CN113552753B - 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备 - Google Patents

阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113552753B
CN113552753B CN202110836154.4A CN202110836154A CN113552753B CN 113552753 B CN113552753 B CN 113552753B CN 202110836154 A CN202110836154 A CN 202110836154A CN 113552753 B CN113552753 B CN 113552753B
Authority
CN
China
Prior art keywords
array substrate
film layer
openings
type
terminal wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110836154.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113552753A (zh
Inventor
黄安
雷金波
蒋学兵
邵贤杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Boe Display Technology Co ltd
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Boe Display Technology Co ltd
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Boe Display Technology Co ltd, BOE Technology Group Co Ltd filed Critical Nanjing Boe Display Technology Co ltd
Priority to CN202110836154.4A priority Critical patent/CN113552753B/zh
Publication of CN113552753A publication Critical patent/CN113552753A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113552753B publication Critical patent/CN113552753B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357—Planarisation layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，方法包括：在第一膜层上制备平坦化的有机膜层，第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔，以得到第一阵列基板；在第一阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板；在第二阵列基板上TFT开关基础膜层上制备预定膜层，以得到第三阵列基板；采用全连版的APR版对第三阵列基板进行配向处理，以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板；在第四阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。

Description

阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备
技术领域
本公开涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备。
背景技术
现有周边黑Mura(不均匀)发生机理：在印刷过程中(即涂覆配向膜的工艺，将PI液通过版酮旋转延展均匀后再通过APR版将配向膜转印至Pattern面板上的过程)，版胴对基板施加压力，Main PI Pattern(主PI图案)内部受力均一，但由于Pattern之间存在Slit(狭缝)，如图1所示，图1中每个Pattern都是分开的，导致PI膜都是分开的，Pattern边缘受力或形变与面内不同，导致PI Pattern边缘印刷不均并扩散回流，最终PI膜厚度不均匀导致周边Mura现象。
发明内容
有鉴于此，本公开实施例提出了一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，用以解决现有技术的如下问题：非连版的APR版中Pattern边缘受力或形变与面内不同，导致PI Pattern边缘印刷不均并扩散回流，最终PI膜厚度不均匀导致周边Mura现象。
一方面，本公开实施例提出了一种阵列基板的制造方法，包括：在第一膜层上制备平坦化的有机膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔，以得到第一阵列基板，其中，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方，所述第二类开孔位于所述端子走线区域中各个端子走线的间隙位置；在所述第一阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板；在所述第二阵列基板上所述TFT开关基础膜层对应的全部有机膜层上制备预定膜层，以得到第三阵列基板；采用全连版的APR版对所述第三阵列基板进行配向处理，以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板，其中，所述全连版的APR版图案与图案之间不存在间隙；在所述第四阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。
在一些实施例中，所述预定膜层至少包括像素层。
在一些实施例中，所述第一类开孔的尺寸大于所述第二类开孔的尺寸。
在一些实施例中，所述第一类开孔的深度小于所述第二类开孔的深度。
在一些实施例中，所述第一类开孔的爬坡角小于所述第二类开孔的爬坡角。
另一方面，本公开实施例提出了一种阵列基板，所述阵列基板通过本公开任一实施例所述的阵列基板的制造方法制造得到，包括：第一膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；在所述第一膜层中所述TFT开关基础膜层上设置的平坦化的有机膜层，其中，所述平坦化的有机膜层设置有第一类开孔，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方；在所述平坦化的有机膜层上设置的预定膜层；在所述预定膜层上设置的PI膜层。在一些实施例中，所述预定膜层至少包括像素层。
另一方面，本公开实施例提出了一种显示面板，包括本公开任一实施例所述的阵列基板。
另一方面，本公开实施例提出了一种电子设备，包括本公开任一实施例所述的显示面板。
本公开实施例提供的阵列基板的制造方法解决了PI膜在Pattern边缘涂覆不均造成的周边Mura的问题，尤其是显示面板端子走线区域与像素显示区域之间的边缘的周边Mura问题；本公开实施例的工艺方法不仅能够消除Pattern边缘的周边Mura，提升了面板的显示画质，而且还保护了端子走线区域的裸露金属在工艺中免受机械或化学损伤，从而保证后续压接bongding工艺能够正常进行。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的非连接APR版的示意图；
图2为本公开实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图；
图3为本公开实施例提供的为开孔后的阵列基板的正视图；
图4为本公开实施例提供的为全连版的APR版的示意图；
图5为本公开实施例提供的阵列基板加工流程截面示意图；
图6为本公开实施例提供的阵列基板的界面示意图。
附图标记：
1-衬底，2-第一膜层，3-有机膜层，4-预定膜层，5-PI膜层，21-TFT开关基础膜层，22-端子走线区域，211-第一类开孔，221-第二类开孔，222-端子走线。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法，其流程如图2所示，包括步骤S201至S206：
S201，在第一膜层2上制备平坦化的有机膜层3，其中，第一膜层2包括：TFT开关基础膜层21和端子走线区域22。
S202，采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔211和第二类开孔221，以得到第一阵列基板，其中，第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方，第二类开孔位于端子走线区域中各个端子走线的间隙位置。
具体实现时，第一类开孔的尺寸大于第二类开孔的尺寸；第一类开孔的深度小于第二类开孔的深度；第一类开孔的爬坡角小于第二类开孔的爬坡角。
如图3所示，为开孔后的阵列基板的正视图，由图中可以看出，第一类开孔211的尺寸大于第二类开孔221的尺寸，且第二类开孔221位于端子走线区域11中各个端子走线222的间隙位置。
S203，在第一阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板。
S204，在第二阵列基板上TFT开关基础膜层对应的全部有机膜层上制备预定膜层4，以得到第三阵列基板。
其中，上述预定膜层至少包括像素层。
S205，采用全连版的APR版对第三阵列基板进行配向处理，以得到具有厚度均一PI膜层5的第四阵列基板，其中，全连版的APR版图案与图案之间不存在间隙。
如图4所示，为全连版的APR版的示意图，图中整个APR版中间均无间隙。
S206，在第四阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。
上述阵列基板的制造方法每一步骤加工后得到的阵列基板如图5所示。
本公开实施例提供的阵列基板的制造方法解决了PI膜在Pattern边缘涂覆不均造成的周边Mura的问题，尤其是显示面板端子走线区域与像素显示区域之间的边缘的周边Mura问题；本公开实施例的工艺方法不仅能够消除Pattern边缘的周边Mura，提升了面板的显示画质，而且还保护了端子走线区域的裸露金属在工艺中免受机械或化学损伤，从而保证后续压接bongding工艺能够正常进行。
本公开实施例阵列基板在形成TFT开关各膜层后形成一层平坦化的有机膜，有机膜覆盖整片阵列基板，包括压接的端子走线区域；利用黄光工艺在有机膜上形成开孔，在像素显示区形成大开孔，位置位于TFT上方，大开孔保证后配向工艺PI液可以流入ORG孔(即大开孔)内(常规情况下PI液就需要流入有机膜孔内，不然在打背光情况下会造成漏光的不良)，在端子走线区域形成小开孔，小开孔要比像素显示区的开孔要小，小开孔位于端子走线的间隙位置，这样小开孔的深度要比大开孔深(因为大开孔是做在Source线上的，而小开孔位于端子金属走线间隙，端子走线间隙无任何金属，显然小开孔的深度要比大开孔深)，小开孔的Taper角要比大开孔Taper角大(Taper角即是爬坡角，制程工艺中当有机孔做小后爬坡角会自然变大，该开孔角度与曝光工艺相匹配)，受PI液粘滞性的影响，在PI工艺中小孔处无法涂覆PI膜导致小孔暴露在空气中；形成有机孔后对端子走线区域的所有有机膜进行全面曝光但不显影(曝光的目的是为了让有机膜变性，从结构上来看没有变化，但有机膜内部的化学成分发生变化，使得有机膜能够被后续使用的显影液刻蚀)；形成阵列基板其他预定膜层(例如COM、Pixel等必要膜层)；利用全连版的APR版对阵列基板进行面板的配向，以使得端子走线区域的PI膜厚度和显示区的PI膜厚度均相同，不会存在Pattern边缘PI膜厚不均的现象，防止了显示面板周边黑Mura的发生；形成配向膜后再利用显影技术将端子走线区域的有机膜以及有机膜上的PI膜同时显影掉，即可裸露出端子走线区域，以便于后续工艺。
具体实现时，非连版的APR版在Pattern与Pattern之间存在间隙，在间隙处Pattern受力或形变与面内不同，导致Pattern边缘印刷不均并扩散回流，最终膜厚不均导致周边Mura现象，并且在常规情况下端子走线处是一定不能连版的，这样在端子走线处印刷时必然会造成受力不均的现象；然而，全连版APR就不会存在这个问题，全连版整个APR版中间均无间隙，受力均匀，保证了PI膜涂覆厚度的均一性。
本公开实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板通过本公开上述实施例提供的阵列基板的制造方法制造得到，该阵列基板的结构示意如图6所示，包括：
设置在衬底1上的第一膜层2，其中，第一膜层2包括：TFT开关基础膜层21和端子走线区域22；在第一膜层中TFT开关基础膜层上设置的平坦化的有机膜层3，其中，平坦化的有机膜层设置有第一类开孔，第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方；在平坦化的有机膜层上设置的预定膜层4；在预定膜层上设置的PI膜层5。
具体实现时，预定膜层至少包括像素层，例如COM、Pixel等。
本公开实施例还提供了一种显示面板，其至少包括本公开上述实施例提供的阵列基板。在另一个实施例中，本公开实施例还提供了一种电子设备，至少包括本公开上述实施例提供的显示面板。无论是显示面板还是电子设备，其使用的阵列基板均是采用本公开上述实施例提供的阵列基板的制造方法制造得到的，此处不再赘述。
此外，尽管已经在本文中描述了示例性实施例，其范围包括任何和所有基于本公开的具有等同元件、修改、省略、组合(例如，各种实施例交叉的方案)、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释，并不限于在本说明书中或本申请的实施期间所描述的示例，其示例将被解释为非排他性的。因此，本说明书和示例旨在仅被认为是示例，真正的范围和精神由以下权利要求以及其等同物的全部范围所指示。
以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外，在上述具体实施方式中，各种特征可以被分组在一起以简单化本公开。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反，本公开的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而，以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本公开的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。
以上对本公开多个实施例进行了详细说明，但本公开不限于这些具体的实施例，本领域技术人员在本公开构思的基础上，能够做出多种变型和修改实施例，这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。

Claims (6)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在第一膜层上制备平坦化的有机膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；
采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔，以得到第一阵列基板，其中，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方，所述第二类开孔位于所述端子走线区域中各个端子走线的间隙位置；所述第一类开孔的尺寸大于所述第二类开孔的尺寸；所述第一类开孔的深度小于所述第二类开孔的深度；所述第一类开孔的爬坡角小于所述第二类开孔的爬坡角；所述第一类开孔构造为能够使配向工艺的PI液流入；所述第二类开孔构造为无法覆盖PI膜；
在所述第一阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板；
在所述第二阵列基板上所述TFT开关基础膜层对应的全部有机膜层上制备预定膜层，以得到第三阵列基板；
采用全连版的APR版对所述第三阵列基板进行配向处理，PI液流入所述第一类开孔，所述第二类开孔未覆盖PI膜并暴露在空气中，以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板，其中，所述全连版的APR版图案与图案之间不存在间隙；
在所述第四阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述预定膜层至少包括像素层。
3.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法制造得到，包括：
第一膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；
在所述第一膜层中所述TFT开关基础膜层上设置的平坦化的有机膜层，其中，所述平坦化的有机膜层设置有第一类开孔，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方；
在所述平坦化的有机膜层上设置的预定膜层；
在所述预定膜层上设置的PI膜层。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述预定膜层至少包括像素层。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求3或4所述的阵列基板。
6.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求5所述的显示面板。
CN202110836154.4A 2021-07-23 2021-07-23 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备 Active CN113552753B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110836154.4A CN113552753B (zh) 2021-07-23 2021-07-23 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110836154.4A CN113552753B (zh) 2021-07-23 2021-07-23 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113552753A CN113552753A (zh) 2021-10-26
CN113552753B true CN113552753B (zh) 2024-01-23

Family

ID=78132619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110836154.4A Active CN113552753B (zh) 2021-07-23 2021-07-23 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113552753B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1530701A (zh) * 2003-03-13 2004-09-22 ������������ʽ���� 基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备
WO2013159542A1 (zh) * 2012-04-27 2013-10-31 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置
CN105425477A (zh) * 2016-01-06 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
WO2016112663A1 (zh) * 2015-01-13 2016-07-21 京东方科技集团股份有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN105974676A (zh) * 2016-07-22 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 配向层的制造方法、液晶显示面板及显示装置
CN111665665A (zh) * 2020-07-17 2020-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106298811B (zh) * 2016-09-28 2018-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1530701A (zh) * 2003-03-13 2004-09-22 ������������ʽ���� 基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备
WO2013159542A1 (zh) * 2012-04-27 2013-10-31 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2016112663A1 (zh) * 2015-01-13 2016-07-21 京东方科技集团股份有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN105425477A (zh) * 2016-01-06 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
CN105974676A (zh) * 2016-07-22 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 配向层的制造方法、液晶显示面板及显示装置
CN111665665A (zh) * 2020-07-17 2020-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113552753A (zh) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9958747B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
CN107039352B (zh) Tft基板的制作方法及tft基板
US9709864B2 (en) Array substrate and its manufacturing method and display device
US8581252B2 (en) Active device array substrate, color filter substrate and manufacturing methods thereof
US11538883B2 (en) OLED display panel and OLED device with wire overlying step in via-holes, and manufacturing method thereof
US10608021B2 (en) TFT substrate manufacturing method and TFT substrate
US20190113800A1 (en) Color Filter Substrate and Method for Manufacturing the Same, Display Panel and Display Device
US20190011790A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN104777665A (zh) 黑色矩阵的制作方法
CN109935516B (zh) 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN106992149A (zh) Tft基板的制作方法
US20180088373A1 (en) Array Substrate and Method for Manufacturing the Same, and Display Apparatus
CN108269736B (zh) 通过光阻剥离实现电极层图案化的方法
EP3657241B1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN105842980B (zh) 掩膜板及设计方法、阵列基板及制作方法、相关显示装置
CN113552753B (zh) 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备
US7438947B2 (en) Color filter process
KR20080046604A (ko) 어레이 기판, 표시장치 및 그 제조 방법
US10522571B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same
US10429698B2 (en) Method for fabricating array substrate, array substrate and display device
EP3369112A1 (en) Display substrate, display device containing the same, and method for fabricating the same
US9780120B2 (en) Method for manufacturing array substrate, array substrate thereof and display device
JP3462666B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
CN114171456A (zh) 像素电极的制备方法、阵列基板以及显示面板
KR100850379B1 (ko) 고개구율 액정표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant