JP4016955B2 - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。

従来、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。

このような電気光学装置では、上記に加えて、画素電極に対向配置される対向電極、画素電極及び対向電極間に挟持される液晶層、更には画素電極及び対向電極それぞれの上に形成される配向膜等を備えることで、画像表示が可能となる。

すなわち、配向膜によって所定の配向状態とされた液晶層内の液晶分子は、画素電極及び対向電極間に設定された所定の電位差によって、その配向状態が適当に変更され、これにより、当該液晶層を透過する光の透過率が変化することによって画像の表示が可能となるのである。

この場合特に、前記配向膜は、電界の印加されていない液晶分子を所定の配向状態に維持させるという役割を担っている。これを実現するためには、例えば、配向膜をポリイミド等の高分子有機化合物により構成するとともに、これにラビング処理を実施することが広く行われる。ここでラビング処理とは、回転金属ローラ等に巻き付けたバフ布で、焼成後の配向膜表面を一定方向に擦る処理をいう。これにより、高分子の主鎖が所定の方向に延伸されることになり、該延伸の方向に沿って液晶分子は配列させられることになる。

また、前述の電気光学装置における前記基板は、走査線、データ線及び画素電極等が設けられる画像表示領域と、走査線駆動回路、データ線駆動回路、これら回路に所定信号を供給するための外部回路接続端子等が設けられる周辺領域とを有する。このような電気光学装置の一例としては、例えば特許文献１に記載されているものを挙げることができる。

特開２０００−２０６５６８号公報

しかしながら、従来における電気光学装置においては次のような問題点がある。すなわち、まず、前記の走査線、データ線、画素電極及びＴＦＴは、基板上に、積層構造を構築するように形成される。例えば、基板の表面に近い順に、ＴＦＴ、走査線、データ線及び画素電極がそれぞれの間に層間絶縁膜を挟みつつ垂直的に重ねられていくことで、前記積層構造は構築される。しかしながら、かかる構造においては、例えば、ＴＦＴの形成されている領域とそれ以外の領域とで積層構造が異なる等、層厚の厚い領域と薄い領域とが形成され、その結果、最上層に段差が生じてしまい、その上に形成される配向膜にも段差が生じ、表示ムラの発生の原因となっていたのである。この表示ムラは、配向膜にラビング処理を行う際、バフ布の毛先が前記段差により掻き乱れる結果、擦る度合いが基板面全体にわたって不均一となってしまうため、液晶分子が一定方向に配向しないことから生じるものと考えられる。ちなみに、前記の表示ムラとは、具体的には、ラビング方向に沿ったスジ状のものとして発生することがあり表示品位を低下させる。

そこで、従来では、層厚の厚い領域にエッチングによって溝を形成し、薄い領域に比較して厚くなっている分を調節する構成が提案されている。しかし、かかる構成では、例えば、層厚の異なる領域が複数ある場合、それぞれの調整にエッチングが必要となるため、エッチング工程の回数を増やし、複数回処理する必要がある。しかしながら、実際は工程が煩雑になってしまうので、複数回処理するのは現実的ではなく、部分的な厚さの調節に留まっていた。そのため、従来の構成では一部分、例えば、端子領域では平坦であるが基板全体で見ると段差が生じていた。

また、エッチングにより溝を形成すると、下地残りが生じる可能性があり、それが配線間の短絡を起こす原因となっていた。

一方、従来における電気光学装置では次のような問題点もある。すなわち、前記の積層構造において、前記外部回路接続端子は、データ線駆動回路又は走査線駆動回路等に所定信号を供給するための回路、或いは対向電極に所定電位を供給するための電源等、電気光学装置の外部に設けられる回路等との電気的な接続を図るための端子であるから、該外部回路接続端子は、必ず、外部に曝された部分を備えている必要がある。しかしながら、前記の積層構造を前提として、層間絶縁膜下の前記部分を外部に曝す構造をとるためには、当該部分に向けて層間絶縁膜に開口部を形成する必要がある。これによると、該開口部に対応して、積層構造の最表面が落ち込むような形状が形作られ、当該最表面に凸凹を生じさせる結果となってしまう。そして、このような最表面に配向膜を形成すると、該配向膜に前記凸凹が転写されるようなかたちとなって、該配向膜にも凸凹を生じさせることになる。その結果、該配向膜をラビングする際、前記回転ローラは場所場所に応じて不規則な力を受けることになり、配向膜を削る可能性が大きくなる。このような削り滓が発生し、該削り滓が画素電極及び対向電極間に残ってしまうと、両者間にかけられた電位差に対応する所期した配向状態の実現の妨げになる（すなわち、配向不良を生じさせる）ことがあり、画像の品質を貶めてしまう可能性（例えば、光抜けが生じる等）がでてくる。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、層厚の異なる領域を極力なくすことで配向膜上の段差をなくし、或いは外部回路接続端子の形成領域を可能な限り平坦にしてラビングする際に発生する配向膜の削り滓を極力発生させないようにすることで、より高品質な画像を表示することの可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、そのような電気光学装置を具備する電子機器を提供することをも課題とする。

本発明の第１の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に形成され平坦化処理された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との信号を伝送するための第１導電膜と、前記第１絶縁膜上に形成され平坦化処理された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に対応する領域に形成され、前記第１導電膜に達する開口部とで、接続端子部を構成することを特徴とする。

本発明の第１の電気光学装置によれば、第１絶縁膜及び第２絶縁膜が、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されていることにより、その表面は優れた平坦性を有する。そして、この第２絶縁膜には第１導電膜に達する開口部が形成されることで接続端子部を構成する。これによると、第１絶縁膜を平坦化することで、第１絶縁膜下の積層構造において、配線もしくは電極が存在する領域と存在しない領域とで総厚が異なり、上層の第２絶縁膜で平坦化するために第２絶縁膜を厚く堆積して平坦化しなければならない。しかし、本発明によれば、第２絶縁膜は薄く堆積して平坦化すればよく、接続端子領域の段差を容易に低減することができ、コストの低減化等を図ることができる。そして、優れた平坦性を実現できることにより、総厚の異なる領域は減少することとなり、また、配向膜に対するラビング処理を実施する際、前記凸凹に起因して削り滓が発生するという事態を防止することができる。そして、本発明ではより高品質な画像を表示することができることになる。

本発明の第１の電気光学装置の一態様では、画像表示領域に配置されたスイッチング素
子と、前記スイッチング素子に電気的に接続されたデータ線と、前記スイッチング素子に
電気的に接続された画素電極とを備える。さらに、前記画素電極の画素電位に電気的に接
続される画素電位側容量電極と、この画素電位側容量電極に絶縁膜を介して対向配置され
た固定電位側容量電極とからなる蓄積容量と、前記データ線よりも上層に形成され前記固
定電位側容量電極に電気的に接続された容量線とを備える。そして、前記容量線は前記第
１絶縁膜上に形成され、前記第１導電膜は前記容量線の膜と同一膜でなることを特徴とす
る。
また、本発明の電気光学装置は、基板上に形成され平坦化処理された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との信号を伝送するための第１導電膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され平坦化処理された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に対応する領域に形成され、前記第１導電膜に達する
開口部と、を備えて構成された接続端子部と、
画像表示領域に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続さ
れたデータ線と、前記スイッチング素子に中継層を介して電気的に接続された画素電極と、前記中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第３コンタクトホールと、前記画素電極の画素電位に電気的に接続される画素電位側容量電極と、この画素電位側容量電極に絶縁膜を介して対向配置された固定電位側容量電極とからなる蓄積容量と、前記データ線よりも上層に形成され前記固定電位側容量電極に電気的に接続された容量線とを備え、
前記容量線及び前記中継層は前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１導電膜は前記容量線の膜及び前記中継層と同一膜でなることを特徴とする。

この態様によれば、画像表示領域に配置されたスイッチング素子、データ線、蓄積容量を構成する電極、容量線といった各要素を積層する構造により、配線もしくは電極が存在する領域と存在しない領域とで総厚の差が大きくなっても、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を平坦化処理することで、製造コストの低減化を図り、優れた平坦性を実現できる。

また、本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記接続端子部に対応した前記第１絶縁膜の下層には、前記画像表示領域に積層された配線もしくは電極の膜と同一膜の導電膜が形成される。

この態様によれば、画像表示領域に積層された配線を利用するので、コストの低減を図り、接続端子領域の積層構造と画像表示領域の積層構造の差を埋めることができる。

また、本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記第１導電膜は、前記外部回路と接続するための基板に接続される接続端子の表面を成すとよい。

また、本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記第２絶縁膜の上面は、前記第１導電膜の上面と同一平面を成すとよい。

この態様では、第２絶縁膜と第１導電膜との段差が生じることがないので、配向膜に対するラビング処理を実施する際、削り滓が発生することを防止することができる。

また、本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記第２絶縁膜の開口部を介して前記第１導電膜と導通する第２導電膜を有するとよい。

この態様によれば、第２導電膜は、平坦化するための厚さ調整膜として機能させることができる。

また、この態様では、第２導電膜は、例えば、画素電極と同一膜で形成するとよい。そして、この第２導電膜は外部回路と接続するための基板に接続される接続端子部の表面を成すとよい。

また、この態様では、前記第２絶縁膜の開口部は、複数の第１コンタクトホールで構成され、該コンタクトホールを介して、前記第１導電膜と前記第２導電膜とが導通するとよい。第１絶縁膜は平坦化されているので、第２絶縁膜の膜厚を薄くでき第１コンタクトホールの深さは浅くてすむ。また、複数のコンタクトホールを形成するので、第１導電膜と第２導電膜との接続の低抵抗化に寄与する。

また、この態様は、前記第１コンタクトホールは、少なくとも前記第１導電膜に点在するように形成されるとよい。

この態様によれば、例えば、導電膜の面積にほぼ等しい第１コンタクトホールが一つだけ形成されるなどという場合に比べて、第２導電膜が、第１コンタクトホールの底の方に落ち込むようなことがない。したがって、配向膜を、本態様に係る構造の上、すなわち、第２導電膜の上に形成したとしても、その表面に凸凹が形成されるおそれは一層低減されており、層厚の異なる領域は減少することとなり、また、該配向膜に対するラビング処理によって、その削り滓を発生させるという可能性は著しく減退されることになる。なお、第１コンタクトホールが点在する形態は、均等に導電膜全面に形成されてもよいし、線状、格子状、市松模様状などでもよい。

また、本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記第１導電膜は、内部回路に電気的に接続される配線に導通されるとよい。そして、前記内部回路に電気的に接続される配線は、前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１導電膜の膜と同一膜でなるとよい。もしくは、前記第１絶縁膜の下層の第３絶縁膜上に形成され、第２コンタクトホールを介して前記第１導電膜と導通されてもよい。

そして、この態様では、前記第２コンタクトホールは、前記第１導電膜の周縁に形成されるとよい。

この態様によれば、第１導電膜のうち、該第１導電膜の周囲の領域ではない領域、換言すれば、導電膜の中央領域は、第１コンタクトホール上には形成されていないことになるから、当該領域において優れた平坦性を得ることができる。

また、この態様は、前記第２コンタクトホールは、前記第２絶縁膜と重なる領域に位置するとよい。この構成によれば、第１導電膜の平坦性が保たれる。

また、前記第２コンタクトホールを、前記第１導電膜に点在するように複数形成してもよい。この第２第１コンタクトホールが点在する形態は、均等に導電膜全面に形成されてもよいし、線状、格子状、市松模様状などでもよい。

また、この態様は、前記データ線は前記第３絶縁膜上に形成され、前記内部回路に電気的に接続される配線は、前記データ線の膜と同一膜でなるとよい。

この態様によれば、画像表示領域に積層された配線を利用するので、コストの低減を図り、接続端子領域の積層構造と画像表示領域の積層構造の差を埋めることができる。

また、本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記基板に対向し対向電極を有する対向基板と、前記第１導電膜の膜と同一膜のパッドとを備え、前記対向電極と前記パッドは導通端子を介して電気的に接続されるとよい。

この態様によれば、対向基板の対向電極との導通をとるために、パッドを接続端子部の第１導電膜の形成と同時に形成すれば、製造コストの低減化を図ることがきる。また、接続端子部のようにダミー導電膜を形成すれば、パッド形成部も含めて優れた平坦性を実現できる。

本発明の第２の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との信号を伝送するための第１導電膜と、前記第１絶縁膜上に形成され平坦化処理された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に対応する領域に形成され、前記第１導電膜に達する開口部とで、接続端子部を構成し、さらに、前記第１絶縁膜の下層の第３絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを介して前記第１導電膜と導通する内部回路に電気的に接続される配線とを備えることを特徴とする。

本発明の第２の電気光学装置によれば、第２絶縁膜が、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されていることにより、その表面は優れた平坦性を有する。そして、この第２絶縁膜には第１導電膜に達する開口部が形成されることで接続端子部を構成する。これによると、第１絶縁膜下の積層構造において、配線もしくは電極が存在する領域と存在しない領域とで総厚が異なっても、第２絶縁膜で平坦化するために、接続端子領域の段差を低減することができる。そして、優れた平坦性を実現できることにより、総厚の異なる領域は減少することとなり、また、配向膜に対するラビング処理を実施する際、前記凸凹に起因して削り滓が発生するという事態を防止することができる。そして、本発明ではより高品質な画像を表示することができることになる。

また、本発明の第２の電気光学装置の一態様では、前記第２絶縁膜の上面は、前記第１導電膜の上面と同一平面を成すとよい。

この態様によれば、第２絶縁膜と第１導電膜との段差が生じることがないので、配向膜に対するラビング処理を実施する際、削り滓が発生することを防止することができる。

本発明の第３の電気光学装置は、上記課題を解決するために、画像表示領域に配置されたスイッチング素子と、前記第１絶縁膜上に形成され前記スイッチング素子に電気的に接続されたデータ線と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の画素電位に接続される画素電位側容量電極と、この画素電位側容量電極に絶縁膜を介して対向配置された固定電位側容量電極とからなる蓄積容量と、前記データ線よりも上層の第２絶縁膜上に形成され前記固定電位側容量電極に電気的に接続された容量線と、前記容量線上に第３絶縁膜を備え、前記第２絶縁膜上に前記容量線の膜と同一膜で形成され、外部回路との信号を伝送するための第１導電膜と、前記第３絶縁膜の前記第１導電膜に対応する領域に、前記第１導電膜に達する開口部とで接続端子部を構成し、前記第１絶縁膜上に前記データ線の膜と同一膜で形成され、コンタクトホールを介して前記第１導電膜と導通し内部回路に電気的に接続される配線とを備えることを特徴とする。

本発明の第３の電気光学装置によれば、データ線より上層の容量線の膜と同一膜で第１導電膜を形成し、データ線の膜と同一膜で内部回路に電気的に接続される配線とした。これにより、上層側に第１導電膜が形成されるので、第３絶縁膜と第１導電膜との段差を低減することができ、配向膜に対するラビング処理を実施する際、削り滓が発生することを抑制することができる。また、内部回路に電気的に接続される配線は容量線下のデータ線の膜と同一膜で形成したので、第１導電膜と配線とのコンタクトホールとの深さを浅くすることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に第１絶縁膜を形成し前記第１絶縁膜の表面を平坦化処理する工程と、前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との信号を伝送するための第１導電膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜及び前記第１導電膜上に第２絶縁膜を形成し平坦化処理する工程と、前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に対応する領域を除去し、前記第１導電膜を開口する工程を含み、接続端子部を形成することを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を比較的容易に製造することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第１導電膜は画像表示領域に形成される容量線と同時に形成し、前記第２導電膜は前記画像表示領域に形成されるデータ線と同時に形成するとよい。

本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、前述の各種態様を含む本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、前述の本発明の電気光学装置を具備してなるから、配向膜にラビング処理を施しても、その削り滓が殆ど発生しないことにより、高品質な画像を表示することの可能な、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

〔第１実施形態〕
〔電気光学装置の全体構成〕
まず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

図１及び図２において、第１実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、第１実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。なお、第１実施形態においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、第１実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。このうちデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、配線６ａＰを介して外部回路接続端子１０２と接続されている。この点については、後に詳述する。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、上下導通端子１０６が配置されている。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、図示しない配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に図示しない配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

以上のような全体構成を有する第１実施形態の電気光学装置においては、上述した各種要素のうち、外部回路接続端子１０２に関する具体的構成について特徴があるが、その点については、図７等を参照しながら後に詳述する。

なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

〔画素部における構成〕
以下では、本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３から図８を参照して説明する。ここに図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図４及び図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分けて図示している。

また、図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。さらに、図７は、図１における符号Ｚ１を付した円内部分（外部回路接続端子１０２及びその付近）を拡大した平面図であり、図８は、図７のＰ１−Ｐ１´断面図である。なお、図８は、図２における符号Ｚ２を付した円内部分の拡大図であって、図６に示す積層構造に対応する断面図でもある。また、図６及び図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

（画素部の回路構成）
図３において、第１実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、データ線６ａと走査線１１ａとの交差部に対応して、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。そして、画像信号が供給されるデータ線６ａは当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、誘電体膜を挟んで画素電位側容量電極と定電位に固定された固定電位側容量電極３００で構成される。

〔画素部の具体的構成〕
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的な構成について、図４乃至図７を参照して説明する。

まず、図４及び図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（図５において点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａよりＴＦＴアレイ基板１０側の下層に形成される。そして、走査線１１ａは半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

次に、電気光学装置は、図４及び図５のＡ−Ａ´線断面図たる図６に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。

ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図６に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０の液晶は、ツイストネマチックの液晶や、垂直配向用の液晶でも良い。

一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図６に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、本発明にいう「第１配線」の一例たる容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。

また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図４に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。

（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図４のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向の上下に本線部から延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。

これにより、走査線１１ａは、同一行に存在するＴＦＴ３０のＯＮ・ＯＦＦを一斉に制御する機能を有することになる。また、遮光性の走査線１１ａを用いた場合は、画素電極９ａが形成されない領域を略埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能をも有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制的にし、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。

（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図６に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えば導電性のポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

また、第１実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜の中継電極７１９が下地絶縁膜１２上に形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図４に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、導電性ポリシリコン膜等からなる。

なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図６に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、第１実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。

（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており（図４参照）、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図４によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。

また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のように走査線毎に独立して形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。

なお、本発明においては、走査線１１ａに平行するようにして、ゲート電極３ａを含み該ゲート電極３ａと同一層としての別の走査線を形成するような構造を採用してもよい。この場合においては、該走査線１１ａと該別の走査線とは、例えば、表示領域外で互いに電気接続をとり、冗長的な配線構造をとることになる。これにより、例えば、該走査線１１ａの一部に何らかの欠陥があって、正常な通電が不可能となったような場合においても、当該走査線１１ａと同一の行に存在する別の走査線が健全である限り、それを介してＴＦＴ３０の動作制御を依然正常に行うことができることになる。

（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、第１実施形態に係る蓄積容量７０は、図４の平面図を見るとわかるように、隣接する画素電極９ａの縁の形成領域に重なっている。しかし、画素電極９ａ形成領域にほぼ対応する光透過領域には重ならないように形成されている。換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。

より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９その他の要素を介して行われている。

容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。そして、容量電極３００は下部電極７１と同形状となり、下部電極７１と同様に島状の電極を構成している。第１実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。
これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。

誘電体膜７５は、図６に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。

第１実施形態において、この誘電体膜７５は、図６に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。

これにより、比較的誘電率の大きい窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となる他、それにもかかわらず、酸化シリコン膜７５ａが存在することにより、蓄積容量７０の耐圧性を低下せしめることがない。このように、誘電体膜７５を二層構造とすることにより、相反する二つの作用効果を享受することが可能となる。また、着色性のある窒化シリコン膜７５ｂは下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、光が透過される部分に形成されていない（遮光領域内に位置する）ので、透過率が低下することを防止できる。また、窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、ＴＦＴ３０に対する水の浸入を未然に防止することが可能となっている。これにより、ＴＦＴ３０におけるスレッショルド電圧の上昇という事態を招来することがなく、比較的長期の装置運用が可能となる。なお、誘電体膜７５のパターン形状並びに蓄積容量７０の下部電極７１と容量電極３００のパターン形状は、同じパターン形状であってもよい。

なお、第１実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。

（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。

そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。中継電極７１９はゲート電極３ａと同一材料で形成される。

なお、第１実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａやゲート電極３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。

（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図６に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図６における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図６における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図６における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。このうちデータ線６ａが、比較的低抵抗な材料たるアルミニウムを含むことにより、ＴＦＴ３０、画素電極９ａに対する画像信号の供給を滞りなく実現することができる。他方、データ線６ａ上に水分の浸入をせき止める作用に比較的優れた窒化シリコン膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。なお、窒化シリコン膜は、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。

また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図５中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有する容量配線用中継層６ａ１、更にその右方に容量配線用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。

ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。このうち窒化チタン層は、容量配線用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２に対して形成するコンタクトホール８０３、８０４（後述）のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。また、窒化シリコン膜は、水分の浸入をせき止める作用に比較的優れているため、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。ちなみに、このような窒化シリコン膜は、いま述べた容量配線用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２の形成領域と併せて、前述のデータ線６ａの形成領域にも形成されることになるから、該窒化シリコン膜の形成面積は相対的に増大しているかの如き状態となる。よって、前述の水分浸入防止作用は、より効果的に発揮されることになる。

（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。

なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、第１層間絶縁膜４１に関して前述したような焼成を行わないことにより、容量電極３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。

（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
さて、前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。容量配線４００は第３層間絶縁膜４３上に形成されている。第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の平坦化処理が施されることによって平坦化されているとよい。この容量配線４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。

さらには、図５中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制的にし、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。

この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている（後のパッド４０４Ｐに関する説明参照。）。

このように、データ線６ａの全体を覆うように形成されているとともに、固定電位とされた容量配線４００の存在によれば、該データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上に該データ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。第１実施形態においては特に、容量配線４００は格子状に形成されているから、走査線１１ａが延在する部分についても無用な容量カップリングが生じないように、これを抑制することが可能となっている。

また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。

他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。このように容量配線４００及び第３中継電極４０２は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、該容量配線４００及び該第３中継層４０２は遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図６参照）の進行を、その上側でさえぎることが可能である。

そして、第１実施形態においては特に、図７及び図８に示すように、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２（以下、併せて「容量配線４００等」ということがある。）と同一膜として、周辺領域にはパッド４０４Ｐが形成されている。これにより、パッド４０４Ｐは、前述の容量配線４００等と同様に、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層という二層構造を有している。ただし、パッド４０４Ｐと容量配線４００等とは同一膜として形成されてはいるものの、両者は、パターニング上分断されるように形成されている。

このパッド４０４Ｐは、図１及び図２を参照して説明した外部回路接続端子１０２の一部を構成する。具体的には、パッド４０４Ｐ上に形成された後述の第４層間絶縁膜４４に、該パッド４０４Ｐへ通ずる開口部４４Ｈが形成され、該パッド４０４Ｐの上面が外部へ露出することによって、外部回路接続端子１０２が形成されるようになっている。ちなみに、第１実施形態では特に、第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理が施されることによって平坦化されている。

以上のことから、第１実施形態においては、第４層間絶縁膜４４を開口させることでパッド４０４Ｐの表面を露出させている。第４層間絶縁膜４４の厚みはその厚みが薄いほど、第４層間絶縁膜４４の表面と（本発明にいう「積層構造の最上面」の一例に該当する。）パッド４０４Ｐの表面との段差が少なくなり、ラビング処理で削り滓を発生することを低減できる。図８においては、第４層間絶縁膜４４の厚みは第３層間絶縁膜４３の厚みより薄く、第４層間絶縁膜４４の表面とパッド４０４Ｐの表面とは、ほぼ同等の高さに位置しているということができる。

また、パッド４０４Ｐが形成される周辺領域の積層構造の高さ、すなわち基板１０からの総厚についても以下のように工夫されている。パッド４０４Ｐの図８中下方には、上から順に、後述の第３層間絶縁膜４３、配線６ａＰ、第２層間絶縁膜４２、ダミー蓄積容量７０Ｐ、第１層間絶縁膜４１、ダミーゲート電極３ａＰ、下地絶縁膜１２、ダミー走査線１１ａＰが形成されている。

これらのうち、各層間絶縁膜４３、４２、４１及び１２は、図６で説明した各層間絶縁膜４３、４２、４１及び１２と同一のものである（なお、第４層間絶縁膜４４に関しても同様である。）。また、ダミー蓄積容量７０Ｐ、ダミーゲート電極３ａＰ及びダミー走査線１１ａＰは、それぞれ、前述した蓄積容量７０、ゲート電極３ａ及び走査線１１ａと同一膜として形成されている。例えば、ダミー蓄積容量７０Ｐは、前記の蓄積容量７０を構成する下側電極７１、容量電極３００及び誘電体膜７５それぞれに対応する要素を備えた多層構造を有している。他の要素についてもほぼ同様である。これらの層間絶縁膜や電極等の各要素の厚みは、周辺領域の要素と画像表示領域の要素は同一の厚みである。このように、周辺領域においても、画像表示領域１０ａに形成される要素に対応した要素（即ち、符号６ａＰ、７０Ｐ、３ａＰ及び１１ａＰに対応する各要素）を形成すれば、周辺領域と画像表示領域１０ａとにおける積層構造の全体の高さをほぼ同一とする等の調整を行うことができる。

なお、前記のダミー走査線１１ａＰ等々は、図７に示すように、パッド４０４Ｐとほぼ同一の平面的形状を有し、且つ、ダミー蓄積容量７０Ｐ、ダミーゲート電極３ａＰ及びダミー走査線１１ａ等々は平面的にすべて同一の形状を有している（図７では、これらダミー走査線１１ａＰ等々の外形形状が、共通の符号「ＤＰ」でもって表されている。）。また、前記のダミーゲート電極３ａＰ、ダミー蓄積容量７０Ｐ等々は、ゲート電極３ａ、蓄積容量７０等々と同一膜として形成されているものの、両者は（即ち、図８における「ダミー」の各要素と、これらに対応する図６における各要素は）パターニング上分断されるように形成されている。したがって、両者間に電気的に接続された関係はない。また、ダミーゲート電極３ａＰ、ダミー蓄積容量７０Ｐ等々における「ゲート電極」、「蓄積容量」という名前は、それぞれ、上述のようにゲート電極３ａ、蓄積容量７０と同一膜として形成されているという意味を表すために使われており、これらが、ゲート電極、蓄積容量として機能するということを意味するものでない。

他方、前記の要素のうち配線６ａＰは、データ線６ａと同一膜として形成されており、ダミーゲート電極３ａＰ等々と同様、パッド４０４Ｐの高さ調整に寄与することには変わりはないものの、第１実施形態においてそれに加えて特別な機能を担っている。まず、該配線６ａＰは、前記のデータ線６ａと同様に、下層より順に、アルミニウムからなる層（図６における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図６における符号４１ＴＮ参照）を備えている。なお、窒化シリコン膜からなる層(図６における符号４０１参照)については、その前駆膜形成後、パターニング処理（フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程）が施されることによって除去されている。また、該配線６ａＰは、第３層間絶縁膜４３に穿設されたコンタクトホール４３Ｈを介して、前記パッド４０４Ｐと電気的に接続されている。

このように、配線６ａＰは、外部回路接続端子１０２、ないしその一部たるパッド４０４Ｐに接続された各種の外部回路から送られてくる信号を、当該電気光学装置を構成する各種の要素（例えば、前記ＴＦＴ３０等）に伝達する機能を担っている。したがって、図１に示した複数の外部回路接続端子１０２のうちのいずれかに対応する配線６ａＰについては、データ線６ａと電気的に接続可能なように形成されているものもある。

ここで第１実施形態においては特に、このコンタクトホール４３Ｈ、或いはこれと前記の開口部４４Ｈとの配置関係は、次のようになっている。まず、パッド４０４Ｐは、図７に示すように、平面視して略四辺形状を有するように形成されており、開口部４４Ｈの平面視した形状は、これと略相似となる形状を有するように形成されている。ただし、前者の面積は後者の面積よりも大きい。すなわち、開口部４４Ｈの開孔面積は、パッド４０４Ｐの面積に比べて小さくされている。一方、前記コンタクトホール４３Ｈは、図７に示すように、開口部４４Ｈの開孔部分を取り囲むように、且つ、パッド４０４Ｐの外周形状に沿うように複数形成されている。

なお、コンタクトホール４３Ｈは、後述のコンタクトホール８０３及び８０４と同一の機会に開孔するのが好ましく、開口部４４Ｈは、後述のコンタクトホール８９と同一の機会に開孔するのが好ましい。

（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００等及びパッド４０４Ｐの下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。

（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。ちなみに、第４層間絶縁膜４４の表面は、前述のようにＣＭＰ処理等の平坦化処理が施されることによって平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。

なお、パッド４０４Ｐ上には配向膜１６が形成されているが、このパッド４０４ＰにＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板の端子と接続する際、ＦＰＣ基板の端子が配向膜１６を突き破って電気的接続が確保される。この電気的接続は異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を用いた手法が好ましい。あるいは、少なくともＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０が貼り合わされた後、ＦＰＣ基板を圧着して固定する前に、Ｏ_２プラズマ処理を行って配向膜１６を取り除いてもよい。

〔第１実施形態の電気光学装置の作用効果〕
以上のような構成となる第１実施形態の電気光学装置によれば、特に第５層の構成として説明したパッド４０４Ｐ、ないしは外部回路接続端子１０２等に関連して、次のような作用効果が奏されることになる。

まず第一に、パッド４０４Ｐの表面は、第４層間絶縁膜４４の表面と、該第４層間絶縁膜４４の厚さ分の差はあるものの、ほぼ同等の高さに位置するということができるから、このような構造の上に配向膜１６を形成しても、該配向膜１６には、外部回路接続端子１０２の形成領域に対応して急峻な凸凹が形成されるというおそれが極めて低減されている（図８参照）。したがって、第１実施形態によれば、配向膜１６に対するラビング処理を実施する際、前記凸凹に起因して削り滓が発生するという事態を防止することができる。また、これにより、より高品質な画像を表示することができることになる。

そして、第１実施形態においては特に、このような作用効果は、以下に述べる構成等によって支援されている。第１に、第１実施形態におけるパッド４０４Ｐは、上述のように容量配線４００と同一膜として形成されており、且つ、該容量配線４００は、図６に示すように画素電極９ａの直下（即ち、第４層間絶縁膜４４のみを挟んで）に形成されていることから、パッド４０４Ｐも、図８に示したように、積層構造中、画素電極９ａの直下の層に形成されることになり、パッド４０４Ｐの表面と第４層間絶縁膜４４の表面とを、より好適に同等の高さに位置させることが可能となる。第２に、第１実施形態においては、パッド４０４Ｐの下方に、ダミー走査線１１ａＰ等々の各種のダミー膜が形成されていることにより、該ダミー膜が固有に有する「高さ」でもってパッド４０４Ｐを積層構造中より上層に位置付けさせることができる。もし、ダミー膜がなければ、画素領域から周辺領域までの層間絶縁膜４４を平坦化するために、ダミー膜が存在しない分、層間絶縁膜４４の厚みが厚くなり、パッド４０４Ｐの表面と第４層間絶縁膜４４の表面との段差が大きくなってしまう。この第１実施形態によれば、パッド４０４Ｐの表面と第４層間絶縁膜４４の表面とを、より好適に同等の高さに位置付けさせることが可能となる。以上の結果、配向膜１６に段差を生じさせず、また、該配向膜１６にラビング処理を実施する際に、擦り度合いを一定にすることが可能となり、或いは該配向膜１６の削り滓を発生させない、などといった作用効果は、より確実に奏されることになる。

さて、第１実施形態の電気光学装置により奏される作用効果の第二は、外部回路接続端子１０２及びその周囲が、図８の上から順に、開口部４４Ｈ、パッド４０４Ｐ、コンタクトホール４３Ｈ及び配線６ａＰという構造を備えていることにより、パッド４０４Ｐに外部から供給された種々の信号を、配線６ａＰを介して、ＴＦＴ３０等に安定して供給することが可能なことである。これは、パッド４０４Ｐが、図８に示すように積層構造のより上層に形成されるのに対して、ＴＦＴ３０等が、図６に示すように積層構造のより下層に形成されることから、両者間を直接的に連絡するためには比較的深いコンタクトホールの開孔が必要となるが、前述のように、第１実施形態では、ダミー走査線１１ａＰ、ダミーゲート電極３ａＰ、ダミー蓄積容量７０Ｐが存在することにより、コンタクトホール４３Ｈは比較的浅いコンタクトホールとなる。特に、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化処理する場合には、これらダミー膜が存在しないと、ダミー膜の総厚分、層間絶縁膜４３の厚みが厚くなり、コンタクトホール４３Ｈの深さがより深くなってしまう。第１実施形態では、パッド４０４Ｐと配線６ａＰとの電気的接続は比較的浅いコンタクトホール４３Ｈにより、配線６ａＰとＴＦＴ３０との電気的接続はそれとは別の比較的浅いコンタクトホールにより行うことが可能となる。したがって、パッド４０４ＰからＴＦＴ３０等への信号の供給を安定して行うことができるのである。とりわけ、そのような比較的深いコンタクトホールが形成不要であるということは、当該電気光学装置の製造時間の短縮化を図ることができるという大きな利点も得られることになる。

さらに、第三に、前記の開口部４４Ｈ及び４３Ｈとパッド４０４Ｐとの配置関係により次のような作用効果が得られる。すなわち、第１実施形態では、図７に示すように、上から順に、開口部４４Ｈの開口形状に一致するパッド４０４Ｐの暴露面がみえ、該暴露面の周囲を取り囲むようにコンタクトホール４３が形成されており、更に、その外周を取り囲むようにパッド４０４Ｐの辺縁部が存在するという形態が実現されている。このような形態によれば、開口部４４Ｈの開孔の際に、ウエットエッチングが利用された場合に、これに使用されるエッチング液がコンタクトホール４３Ｈに達することで、これに断線等のダメージを与えるおそれを極めて低減することができる。

このような作用効果を、図９の説明図を用いてより詳細に説明する。ここに図９は、図８と同趣旨の断面図であるが、特に、開口部４４Ｈ、パッド４０４Ｐ及びコンタクトホール４３Ｈの配置関係について詳細に示すものであり、（ａ）は第１実施形態の電気光学装置、（ｂ）はその比較例である。

まず、比較例たる図９（ｂ）では、開口部４４Ｈ´の開口部の面積が、パッド４０４Ｐ´の面積と同じであり、コンタクトホール４３Ｈ´が、パッド４０４Ｐ´の辺縁部に沿って形成されている。このような構造では、開口部４４Ｈ´を開孔する際にウエットエッチングを利用すると、エッチング液は、図９（ｂ）中矢印に示すように、開口部４４Ｈ´の底の隅部からパッド４０４Ｐ´の側面（両者は、共通の面上に存在する。）を伝ってコンタクトホール４３Ｈ´に容易に到達し得ることになる。したがって、この場合、コンタクトホール４３Ｈ´は、前記エッチング液によって侵食されるおそれが極めて大きく、断線等のダメージが与えられる可能性が大きいことになる。

しかるに、第１実施形態においては、図９（ａ）に示すように、開口部４４Ｈの面積は、パッド４０４Ｐの面積よりも小さく、コンタクトホール４３Ｈは、パッド４０４Ｐの辺縁部に沿って形成されている。これによると、前記のエッチング液が、開口部４４Ｈの底の隅部から、コンタクトホール４３Ｈまで到達する道程は、前記の例に比べて極めて長くなることが分かる。すなわち、この場合、前記エッチング液がコンタクトホール４３Ｈに至るためには、該エッチング液は、開口部４４Ｈの側壁部分からパッド４０４Ｐの縁部分に至るまで、該パッド４０４Ｐの表面を伝わなければならない（図９（ａ）中実線の矢印参照）。このように、第１実施形態では、パッド４０４Ｐがいわばエッチング液のストッパの役割を果たすことになり、該エッチング液が、コンタクトホール４３Ｈに至るという事態を殆ど生じさせ得ないことになるのである（図９（ａ）中破線の矢印参照）。

したがって、第１実施形態によれば、開口部４４Ｈの製造段階等においてウエットエッチングが実施される場合であっても、該ウエットエッチングに使用されるエッチング液が、コンタクトホール４３Ｈに至ることで、断線等のダメージを与えるというおそれは極めて低減されているということができる。逆にいえば、第１実施形態に係る構造を採用すれば、パッド４０４Ｐ及び配線６ａＰ間の電気的接続をより確実になすことが可能ということができる。

〔第２実施形態〕
以下では、本発明の第２の実施形態について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。ここに図１０及び図１１は、それぞれ図７及び図８と同趣旨の図ではあるが、画素電極膜と同一膜からなる厚さ調整膜９ａＰ（以下、単に「調整膜９ａＰ」という。）が形成されている点で異なり、図１０は平面図、図１１は図１０のＰ２−Ｐ２´断面図である。なお、第２実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については共通する部分（特に、画素部における構成等）を多くもつ。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第２実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。また、図１０及び図１１において使用する符号は、図７及び図８に示された要素と本質的に異ならない要素を指示する限り、同一の符号を用いることとする。

第２実施形態では、図１０及び図１１に示すように、外部回路接続端子１０２Ａは、画素電極９ａと同一膜として形成された調整膜９ａＰを備えている。この調整膜９ａＰは、開口部４４Ｈのすべてを覆うように、すなわち、パッド４０４Ｐすべてを覆うように形成されている。

このような第２実施形態においても、前記の第１実施形態と同様の作用効果が略同様に奏されることは明白である。加えて、第２実施形態では特に、調整膜９ａＰが形成されていることから、該ダミー画素電極９ａＰの厚さが増える分だけ、外部回路接続端子１０２Ａと第４層間絶縁膜４４の表面とを、ほぼ同一の高さに位置付けさせることが可能である。

また、前記の第１実施形態においては、積層構造の最上層に配される配向膜１６は、パッド４０４Ｐと直接的に接触しなければならなかったのに対して、第２実施形態では、該配向膜１６は調整膜９ａＰと接するようなかたちとなる（図１１参照）。したがって、パッド４０４Ｐが、前述のように例えばアルミニウム等を含む場合においては、該パッド４０４Ｐと配向膜１６との密着性は、前記調整膜９ａＰと配向膜１６との密着性に比べて劣ると考えられる。逆にいえば、第２実施形態では、該配向膜１６に係る密着性を高めることができるのである。したがって、第２実施形態によれば、配向膜１６に対するラビング処理を実施することによって、該配向膜１６の削り滓の発生させるという事態等をより抑制することができる。

尚、図１１には配向膜１６が図示されているが、第１実施形態と同様に、パッド４０４ＰにＦＰＣ基板の端子と接続する際、ＦＰＣ基板の端子が配向膜１６を突き破って電気的接続が確保される。ＦＰＣ基板を圧着して固定する前に、Ｏ_２プラズマ処理を行って配向膜１６を取り除かれている。以降の実施形態も同様である。

〔第３実施形態〕
以下では、本発明の第３の実施形態について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。ここに図１２及び図１３は、それぞれ図７及び図８と同趣旨の図ではあるが、パッド４０４Ｐの表面全面が露出されている点で異なり、図１２は平面図、図１３は図１２のＰ３−Ｐ３´断面図である。なお、第３実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については共通する部分、特に、画素部における構成等を多くもつ。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第３実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。また、図１２及び図１３において使用する符号は、図７及び図８に示された要素と実質的に異ならない要素を指示する限り、同一の符号を用いることとする。

第３実施形態では、図１２及び図１３に示すように、パッド４０４Ｐ上の第４層間絶縁膜がすべて消失して、該パッド４０４Ｐの図中側方に第４層間絶縁膜４４１が残存するのみとなっており、したがって、図８等における開口部４４Ｈが存在しないかたちとなっている。これにより、外部回路接続端子１０２Ｂは、開口部４４Ｈから外部に曝されたパッド４０４Ｐを有するという構造をとるのではなく、パッド４０４Ｐそれ自体が、積層構造の最上層に一致することによって外部に曝される構造となる。このような構造は、例えば、パッド４０４Ｐの形成領域について、ＣＭＰ処理等の平坦化処理を進めることによって形成することが可能である（後述の〔製造方法〕の項参照）。

このような第３実施形態においても、前記の第１実施形態と同様の作用効果が略同様に奏されることは明白である。加えて、第３実施形態では特に、図から明らかなように、外部回路接続端子１０２Ｂの部分は、ほぼ完全な平坦性を備えることになる。したがって、配向膜１６に対するラビング処理によってその削り滓が発生するという事態等は、より確実に防止されることになる。また、図１３に示すような構造を実現するのに、上述のようにＣＭＰ処理を利用する場合においては、パッド４０４Ｐを当該処理の終点検出に用いることができる。つまり、ＣＭＰ処理の実行終了の時点は、パッド４０４Ｐが現れるか否かに基づいて行うことができるから、終点検出のために特別な要素を作りこむなどの必要がなく、製造上も有利である。

なお、この第３実施形態においては、図６に示した画素部について、以下のような配慮を施しておくとよい。すなわち、第３実施形態では、上述のようにパッド４０４Ｐ上の第４層間絶縁膜４４を消失させてしまうことから、これと同一膜として形成される容量配線４００も外部に曝されることとなってしまう。しかしながら、そうすると、当該構造の上に画素電極９ａを成膜した際に、該画素電極９ａと容量配線４００との短絡を生じさせてしまう可能性がある（図６中左寄りの容量配線４００の端部及びその上方の画素電極９ａ参照）。したがって、第３実施形態に係る画素部においては、例えば図１４に示すように、容量配線４００下の第３層間絶縁膜４３等に対する平坦化処理や、データ線６ａ等を埋め込むことによる平坦化処理等を実施せず、各要素に起因する段差をむしろ残存させるようにするとよい。これによれば、パッド４０４Ｐを外部に露出するべく第４層間絶縁膜４４に対するＣＭＰ処理等を実施すると、たしかに容量配線４００も外部に露出することにはなるものの、該容量配線４００の露出に係る部分は、平面的にみて画素電極９ａとは干渉しない場所においてのみ主に存在することになるから、容量配線４００及び画素電極９ａ間の短絡を生じさせないことができる。また、この場合には、図５に示すように容量配線４００及び画素電極９ａを平面的に重なり合うように形成することに代えて、両者を、平面的に完全に重なり合わないように形成することが好ましい。具体的には、容量配線４００の線幅が図５に示すよりも若干狭くなるように、該容量配線４００を形成するようにするとよい。ただし、平面的にみて重なり合う部分が存在するとしても、図１４における符号Ｍに示すように、容量配線４００及び画素電極９ａ間で短絡のおそれのない場合もある。

〔第４実施形態〕
以下では、本発明の第４の実施形態について、図１５乃至図１８を参照しながら説明する。ここに図１５及び図１６は、それぞれ図７及び図８と同趣旨の図ではあるが、第４層間絶縁膜４４に開孔されるコンタクトホールの形態の点で異なり、図１５は平面図、図１６は図１５のＰ４−Ｐ４´断面図である。また、図１７は図１５についての変形形態、図１８は図１６についての変形形態である。なお、第４実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については共通する部分（特に、画素部における構成等）を多くもつ。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第４実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。また、図１５ないし図１８において使用する符号は、図７及び図８に示された要素と実質的に異ならない要素を指示する限り、同一の符号を用いることとする。

第４実施形態では、図１５及び図１６に示すように、外部回路接続端子１０２Ｃは、図８等における開口部４４Ｈに代えて、開口部の面積が比較的小さいコンタクトホール４４Ｊを備えている。このコンタクトホール４４Ｊは、図１５によく示されているように、パッド４０４Ｐの形成領域の範囲で、均等に、より具体的にはマトリクス状に散在するように複数形成されている。ちなみに、第４実施形態において、これら複数のコンタクトホール４４Ｊの第４層間絶縁膜４４の上面の開口径Ｄは、すべて同一の開口径、例えば５〔μｍ〕、もしくはそれより小さい径とされている。その形状は正方形や円形である。これらのコンタクトホール４４Ｊはドライエッチングまたはウエットエッチングのみで形成してもよいし、ドライエッチングとウエットエッチングとの組み合わせで形成しても良い。

また、第４実施形態では、前記のような構造を前提として、パッド４０４Ｐの上には、前記の第２実施形態と同様に、コンタクトホール４４Ｊを埋めるように、画素電極９ａと同一膜からなる画素電極膜と同一膜からなる厚さ調整膜９ａＱ（以下、単に「調整膜９ａＱ」という。）が形成されている。なお、この調整膜９ａＱは、本発明の第３の電気光学装置における「導電膜」の一例に該当する。

このような第４実施形態では、例えば、開口部４４Ｈの開口面積がパッド４０４Ｐの面積にほぼ等しいなどという場合（例えば、図１０及び図１１参照）に比べて、調整膜９ａＱが、コンタクトホール４４Ｊの底の方に落ち込むようなことがない。つまり、このような構造では、コンタクトホール４４Ｊが、第４層間絶縁膜４４上に形成された調整膜９ａＱとの関係において、いわば柱の如き機能を発揮することで、該調整膜９ａＱの表面を、第４層間絶縁膜４４の表面にほぼ一致させることができるのである。したがって、当該構造の上（即ち、調整膜９ａＱの上）に配向膜１６を形成したとしても、その表面に凸凹が形成されるおそれは一層低減されており、該配向膜１６に対するラビング処理によって、その削り滓を発生させるという可能性は著しく減退されることになる。

また、第４実施形態においても、前記コンタクトホール４４Ｊを形成する際にウエットエッチングを実施する場合においては、第１実施形態の説明の際に参照した図９と同様な作用効果が得られる。なぜなら、第４実施形態に係るコンタクトホール４４Ｊも、前記の開口部４４Ｈも、第２コンタクトホール４３Ｈの形成領域よりも内側に形成されていることに変わりはないからである。

そして、第４実施形態においては特に、このような作用効果は、第１に、コンタクトホール４４Ｊが、マトリクス状に散在されていること、第２に、該コンタクトホール４４Ｊの開口径Ｄが５〔μｍ〕以下とされていることから、より確実に奏されることになる。これらの構造によれば、コンタクトホール４４Ｊが、前記の柱の如き作用をよりよく発揮するからである。

なお、このような第４実施形態に関連して、本発明では、図１５及び図１６とは異なる様々な形態を採用することができる。例えば、図１７に示すように、コンタクトホール４４Ｊを市松模様状に点在させて配置するような形態としてもよいし、線状、格子状に点在させてもよい。また、コンタクトホール４３Ｈの内側に沿って四角形状に点在させてもよい。これらコンタクトホール４４Ｊは、コンタクト抵抗を低抵抗にできれば足りるので、コンタクトホールの数は極力少なくするとよい。また、上記では、パッド４０４Ｐの上に形成されるコンタクトホールについてのみ、該パッド４０４Ｐの形成領域の範囲で点在するような形態がとられていたが、これと同様な考え方を、図１８に示すように、パッド４０４Ｐと配線６ａＰとを電気的に接続するためのコンタクトホールについてもあてはめることができる。すなわち、この構造では、図８等におけるコンタクトホール４３Ｈに代えて、パッド４０４Ｐ及び配線６ａＰ間を電気的に接続するコンタクトホール４３Ｊが形成されており、該コンタクトホール４３Ｊは、パッド４０４Ｐの形成領域の範囲で複数点在するように形成されている。このような構造によれば、第３層間絶縁膜４３と、該第３層間絶縁膜４３の上に形成されたパッド４０４Ｐとの関係においても、前記の第４層間絶縁膜４４及び調整膜９ａＱとの関係で得られた作用効果と略同様な作用効果を得ることができる。

〔第５実施形態〕
以下では、本発明の第５の実施形態について、図１９及び図２０を参照しながら説明する。ここに図１９及び図２０は、それぞれ図７及び図８と同趣旨の図ではあるが、第３層間絶縁膜４３にコンタクトホール４３Ｈが開孔されていない点で異なり、図１９は平面図、図２０は図１９のＰ５−Ｐ５´断面図である。なお、第５実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については共通する部分、特に、画素部における構成等を多くもつ。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第４実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。また、図１９及び図２０において使用する符号は、図７及び図８に示された要素と実質的に異ならない要素を指示する限り、同一の符号を用いることとする。

第５実施形態では、図１９及び図２０に示すように、外部回路接続端子１０２Ｄは、図８等において配線６ａＰ及びパッド４０４Ｐ間に形成されていたコンタクトホール４３Ｈが存在しない。したがって、図１９及び図２０では、「配線（６ａＰ）」は存在せず、ダミーデータ線６ａＱが存在するということになる。より詳しく言えば、図１９及び図２０においては、データ線６ａと同一膜として形成されたダミーデータ線６ａＱは存在するものの、該ダミーデータ線６ａＱには、パッド４０４Ｑからはもはや信号が送られてはこない。したがって、この場合のダミーデータ線６ａＱは、前述したダミー走査線１１ａＰ等々と同様に、パッド４０４Ｑの積層構造中における高さを稼ぐという意味を有する要素ではあるが、もはや「配線」としての機能を有してはいないのである。

第５実施形態においては、その代わり、パッド４０４Ｑが、前述にいう「配線６ａＰ」の役割を兼ねている。すなわち、図１９に示すように、パッド４０４Ｑには、図中右方向に延在する配線４０４Ｒが延設されており、該配線４０４Ｒは、図示しない以降、最終的には画像表示領域１０ａに形成されるデータ線６ａ、或いはＴＦＴ３０等と電気的に接続されている。加えて、この配線４０４Ｑは、図６との対比から明らかなように、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０それぞれに電気的に接続された蓄積容量７０を構成する容量配線４００に延設が可能である。実際、第５実施形態においては、パッド４０４Ｑないし配線４０４Ｒは、容量配線４００と同一膜として形成されている（この点については、前記の第４実施形態までと同様）のみでなく、その少なくとも一部（即ち、外部回路接続端子１０２Ｄが複数存在すること（パッド４０４Ｑが複数存在すること）を前提として（図１参照）、「その少なくとも一部」）は、該容量配線４００と電気的に延設されるように形成されている。

このような第５実施形態では、前記の第４実施形態までのように、パッドと配線とを電気的に接続するために、コンタクトホール４３Ｈ等を利用する必要がない。したがって、第５実施形態では、パッド４０４Ｑから配線４０４Ｒないし容量配線４００へ信号を供給する際に、当該信号が、前記コンタクトホール４３Ｈの抵抗等によって鈍ってしまう等の不具合が生じることがなく、これを安定して供給することが可能となる。特に、第５実施形態のように、容量電極３００（図６参照）に接続又は延設されるべき容量配線４００が、外部回路接続端子１０２Ｄに含まれるパッド４０４Ｑと同一膜からなり且つ延設されている場合においては、当該容量配線４００、ひいては容量電極３００に安定した容量電位を供給することが可能である。当該容量電位は、通常所定の一定値をとる。これにより、該容量電位の揺れに起因して画像上に横クロストークを発生させるなどというおそれは極めて低減されることになる。

なお、本発明においては、このような第５実施形態と、前記の第１から第４実施形態とを一つの電気光学装置において実現することが可能である。すなわち、外部回路接続端子は、図１に示すように通常複数設けられることになるが、その中のいくつかに関しては第５実施形態の構造をとらせ、その他に関しては第１から第４実施形態のいずれかの構造をとらせるなどということも可能である。

〔上下導通端子への本発明の適用〕
なお、以上述べた各実施形態においては、もっぱら外部回路接続端子に含まれるパッド４０４Ｐ等に関する構造について説明したが、本発明は、そのような形態に限定されるものではない。例えば、前記各実施形態は、図１及び図２を参照して説明した上下導通端子１０６についても同様に当てはめて考えることができる。ここに上下導通端子１０６は、具体的には例えば、図２１に示すような断面構造を備えている（図２における当該部分参照）。

この図２１において、上下導通端子１０６は、パッド４０６を含み、該パッド４０６上に形成された開口部４４Ｈ２を含んでいる。そして、該パッド４０６上には、開口部４４Ｈ２を埋めるように、銀粉等をペースト状の媒質に混入した導電性粒子１０７が備えられている。この導電性粒子１０７は、一方でパッド４０６に接するように配置されており、他方で対向基板２０上に形成された対向電極２１に接するように配置されている。これにより、パッド４０６及び対向電極２１は、常に同電位にあり、特に、パッド４０６から対向電極２１へ所定の一定電位等を供給することが可能となっている。なお、前記の導電性粒子１０７は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間を接着するために設けられたシール材５２（図１及び図２も参照）の中に混入されている。

このような上下導通端子１０６は、図２１と図８等とを対比参照すると明らかなように、外部回路接続端子１０２等と殆ど同一の構造を備え、かつ、当該電気光学装置の外部に電極を剥き出しにして信号等を供給するという同様な機能を担っていることがわかる。したがって、このような上下導通端子１０６に関しても、前記各実施形態で述べたような各種の構成を適用することは基本的に可能であり、また、適用すれば外部回路接続端子１０２に関して得られたと略同様な作用効果を得ることができる。

なお、図２１においては、本発明にいう「第３ダミー膜」として、ダミーゲート電極３ａＱ及びダミー走査線１１ａＱは形成されているが、図８等に示したようなダミー蓄積容量７０Ｐ等は形成されていないことが示されている。これは、本発明にいう「第３ダミー膜」が、画像表示領域１０ａに形成されるすべての要素について形成する必要がないことを示す一例である。ダミー蓄積容量７０Ｐ等が存在しないとその膜厚の分、段差が生じるが、その上層の層間絶縁膜を厚くし平坦化処理することで補えることができる。

また、パッド４０６は、前述した実施形態の外部回路接続端子１０２の１つとして接続されている。

〔製造方法〕
以下では特に、前記の第３実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図２２を参照しながら説明する。ここに図２２は、図１３の構造のうち、パッド４０４Ｐが形成されるところから配向膜１６が形成されるに至るまでの工程を、順を追って示した製造工程断面図である。なお、ダミー走査線１１ａＰ等の製造方法については、走査線１１ａＰ等の製造方法と同じであるので、その説明については省略することとする。また、図２２では、第３層間絶縁膜４３までの製造は完了しているものとする。

図２２において、工程（１）では、第３層間絶縁膜４３の上に、パッド４０４Ｐを形成する。このパッド４０４Ｐは、例えば、まず、アルミニウム等の金属膜を、スパッタリングにより、約１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に形成する。そして、該金属膜に対してパターニング処理（フォトリソグラフィ及びエッチング工程）を施すことにより、所定パターンを与える。次に、窒化チタンからなる前駆膜を、スパッタリングにより、約１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に形成する。そして、該前駆膜に対してパターニング処理を施すことにより、前記と同じ所定パターンを与える。ここで、所定パターンとは、第３層間絶縁膜４３を平面視した場合に、容量配線４００、第３中継電極４０２及びパッド４０４Ｐそれぞれが適宜形作られるように定められる（図５及び図７、更には図１参照）。この場合、当該パターニング処理は、容量配線４００等とパッド４０４Ｐとが電気的に分断されるように実施される。なお、アルミニウム等からなる金属膜と窒化チタンからなる前駆膜に対するパターニング処理は、前記のように別々に実施する必要はなく、両者を一挙に実施してもよい。

次に、工程（２）では、パッド４０４Ｐの上に第４層間絶縁膜４４１の前駆膜４４１Ｚを形成する。より具体的には例えば、例えば、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いた、常圧又は減圧ＣＶＤ法等を行うことによって、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる前駆膜４４１Ｚが形成される。この前駆膜４４１Ｚの厚さは、最低限、前記のパッド４０４Ｐの厚さを越える必要がある。具体的には例えば、約１０００〜２０００ｎｍ程度が好ましい。

次に、工程（３）では、前駆膜４４１Ｚの表面にＣＭＰ処理を施す。ここでＣＭＰ処理とは、一般に、被処理基板と研磨布（パッド）の両者を回転等させながら、それぞれの表面同士を当接させるとともに、該当接部位にシリカ粒等を含んだ研磨液（スラリー）を供給することによって、被処理基板表面を、機械的作用と化学作用の兼ね合いにより研磨することで、当該表面を平坦化する技術である。本実施形態においては、前記の「被処理基板」が、図２２の工程（２）に示される構造を備えたものが該当することになる。

そして、本実施形態においては特に、このようなＣＭＰ処理が、図２２の工程（３）に示すように、パッド４０４Ｐの表面に至るまで実行される。すなわち、該パッド４０４Ｐが、当該ＣＭＰ処理の終点検出に利用されるのである。具体的には、パッド４０４Ｐの形成領域にあたる部分を、適当な撮像手段等によって監視するとともに、該撮像手段がパッド４０４Ｐの表面を捕らえた瞬間にＣＭＰ処理を終了する、等という方法をとることができる。

その他種々の方法を採用することができるが、いずれにせよ、前記のようなＣＭＰ処理を実施することによって、前駆膜４４１Ｚは、パッド４０４Ｐの表面に一致するまで研磨されることになる（図中破線参照）。そして、これにより、パッド４０４Ｐの図中側方に第４層間絶縁膜４４１が残存するのみという構造を比較的容易に製造することができる。

最後に、工程（４）では、第４層間絶縁膜４４１及びパッド４０４Ｐの上にポリイミド系の配向膜１６の塗布液を塗布した後焼成し、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成されることになる。そして、本実施形態においては、この配向膜１６のラビング処理の実施の際においては、該配向膜１６には凸凹が殆ど形成されていないことにより、その削り滓を発生させるような可能性は極めて低減されているのである。以上により、図２２の工程（１）から工程（４）を経て製造された電気光学装置においては、前記のような削り滓が画像表示領域１０ａに紛れ込むことで、画質の劣化が発生するということが殆ど生じず、極めて高品質な画像を表示することが可能である。

なお、上記においては、図１２及び図１３に示した第３実施形態の電気光学装置、とりわけその外部回路接続端子１０２Ｂの製造方法について説明したが、その他の実施形態に係る電気光学装置ないし外部回路接続端子等についても、前記の方法と殆ど同じ方法でもって製造することが可能である。例えば、前記の第１実施形態に係る電気光学装置ないし外部回路接続端子１０２は、図２２の工程（２）までは全く同様であり、図２２の工程（３）に代えて、第４層間絶縁膜４４（工程（２）では、前駆膜４４１Ｚとなっているが、第１実施形態等の電気光学装置では、該前駆膜４４１Ｚがそのまま「第４層間絶縁膜４４」となる。）に反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング等を施すことによって、開口部４４Ｈを開孔することができる。なお、この際、該開口部４４Ｈの開口形状の調整のため、ウエットエッチングが実施され得ることは、既に述べたとおりである。また、開口部４４Ｈを開孔した後の第４層間絶縁膜４４に対して、前記と同様のＣＭＰ処理を施し、その後、配向膜１６を形成すれば、第１実施形態の電気光学装置ないし外部回路接続端子１０２が製造されることになる。

（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図２３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。

図２３において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。

また、電気光学装置として、液晶装置の他、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置等の電気光学装置にも適用できる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。

ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（蓄積容量）を越えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。 図１における符号Ｚ１を付した円内部分（外部回路接続端子及びその付近）を拡大した平面図である。 図７のＰ１−Ｐ１´断面図である（図２における符号Ｚ２を付した円内部分の拡大図であって、図６に示す積層構造に対応する断面図でもある）。 図８と同趣旨の断面図であるが、特に、開口部４４Ｈ、パッド４０４Ｐ及びコンタクトホール４３Ｈの配置関係について詳細に示すものであり、（ａ）は第１実施形態の電気光学装置、（ｂ）はその比較例である。 本発明の第２の実施形態に係り、図７と同趣旨の図ではあるが、調整膜９ａＰが形成されている点で異なる平面図である。 図１０のＰ２−Ｐ２´断面図である。 本発明の第３の実施形態に係り、図７と同趣旨の図ではあるが、パッドの表面全面が露出されている点で異なる平面図である。 図１２のＰ３−Ｐ３´断面図である。 図６と同趣旨の図であって、本発明の第３実施形態に関し、画素部におけるより好ましい積層構造の構成例を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態に係り、図７と同趣旨の図ではあるが、第４層間絶縁膜に開孔されるコンタクトホールの形態の点で異なる平面図である。 図１５のＰ４−Ｐ４´断面図である。 図１５についての変形形態を示す平面図である。 図１６についての変形形態を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態に係り、図７と同趣旨の図ではあるが、第３層間絶縁膜にコンタクトホールが開孔されていない点で異なる平面図である。 図１９のＰ５−Ｐ５´断面図である。 上下導通端子及びその周囲の構造に関する断面図である。 図１３の構造のうち、パッドが形成されるところから配向膜が形成されるに至るまでの工程を、順を追って示した製造工程断面図である。 本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。

符号の説明

１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、６ａ…データ線、３０…ＴＦＴ、９ａ…画素電極、７０…蓄積容量、３００…容量電極、４００…容量配線（第１配線）、１０２…外部回路接続端子、１０６…上下導通端子、４０４Ｐ、４０４Ｑ、４０６…パッド、４３…第３層間絶縁膜、４４…第４層間絶縁膜、４４Ｈ、４４Ｈ２…開口部、４３Ｈ、４３Ｊ、４４Ｊ…コンタクトホール、６ａＰ…配線、４０４Ｒ…配線、９ａＰ、９ａＱ…ダミー画素電極膜、１１ａＰ、１１ａＱ…ダミー走査線、３ａＰ、３ａＱ…ダミーゲート電極、７０Ｐ…ダミー蓄積容量、２０…対向基板、２１…対向電極。

Claims (15)

1. 基板上に形成され平坦化処理された第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との間で信号を伝送するための第１導電膜と、
   前記第１絶縁膜上に形成され平坦化処理された第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に重なる領域に形成された開口部と、
   を備えて構成された接続端子部と、
   画像表示領域に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続さ
   れたデータ線と、前記スイッチング素子に中継層を介して電気的に接続された画素電極と、前記中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第３コンタクトホールと、前記画素電極の画素電位に電気的に接続される画素電位側容量電極と、この画素電位側容量電極に絶縁膜を介して対向配置された固定電位側容量電極とからなる蓄積容量と、前記データ線よりも上層に形成され前記固定電位側容量電極に電気的に接続された容量線とを備え、
   前記容量線及び前記中継層は前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１導電膜は前記容量線の膜及び前記中継層と同一膜でなることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記接続端子部に対応した前記第１絶縁膜の下層側には、前記画像表示領域に積層された配線もしくは電極の膜と同一膜の導電膜が形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１導電膜は、前記外部回路と接続するための基板に接続される接続端子の表面を成
   すことを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
4. 前記第２絶縁膜の開口部を介して前記第１導電膜と導通する第２導電膜を有することを特
   徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第２導電膜は、前記外部回路と接続するための基板に接続される接続端子部の表面を
   成すことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記第２絶縁膜の開口部は、複数の第１コンタクトホールで構成され、該第１コンタクト
   ホールを介して、前記第１導電膜と前記第２導電膜とが導通することを特徴とする請求項
   ４に記載の電気光学装置。
7. 前記複数の第１コンタクトホールは、少なくとも前記第１導電膜上に点在するように形成されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記第１導電膜は、内部回路に電気的に接続される配線に導通されることを特徴とする請
   求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記内部回路に電気的に接続される配線は、前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１導電
   膜の膜と同一膜でなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 基板上に形成され平坦化処理された第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との間で信号を伝送するための第１導電膜と、
    前記第１絶縁膜上に形成され平坦化処理された第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に重なる領域に形成された開口部と、を備えて構成された接続端子部と、
    複数の第２コンタクトホールを介して前記第１導電膜に導通され、前記第１絶縁膜の下層の第３絶縁膜上に形成され、内部回路に電気的に接続された配線と、を具備し、
    前記複数の第２コンタクトホールは、前記第１導電膜の周縁を囲むように形成されることを特徴とする電気光学装置。
11. 基板上に形成され平坦化処理された第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に形成され外部回路との間で信号を伝送するための第１導電膜と、
    前記第１絶縁膜上に形成され平坦化処理された第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜の前記第１導電膜に重なる領域に形成された開口部と、を備えて構成された接続端子部と、
    複数の第２コンタクトホールを介して前記第１導電膜に導通され、前記第１絶縁膜の下層の第３絶縁膜上に形成され、内部回路に電気的に接続された配線と、を具備し、
    前記複数の第２コンタクトホールは、前記第１導電膜の周縁であって前記開口部の外側に位置するように形成されることを特徴とする電気光学装置。
12. 前記第２コンタクトホールは、前記第２絶縁膜と重なる領域に位置することを特徴とする請求項１０又は１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 前記データ線は前記第３絶縁膜上に形成され、前記内部回路に電気的に接続される配線は、前記データ線の膜と同一膜でなることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項
    に記載の電気光学装置。
14. 前記基板に対向し対向電極を有する対向基板と、前記第１導電膜の膜と同一膜のパッドと
    を備え、前記対向電極と前記パッドは導通端子を介して電気的に接続されることを特徴と
    する請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする
    電子機器。
    

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