JP3783707B2 - 検査素子付基板並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
前記複数の層間膜下側配線パターンの直上に形成され表面が平坦化された層間膜と、
前記複数の層間膜下側配線パターンの一部に対応して、前記平坦化された層間膜に形成された複数のコンタクトホールと、
前記検査素子付き基板と前記複数の層間膜下側配線パターンとの間に設けられ、前記複数のコンタクトホールの各々の領域に対応した厚みが同一又は略同一である積層膜と、
を備えたことを特徴とする。
前記へこみの領域及びその他の領域の少なくとも一方に配置された成膜層で形成された複数の層間膜下側配線パターンと、
前記複数の層間膜下側配線パターンの直上に形成され表面が平坦化された層間膜と、
前記複数の層間膜下側配線パターンの一部に対応して、前記平坦化された層間膜に形成された複数のコンタクトホールと、
前記基板と前記複数の層間膜下側配線パターンとの間に設けられ、前記複数のコンタクトホールの各々の領域に対応した厚みから基板表面の法線方向の前記へこみ量を差し引いた値が同一又は略同一である積層膜と、
を備えたことを特徴とする検査素子付き基板。
これにより、第2のコンタクトホールの特性を配線層上の第1のコンタクトホールの特性に一致させることができ、検査素子形成領域に形成したパッドを利用して、第2のコンタクトホールの特性から第1のコンタクトホールの特性を推定することができる。
液晶装置は、図2及び図3に示すように、素子基板であるTFT基板10と対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。TFT基板10上には画素を構成する画素電極(ITO)9a等がマトリクス状に配置される。また、対向基板20上には全面に対向電極(ITO)21が設けられる。図4は画素を構成するTFT基板10上の素子の等価回路を示している。
この走査線11aは、平面的にみて、図6のX方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線11aは、図6のX方向に沿うように延びる本線部と、データ線6a或いはシールド層400が延在する図6のY方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線11aから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線11aは1本1本分断された形となっている。
さらに、TFT30を構成する半導体層1aは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層1aを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
また、蓄積容量70は、図6の平面図に示すように、画素電極9aの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため(換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため)、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能である。
そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。窒化チタン層は、シールド層用中継層6a1、第2中継電極6a2に対して形成するコンタクトホール803,804のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。
また、シールド層用中継層6a1及び第2中継電極6a2上に、水分の浸入をせき止める作用に比較的優れたプラズマ窒化膜が形成されることにより、TFT30の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。尚、プラズマ窒化膜としては、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
シール材52は、TFT基板10の1辺の一部において欠落しており、貼り合わされたTFT基板10及び対向基板20相互の間隙には、液晶50を注入するための液晶注入口108が形成される。液晶注入口108より液晶が注入された後、液晶注入口108を封止材109で封止するようになっている。
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を図1及び図8乃至図10を参照して説明する。図1は画素領域以外の位置に形成される検査素子形成領域の断面構造を示し、図8及び図9は画素領域における製造工程を工程順に示し、図10は製造方法を示すフローチャートである。なお、各素子の特性を検出するための検査素子パターンは、相互に異なる水平位置に形成される。
ここでまず、第3層間絶縁膜43の直上には、例えばアルミニウム等の低抵抗な材料から下層膜を形成し、次いで、この下層膜上に、例えば窒化チタン等その他後述の画素電極9aを構成するITOと電蝕を生じない材料から上層膜を形成し、最後に、下層膜及び上層膜をともにパターニングすることで、2層構造を有するシールド層400が形成される。なお、この際、シールド層400とともに、第3中継電極402もまた形成される。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図15は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
Claims (11)
- 夫々成膜パターンが形成される複数の成膜層と、
前記複数の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、
前記複数の成膜層のうちの少なくとも1つの成膜層の各成膜パターンと同一膜で検査素子形成領域に形成される検査素子パターンと、
平坦化された最上層の層間膜の前記検査素子形成領域に形成され、前記検査素子パターンに接続される複数のパッドを露出させる開孔部と、
前記複数の成膜層のうちの所定の成膜層の各成膜パターンと同一膜で前記複数のパッドの夫々下方に形成されるダミーパターンとを具備し、
前記ダミーパターンは、前記平坦化された最上層の層間膜の表面から前記複数のパッドまでの距離及び前記平坦化された最上層の層間膜の表面から前記成膜層の成膜パターンまでの距離を一致させるように前記複数のパッドの下方に相互に独立して形成されたことを特徴とする検査素子付き基板。 - 前記ダミーパターンは、前記複数のパッドの下方に、相互に同一の成膜層の成膜パターン
で形成されることを特徴とする請求項1に記載の検査素子付き基板。 - 前記ダミーパターンは、前記複数のパッドの下方に分離された2パターンとして形成され
ることを特徴とする請求項2に記載の検査素子付き基板。 - 夫々成膜パターンが形成される複数の成膜層と、
前記複数の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、
前記複数の成膜層のうちの所定の配線層の成膜パターン上の平坦化された層間膜に形成されて前記配線層上に形成される第1のコンタクトホールと、
前記所定の配線層の成膜工程において前記配線層の成膜パターンと同一材料で検査素子
形成領域に形成される配線パターンと、
前記配線パターン上の前記平坦化された層間膜に形成されて前記配線パターンに電気的
に接続される第2のコンタクトホールと、
前記平坦化された層間膜の前記検査素子形成領域に形成され、前記第2のコンタク
トホールを介して前記配線パターンに接続されるパッドを露出させる開孔部と、
前記配線パターンの下方に形成されるダミーパターンとを具備し、
前記ダミーパターンは、前記平坦化された層間膜の表面から前記配線層の成膜パターンまでの距離と前記平坦化された層間膜の表面から前記配線パターンまでの距離とを一致させるように前記配線パターンの下方に形成されることを特徴とする検査素子付き基板。 - 夫々成膜パターンが形成される複数の成膜層と、
前記複数の成膜層相互間に夫々形成される層間膜と、
前記複数の成膜層のうちの所定の配線層の成膜パターン上の平坦化された層間膜に形成されて前記配線層上に形成される第1のコンタクトホールと、
前記所定の配線層の成膜工程において前記配線層の成膜パターンと同一材料で検査素子
形成領域に形成される配線パターンと、
前記検査素子形成領域であって、前記配線パターン上の前記平坦化された層間膜に形成されて前記配線パターン上に形成される第2のコンタクトホールと、
前記平坦化された層間膜の前記検査素子形成領域に形成され、前記第2のコンタク
トホールを介して前記配線パターンに接続されるパッドを露出させる開孔部と、
前記配線パターンの下方に形成されるダミーパターンとを具備し、
前記ダミーパターンは、前記平坦化された層間膜の表面から前記配線層の成膜パターンまでの距離と前記平坦化された層間膜の表面から前記配線パターンまでの距離とを一致させるように、前記所定の配線層の下方に形成された前記複数の成膜層の各成膜パターンと同一膜で前記配線パターンの下方に形成されることを特徴とする検査素子付き基板。 - 前記ダミーパターンは、前記成膜層の各成膜パターンの少なくとも一部から延設されてい
ることを特徴とする請求項5に記載の検査素子付き基板。 - 平面的には格子状に配設される複数のデータ線及び複数の走査線の各交差に対応して画素
電極の成膜パターンが形成される画素電極層と、
前記複数のデータ線の成膜パターンが形成される第1の成膜層と、
前記複数の走査線の成膜パターン及び前記画素電極に信号を供給するためのスイッチン
グ素子の成膜パターンが形成される第2の成膜層と、
前記画素電極層、前記第1の成膜層及び前記第2の成膜層相互間に夫々形成される層間
膜と、
前記第1の成膜層及び前記第2の成膜層うちの少なくとも1つ又は他の成膜層の各成膜パターンと同一材料で検査素子形成領域に形成される検査素子パターンと、
平坦化された最上層の層間膜の前記検査素子形成領域に形成され、前記検査素子パター
ンに接続される複数のパッドを露出させる開孔部と、
複数の前記成膜層のうちの所定の成膜層の各成膜パターンと同一膜で前記複数のパッドの夫々下方に形成されるダミーパターンとを具備し、
前記平坦化された最上層の層間膜の表面から前記複数のパッドまでの距離及び前記平坦化された最上層の層間膜の表面から前記パッドと同一膜である成膜パターンまでの距離を一致させるように形成されたことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 前記ダミーパターンは、複数の前記成膜層のうちの所定の成膜層の各成膜パターンの少な
くとも一部から延設されていることを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置用基板。 - 平面的には格子状に配設される複数のデータ線及び複数の走査線の各交差に対応して画素
電極の成膜パターンが形成される画素電極層と、
前記複数のデータ線の成膜パターンが形成される第1の成膜層と、
前記複数の走査線の成膜パターン及び前記画素電極に信号を供給するためのスイッチン
グ素子の成膜パターンが形成される第2の成膜層と、
前記画素電極層、前記第1の成膜層及び前記第2の成膜層相互間に夫々形成される層間
膜と、
前記第1の成膜層及び前記第2の成膜層の少なくとも1つ又は他の成膜層のうちの所定の配線層の成膜パターン上の平坦化された層間膜に形成され、前記配線層の成膜パターン上に形成される第1のコンタクトホールと、
前記所定の配線層の成膜パターンの成膜工程において前記配線層の成膜パターンと同一材料で検査素子形成領域に形成される配線パターンと、
前記配線パターン上の前記平坦化された層間膜に形成され、前記配線パターンに電気的
に接続される第2のコンタクトホールと、
前記平坦化された最上層の層間膜の前記検査素子形成領域に形成され、前記第2のコンタクトホールを介して前記配線パターンに接続されるパッドを露出させる開孔部と、
前記配線パターンの下方に形成されるダミーパターンとを具備し、
前記ダミーパターンは、前記平坦化された層間膜の表面から前記配線層の成膜パターンまでの距離と前記平坦化された層間膜の表面から前記配線パターンまでの距離とを一致させるように前記配線パターンの下方に形成されることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項8又は9のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板を用いて構成したことを
特徴とする電気光学装置。 - 請求項10に記載の電気光学装置を用いて構成したことを特徴とする電子機器。
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