CN111665665A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过在衬底上形成目标膜层，目标膜层在朝向芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且该凹陷结构所处的位置与芯片绑定区所处的位置相对应，以使得阵列基板中的配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域。通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，防止配向膜涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，以避免液晶显示装置出现黑屏。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，近年来得到飞速的发展，已经成为市场上显示器的主流，随着LCD的不断发展，高屏占比逐渐成为市场的主流，为了提高屏占比，需要将液晶显示装置的边框设置得越来越窄。
目前，液晶显示装置需要配向膜来实现对液晶的配向，受到制作精度的影响，配向膜的EM值(即配向膜边缘与显示区域之间的距离值)的最大极限值为1.85mm，最小极限值为0.385mm；此外，当液晶显示装置的边框变窄时，待绑定芯片所在的芯片绑定区与显示区域之间的距离也变窄，如当显示装置的边框为3.15mm时，通常需要将芯片绑定区与显示区域之间的距离设置成1.42mm。因此，芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值可能会大于芯片绑定区与显示区域之间的距离，当芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值大于芯片绑定区与显示区域之间的距离时，配向膜会涂覆至芯片绑定区，后续将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片会与配向膜接触。
然而，配向膜容易吸收水汽，配向膜吸收的水汽会使得待绑定芯片的引脚腐蚀，导致液晶显示装置出现黑屏。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有的芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值较大，使得配向膜容易涂覆至芯片绑定区，进而导致液晶显示装置出现黑屏的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种阵列基板，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；
所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；
其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。
可选的，所述目标膜层为所述配向膜，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。
可选的，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为曲线。
可选的，所述凹陷结构在第一方向上的深度为0.2mm至0.5mm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度与所述配向膜的厚度相等；
其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。
可选的，所述目标膜层为有机膜层，在所述有机膜层上还设置有所述配向膜；
所述凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向。
可选的，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为封闭图形。
可选的，所述凹陷结构在第一方向上的宽度为20μm至30μm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度小于或等于所述有机膜层的厚度；
其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。
可选的，所述配向膜的厚度为0.08μm至0.15μm。
可选的，所述有机膜层的厚度为1μm至3μm。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括待绑定芯片以及上述的显示面板。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底；所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；
在所述衬底上形成目标膜层；所述目标膜层延伸至所述非显示区域；
其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。
可选的，所述在所述衬底上形成目标膜层的步骤，包括：
采用APR(Asahikasei Photosensitive Resin，感光性树脂)版在所述衬底上形成所述配向膜；所述APR版具有所述凹陷结构对应的凹陷图案，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。
可选的，所述在所述衬底上形成目标膜层的步骤，包括：
采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层；所述有机膜层具有的凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向；
在所述采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层的步骤之后，还包括：
在所述有机膜层上形成所述配向膜。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
在本发明实施例中，通过在衬底上形成目标膜层，而目标膜层在朝向非显示区域内的芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且该凹陷结构所处的位置与芯片绑定区所处的位置相对应，以使得阵列基板中的配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域。通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，使得芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值小于或等于芯片绑定区与显示区域之间的距离，即使得配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域，则配向膜不会涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，因此，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。
附图说明
图1示出了现有的一种阵列基板的结构示意图；
图2示出了本发明实施例的一种阵列基板的结构示意图；
图3示出了图2所示的阵列基板沿截面A-A’的剖视图；
图4示出了本发明实施例的另一种阵列基板的结构示意图；
图5示出了图4所示的阵列基板沿截面B-B’的剖视图；
图6示出了图3所示的阵列基板对应的显示装置的结构示意图；
图7示出了图5所示的阵列基板对应的显示装置的结构示意图；
图8示出了本发明实施例的一种阵列基板的制作方法的流程图；
图9示出了采用APR版制作配向膜的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，目前，阵列基板包括衬底11和形成在衬底11上的配向膜12，衬底11被划分为显示区域111和围绕显示区域111的非显示区域112。后续在将阵列基板与彩膜基板对盒之后，还需要在非显示区域112内的芯片绑定区设置待绑定芯片13，将待绑定芯片13与阵列基板中的金属走线(如数据线)绑定。
现有的阵列基板中的配向膜12在朝向芯片绑定区的一侧为平面结构，由于芯片绑定区对应的位置处，配向膜12的下层有金属走线，金属走线会使得芯片绑定区对应位置处的配向膜12更容易扩散，进而导致芯片绑定区对应位置处的配向膜12的EM值，大于其他位置处的配向膜12的EM值。
因此，当液晶显示装置的边框变窄时，芯片绑定区与显示区域111之间的距离也变窄，导致芯片绑定区对应位置处的配向膜12的EM值更容易大于芯片绑定区与显示区域111之间的距离，配向膜12会涂覆至待绑定芯片13所在的芯片绑定区，后续将待绑定芯片13与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片13会与配向膜12接触，然后将ACF(AnisotropicConductive Film，各向异性导电胶)刺穿配向膜12，通过ACF实现待绑定芯片13与配向膜12下层的金属走线的绑定。然而，配向膜12容易吸收水汽，吸收的水汽会使得待绑定芯片13的引脚腐蚀，导致液晶显示装置出现黑屏。
因此，本发明实施例通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，使得芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值小于或等于芯片绑定区与显示区域之间的距离，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，因此，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。
实施例一
参照图2，示出了本发明实施例的一种阵列基板的结构示意图，图3示出了图2所示的阵列基板沿截面A-A’的剖视图；图4示出了本发明实施例的另一种阵列基板的结构示意图，图5示出了图4所示的阵列基板沿截面B-B’的剖视图。
本发明实施例提供了一种阵列基板20，包括衬底21，衬底21被划分为显示区域211和围绕显示区域211的非显示区域212，非显示区域212包括芯片绑定区213；阵列基板20还包括设置在衬底21上的目标膜层，目标膜层延伸至非显示区域212；其中，目标膜层在朝向芯片绑定区213的一侧具有凹陷结构30，且凹陷结构30所处的位置与芯片绑定区213所处的位置相对应，以使得阵列基板20中的配向膜22在衬底21上的正投影与芯片绑定区213不存在重合区域。
在实际产品中，衬底21包括第一基板、形成在第一基板上的薄膜晶体管，以及与薄膜晶体管的漏极连接的像素电极等。
在本发明实施例中，目标膜层可以为配向膜22或有机膜层23，目标膜层的第一部分位于显示区域211，目标膜层的第二部分位于非显示区域212，即目标膜层延伸至非显示区域212。
其中，非显示区域212包括芯片绑定区213，后续在将阵列基板20与彩膜基板对盒之后，还需要在非显示区域212内的芯片绑定区213设置待绑定芯片40，将待绑定芯片40与阵列基板20中的金属走线绑定。
通过在芯片绑定区213对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构30，以减小芯片绑定区213对应位置处的配向膜22的EM值，使得芯片绑定区213对应位置处的配向膜22的EM值小于或等于芯片绑定区213与显示区域211之间的距离，即使得配向膜22在衬底21上的正投影与芯片绑定区213不存在重合区域，则配向膜22不会涂覆至芯片绑定区213，后续再将待绑定芯片40与阵列基板20中的金属走线绑定时，待绑定芯片40无需与配向膜22接触，因此，避免了配向膜22吸收的水汽导致待绑定芯片40的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。
需要说明的是，凹陷结构30所处的位置与芯片绑定区213所处的位置相对应，具体指的是：凹陷结构30沿第一方向上的中轴线与芯片绑定区213沿第一方向上的中轴线重合，第一方向为沿着非显示区域212至显示区域211的方向。
如图2和图3所示，目标膜层为配向膜22，凹陷结构30的凹陷方向为沿着非显示区域212至显示区域211的方向，凹陷结构30的开口朝向芯片绑定区213。
在本发明实施例中，直接将配向膜22在朝向芯片绑定区213的一侧制作成凹陷结构30，且凹陷结构30的凹陷方向为沿着非显示区域212至显示区域211的方向，因此，在芯片绑定区213对应的位置处，配向膜22的边缘与显示区域211之间的距离值减小，即配向膜22的EM值减小，相应的，配向膜22的边缘与芯片绑定区213之间的距离增大，则配向膜22不会涂覆至芯片绑定区213。
如图3所示，d3表示配向膜22的EM值，d1表示衬底21的边缘与显示区域211之间的距离值，即液晶显示装置的边框宽度，d2表示芯片绑定区213与显示区域211之间的距离值。
例如，当液晶显示装置的边框宽度d1为3.15mm时，通常需要将芯片绑定区213与显示区域211之间的距离值d2设置成1.42mm，现有技术中，配向膜22的EM值的最大设计值为1.35mm，最小设计值为0.35mm，但是，受到制作精度的限制，实际制作过程中的配向膜22的EM值d3最大极限值为1.85mm，最小极限值为0.385mm，而本发明实施例通过在芯片绑定区213对应的位置处，将配向膜22的EM值d3减小，保证配向膜22的EM值d3小于或等于芯片绑定区213与显示区域211之间的距离值d2，即保证配向膜22的EM值d3小于或等于1.42mm。
需要说明的是，在实际制作过程中，图2所示的阵列基板20不包括待绑定芯片40，待绑定芯片40是将阵列基板20与彩膜基板对盒之后，才设置在阵列基板20中的衬底21上的，图2中示出的待绑定芯片40，仅仅是为了示出待绑定芯片40所处的芯片绑定区213的位置，以及体现凹陷结构30与待绑定芯片40的尺寸关系。
在本发明实施例中，当目标膜层为配向膜22时，凹陷结构30在衬底21上的正投影为曲线，具体的，曲线可以为图2所示的弧线。
在实际制作过程中，仅仅是在芯片绑定区213对应的位置处，将配向膜22设置成凹陷结构30，在配向膜22朝向芯片绑定区213的一侧，除凹陷结构30外，配向膜22还包括第一凸起结构221和第二凸起结构222。第一凸起结构221分别与凹陷结构30和配向膜22的其中一个侧面连接，第二凸起结构222分别与凹陷结构30和配向膜22的另外一个侧面连接，第一凸起结构221和第二凸起结构222的凸起方向为沿着显示区域211至非显示区域212的方向，第一凸起结构221和第二凸起结构222在衬底21上的正投影也为曲线；并且，第一凸起结构221和第二凸起结构222与凹陷结构30连接的位置处为平滑的曲面。
将配向膜22朝向芯片绑定区213的一侧的第一凸起结构221、凹陷结构和第二凸起结构222均设置成曲面，即第一凸起结构221、凹陷结构和第二凸起结构222在衬底21上的正投影均为曲线，使得配向膜22的成膜厚度更加均匀。若将第一凸起结构221、凹陷结构和第二凸起结构222在衬底21上的正投影均设置成直线段，则配向膜22朝向芯片绑定区213的一侧会具有多个直角倒角，在涂覆配向膜22的材料时，配向膜22的材料容易向具有直角倒角的位置处流动，则在具有直角倒角的位置处配向膜22的材料会发生堆积，使得形成的配向膜22的厚度不均，配向膜22的厚度不均会影响液晶的取向，进而导致不同区域的显示亮度不均，因此，将第一凸起结构221、凹陷结构和第二凸起结构222在衬底21上的正投影均设置为曲线，以提高不同区域的显示亮度均匀性。
此外，针对配向膜22，除了朝向芯片绑定区213的一侧，配向膜22的其他侧均为平面结构。
在本发明实施例中，当目标膜层为配向膜22时，凹陷结构30在第一方向上的深度W1为0.2mm至0.5mm；凹陷结构30在第二方向上的长度L2与待绑定芯片40在第二方向上的长度L1之间的差值为3mm至5mm，且凹陷结构30的长度L2大于待绑定芯片40的长度L1；凹陷结构30在垂直于衬底21的方向上的高度H1与配向膜22的厚度相等；其中，第一方向为沿着非显示区域212至显示区域211的方向，第二方向与第一方向垂直，且第二方向与衬底21所在的平面平行。
如图4和图5所示，目标膜层为有机膜层23，在有机膜层23上还设置有配向膜22，凹陷结构30的凹陷方向为垂直于衬底21的方向，凹陷结构30的开口朝向垂直于衬底21的方向。
在本发明实施例中，在制作得到衬底21之后，在衬底21上额外制作一层有机膜层23，并将有机膜层23在朝向芯片绑定区213的一侧制作成凹陷结构30，该凹陷结构30实际上为凹槽，且该凹陷结构30的凹陷方向为垂直于衬底21的方向。
因此，后续在有机膜层23上涂覆配向膜22的材料时，多余的配向膜22的材料会流入至该凹陷结构30内，防止配向膜22的材料流至芯片绑定区213，从而在芯片绑定区213对应的位置处，减小了配向膜22的边缘与显示区域211之间的距离值，即减小配向膜22的EM值减小。此时，配向膜22在朝向芯片绑定区213的一侧为平面结构。
如图5所示，d3表示配向膜22的EM值，d1表示衬底21的边缘与显示区域211之间的距离值，即液晶显示装置的边框宽度，d2表示芯片绑定区213与显示区域211之间的距离值。
需要说明的是，在实际制作过程中，图4所示的阵列基板20不包括待绑定芯片40，待绑定芯片40是将阵列基板20与彩膜基板对盒之后，才设置在阵列基板20中的衬底21上的，图4中示出的待绑定芯片40，仅仅是为了示出待绑定芯片40所处的芯片绑定区213的位置，以及体现凹陷结构30与待绑定芯片40的尺寸关系。
在本发明实施例中，当目标膜层为有机膜层23时，凹陷结构30在衬底21上的正投影为封闭图形。
具体的，该封闭图形可以为图4所示的矩形，当然，该封闭图形也可以为圆形、椭圆形、三角形、梯形、五边形等其他形状。
在本发明实施例中，当目标膜层为有机膜层23时，凹陷结构30在第一方向上的宽度W2为20μm至30μm；凹陷结构30在第二方向上的长度L2与待绑定芯片40在第二方向上的长度L1之间的差值为3mm至5mm，且凹陷结构30的长度L2大于待绑定芯片40的长度L1；凹陷结构30在垂直于衬底21的方向上的高度H2小于或等于有机膜层23的厚度；其中，第一方向为沿着非显示区域212至显示区域211的方向，第二方向与第一方向垂直，且第二方向与衬底21所在的平面平行。
在本发明实施例中，配向膜22的厚度为0.08μm至0.15μm，例如，配向膜22的厚度可以为0.11μm。当目标膜层为配向膜22时，凹陷结构30在垂直于衬底21的方向上的高度H1为0.08μm至0.15μm，而配向膜22的材料为PI(Polyimide，聚酰亚胺)。
此外，有机膜层23的厚度为1μm至3μm，例如，有机膜层23的厚度可以为2.4μm。当目标膜层为有机膜层23时，凹陷结构30在垂直于衬底21的方向上的高度H2小于或等于有机膜层23的厚度，例如，当有机膜层23的厚度为1μm时，凹陷结构30在垂直于衬底21的方向上的高度H2小于或等于1μm；当有机膜层23的厚度为2μm时，凹陷结构30在垂直于衬底21的方向上的高度H2小于或等于2μm。而有机膜层23的材料可以为树脂。
在本发明实施例中，通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，使得芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值小于或等于芯片绑定区与显示区域之间的距离，即使得配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域，则配向膜不会涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，因此，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示面板，包括上述实施例一所述的阵列基板20。
关于阵列基板20的具体描述可以参照实施例一的描述，本发明实施例对此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，如图6和图7所示，包括待绑定芯片40以及上述的显示面板，待绑定芯片40设置在阵列基板20中的衬底21上，与阵列基板20中的金属走线绑定。
其中，该显示面板还包括彩膜基板50，彩膜基板50包括衬底基板51和设置在衬底基板51上的配向膜层52，衬底基板52包括第二基板以及形成在第二基板上的黑矩阵和色组层，此外，衬底基板52还包括形成在第二基板上的公共电极。
此外，显示面板还包括设置在陈列基板20和彩膜基板50之间的液晶层。
如图6和图7所示，d4表示彩膜基板50中的衬底基板51的边缘与显示区域211之间的距离值，d5为彩膜基板50中的衬底基板51的边缘与阵列基板20中的衬底21的边缘之间的距离值。
例如，当液晶显示装置的边框宽度d1为3.15mm时，彩膜基板50中的衬底基板51的边缘与显示区域211之间的距离值d4为1.1mm，彩膜基板50中的衬底基板51的边缘与阵列基板20中的衬底21的边缘之间的距离值d5为2.05mm。
在实际产品中，待绑定芯片40实际上为源极驱动IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片，而阵列基板52中的金属走线实际上为数据线，待绑定芯片40具体位于阵列基板20的DP(Data Pad，数据线压接区域)侧。
在本发明实施例中，显示装置为液晶显示装置，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的窄边框产品或部件。
在本发明实施例中，通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，使得芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值小于或等于芯片绑定区与显示区域之间的距离，即使得配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域，则配向膜不会涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，因此，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。
实施例三
参照图8，示出了本发明实施例的一种阵列基板的制作方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤801，提供一衬底；所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区。
在本发明实施例中，首先，制作衬底21，该衬底21被划分为显示区域211和围绕显示区域211的非显示区域212，非显示区域212包括芯片绑定区213。
具体的，衬底21包括第一基板、形成在第一基板上的薄膜晶体管，以及与薄膜晶体管的漏极连接的像素电极，在实际制作过程中，在第一基板上先形成薄膜晶体管，然后，形成与薄膜晶体管的漏极连接的像素电极，以得到衬底21。
步骤802，在所述衬底上形成目标膜层；所述目标膜层延伸至所述非显示区域。
在本发明实施例中，然后，在衬底21上形成目标膜层，该目标膜层可以为配向膜22或有机膜层23，且该目标膜层延伸至非显示区域212。
其中，目标膜层在朝向芯片绑定区213的一侧具有凹陷结构30，且凹陷结构30所处的位置与芯片绑定区213所处的位置相对应，以使得阵列基板20中的配向膜22在衬底21上的正投影与芯片绑定区213不存在重合区域。
在本发明一种可选的实施方式中，步骤802具体包括：采用APR版在所述衬底上形成所述配向膜；所述APR版具有所述凹陷结构对应的凹陷图案，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。
如图9所示，在制作得到衬底21之后，将衬底21放置在载台91上，在存储容器92中存储有PI溶液，存储容器92中的喷嘴将PI溶液涂覆到刮刀辊93上，经过刮刀辊93的转动转印到网纹辊94上，APR版96包裹并固定在版胴95的外围，经过网纹辊94的转动，可以把PI溶液均匀的转印到APR版96上，然后，通过挤压，将APR版96内的PI溶液转印到衬底21上，以形成配向膜22。
因此，当目标膜层为配向膜22时，为了实现在芯片绑定区213对应的位置处配向膜22具有凹陷结构30，且该凹陷结构30的凹陷方向为沿着非显示区域212至显示区域211的方向，需要在APR版96的相应位置设计出该凹陷结构30对应的凹陷图案，因此，在采用APR板96制作配向膜22时，即可制作得到具有凹陷结构30的配向膜22，在不改变设备工艺的前提下，实现窄边框配向膜22的涂覆，且保证配向膜22不会涂覆至芯片绑定区213。
在本发明另一种可选的实施方式中，步骤802具体包括：采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层；所述有机膜层具有的凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向。
在制作得到衬底21之后，在衬底21上涂覆有机薄膜，采用掩膜板对有机薄膜进行曝光，曝光完成之后进行显影，则去除曝光区域处的有机薄膜，得到具有凹陷结构30的有机膜层23，凹陷结构30也就是被去除的有机薄膜后形成的结构，且该凹陷结构30的凹陷方向为垂直于衬底21的方向。
在采用构图工艺在衬底21上形成有机膜层23之后，还需要在有机膜层23上形成配向膜22，该配向膜22也可采用APR版制作得到，此时，APR版不需要设计图2所示的凹陷结构30对应的凹陷图案。
在本发明实施例中，通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，使得芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值小于或等于芯片绑定区与显示区域之间的距离，即使得配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域，则配向膜不会涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，因此，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；
所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；
其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层为所述配向膜，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为曲线。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在第一方向上的深度为0.2mm至0.5mm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度与所述配向膜的厚度相等；
其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层为有机膜层，在所述有机膜层上还设置有所述配向膜；
所述凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为封闭图形。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在第一方向上的宽度为20μm至30μm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度小于或等于所述有机膜层的厚度；
其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。
8.根据权利要求2或5所述的阵列基板，其特征在于，所述配向膜的厚度为0.08μm至0.15μm。
9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有机膜层的厚度为1μm至3μm。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括待绑定芯片以及如权利要求10所述的显示面板。
12.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；
在所述衬底上形成目标膜层；所述目标膜层延伸至所述非显示区域；
其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。
13.根据权利要求12所述方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成目标膜层的步骤，包括：
采用APR版在所述衬底上形成所述配向膜；所述APR版具有所述凹陷结构对应的凹陷图案，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。
14.根据权利要求12所述方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成目标膜层的步骤，包括：
采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层；所述有机膜层具有的凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向；
在所述采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层的步骤之后，还包括：
在所述有机膜层上形成所述配向膜。
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