JP3895507B2

JP3895507B2 - 基板装置及びこれを備えた電気光学装置

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Publication number: JP3895507B2
Application number: JP28082499A
Authority: JP
Inventors: 正夫村出
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 1999-09-30
Publication date: 2007-03-22
Anticipated expiration: 2019-09-30
Also published as: JP2001100647A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に配線を備えると共に該基板上における平坦化処理が施された基板装置の技術分野に属し、更にこのような基板装置を備えた液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
従来から、石英基板、半導体基板、ガラス基板等の各種基板上に、データ線、走査線、容量線、定電位線等の各種配線や、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）、薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）等の各種電子素子や、画素電極、容量電極等の各種電極などが設けられた基板装置は、各種の電子機器に用いられている。このような基板装置は、その用途に応じて各種配線等が形成される側における平坦化が望まれる場合がある。例えば、このような基板装置と対向基板との間に液晶等の電気光学物質を挟持してなる液晶装置等の電気光学装置の場合には、係る電気光学物質の動作不良を招かないように基板装置上における平坦化処理が強く望まれている。
【０００３】
より具体的には、この種の電気光学装置に用いられる基板装置の場合、基板上には、画素電極や、データ線、走査線等の各種配線や、ＴＦＴ、ＴＦＤ等の各種スイッチング素子などが形成される。このように各種配線や素子等が形成されると、この基板上における電気光学物質に対向する側の面上に、係る各種配線や素子等の厚みに応じて、例えば５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の段差が生じる。しかるにこのような段差は、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良を招くため、各種方式により、この基板上における平坦化処理が試みられている。
【０００４】
例えば、各種配線や素子の上方に位置する層間絶縁膜の表面を、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理により平坦化したり、各種配線や素子の上方に有機膜材料をスピンコートして平坦化膜を形成したりするが、前者は製造プロセスの複雑化や装置不良を招き、後者は耐熱性が不足したり良質な膜を薄く形成できないなどの問題点がある。このため、基板の表面や層間絶縁膜の表面のうち各種配線や素子等が形成される領域に、段差に応じた深さの溝を形成して、係る各種配線や素子等を埋め込むことにより、上述の基板上における平坦化処理を施すことが好ましいと考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように溝を形成して各種配線や素子等を埋め込む技術によれば、液晶等の電気光学物質に面する最上層における平坦化は図られるものの、溝に起因して、基板上の積層構造内部において配線の下地面となる層間絶縁膜上や基板上に急峻な段差が生じる。このように積層構造内部に段差が生じると、殆どの場合、当該積層構造内部に配線されるデータ線、走査線、容量線等の各種配線を、いずれかの位置で段差を横切るように配線せざるを得なくなる。例えば、下地側に位置する他の導電層等との関係でこのような溝内に埋め込むことが望ましくないＴＦＴ等を基板の周辺領域などに形成する場合に、このようなＴＦＴ等まで溝に埋め込まれた配線を導こうとすれば、一般にいずれかの位置で段差を横切るように構成しなければならない。しかるに本願発明者の研究によれば、このように例えば深さ５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度を持つ溝に起因する段差を横切る部分では、配線が断線する可能性が非常に高くなってしまい、配線不良による装置信頼性の低下や製造歩留まりの低下を招くという恐れがある。
【０００６】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡単な構成により基板上の積層構造中における段差による配線不良が低減されており装置信頼性の高い基板装置及びこのような基板装置を備えた電気光学装置を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板の一方の面上に配置された配線とを備えており、前記基板の一方の面上に溝が設けられ、該溝内に前記配線が部分的に埋め込まれてなり、前記配線は、前記溝の終端部において前記溝により生じる段差を横切る部分を有し、前記段差を横切る部分の一端側から伸びる配線部分は、第１導電層から形成されており、前記段差を横切る部分の他端側から伸びる配線部分は、前記第１導電層に絶縁膜を介して積層された第２導電層から形成されており、前記第１導電層及び前記第２導電層における前記段差を横切る部分は、前記段差を境に両側に伸びるように冗長的に形成されており、前記第１導電層で形成された配線部分と前記第２導電層で形成された配線部分とは、前記段差を横切る部分において、前記基板の平面側から見て前記配線の他の部分と比べて幅広で、かつ、前記溝の終端部のコの字状の前記段差を覆うように、前記溝の幅よりも幅広に形成されてなり、前記第１導電層における前記段差を横切る部分と前記第２導電層における前記段差を横切る部分とが重なる領域において、両者が、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の基板装置によれば、基板の一方の面に溝が設けられており、該溝内に配線が部分的に埋め込まれている。ここで特に、配線のうち、溝により生じる段差を横切る部分は、配線の他の部分と比べて幅広に形成されている。このため、溝に起因して基板上の積層構造内部において配線の下地面となる層間絶縁膜上や基板上に比較的急峻な段差が生じて、しかもこのような比較的急峻な積層構造内部における段差をいずれかの位置で配線が横切る場合にも、段差に起因して当該配線が断線する可能性を極めて効率的に低減することが可能となる。この結果、配線不良の低減により装置信頼性及び製造歩留まりの向上を図ることができる。
【０００９】
この際本発明では特に、段差を横切る部分で配線が局所的に幅広に形成されており、その他の配線部分は幅広に形成されていない。従って、例えば段差を横切る配線部分を当該基板装置の性質上、配線ピッチを比較的広くとれる領域内に持ってくれば、配線ピッチを狭めて各種配線や素子の高密度化を図るという当該基板装置の技術分野における基本的要請に沿うように当該基板装置を構成することが可能となるので実用上大変有利である。
【００１２】
本発明の基板装置の他の態様では、前記段差の斜面には、テーパが設けられている。
【００１３】
この態様によれば、段差の斜面には、テーパが設けられているので、例えば、薄膜形成された後にパターンニングされる配線の段差を横切る部分の下地面に対する付き回りの良さは、テーパに応じて高まる。例えば、テーパが無い場合や逆テーパの場合と比較すると、このような付き回りの良さは顕著であり、テーパ角の大きさに伴って、段差を横切る配線部分の幅を狭くできるので配線ピッチを高める上で有利である。この結果、基板上の積層構造内部で配線の下地面となる層間絶縁膜上や基板上における段差があっても、係る配線が断線する可能性を極めて効率的に低減することが可能となる。
【００１８】
本発明では、前記段差を横切る部分の一端側から伸びる配線部分は、第１導電層から形成されており、前記段差を横切る部分の他端側から伸びる配線部分は、第１導電層に積層された第２導電層から形成されており、前記第１導電層から形成された配線部分と前記第２導電層から形成された配線部分とは、前記段差を横切る部分で重ねられている。
【００１９】
このように構成すれば、２つの異なる第１及び第２導電層から形成された２つの配線部分が、段差を横切る部分で重ねられており、しかもこの部分で重ねられている両方が幅広に形成されているので、段差で配線が断線する可能性をより確実に低減することが可能となる。
【００２２】
更にこのように第１及び第２導電層から幅広の配線部分が形成される場合には、前記第１導電層から形成された配線部分と前記第２導電層から形成された配線部分とは、前記段差を横切る部分で絶縁膜を介して重ねられており、該絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気接続されている。
【００２３】
このように構成すれば、段差を横切る部分で、２つの異なる第１及び第２導電層が絶縁膜を介して重ねられており、両者は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して接続されているので、段差で配線が断線する可能性をより確実に低減することが可能となる。特に、絶縁膜が両者間に介在するので、上側の導電層を形成する工程が一般に容易となり、更に上側の導電層と下側の導電層とから、当該段差以外の基板上領域で、相互に独立した各種の配線を形成できるので実用上有利である。
【００２５】
本発明の基板装置の他の態様では、前記基板の一方の面上に、前記基板と前記配線との間に介在する層間絶縁膜を更に備えており、前記溝に代えて又は加えて、前記層間絶縁膜の前記配線に対向する側の面に溝が設けられている。
【００２６】
この態様によれば、基板の一方の面に溝が設けられるのに、代えて又は加えて、基板上に形成された層間絶縁膜の配線に対向する側の面に溝が設けられており、該溝内に配線が部分的に埋め込まれている。ここで特に、配線のうち、このような基板に設けられた溝や層間絶縁膜に設けられた溝により生じる段差を横切る部分は、配線の他の部分と比べて幅広に形成されている。このため、溝に起因して、基板上の積層構造内部において配線の下地面となる層間絶縁膜上に比較的急峻な段差が生じて、しかもこのような比較的急峻な積層構造内部における段差をいずれかの位置で配線が横切る場合にも、段差で配線が断線する可能性を極めて効率的に低減することが可能となる。
【００２７】
本発明の基板装置の他の態様では、前記配線が前記溝内に部分的に埋め込まれることにより前記基板上における平坦化処理が施されている。
【００２８】
この態様によれば、基板の一方の面上において、配線が、基板に設けられた溝や層間絶縁膜に設けられた溝内に少なくとも部分的に埋め込まれて、基板上における平坦化処理が施されている。従って、当該基板装置における平坦化が比較的容易に且つ良好に図られる。
【００２９】
本発明の基板装置の他の態様では、前記基板の一方の面上に、電極及び電子素子の少なくとも一方を更に備えており、前記溝内に前記電極及び電子素子のうち少なくとも一方が少なくとも部分的に埋め込まれることにより前記基板上における平坦化処理が施されている。
【００３０】
この態様によれば、基板の一方の面上に、配線のみならず、電極や電子素子が設けられているが、これらは、基板に設けられた溝や層間絶縁膜に設けられた溝内に少なくとも部分的に埋め込まれて、基板上における平坦化処理が施されている。従って、電極や電子素子が備えられた高機能或いは多機能の基板装置における平坦化が良好に図られる。
【００３１】
本発明の基板装置の他の態様では、前記基板の一方の面上に、画素電極並びに該画素電極及び前記配線に電気的に接続されたスイッチング素子を更に備えており、前記溝内に前記配線及びスイッチング素子が少なくとも部分的に埋め込まれることにより前記基板上における平坦化処理が施されている。
【００３２】
この態様によれば、基板の一方の面上に、配線のみならず、画素電極と、この画素電極及び配線に電気的に接続されたスイッチング素子が設けられているが、配線及びスイッチング素子は、基板に設けられた溝や層間絶縁膜に設けられた溝内に少なくとも部分的に埋め込まれて、基板上における平坦化処理が施されている。従って、スイッチング素子を備えた基板装置における平坦化が良好に図られる。
【００３３】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の画素電極及びスイッチング素子を更に備えた態様における基板装置と他の基板との間に電気光学物質が挟持されてなる。
【００３４】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の基板装置を備えているため、基板装置における平坦化が良好に図られており、基板装置の表面段差による電気光学物質の動作不良が低減され、しかも基板装置における配線不良が低減される。これらの結果、高品位の画像表示が可能であり装置信頼性が高い電気光学装置を実現できる。
【００３５】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記電気光学物質は、液晶からなり、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタからなり、前記配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータ線及び走査線を含む。
【００３６】
この態様によれば、上述した本発明の基板装置と他の基板との間に液晶が挟持されており、データ線及び走査線に電気的に接続された薄膜トランジスタにより画素電極が駆動されるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置が実現される。特に、基板装置における平坦化が良好に図られているため、基板装置の表面段差による液晶の配向不良が低減されており、極めて高品位の画像表示を行うことが可能とされる。しかも上述した本発明の基板装置を用いることで装置信頼性を十分に高めることも可能となる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板装置に備えられた基板上に、画像表示領域の周辺に形成されており電子素子を含む周辺回路を更に備えており、前記周辺回路に含まれる電子素子に対向する領域における前記基板装置に備えられた基板上には、前記溝が設けられていない。
【００３８】
本発明の電気光学装置によれば、電子素子を含む周辺回路が、本発明の基板装置に備えられた基板上における画像表示領域の周辺に形成されている。即ち、当該電気光学装置は、周辺回路内蔵型の電気光学装置とされる。ここで特に、周辺回路に含まれる電子素子に対向する領域における基板上には溝が設けられていない。このため、例えば下地側に位置する他の導電層等との関係でこのような溝内に埋め込むことが望ましくないＴＦＴ等の電子素子を埋め込むこと無く、同時に係る電子素子に至るまで溝に埋め込まれた配線を導くような場合、この配線が段差を横切る際に断線する可能性を極めて効率的に低減できる。特に、基板上において層間絶縁膜を介して導電層上にＴＦＴ等の電子素子を配置すると、層間絶縁膜に溝を形成して係る電子素子と当該導電層との距離を短くすることで、当該導電層の電位やその変動が、電子素子のオンオフ特性を劣化させる場合がある。よって特に周辺回路の仕様上、この電子素子に要求されるオンオフ特性が厳しい場合などには、このような特性劣化が問題となるが、本態様によれば、係るＴＦＴ等の電子素子の下には溝が設けられていないので、このような溝に起因した電子素子の特性劣化を未然防止できる。
【００３９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４１】
（第１実施形態）
図１から図３を参照して、本発明の基板装置の第１実施形態について説明する。ここに図１は、第１実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図であり、図２（ａ）は、図１のＣ−Ｃ’断面図であり、図２（ｂ）は、図１のＤ−Ｄ’断面図であり、図３（ａ）は、この段差を横切る配線部分を示す部分斜視図である。また、図３（ｂ）は、比較例として、段差を横切る配線部分を幅広に形成しない場合の図３（ａ）に対応する個所における部分斜視図である。
【００４２】
図１、図２及び図３（ａ）に示すように、本実施形態における基板装置は、基板１０と、基板１０上に層間絶縁膜１２を介して配置された配線６０と、配線６０上に形成された層間絶縁膜７とを備える。
【００４３】
基板１０の表面のうち領域ＡＲ１（図１及び図２（ａ）参照）には、配線６０に対向する個所に溝８０が設けられており、溝８０内に配線６０が部分的に埋め込まれることにより、この領域ＡＲ１における平坦化処理が施されている。即ち領域ＡＲ１は、平坦化された領域となる。他方、基板１０の表面のうち領域ＡＲ２（図１及び図２（ｂ）参照）には、配線６０に対向する個所に溝８０が設けられておらず、配線６０の分だけ基板１０の層間絶縁膜７（最上層）が凸状に盛り上がっている。即ち領域ＡＲ２は、平坦化されていない領域となる。従って、本実施形態の基板装置の用途に応じて、平坦化が要求される領域については、領域ＡＲ１のように平坦化処理を適宜施すと共に平坦化が要求されていない或いは不要である領域については、領域ＡＲ２のように平坦化処理を施さないことが可能となる。この際、平坦化処理のためには基本的に溝８０を設けて配線６０を埋め込めば良いので、通常の製造プロセスに対し、基板１０に溝８０を掘るフォトリソグラフィ及びエッチング工程を追加すれば足りる。このため、従来のＣＭＰ処理や有機平坦化膜を形成する技術と比較して、比較的簡単にしかも所望の領域についてのみ平坦化を行えるので大変便利である。
【００４４】
このように領域ＡＲ１と領域ＡＲ２における層間絶縁膜１２の表面の高さは溝８０の深さだけ相異なるため、例えば深さ５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度或いはそれ以上の溝８０に起因して、基板１０上の積層構造内部において配線６０の下地面となる層間絶縁膜１２上に比較的急峻な段差８０ａが生じている。そして、この段差８０ａを配線６０が横切っている。
【００４５】
ここで本実施形態では特に、配線６０は、段差８０ａを横切る部分が、主配線部分６０ｎ（図中、粗くハッチングされている）と比較して幅広な幅広部分６０ｗ（図中、濃くハッチングされている）として形成されている。このため、図３（ｂ）に示すように幅広部分６０ｗを形成することなく配線６０’の幅を他の部分（図３（ａ）で示す主配線部分６０ｎ）における狭い幅のまま形成した比較例の場合と比較して、本実施形態の場合には、段差８０ａで配線６０が断線する可能性は格段に低減されている。より具体的には、配線６０は、例えば、Ａｌ膜等の金属膜や導電性のポリシリコン膜から形成されるが、このような配線６０は、その製造プロセスにおいて、例えばスパッタリング、蒸着等による薄膜形成処理やフォトリソグラフィ、エッチング等によるパターンニング処理などを含むプレーナ技術を用いて形成される。このため、図３（ｂ）に示した比較例のように、段差８０ａに対して配線６０’の幅が狭ければ狭い程、この段差８０ａ付近に配線６０’を形成する薄膜の付き回りが悪くなり、断線し易くなるのである。そして、近時における配線ピッチの微細化を進めれば進める程、配線６０’の幅に対する段差８０ａが相対的に大きくなるため、このような段差８０ａでの断線の問題は、深刻さを増すのである。
【００４６】
これに対して、図３（ａ）に示すように本実施形態では、配線６０のうち段差８０ａを横切る部分が局所的に幅広部分６０ｗとされているため、段差８０ａ付近で配線６０を形成する薄膜が物理的に途切れる可能性や極端に細って機械的強度が落ちる可能性、即ち段差８０ａで配線６０が断線する可能性を格段に低減できるのである。
【００４７】
加えて本実施形態では、段差８０ａを横切る幅広部分６０ｗを除く配線６０の主配線部分６０ｎは幅広に形成されていない。従って、平面レイアウトに関して、段差８０ａや幅広部分６０ｗを、当該基板装置の性質上、配線ピッチを比較的広くとれる領域内に配置すると共に、段差８０ａや幅広部分６０ｗから離れた領域内で主配線部分６０ｎにおける配線ピッチを狭めることにより、当該基板装置における所望の領域で配線ピッチの微細化やこれに伴う電子素子の高密度化を図れる。
【００４８】
以上の結果、本実施形態によれば、配線ピッチの微細化を図りつつ配線６０における配線不良を低減でき、当該基板装置の装置信頼性及び製造歩留まりが顕著に向上される。
【００４９】
以上説明した実施形態では、図１及び図３（ａ）に示したように、配線６０が横切る段差８０ａの斜面には、テーパが設けられている。ここで幅広部分６０ｗの下地面である。層間絶縁膜１２に対する付き回りの良さは、テーパに応じて高まる。即ち、テーパ角が大きい程、平坦な下地面に対する付き回りが良くなる。例えば、図３（ｂ）に示すようにテーパが無い場合や逆テーパの場合と比較すると、このような付き回りの良さは顕著であり、テーパ角の大きさに伴って、段差８０ａを横切る幅広部分６０ｗの幅を狭くすることもできる。従って、このように段差８０ａにテーパを付けることは、幅広部分６０ｗが占める基板上領域を小さくすることにより配線ピッチの微細化を進める上で有利である。
【００５０】
また、本実施形態では、幅広部分６０ｗは、単一の導電層から形成されており、且つ主配線部分６０ｎと一体形成されている。従って、幅広部分６０ｎを形成するために特別なプロセスは必要とされておらず、例えば、配線６０のパターンニングの際に、主配線部分６０ｎと幅広部分６０ｗとを同一工程で同時に形成できるので、本実施形態は、製造工程の複雑化や製造コストの上昇を招かない観点からも優れている。
【００５１】
更にまた、本実施形態では、基板１０と配線６０との間に介在する層間絶縁膜１２を備えており、基板１０に溝が掘られ、この上に形成された層間絶縁膜１２に溝８０が設けられる構成とされているが、層間絶縁膜１２を介することなく基板１０に掘られた溝内に配線６０を配置して、平坦化処理を施すようにしてもよい。或いは、基板１０に溝を掘ることなく、層間絶縁膜１２に溝を掘って、この溝内に配線６０を配置して、平坦化処理を施すようにしてもよい。更には、このような基板１０に掘った溝と層間絶縁膜１２に掘った溝とを組み合わせることで、所望の深さの溝を設けるようにしてもよい。いずれの場合にも、溝に起因した段差８０ａを横切る幅広部分６０ｗを形成する限り、上述の如き本実施形態の効果は発揮される。
【００５２】
尚、基板１０上で配線６０の下方に、他の配線や素子の一部等の存在の有無により生じる段差は、本実施形態のように積極的に溝８０を形成して平坦化処理を施す際に生じる段差８０ａと比較すれば概ね小さい。このため必要性は低いものの、このように溝８０と無関係に生じる比較的小さな段差を横切る配線部分についても、本実施形態と同様に局所的に幅広に形成してもよい。このように構成すれば、配線の信頼性向上という本実施形態の効果が多少なりとも発揮される。この際、製造プロセスの複雑化や配線ピッチとのバランスを考慮して、比較的小さな段差による配線不良が重要視されるような場合に、適宜本実施形態の如き段差を横切る部分で配線６０を局所的に幅広に形成するのが望ましい。
【００５３】
（第２実施形態）
次に、図４を参照して本発明の基板装置の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１実施形態に対して、層間絶縁膜上における配線と溝との相対的な大きさ及び相対的な位置関係を若干変更した各種変形例からなるもので、その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。ここに、図４（ａ）〜（ｃ）は、夫々このような各種変形例における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【００５４】
即ち図４（ａ）に示すように、層間絶縁膜１２の上面において幅広部分６０ｗの幅が溝８０の幅よりも若干狭くても、主配線部分６０ｎの幅よりも広い限り、段差８０ａでの断線防止効果は発揮される。
【００５５】
加えて、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１２の上面において幅広部分６０ｗが、段差８０ａを境に低い側にある面上及び段差８０ａのテーパ付き斜面上に形成されていても（且つ段差８０ａを境に高い側にある面上には形成されていなくても）、幅広部分６０ｗの幅が主配線部分６０ｎの幅よりも広い限り、段差８０ａでの断線防止効果は発揮される。
【００５６】
或いは図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１２の上面において幅広部分６０ｗが、段差８０ａを境に高い側にある面上及び段差８０ａのテーパ付き斜面上に形成されていても（且つ段差８０ａを境に低い側にある面上には形成されていなくても）、幅広部分６０ｗの幅が主配線部分６０ｎの幅よりも広い限り、段差８０ａでの断線防止効果は発揮される。
【００５７】
このように、層間絶縁膜１２の上面のうち段差８０ａを境に高い側にある面、段差８０ａを境に低い側にある面及び段差８０ａの斜面のうち少なくとも一つの面上で、配線６０が局所的に幅広に形成されて幅広部分６０ｗが形成されていれば、段差で配線６０が断線する可能性を低減可能である。
【００５８】
（第３実施形態）
次に、図５を参照して本発明の基板装置の第３実施形態について説明する。ここに図５（ａ）及び（ｂ）は夫々、第３実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。第３実施形態は、段差を境に高い側にある面上では配線が一の導電層から形成され、段差を境に低い側の面上では配線が他の導電層から形成され、配線が段差を横切る部分で２つの導電層が重なっている実施形態である。
【００５９】
即ち、先ず図５（ａ）に示すように、第３実施形態では、段差８０ａを境に高い側にある層間絶縁膜１２の面上では、第１導電層６０１（図中、左下がりにハッチングされている）からなる配線部が形成され、段差８０ａを境に低い側にある層間絶縁膜１２の面上では第２導電層６０２（図中、右下がりにハッチングされている）からなる配線部が形成され、これら第１導電層６０１及び第２導電層６０２から１本の配線６０が構成されている。ここで特に、配線６０の段差８０ａを横切る部分は、積層された２つの第１導電層６０１及び第２導電層６０２から冗長的に形成されており、第１配線部６０１の先端６０１ａが幅広に形成されている。或いは、図５（ｂ）に示すように、第１導電層６０１（図中、左下がりにハッチングされている）からなる配線の先端６０１ａのみならず、第２導電層６０２（図中、右下がりにハッチングされている）からなる配線の先端６０２ａも幅広に形成されていてもよい。尚、第１導電層６０１と第２導電層６０２とは、同一種類の導電性材料からなってもよいし或いは相異なる導電性材料からなってもよく、更に積層順序についてはどちらの導電層が上側にきてもよい。
【００６０】
従って、第３実施形態によれば、配線６０は、段差８０ａを横切る部分で、積層された２つの導電層から冗長的に形成されており、しかもこの部分で第１導電層６０１からなる配線の先端６０１ａ及び第２導電層６０２からなる配線の先端６０２ａのうち一方又は両方が幅広に形成されているので、基板１０上の積層構造内部で配線６０の下地面となる層間絶縁膜１２上における段差８０ａで配線６０が断線する可能性をより確実に低減することが可能となる。
【００６１】
（第４実施形態）
次に、図６を参照して本発明の基板装置の第４実施形態について説明する。ここに図６は、第４実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【００６２】
図６に示すように、第４実施形態では、配線６０は、第１導電層６０３（図中、右下がりにハッチングされている）からなる一定幅の１本の主配線部分と島状の第２導電層６０４（図中、左下がりにハッチングされている）とから構成されている。第１導電層６０３は、段差８０ａを横切って層間絶縁膜１２上に伸延しており、島状の第２導電層６０４は、配線６０の段差を横切る部分において、この第１導電層６０３に重ねられており、且つ第１導電層６０３からなる配線部よりも幅広に形成されている。このように、配線６０の段差８０ａを横切る部分は、積層された２つの第１導電層６０３及び第２導電層６０４から冗長的に形成されている。尚、第１導電層６０３と第２導電層６０４とは、同一種類の導電性材料からなってもよいし或いは相異なる導電性材料からなってもよく、更に積層順序についてはどちらの導電層が上側にきてもよい。
【００６３】
従って、第４実施形態によれば、配線６０は、段差８０ａを横切る部分で、積層された２つの導電層から冗長的に形成されており、しかもこの部分で島状の第２導電層６０４が幅広に形成されているので、基板１０上の積層構造内部で配線６０の下地面となる層間絶縁膜１２上における段差８０ａで配線６０が断線する可能性をより確実に低減することが可能となる。
【００６４】
（第５実施形態）
次に、図７を参照して本発明の基板装置の第５実施形態について説明する。ここに図７（ａ）及び（ｂ）は夫々、第５実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。第５実施形態は、配線が段差を横切る部分で、配線を構成する２つの導電層が絶縁膜を介して重ねられ且つコンタクトホールを介して電気接続される実施形態である。
【００６５】
即ち、先ず図７（ａ）に示すように、第５実施形態では、段差８０ａを境に高い側にある層間絶縁膜１２の面上では、第１導電層６０５（図中、左下がりにハッチングされている）が形成され、段差８０ａを境に低い側にある層間絶縁膜１２の面上では第２導電層６０６（図中、右下がりにハッチングされている）が形成され、これら第１導電層６０５及び第２導電層６０６から１本の配線６０が構成されている。ここで特に、配線６０の段差８０ａを横切る部分は、絶縁膜を介して積層された２つの第１導電層６０５及び第２導電層６０６から冗長的に形成されており、両者は、コンタクトホール６２を介して電気的に接続されている。更に、第１導電層６０５からなる配線の先端６０５ａ及び第２導電層６０６からなる配線の先端６０６ａは、幅広に形成されている。或いは、図７（ｂ）に示すように、段差８０ａを横切る部分が幅広部分６０７ａとされた第１導電層６０７（図中、右下がりにハッチングされている）と、島状の第２導電層６０８（図中、左下がりにハッチングされている）とが絶縁膜を介して積層され且つコンタクトホール６２により電気的に接続されていてもよい。尚、第１導電層（６０５又は６０７）と第２導電層（６０６又は６０８）とは、同一種類の導電性材料からなってもよいし或いは相異なる導電性材料からなってもよく、更に積層順序についてはどちらの導電層が上側にきてもよい。
【００６６】
従って、第５実施形態によれば、配線６０は、段差８０ａを横切る部分で、絶縁膜を介して積層された２つの導電層から冗長的に形成され且つコンタクトホール６２で電気的に接続されており、しかもこの部分で配線６０は幅広に形成されているので、段差８０ａで配線６０が断線する可能性をより確実に低減することが可能となる。特に、絶縁膜が第１及び第２導電層間に介在されているので、上側の導電層を形成する工程が一般に容易となり、更に上側の導電層と下側の導電層とから、当該段差８０ａ以外の基板上領域で、相互に独立した各種の配線を形成できる。
【００６７】
尚、以上説明した第１から第５実施形態における基板装置では、配線６０以外に、各種電極や各種電子素子を溝８０内に埋め込んでもよく、これにより各種電極や各種電子素子が備えらた高機能或いは多機能の基板装置における平坦化を図るようにしてもよい。
【００６８】
（第６実施形態）
次に図８から図１２を参照して本発明の第６実施形態について説明する。第６実施形態は、上述した第１から第５実施形態の基板装置を一方の基板として用い、これと対向基板とを対向配置して、両者間に液晶等の電気光学物質を挟持してなる電気光学装置に係る実施形態である。
【００６９】
先ず図８から図１０を参照して、本実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成についてその動作と共に説明する。ここに、図８は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１０は、図９のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００７０】
図８において、特に上述した第１から第５実施形態の基板装置をＴＦＴアレイ基板側に適用してなる第６実施形態の電気光学装置においては、その画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９aと当該画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０とがマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。電気光学物質は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される電気光学物質容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００７１】
図９において、特に上述した第１から第５実施形態の基板装置をＴＦＴアレイ基板側に適用してなる第６実施形態の電気光学装置においては、ＴＦＴアレイ基板上に、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域（図中右下がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部とを有する。また、図中太線で示した矩形の島状領域には夫々、各ＴＦＴの少なくともチャネル領域をＴＦＴアレイ基板側から見て一画素毎に夫々覆う位置に、島状の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００７２】
次に図１０の断面図に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０には、図１０に示すように、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。対向基板２０には、更に図１０に示すように、各画素の開口領域（即ち、画像表示領域内において実際に入射光が透過して表示に有効に寄与する領域）以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。
【００７３】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、電気光学物質層５０が形成される。電気光学物質層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。電気光学物質層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック電気光学物質を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００７４】
図９及び図１０において本実施の形態では特に、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ並びにＴＦＴ３０を含む図２中右上がりの斜線が引かれた網目状の領域においては、ＴＦＴアレイ基板１０が凹状に窪んでおり、画像表示領域の平坦化用の溝が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０にこのように溝が形成されているため、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ並びにＴＦＴ３０の上方に位置する配向膜１６の表面は、溝が形成された領域においてその深さに応じて平坦化される。
【００７５】
本実施の形態では特に、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ並びにＴＦＴ３０が相重なるためこれらの各種配線やＴＦＴ３０を構成する積層体が最も厚くなる領域を、その合計層厚に等しい深さだけ凹状に窪めて溝を形成しているので、この最も厚くなる領域は、ほぼ完全に平坦化される。
【００７６】
但し、どの領域における配向膜１６の高さを開口領域における配向膜１６の高さに合わせるかは任意であり、例えば図１０中左側の蓄積容量７０の上方における配向膜１６の高さを合わせるようにしてもよし、ＴＦＴ３０から外れた走査線３ａや容量線３ｂの上方における配向膜１６の高さを合わせるようにしてもよい。更に、ＴＦＴアレイ基板１０のどの領域に溝を設けるかも任意であり、例えばデータ線６ａに対向する領域においてのみ溝を形成してもよいし、ＴＦＴ３０に対向する領域においてのみ溝を形成してもよい。どの場合にも、開口領域から外れた領域に対して若干なりとも溝を形成すれば、該溝の形成領域及び深さに応じた平坦化の効果が得られる。従って、このようにどの領域にどのような深さの溝を形成するかは、実際には要求される画素開口率（画素の開口領域の非開口領域に対する比率）、精細度、歩度まり等を勘案しての設計事項として定められる。
【００７７】
そして、本実施の形態の電気光学装置は、このように構成されているため、製造初期の段階でＴＦＴアレイ基板１０に対して溝を形成すれば、その後のポリシリコン膜、金属膜、層間絶縁膜等を形成するためのＣＶＤ工程、スパッタリング工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等の各種工程を、従来とほぼ又は全く同様に実行するだけで当該電気光学装置を製造できるので、大変有利である。
【００７８】
図１０に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、一画素毎に島状に第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。
【００７９】
更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。
【００８０】
本実施の形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００８１】
図１０において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。本実施の形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。
【００８２】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部であるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施の形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極をソース−ドレイン領域間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
【００８３】
ここで、一般には、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ等のポリシリコン層は、光が入射すると電流が発生してしまい画素スイッチング用ＴＦＴ３０のトランジスタ特性が変化するが、本実施の形態では、走査線３ａを上側から覆うようにデータ線６ａがＡｌ等の遮光性の金属薄膜から形成されているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃへの入射光の入射を効果的に防ぐことが出来る。また、前述のように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側には、第１遮光膜１１ａが設けられているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃへの戻り光の入射を効果的に防ぐことが出来る。このような第1遮光膜１１ａは、複数の島状部分に分断されているが、ストライプ状、あるいはマトリクス状に形成してもよい。
【００８４】
尚、第１遮光膜１１ａの複数の島状部分は、定電位源又は容量部分に電気接続されてもよい。例えば、第１遮光膜１１ａは、定電位とされた容量線３ｂに夫々電気接続されてもよい。この場合、定電位源としては、当該電気光学装置を駆動するための周辺回路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。
【００８５】
以上図８から図１０を参照して詳細に説明したように本実施形態の電気光学装置によれば、画像表示領域における平坦化が図られているため、段差に起因した電気光学物質のディスクリネーションが低減されていると同時に、画素開口率が高く明るい画像表示が可能となる。
【００８６】
そして特に本実施形態によれば、上述した第１から第５実施形態の基板装置をＴＦＴアレイ基板側に適用しているので、このように画像表示領域における平坦化を図るべく溝内にデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等の配線などを埋め込む他方で、このような配線は、溝に起因した段差を横切る部分において局所的に幅広に形成されている（図１から図７参照）。例えば、画像表示領域内で溝内から溝外へと配線される際に段差を横切る部分や、溝を横断して配線される際に段差を横切る部分や、画像表示領域の周辺等において溝が途切れており配線が溝から外へ出る際に段差を横切る部分などにおいて、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等の配線は、局所的に幅広に形成されている。このため、平坦化用の溝に起因した段差付近でデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等の配線を形成する導電層が物理的に途切れる可能性や極端に細って機械的強度が落ちる可能性を格段に低減できるのである。
【００８７】
加えて本実施形態では、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等の配線は、段差を横切る幅広部分を除く部分は幅広に形成されていないので、配線ピッチ或いは画素ピッチの微細化を画像表示領域内で図りつつ、画像表示領域の周辺等において、配線ピッチを比較的広くとれる領域内に幅広部分を配置することが可能となる。これにより、高精細な画像表示を可能であり、しかも配線不良の低減により装置信頼性及び製造歩留まりが顕著に向上された電気光学装置を実現できる。
【００８８】
次に図１１及び図１２を参照して、以上のように構成された電気光学装置の全体構成を説明する。尚、図１１は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１２は、対向基板２０を含めて示す図１１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８９】
図１１において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が設けられている。そして、図１２に示すように、図１１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００９０】
図１１及び図１２に示した周辺回路の一例たるデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴ等の電子素子に対向する領域におけるＴＦＴアレイ基板１０上には、画像表示領域に設けたような平坦化用の溝は、設けてもよいし、設けなくてもよい。このような周辺回路を構成する配線、電極、ＴＦＴ等の電子素子などは、例えば画像表示領域内にあるデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等と同一のＡｌ膜やポリシリコン膜からなる。この場合、これら各導電層の下地側に位置する第１遮光膜１１ａと同一膜も、周辺回路の構成要素として利用可能であり、例えば周辺回路を構成するＴＦＴのチャネル領域の遮光用に第１遮光膜と同一膜を形成することも可能である。このような場合に、例えばＴＦＴ等の電子素子の形成領域における層間絶縁膜に溝を設けてしまうと、溝形成に伴い薄膜化される層間絶縁膜を介して対向配置される２つの導電層間の容量カップリングが増加して、係る導電層を構成要素とする電子素子の特性変化や劣化を招いてしまう場合、即ち、溝形成による弊害が周辺回路に発生してしまう場合がある。そこで、このような場合には、周辺領域には少なくとも部分的には溝を設けないように構成するのが好ましい。更に、このように溝を設けない平坦面上の方が、周辺回路のように複雑な平面レイアウトパターンを持つ回路を形成するには一般に都合がよい。しかるに、同一のＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域では溝を設け、周辺領域では溝を設けないように構成すると、溝が途切れる個所が基板面上の何処かに必ず存在し、よって溝内に埋め込まれる配線が溝に起因した段差を横切る部分が必ず発生することになる。従って、本実施形態の如く段差によって配線が断線する可能性を低減できる構成は、ＴＦＴアレイ基板１０上に周辺回路（データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等）を形成する際には非常に有効である。
【００９１】
以上図８から図１２を参照して説明した電気光学装置の実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、本願発明をＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式以外の、ＴＦＤアクティブマトリクス方式、パッシブマトリクス駆動方式などいずれの方式の液晶装置に適用しても、画像表示領域においては平坦化処理を施しつつ、これに伴う段差に起因した配線不良が低減されており装置信頼性の高い電気光学装置を実現できる。更にまた、上述の第６実施形態の電気光学装置では、対向基板２０の外面及びＴＦＴアレイ基板１０の外面には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９２】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した実施形態における液晶装置を備えた電子機器の実施の形態について図１３から図１６を参照して説明する。
【００９３】
先ず図１３に、液晶装置１００及びその駆動回路１００４を備えた電子機器の概略構成を示す。
【００９４】
図１３において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル・パラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。
【００９５】
次に図１４から図１６に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。
【００９６】
図１４において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００９７】
図１５において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００がトップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。
【００９８】
また図１６に示すように、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶装置１００の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２２上に実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１３２０に、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続して、液晶装置１００として、生産、販売、使用等することも可能である。
【００９９】
以上図１４から図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図１３に示した電子機器の例として挙げられる。
【０１００】
本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう基板装置やこれを備えた電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板装置の第１実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【図２】図１のＣ−Ｃ’断面図（図２（ａ））及び図１のＤ−Ｄ’断面図（図２（ｂ））である。
【図３】第１実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を示す部分斜視図（図３（ａ））及び、比較例として段差を横切る配線部分を幅広に形成しない場合の図３（ａ）に対応する個所における部分斜視図（図３（ｂ））である。
【図４】本発明の基板装置の第２実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【図５】本発明の基板装置の第３実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【図６】本発明の基板装置の第４実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【図７】本発明の基板装置の第５実施形態における基板上の段差を横切る配線部分を拡大して示す部分平面図である。
【図８】本発明の電気光学装置の実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図９】図８の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ’断面図である。
【図１１】図８の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１２】図１１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１３】本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
【図１４】電子機器の一例としての液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図１５】電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図１６】電子機器の他の例としてのＴＣＰを用いた液晶装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
２…ゲート絶縁膜
３ａ…走査線
３ｂ…容量線
４…第２層間絶縁膜
５…コンタクトホール
６ａ…データ線
７…第３層間絶縁膜
８…コンタクトホール
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…第１遮光膜
１２…第１層間絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…第２遮光膜
３０…画素スイッチング用ＴＦＴ
５０…電気光学物質層
５２…シール材
５３…第３遮光膜
６０…配線
６２…コンタクトホール
７０…蓄積容量
８０…溝
８０ａ…段差
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路

Claims

基板と、該基板の一方の面上に配置された配線とを備えており、
前記基板の一方の面上に溝が設けられ、該溝内に前記配線が部分的に埋め込まれてなり、
前記配線は、前記溝の終端部において前記溝により生じる段差を横切る部分を有し、
前記段差を横切る部分の一端側から伸びる配線部分は、第１導電層から形成されており、前記段差を横切る部分の他端側から伸びる配線部分は、前記第１導電層に絶縁膜を介して積層された第２導電層から形成されており、
前記第１導電層及び前記第２導電層における前記段差を横切る部分は、前記段差を境に両側に伸びるように冗長的に形成されており、
前記第１導電層で形成された配線部分と前記第２導電層で形成された配線部分とは、前記段差を横切る部分において、前記基板の平面側から見て前記配線の他の部分と比べて幅広で、かつ、前記溝の終端部のコの字状の前記段差を覆うように、前記溝の幅よりも幅広に形成されてなり、
前記第１導電層における前記段差を横切る部分と前記第２導電層における前記段差を横切る部分とが重なる領域において、両者が、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする基板装置。
前記段差の斜面には、テーパが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板装置。
前記基板の一方の面上に、前記基板と前記配線との間に介在する層間絶縁膜を更に備えており、
前記溝に代えて又は加えて、前記層間絶縁膜の前記配線に対向する側の面に前記溝が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板装置。
前記配線が前記溝内に部分的に埋め込まれることにより前記基板上における平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板装置。
前記基板の一方の面上に、電極及び電子素子の少なくとも一方を更に備えており、
前記溝内に前記電極及び電子素子のうち少なくとも一方が少なくとも部分的に埋め込まれることにより前記基板上における平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の基板装置。
前記基板の一方の面上に、画素電極並びに該画素電極及び前記配線に接続されたスイッチング素子を更に備えており、
前記溝内に前記配線及びスイッチング素子が少なくとも部分的に埋め込まれることにより前記基板上における平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の基板装置。
請求項６に記載の基板装置と他の基板との間に電気光学物質が挟持されてなることを特徴とする電気光学装置。
前記電気光学物質は、液晶からなり、
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタからなり、
前記配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータ線及び走査線を含むことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
前記基板装置に備えられた基板上に、画像表示領域の周辺に形成されており電子素子を含む周辺回路を更に備えており、
前記周辺回路に含まれる電子素子に対向する領域における前記基板装置に備えられた基板上には、前記溝が設けられていないことを特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置。