CN1332258C - 电光装置及其制造方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

一种电光装置，由以下部分构成连接端子部：形成在基板上、并经过平坦化处理的第一绝缘膜；形成在该第一绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；形成在该第一绝缘膜上、经过平坦化处理的第二绝缘膜；以及形成在该第二绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部。

Description

电光装置及其制造方法以及电子设备

技术领域

本发明涉及例如有源矩阵驱动的液晶装置、电子纸等电泳装置、EL(场致发光)显示装置等的电光装置及其制造方法。另外，本发明还涉及具备这种电光装置的电子设备。

背景技术

迄今，已知一种在基板上备有排列成矩阵状的像素电极、连接在该各个电极上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下称“TFT”)、以及连接在该各个TFT上且分别平行于行及列方向地设置的数据线及扫描线等，从而可进行所谓有源矩阵驱动的电光装置。

在这样的电光装置中，除了上述以外，还备有：与像素电极相对配置的相对电极、被夹持在像素电极及相对电极之间的液晶层、以及进而分别形成在像素电极及相对电极上的取向膜等，从而可进行图像显示。

即，由取向膜而形成为规定的取向状态的液晶层内的液晶分子，根据在像素电极及相对电极之间设定的规定的电位差，适当地改变其取向状态，由此，可通过改变透过该液晶层的光的透射率来进行图像显示。

在此情况下，特别是上述取向膜具有使未被施加电场的液晶分子维持规定的取向状态的作用。为了实现该作用，例如，广泛地采用由聚酰亚胺等高分子有机化合物构成取向膜、同时对其进行摩擦处理的方法。这里所谓摩擦处理，是指用缠绕在旋转金属辊等上的抛光布(研磨布)，按照一定方向对烧成后的取向膜表面进行摩擦处理。因此，高分子的主链会沿规定方向延伸，液晶分子沿该延伸方向排列。

另外，上述的电光装置中的上述基板具有设置扫描线、数据线及像素电极等的像素显示区域；以及设置扫描线驱动电路、数据线驱动电路、将规定信号供给这些电路用的外部电路连接端子等的周边区域。

可是，在现有的电光装置中存在以下问题。即，首先，上述的扫描线、数据线、像素电极及TFT，以构成层叠结构的方式形成在基板上。例如，按照靠近基板表面的优先顺序，TFT、扫描线、数据线及像素电极在各自之间夹持着层间绝缘膜并在垂直方向上重叠起来，从而构成上述的层叠结构。可是，在这样的结构中，例如，在形成TFT的区域及其以外的区域中，形成了层叠结构不同等、厚度厚的区域和薄的区域，其结果，在最上层产生阶梯差，在它上面形成的取向膜也产生阶梯差，成为发生显示不均的原因。可以认为，由于对取向膜进行摩擦处理时，抛光布的纤维尖端被上述阶梯差骚扰，结果遍及整个基板表面出现摩擦程度不均匀，所以液晶分子并未沿一定方向取向，因而产生该显示不均。顺便说一下，上述的所谓显示不均，具体地说，是发生沿摩擦方向的条纹状的不均匀，显示品质下降。

因此，以往提出了这样一种结构：在厚层区域中通过刻蚀形成槽，调节使薄层区域相对变厚的程度。可是，在这样的结构中，例如，在厚度不同的区域有多个的情况下，因为在各自的调整时必须进行刻蚀，所以刻蚀工序的次数增加，需要进行多次处理。可是，实际上由于工序变得复杂，进行多次处理不现实，只限于局部厚度的调节。因此，在现有的结构中，虽然在一部分、例如在端子区域中是平坦的，但从基板总体看仍然存在有阶梯差。

另外，如果通过刻蚀形成槽，则有可能产生基底残余，它将成为引起布线之间短路的原因。

另一方面，在现有的电光装置中还有以下问题。即，在上述的层叠结构中，由于上述外部电路连接端子，是用于谋求与用于将规定信号提供给数据线驱动电路或扫描线驱动电路的电路、或者用于将规定电位提供给相对电极的电源等设置在电光装置的外部的电路等的电性连接的端子，所以该外部电路连接端子必须具备暴露在外部的部分。可是，以上述的层叠结构为前提，为了取得使层间绝缘膜下的上述部分暴露在外部的结构，有必要在层间绝缘膜上向着该部分形成开口部。如果采用该方法，则与该开口部相对应地，层叠结构的最表面被制作成凹入那样的形状，结果就在该最表面上产生凹凸。并且，如果在这样的最表面上形成取向膜，则上述凹凸便被复制到该取向膜上，在该取向膜上也形成凹凸。其结果，摩擦该取向膜时，上述旋转辊随着位置的不同而受到不规则的力，将取向膜磨去的可能性增大。产生这样的磨削屑，如果该削屑残留在像素电极及相对电极之间，会妨碍与加载在两者之间的电位差相对应的理想的取向状态的实现(即，发生取向不良)，有可能造成图像品质下降(例如，发生漏光等)。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种通过尽可能地将厚度不同的区域消除而使取向膜上的阶梯差消失，或者使外部电路连接端子的形成区域尽可能地平坦，尽量避免产生在摩擦时产生的取向膜的磨削屑，从而能够显示品质更高的图像的电光装置及其制造方法。另外，本发明的目的还在于提供一种具备这样的电光装置的电子设备。

本发明的第一电光装置，为解决上述问题，其特征在于：由以下部分构成连接端子部：形成在基板上、并经过平坦化处理的第一绝缘膜；形成在该第一绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；形成在该第一绝缘膜上、经过平坦化处理的第二绝缘膜；以及形成在该第二绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部。

如果采用本发明的第一电光装置，则由于第一绝缘膜及第二绝缘膜例如通过CMP(化学机械研磨)处理等而被平坦化，所以其表面有非常高的平坦性。而且，由于在该第二绝缘膜上形成到达第一绝缘膜的开口部，从而构成连接端子部。这是因为，由于要对第一绝缘膜进行平坦化，所以在第一绝缘膜下面的层叠结构中，存在布线或电极的区域和不存在的区域中总厚度不同，为了在上层的第二绝缘膜上进行平坦化，所以必须将第二绝缘膜堆积得厚一些，从而进行平坦化。但是，如果采用本发明，则第二绝缘膜堆积得薄一些而进行平坦化也可以，能够很容易地降低连接端子区域的阶梯差，可实现降低成本等。而且，由于能够实现非常高的平坦性，所以能够减少总厚度不同的区域，另外，能够防止在对取向膜进行摩擦处理时，以上述凹凸为起因而产生磨削屑的事态的发生。而且，在本发明中能够显示品质更高的图像。

在本发明的第一电光装置的一种形态中，具备配置在图像显示区域的开关元件、与该开关元件电性连接的数据线、以及与该开关元件电性连接的像素电极。还进一步具有，由与该像素电极的像素电位电性连接的像素电位侧电容电极、和隔着绝缘膜与该像素电位侧电容电极相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容，和形成在该数据线的更上层上、与该固定电位侧电容电极电性连接的电容线。并且该电容线被形成在该第一绝缘膜上，该第一导电膜与该电容线的膜为同一膜。

如果采用该形态，则即使因为将配置在图像显示区域中的开关元件、数据线、构成存储电容的电极、电容线这样的各要素层叠起来的结构，而使在存在布线或电极的区域和不存在的区域中总厚度的差增大，也可通过对第一绝缘膜及第二绝缘膜进行平坦化处理，实现制造成本的削减，并实现优异的平坦性。

另外，在本发明的第一电光装置的一种形态中，在与该连接端子部相对应的该第一绝缘膜的下层，形成与层叠在该图像显示区域中的布线或电极的膜为同一膜的导电膜。

如果采用该形态，则由于利用层叠在图像显示区域中的布线，所以能够谋求成本的降低，能弥补连接端子区域的层叠结构和图像显示区域的层叠结构的差。

另外，在本发明的第一电光装置的一种形态中，优选该第一导电膜构成与用于与该外部电路连接的基板相连接的连接端子的表面。

另外，在本发明的第一电光装置的一种形态中，优选该第二绝缘膜的上表面与该第一导电膜的上表面成为同一平面。

在该形态中，由于不会产生第一绝缘膜和第二绝缘膜的阶梯差，所以能够防止在对取向膜进行摩擦处理时发生磨削屑。

另外，在本发明的第一电光装置的一种形态中，最好具有经由上述第二绝缘膜的开口部与上述第一导电膜导通的第二导电膜。

如果采用该形态，则第二导电膜能能够起到作为用于进行平坦化的厚度调整膜的作用。

另外，在该形态中，第二导电膜，例如最好与像素电极用同一膜形成。而且，最好是该第二导电膜构成与用于与该外部电路连接的基板相连接的连接端子部的表面。

另外，在该形态中，最好上述第二绝缘膜的开口部由多个第一接触孔构成，经由该第一接触孔，导通上述第一导电膜和上述第二导电膜。由于第一绝缘膜被平坦化，所以可以使第二绝缘膜的厚度较薄并使第一接触孔的深度较浅即可实现。另外，由于形成多个接触孔，所以有助于第一导电膜和第二导电膜的连接的低电阻化。

另外，该多个第一接触孔，最好以至少散布在该第一导电膜上的方式而被形成。

如果采用该形态，则例如与只形成一个与导电膜的面积大致相同的第一接触孔等的情况相比，第二导电膜不会向第一接触孔的底侧凹陷。因此，即便在本形态的结构上、即在第二导电膜上形成取向膜，也会进一步降低在其表面上形成凹凸的可能性，减少厚度不同的区域，另外能够使因对该取向膜的摩擦处理而产生其磨削屑的可能性显著降低。另外，第一接触孔散布的形态既可以是均等地形成在导电膜的全部表面上，也可以呈线状、方格状、相间隔的方格花纹状等。

另外，在本发明的第一电光装置的一种形态中，上述第一导电膜最好和与内部电路电性连接的布线导通。而且，与该内部电路电性连接的布线，最好形成在该第一绝缘膜上，且与该第一导电膜为同一膜。或者，也可以被形成在该第一绝缘膜的下层的第三绝缘膜上，经由第二接触孔与该第一导电膜导通。

而且，在该形态中，上述第二接触孔最好被形成在上述第一导电膜的周缘。

如果采用该形态，则第一导电膜中，非该第一导电膜周围的区域的区域、换句话说该导电膜的中央区域，并未被形成在第一接触孔上，所以在该区域中能够获得优异的平坦性。

另外，在该形态中，上述第二接触孔最好位于与上述第二绝缘膜重叠的区域。如果采用该结构，则能够确保第一导电膜的平坦性。

另外，也可以使上述第二接触孔以散布在上述第一导电膜上的形式形成多个。该第二接触孔散布的形态既可以是均等地形成在导电膜的全部表面上，也可以呈线状、方格状、相间隔的方格花纹状等。

另外，在该形态中，上述数据线最好形成在上述第三绝缘膜上，与上述内部电路电性连接的布线与上述数据线的膜为同一膜。

如果采用该形态，则由于利用层叠在图像显示区域上的布线，所以能谋求降低成本，能够弥补连接端子区域的层叠结构和图像显示区域的层叠结构的差。

另外，在本发明的第一电光装置的一种形态中，具备与该基板相对并具有对置电极的对置基板、以及与该第一导电膜的膜为同一膜的焊盘，该对置电极与该焊盘经由导通端子而被电性连接。

如果采用该形态，若为了取得与相对基板上的相对电极的导通，在形成连接端子部的第一导电膜的同时形成焊盘，则能谋求降低制造成本。另外，如果像连接端子部那样，形成虚设导电膜，则能够包括焊盘形成部在内实现优异的平坦性。

为了解决上述课题，本发明的第二电光装置，其特征在于，由以下部分构成连接端子部：形成在基板上的第一绝缘膜；形成在该第一绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；形成在该第一绝缘膜上、经过平坦化处理的第二绝缘膜；以及形成在该第二绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部；进一步具有形成在该第一绝缘膜的下层的第三绝缘膜上、经由接触孔而与该第一导电膜导通的、与内部电路电性连接的布线。

如果采用本发明的第二电光装置，则由于第二绝缘膜例如通过CMP(化学机械研磨)处理等而被平坦化，所以其表面具有优异的平坦性。而且，由于在该第二绝缘膜上形成到达第一绝缘膜的开口部，所以可构成连接端子部。由此，即使在第一绝缘膜下面的层叠结构中，存在布线或电极的区域和不存在的区域中总厚度不同，由于在第二绝缘膜上进行平坦化，所以能降低连接端子区域的阶梯差。而且，由于能实现优异的平坦性，所以能减少总厚度不同的区域，另外，能够防止在对取向膜进行摩擦处理时，以上述凹凸为起因而产生磨削屑的事态的发生。而且，在本发明中能够显示品质更高的图像。

另外，在本发明的第二电光装置的一种形态中，最好上述第二绝缘膜的上表面与上述第一导电膜的上表面成为同一平面。

如果采用该形态，则由于不会产生第一绝缘膜和第二绝缘膜的阶梯差，所以能够防止在对取向膜进行摩擦处理时发生磨削屑。

本发明的第三电光装置，为解决上述问题，其特征在于，具备有：配置在图像显示区域的开关元件；形成在该第一绝缘膜上、与该开关元件电性连接的数据线；与该开关元件电性连接的像素电极；由与该像素电极的像素电位电性连接的像素电位侧电容电极、和隔着绝缘膜与该像素电位侧电容电极相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容；形成在该数据线的更上层的第二绝缘膜上、与该固定电位侧电容电极电性连接的电容线；以及形成在该电容线上的第三绝缘膜；且由在该第二绝缘膜上与该电容线以同一膜形成、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜，和在该第三绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部构成连接端子部；并具备在该第一绝缘膜上与该数据线的膜以同一膜形成、经由接触孔而与该第一导电膜导通、并与该内部电路电性连接的布线。

如果采用本发明的第三电光装置，则以与数据线的更上层的电容线的膜为同一膜的膜形成第一导电膜，以与数据线的膜为同一膜的膜制成与内部电路电性连接的布线。由此，因为在上层侧形成第一导电膜，所以能够降低第三绝缘膜和第一导电膜的阶梯差，能够抑制在对取向膜进行摩擦处理时产生磨削屑的现象。另外，由于与内部电路电性连接的布线是以与电容线下的数据线的膜为同一膜的膜形成的，所以能够使第一导电膜和布线的接触孔的深度浅一些。

本发明的电光装置的制造方法，其特征在于，形成连接端子部包括下列工序：在基板上形成第一绝缘膜、并对该第一绝缘膜的表面进行平坦化处理的工序；形成被形成在该第一绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜的工序；在该第一绝缘膜及该第一导电膜上形成第二绝缘膜、并进行平坦化处理的工序；以及将该第二绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域除去、将该第一导电膜开口的工序。

如果采用本发明的电光装置的制造方法，则能够比较容易地制造上述的本发明的电光装置。

在本发明的电光装置的制造方法的一种形态中，上述第一导电膜最好与在图像显示区域中形成的电容线同时形成，上述第二导电膜最好与在图像显示区域中形成的数据线同时形成。

为了解决上述课题，本发明的电子设备具有包括上述的各种形态的本发明的电光装置。

如果采用本发明的电子设备，则由于具备上述的本发明的电光装置，所以即使对取向膜进行摩擦处理，也几乎不会发生其磨削屑，所以能够显示品质高的图像，能实现液晶电视、便携电话、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。

附图说明

图1是从相对基板一侧看TFT阵列基板及在其上形成的各结构要素所看到的电光装置的平面图。

图2是图1中的H-H’剖面图。

图3是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路。

图4是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板上相邻的多个像素群的平面图，是只表示下层部分(图6中的直至标号70(存储电容)为止的下层的部分)的结构的图。

图5是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板上相邻的多个像素群的平面图，是只表示上层部分(图6中的超过标号70(存储电容)的上层部分)的结构的图。

图6是将图4及图5重合起来时的A-A’剖面图。

图7是将图1中的带标号Z1的圆内部分(外部电路连接端子及其附近)放大之后的平面图。

图8是图7中的P1-P1’剖面图(是图2中的带标号Z2的圆内部分的放大图，也是对应于图6所示的层叠结构的剖面图)。

图9是与图8主旨相同的剖面图，但特别是详细地表示开口部44H、焊盘404P及接触孔43H的配置关系的图，(a)是第一实施形态的电光装置，(b)是其比较例。

图10是与本发明的第二实施形态有关，且与图7主旨相同的图，不过是在形成有调整膜9aP这一点有所不同的平面图。

图11是图10中的P2-P2’剖面图。

图12是与本发明的第三实施形态有关，且与图7主旨相同的图，不过是在焊盘全部表面被露出这一点有所不同的平面图。

图13是图12的P3-P3’剖面图。

图14是与图6主旨相同的图，是涉及本发明的第三实施形态、表示像素部中更优选的层叠结构的构成例子的剖面图。

图15是与本发明的第四实施形态有关，且与图7主旨相同的图，不过是在第四层间绝缘膜上开设的接触孔的形态有所不同的平面图。

图16是图15中的P4-P4’剖面图。

图17是表示对图15的变形形态的平面图。

图18是表示对图16的变形形态的剖面图。

图19是与本发明的第五实施形态有关，且与图7主旨相同的图，不过是在第三层间绝缘膜上不开设接触孔这一点上有所不同的平面图。

图20是图19中的P5-P5’剖面图。

图21是关于上下导通端子及其周围的结构的剖面图。

图22是表示图13所示的结构中，按照顺序表示从形成焊盘开始至形成取向膜为止的工序的制造工序剖面图。

图23是表示作为本发明的电子设备的实施形态的投射型彩色显示装置的一例的彩色液晶投影机的剖面图。

标号说明

10       TFT阵列基板         10a    像素显示区域

11a      扫描线              6a     数据线

30       TFT                 9a     像素电极

70       存储电容            300    电容电极

400      电容布线(第一布线)  102    外部电路连接端子

106      上下导通端子        404P、404Q、406  焊盘

43       第三层间绝缘膜      44     第四层间绝缘膜

44H、44H2开口部              43H、43J、44J   接触孔

6aP      布线                404R   布线

9aP、9aQ 虚设像素电极膜      3aP、3aQ虚设栅电极

70P      虚设存储电容        20     相对基板

21       相对电极

具体实施方式

本发明的这些作用及其他优点，根据以下说明的实施形态加以阐明。

以下，参照附图说明本发明的实施形态。以下的实施形态是将本发明的电光装置应用于液晶装置的实施形态。

第一实施形态

电光装置的总体结构

首先，参照图1及图2说明本发明的电光装置的第一实施形态的总体结构。这里，图1是从相对基板一侧看TFT阵列基板及在其上形成的各结构要素所看到的电光装置的平面图。图2是图1中的H-H’剖面图。这里，以作为电光装置的一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

在图1及图2中，在第一实施形态的电光装置中，TFT阵列基板10和相对基板20相对配置。液晶层50被封入到TFT阵列基板10和相对基板20之间，TFT阵列基板10和相对基板20，利用设置在位于图像显示区域10a周围的密封区域中的密封材料52而互相粘接。

密封材料52，是由用于使两个基板粘接的，例如由紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，在制造工序中可在涂敷在TFT阵列基板10上之后、通过紫外线照射、加热等使其硬化的材料。另外，在密封材料52中散布有用于使TFT阵列基板10和相对基板20的间隔(基板之间的间隙)为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隔材料。即，第一实施形态的电光装置是适用于作为投影机的光阀以进行小型放大显示的。

规定图像显示区域10a的框缘区域的遮光性的框缘遮光膜53，与配置有密封材料52的密封区域的内侧并行地被设置在相对基板20一侧。但是，这样的框缘遮光膜53的一部分或全部，也可以作为内部遮光膜设置在TFT阵列基板10一侧。另外，在第一实施形态中，存在规定上述的图像显示区域10a的周边的周边区域。换句话说，在第一实施形态中，特别是从TFT阵列基板10的中心看，该框缘遮光膜53以外被规定为周边区域。

周边区域中，在位于配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域中，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一边被设置。另外，扫描线驱动电路104沿着与该一边相邻的两边、而且覆盖着上述框缘遮光膜53那样地被设置。进而，为了将这样在图像显示区域10a的两侧设置的两个扫描线驱动电路104之间连接起来，沿着TFT阵列基板10的剩余的一边，而且覆盖着上述框缘遮光膜53那样地设置多条布线105。其中数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104，通过布线6aP与外部电路连接端子102连接。后面将详细说明这一点。

另外，在相对基板20的四个角部上配置有上下导通端子106。因此，TFT阵列基板10和相对基板20之间能够取得电性导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成了像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线之后的像素电极9a上，形成图中未示出的取向膜。另一方面，在相对基板20上，除了相对电极21以外，还形成栅格状或条纹状的遮光膜23，进而在最上层部分上形成图中未示出的取向膜。另外，液晶层50，例如由一种或数种向列液晶混合而成的液晶构成，在该一对取向膜之间被取为规定的取向状态。

在有以上这样的总体结构的第一实施形态的电光装置中，上述的各种要素中，对于与外部电路连接端子102相关的具体结构具有特征，但关于这一点，将在后面参照图7等详细说明。

另外，在图1及图2所示的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可以形成：对图像信号线上的图像信号取样而提供给数据线的取样电路；先于图像信号将规定电压电平的预充电信号向多条数据线分别提给的预充电电路；用于检查制造过程中或出厂时的该等电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。

像素部分的结构

以下，参照图3至图8说明本发明的第一实施形态的电光装置的像素部的结构。这里，图3是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路，图4及图5是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板上相邻的多个像素群的平面图。另外，图4及图5分开表示后面所述的层叠结构中的下层部分(图4)和上层部分(图5)。

另外，图6是将图4及图5重合起来时的A-A’剖面图。另外，图7是将图1中的带标号Z1的圆内部分(外部电路连接端子102及其附近)放大之后的平面图，图8是图7中的P1-P1’剖面图。另外，图8是图2中的带标号Z2的圆内部分的放大图，是对应于图6所示的层叠结构的剖面图。另外，在图6及图8中，为了使各层、各部件在图中达到能识别程度的大小，是该各层、各部件的比例尺不同。

(像素部的电路结构)

在图3中，在构成第一实施形态的电先装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中，分别与数据线6a和扫描线11a的交叉部相对应地，形成像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a的TFT30。而且，提供图像信号的数据线6a被电性连接在该TFT30的源极上。写入数据线6a中的图像信号S1、S2、...、Sn可以按照该顺序且按线顺序供给，也可以对相邻的多条数据线6a之间按照每一组供给。

另外，扫描线11a被电性连接在TFT30的栅电极3a上，并构成为以规定的定时(タィミング)、脉冲式地将扫描信号G1、G2、...Gm按照该顺序按线顺次外加在扫描线11a和栅电极3a上。像素电极9a被电性连接在TFT30的漏极上，通过将作为开关元件的TFT30以一定期间关闭其开关，可将从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...Sn以规定的定时写入。

经由像素电极9a而被写入作为电光物质之一例的液晶上的规定电平的图像信号S1、S2、...Sn，在与形成在相对基板上的相对电极之间保持一定期间。液晶通过利用所施加的电压电平使分子集合的取向、秩序发生变化，而对光进行调制，从而能够进行灰度显示。如果是常白色模式，则随着以各像素单位施加的电压，入射光的透射率减少，如果是常黑色模式，则随着以各像素单位施加的电压，入射光的透射率增加，作为总体从电光装置射出具有对应于图像信号的对比度的光。

为了防止在这里保持的图像信号泄漏，与在像素电极9a和相对电极之间形成的液晶电容并列地附加存储电容70。该存储电容70由像素电位侧电容电极和固定在恒定电位的固定电位侧电容电极300夹持着电介质膜而构成。

像素部的具体结构

以下，参照图4至图7说明由上述数据线6a、扫描线11a及栅电极3a、TFT30等构成的实现上述的电路工作的电光装置的具体结构。

首先，在图4及图5中，在TFT阵列基板10上呈矩阵状地设置多个像素电极9a(在图5中用虚线部表示轮廓)，分别沿像素电极9a的纵横边界设置数据线6a及扫描线11a。另外，靠近比TFT30的半导体层1a更靠TFT阵列基板10侧的下层上形成扫描线11a。而且，扫描线11a通过接触孔12cv，电性连接在与半导体层1a中的用图中向右上方倾斜的斜线区域表示的沟道区域1a’相对的栅电极3a上，该栅电极3a呈被包含在该扫描线11a中的形状。即，在栅电极3a和数据线6a交叉的部位分别设置像素开关用的TFT30，该像素开关用的TFT30的被扫描线11a所包含的栅电极3a与沟道区域1a’对向配置。

其次，如作为图4及图5中的A-A’线剖面图的图6所示，电光装置具有例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成的TFT阵列基板10、和与其相对配置的、例如由玻璃基板或石英基板构成的相对基板20。

如图6所示，在TFT阵列基板10一侧设有上述的像素电极9a，在其上侧设有实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO膜等透明导电性膜构成。另一方面，在相对基板20一侧遍布其全部表面地设有相对电极21，在其下侧设有实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。其中相对电极21与上述的像素电极9a一样，例如由ITO膜等透明导电性膜构成，

在这样相对配置的TFT阵列基板10及相对基板20之间，液晶等电光物质被封入由上述的密封材料52(参照图1及图2)包围的空间内，形成液晶层50。液晶层50在未施加来自像素电极9a的电场的状态下，由取向膜16及22取为规定的取向状态。液晶层50的液晶，可以是扭曲向列液晶、或垂直取向用的液晶。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除了上述的像素电极9a及取向膜16以外，还呈层叠结构地具备包括它们的各种构成。如图6所示，该层叠结构从下侧开始，依次具有：包括扫描线11a的第一层、包括包含栅电极3a的TFT30等的第二层、包括存储电容70的第三层、包括数据线6a等的第四层、包括作为本发明中所说的“第一布线”的一例的电容布线400等的第五层、包括上述的像素电极9a及取向膜16等的第六层(最上层)。

另外，分别在第一层及第二层之间设有基底绝缘膜12，在第二层及第三层之间设有第一层间绝缘膜41，在第三层及第四层之间设有第二层间绝缘膜42，在第四层及第五层之间设有第三层间绝缘膜43，在第五层及第六层之间设有第四层间绝缘膜44，以防止上述的各要素之间短路。另外，在这些各种绝缘膜12、41、42、43及44中，还设有例如将TFT30的半导体层1a中的高浓度源极区域1d和数据线6a电性连接的接触孔等。以下，从下面开始依次说明这些要素。另外，上述中的第一层至第三层作为下层部分在图4中加以表示，第四层至第六层作为上层部分在图5中加以表示。

(层叠结构：第一层的结构-扫描线等-)

首先，在第一层上，设有由例如包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅化物、将其层叠而成的层叠体、或导电性的多晶硅等构成的扫描线11a。在平面上看，该扫描线11a沿图4中的X方向而被图案形成为条纹状。若更详细地看，条纹状的扫描线11a备有沿图4中的X方向延伸的主线部、以及在延伸有数据线6a的图4中的Y方向的上下从主线部延伸的突出部。另外，从相邻的扫描线11a延伸的突出部互相不连接，因此，该扫描线11a呈一条一条被断开的形式。

由此，扫描线11a具有一起控制存在于同一行中的TFT30的通/断的功能。另外，在使用遮光性的扫描线11a的情况下，被形成为大致将未形成像素电极9a的区域覆盖，所以具有遮挡将要从下侧向TFT30入射的光的功能。因此，能抑制TFT30的半导体层1a中的光漏电流的发生，能够实现无闪烁等的高品质的图像显示。

(层叠结构：第二层的结构-TFT等-)

其次，作为第二层，设有包含栅电极3a的TFT30。如图6所示，TFT30有LDD(轻掺杂漏)结构。作为该结构要素，具备：如上所述的栅电极3a；例如由多晶硅膜构成、利用来自栅电极3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’；包含使栅电极3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2；半导体层1a中的低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c、以及高浓度源极区域1d及高浓度漏极区域1e。

另外，在第一实施形态中，在该第二层中，在基底绝缘膜12上形成与上述的栅电极3a为同一膜的中继电极719。该中继电极719在平面图中看如图4所示，如同位于沿各像素电极9a的X方向延伸的一边的大致中央那样形成为岛状。由于中继电极719和栅电极3a作为同一膜而被形成，所以也由导电性多晶硅膜构成。

另外，上述的TFT30最好如图6所示具有LDD结构，但也可以具有对低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c中不进行杂质掺杂的补偿结构，还可以是将栅电极3a作为掩模高浓度地进行掺杂、自对准地形成高浓度源极区域及高浓度漏极区域的自对准型TFT。另外，在第一实施形态中，虽然作成了在高浓度源极区域1d及高浓度漏极区域1e之间只配置一个像素开关用TFT30的栅电极的单栅结构，但也可以在它们之间配置两个或更多的栅电极。如果这样用双栅、三栅或更多的栅来构成TFT，则能够防止沟道与源及漏极区域的接合部的泄漏电流，从而降低截止时的电流。另外，构成TFT30的半导体层1a既可以是非单晶层，也可以是单晶层。单晶层的形成，可采用粘接(贴合)法等众所周知的方法。通过将半导体层1a设为单晶层，特别能够谋求周边电路的高性能化。

(层叠结构：第一层及第二层之间的结构-基底绝缘膜-)

在以上说明的扫描线11a之上、且在TFT30之下，设置例如由氧化硅膜等构成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除了具有使TFT30与扫描线11a之间绝缘的功能以外，通过形成在TFT阵列基板10的全部表面上，而具有防止因TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙、或清洗后残余的污垢等致使像素开关用的TFT30的特性变化的功能。

在该基底绝缘膜12上，平面看在半导体层1a的两侧挖设有沿着沿后述的数据线6a延伸的半导体层1a的沟道长度方向的槽状的接触孔12cv(参照图4)，与该接触孔12cv相对应地，在其上方层叠的栅电极3a包括在下侧形成凹状的部分。另外，通过以覆盖接触孔12cv全体的方式形成栅电极3a，在该栅电极3a上延伸设置与其一体地形成的侧壁部3b。由此，如图4所示，TFT30的半导体层1a在平面上看呈从侧面被覆盖的状态，至少能抑制来自该部分的光入射。

另外，该侧壁部3b以将上述的接触孔12cv埋没的方式被形成，同时被设成为其下端与上述的扫描线11a接触。在此，因为扫描线11a是如上述那样按每一扫描线单独地被形成的，所以存在于某一行的栅电极3a及扫描线11a，只要着眼于该行，则始终处于同电位。

另外，在本发明中，也可以采用这样的结构：与扫描线11a平行地，形成包含栅电极3a、且与该栅电极3a作为同一层的另一扫描线。在这种情况下，该扫描线11a和该另一扫描线，例如可在显示区域外互相电性连接、形成冗余的布线结构。由此，例如即使在该扫描线11a局部出现某种缺陷而不能正常通电的情况下，只要与该扫描线11a存在于同一行的另一扫描线健全，则通过它依然能够正常地进行TFT30的工作控制。

(层叠结构：第三层结构-存储电容等-)

其次，继上述的第二层之后，在第三层中设置存储电容70。通过将与TFT30的高浓度漏极区域1e及像素电极9a连接的作为像素电位侧电容电极的下部电极71、和作为固定电位侧电容电极的电容电极300隔着电介质膜75相对配置，从而形成存储电容70。根据该存储电容70，可显著地提高像素电极9a的电位保持特性。另外，如从图4所示的平面图可知的那样，第一实施形态的存储电容70重叠在相邻的像素电极9a的边缘的形成区域上。但是，被形成为并不重叠在大致与像素电极9a的形成区域相对应的光透射区域上。换句话说，由于是以收拢在遮光区域内的形式被形成的，所以电光装置总体的像素开口率能够被维持得比较大，因此，能显示更明亮的图像。

更详细地说，下部电极71例如由导电性的多晶硅膜构成、具有作为像素电位侧电容电极的功能。但是，下部电极71也可以由包含金属或合金的单层膜或多层膜构成。另外，该下部电极71除了作为像素电位侧电容电极的功能以外，还具有对像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e进行中继连接的功能。顺便说一下，这里所说的中继连接，经由上述的中继电极719及其它结构来进行。

电容电极300具有作为存储电容70的固定电位侧电容电极的功能。而且，电容电极300与下部电极71形状相同，与下部电极71同样地构成岛状电极。在第一实施形态中，为了使电容电极300为固定电位，可通过谋求与被设为固定电位的电容布线400(如后述)电性连接而实现。另外，电容电极300由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、将其层叠而成的层叠体，或者优选由钨硅化合物构成。因此，电容电极300具有遮挡将要从上侧向TFT30入射的光的功能。

如图6所示，电介质膜75由例如膜厚为5～200nm左右的较薄的HTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等的氧化硅膜、或氮化硅膜等构成。从使存储电容70增大的观点来看，只要能充分地获得膜的可靠性，电介质膜75越薄越好。

在第一实施形态中，如图6所示，该电介质膜75成为下层为氧化硅膜75a、上层为氮化硅膜75b这样具有双层构造的结构。上层的氮化硅膜75b被图案形成为比像素电位侧电容电极的下部电极71稍微大一些的尺寸，并以收拢在遮光区域(非开口区域)内的方式被形成。

由此，由于存在介电常数相对较大的氮化硅膜75b，所以能够增大存储电容70的电容值，此外，无论其如何，由于存在氧化硅膜75a，所以存储电容70的耐压性不会下降。这样，通过将电介质膜75制成双层结构，能够获得相反的两种作用效果。另外，由于有着色性的氮化硅膜75b被图案形成为比下部电极71稍微大一些的尺寸，且并不形成在光透射的部分上(位于遮光区域内)，所以能防止透射率下降。另外，由于存在氮化硅膜75b，所以能够将水对TFT30的浸入防止于未然。由此，不会导致TFT30的阈值电压的上升，能够相对长期地使用装置。另外，电介质膜75的图案形状、以及存储电容70的下部电极71和电容电极300的图案形状也可以是相同的图案形状。

另外，虽然在第一实施形态中，电介质膜75是具有双层结构的形式，但根据情况的不同，也可以构成为具有例如氧化硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜等这样的三层结构、或者具有三层以上的层叠结构。当然也可以是单层结构。

(层叠结构：第二层及第三层之间的结构-第一层间绝缘膜-)

在以上说明的TFT30或栅电极3a及中继电极719之上、且在存储电容70之下，形成由例如NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(鳞硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼鳞硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等、或者优选由NSG构成的第一层间绝缘膜41。

然后，在该第一层间绝缘膜41上，贯通后面所述的第二层间绝缘膜42地，开设将TFT30的高浓度源极区域1d和后述的数据线6a电性连接的接触孔81。另外，在第一层间绝缘膜41上开设将TFT30的高浓度漏极区域1e和构成存储电容70的下部电极71电性连接的接触孔83。另外，在该第一层间绝缘膜41上，开设用于将构成存储电容70的作为像素电位侧电容电极的下部电极71和中继电极719电性连接的接触孔881。除此以外，还在第一层间绝缘膜41上，贯通后面所述的第二层间绝缘膜地，开设用于将中继电极719和后述的第二中继电极6a2电性连接的接触孔882。中继电极719与栅电极3a以相同材料形成。

另外，在第一实施形态中，可通过对第一层间绝缘膜41进行约1000℃的烧制处理，实现注入到构成半导体层1a或栅电极3a的多晶硅膜中的离子的激活(活化)。

(层叠结构：第四层结构-数据线等-)

其次，继上述的第三层之后，在第四层上设置数据线6a。如图6所示，该数据线6a，作为具有自下层起依次为由铝构成的层(参照图6中的标号41A)、由氮化钛构成的层(参照图6中的标号41TN)、由氮化硅膜构成的层(参照图6中的标号401)这样的三层结构的膜而被形成。氮化硅膜被图案形成为稍大的尺寸，以便覆盖其下层的铝层和氮化钛层。其中数据线6a由于含有作为低电阻材料的铝，所以能无滞后地实现对TFT30、像素电极9a的图像信号的供给。另一方面，由于在数据线6a上形成防止水分浸入的作用比较优异的氮化硅膜，所以能实现TFT30的耐湿性的提高，能够做到延长其寿命。另外，氮化硅膜最好是等离子体氮化硅膜。

另外，在该第四层上，与数据线6a作为同一膜，形成电容布线用中继层6a1及第二中继层6a2。如图5所示，若平面看，它们并不是以具有与数据线6a相连续的平面形状的方式被形成的，而是以各者之间在图案形成上断开的形式被形成的。例如，如果着眼于图5中位于最左方的数据线6a，则紧邻其在右方形成大致呈四边形的电容布线用中继层6a1，又接着在其的右方形成具有比电容布线用中继层6a1略大一些的面积的大致呈四边形的第二中继电极6a2。

顺便说一下，这些电容布线用中继层6a1及第二中继层6a2与数据线6a作为同一膜而被形成，所以具有从下层起依次为由铝构成的层、由氮化钛构成的层、由等离子体氮化膜构成的层这样的三层结构。而且，等离子体氮化膜以稍大的尺寸被图案形成，以便覆盖其下层的铝层和氮化钛层。其中氮化钛层具有作为阻挡金属的作用，防止相对于电容布线用中继层6a1、第二中继层6a2形成的接触孔803、804(如后述)的刻蚀穿透。另外，氮化硅膜由于防止水分浸入的作用比较优异，所以能够实现TFT30的耐湿性的提高，能够做到延长其寿命。顺便说一下，这样的氮化硅膜与正在说明的电容布线用中继层6a1及第二中继层6a2的形成区域一起，也被形成在上述的数据线6a的形成区域内，所以该氮化硅膜的形成面积呈如同相对地增大了的状态。因此，能够更有效地发挥上述的防止水分浸入的作用。

(层叠结构：第三层及第四层之间的结构-第二层间绝缘膜-)

在以上说明的存储电容70之上、且在数据线6a之下，形成例如由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等、或者最好由使用了TEOS气体的等离子体CVD法形成的第二层间绝缘膜42。在该第二层间绝缘膜42上，开设将TFT30的高浓度源极区域1d和数据线6a电性连接的上述的接触孔81，同时开设将电容布线用中继层6a1和作为存储电容70的上部电极300电性连接的接触孔801。另外，在第二层间绝缘膜42上，形成用于将第二中继电极6a2和中继电极719电性连接的上述的接触孔882。

另外，也可以不对第二层间绝缘膜42进行对第一层间绝缘膜所进行的上述那样的烧制处理，由此谋求在电容电极300的界面附近产生的应力的缓和。

(层叠结构：第五层结构-电容布线等-)

其次，继上述的第四层之后，在第五层上形成电容布线400。电容布线400被形成在第三层间绝缘膜43上。第三层间绝缘膜43的表面，最好通过实施CMP(化学机械研磨)处理等平坦化处理而被平坦化。该电容布线400，在平面上看，如图5所示，分别沿图中X方向及Y方向延伸那样地被形成为栅格状。该电容布线400中，对沿图中Y方向延伸的部分，特别地以覆盖数据线6a的方式，并且，比该数据线6a宽度更宽地被形成。另外，关于沿图中X方向延伸的部分，为了确保形成后面所述的第三中继电极402的区域，在各像素电极9a的一边的中央附近留有缺口。

另外，在图5中分别沿XY方向延伸的电容布线400的交叉部分的角部，设有大致呈三角形的部分，以便埋没该角部。通过在电容布线400上设置该大致呈三角形的部分，能有效地对TFT30的半导体层1a进行光的遮挡。即，想要从斜上方相对半导体层1a进入的光，由于在该三角形部分上被反射或被吸收，所以不会到达半导体层1a。因此，能抑制光漏电流的发生，能够显示无闪烁等的高品质的图像。

该电容布线400从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延伸设置，与恒定电位源电性连接，从而被设为固定电位(参照后面有关焊盘404的说明)。

这样，根据以覆盖数据线6a的全体的形式被形成、同时被设成固定电位的电容布线400的存在，能够排除在该数据线6a及像素电极9a之间产生的电容耦合的影响。即，能够预先避免随着向数据线6a的通电，像素电极9a的电位变化这样的事态的发生，能降低图像上发生沿该数据线6a的显示不均匀等的可能性。在第一实施形态中，由于电容布线400被形成为栅格状，所以能够将其抑制，使得即便是扫描线11a延伸存在的部分也不发生无用的电容耦合。

另外，在第四层上，与这样的电容布线400作为同一膜，形成第三中继电极402。该第三中继电极402具有经由后述的接触孔804及89，对第二中继电极6a2及像素电极9a之间的导电性连接进行中继的功能。另外，这些电容布线400及第三中继层402之间并非是在平面形状上连续地被形成的，两者之间是在图案形成上分开地被形成的。

另一方面，上述的电容布线400及第三中继层402具有下层为由铝构成的层、上层为由氮化钛构成的层这样的双层结构。由于这样电容布线400及第三中继层402包含光反射性能比较优异的铝，而且，包含光吸收性能较优异的氮化钛，所以该电容布线400及第三中继层402能够起到作为遮光层的作用。即，如果采用它们，则能够以其上侧阻挡对TFT30的半导体层1a的入射光(参照图6)的传播。

而且，特别是在第一实施形态中，如图7及图8所示，与上述的电容布线400及第三中继层402(以下，有时一并称为“电容布线400等”)作为同一膜，在周边区域形成焊盘404P。因此，焊盘404P与上述的电容布线400等同样，具有下层为由铝构成的层、上层为由氮化钛构成的层这样的双层结构。但是，虽然焊盘404P和电容布线400等作为同一膜而被形成，但两者在图案形成上是分开地被形成的。

该焊盘404P构成参照图1及图2所说明的外部电路连接端子102的一部分。具体地说，在焊盘404P上形成的后述的第四层间绝缘膜44上，形成通往该焊盘404P的开口部44H，通过使该焊盘404P的上表面露出到外部，而形成外部电路连接端子102。顺便说一下，在第一实施形态中，第四层间绝缘膜44的表面通过实施CMP处理等平坦化处理而被平坦化。

如上所述，在第一实施形态中，通过使第四层间绝缘膜开口而使焊盘404P的表面露出。第四层间绝缘膜44的厚度越薄，第四层间绝缘膜44的表面(相当于本发明中所说的“层叠结构的最上面”的一例)和焊盘404P的表面的阶梯差就越小，能够降低因摩擦处理而产生磨削屑的情况。在图8中，第四层间绝缘膜44的厚度比第三层间绝缘膜43的厚度薄，可以说第四层间绝缘膜44的表面和焊盘404P的表面位于几乎相等的高度。

另外，对于形成有焊盘404P的周边区域的层叠结构的高度、即对于距基板10的总厚度，也如下那样加以研究。在焊盘404P的图8中下方，按照从上至下的顺序，依次形成后述的第三层间绝缘膜43、布线6aP、第二层间绝缘膜42、虚设存储电容70P、第一层间绝缘膜41、虚设栅电极3aP、基底绝缘膜12、虚设扫描线11aP。

其中，各层间绝缘膜43、42、41及12，与图6中所说明的各层间绝缘膜43、42、41及12是相同的(另外，关于第四层间绝缘膜也相同)。另外，虚设存储电容70P、虚设栅电极3aP及虚设扫描线11aP，分别与上述的存储电容70、栅电极3a及扫描线11a作为同一膜而被形成。例如，虚设存储电容70P具有多层结构，具备与构成上述的存储电容70的下侧电极71、电容电极300及电介质膜75分别相对应的要素。关于其他要素也基本相同。对于这些层间绝缘膜或电极等各要素的厚度，图像显示区域的要素与周边区域的要素为同一厚度。这样，即使在周边区域，只要形成与在图像显示区域10a中形成的要素相对应的要素(即，对应于标号6aP、70P、3aP及11aP的各要素)，即可进行使周边区域和图像显示区域10a中的层叠结构的总体高度大致相同等的调整。

另外，如图7所示，上述的虚设扫描线11aP等等，具有与焊盘404P基本相同的平面形状，而且，虚设存储电容70P、虚设栅电极3aP及虚设扫描线11aP等等，在平面上全部具有相同的形状(图7中，这些虚设扫描线11aP等等的外形形状都用共同的标号“DP”表示)。另外，虽然上述的虚设栅电极3aP、虚设存储电容70P等等，都是与栅电极3a、存储电容70等等作为同一膜而被形成的，但两者(即，图8中的各“虚设”要素、以及与其相对应的图6中的各要素)图案形成上是分断地被形成的。因此，两者之间在电气上没有连接关系。另外，虚设栅电极3aP、虚设存储电容70P等等中的“栅极”、“电容电极”的名称，如上所述，是为了表示其分别是与栅电极3a、存储电容70作为同一膜而被形成这样的意思而使用的，其并不意味着具有作为栅极、存储电容的功能。

另一方面，上述的要素中，布线6aP与数据线6a作为同一膜而被形成，与虚设栅电极3aP等等一样，在有助于焊盘404P的高度调整这一方面是不变的，但在第一实施形态中除此以外还负担有特别的功能。首先，该布线6aP与上述的数据线6a一样，从下层起依次具有由铝构成的层(参照图6中的标号41A)、和由氮化钛构成的层(参照图6中的标号41TN)。另外，对于由氮化硅硅膜构成的层(参照图6中的标号401)，在其前身膜(前駆膜)形成后，通过实施图案形成处理(光刻工序及刻蚀工序)而被除去。另外，该布线6aP，通过贯穿第三层间绝缘膜43设置的接触孔43H，与上述焊盘404P电性连接。

这样，布线6aP承担着将从连接在外部电路连接端子102、或作为其一部分的焊盘404P上的各种外部电路送来的信号，传送给构成该电光装置的各种要素(例如，上述TFT30等)的功能。因此，对于与图1所示的多个外部电路连接端子102中的任何一个相对应的布线6aP，都应该形成为可与数据线6a电性连接。

在此，在第一实施形态中，特别是该接触孔43H、或者其与上述的开口部44H的配置关系如下。首先，如图7所示，焊盘404P平面上看被形成为大致呈四边形，开口部44H的平面上看的形状被形成为具有与其大致相似的形状。但是，前者的面积比后者的面积大。即，开口部44H的开孔面积比焊盘404P的面积小。另一方面，如图7所示，上述接触孔43H，以包围着开口部44H的开孔部分的方式、且沿着焊盘404P的外周形状地被形成多个。

另外，上述接触孔43H最好与后面所述的接触孔803及804同时开孔，开口部44H最好与后面所述的接触孔89同时开孔。

(层叠结构：第四层及第五层之间的结构-第三层间绝缘膜-)

在以上说明的数据线6a之上、且在电容布线400等及焊盘404P之下，形成例如由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等、或者最好由使用了TEOS气体的等离子体CVD法形成的第三层间绝缘膜43。在该第三层间绝缘膜43上，开设用于将上述的电容布线400和电容布线用中继层6a1电性连接的接触孔803，以及开设用于将第三中继电极403和第二中继电极6a2电性连接的接触孔804。

(层叠结构：第六层、以及第五层及第六层之间的结构-像素电极等-)

最后，在第六层上，如上所述呈矩阵状地形成像素电极9a，在该像素电极9a上形成取向膜16。然后，在该像素电极9a的下面，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等、或者最好由NSG构成的第四层间绝缘膜44。在该第四层间绝缘膜44上开设用于将像素电极9a及上述的第三中继电极402之间电性连接的接触孔89。像素电极9a和TFT30之间，经由该接触孔89、第三中继层402、上述的接触孔804、第二中继层6a2、接触孔882、中继电极719、接触孔881、下部电极71及接触孔83而被电性连接起来。顺便说一下，如上所述，第四层间绝缘膜44的表面通过实施CMP处理等平坦化处理而被平坦化，能够降低由存在于其下方的各种布线或元件等产生的阶梯差引起的液晶层50的取向不良。

另外，虽然在焊盘404P上形成取向膜16，但在该焊盘404P上与FPC(柔性印刷布线)基板的端子连接时，可通过FPC基板的端子刺破取向膜16而确保电性连接。该电性连接最好是采用了各向异性导电膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)的方法。或者，也可以在至少TFT阵列基板10和相对基板20被贴合之后，在对FPC基板进行压着固定之前，进行O₂等离子体处理以将取向膜16除去。

第一实施形态的电光装置的作用和效果

如果采用以上这样构成的第一实施形态的电光装置，特别是与作为第五层结构所说明的焊盘404P、或外部电路连接端子102等相关联，会起到如下的作用效果。

第一，焊盘404P的表面，虽然与第四层间绝缘膜44的表面存在有相当于该第四层间绝缘膜44的厚度那样的的差，但可以说位于几乎同等的高度上，因此，即使在这样的结构上形成取向膜16，也可以极力地减小在该取向膜16上对应于外部电路连接端子102的形成区域形成陡峭的凹凸的可能性(参照图8)。因此，如果采用第一实施形态，则能够防止在实施对取向膜16的摩擦处理时，以上述凹凸为起因而产生磨削屑。另外，由此能够显示品质更高的图像。

而且，在第一实施形态中，特别是，这样的作用效果可通过如下所述的构成而得以支持。第一，第一实施形态的焊盘404P，如上所述与电容布线400作为同一膜而被形成，而且如图6所示，该电容布线400被形成在紧靠像素电极9a的下方(即，只隔着第四层间绝缘膜)，所以如图8所示，焊盘404P也被形成在层叠结构中、紧靠像素电极9a的下方的层上，能够更理想地使焊盘404P的表面和第四层间绝缘膜44的表面位于同等的高度。第二，在第一实施形态中，通过在焊盘404P的下方，形成虚设数据线11aP等等各种虚设膜，从而可借助该虚设膜固有地具有的“高度”，使焊盘404P位于层叠结构中的更上层。如果没有虚设膜，则为了使从像素区域至周边区域的层间绝缘膜44平坦化，就要使层间绝缘膜44的厚度增加与不存在虚设膜相应的程度，焊盘404P的表面和第四层间绝缘膜44的表面的阶梯差就会增大。如果采用该第一实施形态，则能够使焊盘404P的表面和第四层间绝缘膜44的表面更理想地处于同等的高度。以上的结果，能够更可靠地发挥如下作用效果，即，不会在取向膜16上产生阶梯差，另外，在对该取向膜16进行摩擦处理时，能够使摩擦程度一定，或者不会产生该取向膜16的磨削屑等。

其次，由第一实施形态的电光装置起到的作用效果的第二点，外部电路连接端子102及其周围，具有从图8的上方开始依次为开口部44H、焊盘404P、接触孔43H及布线6aP这样的结构，所以可经由布线6aP，将从外部提供给焊盘404P的各种信号稳定地提供给TFT30等。这是因为，虽然说因为焊盘404P如图8所示被形成在层叠结构的最上层，与此相对，TFT30如图6所示被形成在层叠结构的最下层形成TFT30，所以为了使两者之间直接联系，必须开设比较深的接触孔，但如上所述，在第一实施形态中，由于存在有虚设扫描线11aP、虚设栅电极3aP、虚设存储电容70P，所以接触孔43H成为比较浅的接触孔。特别是在对第三层间绝缘膜43的表面进行平坦化处理的情况下，如果不存在这些虚设膜，则层间绝缘膜43的厚度会增加与虚设膜的总厚度相应的程度，接触孔43H的深度就会变得更深。在第一实施形态中，焊盘404P和布线6aP的电性连接可通过比较浅的接触孔43H进行，布线6aP和TFT30电性连接可通过与其不同的比较浅的接触孔进行。因此，能稳定地进行从焊盘404P向TFT30等的信号的供给。尤其是要是不需要形成这样的比较深的接触孔，则能够获得可实现缩短该电光装置的制造时间这样的较大的优点。

另外第三，通过上述的开口部44H及43H和焊盘404P的配置关系，可获得如下的作用效果。即，在第一实施形态中，如图7所示，实现了如下那样的形态，即，从上方起依次为可看到的与开口部44H的开口形状一致的焊盘404P的暴露面，以包围在该暴露面的周围的方式形成的接触孔43，进而以包围在其外周的方式存在的焊盘404P的边缘部。如果采用这样的形态，则开口部44H开口时，在采用湿腐蚀(湿法蚀刻：ゥェットェッチング)的情况下，能够极大地降低由于其所使用的腐蚀液到达接触孔43H而造成断线等损伤的可能性。

用图9所示的说明图，详细说明这样的作用效果。这里，图9是与图8主旨相同的剖面图，特别详细地示出了开口部44H、焊盘404P及接触孔43H的配置关系，(a)是第一实施形态的电光装置，(b)是其比较例。

首先，在作为比较例的图9(b)中，开口部44H’的面积与焊盘404P’的面积相同，接触孔43H’被沿着焊盘404P’的边缘部而形成。在这样的结构中，则开设开口部44H时，如果采用湿腐蚀，则如图9(b)中的箭头所示，腐蚀液会从开口部44H’的底部的角部流到焊盘404P’的侧面(两者存在于共同的面上)，从而能够很容易地到达接触孔43H’。因此，在此情况下，接触孔43H’被上述腐蚀液腐蚀的可能性极大，造成断线等损伤的可能性增大。

然而，在第一实施形态中，如图9(a)所示，开口部44H的面积比焊盘404P的面积小，接触孔43H被沿着焊盘404P的边缘部形成。如果采用该形态，则可知上述的腐蚀液从开口部44H的底部的角部到达接触孔43H的路程与上述的例子相比变得极长。即，在此情况下，上述腐蚀液要到达接触孔43H，则该腐蚀液在从开口部44H的侧壁部分到达焊盘404P的边缘部分时，必须沿该焊盘404P的表面流动(参照图9(a)中的实线箭头)。这样，在第一实施形态中，可以说焊盘404P具有阻挡腐蚀液的作用，几乎不会发生该腐蚀液到达接触孔43H的事态(参照图9(a)中的虚线箭头)。

因此，如果采用第一实施形态，则在开口部44H的制造阶段等，即使是实施湿腐蚀的情况下，也能够极大地降低由于该湿腐蚀中所使用的腐蚀液到达接触孔43H而造成断线等损伤的可能性。反过来说，如果采用第一实施形态的结构，则能够更可靠地进行焊盘404P及布线6aP之间的导电性连接。

第二实施形态

以下，参照图10及图11说明本发明的第二实施形态。这里图10及图11分别是与图7及图8意义相同的图，但在形成由与像素电极膜为同一膜的膜构成的厚度调整膜9aP(以下简称“调整膜9aP”)这一点有所不同，图10是平面图，图11是图10中的P2-P2’剖面图。另外，在第二实施形态中，关于上述的“电光装置”的结构及作用具有许多共同的部分(特别是像素部的结构等)。因此，以下省略关于它们的说明，主要只对第二实施形态中特征性的部分加以说明。另外，图10及图11中使用的标号，只要指示与图7及图8所示的要素本质上并无不同的要素，就使用同一标号。

在第二实施形态中，如图10及图11所示，外部电路连接端子102A备有与像素电极9a作为同一膜而被形成的调整膜9aP。该调整膜9aP以覆盖整个开口部44H、即覆盖整个焊盘404P的方式而被形成。

在这样的第二实施形态中也同样，显然可大体同样地起到与上述的第一实施形态大致相同的作用效果。此外，在第二实施形态中，特别是由于形成有调整膜9aP，所以只增加了该虚设像素电极9aP的厚度，可使外部电路连接端子102A和第四层间绝缘膜44的表面大致位于同一高度。

另外，在上述的第一实施形态中，被配置在层叠结构的最上层的取向膜16必定与焊盘404P直接接触，与此相对，在第二实施形态中，成为该取向膜16与调整膜9aP接触的形式(参照图11)。因此，如上所述，焊盘404P在如上所述例如包含铝等的情况下，可以认为该焊盘404P和取向膜16的紧密接触性比上述调整膜9aP和取向膜16的紧密接触性差。反过来说，在第二实施形态中，能够提高该取向膜16的紧密接触性。因此，如果采用第二实施形态，能够进一步抑制由于对取向膜16实施摩擦处理而产生该取向膜16的磨削屑的情况等。

另外，图11中虽然示出了取向膜16，但与第一实施形态相同，在焊盘404P上与FPC基板的端子连接时，可通过将FPC基板的端子刺破取向膜16而确保电性连接。或者也可以在对FPC基板进行压着固定之前，进行O₂等离子体处理而将取向膜16除去。以后的实施形态中也同样。

第三实施形态

以下，参照图12及图13说明本发明的第三实施形态。这里图12及图13分别是与图7及图8意义相同的图，但在使焊盘404P的全部表面露出这一点有所不同，图12是平面图，图13是图12中的P3-P3’剖面图。另外，在第三实施形态中，关于上述的“电光装置”的结构及作用具有较多的共同的部分，特别是像素部的结构等。因此，以下省略关于它们的说明，而主要仅对第三实施形态中特征性的部分加以说明。另外，图12及图13中使用的标号，只要指示的是与图7及图8所示的要素没有本质上的不同的要素，就使用同一标号。

在第三实施形态中，如图12及图13所示，焊盘404P上的第四层间绝缘膜全部消失，只在该焊盘404P的图中侧方残留第四层间绝缘膜441，因此，变成了图8等中的开口部44H已不复存在的形状。因此，外部电路连接端子102B并不是具有从开口部44H被暴露在外部的焊盘404P的结构，而是焊盘404P其本身由于与层叠结构的最上层一致而被暴露在外部这样的结构。例如，这样的结构可通过对焊盘404P的形成区域进行CMP处理等平坦化处理，能形成这样的结构(参照后面所述的[制造方法]一栏)。

在这样的第三实施形态中也同样，显然可大体同样地起到与上述的第一实施形态相同的作用效果。此外，在第三实施形态中，从图可知，外部电路连接端子102B的部分具有几乎完全的平坦性。因此，能够更可靠地防止由于对取向膜16的摩擦处理而产生磨削屑的事态等。另外，在为了实现图13所示的结构，如上所述利用CMP处理的情况下，可将焊盘404P用于该处理的终点检测。就是说，CMP处理的实施结束的时刻，可根据焊盘404P是否显露出而进行判断，所以不必为了终点检测而加设特别的要素，还有利于制造。

另外，在该第三实施形态中，对于图6所示的像素部，最好预先加以如下那样的考虑。即，在第三实施形态中，如上所述，由于使焊盘404P上的第四层间绝缘膜44消失了，所以与其作为同一膜而形成的电容布线400也被暴露在外部。但是，如果这样做，则在该结构上形成像素电极9a时，就存在有会发生该像素电极9a和电容布线400的短路的可能性(参照图6中靠左侧的电容布线400的端部及其上方的像素电极9a)。因此，在第三实施形态的像素部中，例如，如图14所示，最好不进行对电容布线400下面的第三层间绝缘膜43等的平坦化处理、或通过将数据线6a等埋入而进行的平坦化处理等，宁可让各要素引起的阶梯差残留下来。如果这样做，则若为了使焊盘404P露出外部而对第四层间绝缘膜44进行CMP处理等，则虽然确实电容布线400也露出外部，但该电容布线400露出的部分，平面看主要只存在于与像素电极9a不发生干涉的地方，所以不会发生电容布线400及像素电极9a之间的短路。另外，在此情况下，如图5所示，最好使电容布线400及像素电极9a形成为在平面上完全不重合，以代替使两者形成为在平面上重合的形式。具体地说，最好以使电容布线400的线宽比图5所示的窄一些的那样，形成该电容布线400。但是，即使在平面上看存在重合部分，如图14中的标号M所示，电容布线400及像素电极9a之间也往往也不会发生短路。

第四实施形态

以下，参照图15至图18说明本发明的第四实施形态。这里图15及图16分别是与图7及图8意义相同的图，但在第四层间绝缘膜44上开设的接触孔的形态有所不同，图15是平面图，图16是图15中的P4-P4’剖面图。另外，图17是关于图15的变形形态，图18是关于图16的变形形态。另外，在第四实施形态中，关于上述的“电光装置”的结构及作用具有很多共同的部分(特别是像素部的结构等)。因此，以下省略关于它们的说明，主要仅对第四实施形态中特征性的部分加以说明。另外，图15至图18中所使用的标号，只要指示的是与图7及图8所示的要素没有本质不同的要素，就使用同一标号。

在第四实施形态中，如图15及图16所示，代替图8中的开口部44H，外部电路连接端子102C具备开口部的面积相对较小的接触孔44J。该开口部44J如图15详细地表示的那样，在焊盘404P的形成区域范围内，以均等、更具体地说是以呈矩阵状地分散的形式形成多个。顺便说一下，在第四实施形态中，这些多个接触孔44J的第四层间绝缘膜44上面的开口口径D全部为同一口径，例如5μm，或者比它小一些的口径。其形状为正方形或圆形。这些接触孔44J可以只用干腐蚀(干法蚀刻：ドラィェッチング)或湿腐蚀来形成，也可以用干腐蚀和湿腐蚀的组合方法来形成。

另外，在第四实施形态中，以上述的结构为前提，与上述的第二实施形态同样地，在焊盘404P上，以将接触孔44J埋没的方式，形成由与像素电极膜为同一膜的膜构成的厚度调整膜9aQ(以下简称“调整膜9aQ”)，而该像素电极膜由与像素电极9a为同一膜的膜构成。另外，该调整膜9aQ相当于本发明的第三项的电光装置中的“导电膜”的一例。

在这样的第四实施形态中，例如，与开口部44H的开口面积与焊盘404P的面积基本相同等的情况(例如，参照图图10及图11)相比，调整膜9aQ不会向接触孔44J的底侧一方凹陷。就是说，在这样的结构中，接触孔44J，在与形成在第四层间绝缘膜44上的调整膜9aQ的关系中，可以说发挥如同柱子的功能，因此能够使该调整膜9aQ的表面与第四层间绝缘膜44的表面基本一致。因此，即使在该结构上(即在调整膜9aQ上)形成取向膜16，在其表面上形成凹凸的可能性也能够进一步降低，由于对该取向膜16的摩擦处理而产生的磨削屑的可能性会显著地减少。

另外，在第四实施形态中也同样，在形成上述接触孔44J时实施湿腐蚀的情况下，能获得与说明第一实施形态时所参照的图9同样的作用效果。这是因为第四实施形态的接触孔44J也好，上述的开口部44H也好，在第二接触孔43H的形成区域的更内侧被形成这一点没有变化。

而且，在第四实施形态中，特别是由于：第一、接触孔44J被分散成矩阵状；第二、该接触孔44J的开口口径D为5μm或其以下；所以会更可靠地发挥这样的作用效果。这是因为如果采用该结构，则接触孔44J能够更好地发挥上述的如同柱子那样的作用。

另外，在本发明中，与这样的第四实施形态相关联的，可采用与图15及图16不同的各种形态。例如，如图17所示，也可以使接触孔44J呈点状分散地配置成相间隔的方格花纹状的形态，还可以呈点状地分散成线状、方格状。另外，也可以沿接触孔43H的内侧点状地分散成四边形状。这些接触孔44J，只要能降低接触电阻即可，所以接触孔的个数可以非常少。另外，虽然在上述中，只是形成在焊盘404P之上的接触孔采取了散布在该焊盘404P的形成区域的范围内的形态，但如图18所示，即使对于用于将焊盘404P和布线6aP电性连接的接触孔，也同样可以采用与其同样的想法。即，在该结构中，代替图8中的接触孔43H，形成用于将焊盘404P和布线6aP之间电性连接的接触孔43J，该接触孔43J，以在焊盘404P的形成区域的范围内散布多个那样的方式被形成。如果采用这样的结构，则即使在第三层间绝缘膜43、和形成在该第三层间绝缘膜43上的焊盘404P的关系中，也能够获得与在上述的第四层间绝缘膜44及调整膜9aQ的关系中所获得的作用效果大致相同的作用效果。

第五实施形态

以下，参照图19及图20说明本发明的第五实施形态。这里图19及图20分别是与图7及图8意义相同的图，但在第三层间绝缘膜43上不开设接触孔43H这一点有所不同，图19是平面图，图20是图19中的P5-P5’剖面图。另外，在第五实施形态中，关于上述的“电光装置”的结构及作用具有很多共同的部分，特别是像素部的结构等。因此，以下省略关于它们的说明，仅对第五实施形态中特征性的部分作以说明。另外，图19及图20中使用的标号，只要指示的是与图7及图8所示的要素在本质上没有不同的要素，就使用同一标号。

在第五实施形态中，如图19及图20所示，外部电路连接端子102D不存在图8等中在布线6aP及焊盘404P之间形成的接触孔43H。因此，在图19及图20中，不存在“布线(6aP)”，变成存在虚设数据线6aQ。更详细地说，在图19及图20中，虽然存在与数据线6a作为同一膜而形成的虚设数据线6aQ，但在该虚设数据线6aQ上，已经没有从焊盘404Q传送来信号。因此，这时的虚设数据线6aQ，与上述的虚设扫描线11aP等等同样，虽然是具有增加焊盘404Q的层叠结构中的高度的意义的要素，但已经没有作为“布线”的功能了。

在第五实施形态中，取而代之是焊盘404P兼具上述的“布线6aP”的功能。即，如图19所示，在焊盘404Q上延伸设置有向图中右方延伸的布线404R，图中未示出的以后的部分，最终与形成在图像显示区域10a中的数据线6a或TFT30等电性连接。此外，与图6进行对比可知，该布线404Q可延伸到构成分别与像素电极9a及TFT30电性连接的存储电容70的电容布线400上延伸。实际上，在第五实施形态中，焊盘404Q或布线404R不仅是与电容布线400作为同一膜形成(关于这一点与上述的直至第四实施形态为止的实施形态相同)，而且其至少一部分(即，以存在多个外部电路连接端子102D(存在多个焊盘404Q)为前提(参照图1)，“其至少一部分”)与该电容布线400导电性地延伸设置而形成。

在这样的第五实施形态中，不必像直至上述的第四实施形态为止的实施形态那样，为了电性连接焊盘和布线，利用接触孔43H等。因此，在第五实施形态中，在从焊盘404Q向布线404R乃至电容布线400供给信号时，该信号不会因上述接触孔43H的电阻等而发生迟滞等不良现象，能够稳定地供给信号。特别是如第五实施形态那样，应该连接或延续设置到电容电极300(参照图6)上的电容布线400，在与被外部电路连接端子102D所包含的焊盘404Q由同一膜构成且延伸设置的情况下，能稳定地将电容电位向该电容布线400、进而向电容电极300供给。该电容电位通常为规定的值。因此，能极大地降低由该电容电位的波动而引起的在图像上发生横向串扰(クロスト一ク)等的可能性。

另外，在本发明中，可将这样的第五实施形态、和上述的第一至第四实施形态在一个电光装置中实现。即，如图1所示，外部电路连接端子通常被设置多个，但可以对其中的几个采用第五实施形态的结构，对其他的采用第一至第四实施形态中的任意的结构等。

本发明在上下导通端子中的应用

另外，虽然在上述的各实施形态中，主要说明了包含在外部电路连接端子的焊盘404P等的结构，但本发明不限定于这样的结构。例如，上述各实施形态同样可以考虑应用在参照图1及图2说明的上下导通端子106中。这里具体地说，上下导通端子106例如具有如图21所示的剖面结构(参照图2中的该部分)。

在该图21中，上下导通端子106包括焊盘406，并包括在该焊盘406上形成的开口部44H2。而且，在该焊盘406上，以将开口部44H2埋没的形式，具备将银粉等混合在膏状的介质中而成的导电性粒子107。该导电性粒子107一方面被配置为接触在焊盘406上，另一方面被配置为接触在形成于相对基板20上的相对电极21上。因此，焊盘406及相对电极21始终处于相同电位，特别是能够从焊盘406向相对电极21供给规定的恒定电位。另外，上述的导电性粒子107被混合在为了将TFT阵列基板10及相对基板20之间粘接而设置的密封材料52中(同样参照图1及图2)。

对图21和图8等进行对比参照，可知这样的上下导通端子106具有与外部电路连接端子102等大致相同的结构，而且，可知同样承担使电极露出到该电光装置的外部以供给信号等这样的功能。因此，对于这样的上下导通端子106也同样，基本上能适用上述各实施形态中所述的各种结构，另外，如果采用这种结构则能够获得与外部电路连接端子102大致相同的作用和效果。

另外，在图21中，作为本发明的“第三虚设膜”，形成有虚设栅电极3aQ及虚设扫描线11aQ，但并未形成如图8等所示的虚设存储电容70P等。这是表示对于在图像显示区域10a中所形成的所有的要素，并非必须都形成本发明的“第三虚设膜”的一例。如果不存在虚设存储电容70P等，则会与其膜厚相应地产生阶梯差，但通过加厚其上层的层间绝缘膜并进行平坦化处理，即可加以弥补。

另外，焊盘406可作为上述的实施形态的外部电路连接端子102中的一个而进行连接。

制造方法

以下，参照图22特别对上述的第三实施形态的电光装置的制造方法进行说明。这里图22是表示图13所示的结构中，按顺序表示从形成焊盘404P到形成取向膜16的工序的制造工序剖面图。另外，关于虚设扫描线11aP等的制造方法，与扫描线11a等的制造方法相同，所以省略其说明。另外，在图22中，直至第三层间绝缘膜43以前的制造设定为已经完成。

在图22中，在工序(1)中，在第三层间绝缘膜43上形成焊盘404P。该焊盘404P，例如，首先，通过溅射法形成厚度约为100～500nm左右的铝等金属膜。然后，通过对该金属膜进行图案形成处理(光刻及刻蚀工序)，形成规定图案。其次，通过溅射法形成厚度约为100～500nm左右的由氮化钛构成的前身膜。然后，对该前身膜进行图案形成处理，形成与上述相同的规定图案。这里，所谓规定图案，被设定为在从平面上看第三层间绝缘膜43的情况下，电容布线400、第三中继电极402及焊盘404P分别被作成适当的图案(参照图5及图7、进而参照图1)。在此情况下，该图案形成处理，是以电容布线400等和焊盘404P在导电性上被断开那样的形式被实施的。另外，对由铝等构成的金属膜和由氮化钛构成的前身膜的图案形成处理，不必像上述那样分别地实施，也可以将两者一起实施。

其次，在工序(2)中，在焊盘404P之上形成第四层间绝缘膜441的前身膜441Z。更具体地说，例如通过采用利用了TEOS(原硅酸四乙酯)气体、TEB(硼酸四乙酯)气体、TMOP(四甲基氧磷酸酯)气体等的常压或减压CVD法等，形成由NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的前身膜441Z。该前身膜441Z的厚度最低限度必须要超过上述的焊盘404P的厚度。具体地说，例如最好为约1000～2000nm左右。

其次，在工序(3)中，对前身膜441Z的表面进行CMP处理。这里所谓CMP处理，一般是这样一种技术：一边使被处理基板和研磨布(研磨垫)两者旋转等，一边使各自的表面彼此接触，同时向该接触部位供给含有二氧化硅粒子等的研磨液(研磨浆)，由此使被处理基板表面借助机械作用和化学作用的共同作用，从而使该表面平坦化。上述的“被处理基板”相当于具有图22中的工序(2)中所示的结构的基板。

然后，在本实施形态中，特别地，这样的CMP处理，如图22中的工序(3)所示，一直进行至到达焊盘404P的表面为止。即，该焊盘404P被用于该CMP处理的终点检测。具体地说，可以采用如下等方法：利用适当的摄像装置等监视位于焊盘404P的形成区域的部分，同时在该摄像装置捕捉到焊盘404P的表面的瞬间，结束CMP处理。

虽然可以采用其他各种方法，但不管怎样，通过实施上述那样的CMP处理，前身膜441Z被研磨到与焊盘404P的表面一致为止(参照图中的虚线)。并且，由此可比较容易地制造仅在焊盘404P的图中侧面残留有第四层间绝缘膜441这样的结构。

最后，在工序(4)中，在将聚酰亚胺系的取向膜16的涂敷液涂敷在第四层间绝缘膜441及焊盘404P上之后进行烧制处理，并且以规定方向实施摩擦处理等以使其具有规定的预倾角(プレティルト)，从而形成取向膜16。而且，在本实施形态中，在进行该取向膜16的摩擦处理时，因为在该取向膜16上几乎没有形成凹凸，所以极大地降低了发生该磨削屑的可能性。根据以上所述，在经过图22中的工序(1)至工序(4)制造的电光装置中，几乎不会发生上述那样的因磨削屑混入到图像显示区域10a中而引起的图像质量的劣化的现象，能显示品质极高的图像。

另外，在上述中，虽然说明了图12及图13所示的第三实施形态的电光装置、尤其是其外部电路连接端子102B的制造方法，但对于其他实施形态的电光装置乃至外部电路连接端子等，也可采用与上述的方法大致相同的方法制造。例如，上述的第一实施形态的电光装置乃至外部电路连接端子102，直至图22中的工序(2)以前完全相同，代替图22中的工序(3)，在第四层间绝缘膜44(在工序(2)中，虽然成为前身膜441Z，但在第一实施形态等的电光装置中，该前身膜441Z直接成为“第四层间绝缘膜44”)上，通过实施反应性离子刻蚀、反应性离子束刻蚀等干腐蚀等，即可开设开口部44H。另外，这时为了调整该开口部44H的开口形状，可实施湿腐蚀，这一点如既已说明的那样。另外，若对开设了开口部44H后的第四层间绝缘膜44，实施与上述相同的CMP处理，然后形成取向膜16，就制成了第一实施形态的电光装置乃至外部电路连接端子102。

电子设备

下面，对于将以上详细说明的电光装置作为光阀使用的作为电子设备的一例的投射型彩色显示装置的实施形态，说明其整体结构，尤其是光学的结构。这里，图23是投射型彩色显示装置的示意性的剖面图。

在图23中，作为本实施例的投射型彩色显示装置的一例的液晶投影机1100，是作为准备有包含在TFT阵列基板上搭载有驱动电路的液晶装置的3个液晶模块、并分别作为RGB用的光阀100R、100G和100B而使用的投影机而被构成的。在液晶投影机1100中，当从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发生投射光时，则被3个反射镜1106和2个分色镜1108分成为与RGB的三原色对应的光分量R、G和B，并分别被导向与各色相对应的光阀100R、100G和100B。这时，特别是为了防止B光因较长的光路而引起的光损耗，经过由入射透镜1122、中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜系统1121对其进行引导。然后，与经光阀100R、100G、100B分别调制的3原色对应的光分量，在利用分色棱镜1112再度合成之后，经由投射透镜1114作为彩色图像而投射到屏幕1120上。

另外，作为电光装置，除了液晶装置以外，还可适用于电子纸等电泳装置、EL(场致发光)显示装置等电光装置。

本发明不限于上述的实施形态，在不违反权利要求的范围和从整个说明书所理解的发明的要旨或思想的范围内，可作适当的变更。伴随这样的变更的电光装置及其制造方法、电子设备，也被包含在本发明的技术范围内。

Claims (20)

1.一种电光装置，其特征在于，具有：

连接端子，该连接端子部具备：

形成在基板上、并经过平坦化处理的第三层间绝缘膜，

形成在该第三层间绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜，

形成在该第三层间绝缘膜上、经过平坦化处理的第四层间绝缘膜，

以及

形成在该第四层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部；

以及，配置在图像显示区域的开关元件；与该开关元件电性连接的数据线；与该开关元件电性连接的像素电极；由与该像素电极的像素电位电性连接的像素电位侧电容电极、和隔着绝缘膜与该像素电位侧电容电极相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容；和形成在该数据线的更上层上、与该固定电位侧电容电极电性连接的电容线；

该电容线被形成在该第三层间绝缘膜上，该第一导电膜与该电容线的膜为同一膜。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

在与该连接端子部相对应的该第三层间绝缘膜的下层，形成与层叠在该图像显示区域中的布线或电极的膜为同一膜的导电膜。

3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

该第一导电膜构成与用于与该外部电路连接的基板相连接的连接端子的表面。

4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

该第四层间绝缘膜的上表面与该第一导电膜的上表面成为同一平面。

5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

具有经由该第四层间绝缘膜的开口部而与该第一导电膜导通的第二导电膜。

6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于：

该第二导电膜构成与用于与该外部电路连接的基板相连接的连接端子部的表面。

7.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于：

该第四层间绝缘膜的开口部由多个第一接触孔构成，该第一导电膜和该第二导电膜经由该第一接触孔而导通。

8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于：

该多个第一接触孔，以至少散布在该第一导电膜上的方式而被形成。

9.一种电光装置，其特征在于，具有连接端子，该连接端子具备：形成在基板上、并经过平坦化处理的第三层间绝缘膜；形成在该第三层间绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；形成在该第三层间绝缘膜上、经过平坦化处理的第四层间绝缘膜；以及形成在该第四层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部；

该第一导电膜和与内部电路电性连接的布线导通；

并且与该内部电路电性连接的布线被形成在该第三层间绝缘膜上，且与该第一导电膜为同一膜。

10.一种电光装置，其特征在于：具有连接端子，该连接端子具备：形成在基板上、并经过平坦化处理的第三层间绝缘膜；形成在该第三层间绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；形成在该第三层间绝缘膜上、经过平坦化处理的第四层间绝缘膜；以及形成在该第四层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部；

该第一导电膜和与内部电路电性连接的布线导通；

并且与该内部电路电性连接的布线被形成在该第三层间绝缘膜的下层的第二层间绝缘膜上，并经由第二接触孔与该第一导电膜导通。

11.根据权利要求10所述的电光装置，其特征在于：

该第二接触孔被形成在该第一导电膜的周边。

12.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于：

该第二接触孔位于与该第四层间绝缘膜重叠的区域。

13.根据权利要求10所述的电光装置，其特征在于：

该第二接触孔以散布在该第一导电膜上的方式被形成多个。

14.根据权利要求10所述的电光装置，其特征在于：

该数据线被形成在该第二层间绝缘膜上，与该内部电路电性连接的布线与该数据线的膜为同一膜。

15.一种电光装置，其特征在于，具有连接端子，该连接端子具备：形成在基板上、并经过平坦化处理的第三层间绝缘膜；形成在该第三层间绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；形成在该第三层间绝缘膜上、经过平坦化处理的第四层间绝缘膜；以及形成在该第四层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部；

进而该电光装置还具备与该基板相对并具有对置电极的对置基板、以及与该第一导电膜的膜为同一膜的焊盘，该对置电极与该焊盘经由导通端子而被电性连接。

16.一种电光装置，其特征在于，由以下部分构成连接端子部：

形成在基板上的第三层间绝缘膜；

形成在该第三层间绝缘膜上、用于传送与外部电路的信号的第一导电膜；

形成在该第三层间绝缘膜上、经过平坦化处理的第四层间绝缘膜；以及

形成在该第四层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部；

进一步具有形成在该第三层间绝缘膜的下层的第二层间绝缘膜上、经由接触孔而与该第一导电膜导通的、与内部电路电性连接的布线。

17.根据权利要求16所述的电光装置，其特征在于：

该第四层间绝缘膜的上表面与该第一导电膜的上表面成为同一平面。

18.一种电光装置，其特征在于：

具备有：配置在图像显示区域的开关元件；形成在该第三层间绝缘膜上、与该开关元件电性连接的数据线；与该开关元件电性连接的像素电极；由与该像素电极的像素电位电性连接的像素电位侧电容电极、和隔着绝缘膜与该像素电位侧电容电极相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容；形成在比该数据线更上层的第四层间绝缘膜上、与该固定电位侧电容电极电性连接的电容线；以及形成在该电容线上的第二层间绝缘膜；

由第一导电膜、和在该第二层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域上、到达该第一导电膜的开口部构成连接端子部，该第一导电膜与该电容线的膜以同一膜而被形成在该第四层间绝缘膜上，用于传送与外部电路的信号；

并具备与该数据线的膜以同一膜形成在该第三层间绝缘膜上、经由接触孔而与该第一导电膜导通、并与该内部电路电性连接的布线。

19.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括下列工序：

在基板上形成第三层间绝缘膜、并对该第三层间绝缘膜的表面进行平坦化处理的工序；

形成第一导电膜的工序，该第一导电膜被形成在该第三层间绝缘膜上，用于传送与外部电路的信号；

在该第三层间绝缘膜及该第一导电膜上形成第四层间绝缘膜、并进行平坦化处理的工序；以及

将该第四层间绝缘膜的与该第一导电膜相对应的区域除去、设置达到该第一导电膜的开口的工序；

并且该第一导电膜与在图像显示区域形成的电容线同时形成，该第二导电膜与在图像显示区域形成的数据线同时形成。

20.一种电子装置，其特征在于：具备有权利要求1至19中的任意一项所述的电光装置。

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