JP4457672B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記第3導電膜の上層側に形成され、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、遮光性を有し、前記第3導電層の上層側であって、且つ前記画素電極の下層側に形成されると共に、誘電体膜を介して前記第3導電層と対向配置された第4導電層と、を備え、前記第3導電層は前記画素電極と電気的に接続されており、前記第4導電層は前記第2導電層と電気的に接続されており、前記第3導電層の一部と、前記第4導電層の一部と、前記誘電体膜とによって蓄積容量が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、遮光性を有し、前記第3導電層の上層側であって、且つ前記画素電極の下層側に形成されると共に、前記チャネル領域と平面視において重なるように配置された第5導電層を備え、前記第1導電層と前記第5導電層とは、平面視において、前記半導体層及び前記蓄積容量と重ならない位置に形成された第2コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、所定パターンを有する第1下側導電層と、該第1下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極を含む走査線と、該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極とを備えており、前記第1下側導電層は、前記ソース領域に接続されているとともに前記走査線と交差して延びるデータ線の全部又は一部として機能する。
以下では、本発明の第1の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の第1実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
まず、本発明の第1実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図1から図5を参照して説明する。ここに図1は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図3は図2のA−A´断面図である。また、図4及び図5は、各要素の配置をより明瞭にするため、図2の平面図を図3中下側半分(図4;半導体層及びその図3中下側に位置する要素を含む部分。)及び図3中上側半分(図5;半導体層及びその図3中上側に位置する要素を含む部分。ただし、一部の要素は図示が省略されている。)に分かって示した平面図である。なお、図3においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
以下では、本発明の第2の実施形態について、図10を参照しながら説明する。ここに図10は、図3と同趣旨の図であって、データ線の形成態様が異なるものである。ただし、図10は、図3とは異なって、各種の要素がどのように積層されているかを正確に再現することを目的としており、平面図から切り出された断面の様子を正確に再現することを目的とするものではない(したがって対応する平面図の図示は省略する。)。なお、第2実施形態では、前述した第1実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第1実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第2実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
以下では、本発明の第3の実施形態について、図11を参照しながら説明する。ここに図11は、図3と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるものである。ただし、図11は、図3とは異なって、各種の要素がどのように積層されているかを正確に再現することを目的としており、平面図から切り出された断面の様子を正確に再現することを目的とするものではない(したがって対応する平面図の図示は省略する。)。なお、第3実施形態では、前述した第1実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第1実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第3実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
以下では、本発明の第4の実施形態について、図12を参照しながら説明する。ここに図12は、図4と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるものである。なお、第4実施形態では、前述した第1実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第1実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第4実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
以下では、本発明の第5の実施形態について、図13を参照しながら説明する。ここに図13は、図4と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるものである。なお、第5実施形態では、前述した第1実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第1実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第5実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
なお、第5実施形態においては、前記のドレイン電極901に加えて、ドレイン電極901に対向配置され且つ該ドレイン電極901と平面的形状がほぼ同じであるような共通電位電極(例えば、図12に示した共通電位電極355のようなもの)、及び該共通電位電極とドレイン電極901との間に挟持される比較的薄い誘電体膜を製造することによって、蓄積容量を構成することができる。この場合、当該蓄積容量は、半導体層1aの下側に構築されることになる。
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図14及び図15を参照して説明する。ここに、図14は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図15は、図14のH−H’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図16は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
70…保持容量、300…容量線、71…中継層、75…誘電体膜
Claims (4)
- 基板上に、
遮光性を有する第1導電層と、
前記第1導電層の上層側に形成された第2導電層と、
前記第2導電層の上層側に形成され、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
平面視において前記第1導電層及び前記第2導電層とそれぞれ重なるように前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置されたチャネル領域と、
を有する半導体層と、
前記チャネル領域の上層側にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
遮光性を有し、前記ゲート電極の上層側に形成されると共に、前記チャネル領域と平面視において重なるように配置された第3導電層と、
を備えており、
前記第1導電層は、前記半導体層よりも下層側に設けられた第1コンタクトホールを介して前記ソース領域に電気的に接続されるデータ線として機能し、
前記第2導電層には共通電位が供給されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第3導電膜の上層側に形成され、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、
遮光性を有し、前記第3導電層の上層側であって、且つ前記画素電極の下層側に形成されると共に、誘電体膜を介して前記第3導電層と対向配置された第4導電層と、
を備え、
前記第3導電層は前記画素電極と電気的に接続されており、前記第4導電層は前記第2導電層と電気的に接続されており、
前記第3導電層の一部と、前記第4導電層の一部と、前記誘電体膜とによって蓄積容量が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 遮光性を有し、前記第3導電層の上層側であって、且つ前記画素電極の下層側に形成されると共に、前記チャネル領域と平面視において重なるように配置された第5導電層を備え、
前記第1導電層と前記第5導電層とは、平面視において、前記半導体層及び前記蓄積容量と重ならない位置に形成された第2コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010811A JP4457672B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 電気光学装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010811A JP4457672B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005202312A JP2005202312A (ja) | 2005-07-28 |
JP2005202312A5 JP2005202312A5 (ja) | 2006-06-08 |
JP4457672B2 true JP4457672B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=34823430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004010811A Expired - Fee Related JP4457672B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4457672B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4957023B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2010032830A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sony Corp | 表示装置と電子機器 |
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---|---|
JP2005202312A (ja) | 2005-07-28 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
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