JP3778195B2 - 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3778195B2 JP3778195B2 JP2003352677A JP2003352677A JP3778195B2 JP 3778195 B2 JP3778195 B2 JP 3778195B2 JP 2003352677 A JP2003352677 A JP 2003352677A JP 2003352677 A JP2003352677 A JP 2003352677A JP 3778195 B2 JP3778195 B2 JP 3778195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- interlayer
- substrate
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
層間膜下側配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンの直上に形成され表面が平坦化された層間膜と、
前記複数の層間膜下側配線パターンの一部に対応して、前記平坦化された層間膜に形成
された複数のコンタクトホールと、
前記基板と前記複数の層間膜下側配線パターンとの間に設けられ、前記複数のコンタク
トホールの各々の領域に対応した厚みが同一又は略同一である積層膜と、
を備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る平坦化層を有する基板は、素子形成領域及び前記素子形成領域以外の配線層領域において、夫々成膜パターンが形成される複数の成膜層と、
前記複数の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、
前記層間膜のうちの平坦化された層間膜の直下の成膜層に形成される複数の層間膜下側
配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンと前記平坦化された層間膜の上層の成膜パターンとの間を接続するために前記平坦化された層間膜に形成される複数のコンタクトホールと、
前記複数のコンタクトホールの下方のうちの複数の位置であって前記複数の層間膜下側配線パターンの下層の1つ以上の成膜層に夫々形成されて前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の位置を制御する複数のダミーパターンとを具備し、
前記複数のダミーパターンは、前記素子形成領域及び前記配線層領域における前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の垂直位置を一致させるように前記複数の層間膜下側配線パターンの下方に相互に独立して形成されることを特徴とする。
また、本発明に係る平坦化層を有する基板は、基板表面の一部にへこみのある基板上において、前記へこみの領域及びその他の領域に配置された成膜層で形成された複数の層間膜下側配線パターンと、前記複数の層間膜下側配線パターンの上に形成され表面が平坦化された層間膜と、前記複数の層間膜下側配線パターンの一部に対応して、前記平坦化された層間膜に形成された複数のコンタクトホールと、前記コンタクトホールの下側に設けられ、前記基板と前記複数の層間膜下側配線パターンとの間に設けられた積層膜とを備え、
前記その他の領域における前記コンタクトホールの領域の前記積層膜の厚みと、前記へこみの領域における前記コンタクトホールの領域の前記積層膜の厚みから前記基板表面の法線方向の前記へこみ量を差し引いた値とが同一又は略同一であることを備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る平坦化層を有する基板は、素子形成領域及び前記素子形成領域以外の配線層領域において、夫々成膜パターンが形成される複数の成膜層と、前記複数の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、前記層間膜のうちの平坦化された層間膜の下の成膜層に形成される複数の層間膜下側配線パターンと、前記複数の層間膜下側配線パターンと前記平坦化された層間膜の上層の成膜パターンとの間を接続するために前記平坦化された層間膜に形成される複数のコンタクトホールと、前記複数のコンタクトホールの下方のうちの複数の位置であって前記複数の層間膜下側配線パターンの下層の1つ以上の成膜層に夫々形成されて前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の位置を調整する複数のダミーパターンとを具備し、前記複数のダミーパターンは、前記素子形成領域及び前記配線層領域における前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の垂直位置を一致させるように前記複数の層間膜下側配線パターンの下方に形成されることを特徴とする。
前記へこみの領域及びその他の領域の少なくとも一方に配置された成膜層で形成された複数の層間膜下側配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンの直上に形成され表面が平坦化された層間膜と、
前記複数の層間膜下側配線パターンの一部に対応して、前記平坦化された層間膜に形成された複数のコンタクトホールと、
前記基板と前記複数の層間膜下側配線パターンとの間に設けられ、前記複数のコンタクトホールの各々の領域に対応した厚みから基板表面の法線方向の前記へこみ量を差し引いた値が同一又は略同一である積層膜と、
を備えたことを特徴とする。
液晶装置は、図2及び図3に示すように、素子基板であるTFT基板10と対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。TFT基板10上には画素を構成する画素電極(ITO)9a等がマトリクス状に配置される。また、対向基板20上には全面に対向電極(ITO)21が設けられる。図4は画素を構成するTFT基板10上の素子の等価回路を示している。
この走査線11aは、平面的にみて、図6のX方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線11aは、図6のX方向に沿うように延びる本線部と、データ線6a或いはシールド層400が延在する図6のY方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線11aから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線11aは1本1本分断された形となっている。
さらに、TFT30を構成する半導体層1aは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層1aを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
また、蓄積容量70は、図6の平面図に示すように、画素電極9aの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため(換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため)、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能である。
窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。このうちデータ線6aが、比較的低抵抗な材料たるアルミニウムを含むことにより、TFT30、画素電極9aに対する画像信号の供給を滞りなく実現することができる。他方、データ線6a上に水分の浸入をせき止める作用に比較的優れた窒化シリコン膜が形成されることにより、TFT30の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。窒化シリコン膜は、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。窒化チタン層は、シールド層用中継層6a1、第2中継電極6a2に対して形成するコンタクトホール803,804のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。
また、シールド層用中継層6a1及び第2中継電極6a2上に、水分の浸入をせき止める作用に比較的優れたプラズマ窒化膜が形成されることにより、TFT30の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。尚、プラズマ窒化膜としては、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
シール材52は、TFT基板10の1辺の一部において欠落しており、貼り合わされたTFT基板10及び対向基板20相互の間隙には、液晶50を注入するための液晶注入口108が形成される。液晶注入口108より液晶が注入された後、液晶注入口108を封止材109で封止するようになっている。
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を図1及び図8乃至図10を参照して説明する。図1は画素領域及び配線層領域の断面構造を示し、図8及び図9は画素領域における製造工程を工程順に示し、図10は製造方法を示すフローチャートである。
ここでまず、第3層間絶縁膜43の直上には、例えばアルミニウム等の低抵抗な材料から下層膜を形成し、次いで、この下層膜上に、例えば窒化チタン等その他後述の画素電極9aを構成するITOと電蝕を生じない材料から上層膜を形成し、最後に、下層膜及び上層膜をともにパターニングすることで、2層構造を有するシールド層400が形成される。なお、この際、シールド層400とともに、第3中継電極402もまた形成される。
こうして、これらのコンタクトホールの長さを一致させて1回のエッチング工程によって確実に同時開孔させる。また、ダミーパターンを形成して層間膜下側配線パターンの垂直位置を比較的高く制御していることから、コンタクトホールの長さは比較的短くなり、アスペクト比を小さくなってコンタクト特性は向上する。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図14は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
Claims (8)
- 基板表面の一部にへこみのある基板上において、
前記へこみの領域及びその他の領域に配置された成膜層で形成された複数の層間膜下側配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンの上に形成され表面が平坦化された層間膜と、
前記複数の層間膜下側配線パターンの一部に対応して、前記平坦化された層間膜に形成された複数のコンタクトホールと、
前記コンタクトホールの下側に設けられ、前記基板と前記複数の層間膜下側配線パターンとの間に設けられた積層膜とを備え、
前記その他の領域における前記コンタクトホールの領域の前記積層膜の厚みと、前記へこみの領域における前記コンタクトホールの領域の前記積層膜の厚みから前記基板表面の法線方向の前記へこみ量を差し引いた値とが同一又は略同一であることを備えたことを特徴とする平坦化層を有する基板。 - 素子形成領域及び前記素子形成領域以外の配線層領域において、夫々成膜パターンが形成される複数の成膜層と、
前記複数の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、
前記層間膜のうちの平坦化された層間膜の下の成膜層に形成される複数の層間膜下側配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンと前記平坦化された層間膜の上層の成膜パターンとの間を接続するために前記平坦化された層間膜に形成される複数のコンタクトホールと、
前記複数のコンタクトホールの下方のうちの複数の位置であって前記複数の層間膜下側配線パターンの下層の1つ以上の成膜層に夫々形成されて前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の位置を調整する複数のダミーパターンとを具備し、
前記複数のダミーパターンは、前記素子形成領域及び前記配線層領域における前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の垂直位置を一致させるように前記複数の層間膜下側配線パターンの下方に形成されることを特徴とする平坦化層を有する基板。 - 前記複数のダミーパターンは、前記平坦化された層間膜の表面から前記複数の層間膜下側配線パターンまでの前記複数のコンタクトホールを、1回の層間膜除去工程によって開孔するように、前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の位置を独立して調整することを特徴とする請求項2に記載の平坦化層を有する基板。
- 前記複数のダミーパターンは、前記複数の層間膜下側配線パターンの下方に、相互に同一の成膜層の成膜パターンで形成されることを特徴とする請求項2に記載の平坦化層を有する基板。
- 前記複数のダミーパターンは、前記複数の層間膜下側配線パターンの下方の前記各コンタクトホールに対応した位置に形成される前記成膜パターン及び前記層間膜の膜厚の和を一致させるように形成されることを特徴とする請求項2に記載の平坦化層を有する基板。
- 前記複数のコンタクトホールは前記平坦化された層間膜に対するエッチングによって除去され、
前記複数のダミーパターンは、前記複数の層間膜下側配線パターンのいずれかに対する許容可能なオーバーエッチング分だけのマージンを有して前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の垂直位置を調整することを特徴とする請求項2に記載の平坦化層を有する基板。 - 素子形成領域及び前記素子形成領域以外の配線層領域を備える平坦化層を有する基板の製造方法であって、
積層される複数の成膜層の各成膜パターンの形成工程と夫々同一工程で、1つ以上の成膜層の1つ以上の位置に複数のダミーパターンを相互に独立されるように前記配線層領域に形成する工程と、
形成された成膜層上に層間膜を形成する工程と、
前記複数の成膜層のうちの配線層に複数の層間膜下側配線パターンを形成する工程と、
前記配線層上に形成された層間膜を平坦化する工程と、
平坦化された前記層間膜に前記複数の層間膜下側配線パターンと上層の複数の成膜パターンとを接続する複数のコンタクトホールを前記ダミーパターンの上方の複数の位置に形成する工程とを具備し、
前記ダミーパターンは、前記平坦化された前記層間膜の表面から前記複数の層間膜下側配線パターンまでの前記複数のコンタクトホールを、1回の層間膜除去工程によって開孔するように、前記素子形成領域及び前記配線層領域における前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の垂直位置を一致させることを特徴とする平坦化層を有する基板の製造方法。 - 平面的には格子状に配設される複数のデータ線及び複数の走査線の各交差に対応して画素電極の成膜パターンが形成される画素領域の画素電極層と、
前記複数のデータ線の成膜パターンが形成される第1の成膜層と、
前記複数の走査線の成膜パターン及び前記画素電極に信号を供給するためのスイッチング素子の成膜パターンが形成される第2の成膜層と、
前記画素電極層、前記第1の成膜層及び前記第2の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、
前記層間膜のうちの平坦化された層間膜の下の成膜層であって前記第1の成膜層、前記第2の成膜層又はその他の成膜層のいずれかの成膜層に形成される複数の層間膜下側配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンと前記平坦化された層間膜の上層の成膜パターンとの間を接続するために前記平坦化された層間膜に形成される複数のコンタクトホールと、
前記複数のコンタクトホールの下方の複数の位置であって前記複数の層間膜下側配線パターンの下層の1つ以上の成膜層に夫々形成されて前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の位置を調整する複数のダミーパターンとを具備し、
前記複数のダミーパターンは、前記画素領域及び前記画素領域以外の配線層領域における前記複数の層間膜下側配線パターンの表面の垂直位置を一致させるように前記複数の層間膜下側配線パターンの下方に形成されることを特徴とする電気光学装置用基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003352677A JP3778195B2 (ja) | 2003-03-13 | 2003-10-10 | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 |
US10/752,008 US7095550B2 (en) | 2003-03-13 | 2004-01-07 | Substrate having a planarization layer and method of manufacture therefor, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
TW093101770A TW200424645A (en) | 2003-03-13 | 2004-01-27 | Substrate with flattening layer and manufacturing method thereof, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment |
CNB2004100046919A CN1327271C (zh) | 2003-03-13 | 2004-03-11 | 基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备 |
KR1020040016713A KR100605774B1 (ko) | 2003-03-13 | 2004-03-12 | 평탄화층을 갖는 기판 및 그 제조 방법, 전기 광학 장치용기판, 전기 광학 장치, 및 전자기기 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003068335 | 2003-03-13 | ||
JP2003352677A JP3778195B2 (ja) | 2003-03-13 | 2003-10-10 | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003352944A Division JP2005115294A (ja) | 2003-10-10 | 2003-10-10 | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004295073A JP2004295073A (ja) | 2004-10-21 |
JP3778195B2 true JP3778195B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=33161465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003352677A Expired - Fee Related JP3778195B2 (ja) | 2003-03-13 | 2003-10-10 | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7095550B2 (ja) |
JP (1) | JP3778195B2 (ja) |
KR (1) | KR100605774B1 (ja) |
CN (1) | CN1327271C (ja) |
TW (1) | TW200424645A (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8053777B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-11-08 | General Electric Company | Thin film transistors for imaging system and method of making the same |
JP4973024B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2012-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US9645457B2 (en) | 2006-11-22 | 2017-05-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Array substrate, display device, and method for manufacturing the array substrate |
US20090321775A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Ghulam Hasnain | LED with Reduced Electrode Area |
US20100270668A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Wafer-Level Packaging Portfolio Llc | Dual Interconnection in Stacked Memory and Controller Module |
JP5849489B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2016-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、投射型表示装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
JP4973820B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2012-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
CN104813386B (zh) * | 2012-11-30 | 2017-05-31 | 夏普株式会社 | Tft基板 |
CN103928453B (zh) * | 2013-01-11 | 2016-09-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
CN103107135B (zh) * | 2013-02-19 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置 |
JP6255728B2 (ja) * | 2013-06-17 | 2018-01-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び設計プログラム |
CN103928472A (zh) * | 2014-03-26 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
CN110783443B (zh) * | 2019-10-24 | 2020-12-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件模块 |
CN113552753B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-01-23 | 南京京东方显示技术有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备 |
US11966544B2 (en) | 2022-07-29 | 2024-04-23 | Apple Inc. | Data line shielding for electronic device displays with touch sensors |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226475A (ja) | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3608808B2 (ja) | 1992-10-08 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 液晶ライトバルブ及び液晶表示パネル |
JP2555947B2 (ja) | 1993-08-31 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0792477A (ja) | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0968718A (ja) | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Pioneer Video Corp | 反射型液晶表示装置 |
JPH09162281A (ja) | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平坦化多層配線およびその製造方法 |
US5982470A (en) | 1996-08-29 | 1999-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having dummy electrodes with interleave ratio same on all sides |
JP3691196B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-08-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3188411B2 (ja) | 1996-10-18 | 2001-07-16 | キヤノン株式会社 | 反射型液晶装置用画素電極基板、該画素電極基板を用いた液晶装置及び該液晶装置を用いた表示装置 |
JP3767154B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
JP2000081636A (ja) | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP3304298B2 (ja) | 1998-02-27 | 2002-07-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2000023113A (ja) | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 番組情報編成装置 |
JP3592535B2 (ja) | 1998-07-16 | 2004-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3941246B2 (ja) | 1998-07-22 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3777857B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2006-05-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP3895507B2 (ja) | 1999-09-30 | 2007-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 基板装置及びこれを備えた電気光学装置 |
JP3915861B2 (ja) | 2000-01-14 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3596471B2 (ja) | 2000-03-27 | 2004-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
JP2001308336A (ja) | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板およびその検査方法 |
JP3800927B2 (ja) | 2000-05-26 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶基板の製造方法並びに液晶基板、液晶装置用基板及び液晶装置 |
JP4051190B2 (ja) | 2000-10-31 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置用基板および測定システム |
JP3783707B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2006-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 検査素子付基板並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 |
-
2003
- 2003-10-10 JP JP2003352677A patent/JP3778195B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-07 US US10/752,008 patent/US7095550B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-27 TW TW093101770A patent/TW200424645A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-11 CN CNB2004100046919A patent/CN1327271C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-12 KR KR1020040016713A patent/KR100605774B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200424645A (en) | 2004-11-16 |
TWI304142B (ja) | 2008-12-11 |
CN1327271C (zh) | 2007-07-18 |
US7095550B2 (en) | 2006-08-22 |
JP2004295073A (ja) | 2004-10-21 |
KR20040081359A (ko) | 2004-09-21 |
KR100605774B1 (ko) | 2006-08-01 |
US20040207087A1 (en) | 2004-10-21 |
CN1530701A (zh) | 2004-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3783707B2 (ja) | 検査素子付基板並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 | |
JP3767590B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
US7403237B2 (en) | Electro-optical device with electrolytic corrosion preventing film and multiple relay electrodes | |
JP3938112B2 (ja) | 電気光学装置並びに電子機器 | |
JP3778195B2 (ja) | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 | |
JP2007199188A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP3925549B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2004317728A (ja) | アライメントマーク付き基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置 | |
JP4400088B2 (ja) | 電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置 | |
JP4385817B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4218494B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
JP2005115294A6 (ja) | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 | |
JP4251045B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
JP2005115294A (ja) | 平坦化層を有する基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 | |
JP3815469B6 (ja) | 検査素子付き電気光学装置用基板の製造方法及び検査素子付き基板の製造方法 | |
JP3815469B2 (ja) | 検査素子付き電気光学装置用基板の製造方法及び検査素子付き基板の製造方法 | |
JP2004302382A (ja) | 電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置 | |
JP4147996B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法 | |
JP2004191930A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2005086005A (ja) | 基板及びその製造方法並びに電気光学装置 | |
JP4211517B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005086004A (ja) | 基板及びその製造方法並びに電気光学装置 | |
JP2004281544A (ja) | 平坦化モニタパターン付き基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置 | |
JP2005017361A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2004341336A (ja) | 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310 Year of fee payment: 8 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |