CN100405196C - 电光装置、其制造方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明在液晶等的电光装置中，可谋求叠层结构和制造过程的简单化，而且可以进行高品质的显示。电光装置具备：数据线及扫描线；和薄膜晶体管，与数据线相比配置于下层侧。还具备：存储电容，与数据线相比配置于上层侧，并从下层侧依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极；像素电极，对每个像素进行配置，并且与像素电位侧电极及薄膜晶体管进行电连接；以及层间绝缘膜，叠层于电介质膜的上层侧。存储电容具有下述叠层结构，该叠层结构在从开设于层间绝缘膜的开口所露出的电介质膜之上，叠层固定电位侧电极。

Description

电光装置、其制造方法以及电子设备

技术领域

本发明涉及如液晶装置等的电光装置及其制造方法以及如液晶投影机等电子设备的技术领域。

背景技术

这种电光装置在基板之上具备：像素电极；和扫描线、数据线及作为像素开关用元件的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，用来进行该像素电极的选择性驱动；并且其构成为可以进行有源矩阵驱动。另外，以高对比度化等为目的，有时要在TFT和像素电极之间设计存储电容。上面的结构要件在基板之上以高密度形成，能谋求像素开口率的提高和装置的小型化(例如，参见专利文献1)。

这样，对电光装置人们要求更进一步的显示高品质化和小型化、高精细化，并且在上述之外还在寻求各种各样的应对方法。例如，因为若对TFT的半导体层入射了光，则发生光泄漏电流，使显示品质下降，所以要在该半导体层的周围设置遮光层。另外，存储电容虽然电容尽量大较为理想，但是优选的是，其设计为在其相反的方面上不损失像素开口率。再者，优选的是，这些很多的电路要件为了使装置小型化要在基板上以高密度形成。

另一方面，对这种电光装置中存储电容等电子元件的形状和制造方法进行研究，还提出了用来提高装置性能和制造成品率的各种技术(例如，参见专利文献2及3)。

专利文献1：特开2002-156652号公报

专利文献2：特开平6-3703号公报

专利文献3：特开平7-49508号公报

但是，根据上述以往的各种技术，随着高功能化或高性能化，基板之上的叠层结构已基本上高度复杂化。这进一步招致制造方法的高度复杂化、制造成品率的下降等。相反，还存在下述技术性问题，即假设要使基板之上的叠层结构和制造过程简单化，则有可能招致遮光性能的下降，特别是因图像信号劣化等而引起的显示品质下降，该图像信号的劣化是因像素电极和位于其下层侧的寄生电容而产生的。

发明内容

本发明例如是鉴于上述问题所在而做出的，其目的为，提供一种电光装置及其制造方法以及具备那种电光装置的电子设备，该电光装置适于谋求叠层结构和制造过程的简单化，而且能够进行高品质的显示。

本发明的第1电光装置为了解决上述问题，其特征为，在基板之上具备：数据线及扫描线，相互交叉地进行延伸；薄膜晶体管，在上述基板之上平面地看，对应于上述数据线及扫描线的交叉处进行配置，并且与上述数据线相比配置于下层侧；存储电容，与上述数据线相比配置到上层侧，并且从下层侧依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极；像素电极，对在上述基板之上平面地看规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素进行配置，并且与上述像素电位侧电极及上述薄膜晶体管进行电连接；以及层间绝缘膜，叠层于上述电介质膜的上层侧；上述存储电容具有叠层结构，该叠层结构在从开设于上述层间绝缘膜的开口所露出的上述电介质膜之上，叠层上述固定电位侧电极。

根据本发明的第1电光装置，在其进行工作时，薄膜晶体管可以通过对被扫描线所选择的像素位置的像素电极从数据线施加数据信号，来进行有源矩阵驱动。此时，能够利用存储电容，来提高像素电极的电位保持特性，实现显示的高对比度化。

在本发明的第1电光装置中，特别是其结构为，存储电容是像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极从下层侧依次叠层来形成的，并且固定电位侧电极在从开设于层间绝缘膜的开口所露出的电介质膜之上进行叠层。因此，通过在像素的非开口区域内任意的区域设置开口，就可以在相关的任意区域形成存储电容。这里，所谓的“非开口区域”是指，除去开口区域以外的区域，所谓的相关“开口区域”是指，例如在像素显示区域内按每个像素出射用于显示的光的区域等，是指在有效区域内实际进行利用电光元件或电光物质的电光工作的区域。

因而，能够既谋求基板之上叠层结构的简单化，又实现高品质的图像显示。再者，基板之上的叠层结构的简单化还关系到制造工序的简单化、成品率的提高。

还有，本发明所涉及的薄膜晶体管虽然典型的是顶栅(top gate)型，但是底栅(bottom gate)型也可以。

本发明的第2电光装置为了解决上述问题，在基板之上具备：数据线及扫描线，相互交叉进行延伸；薄膜晶体管，在上述基板之上平面地看，对应于上述数据线及扫描线的交叉处进行配置，并且与上述数据线相比配置于下层侧；存储电容，与上述数据线相比配置于上层侧，并且从下层侧依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极；像素电极，在上述基板之上平面地看，对规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素进行配置，并且与上述像素电位侧电极及上述薄膜晶体管进行电连接；以及层间绝缘膜，叠层于上述像素电位侧电极的上层侧；上述存储电容具有在从开设于上述层间绝缘膜上的开口所露出的上述像素电位侧电极之上，叠层上述电介质膜及上述固定电位侧电极的叠层结构。

根据本发明的第2电光装置，在其进行工作时，可以通过薄膜晶体管对被扫描线所选择的像素位置的像素电极从数据线施加数据信号，来进行有源矩阵驱动。此时，能够利用存储电容，来提高像素电极的电位保持特性，实现显示的高对比度化。

在本发明的第2电光装置中，特别是其结构为，存储电容是像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极从下层侧依次叠层来形成的，并且电介质膜及固定电位侧电极在从开设于层间绝缘膜上的开口所露出的像素电位侧电极之上进行叠层。因此，通过在像素的非开口区域内任意的区域上设置开口，就可以在相关的任意区域上形成存储电容。

因而，能够谋求基板上叠层结构的简单化，并实现高品质的图像显示。再者，基板上叠层结构的简单化还关系到制造工序的简单化、成品率的提高。

还有，本发明所涉及的薄膜晶体管虽然典型的是顶栅型，但是底栅型也可以。

在本发明的第1及第2电光装置一个方式中，上述薄膜晶体管配置为，在上述基板之上平面地看，利用上述数据线至少部分地覆盖沟道区域，上述存储电容配置于下述区域，上述数据线包括第1导电性遮光膜，并且上述固定电位侧电极及上述像素电位侧电极的至少一方包括第2导电性遮光膜，上述区域包括在上述基板之上平面地看与上述沟道区域对向的区域。

根据这种方式，薄膜晶体管利用配置于上层侧的数据线，至少部分地覆盖沟道区域，并且数据线包括第1导电性遮光膜。因此，可以利用能与沟道区域接近配置的数据线，对来自上层侧的入射光将薄膜晶体管的沟道区域加以遮光。再者，与数据线相比配置于上层侧且配置于下述区域的存储电容，在固定电位侧电极及像素电位侧电极的至少一方包括第2导电性遮光膜，上述区域包括与沟道区域对向的区域。因此，可以利用能在数据线之上将层间绝缘膜夹于其间地接近配置的存储电容，对来自上层侧的入射光更为可靠地将薄膜晶体管的沟道区域加以遮光。其结果为，在进行如上的工作时，薄膜晶体管的光泄漏电流得以减低，可以使对比度比得到提高，能实现高品质的图像显示。

在上述包括第1及第2遮光膜的方式中，上述扫描线配置于下述区域，且在上述基板之上配置到上述薄膜晶体管的下层侧，通过接触孔连接到上述薄膜晶体管的栅上，并且还可以包括第3导电性遮光膜，上述区域包括在上述基板之上平面地看与上述沟道区域对向的区域。

这种情况下，在薄膜晶体管的下层侧，其配置为包括与沟道区域对向的区域的扫描线包括第3导电性遮光膜。因此，对于基板的内面反射或者在双板式投影机等中的从其他电光装置发出并穿过合成光学系统而来的光等折返光，也可以利用扫描线从下层侧对沟道区域进行遮光。其结果为，针对来自上层侧的入射光及来自下层侧的折返光双方，可以可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。

还有，扫描线通过接触孔连接到薄膜晶体管的栅上。这里，所谓的“接触孔”是指，为了使形成于层间绝缘膜上下的导电层相互导通而将层间绝缘膜按厚度方向贯通的孔，例如包括：上侧的导电层落入到其内部的结果，和下侧的导电层相接的情形(也就是，所谓接触孔的情形)，以及，在内部埋入导电材料，使其一端接触到上侧导电层并使另一端接触到下侧导电层的情形(也就是，作为插塞来形成的情形)。

在本发明的第1及第2电光装置其他方式中，上述电介质膜形成到非开口区域，该非开口区域在上述基板之上平面地看位于上述每个像素的开口区域的空隙中。

根据这种方式，电介质膜可以形成到非开口区域，也就是说，几乎或者完全没有形成到开口区域。因而，即便电介质膜是不透明的膜，也可以不使开口区域的透射率下降。因而，对于电容的电介质膜，不用考虑透射率即可，能够利用介电常数较高的氧化铪(HFO₂)膜、氧化铝(Al₂O₃)膜及氮化硅(Si₃N₄)膜等。

因此，电介质膜还可以作为用来防水分或防潮的膜使之发挥作用，并且还能提高耐水性、耐湿性。

在本发明的第1及第2电光装置其他方式中，在上述数据线的与上述沟道区域对向的一侧，形成与构成上述数据线主体的导电膜相比反射率较低的导电膜。

根据这种方式，可以防止数据线的与沟道区域对向一侧的面，也就是数据线下层侧的面上的、基板的内面反射和在双板式投影机等中从其他电光装置发出并穿过合成光学系统而来的光等折返光的反射。因而，可以减低光对沟道区域的影响。这种数据线可以在数据线的与沟道区域对向一侧的面，也就是数据线下层侧的面上，例如形成与构成数据线主体的Al膜等相比反射率低的材质的金属或者势垒金属。

在本发明的第1及第2电光装置其他方式中，上述像素电位侧电极由和上述数据线同一层的导电膜来形成。

根据这种方式，不招致基板之上的叠层结构及制造工序的复杂化。因而，还能使成品率得到提高。

在本发明的第1及第2电光装置其他方式中，在上述基板之上还具备中继层，该中继层由和上述固定电位侧电极同一层的导电膜来形成，用来对上述像素电位侧电极和上述像素电极进行中继连接。

根据这种方式，像素电位侧电极和像素电极通过中继层进行电连接，也就是进行中继连接。像素电位侧电极和中继层以及中继层和像素电极例如通过各自之间的层间绝缘膜上所开设的接触孔，进行连接。因而，可以避免像素电位侧电极及像素电极间的层间距离较长而难以通过一个接触孔来连接双方之间的状况的发生。这里，特别是由于固定电位侧电极及中继层由同一层的导电膜来形成，因而不招致叠层结构及制造工序的复杂化。而且，在固定电位侧电极包括第2导电性遮光膜时，因为中继层同样包括第2导电性遮光膜，所以也几乎不存在因中继层的存在而降低遮光性能的状况。

在具备上述中继层的方式中，上述中继层也可以通过上述像素电位侧电极的延伸部，与上述薄膜晶体管的漏区域进行电连接。

这种情况下，中继层和漏在像素电位侧电极的延伸部上进行中继，而进行电连接。也就是说，中继层和延伸部以及延伸部和漏例如通过各自之间的层间绝缘膜上所开设的接触孔，进行连接。因而，可以避免像素电极及漏间的层间距离较长而难以通过一个接触孔来连接双方之间的状况的发生。而且，不招致叠层结构及制造工序的复杂化。还有，因为平面看上去，在延伸部和中继层之间的连接部位，也就是例如开设接触孔的部位上，不设置固定电位侧电极，所以可以容易地形成这种连接。

本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述本发明的电光装置(其中，也包括其各种方式)。

本发明的电子设备由于具备上述本发明的电光装置，因而可以实现能进行高品质图像显示的投影型显示装置、电视机、便携式电话机、电子记事本、文字处理机、取景器式或者监视器直观式的磁带录像器、工作站、电视电话机、POS终端及触摸式面板等各种电子设备。另外，作为本发明的电子设备，例如还可以作为电子纸张等的电泳装置、电子发射装置(FieldEmission Display，场发射显示器及Conduction Electron-Emitter Display，传导型电致发射显示器)以及使用这些电泳装置、电子发射装置的装置，来实现DLP(Digital Light Processing，数字光处理)等。

本发明的第1电光装置制造方法为了解决上述问题，是一种电光装置的制造方法，该电光装置在基板之上具备：数据线及扫描线，相互交叉进行延伸；薄膜晶体管，与上述数据线相比配置于下层侧；存储电容，与上述数据线相比配置于上层侧；以及，像素电极，与上述存储电容相比配置于上层侧；该制造方法的特征为，包括：用来在上述基板之上平面地看与上述数据线及扫描线的交叉处对应的区域，形成上述薄膜晶体管的工序；用来在与上述薄膜晶体管相比的上层侧，形成上述数据线的工序；用来以在与上述数据线相比的上层侧，依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极的方式，形成上述存储电容的工序；以及，用来在上述存储电容之上，对在上述基板之上平面地看规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素，以与上述薄膜晶体管及上述像素电位侧电极进行电连接的方式，形成上述像素电极的工序；形成上述存储电容的工序包括：用来在上述电介质膜的上层侧形成层间绝缘膜的工序；用来在该层间绝缘膜上开设开口的工序；  以及，用来在从该开口所露出的上述电介质膜之上，叠层上述固定电位侧电极的工序。

根据本发明的第1电光装置的制造方法，就可以制造上述本发明的第1电光装置。在此，特别是由于基板之上的叠层结构比较简单，因而可以谋求制造过程的简单化，并且还能够使成品率得到提高。

本发明的第2电光装置制造方法为了解决上述问题，是一种电光装置的制造方法，该电光装置在基板之上具备：数据线及扫描线，相互交叉进行延伸；薄膜晶体管，与上述数据线相比配置于下层侧；存储电容，与上述数据线相比配置于上层侧；以及，像素电极，与上述存储电容相比配置于上层侧；该制造方法的特征为，包括：用来在上述基板之上平面地看与上述数据线及扫描线的交叉处对应的区域，形成上述薄膜晶体管的工序；用来在与上述薄膜晶体管相比的上层侧，形成上述数据线的工序；用来以在与上述数据线相比上层侧，依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极的方式，形成上述存储电容的工序；以及，用来在上述存储电容上，对在上述基板之上平面地看规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素，以与上述薄膜晶体管及上述像素电位侧电极进行电连接的方式，形成上述像素电极的工序；形成上述存储电容的工序包括：用来在上述像素电位侧电极的上层侧形成层间绝缘膜的工序；用来在该层间绝缘膜上开设开口的工序；以及，用来在从该开口所露出的上述像素电位侧电极之上，叠层上述电介质膜及上述固定电位侧电极的工序。

根据本发明的第2电光装置制造方法，就可以制造上述本发明的第2电光装置。这里，特别是由于基板之上的叠层结构比较简单，因而可以谋求制造过程的简单化，并且还能使成品率得到提高。

在本发明的第1及第2电光装置制造方法的一个方式中，形成上述存储电容的工序包括下述工序，即由和上述数据线同一层的导电膜来形成上述像素电位侧电极的工序。

根据这种方式，与以不同的层来形成像素电位侧电极和数据线的情形相比，基板之上的叠层结构更为简单。因而，可以谋求制造过程的简单化，并且还能使成品率得到提高。

本发明的这种作用及其他优势将通过下面说明的实施方式得以明确。

附图说明

图1是表示本发明第1实施方式所涉及的液晶装置整体结构的平面图。

图2是图1的H-H′剖面图。

图3是多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。

图4是第1实施方式所涉及的TFT阵列基板之上的像素组平面图，并且只表示下层部分(图7中至符号75(电介质膜)为止的下层部分)所涉及的结构。

图5是第1实施方式所涉及的TFT阵列基板之上的像素组平面图，并且只表示上层部分(图7中超过符号75(电介质膜)的上层部分)所涉及的结构。

图6是拼合图4及图5时的平面图，并是将一部分放大后的附图。

图7是拼合图4及图5时的A-A′剖面图。

图8是表示各层及层间绝缘膜膜厚范围示例的附表。

图9是按照顺序表示第1实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其1)。

图10是按照顺序表示第1实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其2)。

图11是按照顺序表示第1实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其3)。

图12是按照顺序表示第1实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其4)。

图13是按照顺序表示第1实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其5)。

图14是第2实施方式中和图7相同主旨的剖面图。

图15是按照顺序表示第2实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其1)。

图16是按照顺序表示第2实施方式所涉及的液晶装置制造工序的剖面图(其2)。

图17是第3实施方式中和图5相同主旨的平面图。

图18是第3实施方式中和图6相同主旨的平面图。

图19是第3实施方式中和图7相同主旨的剖面图。

图20是第4实施方式中和图7相同主旨的剖面图。

图21是表示作为使用电光装置的电子设备一个示例之投影机结构的平面图。

图22是表示作为使用电光装置的电子设备一个示例之个人计算机结构的立体图。

图23是表示作为使用电光装置的电子设备一个示例之便携式电话机结构的立体图。

符号说明

1a···半导体层，1a′···沟道区域，3a、3b···栅电极，6a···数据线，9a···像素电极，10···TFT阵列基板，10a···图像显示区域，11a···扫描线，12···基底绝缘膜，12cv···接触孔，16···取向膜，20···对向基板，21···对向电极，22···取向膜，23···遮光膜，30···TFT，41、42、43···层间绝缘膜，50···液晶层，70···存储电容，71···固定电位侧电极，75···电介质膜，81、83、84、85、86···接触孔，91···开口，300···像素电位侧电极，610···中继层

具体实施方式

下面，对于本发明的实施方式，一面参照附图，一面进行说明。在下面的实施方式中，将举例说明作为本发明电光装置一个示例的驱动电路内置型TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置。

<第1实施方式>

对于本发明第1实施方式所涉及的液晶装置，参照图1到图13进行说明。

<电光装置的整体结构>

首先，参照图1及图2，对于本实施方式所涉及的液晶装置整体结构进行说明。这里，图1是表示本实施方式所涉及的液晶装置结构的平面图，图2是图1的H-H′线处的剖面图。

在图1及图2中，在本实施方式所涉及的液晶装置中，TFT阵列基板10和对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10和对向基板20之间封入液晶层50，TFT阵列基板10和对向基板20利用在位于图像显示区域10a周围的密封区域所设置的密封部件52相互进行接合。

在图1中，与配置密封部件52的密封区域内侧并行，规定图像显示区域10a边框区域的遮光性边框遮光膜53设置到对向基板20侧。在周边区域之中的位于配置有密封部件52的密封区域外侧的区域上，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一边进行设置。在与沿着该一边的密封区域相比的内侧，使之被边框遮光膜53覆盖来设置采样电路7。另外，扫描线驱动电路104在沿着与该一边相邻的2条边之密封区域内侧，使之被边框遮光膜53覆盖来设置。另外，在TFT阵列基板10之上，在与对向基板20的4个边角部对向的区域，配置上下导通端子106，用来通过上下导通部件107连接两基板之间。借此，可以在TFT阵列基板10和对向基板20之间取得电导通。

在TFT阵列基板10之上，形成引绕布线90，用来对外部电路连接端子102和数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104及上下导通端子106等进行电连接。

在图2中，在TFT阵列基板10之上形成叠层结构，该叠层结构形成了作为驱动元件的像素开关用TFT和扫描线、数据线等的布线。在图像显示区域10a上，在像素开关用TFT和扫描线、数据线等布线的上层设置像素电极9a。另一方面，在对向基板20的和TFT阵列基板10之间的对向面上，形成遮光膜23。而且，在遮光膜23之上，和多个像素电极9a对向，形成由ITO等透明材料构成的对向电极21。

还有，在TFT阵列基板10之上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104之外，还可以形成用来对制造过程中或出厂时的该液晶装置品质、缺陷等进行检查的检查电路及检查用图形等。

<图像显示区域的结构>

下面，对于本实施方式所涉及的液晶装置像素部中的结构，参照图3到图7进行说明。这里，图3是构成液晶装置的图像显示区域且形成为矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路图。图4到图6是表示TFT阵列基板之上的涉及像素部的部分结构的平面图。图4及图5分别相当于下述叠层结构之中的下层部分(图4)和上层部分(图5)。图6是将叠层结构放大后的平面图，并且是拼合图4及图5的状态。图7是拼合图4及图5时的A-A′剖面图。还有，在图7中，由于将各层、各部件设为在附图上可辨认程度的大小，因而对该各层、各部件的每个都使比例尺不同。

<像素部的原理性结构>

在图3中，在构成本实施方式所涉及的液晶装置的图像显示区域且形成为矩阵状的多个像素上，分别形成像素电极9a和用来对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，并且供给图像信号的数据线6a电连接到相应的TFT30的源上。向数据线6a写入的图像信号S1、S2、···、Sn既可以按该次序依线顺序来供给，又可以对相邻的多条数据线6a之间按每个组来供给。

另外，在TFT30的栅上电连接扫描线11a，并且其构成为，按预定的定时对扫描线11a以脉冲方式，将扫描信号G1、G2、···、Gm按该次序依线顺序施加。像素电极9a电连接到TFT30的漏上，并且通过将作为开关元件的TFT30，只按一定期间关闭其开关，以预定的定时写入从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、···、Sn。

通过像素电极9a对作为电光物质一个示例的液晶所写入的预定电平的图像信号S1、S2、···、Sn，在和对向基板上所形成的对向电极之间被保持一定期间。由于液晶根据所施加的电压电平不同，其分子集合的取向和秩序产生变化，因而可以对光进行调制，实现灰度等级显示。如果是常时亮态模式，则按照以各像素为单位所施加的电压减少对入射光的透射率，如果是常时暗态模式，则按照以各像素为单位所施加的电压增加对入射光的透射率，并且整体上从液晶装置出射具有与图像信号相应的对比度的光。

在此，为了防止所保持的图像信号出现漏损，与形成于像素电极9a和对向电极之间的液晶电容并联，附加了存储电容70。存储电容70的一方的电极和像素电极9a并联，连接到TFT30的漏上，另一方的电极连接到电位固定的电容布线400，使之成为恒定电位。

<像素部的具体结构>

下面，对于实现上述工作的像素部具体结构，参照图4到图7进行说明。

在图4到图7中，上述像素部的各电路要件作为进行了图形化并叠层后的导电膜，形成到TFT阵列基板10之上。TFT阵列基板10例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板及半导体基板等构成，并且和例如由玻璃基板或石英基板构成的对向基板20对向配置。另外，各电路要件从下依次包括：第1层，包括扫描线11a；第2层，包括TFT30等；第3层，包括数据线6a等；第4层，包括固定电位侧电极71等；以及第5层，包括像素电极9a等。另外，在第1层-第2层间设置基底绝缘膜12，在第2层-第3层间设置第1层间绝缘膜41，在第3层-第4层间设置第2层间绝缘膜42，在第4层-第5层间设置第3层间绝缘膜43，防止了上述各要件间产生短路。还有，其中第1层到第3层作为下层部分表示于图4中，第4层到第5层作为上层部分表示于图5中。

(第1层的结构-扫描线等-)

第1层由扫描线11a构成。扫描线11a已被图形化形成为下述形状，该形状包括：主线部，沿着图4的X方向延伸；和突出部，按数据线6a延伸的、图4的Y方向延伸。这种扫描线11a作为本发明所涉及的“第3导电性遮光膜”一个示例，例如由导电性多晶硅构成，并且除此之外还可以采用含有钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)及钼(Mo)等高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物或它们的叠层体等，来形成。

在本实施方式中，特别是扫描线11a配置到TFT30的下层侧，使之包括与沟道区域1a′对向的区域，并且由导电膜构成。因此，对于TFT阵列基板10的内面反射和下述光等的折返光，也可以利用扫描线11a从下层侧对沟道区域1a′进行遮光，上述光是在将液晶装置作为光阀使用来构成双板式投影机时，从其他液晶装置发出并穿过棱镜等合成光学系统而来的。

(第2层的结构-TFT等-)

第2层由TFT30构成。TFT30例如为LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)结构，并且具备栅电极3a、半导体层1a及绝缘膜2，该绝缘膜2包括对栅电极3a和半导体层1a进行绝缘的栅绝缘膜。栅电极3a例如采用导电性多晶硅来形成。半导体层1a例如由多晶硅构成，并且由沟道区域1a′、低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d和高浓度漏区域1e构成。还有，虽然优选的是，TFT30具有LDD结构，但既可以是不对低浓度源区域1b、低浓度漏区域1c进行杂质掺入的抵消(offset)结构，又可以是以栅电极3a作为掩模将杂质掺入成高浓度来形成高浓度源区域及高浓度漏区域的自调整型。

TFT30的栅电极3a在其一部分3b上，通过形成于基底绝缘膜12的接触孔12cv，电连接到扫描线11a。基底绝缘膜12例如由氧化硅膜等构成，并且除第1层和第2层的层间绝缘功能之外，还具有下述功能，即通过形成于TFT阵列基板10的整个面上，来防止因基板表面研磨而产生的粗糙或污垢等引起的TFT30元件特性变化。

还有，本实施方式所涉及的TFT30虽然是顶栅型，但是底栅型也可以。

(第3层的结构-数据线等-)

第3层由数据线6a、像素电位侧电极300及电介质膜75构成。

数据线6a作为本发明所涉及的“第1导电性遮光膜”一个示例，从下依次作为铝、氮化钛、氮化硅的3层膜来形成。数据线6a形成为部分覆盖TFT30的沟道区域1a′。因此，可以利用能与沟道区域1a′接近配置的数据线6a，对来自上层侧的入射光，将TFT30的沟道区域1a′加以遮光。另外，数据线6a通过贯通第1层间绝缘膜41的接触孔81，和TFT30的高浓度源区域1d进行电连接。

作为本实施方式的变形例，在数据线6a的与沟道区域1a′对向的一侧，也可以形成与构成数据线6a主体的Al膜等导电膜相比反射率较低的导电膜。根据变形例，可以防止：由数据线6a的与沟道区域1a′对向一侧的面，也就是数据线6a下层侧的面反射上述的折返光，并由此发生多次反射光或杂散光等。因而，可以减低光对沟道区域1a′的影响。这种数据线6a可以在数据线6a的与沟道区域1a′对向一侧的面，也就是数据线6a下层侧的面上，形成与构成数据线6a主体的Al膜等相比反射率低的材质的金属或者势垒金属。还有，作为与Al膜等相比反射率低的材质的金属或者势垒金属，可以使用铬(Cr)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)及钨(W)等。

像素电位侧电极300作为和数据线6a相同的膜来形成。像素电位侧电极300和数据线6a如图4所示，其形成为各自被截断。另外，像素电位侧电极300通过贯通第1层间绝缘膜41的接触孔83，和TFT30的高浓度漏区域1e进行电连接。像素电位侧电极300通过电介质膜75，和下述固定电位侧电极71对向配置，并且与电介质膜75及固定电位侧电极71一起，构成存储电容70。

第1层间绝缘膜41例如采用NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)来形成。此外，还可以对第1层间绝缘膜41使用PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃以及氮化硅或氧化硅等。第1层间绝缘膜41的表面进行过化学性研磨处理(ChemicalMechanical Polishing：CMP，化学机械研磨)或研磨处理、旋转涂敷处理以及对凹处的充填处理等平坦化处理。因而，因下层侧的这些要件引起的凹凸被除去，第1层间绝缘膜41的表面得以平坦化。因此，可以减低使TFT阵列基板10和对向基板20之间所夹入的液晶层50取向状态产生紊乱的可能性，能够实现更高品质的显示。还有，这种平坦化处理也可以对其他层间绝缘膜的表面进行。

电介质膜75叠层于像素电位电极300之上。电介质膜75如图4所示，形成到下述非开口区域，也就是几乎不形成到开口区域，上述非开口区域在TFT阵列基板10之上平面看上去位于每个像素开口区域的间隙中。因而，即便电介质膜75是不透明的膜，也可以不使开口区域的透射率下降。因而，电介质膜75不用考虑透射率，而由介电常数较高的氮化硅膜等来形成。因此，再者电介质膜75还可以作为用来防水或防湿的膜使之发挥作用，并能够提高耐水性、耐湿性。还有，作为电介质膜除了氮化硅膜之外，例如还可以使用氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锆(ZrO2)、氧化镧(La2O3)、氧化钛(TiO2)或氧化镨(Pr2O3)等的单层膜或多层膜。

(第4层的结构-固定电位侧电极等-)

在第3层的整个面上形成第2层间绝缘膜42，并且在其之上作为第4层形成固定电位侧电极71。第2层间绝缘膜42例如采用NSG来形成。此外，对第2层间绝缘膜42可以使用PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等。第2层间绝缘膜42的表面和第1层间绝缘膜41相同，进行CMP等的平坦化处理。

如图5及图7所示，在本实施方式中特别是在第2层间绝缘膜42上开设开口91，以使处于下层侧的电介质膜75露出。在从该开口91所露出的电介质膜75之上叠层固定电位侧电极71，来形成存储电容70。在此，开口91可以设置于像素的非开口区域内的使电介质膜75露出的任意区域，能够在相关的任意区域形成存储电容70。

固定电位侧电极71如图7所示，通过第2层间绝缘膜42在数据线6a之上延伸设置，并且作为本发明所涉及的“第2导电性遮光膜”一个示例，例如包括含有Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物及将它们叠层后的物质，或者最好是钨硅化物。因此，能够利用可在数据线6a之上通过层间绝缘膜42接近配置的固定电位侧电极71，对来自上层侧的入射光，将TFT30的沟道区域1a′更为可靠地加以遮光。

(第5层的结构-像素电极等-)

在第4层的整个面上形成第3层间绝缘膜43，并且在其之上作为第5层形成像素电极9a。第3层间绝缘膜43例如采用NSG来形成。此外，对第3层间绝缘膜43可以使用PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等。第3层间绝缘膜43的表面和第1层间绝缘膜41及第2层间绝缘膜42相同，进行CMP等的平坦化处理。

像素电极9a(在图5中，用虚线9a′表示出轮廓)配置于按纵横所划分排列的像素区域各自上，并且其形成为，在其边界上数据线6a及扫描线11a排列成网格状(参见图4及图5)。另外，像素电极9a例如由ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等的透明导电膜构成。

像素电极9a通过贯通第3层间绝缘膜43及第2层间绝缘膜42的接触孔85，和像素电位侧电极300的延伸部进行电连接(参见图7)。再者，如上所述，像素电位侧电极300和TFT30的高浓度漏区域1e通过接触孔83进行电连接。也就是说，像素电极9a和TFT30的高浓度漏区域1e以像素电位侧电极300为中继，被进行中继连接。因而，可以避免像素电极及漏间的层间距离较长而难以通过一个接触孔来连接双方之间的状况的发生。而且，不招致叠层结构及制造工序的复杂化。

在像素电极9a的上侧设置取向膜16，该取向膜16实施过研磨处理等预定的取向处理。

(各层及层间绝缘膜的膜厚)

图8表示各层及层间绝缘膜膜厚范围的示例。这里，图8是表示各层及层间绝缘膜膜厚范围示例的附表。在本实施方式中，按照图8所示的膜厚范围1或膜厚范围2的膜厚组合，来叠层各层及层间绝缘膜。

上面是TFT阵列基板10侧的像素部结构。

另一方面，在对向基板20上，在其对向面的整个面上设置对向电极21，并且在其之上(图7中是对向电极21的下侧)设置取向膜22。对向电极21和像素电极9a相同，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。还有，在对向基板20和对向电极21之间，为了防止TFT30的光泄漏电流的发生等，设置有遮光膜23，使之至少覆盖和TFT30正对的区域。

在这样所构成的TFT阵列基板10和对向基板20之间，设置液晶层50。液晶层50是在利用密封部件将基板10及20的周缘部密封所形成的空间内封入液晶来形成的。液晶层50在未对像素电极9a和对向电极21之间施加电场的状态下，利用实施过研磨处理等取向处理的取向膜16及取向膜22，取得预定的取向状态。

上面所说明的像素部结构如图4及图5所示，在各像素部中通用。在上述图像显示区域10a(参见图1)上，周期性形成此像素部。另一方面，在这种液晶装置中，在位于图像显示区域10a周围的周边区域上如参见图1及图2所说明的那样，形成扫描线驱动电路104及数据线驱动电路101等的驱动电路。

<第1实施方式的电光装置制造方法>

下面，对于这种电光装置的制造方法，参照图9到图13进行说明。图9到图13是在与图7对应的剖面上按照顺序表示制造过程各工序中电光装置的叠层结构的工序图。还有，这里对于本实施方式的液晶装置之中的作为主要部分的扫描线、TFT、数据线、存储电容及像素电极的形成工序，进行主要说明。

首先，如图9所示，在TFT阵列基板10之上形成从扫描线11a到第1层间绝缘膜41的各层结构，并进行叠层。此时，TFT30形成于与扫描线11a及此后形成的数据线6a的交叉处对应的区域。还有，在各工序中，可以采用通常的半导体集成化技术。另外，在形成第1层间绝缘膜41时，首先要在TFT阵列基板10的整个面上形成第1层间绝缘膜41的先导膜41a。在先导膜41a的表面上，产生因下层侧的TFT30等引起的凹凸。因此，要使先导膜41a成膜得较厚，例如采用CMP处理将其切削到附图中的虚线位置，并通过对其表面进行平坦化，来得到第1层间绝缘膜41。

接着，在图10所示的工序中，对第1层间绝缘膜41表面的预定位置实施腐蚀，开出到达高浓度源区域1d的深度的接触孔81及到达高浓度漏区域1e的深度的接触孔83。接着，按预定的图形对导电性遮光膜进行叠层，形成数据线6a及像素电位侧电极300。数据线6a形成为，部分覆盖TFT30的沟道区域1a′，并且通过接触孔81与高浓度源区域1d进行单一连接。还有，作为本实施方式的变形例，也可以在形成数据线6a之前，在数据线6a的与沟道区域1a′对向的一侧，形成与构成数据线6a主体的Al膜等导电膜相比反射率较低的导电膜。像素电位侧电极300通过接触孔83与高浓度漏区域1e进行单一连接。接着，在像素电位侧电极300之上按预定的图形叠层电介质膜75。接着，在TFT阵列基板10的整个面上，形成第2层间绝缘膜42的先导膜42a。在先导膜42a的表面上，产生因下层侧的TFT30、数据线6a、像素电位侧电极300、接触孔81及83等引起的凹凸。因此，要使先导膜42a成膜得较厚，例如采用CMP处理切削到附图中的虚线位置，并通过对其表面进行平坦化，来得到第2层间绝缘膜42。

接着，在图11所示的工序中，对第2层间绝缘膜42表面的预定位置实施腐蚀，开设开口91以使电介质膜75露出。在此，开口91可以设置于像素的非开口区域内的使电介质膜75露出的任意区域。

接着，在图12所示的工序中，在TFT阵列基板10之上的非开口区域叠层导电性遮光膜，形成固定电位侧电极71。此时，固定电位侧电极71在从开口91所露出的电介质膜75之上进行叠层，形成存储电容70。另外，固定电位侧电极71通过第2层间绝缘膜42在数据线6a之上延伸设置。接着，在TFT阵列基板10的整个面上，形成第3层间绝缘膜43的先导膜43a。在先导膜43a的表面上，产生因固定电位侧电极70等引起的凹凸。因此，要使先导膜43a成膜得较厚，例如采用CMP处理切削到附图中的虚线位置，并通过对其表面进行平坦化，来得到第3层间绝缘膜43。

接着，在图13所示的工序中，对第3层间绝缘膜43表面的预定位置实施腐蚀，并贯通第3层间绝缘膜43及第2层间绝缘膜42，开出到达像素电位侧电极300的延伸部的深度的接触孔85。接着，在第3层间绝缘膜43表面的预定位置形成像素电极9a。此时，虽然像素电极9a也形成于接触孔85内部，但是因为接触孔85的孔径较大，所以有效范围良好。

根据上面所说明的液晶装置制造方法，就可以制造上述本实施方式的液晶装置。在此，特别是由于TFT阵列基板10之上的叠层结构比较简单，因而制造过程也可以谋求简单化，并能够使成品率得到提高。

<第2实施方式>

下面，对于第2实施方式所涉及的电光装置，参照图14到图16进行说明。

在第2实施方式中，存储电容的结构和第1实施方式不同。因而，只说明和第1实施方式的不同之处。

首先，对于第2实施方式所涉及的液晶装置的像素部的具体结构，参照图14进行说明。这里，图14是第2实施方式中和图7相同主旨的剖面图。还有，在图14中，对和图7所示的第1实施方式所涉及的结构要件相同的结构要件，附上相同的参照符号，对它们的说明予以适当省略。

如图14所示，在第2实施方式中，特别是存储电容70的结构为，从下层侧依次叠层并形成像素电位侧电极300、电介质膜75及固定电位侧电极71，并且电介质膜75及固定电位侧电极71的结构为，在从开设于第2层间绝缘膜42的开口91所露出的像素电位侧电极300之上进行叠层。因此，通过在像素的非开口区域内的任意的区域上设置开口，就可以在相关的任意区域形成存储电容。

因而，可以谋求基板之上叠层结构的简单化，并实现高品质的图像显示。再者，基板之上的叠层结构的简单化还关系到制造过程的简单化、成品率的提高。

<第2实施方式的电光装置制造方法>

下面，对于第2实施方式的电光装置制造方法，参照图15及图16进行说明。图15及图16是在与图14对应的剖面上按照顺序表示制造过程之中的形成存储电容的工序的电光装置叠层结构的工序图。

在第2实施方式的电光装置制造方法中，存储电容的制造方法和第1实施方式的电光装置制造方法有所不同。因而，只说明和第1实施方式的电光装置制造方法的不同之处。

在图15所示的工序中，对第2层间绝缘膜42表面的预定位置实施腐蚀，开设开口91以使像素电位侧电极300露出。在此，开口91可以设置于像素的非开口区域内的使像素电位侧电极300露出的任意区域。

接着，在图16所示的工序中，在从开口91所露出的像素电位侧电极300之上叠层电介质膜75。接着，通过在TFT阵列基板10之上的非开口区域叠层导电性遮光膜，形成固定电位侧电极71，来形成存储电容70。另外，固定电位侧电极71通过第2层间绝缘膜42在数据线6a之上延伸设置。接着，在TFT阵列基板10的整个面上，形成第3层间绝缘膜43的先导膜43a。在先导膜43a的表面上，产生因固定电位侧电极70等引起的凹凸。因此，要使先导膜43a成膜得较厚，例如采用CMP处理切削到附图中的虚线位置，并通过对其表面进行平坦化，来得到第3层间绝缘膜43。

<第3实施方式>

下面，对于第3实施方式所涉及的电光装置，参照图17到图19进行说明。

在第3实施方式中，和第1实施方式的不同之处为，还具有中继层。因而，只说明和第1实施方式的不同之处。

对于第3实施方式所涉及的液晶装置的像素部的具体结构，参照图17到图19进行说明。这里，图17是第3实施方式中和图5相同主旨的平面图。图18是第3实施方式中和图6相同主旨的平面图，并且是拼合图4和图17的状态。图19是第3实施方式中和图7相同主旨的剖面图，并且是拼合图4和图17时的A-A′剖面图。还有，在图17到图19中，对和图4到图7所示的第1实施方式所涉及的结构要件相同的结构要件，附上相同的参照符号，对它们的说明予以适当省略。

如图19所示，在第3实施方式中，特别是在第2层间绝缘膜42之上，中继层610作为和固定电位侧电极71相同的膜来形成。中继层610和数据线6a如图17所示，其形成为各自被截断。另外，中继层610通过贯通第2层间绝缘膜42的接触孔84，电连接到像素电位侧电极300的延伸部上。再者，像素电极9a通过贯通第3层间绝缘膜43的接触孔86，电连接到中继层610上。也就是说，像素电极9a和像素电位侧电极300的延伸部以中继层610为中继，进行中继连接。因而，可以避免像素电极9a及像素电位侧电极300间的层间距离较长而难以通过一个接触孔来连接双方之间的状况的发生。而且，不招致叠层结构及制造工序的复杂化。加之，因为中继层610由和固定电位侧电极71相同的膜的导电性遮光膜来形成，所以几乎不会因中继层610的存在而降低遮光性能。

再者，像素电位侧电极300的延伸部通过接触孔83，和TFT30的高浓度漏区域1e进行电连接。因而，中继层610和TFT30的高浓度漏区域1e以像素电位侧电极300的延伸部为中继，进行电连接。因而，可以避免像素电极9a及TFT30的高浓度漏区域1e间的层间距离较长而难以通过一个接触孔来连接双方之间的状况的发生。而且，不招致叠层结构及制造工序的复杂化。

<第4实施方式>

下面，对于第4实施方式所涉及的电光装置，参照图20进行说明。这里，图20是第4实施方式中和图7相同主旨的剖面图。

在第4实施方式中，和第1实施方式的不同之处为，存储电容的结构以及还具有中继层。因而，只说明和第1实施方式的不同之处。

如图20所示，存储电容70的结构和第2实施方式相同，其结构为，从下层侧依次叠层并形成像素电位侧电极300、电介质膜75及固定电位侧电极71，并且电介质膜75及固定电位侧电极71在从开设于第2层间绝缘膜42上的开口91所露出的像素电位侧电极300之上进行叠层。因此，和第2实施方式相同，能够谋求基板之上的叠层结构的简单化，并实现高品质的图像显示。再者，基板上的叠层结构的简单化还关系到制造过程的简单化、成品率的提高。

再者，在第2层间绝缘膜42之上，和第3实施方式相同，中继层610作为和固定电位侧电极71相同的膜来形成。因此，和第3实施方式相同，可以避免像素电极9a及像素电位侧电极300间或者像素电极9a及TFT30的高浓度漏区域1e间的层间距离较长而难以通过一个接触孔来连接双方之间的状况的发生。而且，不招致叠层结构及制造工序的复杂化。

<电子设备>

下面，对于将作为上述电光装置的液晶装置使用于各种电子设备中的情形，进行说明。

首先，对于将该液晶装置作为光阀来使用的投影机，进行说明。图21是表示投影机结构示例的平面图。如该图21所示，在投影机1100内部，设置由卤素灯等白色光源构成的灯组件1102。从该灯组件1102所射出的投影光通过配置于光导向装置1104内的4片反射镜1106及2片分色镜1108，分离成RGB的3原色，入射到作为与各原色对应的光阀之液晶面板1110R、1110B及1110G。

液晶面板1110R、1110B及1110G的结构和上述液晶装置相同，用来按照从图像信号处理电路供给的R、G、B的原色信号分别进行驱动。而且，由这些液晶面板调制后的光从3个方向入射到分色棱镜1112。在该分色棱镜1112，R及B的光弯折成90度，另一方面，G的光直行。因而，各色的图像被合成的结果为，通过投影透镜1114，向屏幕等投影彩色图像。

在此，如果着眼于由各液晶面板1110R、1110B及1110G得到的显示像，得知由液晶面板1110G得到的显示像需要相对由液晶面板1110R、1110B得到的显示像进行左右翻转。

还有，在液晶面板1110R、1110B及1110G，由于通过分色镜1108，入射与R、G、B的各原色对应的光，因而不需要设置滤色器。

接着，对于将液晶装置使用于移动式个人计算机中的示例，进行说明。图22是表示该个人计算机结构的立体图。在图22中，计算机1200由具备键盘1202的主体部1204和液晶显示单元1206来构成。该液晶显示单元1206是通过在上面所述的液晶装置1005背面附加背光源来构成的。

再者，对于将液晶装置使用于便携式电话机中的示例，进行说明。图23是表示该便携式电话机结构的立体图。在图23中，便携式电话机1300具备多个操作按键1302，并具备反射型的液晶装置1005。在该反射型的液晶装置1005中，根据需要在其前面设置前光源。

还有，除了参照图21到图23所说明的电子设备之外，还能列举出液晶电视、取景器式或监视器直观式的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、台式电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端及具备接触式面板的装置等。而且，不言而喻，可以使用于这些各种电子设备中。

另外，本发明除上述实施方式中所说明的液晶装置之外，还可以使用于在硅基板上形成器件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子显示器(PDP)、电场发射型显示器(FED、SED)及有机EL显示器等中。

本发明并不限于上述实施方式，而可以在不违反从技术方案及说明书总体领会的发明宗旨或构思的范围内，进行适当变更，并且伴随这种变更的电光装置、具备该电光装置的电子设备及该电光装置的制造方法，也全都包括在本发明的技术范围内。

Claims (13)

1.一种电光装置，其特征为，

在基板之上，具备：

数据线及扫描线，其相互交叉地进行延伸；

薄膜晶体管，其在上述基板之上平面地看，对应于上述数据线及扫描线的交叉处进行配置，并且与上述数据线相比配置于下层侧；

存储电容，其与上述数据线相比配置于上层侧，从下层侧依次叠层有像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极；

像素电极，其对在上述基板之上平面地看、规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素进行配置，与上述像素电位侧电极及上述薄膜晶体管进行电连接；以及

层间绝缘膜，其叠层于上述电介质膜的上层侧；

上述存储电容具有叠层结构，该叠层结构为：在从开设于上述层间绝缘膜的开口所露出的上述电介质膜之上，叠层有上述固定电位侧电极。

2.一种电光装置，其特征为，

在基板之上，具备：

数据线及扫描线，其相互交叉地进行延伸；

薄膜晶体管，其在上述基板之上平面地看，对应于上述数据线及扫描线的交叉处进行配置，并且与上述数据线相比配置于下层侧；

存储电容，其与上述数据线相比配置于上层侧，从下层侧依次叠层有像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极；

像素电极，其对在上述基板之上平面地看、规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素进行配置，与上述像素电位侧电极及上述薄膜晶体管进行电连接；以及

层间绝缘膜，其叠层于上述像素电位侧电极的上层侧；

上述存储电容具有叠层结构，该叠层结构为：在从开设于上述层间绝缘膜的开口所露出的上述像素电位侧电极之上，叠层有上述电介质膜及上述固定电位侧电极。

3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为：

上述薄膜晶体管配置为，在上述基板之上平面地看，由上述数据线至少部分地覆盖沟道区域，

上述存储电容配置于下述区域，该区域包括在上述基板之上平面地看与上述沟道区域对向的区域，

上述数据线包括第1导电性遮光膜，

上述固定电位侧电极及上述像素电位侧电极的至少一方包括第2导电性遮光膜。

4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征为：

上述扫描线配置于下述区域，且在上述基板之上配置于上述薄膜晶体管的下层侧，通过接触孔连接于上述薄膜晶体管的栅电极，包括第3导电性遮光膜，上述区域包括在上述基板之上平面地看与上述沟道区域对向的区域。

5.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为：

上述电介质膜形成于非开口区域，该非开口区域在上述基板之上平面地看，位于上述每个像素的开口区域的间隙中。

6.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为：

在上述数据线的与薄膜晶体管的沟道区域对向的一侧，形成有与构成上述数据线的主体的导电膜相比反射率较低的导电膜。

7.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为：

上述像素电位侧电极由与上述数据线同一层的导电膜来形成。

8.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为：

在上述基板之上还具备中继层，该中继层由与上述固定电位侧电极同一层的导电膜来形成，用来对上述像素电位侧电极和上述像素电极进行中继连接。

9.根据权利要求8所述的电光装置，其特征为：

上述中继层通过上述像素电位侧电极的延伸部，与上述薄膜晶体管的漏区域进行电连接。

10.一种电子设备，其特征为：

具备权利要求1到9中任一项所述的电光装置。

11.一种电光装置的制造方法，该电光装置在基板之上具备：数据线及扫描线，其相互交叉地进行延伸；薄膜晶体管，其与上述数据线相比配置于下层侧；存储电容，其与上述数据线相比配置于上层侧；以及像素电极，其与上述存储电容相比配置于上层侧；

该电光装置的制造方法，包括：

在上述基板之上的平面地看与上述数据线及扫描线的交叉处对应的区域，形成上述薄膜晶体管的工序；

在与上述薄膜晶体管相比的上层侧，形成上述数据线的工序；

以在与上述数据线相比的上层侧，依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极的方式，形成上述存储电容的工序；以及

在上述存储电容之上，对在上述基板之上平面地看、规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素，以与上述薄膜晶体管及上述像素电位侧电极进行电连接的方式，形成上述像素电极的工序；

形成上述存储电容的工序包括：在上述电介质膜的上层侧形成层间绝缘膜的工序；在该层间绝缘膜上开设开口的工序；以及在从该开口所露出的上述电介质膜之上，叠层上述固定电位侧电极的工序。

12.一种电光装置的制造方法，该电光装置在基板之上具备：数据线及扫描线，其相互交叉地进行延伸；薄膜晶体管，其与上述数据线相比配置于下层侧；存储电容，其与上述数据线相比配置于上层侧；以及像素电极，其与上述存储电容相比配置于上层侧；

该电光装置的制造方法，包括：

在上述基板之上平面地看与上述数据线及扫描线的交叉处对应的区域，形成上述薄膜晶体管的工序；

在与上述薄膜晶体管相比的上层侧，形成上述数据线的工序；

以在与上述数据线相比的上层侧，依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极的方式，形成上述存储电容的工序；以及

在上述存储电容之上，对在上述基板之上平面地看、规定为与上述数据线及扫描线对应的每个像素，以与上述薄膜晶体管及上述像素电位侧电极进行电连接的方式，形成上述像素电极的工序；

形成上述存储电容的工序包括：在上述像素电位侧电极的上层侧形成层间绝缘膜的工序；在该层间绝缘膜上开设开口的工序；以及，在从该开口所露出的上述像素电位侧电极之上，叠层上述电介质膜及上述固定电位侧电极的工序。

13.根据权利要求11或12所述的电光装置的制造方法，其特征为：

形成上述存储电容的工序包括下述工序，即由与上述数据线同一层的导电膜来形成上述像素电位侧电极的工序。

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