도 5 를 마주겹친 경우의 A-A' 단면도이다. 또한, 도 7 은 도 1 에 있어서의 부호 Z1 을 부여한 원내 부분(외부회로 접속단자(102) 및 그 부근)을 확대한 평면도이며, 도 8 은 도 7 의 P1-P1' 단면도이다. 또한, 도 8 은 도 2 에 있어서의 부호 Z2 를 부여한 원내 부분의 확대도로서, 도 6 에 나타내는 적층구조에 대응하는 단면도이기도 하다. 또한, 도 6 및 도 8 에 있어서는 각 층ㆍ각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하므로, 이 각 층ㆍ각 부재마다 축척을 달리하게 하고 있다.

(화소부의 회로 구성)

도 3 에 있어서, 제 1 실시형태에 있어서의 전기광학장치의 화상표시영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는 각각 데이터선(6a)과 주사선(11a)의 교차부에 대응하여, 화소전극(9a)과 해당 화소전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있다. 그리고, 화상신호가 공급되는 데이터선(6a)은 해당 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 입력하는 화상신호(S1, S2, …, Sn)는 이 순서로 선순차로 공급해도 상관없으며, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)끼리에 대하여 그룹마다 공급하도록 해도 된다.

또한, TFT(30)의 게이트전극(3a)에 주사선(11a)이 전기적으로 접속되어 있으며, 소정의 타이밍으로 주사선(11a) 및 게이트전극(3a)에 펄스적으로 주사신호(G1, G2, …, Gm)를 이 순서로 선순차로 인가하도록 구성되어 있다. 화소전극(9a)은 TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있으며, 스위칭소자인 TFT(30)를 일정기간만큼 그 스위치를 닫음으로써, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상신호(S1, S2, …, Sn)를 소정의 타이밍으로 입력한다.

화소전극(9a)을 통하여 전기광학물질의 일례로서의 액정에 입력된 소정 레벨의 화상신호(S1, S2, …, Sn)는 대향기판에 형성된 대향전극과의 사이에서 일정기간 유지된다. 액정은 인가되는 전압 레벨에 따라 분자 집합의 배향이나 질서가 변화됨으로써, 광을 변조시키고 계조표시를 가능하게 한다. 노멀리화이트 모드이면 각 화소의 단위에서 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하고, 노멀리블랙 모드이면 각 화소의 단위에서 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되고, 전체로서 전기광학장치로부터는 화상신호에 따라 콘트라스트를 갖는 광이 출사된다.

여기서 유지된 화상신호의 리크를 방지하기 위하여, 화소전극(9a)과 대향전극 사이에 형성되는 액정용량과 병렬로 축적용량(70)을 부가한다. 이 축적용량(70)은 유전체막을 끼우고 화소전위측 용량전극과 정전위에 고정된 고정전위측 용량전극(300)으로 구성된다.

[화소부의 구체적 구성]

이하에서는, 상기 데이터선(6a), 주사선(11a) 및 게이트전극(3a), TFT(30)등에 의한 상기 기술한 바와 같은 회로동작이 실현되는 전기광학장치의 구체적인 구성에 대하여 도 4 내지 도 7 을 참조하여 설명한다.

먼저, 도 4 및 도 5 에 있어서, 화소전극(9a)은 TFT 어레이기판(10) 위에 매트릭스 형상으로 복수 형성되어 있으며(도 5 에 있어서 점선부에 의하여 윤곽이 나타나 있다), 화소전극(9a)의 종횡의 경계를 각각 따라 데이터선(6a) 및 주사선(11a)이 형성되어 있다. 또한, 주사선(11a)은 TFT(30)의 반도체층(1a)보다 TFT 어레이기판(10)측의 하층에 형성된다. 그리고, 주사선(11a)은 반도체층(1a) 중, 도면 중 사선영역으로 나타낸 채널영역(1a')에 대향하는 게이트전극(3a)에 콘택트 홀(12cv)을 통하여 전기적으로 접속되어 있으며, 이 게이트전극(3a)은 이 주사선(11a)에 포함되는 형태로 되어 있다. 즉, 게이트전극(3a)과 데이터선(6a)이 교차하는 부분에는 각각 채널영역(1a')에, 주사선(11a)에 포함되는 게이트전극(3a)이 대향배치된 화소 스위칭용 TFT(30)가 형성되어 있다.

다음으로, 전기광학장치는 도 4 및 도 5 의 A-A' 선 단면도인 도 6 에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 석영기판, 유리기판, 규소기판으로 이루어지는 TFT 어레이기판(10)과, 이에 대향배치되는 예를 들면 유리기판이나 석영기판으로 이루어지는 대향기판(20)을 구비하고 있다.

TFT 어레이기판(10)측에는 도 6 에 나타내는 바와 같이, 상기 화소전극(9a)이 형성되어 있으며, 그 상측에는 러빙 처리 등의 소정 배향처리가 실시된 배향막(16)이 형성되어 있다. 화소전극(9a)은 예를 들면 ITO 막 등의 투명도전성 막으로 이루어진다. 한편, 대향기판(20)측에는 그 전체면에 걸쳐대향전극(21)이 형성되어 있으며, 그 하측에는 러빙 처리 등의 소정 배향처리가 실시된 배향막(22)이 형성되어 있다. 대향전극(21)은 상기 기술한 화소전극(9a)과 동일하게, 예를 들면 ITO 막 등의 투명도전성 막으로 이루어진다.

이와 같이 대향배치된 TFT 어레이기판(10) 및 대향기판(20) 사이에는 상기 기술한 봉합재(52 ; 도 1 및 도 2 참조)에 의하여 둘러싸인 공간에 액정 등의 전기광학물질이 봉입되고, 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은 화소전극(9a)으로부터의 전계가 인가되어 있지 않은 상태에서 배향막(16, 22)에 의하여 소정의 배향상태를 갖는다. 액정층(50)의 액정은 트위스트 네마틱의 액정이나 수직배향용 액정이어도 된다.

한편, TFT 어레이기판(10) 위에는 상기 화소전극(9a) 및 배향막(16) 외, 이들을 포함하는 각종 구성이 적층구조를 이루어 구비되어 있다. 이 적층구조는 도 6 에 나타내는 바와 같이, 아래부터 순서대로 주사선(11a)을 포함하는 제 1 층, 게이트전극(3a)을 포함하는 TFT(30) 등을 포함하는 제 2 층, 축적용량(70)을 포함하는 제 3 층, 데이터선(6a) 등을 포함하는 제 4 층, 본 발명에서 말하는 「제 1 배선」의 일례인 용량배선(400) 등을 포함하는 제 5 층, 상기 화소전극(9a) 및 배향막(16) 등을 포함하는 제 6 층(최상층)으로 이루어진다.

또한, 제 1 층 및 제 2 층 사이에는 하지절연막(12)이, 제 2 층 및 제 3 층 사이에는 제 1 층간절연막(41)이, 제 3 층 및 제 4 층 사이에는 제 2 층간절연막(42)이, 제 4 층 및 제 5 층 사이에는 제 3 층간절연막(43)이, 제 5 층 및 제 6 층 사이에는 제 4 층간절연막(44)이 각각 형성되어 있어, 상기 기술한 각요소 사이가 단락되는 것을 방지하고 있다. 또한, 이들 각종 절연막(12, 41, 42, 43, 44)에는 예를 들면 TFT(30)의 반도체층(1a) 중의 고농도 소스영역(1d)과 데이터선(6a)을 전기적으로 접속하는 콘택트 홀 등도 또한 형성되어 있다. 이하에서는, 이들 각 요소에 대하여 아래부터 순서대로 설명한다. 또한, 상기 기술한 내용 중 제 1 층에서 제 3 층까지가 하층부분으로서 도 4 에 도시되어 있으며, 제 4 층에서 제 6 층까지가 상층부분으로서 도 5 에 도시되어 있다.

(적층구조ㆍ제 1 층의 구성 -주사선 등-)

먼저, 제 1 층에는 예를 들면 Ti, Cr, W, Ta, Mo 등의 고융점 금속 중 적어도 하나를 포함하는 금속 단일체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층시킨 것, 또는 도전성 폴리규소 등으로 이루어지는 주사선(11a)이 형성되어 있다. 이 주사선(11a)은 평면적으로 보아 도 4 의 X 방향을 따르도록 스트라이프 형상으로 패터닝되어 있다. 좀더 상세히 보면, 스트라이프 형상의 주사선(11a)은 도 4 의 X 방향을 따르도록 연장되는 본선부와, 데이터선(6a)이 연장되는 도 4 의 Y 방향의 상하로 본선부로부터 연장되는 돌출부를 구비하고 있다. 또한, 인접하는 주사선(11a)으로부터 연장되는 돌출부는 상호 접속되지 않고, 따라서 이 주사선(11a)은 하나 하나 분단된 형태로 되어 있다.

이로써, 주사선(11a)은 동일 행에 존재하는 TFT(30)의 ONㆍOFF 를 일제히 제어하는 기능을 갖게 된다. 또한, 차광성 주사선(11a)을 이용한 경우에는 화소전극(9a)이 형성되지 않는 영역을 대략 메우도록 형성되어 있으므로, TFT(30)에 하측에서 입사하려고 하는 광을 차단하는 기능도 갖고 있다. 이로써, TFT(30)의반도체층(1a)에 있어서의 광 리크 전류의 발생을 억제하여, 플리커 등이 없는 고품질의 화상표시가 가능하게 된다.

(적층구조ㆍ제 2 층의 구성 -TFT 등-)

다음으로, 제 2 층으로서 게이트전극(3a)을 포함하는 TFT(30)가 형성되어 있다. TFT(30)는 도 6 에 나타내는 바와 같이, LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있다. 그 구성요소로는, 상기 기술한 게이트전극(3a), 예를 들면 도전성 폴리규소막으로 이루어지며 게이트전극(3a)으로부터의 전계에 의하여 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널영역(1a'), 게이트전극(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)에 있어서의 저농도 소스영역(1b) 및 저농도 드레인영역(1c) 그리고 고농도 소스영역(1d) 및 고농도 드레인영역(1e)을 구비하고 있다.

또한 제 1 실시형태에서는, 이 제 2 층에 상기 기술한 게이트전극(3a)과 동일 막의 중계전극(719)이 하지절연막(12)상에 형성되어 있다. 이 중계전극(719)은 평면적으로 보아 도 4 에 나타내는 바와 같이, 각 화소전극(9a)의 X 방향으로 연장되는 1변의 대략 중앙에 위치하도록 섬 형상으로 형성되어 있다. 중계전극(719)과 게이트전극(3a)은 동일 막으로서 형성되어 있으므로, 도전성 폴리규소막 등으로 이루어진다.

또한, 상기 기술한 TFT(30)는 바람직하게는 도 6 에 나타낸 바와 같이 LDD 구조를 갖는데, 저농도 소스영역(1b) 및 저농도 드레인영역(1c)에 불순물이 주입되지 않는 오프셋 구조를 가져도 되며, 게이트전극(3a)을 마스크로 하여 고농도로 불순물을 주입시키고, 자기 정합적으로 고농도 소스영역 및 고농도 드레인영역을 형성하는 셀프 얼라인형 TFT 여도 된다. 또한, 제 1 실시형태에서는 화소 스위칭용 TFT(30)의 게이트전극을 고농도 소스영역(1d) 및 고농도 드레인영역(1e) 사이에 1 개만 배치한 싱글 게이트 구조로 하였는데, 이들 사이에 2 개 이상의 게이트전극을 배치해도 된다. 이렇게 듀얼 게이트 또는 트리플 게이트 이상으로 TFT 를 구성하면, 채널과 소스 및 드레인영역과의 접합부의 리크 전류를 방지할 수 있고, 오프시의 전류를 저감시킬 수 있다. 또한, TFT(30)를 구성하는 반도체층(1a)은 비단결정층이어도 되며 단결정층이어도 상관없다. 단결정층의 형성에는 점합법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다. 반도체층(1a)을 단결정층으로 함으로써 특히 주변회로의 고성능화를 도모할 수 있다.

(적층구조ㆍ제 1 층 및 제 2 층 사이의 구성 -하지절연막-)

이상 설명한 주사선(11a) 위, 또한 TFT(30) 아래에는 예를 들면, 규소 산화막 등으로 이루어지는 하지절연막(12)이 형성되어 있다. 하지절연막(12)은 주사선(11a)으로부터 TFT(30)를 층간절연하는 기능 외, TFT 어레이기판(10)의 전체면에 형성됨으로써, TFT 어레이기판(10)의 표면연마시에 있어서의 거칠어짐이나, 세정 후에 남는 오염 등으로 화소 스위칭용 TFT(30)의 특성변화를 방지하는 기능을 갖는다.

이 하지절연막(12)에는 평면적으로 보아 반도체층(1a)의 양 옆에, 후술하는 데이터선(6a)을 따라 연장되는 반도체층(1a)의 채널길이의 방향을 따른 홈 형상의 콘택트 홀(12cv)이 파여져 있으며(도 4 참조), 이 콘택트 홀(12cv)에 대응하여 그상방에 적층되는 게이트전극(3a)은 하측에 오목 형상으로 형성된 부분을 포함하고 있다. 또한, 이 콘택트 홀(12cv) 전체를 메우듯이 하여 게이트전극(3a)이 형성되어 있음으로써, 이 게이트전극(3a)에는 이것과 일체적으로 형성된 측벽부(3b)가 연장형성되도록 되어 있다. 이로써, TFT(30)의 반도체층(1a)은 도 4 에 잘 나타나 있는 바와 같이, 평면적으로 보아 측방에서 덮이도록 되어 있어, 적어도 이 부분으로부터의 광의 입사가 억제되도록 되어 있다.

또한, 이 측벽부(3b)는 상기 콘택트 홀(12cv)을 메우도록 형성되어 있는 동시에, 그 하단이 상기 주사선(11a)과 접하도록 되어 있다. 여기서 주사선(11a)은 상기 기술한 바와 같이 주사선마다 독립하여 형성되어 있으므로, 어떠한 행에 존재하는 게이트전극(3a) 및 주사선(11a)은 해당 행에 주목하는 한 항상 동일 전위가 된다.

또한, 본 발명에 있어서는 주사선(11a)에 평행하도록 하여, 게이트전극(3a)을 포함하고 이 게이트전극(3a)과 동일 층으로서의 별도의 주사선을 형성하는 구조를 채택해도 된다. 이 경우에 있어서는, 이 주사선(11a)과 이 별도의 주사선은 예를 들면 표시영역 밖에서 서로 전기접속을 취하여, 용장적인 배선구조를 취하게 된다. 이로써, 예를 들면 이 주사선(11a)의 일부에 어떠한 결함이 있어 정상적인 통전이 불가능하게 된 경우에도, 해당 주사선(11a)과 동일한 행에 존재하는 별도의 주사선이 건실한 한, 그것을 통하여 TFT(30)의 동작제어를 여전히 정상적으로 행할 수 있게 된다.

(적층구조ㆍ제 3 층의 구성 -축적용량 등-)

한편, 상기 기술한 제 2 층에 계속하여 제 3 층에는 축적용량(70)이 형성되어 있다. 축적용량(70)은 TFT(30)의 고농도 드레인영역(1e) 및 화소전극(9a)에 접속된 화소전위측 용량전극으로서의 하부전극(71)과, 고정전위측 용량전극으로서의 용량전극(300)이 유전체막(75)을 통하여 대향배치됨으로써 형성되어 있다. 이 축적용량(70)에 의하면, 화소전극(9a)에 있어서의 전위유지 특성을 현저히 높일 수 있게 된다. 또한, 제 1 실시형태와 관련된 축적용량(70)은 도 4 의 평면도를 보면 알 수 있는 바와 같이, 인접하는 화소전극(9a)의 가장자리의 형성영역에 겹쳐 있다. 그러나, 화소전극(9a) 형성영역에 대략 대응하는 광투과영역에는 겹치지 않도록 형성되어 있다. 바꿔 말하면, 차광영역내에 수용되도록 형성되어 있으므로 전기광학장치 전체의 화소 개구율은 비교적 크게 유지되고, 이로써 더 밝은 화상을 표시할 수 있게 된다.

좀더 상세하게는, 하부전극(71)은 예를 들면 도전성 폴리규소막으로 이루어지며 화소전위측 용량전극으로서 기능한다. 단, 하부전극(71)은 금속 또는 합금을 포함하는 단일층막 또는 다층막으로 구성해도 된다. 또한, 이 하부전극(71)은 화소전위측 용량전극으로서의 기능 외, 화소전극(9a)과 TFT(30)의 고농도 드레인영역(1e)을 중계접속하는 기능을 갖는다. 더불어, 여기서 말하는 중계접속은 상기 중계전극(719) 기타 요소를 통하여 행해지고 있다.

용량전극(300)은 축적용량(70)의 고정전위측 용량전극으로서 기능한다. 그리고, 용량전극(300)은 하부전극(71)과 동일 형상이 되며, 하부전극(71)과 마찬가지로 섬 형상의 전극을 구성하고 있다. 제 1 실시형태에 있어서,용량전극(300)을 고정전위로 하려면, 고정전위가 된 용량배선(400 ; 후술함)과 전기적으로 접속이 도모됨으로써 이루어지고 있다. 또한, 용량전극(300)은 Ti, Cr, W, Ta, Mo 등의 고융점 금속 중 적어도 하나를 포함하는 금속 단일체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층시킨 것, 또는 바람직하게는 텅스텐 실리사이드로 이루어진다.

이로써, 용량전극(300)은 TFT(30)에 상측에서 입사하려고 하는 광을 차단하는 기능을 갖고 있다.

유전체막(75)은 도 6 에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 막두께 5∼200㎚ 정도의 비교적 얇은 HTO(High Temperature Oxide) 막, LTO(Low Temperature Oxide) 막 등의 산화규소막 또는 질화규소막 등으로 구성된다. 축적용량(70)을 증대시키는 관점에서는, 막의 신뢰성이 충분히 수득되는 한 유전체막(75)은 얇을수록 좋다.

제 1 실시형태에 있어서, 이 유전체막(75)은 도 6 에 나타내는 바와 같이, 하층에 산화규소막(75a), 상층에 질화규소막(75b)과 같이 2층구조를 갖는 것으로 되어 있다. 상층의 질화규소막(75b)은 화소전위측 용량전극의 하부전극(71)보다 약간 큰 사이즈로 패터닝되고, 차광영역(비개구영역)내에 수용되도록 형성되어 있다.

이로서, 비교적 유전률이 큰 질화규소막(75b)이 존재함으로써, 축적용량(70)의 용량값을 증대시킬 수 있게 되는 것 외에, 그럼에도 불구하고 산화규소막(75a)이 존재함으로써 축적용량(70)의 내압성을 저하시키는 일이 없다. 이와 같이,유전체막(75)을 2층구조로 함으로써, 상반되는 두 작용효과를 누릴 수 있게 된다. 또한, 착색성이 있는 질화규소막(75b)은 하부전극(71)보다 약간 큰 사이즈로 패터닝되고, 광이 투과되는 부분에 형성되어 있지 않으(차광영역내에 위치함)므로, 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 질화규소막(75b)이 존재함으로써, TFT(30)에 대한 물의 침입을 미연에 방지할 수 있게 되어 있다. 이로써, TFT(30)에 있어서 스레숄드(threshold) 전압이 상승되는 사태를 초래하지 않고, 비교적 장기적인 장치운용이 가능하게 된다. 또한, 유전체막(75)의 패턴 형상 및 축적용량(70)의 하부전극(71)과 용량전극(300)의 패턴 형상은 동일한 패턴 형상이어도 된다.

또한, 제 1 실시형태에서는 유전체막(75)은 2층구조를 갖는 것으로 되어 있는데, 경우에 따라서는 예를 들면 산화규소막, 질화규소막 및 산화규소막 등과 같은 3층구조나, 또는 그 이상의 적층구조를 갖도록 구성해도 된다. 물론 단층구조로 해도 된다.

(적층구조, 제 2 층 및 제 3 층 사이의 구성 -제 1 층간절연막-)

이상 설명한 TFT(30) 내지 게이트전극(3a) 및 중계전극(719) 위, 또한 축적용량(70) 아래에는 예를 들면, NSG(논 실리케이트 유리), PSG(인 실리케이트 유리), BSG(붕소 실리케이트 유리), BPSG(붕소 인 실리케이트 유리) 등의 실리케이트 유리막, 질화규소막이나 산화규소막 등, 또는 바람직하게는 NSG 로 이루어지는 제 1 층간절연막(41)이 형성되어 있다.

그리고, 이 제 1 층간절연막(41)에는 TFT(30)의 고농도 소스영역(1d)과 후술하는 데이터선(6a)을 전기적으로 접속하는 콘택트 홀(81)이 후기하는 제 2 층간절연막(42)을 관통하면서 개공되어 있다. 또한, 제 1 층간절연막(41)에는 TFT(30)의 고농도 드레인영역(1e)과 축적용량(70)을 구성하는 하부전극(71)을 전기적으로 접속하는 콘택트 홀(83)이 개공되어 있다. 또한, 이 제 1 층간절연막(41)에는 축적용량(70)을 구성하는 화소전위측 용량전극으로서의 하부전극(71)과 중계전극(719)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(881)이 개공되어 있다. 추가로, 제 1 층간절연막(41)에는 중계전극(719)과 후술하는 제 2 중계전극(6a2)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(882)이 후기하는 제 2 층간절연막을 관통하면서 개공되어 있다. 중계전극(719)은 게이트전극(3a)과 동일한 재료로 형성된다.

또한, 제 1 실시형태에서는 제 1 층간절연막(41)에 대해서는 약 1000℃ 의 소성을 실시함으로써, 반도체층(1a)이나 게이트전극(3a)을 구성하는 폴리규소막에 주입한 이온의 활성화를 도모해도 된다.

(적층구조ㆍ제 4 층의 구성 -데이터선 등-)

한편, 상기 기술한 제 3 층에 계속하여 제 4 층에는 데이터선(6a)이 형성되어 있다. 이 데이터선(6a)은 도 6 에 나타내는 바와 같이, 하층부터 순서대로 알루미늄으로 이루어지는 층(도 6 에 있어서의 부호 41A 참조), 질화티탄으로 이루어지는 층(도 6 에 있어서의 부호 41TN 참조), 질화규소막으로 이루어지는 층(도 6 에 있어서의 부호 401 참조)의 3층구조를 갖는 막으로서 형성되어 있다. 질화규소막은 그 하층의 알루미늄층과 질화티탄층을 덮도록 약간 큰 사이즈로 패터닝되어 있다. 이 중, 데이터선(6a)이 비교적 낮은 저항 재료인 알루미늄을 포함함으로써 TFT(30), 화소전극(9a)에 대한 화상신호의 공급을 정체없이 실현할 수 있다. 한편, 데이터선(6a)상에 수분의 침입을 막는 작용이 비교적 우수한 질화규소막이 형성됨으로써, TFT(30)의 내습성 향상을 도모할 수 있어, 그 수명 장기화를 실현할 수 있다. 또한, 질화규소막은 플라즈마 질화규소막이 바람직하다.

또한, 이 제 4 층에는 데이터선(6a)과 동일 막으로서, 용량배선용 중계층(6a1) 및 제 2 중계전극(6a2)이 형성되어 있다. 이들은 도 5 에 나타내는 바와 같이, 평면적으로 보면 데이터선(6a)과 연속한 평면 형상을 갖도록 형성되어 있는 것이 아니라, 각자 사이에는 패터닝상 분단되도록 형성되어 있다. 예를 들면, 도 5 중 가장 왼쪽에 위치하는 데이터선(6a)에 주목하면, 그 바로 오른쪽에 대략 4변 형상을 갖는 용량배선용 중계층(6a1), 또한 그 오른쪽에 용량배선용 중계층(6a1)보다 약간 큰 면적을 갖는 대략 4변 형상을 갖는 제 2 중계전극(6a2)이 형성되어 있다.

더불어, 이들 용량배선용 중계층(6a1) 및 제 2 중계전극(6a2)은 데이터선(6a)과 동일 막으로서 형성되어 있으므로, 하층부터 순서대로 알루미늄으로 이루어지는 층, 질화티탄으로 이루어지는 층, 플라즈마 질화막으로 이루어지는 층의 3층구조를 갖는다. 그리고, 플라즈마 질화막은 그 하층의 알루미늄층과 질화티탄층을 덮도록 약간 큰 사이즈로 패터닝되어 있다. 이 중, 질화티탄층은 용량배선용 중계층(6a1), 제 2 중계전극(6a2)에 대하여 형성하는 콘택트 홀(803, 804 ; 후술)의 에칭의 관통 방지를 위한 배리어 메탈로서 기능한다. 또한, 질화규소막은 수분의 침입을 막는 작용이 비교적 우수하므로, TFT(30)의 내습성 향상을 도모할 수 있어, 그 수명 장기화를 실현할 수 있다. 또한, 이러한 질화규소막은 방금 설명한 용량배선용 중계층(6a1) 및 제 2 중계전극(6a2)의 형성영역과 병합하여, 상기 기술한 데이터선(6a)의 형성영역에도 형성되게 되므로, 이 질화규소막의 형성면적은 상대적으로 증대하고 있는 것 같은 상태가 된다. 따라서, 상기 기술한 수분침입 방지작용은 더욱 효과적으로 발휘되게 된다.

(적층구조ㆍ제 3 층 및 제 4 층 사이의 구성 -제 2 층간절연막-)

이상 설명한 축적용량(70) 위, 또한 데이터선(6a) 아래에는 예를 들면 NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화규소막이나 산화규소막 등, 또는 바람직하게는 TEOS 가스를 이용한 플라즈마 CVD 법에 의하여 형성된 제 2 층간절연막(42)이 형성되어 있다. 이 제 2 층간절연막(42)에는 TFT(30)의 고농도 소스영역(1d)과 데이터선(6a)을 전기적으로 접속하는 상기 콘택트 홀(81)이 개공되어 있는 동시에, 상기 용량배선용 중계층(6a1)과 축적용량(70)의 상부전극인 용량전극(300)을 전기적으로 접속하는 콘택트 홀(801)이 개공되어 있다. 또한, 제 2 층간절연막(42)에는 제 2 중계전극(6a2)과 중계전극(719)을 전기적으로 접속하기 위한 상기 콘택트 홀(882)이 형성되어 있다.

또한, 제 2 층간절연막(42)에 대해서는 제 1 층간절연막(41)에 관하여 상기 기술한 바와 같은 소성을 실시하지 않음으로써, 용량전극(300)의 계면 부근에 발생하는 스트레스의 완화를 도모하도록 해도 된다.

(적층구조ㆍ제 5 층의 구성 -용량배선 등-)

한편, 상기 기술한 제 4 층에 계속하여 제 5 층에는 용량배선(400)이 형성되어 있다. 용량배선(400)은 제 3 층간절연막(43) 위에 형성되어 있다. 제 3 층간절연막(43)의 표면은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 처리 등의 평탄화 처리가 실시됨으로써 평탄화되어 있으면 된다. 이 용량배선(400)은 평면적으로 보면 도 5 에 나타내는 바와 같이, 도면 중 X 방향 및 Y 방향 각각으로 연장되도록 격자 형상으로 형성되어 있다. 이 용량배선(400) 중, 도면 중 Y 방향으로 연장되는 부분에 대해서는 특히 데이터선(6a)을 덮도록, 또한 이 데이터선(6a)보다 폭넓게 형성되어 있다. 또한, 도면 중 X 방향으로 연장되는 부분에 대해서는 후술하는 제 3 중계전극(402)을 형성하는 영역을 확보하기 위하여, 각 화소전극(9a)의 1변의 중앙 부근에 노치부를 갖고 있다.

나아가서는, 도 5 중, XY 방향 각각으로 연장되는 용량배선(400)의 교차부분의 모퉁이부에 있어서는, 이 모퉁이부를 메우듯이 하여 대략 삼각형 형상의 부분이 형성되어 있다. 용량배선(400)에 이 대략 삼각형 형상의 부분이 형성되어 있음으로써, TFT(30)의 반도체층(1a)에 대한 광의 차폐를 효과적으로 행할 수 있다. 즉, 반도체층(1a)에 대하여 경사 상부로부터 진입하려고 하는 광은 이 삼각형 형상의 부분에서 반사 또는 흡수되게 되어 반도체층(1a)에는 도달하지 않게 된다. 따라서, 광 리크 전류의 발생을 억제하고, 플리커 등이 없는 고품질의 화상을 표시할 수 있게 된다.

이 용량배선(400)은 화소전극(9a)이 배치된 화상표시영역(10a)으로부터 그 주위에 연장형성되고, 정전위원과 전기적으로 접속됨으로써 고정전위가 되어 있다(추후, 패드 (404P) 에 관한 설명 참조).

이와 같이, 데이터선(6a)의 전체를 덮도록 형성되어 있는 동시에, 고정전위가 된 용량배선(400)의 존재에 의하면, 이 데이터선(6a) 및 화소전극(9a) 사이에 발생하는 용량 커플링의 영향을 배제할 수 있게 된다. 즉, 데이터선(6a)으로의 통전에 따라, 화소전극(9a)의 전위가 변동하는 사태를 미연에 회피할 수 있게 되어, 화상상에 이 데이터선(6a)을 따른 표시 편차 등을 발생시킬 가능성을 저감시킬 수 있다. 제 1 실시형태에 있어서는 특히, 용량배선(400)은 격자 형상으로 형성되어 있으므로, 주사선(11a)이 연장되는 부분에 대해서도 불필요한 용량 커플링이 발생하지 않도록 이를 억제할 수 있도록 되어 있다.

또한, 제 4 층에는 이러한 용량배선(400)과 동일 막으로서 제 3 중계전극(402)이 형성되어 있다. 이 제 3 중계전극(402)은 후술하는 콘택트 홀(804, 89)을 통하여 제 2 중계전극(6a2) 및 화소전극(9a) 사이의 전기적 접속을 중계하는 기능을 갖는다. 또한, 이들 용량배선(400) 및 제 3 중계전극(402) 사이에는 평면 형상적으로 연속해서 형성되어 있지 않고, 양자간은 패터닝상 분단되도록 형성되어 있다.

한편, 상기 기술한 용량배선(400) 및 제 3 중계전극(402)은 하층에 알루미늄으로 이루어지는 층, 상층에 질화티탄으로 이루어지는 층의 2층구조를 갖고 있다. 이렇게 용량배선(400) 및 제 3 중계전극(402)은 광반사 성능이 비교적 우수한 알루미늄을 포함하며, 또한 광흡수 성능이 비교적 우수한 질화티탄을 포함하므로, 이 용량배선(400) 및 이 제 3 중계전극(402)은 차광층으로서 기능할 수 있다. 즉,이들에 의하면 TFT(30)의 반도체층(1a)에 대한 입사광(도 6 참조)의 진행을 그 상측에서 차단할 수 있다.

그리고, 제 1 실시형태에 있어서는 특히 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 상기 기술한 용량배선(400) 및 제 3 중계전극(402 ; 이하, 병합하여「용량배선(400) 등」이라 하는 경우가 있음)과 동일 막으로서, 주변영역에는 패드(404P)가 형성되어 있다. 이로써, 패드(404P)는 상기 기술한 용량배선(400) 등과 마찬가지로, 하층에 알루미늄으로 이루어지는 층, 상층에 질화티탄으로 이루어지는 층의 2층구조를 갖고 있다. 단, 패드(404P)와 용량배선(400) 등과는 동일 막으로서 형성되어 있기는 하나, 양자는 패터닝상 분단되도록 형성되어 있다.

이 패드(404P)는 도 1 및 도 2 를 참조하여 설명한 외부회로 접속단자(102)의 일부를 구성한다. 구체적으로는, 패드(404P)상에 형성된 후술하는 제 4 층간절연막(44)에 이 패드(404P)로 통하는 개구부(44H)가 형성되고, 이 패드(404P)의 상면이 외부로 노출됨으로써, 외부회로 접속단자(102)가 형성되도록 되어 있다. 더불어, 제 1 실시형태에서는 특히 제 4 층간절연막(44)의 표면은 CMP 처리 등의 평탄화 처리가 실시됨으로써 평탄화되어 있다.

이상으로부터, 제 1 실시형태에 있어서는 제 4 층간절연막(44)을 개구시킴으로써 패드(404P)의 표면을 노출시키고 있다. 제 4 층간절연막(44)의 두께는 그 두께가 얇을수록 제 4 층간절연막(44)의 표면과(본 발명에서 말하는「적층구조의 최상면」의 일례에 해당함) 패드(404P)의 표면과의 단차가 적어져, 러빙 처리로 깎여진 부스러기를 발생시키는 것을 저감시킬 수 있다. 도 8 에 있어서는, 제 4 층간절연막(44)의 두께는 제 3 층간절연막(43)의 두께보다 얇으며, 제 4 층간절연막(44)의 표면과 패드(404P)의 표면은 대략 동등한 높이에 위치하고 있다고 할 수 있다.

또한, 패드(404P)가 형성되는 주변영역의 적층구조의 높이, 즉 기판(10)으로부터의 총 두께에 대해서도 이하와 같이 고안되어 있다. 패드(404P)의 도 8 중 하방에는 위에서부터 순서대로 후술하는 제 3 층간절연막(43), 배선(6aP), 제 2 층간절연막(42), 더미 축적용량(70P), 제 1 층간절연막(41), 더미 게이트전극(3aP), 하지절연막(12), 더미 주사선(11aP)이 형성되어 있다.

이들 중, 각 층간절연막(43, 42, 41, 12)은 도 6 에서 설명한 각 층간절연막(43, 42, 41, 12)과 동일한 것이다(또한, 제 4 층간절연막(44)에 관해서도 동일하다). 또한, 더미 축적용량(70P), 더미 게이트전극(3aP) 및 더미 주사선(11aP)은 각각 상기 기술한 축적용량(70), 게이트전극(3a) 및 주사선(11a)과 동일 막으로서 형성되어 있다. 예를 들면, 더미 축적용량(70P)은 상기 축적용량(70)을 구성하는 하측전극(71), 용량전극(300) 및 유전체막(75) 각각에 대응하는 요소를 구비한 다층구조를 갖고 있다. 다른 요소에 대해서도 대략 동일하다. 이들 층간절연막이나 전극 등의 각 요소의 두께는, 주변영역의 요소와 화상표시영역의 요소는 동일한 두께이다. 이와 같이, 주변영역에 있어서도 화상표시영역(10a)에 형성되는 요소에 대응한 요소(즉, 부호 6aP, 70P, 3aP 및 11aP 에 대응하는 각 요소)를 형성하면 주변영역과 화상표시영역(10a)에 있어서의 적층구조의 전체 높이를 대략 동일하게 하는 등의 조정을 할 수 있다.

또한, 상기 더미 주사선(11aP) 등등은 도 7 에 나타내는 바와 같이, 패드(404P)와 대략 동일한 평면적 형상을 가지며, 또한 더미 축적용량(70P), 더미 게이트전극(3aP) 및 더미 주사선(11aP) 등등은 평면적으로 거의 동일한 형상을 갖고 있다(도 7 에서는 이들 더미 주사선(11aP) 등등의 외형 형상이 공통의 부호「DP」로서 표시되어 있다). 또한, 상기 더미 게이트전극(3aP), 더미 축적용량(70P) 등등은 게이트전극(3a), 축적용량(70) 등등과 동일 막으로서 형성되어 있으나, 양자는(즉, 도 8 에 있어서의 「더미」의 각 요소와, 이들에 대응하는 도 6 에 있어서의 각 요소는) 패터닝상 분단되도록 형성되어 있다. 따라서, 양자간에 전기적으로 접속된 관계는 없다. 또한, 더미 게이트전극(3aP), 더미 축적용량(70P) 등등에 있어서의 「게이트전극」, 「축적용량」이란 이름은 각각 상기 기술한 바와 같이 게이트전극(3a), 축적용량(70)과 동일 막으로서 형성되어 있다는 의미를 나타내기 위하여 사용되고 있으며, 이들이 게이트전극, 축적용량으로서 기능함을 의미하는 것은 아니다.

한편, 상기 요소 중 배선(6aP)은 데이터선(6a)과 동일 막으로서 형성되어 있으며, 더미 게이트전극(3aP) 등등과 마찬가지로, 패드(404P)의 높이 조정에 기여하는 데에는 변함이 없으나, 제 1 실시형태에 있어서 그에 더하여 특별한 기능을 담당하고 있다. 먼저, 이 배선(6aP)은 상기 데이터선(6a)과 마찬가지로, 하층으로부터 순서대로 알루미늄으로 이루어지는 층(도 6 에 있어서의 부호 41A 참조), 질화티탄으로 이루어지는 층(도 6 에 있어서의 부호 41TN 참조)을 구비하고 있다.또한, 질화규소막으로 이루어지는 층(도 6 에 있어서의 부호 401 참조)에 대해서는 그 전구막 형성후, 패터닝 처리(포토리소그래피 공정 및 에칭 공정)가 실시됨으로써 제거되어 있다. 또한, 이 배선(6aP)은 제 3 층간절연막(43)에 천공형성된 콘택트 홀(43H)을 통하여 상기 패드(404P)와 전기적으로 접속되어 있다.

이와 같이, 배선(6aP)은 외부회로 접속단자(102) 내지 그 일부인 패드(404P)에 접속된 각종 외부회로로부터 보내져 오는 신호를 해당 전기광학장치를 구성하는 각종 요소(예를 들면, 상기 TFT(30) 등)에 전달하는 기능을 담당하고 있다. 따라서, 도 1 에 나타낸 복수의 외부회로 접속단자(102) 중 어느 하나에 대응하는 배선(6aP)에 대해서는 데이터선(6a)과 전기적으로 접속 가능하도록 형성되어 있는 것도 있다.

여기서, 제 1 실시형태에 있어서는 특히, 이 콘택트 홀(43H), 또는 이것과 상기 개구부(44H)의 배치관계는 다음과 같이 되어 있다. 먼저, 패드(404P)는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보아 대략 4변 형상을 갖도록 형성되어 있으며, 개구부(44H)의 평면에서 본 형상은 이것과 대략 서로 유사해지는 형상을 갖도록 형성되어 있다. 단, 전자의 면적은 후자의 면적보다 크다. 즉, 개구부(44H)의 개공면적은 패드(404P)의 면적에 비하여 작게 되어 있다. 한편, 상기 콘택트 홀(43H)은 도 7 에 나타내는 바와 같이, 개구부(44H)의 개공부분을 둘러싸도록, 또한 패드(404P)의 외주 형상을 따르도록 복수 형성되어 있다.

또한, 콘택트 홀(43H)은 후술하는 콘택트 홀(803, 804)과 동일한 기회에 개공하는 것이 바람직하며, 개구부(44H)는 후술하는 콘택트 홀(89)과 동일한 기회에개공하는 것이 바람직하다.

(적층구조ㆍ제 4 층 및 제 5 층 사이의 구성 -제 3 층간절연막-)

이상 설명한 상기 데이터선(6a) 위, 또한 용량배선(400) 등 및 패드(404P) 아래에는 NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화규소막이나 산화규소막 등, 또는 바람직하게는 TEOS 가스를 이용한 플라즈마 CVD 법으로 형성된 제 3 층간절연막(43)이 형성되어 있다. 이 제 3 층간절연막(43)에는 상기 용량배선(400)과 용량배선용 중계층(6a1)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(803), 및 제 3 중계전극(402)과 제 2 중계전극(6a2)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(804)이 각각 개공되어 있다.

(적층구조ㆍ제 6 층 그리고 제 5 층 및 제 6 층 사이의 구성 -화소전극 등-)

마지막으로, 제 6 층에는 상기 기술한 바와 같이 화소전극(9a)이 매트릭스 형상으로 형성되고, 이 화소전극(9a)상에 배향막(16)이 형성되어 있다. 그리고, 이 화소전극(9a) 아래에는 NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화규소막이나 산화규소막 등, 또는 바람직하게는 NSG 로 이루어지는 제 4 층간절연막(44)이 형성되어 있다. 이 제 4 층간절연막(44)에는 화소전극(9a) 및 상기 제 3 중계전극(402) 사이를 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(89)이 개공되어 있다. 화소전극(9a)과 TFT(30) 사이에는 이 콘택트 홀(89) 및 제 3 중계전극(402) 그리고 상기 기술한 콘택트 홀(804), 제 2 중계전극(6a2), 콘택트 홀(882), 중계전극(719), 콘택트 홀(881), 하부전극(71) 및 콘택트 홀(83)을 통하여 전기적으로 접속되게 된다. 더불어, 제 4 층간절연막(44)의 표면은 상기 기술한 바와 같이 CMP 처리 등의 평탄화 처리가 행해짐으로써 평탄화되어 있으며, 그 하방에 존재하는 각종 배선이나 소자 등에 의한 단차에 기인하는 액정층(50)의 배향 불량을 저감시킨다.

또한, 패드(404P)상에는 배향막(16)이 형성되어 있는데, 이 패드(404P)에 FPC(Flexible Printed Circuit) 기판의 단자와 접속할 때, FPC 기판의 단자가 배향막(16)을 돌파하여 전기적 접속이 확보된다. 이 전기적 접속은 이방성 도전막(ACF: Anisotropic Conductive Film)을 이용한 수법이 바람직하다. 또는, 적어도 TFT 어레이기판(10)과 대향기판(20)이 점합된 후, FPC 기판을 압착하여 고정하기 전에 O₂플라즈마 처리를 행하여 배향막(16)을 제거해도 된다.

[제 1 실시형태의 전기광학장치의 작용효과]

이상과 같은 구성이 되는 제 1 실시형태의 전기광학장치에 의하면, 특히 제 5 구성으로서 설명한 패드(404P) 내지는 외부회로 접속단자(102) 등과 관련하여 다음과 같은 작용효과가 나타나게 된다.

먼저 첫째, 패드(404P)의 표면은 제 4 층간절연막(44)의 표면과 이 제 4 층간절연막(44)의 두께만큼의 차이는 있으나, 대략 동등한 높이에 위치한다고 할 수 있으므로, 이러한 구조 위에 배향막(16)을 형성해도 이 배향막(16)에는 외부회로 접속단자(102)의 형성영역에 대응하여 가파른 요철이 형성될 우려가 매우 저감되어 있다(도 8 참조). 따라서, 제 1 실시형태에 의하면, 배향막(16)에 대한 러빙 처리를 실시할 때, 상기 요철에 기인하여 깎여진 부스러기가 발생하는 사태를 방지할 수 있다. 또한, 이로써 더욱 고품질의 화상을 표시할 수 있게 된다.

그리고, 제 1 실시형태에 있어서는 특히, 이러한 작용효과는 이하에 서술하는 구성 등에 의하여 지원되고 있다. 첫째, 제 1 실시형태에 있어서의 패드(404P)는 상기 기술한 바와 같이 용량배선(400)과 동일 막으로서 형성되어 있으며, 또한 이 용량배선(400)은 도 6 에 나타내는 바와 같이 화소전극(9a)의 바로 아래(즉, 제 4 층간절연막(44)만을 끼우고)에 형성되어 있으므로, 패드(404P)도 도 8 에 나타낸 바와 같이 적층구조 중, 화소전극(9a)의 바로 아래 층에 형성되게 되고, 패드(404P)의 표면과 제 4 층간절연막(44)의 표면을 더욱 적합하게 동등한 높이에 위치시킬 수 있게 된다. 둘째, 제 1 실시형태에 있어서는, 패드(404P)의 하방에 더미 주사선(11aP) 등등의 각종 더미 막이 형성되어 있음으로써, 이 더미 막이 고유하게 갖는 「높이」로 패드(404P)를 적층구조 중보다 상층에 위치시킬 수 있다. 만일, 더미 막이 없으면 화소영역으로부터 주변영역까지의 층간절연막(44)을 평탄화시키기 위하여, 더미 막이 존재하지 않는만큼 층간절연막(44)의 두께가 두꺼워져, 패드(404P)의 표면과 제 4 층간절연막(44)의 표면의 단차가 커진다. 이 제 1 실시형태에 의하면, 패드(404P)의 표면과 제 4 층간절연막(44)의 표면을 더욱 적합하게 동등한 높이에 위치시킬 수 있게 된다. 이상의 결과, 배향막(16)에 단차를 발생시키지 않고, 또한 이 배향막(16)에 러빙 처리를 실시할 때 문지르는 정도를 일정하게 할 수 있게 되고, 또는 이 배향막(16)의 깎여진 부스러기를 발생시키지 않는 등의 작용효과는 더욱 확실히 나타나게 된다.

한편, 제 1 실시형태의 전기광학장치에 의하여 나타나는 둘째 작용효과는 외부회로 접속단자(102) 및 그 주위가 도 8 위에서부터 순서대로 개구부(44H), 패드(404P), 콘택트 홀(43H) 및 배선(6aP)의 구조를 구비하고 있으므로, 패드(404P)에 외부로부터 공급된 각종 신호를 배선(6aP)을 통하여 TFT(30) 등에 안정적으로 공급할 수 있다. 이것은 패드(404P)가 도 8 에 나타내는 바와 같이 적층구조의 보다 상층에 형성되는 데 반해, TFT(30) 등이 도 6 에 나타내는 바와 같이 적층구조의 보다 하층에 형성되므로, 양자간을 직접적으로 연락하려면 비교적 깊은 콘택트 홀의 개공이 필요하게 되는데, 상기 기술한 바와 같이 제 1 실시형태에서는 더미 주사선(11aP), 더미 게이트전극(3aP), 더미 축적용량(70P)이 존재함으로써, 콘택트 홀(43H)은 비교적 얕은 콘택트 홀이 된다. 특히, 제 3 층간절연막(43)의 표면을 평탄화 처리하는 경우에는, 이들 더미 막이 존재하지 않으면 더미 막의 총 두께만큼 층간절연막(43)의 두께가 두꺼워지고, 콘택트 홀(43H)의 깊이가 더욱 깊어지게 된다. 제 1 실시형태에서는 패드(404P)와 배선(6aP)의 전기적 접속은 비교적 얕은 콘택트 홀(43H)에 의하여, 배선(6aP)과 TFT(30)의 전기적 접속은 그것과는 별개의 비교적 얕은 콘택트 홀에 의하여 행할 수 있게 된다. 따라서, 패드(404P)로부터 TFT(30) 등으로의 신호의 공급을 안정적으로 행할 수 있는 것이다. 특히, 그러한 비교적 깊은 콘택트 홀을 형성할 필요가 없다는 것은 해당 전기광학장치의 제조시간의 단축화를 도모할 수 있다는 큰 이점도 얻어지게 된다.

또한, 세째, 상기 개구부(44H), 콘택트 홀(43H), 및 패드(404P)의 배치관계에 의하여 다음과 같은 작용효과가 얻어진다. 즉, 제 1 실시형태에서는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 위에서부터 순서대로 개구부(44H)의 개구 형상에 일치하는 패드(404P)의 노출면이 보이고, 이 노출면의 주위를 둘러싸도록 콘택트 홀(43H)이 형성되어 있으며, 또한 그 외주를 둘러싸도록 패드(404P)의 변 가장자리부가 존재하는 형태가 실현되어 있다. 이러한 형태에 의하면 개구부(44H)의 개공시에 습식 에칭이 이용된 경우에, 이에 사용되는 에칭액이 콘택트 홀(43H)에 도달함으로써 이것에 단선 등의 피해를 줄 우려를 매우 저감시킬 수 있다.

이러한 작용효과를 도 9 의 설명도를 이용하여 좀더 상세히 설명한다. 여기서 도 9 는 도 8 과 동일한 취지의 단면도인데, 특히 개구부(44H), 패드(404P) 및 콘택트 홀(43H)의 배치관계에 대하여 상세히 나타내는 것으로, 9(a) 는 제 1 실시형태의 전기광학장치, 9(b) 는 그 비교예이다.

먼저, 비교예인 도 9(b) 에서는 개구부(44H')의 개구부의 면적이 패드(404P')의 면적과 동일하며, 콘택트 홀(43H')이 패드(404P')의 변 가장자리부를 따라 형성되어 있다. 이러한 구조에서는 개구부(44H')를 개공할 때 습식 에칭을 이용하면, 에칭액은 도 9(b) 중 화살표로 나타내는 바와 같이, 개구부(44H')의 바닥의 모퉁이부로부터 패드(404P')의 측면(양자는 공통의 면상에 존재함)을 타고 콘택트 홀(43H')에 용이하게 도달할 수 있게 된다. 따라서, 이 경우 콘택트 홀(43H')은 상기 에칭액에 의하여 침식될 우려가 매우 크고, 단선 등의 피해를 입을 가능성이 커진다.

그런데, 제 1 실시형태에 있어서는 도 9(a) 에 나타내는 바와 같이,개구부(44H)의 면적은 패드(404P)의 면적보다 작고, 콘택트 홀(43H)은 패드(404P)의 변 가장자리부를 따라 형성되어 있다. 이에 의하면, 상기 에칭액이 개구부(44H)의 바닥의 모퉁이부로부터 콘택트 홀(43H)까지 도달하는 거리는 상기 예에 비하여 매우 길어짐을 알 수 있다. 즉, 이 경우 상기 에칭액이 콘택트 홀(43H)에 도달하려면, 이 에칭액은 개구부(44H)의 측벽부분으로부터 패드(404P)의 가장자리 부분에 도달할 때까지 이 패드(404P)의 표면을 거치지 않으면 안된다(도 9(a) 중 실선 화살표 참조). 이와 같이, 제 1 실시형태에서는 패드(404P)가 소위 에칭액의 스토퍼 역할을 하게 되어, 이 에칭액이 콘택트 홀(43H)에 도달하는 사태를 거의 발생시키지 않을 수 있게 되는 것이다(도 9(a) 중 파선 화살표 참조).

따라서, 제 1 실시형태에 의하면, 개구부(44H)의 제조단계 등에 있어서 습식 에칭이 실시되는 경우라도, 이 습식 에칭에 사용되는 에칭액이 콘택트 홀(43H)에 도달함으로써 단선 등의 피해를 줄 우려는 매우 저감되어 있다고 할 수 있다. 반대로 말하면, 제 1 실시형태와 관련된 구조를 채택하면 패드(404P) 및 배선(6aP) 사이의 전기적 접속을 더욱 확실히 이룰 수 있다고 할 수 있다.

[제 2 실시형태]

이하에서는, 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여 도 10 및 도 11 을 참조하면서 설명한다. 여기서 도 10 및 도 11 은 각각 도 7 및 도 8 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 화소전극막과 동일 막으로 이루어지는 두께 조정막(9aP ; 이하, 단순히 「조정막 9aP」이라 함)이 형성되어 있는 점에서 상이하며, 도 10 은 평면도, 도 11 은 도 10 의 P2-P2' 단면도이다. 또한, 제 2 실시형태에서는 상기기술한 「전기광학장치」의 구성 및 작용에 대해서는 공통하는 부분(특히, 화소부에 있어서의 구성 등)을 많이 갖는다. 따라서, 이하에서는 이들 설명에 대해서는 생략하기로 하고, 주로 제 2 실시형태에 있어서 특징적인 부분에 대해서만 설명을 추가하기로 한다. 또한, 도 10 및 도 11 에 있어서 사용하는 부호는 도 7 및 도 8 에 나타난 요소와 본질적으로 다르지 않은 요소를 지시하는 한, 동일한 부호를 사용하기로 한다.

제 2 실시형태에서는 도 10 및 도 11 에 나타내는 바와 같이, 외부회로 접속단자(102A)는 화소전극(9a)과 동일 막으로서 형성된 조정막(9aP)을 구비하고 있다. 이 조정막(9aP)은 개구부(44H) 전체를 덮도록, 즉 패드(404P) 전체를 덮도록 형성되어 있다.

이러한 제 2 실시형태에 있어서도, 상기 제 1 실시형태와 동일한 작용효과가 대략 동일하게 나타남은 명백하다. 이에 더하여, 제 2 실시형태에서는 특히 조정막(9aP)이 형성되어 있으므로, 이 더미 화소전극(9aP)의 두께가 증가하는만큼 외부회로 접속단자(102A)와 제 4 층간절연막(44)의 표면을 대략 동일한 높이에 위치시킬 수 있다.

또한, 상기 제 1 실시형태에 있어서는 적층구조의 최상층에 배치되는 배향막(16)은 패드(404P)와 직접적으로 접촉하지 않으면 안되는 데 반해, 제 2 실시형태에서는 이 배향막(16)은 조정막(9aP)과 접하는 형태가 된다(도 11 참조). 따라서, 패드(404P)가 상기 기술한 바와 같이 예를 들면 알루미늄 등을 포함하는 경우에 있어서는, 이 패드(404P)와 배향막(16)의 밀착성은 상기 조정막(9aP)과 배향막(16)의 밀착성에 비하여 떨어지는 것으로 생각되어진다. 반대로 말하면, 제 2 실시형태에서는 이 배향막(16)과 관련된 밀착성을 높일 수 있는 것이다. 따라서, 제 2 실시형태에 의하면 배향막(16)에 대한 러빙 처리를 실시함으로써, 이 배향막(16)의 깎여진 부스러기를 발생시키는 사태 등을 더욱 억제할 수 있다.

또한, 도 11 에는 배향막(16)이 도시되어 있는데, 제 1 실시형태와 마찬가지로 패드(404P)에 EPC 기판의 단자와 접속할 때, FPC 기판의 단자가 배향막(16)을 돌파하여 전기적 접속이 확보된다. FPC 기판을 압착하여 고정시키기 전에, O₂플라즈마 처리를 행하여 배향막(16)을 제거하고 있다. 이후의 실시형태도 마찬가지이다.

[제 3 실시형태]

이하에서는, 본 발명의 제 3 실시형태에 대하여 도 12 및 도 13 을 참조하면서 설명한다. 여기서 도 12 및 도 13 은 각각 도 7 및 도 8 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 패드(404P)의 표면 전체면이 노출되어 있는 점에서 상이하며, 도 12 는 평면도, 도 13 은 도 12 의 P3-P3' 단면도이다. 또한, 제 3 실시형태에서는 상기 기술한 「전기광학장치」의 구성 및 작용에 대해서는 공통하는 부분, 특히 화소부에 있어서의 구성 등을 많이 갖는다. 따라서, 이하에서는 이들 설명에 대해서는 생략하기로 하고, 주로 제 3 실시형태에 있어서 특징적인 부분에 대해서만 설명을 추가하기로 한다. 또한, 도 12 및 도 13 에 있어서 사용하는 부호는 도 7 및 도 8 에 나타난 요소와 본질적으로 다르지 않은 요소를 지시하는 한,동일한 부호를 사용하기로 한다.

제 3 실시형태에서는 도 12 및 도 13 에 나타내는 바와 같이, 패드(404P)상의 제 4 층간절연막이 모두 소실되고, 이 패드(404P)의 도면 중 측방에 제 4 층간절연막(441)이 잔존하는 것뿐으로 되어 있고, 따라서 도 8 등에 있어서의 개구부(44H)가 존재하지 않는 형태로 되어 있다. 이로써, 외부회로 접속단자(102B)는 개구부(44H)로부터 외부에 노출된 패드(404P)를 갖는 구조를 취하지 않고, 패드(404P) 그 자체가 적층구조의 최상층에 일치함으로써 외부에 노출되는 구조가 된다. 이러한 구조는 예를 들면, 패드(404P)의 형성영역에 대하여 CMP 처리 등의 평탄화 처리를 진행시킴으로써 형성할 수 있다(후술하는 [제조방법] 의 항 참조].

이러한 제 3 실시형태에 있어서도, 상기 제 1 실시형태와 동일한 작용효과가 대략 동일하게 나타남은 명백하다. 이에 더하여, 제 3 실시형태에서는 특히 도면으로부터 명백하듯이, 외부회로 접속단자(102B)의 부분은 거의 완전한 평탄성을 구비하게 된다. 따라서, 배향막(16)에 대한 러빙 처리에 의하여 그 깎여진 부스러기를 발생시키는 사태 등은 더욱 확실히 방지되게 된다. 또한, 도 13 에 나타내는 바와 같은 구조를 실현하는데 상기 기술한 바와 같이 CMP 처리를 이용하는 경우에는, 패드(404P)를 해당 처리의 종점검출에 이용할 수 있다. 즉, CMP 처리의 실행종료시점은 패드(404P)가 나타나는지 나타나지 않는지에 기초하여 행할 수 있으므로, 종점검출을 위하여 특별한 요소를 만들어 넣을 필요 등이 없어, 제조상으로도 유리하다.

또한, 이 제 3 실시형태에 있어서는 도 6 에 나타낸 화소부에 대하여 이하와 같은 배려를 해 두면 된다. 즉, 제 3 실시형태에서는 상기 기술한 바와 같이 패드(404P)상의 제 4 층간절연막(44)을 소실시키므로, 이것과 동일 막으로서 형성되는 용량배선(400)도 외부에 노출되게 된다. 그러나, 그렇게 하면 해당 구조 위에 화소전극(9a)을 막형성하였을 때, 이 화소전극(9a)과 용량배선(400)의 단락을 발생시킬 가능성이 있다(도 6 중 왼쪽의 용량배선(400)의 단부 및 그 상방의 화소전극(9a) 참조). 따라서, 제 3 실시형태와 관련된 화소부에 있어서는, 예를 들면 도 14 에 나타내는 바와 같이 용량배선(400) 아래의 제 3 층간절연막(43) 등에 대한 평탄화 처리나, 데이터선(6a) 등의 매립에 의한 평탄화 처리 등을 실시하지 않고, 각 요소에 기인하는 단차를 오히려 잔존시키도록 하면 된다. 이것에 의하면, 패드(404P)를 외부에 노출시키기 위하여 제 4 층간절연막(44)에 대한 CMP 처리 등을 실시하면, 확실히 용량배선(400)도 외부에 노출되기는 하나, 이 용량배선(400)의 노출과 관련된 부분은 평면적으로 보아 화소전극(9a)과는 간섭하지 않는 장소에 있어서만 주로 존재하게 되므로, 용량배선(400) 및 화소전극(9a) 사이의 단락을 발생시키지 않게 할 수 있다. 또한, 이 경우에는 도 5 에 나타내는 바와 같이 용량배선(400) 및 화소전극(9a)을 평면적으로 서로 겹치도록 형성하는 대신에, 양자를 평면적으로 완전히 서로 겹치지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 용량배선(400)의 선폭이 도 5 에 나타내는 것보다 약간 좁아지도록 이 용량배선(400)을 형성하도록 하면 된다. 단, 평면적으로 보아 서로 겹치는 부분이 존재하더라도, 도 14 에 있어서의 부호 M 으로 나타내는 바와 같이, 용량배선(400) 및 화소전극(9a) 사이에서 단락의 우려가 없는 경우도 있다.

[제 4 실시형태]

이하에서는, 본 발명의 제 4 실시형태에 대하여, 도 15 내지 도 18 을 참조하면서 설명한다. 여기서 도 15 및 도 16 은 각각 도 7 및 도 8 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 제 4 층간절연막(44)에 개공되는 콘택트 홀의 형태의 점에서 상이하며, 도 15 는 평면도, 도 16 은 도 15 의 P4-P4' 단면도이다. 또한, 도 17 은 도 15 에 대한 변형형태, 도 18 은 도 16 에 대한 변형형태이다. 또한, 제 4 실시형태에서는 상기 기술한 「전기광학장치」의 구성 및 작용에 대해서는 공통하는 부분(특히 화소부에 있어서의 구성 등)을 많이 갖는다. 따라서, 이하에서는 이들 설명에 대해서는 생략하기로 하고, 주로 제 4 실시형태에 있어서 특징적인 부분에 대해서만 설명을 추가하기로 한다. 또한, 도 15 내지 도 18 에 있어서 사용하는 부호는 도 7 및 도 8 에 나타난 요소와 본질적으로 다르지 않은 요소를 지시하는 한, 동일한 부호를 사용하기로 한다.

제 4 실시형태에서는 도 15 및 도 16 에 나타내는 바와 같이, 외부회로 접속단자(102C)는 도 8 등에 있어서의 개구부(44H) 대신에, 개구부의 면적이 비교적 작은 콘택트 홀(44J)을 구비하고 있다. 이 콘택트 홀(44J)은 도 15 에 잘 나타나 있는 바와 같이, 패드(404P)의 형성영역의 범위에서 균등하게, 좀더 구체적으로는 매트릭스 형상으로 산재하듯이 복수 형성되어 있다. 더불어, 제 4 실시형태에 있어서 이들 복수의 콘택트 홀(44J)의 제 4 층간절연막(44)의 상면의 개구경(D)은 모두 동일한 개구경, 예를 들면 5[㎛], 또는 그보다 작은 직경으로 되어 있다.그 형상은 정방형이나 원형이다. 이들 콘택트 홀(44J)은 건식 에칭 또는 습식 에칭만으로 형성해도 되며, 건식 에칭과 습식 에칭의 조합으로 형성해도 된다.

또한, 제 4 실시형태에서는 상기와 같은 구조를 전제로 하여, 패드(404P)상에는 상기 제 2 실시형태와 마찬가지로, 콘택트 홀(44J)을 메우도록, 화소전극(9a)과 동일 막으로 이루어지는 화소전극막과 동일 막으로 이루어지는 두께 조정막(9aQ ; 이하, 단순히 조정막「9aQ」이라 함)이 형성되어 있다. 또한, 이 조정막(9aQ)은 본 발명의 제 3 전기광학장치에 있어서의 「도전막」의 일례에 해당한다.

이러한 제 4 실시형태에서는, 예를 들면 개구부(44H)의 개구면적이 패드(404P)의 면적과 거의 동등한 등의 경우(예를 들면, 도 10 및 도 11 참조)에 비하여 조정막(9aQ)이 콘택트 홀(44J)의 바닥쪽으로 움푹 패이는 일이 없다. 즉, 이러한 구조에서는 콘택트 홀(44J)이 제 4 층간절연막(44) 위에 형성된 조정막(9aQ)과의 관계에 있어서, 소위 기둥과 같은 기능을 발휘함으로써 이 조정막(9aQ)의 표면을 제 4 층간절연막(44)의 표면에 거의 일치시킬 수 있는 것이다. 따라서, 해당 구조 위(즉, 조정막(9aQ) 위)에 배향막(16)을 형성하였다 하더라도, 그 표면에 요철이 형성될 우려는 한층 저감되어 있어, 이 배향막(16)에 대한 러빙 처리에 의하여 그 깎여진 부스러기를 발생시킬 가능성은 현저히 감퇴되게 된다.

또한 제 4 실시형태에 있어서도, 상기 콘택트 홀(44J)을 형성할 때 습식 에칭을 실시하는 경우에는 제 1 실시형태의 설명시 참조한 도 9 와 동일한 작용효과가 얻어진다. 왜냐하면, 제 4 실시형태와 관련된 콘택트 홀(44J)도, 상기 개구부(44H)도, 제 2 콘택트 홀(43H)의 형성영역보다 내측에 형성되어 있음에는 변함이 없기 때문이다.

그리고, 제 4 실시형태에 있어서는 특히, 이러한 작용효과는 첫째, 콘택트 홀(44J)이 매트릭스 형상으로 산재되어 있으며, 둘째, 이 콘택트 홀(44J)의 개구경(D)이 5[㎛] 이하로 되어 있으므로, 더욱 확실히 효과가 나타나게 된다. 이들 구조에 의하면, 콘택트 홀(44J)이 상기 기둥과 같은 작용을 더욱 잘 발휘하기 때문이다.

또한, 이러한 제 4 실시형태와 관련하여, 본 발명에서는 도 15 및 도 16 과는 다른 다양한 형태를 채택할 수 있다. 예를 들면, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 콘택트 홀(44J)을 체크무의 형상으로 점재시켜 배치하는 형태로 해도 되며, 선 형상, 격자 형상으로 점재시켜도 된다. 또한, 콘택트 홀(43H)의 내측을 따라 사각형 형상으로 점재시켜도 된다. 이들 콘택트 홀(44J)은 콘택트 저항을 낮은 저항으로 할 수 있으면 충분하므로, 콘택트 홀의 수는 최대한 적게 하면 된다. 또한, 상기에서는 패드(404P)상에 형성되는 콘택트 홀에 대해서만 이 패드(404P)의 형성영역의 범위에서 점재하는 형태가 취해져 있었는데, 이와 동일한 사고방식을 도 18 에 나타내는 바와 같이, 패드(404P)와 배선(6aP)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀에 대해서도 적용할 수 있다. 즉, 이 구조에서는 도 8 등에 있어서의 콘택트 홀(43H) 대신에, 패드(404P) 및 배선(6aP) 사이를 전기적으로 접속하는 콘택트 홀(43J)이 형성되어 있으며, 이 콘택트 홀(43J)은 패드(404P)의 형성영역의 범위에서 복수 점재하도록 형성되어 있다. 이러한 구조에 의하면, 제 3 층간절연막(43)과 이 제 3 층간절연막(43)상에 형성된 패드(404P)의 관계에 있어서도, 상기 제 4 층간절연막(44) 및 조정막(9aQ)의 관계에서 얻어진 작용효과와 대략 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.

[제 5 실시형태]

이하에서는, 본 발명의 제 5 실시형태에 대하여, 도 19 및 도 20 을 참조하면서 설명한다. 여기서, 도 19 및 도 20 은 각각 도 7 및 도 8 과 동일한 취지의 도면이기는 하나, 제 3 층간절연막(43)에 콘택트 홀(43H)이 개공되어 있지 않은 점에서 상이하며, 도 19 는 평면도, 도 20 은 도 19 의 P5-P5' 단면도이다. 또한, 제 5 실시형태에서는 전술한 「전기광학장치」의 구성 및 작용에 대해서는 공통되는 부분, 특히 화소부에 있어서의 구성 등을 많이 갖는다. 따라서, 이하에서는 이들 설명에 대해서는 생략하기로 하고, 주로 제 4 실시형태에 있어서 특징적인 부분에 대해서만 설명을 추가하기로 한다. 또한, 도 19 및 도 20 에 있어서 사용하는 부호는 도 7 및 도 8 에 나타난 요소와 본질적으로 다르지 않은 요소를 지시하는 한, 동일한 부호를 사용하기로 한다.

제 5 실시형태에서는 도 19 및 도 20 에 나타내는 바와 같이, 외부회로 접속단자(102D)는 도 8 등에 있어서 배선(6aP) 및 패드(404P) 사이에 형성되어 있던 콘택트 홀(43H)이 존재하지 않는다. 따라서, 도 19 및 도 20 에서는 「배선(6aP)」은 존재하지 않고, 더미 데이터선(6aQ)이 존재하게 된다. 좀더 상세히 말하면, 도 19 및 도 20 에 있어서는 데이터선(6a)과 동일 막으로서 형성된 더미 데이터선(6aQ)은 존재하나, 이 더미 데이터선(6aQ)에는 패드(404Q)로부터는 이미 신호가 보내져 오지 않는다. 따라서, 이 경우의 더미 데이터선(6aQ)은 상기 기술한 더미 주사선(11aP) 등등과 마찬가지로, 패드(404Q)의 적층구조 중에 있어서의 높이를 취한다는 의미를 갖는 요소이기는 하나, 이미 「배선」으로서의 기능을 갖고 있지는 않는 것이다.

제 5 실시형태에 있어서는, 그 대신에 패드(404Q)가 상기에서 말하는 「배선(6aP)」의 역할을 겸하고 있다. 즉, 도 19 에 나타내는 바와 같이, 패드(404Q)에는 도면 중 오른쪽 방향으로 연장되는 배선(404R)이 연장형성되어 있으며, 이 배선(404R)은 도시하지 않은 이후, 최종적으로는 화상표시영역(10a)에 형성되는 데이터선(6a) 또는 TFT(30) 등과 전기적으로 접속되어 있다. 이에 더하여, 이 배선(404R)은 도 6 과의 대비로부터 명백하듯이, 화소전극(9a) 및 TFT(30) 각각에 전기적으로 접속된 축적용량(70)을 구성하는 용량배선(400)에 연장형성할 수 있다. 실제로, 제 5 실시형태에 있어서는 패드(404Q) 내지 배선(404R)은 용량배선(400)과 동일 막으로서 형성되어 있을(이 점에 대해서는, 상기 제 4 실시형태까지와 동일)뿐만 아니라, 그 적어도 일부(즉, 외부회로 접속단자(102D)가 복수 존재하는 것(패드(404Q)가 복수 존재하는 것)을 전제로 하여(도 1 참조), 「그 적어도 일부」)는 이 용량배선(400)과 전기적으로 연장형성되도록 형성되어 있다.

이러한 제 5 실시형태에서는, 상기 제 4 실시형태까지와 같이, 패드와 배선을 전기적으로 접속하기 위하여 콘택트 홀(43H) 등을 이용할 필요가 없다. 따라서, 제 5 실시형태에서는 패드(404Q)로부터 배선(404R) 내지 용량배선(400)으로신호를 공급할 때, 해당 신호가 상기 콘택트 홀(43H)의 저항 등에 의하여 둔화되는 등의 문제가 발생하지 않아, 이를 안정적으로 공급할 수 있게 된다. 특히, 제 5 실시형태와 같이 용량전극(300 ; 도 6 참조)에 접속 또는 연장형성야 하는 용량배선(400)이 외부회로 접속단자(102D)에 포함되는 패드(404Q)와 동일 막으로 이루어지고, 또한 연장형성되어 있는 경우에는, 해당 용량배선(400), 나아가서는 용량전극(300)에 안정적인 용량전위를 공급할 수 있다. 해당 용량전위는 통상 소정의 일정값을 취한다. 이로써, 이 용량전위의 변화에 기인하여 화상 위에 횡(橫)크로스토크를 발생시키는 등의 우려는 매우 저감되게 된다.

또한, 본 발명에 있어서는 이러한 제 5 실시형태와 상기 제 1 내지 제 4 실시형태를 하나의 전기광학장치에 있어서 실현할 수 있다. 즉, 외부회로 접속단자는 도 1 에 나타내는 바와 같이 통상 복수 형성되게 되는데, 그 중 몇개에 관해서는 제 5 실시형태의 구조를 취하고, 그 밖에 관해서는 제 1 내지 제 4 실시형태 중 어느 한 구조를 취하게 하는 것 등도 가능하다.

[상하도통단자에 대한 본 발명의 적용]

또한, 이상 설명한 각 실시형태에 있어서는 오로지 외부회로 접속단자에 포함되는 패드(404P) 등에 관한 구조에 대하여 설명하였는데, 본 발명은 그러한 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 각 실시형태는 도 1 및 도 2 를 참조하여 설명한 상하도통단자(106)에 대해서도 동일하게 적용하여 생각할 수 있다. 여기서 상하도통단자(106)는, 구체적으로는 예를 들면 도 21 에 나타내는 바와 같은 단면구조를 구비하고 있다(도 2 에 있어서의 해당 부분 참조).

도 21 에 있어서, 상하도통단자(106)는 패드(406)를 포함하고, 이 패드(406) 위에 형성된 개구부(44H2)를 포함하고 있다. 그리고, 이 패드(406)상에는 개구부(44H2)를 메우도록, 은가루 등을 페이스트 형상의 매질에 혼입시킨 도전성 입자(107)가 구비되어 있다. 이 도전성 입자(107)는 일측에서 패드(406)에 접하도록 배치되어 있으며, 타측에서 대향기판(20)상에 형성된 대향전극(21)에 접하도록 배치되어 있다. 이로써, 패드(406) 및 대향전극(21)은 항상 동일 전위에 있으며, 특히 패드(406)로부터 대향전극(21)으로 소정의 일정 전위 등을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 도전성 입자(107)는 TFT 어레이기판(10) 및 대향기판(20) 사이를 접착하기 위하여 형성된 봉합재(52 ; 도 1 및 도 2 도 참조) 중에 혼입되어 있다.

이러한 상하도통단자(106)는 도 21 과 도 8 등을 대비 참조하면 명백하듯이, 외부회로 접속단자(102) 등과 거의 동일한 구조를 구비하며, 또한 해당 전기광학장치의 외부에 전극을 노출시켜 신호 등을 공급한다는 동일한 기능을 담당하고 있음을 알 수 있다. 따라서, 이러한 상하도통단자(106)에 관해서도 상기 각 실시형태에서 설명한 바와 같은 각종 구성을 적용하는 것은 기본적으로 가능하며, 또한 적용하면 외부회로 접속단자(102)에 관하여 얻어진 것과 대략 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.

또한, 도 21 에 있어서는, 본 발명에서 말하는 「제 3 더미 막」으로서 더미 게이트전극(3aQ) 및 더미 주사선(11aQ)은 형성되어 있으나, 도 8 등에 나타낸 바와 같은 더미 축적용량(70P) 등은 형성되어 있지 않음이 나타나 있다. 이것은 본발명에서 말하는 「제 3 더미 막」이 화상표시영역(10a)에 형성되는 모든 요소에 대하여 형성할 필요가 없음을 나타내는 일례이다. 더미 축적용량(70P) 등이 존재하지 않으면 그 막두께만큼 단차가 발생하는데, 그 상층의 층간절연막을 두껍게 하여 평탄화 처리를 함으로써 보충할 수 있다.

또한, 패드(406)는 전술한 실시형태의 외부회로 접속단자(102)의 하나로서 접속되어 있다.

[제조방법]

이하에서는 특히, 상기 제 3 실시형태와 관련된 전기광학장치의 제조방법에 대하여 도 22 를 참조하면서 설명한다. 여기서 도 22 는 도 13 의 구조 중, 패드(404P)가 형성되는 시점부터 배향막(16)이 형성되기까지의 공정을 순서대로 나타낸 제조공정 단면도이다. 또한, 더미 주사선(11aP) 등의 제조방법에 대해서는 주사선(11a) 등의 제조방법과 동일하므로, 그 설명에 대해서는 생략하기로 한다. 또한, 도 22 에서는 제 3 층간절연막(43)까지의 제조는 완료되어 있는 것으로 한다.

도 22 에 있어서, 공정(1)에서는 제 3 층간절연막(43)상에 패드(404P)를 형성한다. 이 패드(404P)는 예를 들면, 먼저 알루미늄 등의 금속막을 스퍼터링에 의하여 약 100∼500㎚ 정도의 막두께로 형성한다. 그리고, 이 금속막에 대하여 패터닝 처리(포토리소그래피 및 에칭 공정)를 함으로써 소정 패턴을 부여한다. 다음으로, 질화티탄으로 이루어지는 전구막을 스퍼터링에 의하여 약 100∼500㎚ 정도의 막두께로 형성한다. 그리고, 이 전구막에 대하여 패터닝 처리를 함으로써, 상기와 동일한 소정 패턴을 부여한다. 여기서, 소정 패턴이란, 제 3 층간절연막(43)을 평면에서 본 경우에 용량배선(400), 제 3 중계전극(402) 및 패드(404P) 각각이 적절히 형성되도록 정해진다(도 5 및 도 7, 나아가서는 도 1 참조). 이 경우, 해당 패터닝 처리는 용량배선(400) 등과 패드(404P)가 전기적으로 분단되도록 실시된다. 또한, 알루미늄 등으로 이루어지는 금속막과 질화티탄으로 이루어지는 전구막에 대한 패터닝 처리는 상기와 같이 따로따로 실시할 필요는 없으며, 양자를 한번에 실시해도 된다.

다음으로, 공정(2)에서는 패드(404P)상에 제 4 층간절연막(441)의 전구막(441Z)을 형성한다. 좀더 구체적으로는, 예를 들면 TEOS(테트라ㆍ에틸ㆍ오르소ㆍ실리케이트)가스, TEB(테트라ㆍ에틸ㆍ보트레이트)가스, TMOP(테트라ㆍ메틸ㆍ옥시ㆍ포스레이트)가스 등을 이용한 상압 또는 감압 CVD 법 등을 실시함으로써, NSG(논 실리케이트 유리), PSG(인 실리케이트 유리), BSG(붕소 실리케이트 유리), BPSG(붕소 인 실리케이트 유리) 등의 실리케이트 유리막, 질화규소막이나 산화규소막 등으로 이루어지는 전구막(441Z)이 형성된다. 이 전구막(441Z)의 두께는 최저한 상기 패드(404P)의 두께를 초과할 필요가 있다. 구체적으로는 예를 들면, 약 1000∼2000㎚ 정도가 바람직하다.

다음으로, 공정(3)에서는 전구막(441Z)의 표면에 CMP 처리를 한다. 여기서 CMP 처리란, 일반적으로 피처리 기판과 연마포(패드)의 양자를 회전 등을 시키면서 각각의 표면끼리를 서로 맞닿게 하는 동시에, 해당 맞닿음부위에 실리카 입자 등을 함유한 연마액(슬러리)을 공급함으로써, 피처리 기판 표면을 기계적 작용과화학작용의 균형을 맞추어 연마함으로써 해당 표면을 평탄화시키는 기술이다. 본 실시형태에 있어서는, 상기 「피처리 기판」이 도 22 의 공정(2)에 나타나는 구조를 구비한 것이 해당하게 된다.

그리고, 본 실시형태에 있어서는 특히, 이러한 CMP 처리가 도 22 의 공정(3)에 나타내는 바와 같이, 패드(404P)의 표면에 이를 때까지 실행된다. 즉, 이 패드(404P)가 해당 CMP 처리의 종점검출에 이용되는 것이다. 구체적으로는, 패드(404P)의 형성영역에 해당하는 부분을 적당한 촬상수단 등에 의하여 감시하는 동시에, 이 촬상수단이 패드(404P)의 표면을 포착한 순간에 CMP 처리를 종료하는 등의 방법을 취할 수 있다.

기타 각종 방법을 채택할 수 있는데, 어느 방법이든 상기와 같은 CMP 처리를 실시함으로써 전구막(441Z)은 패드(404P)의 표면에 일치할 때까지 연마되게 된다(도면 중, 파선 참조). 그리고, 이로써 패드(404P)의 도면 중 측방에 제 4 층간절연막(441)이 잔존할 뿐인 구조를 비교적 용이하게 제조할 수 있다.

마지막으로, 공정(4)에서는 제 4 층간절연막(441) 및 패드(404P)상에 폴리이미드계 배향막(16)의 도포액을 도포한 후 소성하고, 소정의 프리틸트각을 갖도록, 또한 소정 방향에서 러빙 처리를 하는 등에 의하여 배향막(16)이 형성되게 된다. 그리고, 본 실시형태에 있어서는 이 배향막(16)의 러빙 처리를 실시할 때에는, 이 배향막(16)에는 요철이 거의 형성되어 있지 않으므로, 그 깎여진 부스러기를 발생시킬 가능성은 매우 저감되어 있는 것이다. 이상에 의하여, 도 22 의 공정(1)에서 공정(4)를 거쳐 제조된 전기광학장치에 있어서는, 상기와 같은 깎여진 부스러기가 화상표시영역(10a)에 섞여들어감으로써 화질의 열화가 발생하는 일이 거의 생기지 않아, 매우 고품질의 화상을 표시할 수 있다.

또한, 상기에 있어서는 도 12 및 도 13 에 나타낸 제 3 실시형태의 전기광학장치, 특히 그 외부회로 접속단자(102B)의 제조방법에 대하여 설명하였는데, 기타 실시형태와 관련된 전기광학장치 내지 외부회로 접속단자 등에 대해서도, 상기 방법과 거의 동일한 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 실시형태와 관련된 전기광착장치 내지 외부회로 접속단자(102)는 도 22 의 공정(2)까지는 완전히 동일하고, 도 22 의 공정(3) 대신에 제 4 층간절연막(44 ; 공정(2)에서는 전구막(441Z)으로 되어 있는데, 제 1 실시형태 등의 전기광학장치에서는 이 전구막(441Z)이 그대로 「제 4 층간절연막(44)」이 된다)에 반응성 이온 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 건식 에칭 등을 실시함으로써, 개구부(44H)를 개공할 수 있다. 또한 이 때, 이 개구부(44H)의 개구 형상을 조정하기 위하여 습식 에칭이 실시될 수 있음은 이미 설명한 바와 같다. 또한, 개구부(44H)를 개공한 후의 제 4 층간절연막(44)에 대하여, 상기와 동일한 CMP 처리를 하고 그 후 배향막(16)을 형성하면, 제 1 실시형태의 전기광학장치 내지 외부회로 접속단자(102)가 제조되게 된다.

(전자기기)

다음으로, 이상 상세히 설명한 전기광학장치를 라이트 벌브로서 이용한 전자기기의 일례인 투사형 컬러표시장치의 실시형태에 대하여, 그 전체 구성 특히 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기서, 도 23 은 투사형 컬러표시장치의 도시적 단면도이다.

도 23 에 있어서, 본 실시형태에 있어서의 투사형 컬러표시장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는 구동회로가 TFT 어레이기판상에 탑재된 액정장치를 포함하는 액정모듈을 3 개 준비하고, 각각 RGB 용 라이트 벌브(100R, 100G, 100B)로서 사용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는 메탈 할라이드 램프 등의 백색광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발해지면, 3장의 미러(1106) 및 2장의 다이클로익 미러(1108)에 의하여 RGB 의 삼원색에 대응하는 광성분(R, G, B)으로 나뉘어져, 각 색에 대응하는 라이트 벌브(100R, 100G, 100B)로 각각 안내된다. 이 때 특히, B 광은 긴 광로에 의한 광손실을 막기 위하여, 입사렌즈(1122), 릴레이렌즈(1123) 및 출사렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이렌즈계(1121)를 통하여 안내된다. 그리고, 라이트 벌브(100R, 100G, 100B)에 의하여 각각 변조된 삼원색에 대응하는 광성분은 다이클로익 프리즘(1112)에 의하여 다시 합성된 후, 투사렌즈(1114)를 통하여 스크린(1120)에 컬러화상으로서 투사된다.

또한, 전기광학장치로서 액정장치 외, 전자 페이퍼 등의 전기영동장치, EL(Electro-Luminescence) 표시장치 등의 전기광학장치에도 적용할 수 있다.

본 발명은 전술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구범위 및 명세서 전체에서 파악되는 발명의 요지 또는 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하며, 그러한 변경을 수반하는 전기광학장치 및 그 제조방법 그리고 전자기기도 역시 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.

층 두께가 다른 영역을 최대한 없앰으로써 배향막상의 단차를 없애고, 또는 외부회로 접속단자의 형성영역을 가능한 한 평탄하게 하여 러빙할 때 발생하는 배향막의 깎여진 부스러기를 최대한 발생시키지 않도록 함으로써, 더욱 고품질의 화상을 표시할 수 있는 전기광학장치 및 그 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 그러한 전기광학장치를 구비하는 전자기기를 제공한다.

Claims (23)

1. 전기광학장치로서,

   상기 전기광학장치는 접속단자부를 포함하고,

   상기 접속단자부는,

   기판상에 형성되어 평탄화 처리된 제 1 절연막;

   상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막;

   상기 제 1 절연막상에 형성되어 평탄화 처리된 제 2 절연막; 및

   상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에 형성되고 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   화상표시영역에 배치된 스위칭소자;

   상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 데이터선;

   상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 화소전극;

   상기 화소전극의 화소전위에 전기적으로 접속되는 화소전위측 용량전극 및 상기 화소전위측 용량전극에 절연막을 통하여 대향배치된 고정전위측 용량전극으로 이루어지는, 축적용량; 및

   상기 데이터선보다 상층에 형성되어 상기 고정전위측 용량전극에 전기적으로접속된 용량선을 더 구비하고,

   상기 용량선은 상기 제 1 절연막상에 형성되고, 상기 제 1 도전막은 상기 용량선의 막과 동일 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 접속단자부에 대응한 상기 제 1 절연막의 하층에는 상기 화상표시영역에 적층된 배선 또는 전극의 막과 동일 막의 도전막이 형성되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 도전막은 상기 외부회로와 접속하기 위한 기판에 접속되는 접속단자의 표면을 이루는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 절연막의 상면은 상기 제 1 도전막의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 절연막의 개구부를 통하여 상기 제 1 도전막과 도통하는 제 2 도전막을 갖는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 2 도전막은 상기 외부회로와 접속하기 위한 기판에 접속되는 접속단자부의 표면을 이루는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 2 절연막의 개구부는 복수의 제 1 콘택트 홀로 구성되며, 상기 제 1 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 상기 제 2 도전막이 도통하는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 복수의 제 1 콘택트 홀은 적어도 상기 제 1 도전막에 점재하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 제 1 도전막은 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선에 도통되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선은 상기 제 1 절연막상에 형성되고, 상기 제 1 도전막의 막과 동일 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
12. 제 10 항에 있어서,

    상기 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선은 상기 제 1 절연막의 하층의 제 3 절연막상에 형성되고, 제 2 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 도통되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 제 2 콘택트 홀은 상기 제 1 도전막의 주위 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 제 2 콘택트 홀은 상기 제 2 절연막과 겹치는 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
15. 제 12 항에 있어서,

    상기 제 2 콘택트 홀은 상기 제 1 도전막에 점재하도록 복수 형성되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
16. 제 12 항에 있어서,

    상기 데이터선은 상기 제 3 절연막상에 형성되고, 상기 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선은 상기 데이터선의 막과 동일 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
17. 제 1 항에 있어서,

    상기 기판에 대향하여 대향전극을 갖는 대향기판; 및

    상기 제 1 도전막의 막과 동일 막의 패드를 구비하고,

    상기 대향전극과 상기 패드는 도통단자를 통하여 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
18. 전기광학장치로서,

    접속단자부; 및

    상기 제 1 절연막의 하층의 제 3 절연막상에 형성되고 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 도통하는 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선을 포함하며,

    상기 접속단자부는,

    기판상에 형성된 제 1 절연막;

    상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막;

    상기 제 1 절연막상에 형성되어 평탄화 처리된 제 2 절연막;

    상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에 형성되고 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
19. 제 18 항에 있어서,

    상기 제 2 절연막의 상면은 상기 제 1 도전막의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 전기광학장치.
20. 화상표시영역에 배치된 스위칭소자;

    제 1 절연막상에 형성되어 상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 데이터선;

    상기 스위칭소자에 전기적으로 접속된 화소전극;

    상기 화소전극의 화소전위에 접속되는 화소전위측 용량전극 및 상기 화소전위측 용량전극에 절연막을 통하여 대향배치된 고정전위측 용량전극으로 이루어지는, 축적용량;

    상기 데이터선보다 상층의 제 2 절연막상에 형성되어 상기 고정전위측 용량전극에 전기적으로 접속된 용량선;

    상기 용량선상에 제 3 절연막;

    접속 단자부; 및

    상기 제 1 절연막상에 상기 데이터선의 막과 동일 막으로 형성되고, 콘택트 홀을 통하여 상기 제 1 도전막과 도통하여 내부회로에 전기적으로 접속되는 배선을 구비하며,

    상기 접속단자부는,

    상기 제 2 절연막상에 상기 용량선의 막과 동일 막으로 형성되고 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막; 및

    상기 제 3 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역에 상기 제 1 도전막에 달하는 개구부를 포함하는 것을 포함하는 전기광학장치.
21. 기판상에 제 1 절연막을 형성하여 상기 제 1 절연막의 표면을 평탄화 처리하는 공정;

    상기 제 1 절연막상에 형성되어 외부회로와의 신호를 전송하기 위한 제 1 도전막을 형성하는 공정;

    상기 제 1 절연막 및 상기 제 1 도전막상에 제 2 절연막을 형성하여 평탄화 처리하는 공정; 및

    상기 제 2 절연막의 상기 제 1 도전막에 대응하는 영역을 제거하고, 상기 제 1 도전막을 개구하는 공정을 포함하여,

    접속단자부를 형성하는 것을 특징으로 하는 전기광학장치의 제조방법.
22. 제 21 항에 있어서,

    상기 제 1 도전막은 화상표시영역에 형성되는 용량선과 동시에 형성하고, 상기 제 2 도전막은 상기 화상표시영역에 형성되는 데이터선과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 전기광학장치의 제조방법.
23. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재된 전기광학장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기.