CN1499274B - 电光装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

一种电光装置，该电光装置包括在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样配置的像素电极和薄膜晶体管；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的存储电容；以及在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层。并且，在上述屏蔽层中包含氮化膜，该膜沿上述数据线并且比上述数据线更宽地形成。

Description

电光装置和电子设备

技术领域

本发明涉及液晶装置等电光装置和电子设备的技术领域。另外，本发明还涉及电子纸张等电泳装置、EL(场致发光)装置、采用电子发射元件的装置(Field Emission Display 和Surface-ConductionElectron-Emitter Display)等技术领域。

背景技术

以往已知有在一对基板间夹持液晶等电光物质，并可通过贯穿它们那样地使光透射以进行图像的显示的液晶装置等电光装置。在此所谓“图像的显示”，是通过例如借助使每个像素电光物质的状态变化、以使光的透射率发生变化、从而可辨认出在每个像素灰度不同的光而实现的。

作为这样的电光装置，提出了可通过在上述一对基板的一方的上具备呈矩阵状排列的像素电极、如穿过该像素电极之间那样设置的扫描线及数据线、以及作为像素开关用元件的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等，从而进行有源矩阵驱动的电光装置。在该可进行有源矩阵驱动的电光装置中，上述TFT位于像素电极和数据线之间控制两者间的导通。另外，该TFT与扫描线和数据线电连接。由此，在通过扫描线控制TFT的通/断(ON/OFF)的同时，在该TFT导通(ON)的情况下，可将通过数据线提供的图像信号施加到像素电极上，即，可使每个像素光透射率变化。

在如上所述的电光装置中，上述的各种构成被制作在一方的基板上，但如果将其平面地展开，则需要较大面积，恐怕会使像素开口率、即光应该透射的区域相对于整个基板面的区域的比例降低。因此，即使在以往，仍采用以立体方式构成上述各种要件的方法，即，通过使层间绝缘膜介于中间地使各种构成要件层叠而构成的方法。更具体地说，在基板上，首先形成TFT和具有作为该TFT的栅电极膜的功能的扫描线，而后在其上形成数据线，进而在其上形成像素电极等。如果采用该方式，则不但可实现装置的小型化，而且还可通过适当地设定各种元件的配置，实现像素开口率的提高等。

但是，在以往的电光装置中，存在有如下所述的问题。即，在如上所述的电光装置中，还会产生使像素电极和数据线在较窄的区域内以平面方式、或立体方式相靠近地形成的情况，而在这种情况下，存在有在两者之间产生电容耦合的担心。即，一旦施加电压，则有可能会使在规定的期间内本来应恒定的像素电极的电位随着对靠近于它的数据线的通电而变化。因此，存在有会在图像上产生沿数据线的带状的显示不均的担心。

另外，还存在有TFT的寿命较短的问题。其原因在于如果有水分混入到构成TFT的半导体层以至栅绝缘膜中，则会因为水分子在栅绝缘膜和半导体层的临界面扩散而产生正电荷，导致在较短的期间内阈值(スレツシヨルド)电压Vth上升。这种现象在P沟道型TFT中更为明显。这样，若TFT的寿命较短，则当然还会对电光装置整体造成影响，导致从比较早的阶段便出现图像品质的降低，甚至有用不了多久装置本身就不能动作的担心。

此外，在上述那样的叠层结构中，普遍的是通常像素电极形成于其最上层，另一方面，TFT形成于其最下层。因此，为了实现像素电极和TFT之间的电连接，需要在两者之间介设构成叠层结构的其他的层及接触孔。但是，在这种情况下，例如，当希望使通常构成像素电极的ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)等透明导电性材料与作为上述其他的层的铝接触时，则会存在因为产生所谓的电蚀而阻碍两者之间的电导通的危险。

发明内容

本发明是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于提供一种能够在极力排除在像素电极和数据线之间产生的电容耦合的影响的同时，提高TFT的寿命，进而良好地实现构成叠层结构的各要件之间的电连接，由此显示更高品质的图像的电光装置。另外，本发明的目的还在于提供一种具备这种电光装置的电子设备。

为了解决上述的问题，本发明的电光装置具备在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样地配置的像素电极和薄膜晶体管；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的存储电容；以及在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层。并且，在上述屏蔽层中包含氮化膜，该膜沿上述数据线且比上述数据线更宽地形成。

根据本发明的电光装置，首先，由于具备扫描线和数据线以及像素电极和薄膜晶体管，故可进行有源矩阵驱动。另外，在该电光装置中，由于上述各种构成要件构成叠层结构的一部分，故可实现装置整体的小型化等，另外，通过实现各种构成要件的适当的配置，还可实现像素开口率的提高。

另外，在本发明中，特别地在上述各种构成要件以外，作为构成叠层结构的元件，还具有存储电容、屏蔽层及层间绝缘膜。

第一，由于在数据线和像素电极之间具有屏蔽层，所以能够预先防止在两者之间产生电容耦合。即，能够降低因数据线的通电而产生像素电极的电位变化等情况的可能性，可显示更高质量的图像。

并且，在本发明中，该屏蔽层中包含氮化膜，因为该氮化膜阻止水分的浸入以至扩散的作用优异，所以能够极力防止水分对薄膜晶体管的半导体层的浸入。从而，可极力防止薄膜晶体管的阈值电压上升那样的不良情况的发生，可长期地保持电光装置的使用寿命。

另外，第二，上述屏蔽层沿着上述数据线且比上述数据线更宽地形成。

根据该实施形式，能够排除在沿着屏蔽层形成的数据线和像素电极之间的电容耦合的影响。即，至少在该数据线和像素电极之间，不会发生如背景技术部分中所描述那样的不良情况。因此，根据本实施形式，能够在将由屏蔽层造成的透射率的降低抑制为最小限度的同时，有效地获得如上所述的作用效果。

在该实施形式中，特别地，沿着地形成有上述屏蔽层的数据线优，选为包括暂时构成为图像信号的供给对象的数据线组中位于该组的两端的数据线。

根据这种构成，在将数据线分为几个组，并对每个这样的组同时供给图像信号方式下，因为可在最不希望产生电容耦合的影响的数据线形成屏蔽层，故可预见更加有效的图像质量的提高。换言之，在上述这种情况下，能够抑制在当前接收图像信号的供给的组(在下面称为“供给组”)、和与其邻接的组(在下面称为“非供给组”)之间，大致沿着在位于边界位置上延伸的数据线发生的显示不均匀。其原因在于，很多情况下，在刚好位于上述供给组和上述非供给组之间的边界处的像素电极中，结果并未被施加与图像信号正确地对应的电场。更具体地说，在这种情况下，由于在该像素电极的一方的端部存在供给有图像信号的数据线，而在另一方的端部存在未供给图像信号的数据线，故即使对该像素电极施加了与图像信号相对应的正确的电场，但因该像素电极和未供给有图像信号的数据线之间的电容耦合的影响，其电位也会产生变动。

另外，所谓“暂时构成为图像信号的供给对象的数据线的组”，即，构成1组的数据线的组，根据该图像信号由几个并行信号构成而决定。例如，如果假定该图像信号是通过将串行信号串-并转换为6个并行信号而形成的，则上述数据线的组是指由相邻接的6根数据线组成的组。另外，在这种情况下，“位于该组的两端的数据线”相当于起始的第1根和最后的第6根的数据线。此外，在本发明中，构成该存储电容的电介质膜优选由包含不同材料的多个层构成，并且构成为包含有与其他层相比其中一层由高介电常数材料构成的层的层叠体。

按照该构成，在本发明的存储电容中，与以往相比，电荷积累特性更为优异，由此，可进一步提高像素电极的电位保持特性，由此可显示更高质量的图像。另外，作为本发明的“高介电常数材料”，除了后述的氮化硅外，可以列举有包含TaOx(氧化钽)、BST(钛酸锶钡)、PZT(钛酸锆酸盐)、TiO₂(氧化钛)、ZiO₂(氧化锆)、HfO₂(氧化铪)和SiON(氮氧化硅)中的至少一种而成的绝缘材料等。特别是，如果采用TaOx、BST、PZT、TiO₂、ZiO₂及HfO₂这样的高介电常数材料，则能够以基板上有限的区域增大电容值。或者，如果采用SiO₂(氧化硅)、SiON(氮氧化硅)和SiN这样的含有硅的材料，则可降低层间绝缘膜等的应力发生。

在本发明的电光装置的一种实施形式中，作为上述像素电极的基底而设置的层间绝缘膜的表面被实施了平坦化处理。

按照该实施形式，在像素电极之下设置层间绝缘膜，并且该层间绝缘膜的表面被施以例如CMP(Chemicla Mechanical Polishing，化学机械抛光)处理等的平坦化处理，由此可减小使液晶等的电光物质的取向状态发生混乱的可能性，由此可显示更高质量的图像。

在本发明的电光装置的另一实施形式中，上述数据线作为与构成上述存储电容的一对电极的一方相同的膜形成。

按照该实施形式，数据线和构成上述存储电容的一对电极的一方，形成相同的膜，换言之，在同一层上、或在制造工序阶段同时形成。由此，例如，不必采用将两者形成于不同的层上并以层间绝缘膜将两者之间隔离的方法，可防止叠层结构的高层化。这一点，在本发明中，若鉴于在叠层结构中数据线和像素电极之间形成上述的屏蔽层，且该部分的高度是预定的，则是非常有益的。其原因在于，如果是过多地高层化的叠层结构，则有损于制造容易性、制造产品的合格率。另外，如本实施形式那样，即使将数据线和上述一对电极之中的一方同时形成，只要对该膜进行适当的图案形成处理，则可实现两者之间的绝缘，对于此方面并没有特别的问题。

另外，如从本实施形式的描述可知的相反的情况那样，在本发明中，并非必须将数据线和构成存储电容的一对电极中的一方作为相同的膜形成。即，两者可作为各自的层形成。

在本实施形式中，特别地上述数据线优选构成为铝膜和导电性的多晶硅膜的叠层体。

根据这种构成，可通过使构成该数据线的导电性的多晶硅膜与构成薄膜晶体管的半导体层接触，实现数据线和薄膜晶体管的电连接，可使两者之间良好地电连接。

在本发明的电光装置的另一实施形式中，作为上述叠层结构的一部分进一步具备将构成上述存储电容的一对电极中的一方与上述像素电极电连接的中继层。

根据本实施形式，分别构成上述叠层结构的一部分的像素电极和存储电容的一对电极的一方，通过构成同一叠层结构的一部分的中继层实现电连接。具体来说，可采用接触孔等形式。由此，例如，可采用将本实施形式中的中继层设为双层结构、并且其上层由与作为通常用作像素电极的材料的透明导电性材料的一例的ITO(Indium Tin Oxide)相容性强的材料构成、其下层由与构成存储电容的一对电极中的一方相容性强的材料构成等灵活的构成，可更加良好地实现对像素电极的电压的施加、或该像素电极的电位的保持。

在该实施形式中，特别地上述中继层优选为由铝膜和氮化膜形成。

根据这种构成，例如，在像素电极由ITO形成的情况下，若使其与铝直接接触，则会导致在两者之间产生电蚀，发生铝的断线、或因氧化铝的形成造成的绝缘等情况，因此，鉴于这种不理想的状况，在本形式中，并未使ITO与铝直接接触，而通过使ITO与氮化膜——比如氮化钛膜接触，实现像素电极与中继层、进而与存储电容电连接。这样，本结构提供了上述的“具有相容性强的材料”的一个实例。

另外，由于氮化物阻止水分的浸入乃至扩散的作用优异，故可预见性地防止水分对薄膜晶体管中的半导体层的浸入。在本实施形式中，由于中继层包含氮化膜，故可获得上述的作用，由此，可极力地防止薄膜晶体管的阈值电压上升这样的不良状况的发生。

此外，在具有中继层的形式中，进一步优选上述屏蔽层作为与上述中继层相同的膜形成。

根据这种构成，由于上述屏蔽层与上述中继层作为相同的膜形成，故可将该两构成同时形成，实现该部分制造工序的简化、或降低制造成本等。

另外，在一并具有本实施形式的构成、和前述的将数据线与构成存储电容的一对电极中的一方作为相同的膜形成的构成的状态下，数据线、存储电容、中继层及像素电极的配置形式、特别是叠层顺序等更为合理，可更加有效地获得上述作用效果。

进而，特别地，如果是一并具有本实施形式的构成、和上述中继层包含氮化膜的构成的形式，则屏蔽膜也含有氮化膜。因此，可在基板的面上更宽范围地获得如前所述那样的防止水分对薄膜晶体管中的半导体层浸入的作用。因此，可更加有效地获得薄膜晶体管的长期使用的作用效果。

另外，从本实施形式的描述可知相反的情况，在本发明中，并非必须将屏蔽层和中继层作为相同的膜形成。即，两者可作为各自的层形成。

在本发明的电光装置的另一实施形式中，在上述数据线的表面上具备有氮化膜。

根据该实施形式，上述数据线的表面上具备有氮化膜，因为该氮化膜阻止水分的浸入乃至扩散的作用优良，故可极力地防止水分对薄膜晶体管中的半导体层的浸入。由此，可极力地防止薄膜晶体管的阈值电压上升这样的不良情况的发生，可长期地保持电光装置的使用寿命。

此外，假如仅在数据线的表面上形成氮化膜，则像比如与在基板的整个表面上形成氮化膜的形式相比所知道的那样，可减小作用于其内部的应力。因此，可预见性地避免氮化膜本身因内部应力而破坏的情况，另外，可预见性地防止由于该内部应力作用于外部而使存在于氮化膜周围的其它的结构——例如层间绝缘膜等产生裂缝的情况。

另外，在本实施形式中，可采用在遮光层中包含氮化膜、并且在数据线的表面上也具备有氮化膜的形式，但是在这种情况下，由于薄膜晶体管中的半导体层位于双层的氮化膜之下，故可更加可靠地获得防止水分浸入的作用。

另外，作为本发明所说的“氮化膜”，可想到的有硅氮化膜(SiN膜、SiON膜等)、或氮化钛膜(TiN膜)等。但是，显然除此以外的膜也可以。

为了解决上述课题，本发明的另一电光装置，包括在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样地配置的像素电极和薄膜晶体管；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的存储电容；以及在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层。并且在上述数据线上包含氮化膜。

根据本发明的另一电光装置，特别是由于在数据线中包含氮化膜，故像对在该数据线的表面上具备氮化膜的形式所描述的那样，可获得防止水分浸入的作用、无裂缝等的高可靠性等。

在数据线上具备有氮化膜的实施形式中，特别地，优选在上述扫描线上也具备有氮化膜。

根据这种构成，由于存在有沿第1方向和第2方向的每一方向延伸的氮化膜，故能够更加可靠地发挥上述的防止水分浸入的作用。另外，由于这种情况下的氮化膜通常形成为格子状，因此在像素电极上不存在氮化膜，能够实现电光装置整体的透明性的维持、换句话说是光透射率的维持。因此，根据本实施形式，虽然是通过氮化膜的存在而获得上述那样的延长寿命的作用效果，但是仍能够提供更加明亮的高品质的图像。顺便说明，根据本申请的发明人的研究，可知如果使氮化膜就直接残留在整个面上，则与不设置氮化膜的情况相比较，透射率仅降低4％左右。

在该数据线上具备氮化膜的实施形式中，进一步优选为上述氮化膜被形成于作为形成上述像素电极、上述数据线和上述扫描线的区域而规定的图像显示区域的周围。

根据这种构成，由于即使在图像显示区域的周围也形成有氮化膜，故可进一步可靠地发挥上述的防止水分浸入的作用。特别是在于图像显示区域的周围设置有例如分别驱动数据线和扫描线的数据线驱动电路和扫描线驱动电路的情况下，且在这些驱动电路被作为内置电路而集成于基板上的情况下，由于一般在该驱动电路内也具有作为开关元件的多个薄膜晶体管，故形成于该图像显示区域的周围的氮化膜有助于该多个薄膜晶体管的寿命的延长。

顺便说明，根据本申请的发明人所确认的情况，即使在仅在图像显示区域的周围和数据线的表面上形成氮化膜的形式中，也能够使薄膜晶体管以至电光装置的使用寿命延长到过去的3倍左右。因此，根据本实施形式，即便仅使用必要的最小程度的氮化膜，仍可有效地防止水分对TFT的浸入。

另外，如果在图像显示区域的周围形成氮化膜，则可使图像显示区域内部和图像显示区域之外的表面凹凸状态大致相同，例如，在对基板上的叠层结构物的表面进行平坦化处理等情况下，可进行均匀的平坦化处理。

在数据线上形成有氮化膜的实施形式中，进一步优选形成于上述数据线上的上述氮化膜的宽度大于上述数据线的宽度。

根据这种构成，可减小在电光装置的制造工序中可能发生的对数据线的损害。

即，例如，若考虑本发明的氮化膜仅形成在数据线上的情况，作为典型的可想到的制造方法，具体来说，是首先在基板的整个表面上形成氮化膜的原膜之后，形成具有规定图案(在此情况下成为“仅覆盖数据线的图案”)的抗蚀剂(层)，接着对上述抗蚀剂(层)和上述原膜进行蚀刻处理等使用了所谓的光刻法的制造方法。但是，在该方法中，如上所述，因为中间存在有蚀刻工序，另外，包含上述抗蚀剂(层)的剥离工序，故在这些工序中，存在有对数据线造成无谓的损害的可能性。

但是，在本实施形式中，由于氮化膜的宽度被设置得比数据线的宽度大，故因上述蚀刻等造成的损害被氮化膜的边缘部承受，从而可将数据线的损害抑制在最小程度。

由此，以确保电光装置的稳定的动作为首，还可有助于高质量的图像的显示。

在该氮化膜的宽度大于数据线的宽度的构成中，优选上述氮化膜的边缘在两侧，分别比上述数据线的边缘大出0.1～2.2μm。如果采用这种构成，则意味着相对数据线的宽度，氮化膜的宽度选取得较合适，能更加可靠地起到上述的防止对数据线的损害的作用效果。

在上述数据线上形成氮化膜的形式中，进一步优选上述氮化膜的厚度为10～100nm。

如果是这种构成，则意味着氮化膜的厚度选取得较合适，可更加有效地排除上述的氮化膜内部的应力的影响。

另外，如果如上述那样地使上述氮化膜的厚度较小，则还可获得下述这样的作用效果。即，若在基板上形成任何的元件、布线等构成要件，同时在该构成要件的形成区域及其以外的区域上形成层间绝缘膜等，则会使该层间绝缘膜等的表面产生所谓的阶差。其原因在于各构成要件分别具有固有的“高度”。当产生这样的阶差时，则会产生在液晶显示器等的电光装置中通常所设置的取向膜的涂布不均匀，不能较佳地对取向膜进行摩擦处理等问题，其结果导致因对比度下降等引起的图像质量下降。

然而，在本实施形式中，因为氮化膜被控制在比较小的10～100nm的范围内，所以，可将上述阶差抑制得较底，可减小导致对比度下降等的可能性。

在上述数据线上形成氮化膜的实施形式中，更优选进一步具备夹持电光物质而与上述基板对向的另一基板以及与上述扫描线和上述数据线位置对应那样形成于该另一基板上的遮光膜，且上述氮化膜的宽度小于上述遮光膜的宽度。

根据这种构成，上述氮化膜的宽度小于上述遮光膜的宽度。即，如果从平面看，本实施形式的氮化膜形成为被遮光膜覆盖隐藏那样的形式。在此，所谓遮光膜，是以防止像素间的光的混合、使图像的对比度提高等为目的，通常以不使光透射的方式设置的，因此如果以被这种遮光膜覆盖的方式形成氮化膜，则可良好地维持电光装置的整体的光透射率。

另外，在本实施形式中，遮光膜被形成在“另一基板”上，但本发明不限于这样的形式。例如，代替本实施形式的遮光膜，也可考虑采用与其相当的设置于上述基板(不是“另一基板”)上的另一遮光膜。在这种情况下，如既已说明的那样，还进一步在上述基板上形成TFT、存储电容、扫描线和数据线等，以及将它们间隔开的层间绝缘膜等，但是上述的另一遮光膜可认为是构成上述各种要件的一部分的膜，另外，由于被设置在层间绝缘膜之间，所以可认为是构成所谓的内置遮光膜的膜。

此外，显然即便是一并具有设置于另一基板上的遮光膜和设置于上述基板上的另一遮光膜的电光装置中可采用本实施形式。

在本实施形式中，特别地优选为上述氮化膜的边缘，在其两侧分别以小于或等于1μm的量比上述遮光膜的边缘小地形成。如果采用这种构成，则意味着相对遮光膜的宽度，氮化膜的宽度选取得较合适，能够更加可靠地起到保持上述的电光装置的透射率的作用效果。

在上述数据线上形成氮化膜的形式中，更优选进一步具备夹持电光物质而与上述基板对向的另一基板以及与上述扫描线和上述数据线位置对应地形成于该另一基板上的遮光膜，且上述氮化膜的宽度大于上述遮光膜的宽度。

根据这种构成，可减小图像上呈现的闪烁。虽然其正确的原因并不清楚，但可以认为其原因在于氮化膜固有的折射率使通过遮光膜的旁边的入射光折射。即，可以认为，入射到氮化膜的较宽的部分的光因该部分而发生折射，改变其行进路径，使本应入射到薄膜晶体管的光转向任意的其他部位。因此可以认为，根据本实施形式，能够使对薄膜晶体管的入射光减少，以减少光泄漏电流，由此使闪烁减少。

另外，若从上述的观点来考虑，可以认为氮化膜的宽度越大越好，但是如果过大，则氮化膜就会延及光透射区域，使电光装置的整体的光透射率减小，有导致图像质量降低的担心。因此，氮化膜的宽度大于遮光膜的宽度的程度，应根据刚才所描述的观点来控制，更具体地说，可以认为，如果从遮光膜的一方的边缘到氮化膜的一方的边缘的距离为1.7μm作为则最为理想。

此外，显然，即使在上述的使氮化膜的宽度大于数据线的宽度的状态下，仍同样地起到本实施形式的作用效果。这种情况下，在上面的描述中经折射的光则为“通过数据线的旁边的光”。

在本发明的电光装置的另一实施形式中，上述屏蔽层由透明导电性材料形成，并且满布地形成于上述基板的整个表面。

根据该实施形式，由于屏蔽层满布地形成于基板的整个表面，故可更加可靠地排除在数据线和像素电极之间产生的电容耦合的影响。另外，即使在这样满布地形成屏蔽层的情况下，由于该屏蔽层由例如ITO、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)等的透明导电性材料构成，故不会对电光装置中的光透射产生特别大的妨碍。

另外，像本实施形式那样，在满布地形成遮光膜的情况下，为了与将上述像素电极和上述薄膜晶体管等之间电连接的接触孔的形成相适应，最好在上述屏蔽层上形成与上述接触孔的形成位置相对应的孔。因为如果这样，则接触孔的形成不会很困难，所以能够很容易地实现构成本发明的电光装置的上述各种构成之间的电连接。另外，在此所说的“孔”，不必特别高精度地形成。即，该孔只要是足以使上述接触孔贯穿的孔即可，在制造上，不要求特别注意。但是，由于即使在如本实施形式那样在基板的整个表面上满布地形成屏蔽层的情况下，仍可使其一并具备作为与该屏蔽层相同的膜而形成的上述的“中继层”，所以在这种情况下，用于使接触孔贯通的“孔”并不是必须的。只不过因为有必要在该屏蔽层(固定电位)与中间层(像素电极的电位)之间实现电绝缘，所以，虽然不必进行用于形成“孔”的图案形成处理，但是必须进行用于形成“中继层”的图案形成处理。本实施形式所说的“满布”包含这种情况。

此外，如本实施形式那样，在满布整个表面地形成屏蔽层的情况下，优选将该屏蔽层的厚度设为50～500nm左右。这是因为如果采用这种形式，则屏蔽层的厚度可充分地排除电容耦合的影响，并且对于电光装置的整体的透明性的维持来说，可被限定在较佳的范围内。

另外，在上述本发明的各种形式中，基本上可将一种形式与另一种形式自由地组合。但是在实际的性质上不相容的情况也有。例如，使由透明导电性材料构成屏蔽层的情况，和作为与构成存储电容的一对电极的一方相同的膜形成数据线的情况组合等。显然也可构成一并具有3个或以上的形式的电光装置。

为了解决上述的课题，本发明的电子设备包括上述本发明的电光装置。

根据本发明电子设备，由于具有上述的本发明的电光装置，故能够实现一种可在极力地排除在像素电极和数据线之间产生的电容耦合的影响的同时，通过良好地实现构成叠层结构的要件之间的电连接，显示更高质量的图像的投射型显示器(液晶投影机)、液晶电视机、便携电话、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。

本发明的这种作用及其它优点可根据下面的描述的实施例加以阐明。

附图的简要说明

图1是表示构成本发明实施例的电光装置的图像显示区域的矩阵状的多个像素中所设置的各种元件、布线等的等效电路的电路图。

图2是本发明的实施例的电光装置中形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。

图3是为了表示图2中的数据线、屏蔽层和像素电极的配置关系、选出这些要件而绘制的平面图。

图4是沿图2中的A-A’线的剖面图。

图5涉及本发明的第2实施例，是与图2具有相同意义的图，该图表示形成与前述不同形态的屏蔽层和数据线等结构的例子。

图6是沿图5中的A-A’线的剖面图。

图7是表示第2实施例的氮化膜的形成状态(数据线上和图像显示区域之外)的平面图。

图8是沿图5中的B-B’线的剖面图。

图9是图8的变形例的图。

图10是表示随着作为由氮化膜的宽度W1减去数据线的宽度W2、将其除以2所得的数值的突出值P的变化，在由已制成的电光装置显示出来的图像上所呈现的闪烁的程度如何变化的曲线图。

图11是表示不同形状的各种图案形成处理结果和与此相应地试制的电光装置的不良率之间的关系的曲线图。

图12是与图7具有相同意义的图，该图是表示氮化膜的不同形成形态(数据线上、图像显示区域之外及扫描线上)的图。

图13是与图6具有相同意义的图，其表示屏蔽层的变形形式。

图14是表示在多根数据线中、位于供给组的边界的数据线上设置屏蔽层的形式的主要部分的立体图。

图15是与图14具有相同意义的图，其是示意性地表示在位于供给组的边界的数据线与像素电极之间产生的电容偶合的样子的图。

图16是从对置基板20侧看本发明的实施例的电光装置的TFT阵列基板连同在其上形成的各构成要件的平面图。

图17是沿图16中的H-H’线的剖面图。

图18是表示作为本发明的电光装置的实施例的投射型彩色显示装置的一个实例的彩色液晶投影机的图式的剖面图。

标号说明

1a          半导体层        1a’      沟道区域

2           绝缘膜          3a        扫描线

3b          水平的突出部(包含垂直的突出部)

3c          包围部(包含垂直的突出部)

6a、6a₁、6a₂数据线

9a          像素电极        10        TFT阵列基板

10a         图像显示区域    16        取向膜

20          对置基板        21        对置电极

22          取向膜          30        TFT

43          第3层间绝缘膜   401、401’氮化膜

具体实施方式

下面对参照附图，对本发明的实施例进行描述。在以下的实施例中，是将本发明的电光装置用于液晶装置中的。

第1实施例

首先，参照图1～图4，对本发明的第1实施例的电光装置的像素部的结构进行描述。在此，图1是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路。图2是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图，图3是为了表示图2中特别是数据线、屏蔽层及像素电极之间的配置关系，选出这些要件而绘制的平面图。另外，图4是沿图2中的A-A’线的剖面图。此外，在图4中，为了将各层、各部件设成在图面上可辨认的大小，对各层、各部件使其比例不同。

在图1中，在构成本实施例电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中，分别形成有像素电极9a与用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，供给图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn既可按该顺序依线顺次供给，也可对彼此相邻接的多个数据线6a，按每个组供给。

另外，扫描线3a与TFT30的栅极电连接，被构成为以规定的定时(タイミング)脉冲式地将扫描信号G1、G2、...、Gm按该顺序依线顺次施加给扫描线3a。像素电极9a与TFT30的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT30在一定期间内关闭其开关，将从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、Sn以规定的定时写入。

经由像素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶中的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在与形成于对置基板上的对置电极之间被保持一定期间。液晶，通过所施加的电压电平使分子集合的取向、秩序变化，由此对光进行调制，以能够进行灰度显示。如果是常白模式，则根据在各像素的单位施加的电压，减少对入射光的透射率，如果是常黑模式，则根据在各像素的单位施加的电压，增加对入射光的透射率，作为整体，从电光装置射出具有与图像信号相对应的对比度的光。

在此为了防止所保持的图像信号漏泄，与形成于像素电极9a和对置电极之间的液晶电容并联地附加存储电容70。该存储电容70与扫描线3a并排地设置，包含固定电位侧电容电极，同时包含有被固定为恒定电位的电容电极300。

下面，参照图2～图4，对实现由上述的数据线6a、扫描线3a、TFT30等进行的如上所述的电路动作的电光装置的实际的结构进行说明。

首先，在图2中，像素电极9a，在TFT阵列基板10上被呈矩阵状地设置多个(由虚线部9a’表示轮廓)，且数据线6a和扫描线3a被分别沿像素电极9a的纵横的边界设置。数据线6a如后所述，由包含铝膜等的叠层结构构成，扫描线3a由例如导电性的多晶硅膜等构成。另外，扫描线3a被与半导体层1a中的由图中向右上方倾斜斜线区域表示的沟道区域1a’对向地设置，该扫描线3a具有作为栅电极的功能。即，在扫描线3a与数据线6a的交叉部位，分别设置有作为栅电极而与沟道区域对向地配置了扫描线3a的本线部的像素开关用的TFT30。

其次，电光装置如作为沿图2的A-A’线的剖面图的图4所示，具有例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成的TFT阵列基板10，和与其对向配置的、例如由玻璃基板、石英基板构成的对置基板20。

在TFT阵列基板10一侧，如图4所示，设置有上述像素电极9a，在其上侧设置有实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a由例如ITO膜等透明导电性膜构成。另一方面，在对置基板20一侧，遍布其整个表面地设置有对置电极21，在其下侧，设置有实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。其中，对置电极21与上述像素电极9a同样，由例如ITO膜等透明导电性膜构成，上述取向膜16及22例如由聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。在这样对向配置的TFT阵列基板10和对置基板20之间，在由后述的密封材料(参照图16和图17)所包围的空间内封入液晶等的电光物质，形成液晶层50。该液晶层50在未施加来自像素电极9a的电场的状态，通过取向膜16和22形成规定的取向状态。液晶层50由例如一种或混合有多种向列液晶的电光物质构成。密封材料是用于将TFT基板10和对置基板20在其周边贴合的、由例如光硬化性树脂、热硬化性树脂构成的粘接剂，且其中混入有用于使两基板之间的距离为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等的隔离物。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除了上述的像素电极9a和取向膜16以外，呈叠层结构地具备包含它们的各种构成。该叠层结构，如图4所示，自下起依次具有包含下侧遮光膜11a的第1层、包含TFT30和扫描线3a等的第2层、包含存储电容70和数据线6a等的第3层、包含屏蔽层400等的第4层、包含上述像素电极9a和取向膜16等的第5层(最上层)。另外，分别在第1层和第2层之间设有基底绝缘膜12，在第2层和第3层之间设有第1层间绝缘膜41，在第3层与第4层之间设有第2层间绝缘膜42，在第4层与第5层之间设有第3层间绝缘膜43，以便防止上述各要件之间发生短路。另外，在各种绝缘膜12、41、42和43之间，还设置有例如使TFT30的半导体层1a中的高浓度源极区域1d与数据线6a电连接的接触孔等。下面，自下侧起依次对上述这些中的各要件进行说明。

首先，在第1层中，设置有由包含Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等的高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多硅化物、它们的叠层体等构成的下侧遮光膜11a。该下侧遮光膜11a平面看被图案形成为格子形状，由此规定各像素的开口区域(参照图2)。在下侧遮光膜11a的扫描线3a与数据线6a的交叉区域，形成有如切除了像素电极9a的角那样地突出的区域。另外，对于该下侧遮光膜11a，为了避免其电位变动给TFT30带来不良影响，最好从图像显示区域向周围延伸而与恒定电位源连接。

其次，作为第2层，设有TFT30和扫描线3a。如图4所示，TFT30具有LDD(Light Doped Drain，轻掺杂漏)结构，作为其构成要件，具备有如上所述起到栅电极作用的扫描线3a；由例如多晶硅膜构成、借助由扫描线3a产生的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’；包含对扫描线3a和半导体层1a进行绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2；半导体层1a中的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c以及高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。

此外，TFT30优选如图4所示的那样具有LDD结构，但也可以具有不在低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c中掺入杂质的偏置(offset)结构，也可以是将由扫描线3a的一部分构成的栅电极作为掩模高浓度地渗入杂质、自对准式地形成高浓度源极区域及高浓度漏极区域的自对准型的TFT。另外，在本实施例中，形成了在高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e间仅配置有1个像素开关用TFT30的栅电极的单栅极结构，但是也可在它们之间配置2个或以上的栅极。如果这样以双栅极或3个或以上的栅极构成TFT，则可防止沟道与源极和漏极区域的接合部的泄漏电流，可降低截止(OFF)时的电流。另外，构成TFT30的半导体层1a可以是非单晶体层，也可以是单晶体层。形成单晶体层时，可采用贴合法等已知的方法。通过将半导体层1a设为单晶体层，特别地可以实现周边电路的高性能化。

在以上描述的下侧遮光膜11a之上，且在TFT30之下，设置有由例如氧化硅膜等构成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了具有从TFT30到下侧遮光膜11a的层间绝缘的功能以外，通过被形成在TFT阵列基板10的整个表面上，还可具有防止因TFT阵列基板10的表面摩擦时产生的粗糙、清洗后所残留的污物等原因而使像素开关用的TFT30的特性发生变化的功能。

另外，在本实施例中，特别地在基底绝缘膜12上，平面看于半导体层1a的两肋开设有沿后述的数据线6a延伸的槽12cv，与该槽12cv相对应地，层叠于其上方的扫描线3a包含在下侧形成凹状的部分(为了避免复杂化，在图2中没有示出)。另外，以将该槽12cv全部填埋的方式，通过形成扫描线3a而在该扫描线3a上延伸设置与其一体形成的水平的突出部3b。由此，如图2所清楚地显示的那样，TFT30中的半导体层1a，平面看被从侧方被覆盖，从而至少能够抑制从该部分入射的光。另外，水平的突出部3b也可仅设于半导体层1a的单侧。

其次，继上述第2层之后，在第3层中设置有存储电容70和数据线6a。存储电容70，通过使作为与TFT30的高浓度漏极区域1e及像素电极9a电连接的像素电位侧电容电极的第1中继层71、与作为固定电位侧电容电极的电容电极300以电介质膜75介于中间对向配置而被形成。根据该存储电容70，可显著提高像素电极9a的电位保持特性。另外，本实施例中的存储电容70，如从图2的平面图中所看到的那样，以不延伸到大体与像素电极9a的形成区域相对应的光透射区域的方式形成，换言之，是以收纳在遮光区域内的方式形成的。即，存储电容70被形成在邻接的数据线6a之间的与扫描线3a重合的区域，以及在扫描线3a和数据线6a交叉的角部因下侧遮光膜11a而切除像素电极9a的角而成的区域上。由此，能够保持电光装置整体的像素开口率较大，显示更加明亮的图像。

更具体地说，第1中继层71由例如导电性的多晶硅膜构成并具有作为像素电位侧电容电极的功能。但是，第1中继层71也可由包含金属或合金的单一层膜或多层膜构成。在多层膜的情况下，可以将下层设为光吸收性的导电性的多晶硅膜，将上层设为光反射性的金属或合金。另外，该第1中继层71除了具有作为像素电位侧电容电极的功能以外，还具有经由接触孔83、85及89使像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e中继连接的功能。该第1中继层71，如图2所示，被形成为具有与后述的电容电极300的平面形状大致相同的形状。

电容电极300具有作为存储电容70的固定电位侧电容电极的功能。在第1实施例中，为了将电容电极300设为固定电位，通过使其经由接触孔87与被设为固定电位的屏蔽层400电连接而实现。

但是，如后所述，在电容电极300和数据线6a作为单独的层而形成的状态下，优选地，也可通过采用例如使该电容电极300从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向周围延伸、并与恒定电位源电连接等的方法，将该电容电极300维持在固定电位。顺便说明，在此所述的“恒定电位源”，既可以是提供给数据线驱动电路101的正电源或负电源的恒定电位源，也可以是提供给对置基板20的对置电极21的恒定电位源。

并且，在本实施例中，特别地，作为与该电容电极300相同的膜形成数据线6a。在此所谓“相同的膜”是指形成为同一层、或者在制造工序阶段被同时形成的意思。但是，电容电极300和数据线6a之间并不是呈平面形状地连续形成的，两者间在图案形成上是断开的。

具体来说，如图2所示，电容电极300以与扫描线3a的形成区域重合的方式，即沿图中的X方向分段地被形成，数据线6a以沿半导体层1a的纵向重合的方式，即以沿图中的Y方向延伸的方式被形成。更具体地说，电容电极300，具有沿扫描线3a延伸的本线部；图2中在邻接半导体层1a的区域沿该半导体层1a向图中上方突出的突出部(图中可见的大体呈梯形形状的部分)；以及仅仅对应于后述的接触孔85的部位中间细的中间细部。其中，突出部有助于增大存储电容70的形成区域。

另一方面，数据线6a具有沿图2中的Y方向呈直线地延伸的本线部。另外，位于半导体层1a的图2中的上端的高浓度漏极区域1e具有与存储电容70的突出部的区域重合地向右方弯折成90度直角的形状，但这是因为要避开数据线6a以实现该半导体层1a与存储电容70的电连接(参照图4)。

在本实施例中，为形成如上所述的形状而实施图案形成等处理，从而电容电极300和数据线6a被同时形成。

另外，该电容电极300和数据线6a，如图4所示，作为具有下层为由导电性的多晶硅构成的层、上侧为由铝构成的层的双层结构的膜而被形成。其中，对于数据线6a，经由贯通后述的电介质膜75的开口部的接触孔81而与TFT30中的半导体层1a电连接，但由于数据线6采用上述那样的双层结构，且上述的第1中继层71由导电性的多晶硅膜构成，所以，该数据线6a和半导体层1a之间的电连接，可直接通过导电性的多晶硅膜实现。即，自下侧起依次为第1中继层的多晶硅膜、数据线6a的下层的多晶硅膜及其上层的铝膜。因此，能够良好地保持两者之间的电连接。

另外，由于电容电极300及数据线6a包含光反射性能优异的铝、且包含光吸收性能优异的多晶硅，所以能够起到作为遮光层的功能。即，据此能够以其上侧遮挡入射光对TFT30中的半导体层1a(参照图4)的行进。

电介质膜75，如图4所示，例如由厚度为5～200nm左右的较薄的HTO(High Temperature Oxide，高温氧化物)膜、LTO(Low Temperature Oxide，低温氧化物)膜等的氧化硅膜、或者氮化硅膜等构成。从使存储电容70增大的观点来考虑，只要能充分地获得膜的可靠性，电介质膜75越薄越好。另外，在本实施例中，特别地，如图4所示，该电介质膜75以下层为氧化硅膜75a、上层为氮化硅膜75b的方式具有双层结构，并被遍布于TFT阵列基板10的整个表面地形成。另外，作为电介质膜75的另一实例，也可被构成为将下层的氧化硅膜75a遍布TFT阵列基板10的整个表面地形成，将上层的氮化硅膜75b收纳于遮光区域(非开口区域)内地形成图案，以防止因具有着色性的氮化硅膜的存在而导致透射率降低。由此，因存在有介电常数较大的氮化硅膜75b，所以，能够使存储电容70的电容值增大，此外，虽然这样，但因为存在有氧化硅膜75a，所以不会使存储电容70的耐压性降低。如此，将电介质膜75设为双层结构，能够获得互为相反的二种作用效果。另外，因为存在有氮化硅膜75b，所以能够预见性地防止水对TFT30的浸入。由此，在本实施例中，不导致产生TFT30的阈值电压上升的问题，能够长期地使用装置。另外，在本实施例中，电介质膜75形成为具有双层结构的状态，但根据情况不同，也可构成为具有例如氧化硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜等这样的三层结构、或其以上的叠层结构。

此外，在本实施例中，数据线6a和电容电极300形成为双层结构，但也可设成从下层起依次为多晶硅膜、铝膜、氮化钛膜的三层结构，并将氮化钛膜作为接触孔87的开口时的阻挡金属(层)来形成。

在以上描述的TFT30或者扫描线3a之上，且在存储电容70或者数据线6a之下，形成有例如由NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等，或最好由NSG构成的第1层间绝缘膜41。并且，在该第1层间绝缘膜41上，开设有使TFT30的高浓度源极区域1d与数据线6a电连接的接触孔81。另外，在第1层间绝缘膜41上，开设有使TFT30的高浓度漏极区域1e与构成存储电容70的第1中继层71电连接的接触孔83。

另外，这2个接触孔中，在接触孔81的形成部分，未形成前述的电介质膜75，换言之，在该电介质膜75中形成有开口部。这是因为在接触孔81处，必须经由第1中继层71实现高浓度源极区域1b和数据线6a之间的电导通。顺便说明，如果在电介质膜75中设置有这样的开口部，则在对TFT30的半导体层1a进行氢化处理的情况下，还能够获得可使用于该处理的氢很容易地通过该开口部到达半导体层1a的作用效果。

此外，在本实施例中，也可通过对于第1层间绝缘膜41进行约1000℃的烧制处理，实现注入到构成半导体层1a、扫描线3a的多晶硅膜中的离子的激活(活化)。

其次，接着上述的第3层，在第4层上形成有遮光性的屏蔽层400。若从平面看，如图2和图3所示，该屏蔽层400以分别沿图2中X方向和Y方向延伸的方式形成为格子状。对于在该屏蔽层400中沿图2中的Y方向延伸的部分，特别地以覆盖数据线6a的方式，且比该数据线6a更宽地形成。另外，对于沿图2中的X方向延伸存在的部分，为了确保形成后述的第3中继电极402的区域，在各像素电极9a的一边的中间附近形成有缺口部。进而，在分别沿图2中的XY方向延伸存在的屏蔽层400的交叉部分的角部，与上述电容电极300的大致梯形形状的突出部相对应地设置有大致呈三角形状的部分。屏蔽层400的宽度既可与下侧遮光膜11a相同，也可比下侧遮光膜11a的宽度大或者小。

该屏蔽层400从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延伸，并通过与恒定电位源电连接而设为固定电位。另外，作为在此所说的“恒定电位源”，既可以是提供给数据线驱动电路101的正电源、负电源的恒定电位源，也可以是提供给对置基板20的对置电极21的恒定电位源。

这样，如果存在覆盖整个数据线6a地形成(参照图3)、并同时设成固定电位的屏蔽层400，则可排除在数据线6a及像素电极9a之间产生的电容耦合的影响。即，可预先防止像素电极9a的电位随着向数据线6a的通电发生变化的情况，能够减小使图像上产生沿数据线6a的显示不均匀等的可能性。在本实施例中，还由于屏蔽层400被形成为格子状，所以，即使在延伸存在有扫描线3a的部分也能够对其进行控制以免产生无用的电容耦合。另外，屏蔽层400中的上述三角形状的部分可排除在电容电极300与像素电极9a之间产生的电容耦合的影响，由此也能够获得与上述大致相同的作用效果。

另外，在第4层中，作为与这种屏蔽层400相同的膜，形成作为本发明所称的“中继层”的一例的第2中继层402。该第2中继层402具有经由后述的接触孔89，中继在构成存储电容70的第1中继层71和像素电极9a之间的电连接的功能。另外，在该屏蔽层400和第2中继层402之间，与前述的电容电极300和数据线6a同样地，并不是呈平面形状连续地形成的，两者之间在图案形成上断开地形成。

另一方面，上述的屏蔽层400和第2中继层402具有下层为由铝构成的层、上层为由氮化钛构成的层的双层结构。由此，首先，可以预期发挥氮化钛的水分防止作用。另外，在第2中继层402中，下层的由铝构成的层与构成存储电容70的第1中继层71连接，上层的由氮化钛构成的层与由ITO等构成的像素电极9a连接。这种情况下，特别是能够良好地进行后者的连接。这一点，与假如采用将铝与ITO直接连接的形式时，会在两者之间产生电蚀，因为由铝的断线、或氧化铝形成而引起的绝缘等因素，不能实现理想的电连接的情况形成对照。另外，氮化钛可起到用于防止接触孔89的开口时的穿透的阻挡金属的作用。这样，在本实施例中，因为可良好地实现第2中继层402和像素电极9a的电连接，所以能够良好地保持对像素电极9a的电压施加、或像素电极9a的电位保持特性。

另外，屏蔽层400和第2中继层402因为含有光反射性能比较优良的铝，且含有光吸收性比能较优良的氮化钛，所以可起到作为遮光层的作用。即，据此可在其上侧遮挡入射光对TFT30的半导体层1a(参照图2)的行进。另外，关于这样的事实，如既已描述的那样，即使对上述的电容电极300和数据线6a也是同样的。在本实施例中，屏蔽层400、第2中继层402、电容电极300和数据线6a一面成为构筑于TFT阵列基板10上的叠层结构的一部分，一面可起到作为遮挡从上侧对TFT30的入射光的上侧遮光膜(或者，如果着重从构成为“叠层结构的一部分”这一点考虑可视为“内置遮光膜”)的功能。另外，如果从作为该“上侧遮光膜”或者“内置遮光膜”的概念来考虑，则除了上述构成以外，还可考虑将扫描线3a、第1中继层71等也视为包括在其内的构成。主要的是，在最广义地解释的前提下，只要构筑在TFT阵列基板10上的由不透明的材料构成的构成，即可称为“上侧遮光膜”或者“内置遮光膜”。

在以上描述的上述数据线6a之上、且在屏蔽层400之下，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等，或者优选由NSG构成的第2层间绝缘膜42。在该第2层间绝缘膜42中，分别开设有用于将上述屏蔽层400和电容电极300电连接的接触孔87，及用于将第2中继层402和第1中继层71电连接的接触孔85。

此外，对第2层间绝缘膜42可不进行关于第1层间绝缘膜41所述的烧制处理，由此实现在电容电极300的界面附近产生的应力的缓和。

最后，在第5层上，如上所述，呈矩阵状形成像素电极9a，在该像素电极9a上形成取向膜16。该像素电极9a也可为切除了角部的形状。并且，在该像素电极9a之下，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等，或者优选地由BPSG构成的第3层间绝缘膜43。在该第3层间绝缘膜43中，开设有用于将像素电极9a与上述第2中继层402之间电连接的接触孔89。另外，在本实施例中，特别地通过CMP(ChemicalMechanical Polishing)处理等使第3层间绝缘膜43的表面平坦化，降低因在其下方存在的各种布线、元件等的阶差造成的液晶层50的取向不良。但是，取代这种对第3层间绝缘膜43进行平坦化处理，或者在此基础上，还可通过在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42中的至少一个上开设槽，并将数据线6a等的布线、TFT30等埋设其中，以进行平坦化处理。

在如上所述的构成的第1实施例的电光装置中，能够突出地起到如下的3个作用效果。第一，通过在TFT阵列基板10上的叠层结构中形成屏蔽层400，能够排除像素电极9a和数据线6a之间的电容耦合的影响。即，由于该屏蔽层400与设置于图像显示区域10a之外的恒定电位源连接等而被设为固定电位，并同时以覆盖数据线6a的方式被形成，所以能够预先防止因对数据线6a通电而使像素电极9a的电位发生变动。从而，根据第1实施例，几乎不会发生沿数据线6a的图像上的显示不均匀等现象。

第二，因屏蔽层400包含氮化钛，故可使TFT300的耐湿性提高。其原因在于对于包括氮化钛的氮化物，一般其结构致密，阻止水分浸入以至扩散的作用优良。因此，根据第1实施例，可提高TFT30的使用寿命，另外，可较长期地使用整个电光装置。

第三，由于作为将像素电极9a和TFT30电连接的结构，在第1实施例中，形成第2中继层402，所以能够避免因构成该像素电极9a的ITO引起的电蚀的发生的危险性。特别地，因为第2中继层402作为与上述屏蔽层400相同的膜而被形成，所以第2中继层402包含ITO不易产生电蚀的氮化钛。从而，根据第1实施例，能够预先避免像素电极9a和TFT30之间的电连接被断开的情况，可实现该像素电极9a的良好的驱动。

另外，在第1实施例中，进一步来说，关于上述屏蔽层400和第2中继层402，还可起到如下的附带的作用效果。

即，在第1实施例中，数据线6a作为与构成存储电容70的电容电极300相同的膜而被形成。因此，在采用将发挥前述的作用效果的屏蔽层400设置于像素电极9a和数据线6a之间的结构时，在第1实施例中，不必为该屏蔽层400重新设置单独的层。即，可防止叠层结构的多层化。由此，可确保制造容易性、保持较高的制造产品合格率。

此外，基于相同的理由，能够不为难地进行上述第2中继层402的配置。即，只要数据线6a是作为与电容电极300相同的膜而被形成的，即可自然地在该电容电极300与像素电极9a之间设置第2中继层402。

另外，由于数据线6a形成为铝膜和导电性多晶硅膜的双层结构，所以，如已描述的那样，能够良好地实现该数据线6a和TFT30之间的电连接。

如上所述，根据第1实施例，因为能够在排除像素电极9a和数据线6a之间的电容耦合的影响的同时，实现TFT30的长寿命化，良好地实现像素电极9a及第2中继层402、进而与TFT30之间的电连接，或数据线6a和TFT30之间的电连接，所以，能够胜过以往，显示更高质量的图像。

第2实施例

下面参照图5至图8对本发明的第2实施例的电光装置进行描述。在此，图5是与图2具有相同意义的图，是表示对屏蔽层和数据线等构成呈现为另一形态的图，图6是与图4具有相同意义的图，是沿图5中的A-A’线的剖面图，是表示对数据线和屏蔽层等构成呈现为另一形态的图。另外，图7是表示形成于数据线上的氮化膜的形式的平面图。图8是沿图5中的B-B’线的剖面图，图9是图8的变形实例的图。另外，第2实施例的电光装置具有与上述第1实施例的电光装置的像素部的结构大体相同的结构。因此，以下仅对第2实施例中特征性的部分作以主要描述，对于其余的部分，适当地省略或者简化其说明。

在第2实施例中，如图6所示，与图4相比，在作为构成存储电容70的上部电极的电容电极300和数据线6a没有作为相同的膜构成这一点；另外与此相应地增加了层间绝缘膜，即，在又新增设一层“第4层间绝缘膜44”这一点；以及作为与栅电极3aa相同的膜形成中继电极719这一点有很大的不同。由此，从TFT阵列基板10起向上依次具有包含兼作扫描线的下侧遮光膜11a的第1层、包括具有栅电极3aa的TFT30的第2层、包括存储电容70的第3层、包括数据线6a等的第4层、形成有屏蔽层404的第5层、包括上述像素电极9a和取向膜16等的第6层(最上层)。另外，分别在第1层和第2层之间设置有基底绝缘膜12，在第2层和第3层之间设置有第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层之间设置有第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层之间设置有第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层之间设置有第4层间绝缘膜44，以防止上述各要件之间发生短路。在本实例中，代替第1实施例的在第2层中形成扫描线3a的结构，在第2实施例中，在形成代替扫描线3a的栅电极3aa的同时，新形成有作为与其相同的膜的中继电极719。下面对各层的构成进行更加具体的描述。

首先，在第2层中，与半导体层1a的沟道区域1a’对向地形成栅电极3aa。该栅电极3aa并未像第1实施例的扫描线3a那样形成为线状，而是与半导体层1a或者沟道区域1a’被呈岛状形成于TFT阵列基板10上相对应地形成为岛状。另外，在第2实施例中，与此相应地，成为接触孔的槽12cv的底具有与第1层的下侧遮光膜11a的表面接触的深度，同时，该下侧遮光膜11a被形成为沿图5中的X方向延伸的条纹状。由此，形成于槽12cv上的栅电极3aa经由该槽12cv与下侧遮光膜11a电连接。即，在第2实施例中，可通过下侧遮光膜11a向栅电极3aa提供扫描信号。换言之，第2实施例的下侧遮光膜11a承担作为扫描线的功能。

另外，第2实施例的下侧遮光膜11a，如图5所示，沿着数据线6a的延伸方向具有突出部。由此，第2实施例的下侧遮光膜11a还能够发挥不逊色于第1实施例的格子状的下侧遮光膜11a的遮光功能。但是，从相邻接的下侧遮光膜11a延伸出的突出部没有相互接触，相互间被电绝缘。这是因为如果不是这样，就不能使下侧遮光膜11a起到作为扫描线的功能。另外，下侧遮光膜11a在与数据线6a交叉的区域，形成有以切除像素电极9a的角的方式突出的区域。并且，下侧遮光膜11a以从下侧看覆盖TFT30、扫描线3a、数据线6a、存储电容70、屏蔽用中继层6a1、第2中继层6a2、第3中继层406的方式被形成。

另外，在第2实施例中，特别地中继电极719作为与上述栅电极3aa相同的膜而被形成。该中继电极719，从平面看，如图5所示，以位于各像素电极9a的一边的大致中间处那样地被形成为岛状。由于中继电极719与栅电极3aa被作为相同的膜形成，所以在后者由例如导电性多晶硅膜等构成的情况下，前者也由导电性多晶硅膜等构成。

接着，在第3层中，形成有构成存储电容70的第1中继层71、电介质膜75和电容电极300。其中，第1中继层71由多晶硅形成。另外，因为电容电极300已经不与数据线6a同时形成，所以，不必如第1实施例那样，出于对数据线6a和TFT30之间的电连接的考虑，形成铝膜和导电性的多晶硅膜这样的双层结构。因此，该电容电极300，例如，也可与下侧遮光膜11a同样地，由具有Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多硅化物、层叠它们而成的叠层体等的遮光性材料构成。由此，电容电极300可更加良好地发挥作为上述的“上侧遮光膜”或者“内置遮光膜”的功能。

另外，基于同样的理由，即，由于电容电极300与数据线6a分别被形成单独的层，故在本实施例中，不必寻求同一平面内的两者之间的电绝缘。因此，电容电极300可作为沿扫描线3a的方向延伸的电容线的一部分而形成。

由于该存储电容70形成于TFT30和数据线6a之间，所以，如图5所示，沿扫描线3a的延伸方向和数据线6a的延伸方向形成为十字形状。由此，可使存储电容增大，可通过遮光性的电容电极300，提高对TFT30的遮光性。另外，如果存储电容70形成于形成有下侧遮光膜11a、屏蔽层400的像素电极6a的角部，可进一步增大存储电容，提高遮光性。

如上所述，在栅电极3aa与中继电极719之上、且在存储电容70之下，形成第1层间绝缘膜41，但该第1层间绝缘膜41可与上述大致相同地，由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等构成。另外，在第1层间绝缘膜41上，开设有具有电连接点地配置在第1中继层71的图6中的下面的接触孔881。由此，实现第1中继层71和中继电极719之间的电连接。另外，在第1层间绝缘膜41中，为了实现与后述的第2中继层6a2的电连接，开设有还贯穿后述的第2层间绝缘膜42地开设的接触孔882。

另一方面，在第4层上形成有数据线6a，但该数据线6a也与前述的电容电极300同样，不必采用双层结构。例如，该数据线6a可由铝单体、或铝合金以及其他金属或合金等的导电性材料构成。但是，由于该数据线6a必须与TFT30中的半导体层1a电连接是与第1实施例相同的，所以对与该半导体层1a直接接触的部分优选设置有导电性多晶硅膜。在图6中，由于作为与第1中继层71相同的膜而形成的膜被形成于接触孔81内，所以可满足上述那样的要求。

另外，在第2实施例中，特别地，如上所述那样，在由铝等构成的数据线6a上，且沿该数据线6a，具备有例如由SiN膜、SiON膜或TiN等构成的氮化膜401。但是，本实施例的氮化膜401，除了在数据线6a上以外，还在图像显示区域10a的周围形成为“口”字形状，该图像显示区域10a是作为形成有排列成矩阵状的像素电极9a以及接合它们的间隙地设置的数据线6a和扫描线3a的区域而被规定的。另外，该氮化膜401的厚度可构成为例如10～100nm左右，更优选为10～30nm左右。

根据以上所述，本实施例的氮化膜401，在TFT阵列基板10上以整体为如图7概略地所示的那样的形状而被形成。另外，图7中存在于图像显示区域10a的周围的氮化膜401大大有助于防止对构成后述的数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104的CMOS(Complementary MOS，互补型金属氧化物半导体)型TFT的水分浸入(参照图16)。但是，由于预测到氮化物的干式蚀刻等的蚀刻率与其它的一般的材料相比较小，所以在于上述图像显示区域10a的周围区域形成氮化膜401、且有必要在该区域内形成接触孔等的情况下，最好预先在该氮化膜401内形成与该接触孔的位置相对应的孔。这是因为如果在实施图7所示的图案形成处理时一并预先进行，则可有助于制造步骤的简化。

另外，在第4层上，作为与数据线6a相同的膜形成屏蔽层用中继层6a1和第2中继层6a2(但是，与第1实施例中所谓的“第2中继层”的含义略有不同)。其中，前者是用于将遮光性的屏蔽层404与电容电极300电连接的中继层，后者是用于将像素电极9a与第1中继层71电连接的中继层。另外，显然它们是由与数据线6a相同的材料构成的。

如上所述，存储电容70之上且在数据线6a、屏蔽用中继层6a1和第2中继层6a2之下，形成第2层间绝缘膜42，但该第2层间绝缘膜42可与上述大致相同地，由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等构成。

另外，在第2层间绝缘膜42上，以与前述的屏蔽层用中继层6a1和第2中继层6a2相对应的方式开设有接触孔801和前述的接触孔882。

接着，在第5层中，形成有遮光性的屏蔽层404。其也可与上述的屏蔽层400同样地，例如由上层为由氮化钛构成的层、下层为由铝构成的层的双层结构构成。另外，根据情况，还可由ITO等的其它的导电性材料构成。该屏蔽层404经由前述的屏蔽层用中继层6a1，与电容电极300电连接。由此，屏蔽层404被设成固定电位，可与上述第1实施例同样地，排除在像素电极9a和数据线6a之间产生的电容耦合的影响。遮光性的屏蔽层400既可为与下侧遮光膜11a相同的宽度，也可为大于、或小于下侧遮光膜11a的宽度。但是，除了第3中继层406以外，以从上侧看如覆盖TFT30、扫描线3a、数据线6a、存储电容70那样被形成。并且，由屏蔽层400和下侧遮光膜11a，规定像素开口区域的角部，即4个角部、像素开口区域的各边。

此外，在该第5层中，作为与屏蔽层404相同的膜形成第3中继层406。

如上所述，在数据线6a之上且在屏蔽层404之下，形成第3层间绝缘膜43。对于构成该第3层间绝缘膜43的材料等，也可与上述第2层间绝缘膜42相同。但是，在数据线6a等如上所述地包含铝等的情况下，为了避免使其曝露于高温环境下，该第3层间绝缘膜43优选为采用等离子CVD法等的低温成膜法形成。

另外，在该第3层间绝缘膜43上，形成有用于将屏蔽层404和前述的屏蔽层用中继层6a1电连接的接触孔803，并形成有与上述第2中继层6a2连通、与第3中继层406相对应的接触孔804。

其余的构成如下，在第6中形成像素电极9a和取向膜16，同时在第6层和第5层之间形成第4层间绝缘膜44，在第4层间绝缘膜44中开设用于将像素电极9a和第3中继层406电连接的接触孔89。

此外，在上述构成中，对于第3中继层406，因为与由ITO等构成的像素电极9a直接接触，所以应注意到上述的电蚀。因此，如果考虑该问题，屏蔽层404和第3中继层406优选为与第1实施例相同地，构成为由铝和氮化钛形成的二层结构。另外，如果由ITO构成屏蔽层404和第3中继层406，则没有必要担心该第3中继层406和像素电极9a发生电蚀，但是必然注意屏蔽层404和屏蔽层用中继层6a1之间、或第3中继层406和第2中继层6a2之间的电蚀的发生。因此，在此情况下，优选为对屏蔽层用中继层6a1、第2中继层6a2、进而数据线6a采用适当的双层结构，以避免ITO和铝直接接触。

或者，在第2实施例中，如上所述，因为电容电极300可作为电容线的一部分构成，所以为了将该电容电极300设为固定电位，只要采用将该电容线延伸到图像显示区域10a外而与恒定电位源连接的形式即可。另外，这种情况下，由于包含电容电极300的电容线其本身可独自地与恒定电位源连接，屏蔽层400也同样，其本身可独自地与恒定电位源连接，所以在采用这样的结构的情况下，不必设置使两者之间电连接的接触孔801和803。因此，在这种情况下，在进行构成屏蔽层404和电容电极300的材料选择、屏蔽层用中继层6a1的材料选择时(本来已不需要该屏蔽用中继层6a1)，不必担心“电蚀”的发生。

在构成以上这样的结构的第2实施例的电光装置中，首先可知能够起到与上述第1实施例大致相同的作用效果。即，与第1实施例同样地，可通过屏蔽层404的存在而排除像素电极9a和数据线6a之间的电容耦合的影响，另外，还可通过第3中继层406的存在而避免因构成像素电极9a的ITO引起的电蚀的发生的危险性。

并且，在第2实施例中，由于特别地在数据线6a上且在图像显示区域10a的周围形成氮化膜401，所以能够进一步提高TFT30的耐湿性。即，如既已描述的那样，由于氮化膜或者氮化物阻止水分的浸入以至扩散的作用优良，所以能够预见性地防止水分对TFT30的半导体层1a的浸入。此外，在第2实施例中，在屏蔽层404、第3中继层406等、构成存储电容70的电介质膜75中，可采用氮化膜，但如果对于它们所有的构成具有这样的氮化膜，则可更加有效地发挥水分浸入防止作用。但是，显然也可采用所有的都不设置“氮化膜”的形式。

另外，在第2实施例中，由于氮化膜401，在第4层上，除了图像显示区域10a外面的区域以外，仅存在于数据线6a上，所以不会产生较大内部应力集中，不会导致氮化膜401本身因其内部应力而破坏等，另外，不会因其应力作用于外部，而使存在于氮化膜401的周围的、例如第3层间绝缘膜43等产生裂纹等。这样的事实，若假定在氮化膜被设置在TFT阵列基板10上的整个表面上的情况下则更为明显。

另外，由于第2实施例的氮化膜401的厚度比较小地设为10～100nm左右，更优选地设为10～30nm左右，所以可更加有效地获得上述那样的作用效果。

进而，在第2实施例中，由于特别地设置有中继电极719，所以能够获得下述的作用效果。即，在图4中，为了实现TFT30和像素电极9a之间的电连接，必须如形成该图中的接触孔85那样，与在构成存储电容70的作为更下层的电极的第1中继层71的图中“上面”实现接触。

但是，在这种形式中，在电容电极300和电介质膜75的形成工序中，在对这些前驱膜进行蚀刻处理时，必须实施既要使位于其正下方的第1中继层71完整地保留、又要进行该前驱膜的蚀刻处理的非常困难的制造工序。特别是如本发明这样，在作为电介质膜75使用了高介电常数材料的情况下，一般其蚀刻处理比较困难，另外，再加上电容电极300的蚀刻率与该高介电常数材料的蚀刻率不一致等条件，所以该制造工序的困难程度就变得更高。因此，在这种情况下，在第1中继层71中，发生所谓的“穿透”等的可能性较大。若这样，在较差的场合，还会产生在构成存储电容70的电容电极300和第1中继层71之间发生短路的危险等。

然而，如本实施例那样，如果通过设置中继电极719，使第1中继层71的图中“下面”具有电连接点，由此实现TFT30和像素电极9a之间的电连接，则不会产生上述的不良情况。其原因在于，如从图6所看到的，在本形式中，不需要一边对电容电极300和电介质膜75的前驱膜进行蚀刻、一边必须使第1中继层71残留的工序。

另外，电介质膜75，如图6所示，以下层为氧化硅膜75a、上层为氮化硅膜75b的方式具有双层结构，被遍布TFT阵列基板10的整个表面地形成。另外，作为电介质膜75的另一实例，也可以构成为下层的氧化硅膜75a遍布TFT阵列基板10的整个表面地形成，上层的氮化硅膜75b收纳于遮光区域(非开口区域)内地进行蚀刻处理，以防止因具有着色性的氮化硅膜的存在而使介电常数降低。

根据上面所述，按照本形式，因为不必经过上述那样的困难的蚀刻工序，故可良好地实现第1中继层71和像素电极9a之间的电连接。这除了因为是经由中继电极719实现两者之间的电连接以外别无其他。进一步说，由于相同的理由，根据本实施例，在电容电极300和第1中继层71之间发生短路等的可能性非常小。即，能够适当地形成无缺陷的存储电容70。

另外，在第2实施例中，为了获得上述的防止水分浸入的作用效果，或其它有用的作用效果，可采用下述的各种变形形式。

第一，与适当地设定上述数据线6a及该数据线6a上的氮化膜401的宽度与下侧遮光膜11a的宽度的关系有关。首先，如果将氮化膜401的宽度设为W1，将数据线6a的宽度设为W2，将下侧遮光膜11a的宽度设为W3，则优选为满足W2＜W1≤W3的关系。这种情况下，该结构为具有作为沿图5中的B-B’线的剖面图的图8所示的结构。在该图8中，如既已描述的那样，氮化膜401被形成为其的宽度W1大于数据线6a的宽度W2，并且等于或者小于下侧遮光膜11a的宽度W3。该情况表明氮化膜401的边缘未达到光透射区域。在图8中，在与下侧遮光膜11a的宽度W3相对应的图中左右两侧的位置，划有区分出光透射区域和非此区域的点划线，而在超过右侧(或左侧)的点划线而更向右侧(或左侧)处不存在氮化膜401。即，氮化膜401的边缘是不会延伸到光透射区域的。因此，如果采用这样的形式，则可避免使电光装置整体的透射率减少的情况，可实现更加明亮的高质量的图像的显示。另外，在上述的情况下，优选为使氮化膜401在两侧分别比上述数据线6a大出0.1～0.5μm(即，(W1-W2)/2＝0.1～0.5μm)。

另外，在图8(以及紧接其后所参照的图9)中，还表示了对置基板20侧的构成，表示出在该对置基板20上，除了形成有对置电极21、取向膜22以外，还形成有对置基板侧遮光膜23。该对置基板侧遮光膜23与上述下侧遮光膜11a同样地，例如由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多硅化物、层叠它们而成的叠置体、或树脂黑等构成，为呈格子状进行图案形成处理后的遮光膜。另外，在本形式中，如图所示，被形成为具有与下侧遮光膜11a的宽度W3相同的宽度W3。

通过该对置基板侧遮光膜23，可更加可靠地防止像素之间的光的混合，另外，可预期还能相应地发挥对TFT30的光遮蔽效果。另外，在上面描述中，将下侧遮光膜11a的宽度与对置基板侧遮光膜23的宽度设为相同，但前者也可小于后者。如果是这样，则能够预见性地防止从斜向进入到电光装置的内部的光发生反射等，可进一步提高对TFT30的遮光性能。

其次，更优选满足W2＜W1且W3＜W1的关系，以代替上述的W2＜W1≤W3的关系。这种情况下，该构成具有作为与图8有大致相同意义图的图9所示的结构。在图9中，如既已描述的那样，氮化膜401’，被形成为其宽度W1大于数据线6a的宽度W2，并且还大于下侧遮光膜11a的宽度W3。由此，在这种形式中，氮化膜401’以延伸到光透射区域的方式被形成。但是，只要W3-W2的差值并没有那么大，即可认为在不会对光透射率带来实质性的影响的范围内，所以即使为这样的形式，也不会损害图像的亮度。

另外，在这种形式中，特别地如图10所示，可减小图像上的闪烁。在此，图10是表示随着突出值P＝(W1-W2)/2的变化，在由已制成的电光装置显示出来的图像上所呈现的闪烁的程度如何变化的曲线图。如该图所示，与以往实例(图10中的左轴上)，即在数据线6a上不存在氮化膜的情况相比，可知在形成本形式的氮化膜401的情况下，图像上的闪烁降低。并且，还可知道其降低程度随着突出值P的增加而进一步增大。即，该突出值P越大闪烁越降低。其真正的原因并不清楚，但可以认为是因为氮化膜401本身固有的折射率，使经过数据线6a的旁边的入射光折射。即，可以认为，入射到氮化膜401的较宽的部分的光因该部分而发生折射，从而改变其行进路径，使本来应入射到TFT30的光到达任意的其它的部位。如果这样，由于使对TFT30的入射光减少，故可以认为光泄漏电流减少，因此闪烁减少。

进而，在上述的任何的情况下，氮化膜401的宽度W1都大于数据线6a的宽度W2。由于W1＞W2，或上述的突出值P取为非0的值，故在该氮化膜401的制造阶段，还可获得如下所述的作用效果。即，在该氮化膜401的制造阶段，通常在将构成其基础的膜形成在基板上的整个表面上后，通过光刻法和蚀刻工序，通过图案形成处理而形成仅在数据线6a上、或除此以外还包括图像显示区域10a的周围那样形状的氮化膜401，但此时，由于进行了蚀刻工序，所以存在有给数据线6a带来无谓的损害的可能性。然而，如果满足(氮化膜401的宽度W1)＞(数据线6a的宽度W2)的关系，则由上述蚀刻处理而带来的损害可由上述氮化膜401的边缘承受。因此，按照本实施例，可提供在不会产生对数据线6a的侵食等现象、可适当地动作的电光装置。

图11是证实这种情况的实验结果。在此，图11是表示在TFT阵列基板10的整个表面上，在暂时形成氮化膜的原膜后，采用光刻法，实施不同形状的各种的图案形成，结果电光装置的不良率如何的曲线图。另外，在这里所说“不良率”表示作为实际地试制电光装置后的结果，因在其整体中数据线6a断开而无法正常地动作的比例。另外，所谓“形状不同的各种的图案形成”，在此具体来说是指将上述突出值P设为P＝0.45μm、2.17μm和10μm的三种图案形成。如观看该图所知的那样，与在以仅在周围残留“口”字形状的氮化膜、而在此外的整个表面上对氮化膜进行蚀刻处理的方式图案形成的结果中(图11中的最左方)、不良率接近达到20％的情况相比，在使氮化膜401残留于数据线6a上、并且以使其具有比该数据线6a的宽度W2大的宽度W1的方式对氮化膜401进行图案形成的结果中，在任何情况下不良率均非常小。这样，通过使W1＞W2，能够提供可预期正确的动作的电光装置。

另外，在上述的第2实施例中，氮化膜401被形成于数据线6a上和图像显示区域10a的周围，但在本发明中，也可采用在此基础上沿扫描线3a形成氮化膜的形式。由此，如图12所示，氮化膜401被呈格子状地形成，其面积进一步增大，由此，可更加有效地发挥防止水分浸入的作用。

此外，在上述第2实施例中，屏蔽层404被沿着数据线6a地设置，但本发明不限于这种形式。比如，如图13所示，也可采用涉及TFT阵列基板10的整个表面地形成由ITO、IZO等的透明导电性材料构成的屏蔽层404’的形式。另外，在图13中，虽然实现了屏蔽层404’与电容电极300之间的电连接，但其并不是必须的。即便如此，因为两个要件均可分别与恒定电位源连接，所以它们均可设成固定电位。

根据这种形式，可基本上完全将数据线6a与像素电极9a之间遮蔽，可更加可靠地排除在两者之间产生的电容耦合的影响。另外，即使这样满布地形成屏蔽层404’，因为是由ITO等构成的，故不会对电光装置中的光透射产生特别的障碍。

另外，优选对这种屏蔽层404’施以下述那样的处理。即，第一，作为与该屏蔽层400’相同的膜，在接触孔804的形成部位，预先形成在形成图案上断开的第3中继层406。由此，可实现作为固定电位的屏蔽层404’与第3中继层406的绝缘。另外，根据情况，也可采用如下形式，即在该接触孔804的形成部位，作为涉及基板的整个表面地形成的屏蔽层的下层设置第3中继层406，且该屏蔽层在其自身上，在上述接触孔803的形成部位预先设置适当直径的孔(该形式在图中没有示出)。如果这样，则可不勉强地进行接触孔83等的形成。顺便说明，由于该“孔”只要是可实现接触孔的贯通即可，所以不必高精度地形成(所谓“较大的孔”也可)。另外，第二，该屏蔽层404’的厚度优选设为50～500nm左右。由此，则足以排除电容耦合的影响，并且可通过保持电光装置整体的透明性，极力地避免该屏蔽层404’形成障碍。

另外，在本发明中，屏蔽层，如既已描述的那样，优选以沿数据线6a、并覆盖上述数据线6a的方式，比其更宽地形成，但在此之上，还可适当地选择用于形成屏蔽层的数据线6a。即，如图14所示，可采用与选自多根数据线中的、暂时被构成为图像信号的供给对象的数据线组中位于该组的两端的数据线相对地形成屏蔽层404’的形式。

根据这种结构，在将数据线6a分为几组，且对每个这样的组同时供给图像信号的状态下，因为可对最不希望产生电容耦合的影响的数据线形成屏蔽层404’，故可更有效地预计图像质量的提高。

即，一般地，对数据线6a的图像信号的供给，有时要对多根数据线6a的一组同时进行。在这种情况下，在当前接收图像信号的供给的组(以下称为“供给组”)601G，和与其邻接的组(以下称为“非供给组”)602G之间，有时会沿着在其边界位置延伸的数据线6a₁和6a₂，在图像上发生显示不均匀。

其原因在于，有时在刚好位于上述供给组601G和上述非供给组602G之间的边界上的像素电极9a中，结果并没有被施加与图像信号正确地对应的电场。更具体地说，这种情况下，如图15所示，由于在该像素电极9a(参照图15的虚线91内的像素电极9a)的一方的端部，存在有供给了图像信号的数据线6a₁和6a₂，在另一方的端部，存在有未供给图像信号的数据线6a(在图15中，与数据线6a₁左邻的数据线6a或与数据线6a₂右邻的数据线6a)，所以即使对该像素电极9a施加了与图像信号相对应的正确的电场，因该像素电极9a和未供给有图像信号的数据线6a之间的电容耦合的影响，其电位仍发生变动。另外，在图15中，为了从视觉上表示该情况，在该像素电极9a与数据线之间表示有空白的双向箭头。

在此，在本形式中，因为与位于这样的供给组601G的边界的数据线6a相对地，如图14所示，设置有屏蔽层400”，故可抑制大体沿着在该位置延伸的数据线6a₁和6a₂的显示不均匀的发生。

另外，构成供给组601G的数据线的数量，在上述图14等中为6根，但是，但基本根据图像信号由几个并行信号构成而决定。例如，如果假定该图像信号是将串行信号经串-并转换为6个并行信号而形成的，则上述数据线的组，指的是由相邻接的6根数据线构成的组。

电光装置的整体组成

下面参照图16和图17，对如上所述地构成的各实施例的电光装置的整体结构进行描述。另外，图16是将TFT阵列基板与形成于其上的各构成要件一起从对置基板20侧看的平面图，图17是沿图16中的H-H’线的剖面图。

在图16和图17中，在本实施例的电光装置中，TFT阵列基板10与对置基板20被对向配置。在TFT阵列基板10与对置基板20之间，封入有液晶50，TFT阵列基板10与对置基板20通过设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52相互粘接。

为了将两基板贴合，密封材料52是由例如紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，并可通过紫外线、加热等方式使其硬化的材料。另外，如果本实施例的液晶装置是如用于投影机的那样进行小型放大显示的液晶装置，在密封材料52中散布用于使两基板之间的距离(基板之间的间距)为规定值的玻璃纤维、或玻璃珠等的间隔材料(隔离物)。或者，如果该液晶装置是如液晶显示器、液晶电视机那样进行大型等倍显示的液晶装置，则这样的间隔材料可包含在液晶层50中。

在密封材料52的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的一边，设置有通过以规定的定时向数据线6a供给图像信号而驱动该数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，沿与该一边邻接的2条边设置有通过以规定的定时扫描线3a供给扫描信号而驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。

另外，如果供给给扫描线3a的扫描信号延迟不成为问题，则显然扫描线驱动电路104也可仅位于一侧。另外，还可沿图像显示区域10a的边在两侧排列数据线驱动电路101。

在TFT阵列基板10中的剩余的一边，设置有用于将设置于图像显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104相互连接的多条布线105。

此外，在对置基板20的角部的至少一处，设置有用于使TFT阵列基板10与对置基板20之间电导通的导通部件106。

在图17中，在TFT阵列基板10上，在形成像素开关用的TFT、扫描线、数据线等布线后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对置基板20上，除了对置电极21，还在最上层部分形成取向膜。另外，液晶层50，例如由一种或混合有多种向列液晶而成的液晶形成，并在该一对取向膜之间形成规定的取向状态。

另外，在TFT阵列基板10上，除了形成这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可形成以规定的定时向多条数据线6a施加图像信号的采样电路、将规定电压电平的预充电信号先于图像信号分别供给给多条数据线6a的预充电电路、用于检查制造过程中、出厂时的电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。

电子设备

下面，针对作为一种将上面已具体描述的电光装置用作光阀的电子设备的一个实例的投射型彩色显示装置的实施例，对其整体结构、特别是光学结构进行描述。在此，图18是投射型彩色显示装置的示意性的剖面图。

在图18中，作为本实施例的投射型彩色显示装置的一个实例的液晶投影机1100作为一种配备3个包含在TFT阵列基板上搭载有驱动电路液晶装置的液晶组件，并分别将其用作RGB用光阀100R、100G和100B的投影机而构成。在该液晶投影机1100中，当从金属卤化物灯等白色光源的灯组件1102发出投射光时，则通过3个反射镜1106和2个分色镜1108，分为与RGB三原色相对应的光分量R、G和B，分别送到与各颜色相对应的光阀100R、100G和100B。此时，特别地，为了防止B光因光路较长而导致光损耗，通过由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121对其进行引导。然后，与分别经光阀100R、100G和100B调制过的三原色相对应的光分量，在通过分色棱镜1112再度合成之后，经投射透镜1114作为彩色图像投射到屏幕1120上。

本发明不限于上述的实施例，显然，在不脱离权利要求的请求范围和可从整个说明书读出的发明的要点或构思的范围内，可适当地加以改变，伴随这种改变而出的电光装置和电子设备也包括在本发明的技术范围内。作为电光装置可适用于电泳装置、EL(场致发光)装置、采用电子发射元件的装置(Field Emission Display和Surface-ConductionElectron-Emitter Display)等。

Claims (17)

1.一种电光装置，其特征在于，具备：

在基板上沿第1方向延伸的数据线；

沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；

与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样配置的像素电极和薄膜晶体管；

与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的存储电容；以及

在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层；

其中，上述屏蔽层包含氮化膜，其沿上述数据线形成，并且比上述数据线更宽地形成。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，作为上述像素电极的基底配置的层间绝缘膜的表面被实施了平坦化处理。

3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述数据线被形成为与构成上述存储电容的一对电极的一方相同的膜。

4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于，上述数据线构成铝膜和导电性的多晶硅膜的叠层体。

5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，进一步具备将构成上述存储电容的一对电极的一方与上述像素电极电连接的中继层。

6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，上述中继层由铝膜和氮化膜构成。

7.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，上述屏蔽层作为与上述中继层相同的膜形成。

8.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在上述数据线的表面上，具备有氮化膜。

9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述屏蔽层由透明导电性材料构成，并且满布地形成于上述基板的整个表面。

10.一种电光装置，具备：在基板上沿第1方向延伸的数据线和沿与该数据线交叉的第2方向延伸的扫描线，以及与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样配置的像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，

在上述基板上，具备在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层；

上述屏蔽层包含第1氮化膜，其沿上述数据线并且比上述数据线更宽地形成；

第2氮化膜，其以覆盖上述数据线的表面的方式形成，该第2氮化膜以比上述数据线更宽的方式形成。

11.一种电光装置，其特征在于，具备：

在基板上沿第1方向延伸的数据线；

沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；

与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样配置的像素电极和薄膜晶体管；以及

在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层；

其中，在上述数据线上形成氮化膜，上述氮化膜的宽度以覆盖该数据线的方式大于该数据线的宽度；

具备夹持电光物质而与上述基板相对的另一基板以及与上述数据线位置对应那样形成于该另一基板上的遮光膜；上述氮化膜的宽度小于上述遮光膜的宽度。

12.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于，上述氮化膜被形成于上述扫描线延伸的区域。

13.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于，上述氮化膜的边缘在两侧，分别比上述数据线的边缘大出0.1～2.2μm。

14.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于，上述氮化膜的厚度是10～100nm。

15.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于，上述氮化膜的边缘，在其两侧分别以小于或等于1μm的量比上述遮光膜的边缘小地形成。

16.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于，上述屏蔽层由透明导电性材料形成，并且满布地形成于上述基板的整个表面。

17.一种电子设备，其特征在于，该电子设备包括电光装置，该电光装置具备：

在基板上沿第1方向延伸的数据线；

沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；

与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样配置的像素电极和薄膜晶体管；

与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的存储电容；以及

配置于上述数据线和上述像素电极之间的屏蔽层；

其中，上述屏蔽层包含氮化膜，其沿上述数据线并且比上述数据线更宽地形成。

Images