CN100405197C - 电光装置及具备该装置的电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电光装置，例如在液晶装置等的电光装置中，例如可以实现基板尺寸的缩小，且能够抑制图像信号的噪声的影响，进行高品质的图像显示，电光装置在基板上具备：多个像素，设置于像素区域；和周边电路，设置在位于像素区域周边的周边区域，用来控制多个像素。再者，还具备：多条信号布线，分别供给用来控制周边电路的多种信号之中不同种类的信号，由通过层间绝缘膜位于相互不同的层的多个导电膜之中不同的导电膜来分别形成，并且具有在周边区域至少在一部分相互重合的部分；和屏蔽膜，位于多条信号布线的在基板上相互重合的部分之间。

Description

电光装置及具备该装置的电子设备

技术领域

本发明涉及如液晶装置等的电光装置及具备该电光装置的如液晶投影机等电子设备的技术领域。

背景技术

在这种电光装置中，在设置了像素电极等显示用电极和用来对其进行驱动的数据线驱动电路、扫描线驱动电路等电路部的基板上，沿着其一条边的边缘排列多个外部电路连接端子。在基板上还布线多条信号布线，用来从这些多个外部电路连接端子给扫描线驱动电路和数据线驱动电路等电路部供给多种信号。

对于这种信号布线来说，例如在专利文献1中做出了下述研究，即通过形成为：除了原来的布线之外，还由和像素内的导电膜为同一膜的膜来形成补充的布线，也就是说形成为冗余布线结构，不使工艺数量增加而谋求布线的低电阻化。

专利文献1：特开2002-229061号公报

但是，对于供给相互不同种类信号的信号布线来说，由于其构成为，在基板上平面看上去不重合，因而不能超过可进行图案形成的微细化界限地，将相邻的信号布线间隔在同一平面内加窄。因此，存在：在缩小布置信号布线所需要的面积方面，有本质上的界限，成为电光装置小型化的阻碍这样的问题所在。再者，由于例如伴随电光装置的小型化，信号布线的间隔变窄，因而存在给相邻的布线供给的相互不同种类的信号间的干扰增大这样的问题所在。特别是，还存在因用来使数据线驱动电路等进行工作的频率较高的时钟信号等而对图像信号产生噪声这样的问题所在。

发明内容

本发明是鉴于例如上述的问题所在而做出的，其目的为，提供一种电光装置及电子设备，例如可以实现基板尺寸的缩小，且能够抑制图像信号的噪声的影响，进行高品质的图像显示。

本发明的电光装置为了解决上述问题，其特征为，在基板上具备：多个像素，设置于像素区域；周边电路，设置在位于上述像素区域周边的周边区域，用来控制上述多个像素；多条信号布线，分别供给用来控制上述周边电路的多种信号之中不同种类的信号，由通过层间绝缘膜位于相互不同的层的多个导电膜的各自来形成，并且具有在上述周边区域至少在一部分相互重合的部分；以及屏蔽膜，位于上述多条信号布线相互重合的部分之间。

根据本发明的电光装置，在其工作时，从外部电路，例如图像信号、时钟信号、各种控制信号及电源信号等例如通过外部电路连接端子被供给多条信号布线及周边电路。多条信号布线及周边电路设置在基板上位于像素区域周边的周边区域。这里本发明所涉及的“周边电路”指的是，例如用来控制或驱动与像素电连接的扫描线和数据线之扫描线驱动电路和数据线驱动电路等、装入或安装于基板上的各种电路。例如利用数据线驱动电路，将图像信号通过数据线供给各像素。与此同时，利用扫描线驱动电路，通过扫描线给各像素供给扫描信号。按每个像素所设置的如像素开关用薄膜晶体管(下面，适当称为“像素开关用TFT”)，对扫描线连接栅，按照扫描信号将图像信号有选择地供给像素电极。借此，例如通过按各像素来驱动像素电极及对向电极间所夹持的如液晶等电光物质，而可以实现有源矩阵驱动。还有，作为该电光装置的驱动方式，不限于有源矩阵驱动方式，还可以考虑无源矩阵驱动方式、区段(segment)驱动方式等的各种驱动方式。

在本发明中，特别是多条信号布线由通过层间绝缘膜位于相互不同的层的多个导电膜来形成。再者，多条信号布线具有：在周边区域，在基板上平面看上去至少在一部分相互重合的部分。因而，可以在从其法线方向看基板的一定区域内布线更多的信号布线，使之相互不产生短路。也就是说，能够既将一条一条的布线宽度相对确保得较宽，又布线更多的信号布线。据此，能够既将像素区域确保得较宽，又谋求因周边区域的减少而得到的基板整体进而电光装置整体的小型化。

再者，在本发明中，特别是多条信号布线由多个导电膜之中例如按信号的种类而不同的导电膜来分别形成。这里所谓的“信号的种类”指的是，信号的频率或电位的高低等信号本身的性质。例如，多条信号布线之中，用来供给频率比预定频率高的信号的信号布线作为高频信号布线，由一种导电膜来形成，用来供给频率比预定频率低的信号的信号布线作为低频信号布线，由和高频信号布线不同的一种导电膜形成。

除此之外，在本发明中，特别是在多条信号布线的基板上的相互重合的部分之间的层具备屏蔽膜，其设置为和多条信号线重合。也就是说，例如为了在多条信号布线之中的一条信号布线和其它信号布线之间进行电磁屏蔽，而具备屏蔽膜，该屏蔽膜在多条信号布线的基板上平面看上去，位于相互重合的布线部分之间。因而，一条信号布线和其它信号布线利用屏蔽膜，来减低相互由信号发生的电磁噪声。这里本发明所涉及的“屏蔽膜”指的是，具有导电等电磁屏蔽功能的膜。还有，“屏蔽膜”也可以是多条信号布线之中位于一条信号布线和其它信号布线之间的又一条信号布线。也就是说，还包括屏蔽膜和多个导电膜之中的一个为共用的情形，以及屏蔽膜和多条信号布线之中的一条为共用的情形。其结果为，通过使特别是作为与图像信号相比频率较高的信号如数据线驱动电路用的时钟信号、对图像信号产生影响的电磁噪声得到减低，可以进行高品质的图像显示。

如同上面所说明的那样，根据本发明的电光装置，可以缩小基板尺寸，能够使电光装置小型化，并且可以减低不同种类的信号间的电磁干扰，进行高品质的图像显示。

在本发明电光装置的一个方式中，在上述基板上还具备多条数据线及多条扫描线，其设置为在上述像素区域相互交叉；上述像素按照上述数据线及上述扫描线的交叉处来设置；在上述基板上具备按顺序叠层有下侧电极、电介质膜及上侧电极的存储电容；上述多个导电膜及上述屏蔽膜各自和分别构成上述数据线、上述下侧电极及上述上侧电极的导电膜之中的任一个，为同一膜。

根据这种方式，多个导电膜及屏蔽膜各自和分别构成数据线、下侧电极及上侧电极的多个导电膜之中的任一个，为同一膜。这里，所谓的“同一膜”指的是，在制造工艺中的同一时机制成的膜，并且是同一种类的膜。还有，所谓的“是同一膜”并不是甚至要求到作为一片膜而连续的意思，而只要基本上是同一膜之中被相互分割的膜部分就可以。因而，多条信号布线及屏蔽膜可以分别按和数据线、下侧电极或上侧电极的形成相同的时机，来形成。也就是说，可以在不导致制造工艺复杂化的状况下，将多条信号布线及屏蔽膜由多个导电膜来形成。

还有，利用存储电容，例如可以使构成像素的像素电极的电位保持特性得到提高，实现显示的高对比度化。

在本发明电光装置的其他方式中，上述多条信号布线按预先所设定的频率由上述不同的导电膜来分别形成。

根据这种方式，例如多条信号布线之中的，用来供给频率比预定频率高的高频带信号的信号布线作为高频信号布线，由一种导电膜来形成，用来供给频率比预定频率低的低频带信号的信号布线作为低频信号布线，由和高频信号布线不同的一种导电膜来形成。例如，用来供给用来驱动数据线驱动电路的时钟信号、使能信号等的信号布线作为高频信号布线来形成。另一方面，例如用来供给下述时钟信号的信号布线、用来供给下述各种控制信号的信号布线以及用来供给图像信号的信号布线也就是图像信号线，作为低频信号布线来形成，上述时钟信号用来驱动扫描线驱动电路，上述各种控制信号用来控制数据线驱动电路和扫描线驱动电路等周边电路的工作。另外，也可以将用来供给一定电位或固定电位的信号的信号布线作为此处的低频信号布线，来处理。因而，根据本实施方式，在基板上平面看上去，屏蔽膜位于高频信号布线和低频信号布线相互重合的布线部分之间。因而，能减少如图像信号等低频信号受到来自下述时钟信号等高频信号的电磁影响，换言之，能减少低频信号和高频信号之间的电磁干扰，上述时钟信号用来驱动数据线驱动电路。据此，可以进行高品质的图像显示。

在上述的多条信号布线按预先所设定的频带由不同的导电膜来分别形成的方式中，上述多条信号布线包括：第1频率信号布线，用来供给上述频率为第1频率的信号；和第2频率信号布线，用来供给上述频率为比上述第1频率低的第2频率的信号；上述第1频率信号布线、上述屏蔽膜及上述第2频率信号布线也可以在上述基板上，按该顺序相互通过上述层间绝缘膜来叠层。

这种情况下，第1频率信号布线、屏蔽膜及第2频率信号布线在基板上，按该顺序相互通过层间绝缘膜进行叠层。也就是说，例如供给图像信号的图像信号线等作为第2频率信号布线，形成于叠层结构的靠近表面的一方。因而，为了电连接靠近叠层结构表面所形成的外部电路连接端子和第2频率信号布线所需要的接触孔数量可以较少。因而，可以使第2频率信号布线低电阻化。特别是，由于可以作为第2频率信号布线例如使图像信号线低电阻化，因而能够进行高品质的图像显示。另一方面，例如用来供给下述时钟信号等的信号布线作为第1频率信号布线，形成于叠层结构的靠近基板面的一方，上述时钟信号用来驱动周边电路。一般来说，构成周边电路的TFT等形成于靠近基板面的一方。因而，第1频率信号布线和周边电路之间的接触孔数量可以较少。因而，可以容易连接第1频率信号布线和周边电路。

在上述的多条信号布线按预先所设定的频带由不同的导电膜来分别形成的方式中，上述多条信号布线包括：第1频率信号布线，用来供给上述频率为第1频率的信号；和第2频率信号布线，用来供给上述频率为比上述第1频率低的第2频率的信号；上述第2频率信号布线、上述屏蔽膜及上述第1频率信号布线也可以在上述基板上，按该顺序相互通过层间绝缘膜来叠层。

这种情况下，第2频率信号布线、屏蔽膜及第1频率信号布线在基板上，按该顺序相互通过层间绝缘膜进行叠层。也就是说，例如用来供给下述时钟信号等频率高的信号的信号布线作为第1频率信号布线，形成于叠层结构的靠近表面的一方，上述时钟信号用来驱动周边电路。因而，可以将因频率高引起的由第1频率信号布线发生的热，通过表面散热或去除。也就是说，可以对第1频率信号布线进行冷却。

在上述包括第1及第2频率信号布线的方式中，上述屏蔽膜也可以是用来供给一定电位的定电位布线。

这种情况下，由于定电位布线作为屏蔽膜来发挥作用，因而能够在不导致制造工艺复杂化的状况下，减低不同种类的信号间的电磁干扰，进行高品质的图像显示。还有，屏蔽膜也可以是用来供给下述预定电位信号的预定电位布线，该预定电位信号其信号的电位按一定时间向预定电位进行变化，例如按一定周期反相。这种情况下，对于各一定时间来看，由于信号的电位为一定，因而能相应获得和上面相同的减低电磁干扰的效果。

在上述定电位布线作为屏蔽膜来发挥作用的方式中，上述定电位布线的布线宽度也可以在上述基板上平面看上去，至少部分比上述第1及第2频率信号布线至少一方的布线宽度宽。

这种情况下，由于定电位布线的布线宽度在基板上平面看上去，至少部分比第1及第2频率信号布线至少一方的布线宽度宽，因而可以进一步可靠地减低第1及第2频率信号布线间的电磁干扰，也就是说可以使定电位布线作为屏蔽膜的功能得到提高。再者，由于布线宽度较宽，因而可以谋求定电位布线的低电阻化。因而，可以通过定电位布线，给周边电路供给稳定的定电位信号或定电位电源。

在上述定电位布线作为屏蔽膜来发挥作用的方式中，上述定电位布线的布线宽度也可以在上述基板上平面看上去，至少部分比上述第1及第2频率信号布线至少一方的布线宽度窄。

这种情况下，可以减小由定电位布线、层间绝缘膜及第1或第2频率信号布线构成的电容，也就是布线电容。因而，可以防止定电位信号的电位因第1及第2频率的信号的影响而产生变动或波动。也就是说，可以防止因第1及第2频率的信号引起的电磁噪声例如通过定电位电源等的定电位信号影响到图像信号。

在上述定电位布线的布线宽度比第1及第2频率信号布线至少一方的布线宽度窄的方式中，也可以为：上述一定电位是具有第1电位和第2电位的电源电位，该第2电位是比该第1电位低的电位；上述定电位布线由用来供给上述第1电位的第1电位电源布线及用来供给上述第2电位的第2电位电源布线构成；上述定电位布线的布线宽度至少部分比上述第1及第2频率信号布线任一方的布线宽度窄，上述第1及第2电位电源布线布线为，在上述基板上平面看上去，至少部分并列配置，且和上述第1及第2频率信号布线的各自重合。

这种情况下，第1及第2电位电源布线布线为，在基板上平面看上去，至少部分并列配置，且和第1及第2频率信号布线的各自重合。因而，第1及第2频率信号布线间的电磁噪声通过第1及第2电位电源布线得到减低。

再者，假设在一个第1及第2频率信号布线间布线第1电位电源布线，在另一个第1及第2频率信号布线间布线第2电位电源布线时，两者对第1及第2频率信号布线间的电磁影响不同。然而，在本方式中，由于第1及第2电位电源布线和第1及第2频率信号布线的各自重合，因而可以获得大致均匀的屏蔽效果。

在本发明电光装置的其他方式中，还具备中继层，由和上述屏蔽膜为同一膜的膜来形成，用来对上述多条信号布线之中的与上述屏蔽膜相比形成于上层侧的上层侧信号布线和上述周边电路之中的与上述屏蔽膜相比形成于下层侧的下层侧周边电路进行电中继连接。

根据这种方式，上层侧信号布线和下层侧周边电路在中继层进行中继，被电连接。也就是说，上层侧信号布线和中继层以及中继层和下层侧周边电路，例如通过在各自之间的层间绝缘膜所开出的接触孔，进行电连接。因而，可以避免上层侧信号布线及下层侧周边电路间的层间距离较长而难以利用一个接触孔来连接双方间的状况。而且，由于中继层由和屏蔽膜为同一膜的膜来形成，因而不导致叠层结构及制造工艺的复杂化。

在本发明电光装置的其他方式中，在上述基板上还具备多个外部电路连接端子，分别电连接到上述多条信号布线及屏蔽膜，排列于上述周边区域；上述屏蔽膜在上述基板上平面看上去，至少部分和上述信号布线相互重合，该信号布线是电连接于与电连接有上述屏蔽膜的上述外部电路连接端子相邻的上述外部电路连接端子的信号布线。

根据这种方式，屏蔽膜在基板上平面看上去，至少部分和下述信号布线相互重合，该信号布线是电连接于与电连接有上述屏蔽膜的外部电路连接端子相邻的外部电路连接端子的信号布线。因而，在多条信号布线和外部电路连接端子电连接的区域，也可以存在屏蔽膜。因而，可以进一步可靠地减低由相互通过层间绝缘膜位于相互不同的层的导电膜构成的多条信号布线间的电磁干扰。

本发明的电子设备为了解决上述问题，具备有上述本发明的电光装置。

根据本发明的电子设备，由于具备有上述本发明的电光装置，因而还可以实现能进行高品质显示的投影型显示装置、便携式电话机、电子记事本、文字处理机、取景器式或监视直观式磁带录像机、工作站、电视电话机、POS终端及触摸式面板等各种电子设备。另外，作为本发明的电子设备，例如还能够实现电子纸张之类的电泳装置等。

本发明的这种作用及其他优势将通过下面说明的用来实施的最佳方式得以明确。

附图说明

图1是表示本发明第1实施方式所涉及的液晶装置整体结构的平面图。

图2是图1的H-H′的剖面图。

图3是构成图像显示区域的多个像素中各种元件、布线等的等效电路图。

图4是表示TFT阵列基板上的像素所涉及的部分结构的平面图，相当于叠层结构之中的下层部分(图6中至符号6a(数据线)为止的下层部分)。

图5是表示TFT阵列基板上的像素所涉及的部分结构的平面图，相当于叠层结构之中的上层部分(图6中超过符号6a(数据线)的上层部分)。

图6是将图4及图5拼合时的A-A′剖面图。

图7是表示数据线驱动电路及采样电路所涉及的电路结构以及利用信号布线等的电连接关系的说明图。

图8是表示图7所示的结构之中与传输信号的整形有关的电路系统的电路图。

图9是图7中B-B′线的部面图。

图10是第1变形例中和图9相同内容的剖面图。

图11是第2变形例中和图9相同内容的剖面图。

图12是图像信号线及分支布线的布置图。

图13是图12中D-D′线的剖面图。

图14是外部电路连接端子周边的信号布线布置图。

图15是图14中D-D′线的剖面图。

图16是图14中E-E′线的剖面图。

图17是图14中F-F′线的部面图。

图18是第2实施方式中和图6相同内容的剖面图。

图19是表示作为使用电光装置的电子设备一例之投影机结构的平面图。

图20是表示作为使用电光装置的电子设备一例之个人计算机结构的立体图。

图21是表示作为使用电光装置的电子设备一例之便携式电话机结构的立体图。

符号说明

9a···像素电极，6a···数据线，7···采样电路，7s···采样开关，10···TFT阵列基板，10a···图像显示区域，11a···扫描线，20···对向基板，21···对向电极，41、42、43···层间绝缘膜，50···液晶层，75···电介质膜，90···信号布线，91···图像信号线，92···使能信号线，95、95d、95s···电源布线，101···数据线驱动电路，102、102c、102d、102e···外部电路连接端子，104···扫描线驱动电路，VID1～VID6···图像信号，ENB1～ENB4···使能信号

具体实施方式

在下面，对于本发明的实施方式，在参照附图的同时，进行说明。在下面的实施方式中，将举例说明作为本发明电光装置一例的驱动电路内置型TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置。

<第1实施方式>

对于第1实施方式所涉及的液晶装置，参照图1到图17进行说明。

首先，参照图1及图2，对于本实施方式所涉及的液晶装置整体结构进行说明。这里，图1是表示本实施方式所涉及的液晶装置结构的平面图，图2是图1的H-H′线的剖面图。

在图1及图2中，在本实施方式所涉及的液晶装置中，TFT阵列基板10和对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10和对向基板20之间封入液晶层50，TFT阵列基板10和对向基板20利用密封区域所设置的密封部件52相互粘接，该密封区域位于作为本发明所涉及的“像素区域”一例的图像显示区域10a周围。

在图1中，与配置密封部件52的密封区域内侧并行，规定图像显示区域10a边框区域的遮光性边框遮光膜53设置到对向基板20侧。在周边区域之中的位于配置有密封材料52的密封区域外侧的区域，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一条边进行设置。在与沿着该一条边的密封区域相比靠内侧，使之被边框遮光膜53覆盖来设置采样电路7。另外，扫描线驱动电路104在沿着与该一条边相邻的2条边的密封区域内侧，使之被边框遮光膜53覆盖来设置。另外，在TFT阵列基板10上，在与对向基板20的4个边角部对向的区域，配置上下导通端子106，用来通过上下导通部件107连接两个基板之间。借此，可以在TFT阵列基板10和对向基板20之间取得电导通。还有，数据线驱动电路101、采样电路7及扫描线驱动电路104是本发明所涉及的“周边电路”一例。

在TFT阵列基板10上，形成信号布线90，用来对外部电路连接端子102和数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104及上下导通端子106等进行电连接。

在图2中，在TFT阵列基板10上形成下述叠层结构，该叠层结构装入了作为驱动元件的像素开关用TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)和扫描线、数据线等的布线。在图像显示区域10a，在像素开关用TFT和扫描线、数据线等布线的上层设置像素电极9a。另一方面，在对向基板20的和TFT阵列基板10之间的对向面上，形成遮光膜23。而且，在遮光膜23上，和多个像素电极9a对向，形成由ITO等透明材料构成的对向电极21。

还有，在TFT阵列基板10上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104之外，还可以形成用来对制造过程中或出厂时该液晶装置的品质、缺陷等进行检查的检查电路及检查用图形等。

下面，参照图3到图6，对于本实施方式所涉及的液晶装置像素的结构，进行说明。这里，图3是构成液晶装置图像显示区域且形成为矩阵状的多个像素中各种元件、布线等的等效电路图。图4及图5是表示TFT阵列基板上的像素所涉及的部分结构的平面图，分别相当于下述叠层结构之中的下层部分(图4)和上层部分(图5)。图6是将图4及图5拼合时的A-A′剖面图。还有，在图6中，由于将各层、各部件设为可在附图上辨认程度的大小，因而对该各层、各部件的每个都使比例尺不同。

<像素的原理性结构>

在图3中，在构成本实施方式所涉及的液晶装置的图像显示区域且形成为矩阵状的多个像素，分别形成像素电极9a和用来对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，并且供给图像信号的数据线6a电连接到该TFT30的源。向数据线6a写入的图像信号VS1、VS2、···、VSn既可以按该顺序依线次序来供给，又可以对相邻的多条数据线6a之间按每个组来供给。

另外，对TFT30的栅电连接扫描线11a，并且其构成为，按预定的定时对扫描线11a以脉冲方式将扫描信号G1、G2、···、Gm按该顺序依线次序施加。像素电极9a电连接到TFT30的漏，并且通过将作为开关元件的TFT30，只按一定期间关闭其开关，来以预定的定时写入从数据线6a供给的图像信号VS1、VS2、···、VSn。

通过像素电极9a对液晶所写入的预定电平的图像信号VS1、VS2、···、VSn，在其和在对向基板所形成的对向电极之间被保持一定期间。由于液晶根据施加的电压电平不同，分子集合的取向和秩序产生变化，因而可以对光进行调制，实现灰度等级显示。如果是常时亮态模式，则按照以各像素为单位所施加的电压减少对入射光的透射率，如果是常时暗态模式，则按照以各像素为单位所施加的电压增加对入射光的透射率，并且整体上从液晶装置出射具有与图像信号相应的对比度的光。

在此，为了防止所保持的图像信号出现漏损，与形成于像素电极9a和对向电极之间的液晶电容并联，附加了存储电容70。存储电容70的一方电极和像素电极9a并联，连接到TFT30的漏，另一方电极连接到电位固定的电容布线400，使之成为定电位。

<像素的具体结构>

下面，参照图4到图5，对于实现上述工作的像素具体结构进行说明。

在图4到图5中，上述像素的各电路要件作为进行了图形化并叠层了的导电膜，构成于TFT阵列基板10上。TFT阵列基板10例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板及半导体基板等构成，并且和例如由玻璃基板或石英基板构成的对向基板20对向配置。另外，各电路要件从下按顺序，包括：第1层，包括扫描线11a；第2层，包括TFT30等；第3层，包括数据线6a等；第4层，包括存储电容70等；和第5层，包括像素电极9a等。另外，在第1层-第2层间设置基底绝缘膜12，在第2层-第3层间设置第1层间绝缘膜41，在第3层-第4层间设置第2层间绝缘膜42，在第4层-第5层间设置第3层间绝缘膜43，防止上述各要件间产生短路。还有，其中第1层到第3层作为下层部分表示于图4中，第4层到第5层作为上层部分表示于图5中。

(第1层的结构-扫描线等-)

在图4中，第1层由扫描线11a构成。扫描线11a已被构图为下述形状，该形状包括：主线部，沿着图4的X方向延伸；和突出部，按数据线6a延伸的、图4的Y方向延伸。这种扫描线11a例如由导电性多晶硅构成，并且除此之外还可以采用含有钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)及钼(Mo)等高熔点金属之中至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物或它们的叠层体等，来形成。

如图4及图6所示，扫描线11a包括与沟道区域1a′对向的区域地配置于TFT30的下层侧，并且由导电膜构成。

(第2层的结构-TFT等-)

如图6所示，第2层由TFT30构成。TFT30例如为LDD(Lightly DopedDrain，轻掺杂漏)结构，并且具备栅电极3a、半导体层1a及绝缘膜2，该绝缘膜2包括对栅电极3a和半导体层1a进行绝缘的栅绝缘膜。栅电极3a例如采用导电性多晶硅来形成。半导体层1a例如由多晶硅构成，并且由沟道区域1a′、低浓度源区域1b与低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d与高浓度漏区域1e构成。还有，虽然优选的是，TFT30具有LDD结构，但既可以是不对低浓度源区域1b、低浓度漏区域1c进行杂质掺入的补偿(off set)结构，又可以是以栅电极3a作为掩模将杂质掺入成高浓度来形成高浓度源区域及高浓度漏区域的自匹配型。

TFT30的栅电极3a在其一部分3b，通过在基底绝缘膜12所形成的接触孔12cv，电连接到扫描线11a。基底绝缘膜12例如由氧化硅膜等构成，并且除第1层和第2层的层间绝缘功能之外，还因为形成于TFT阵列基板10的整个面上，而具有防止因基板表面研磨而产生的裂纹或污渍等引起的TFT30元件特性变化的功能。

还有，本实施方式所涉及的TFT30虽然是顶栅型，但是也可以是底栅型。

(第3层的结构-数据线等-)

如图6所示，第3层由数据线6a及中继层600构成。

数据线6a从下按顺序，作为铝、氮化钛、氮化硅的3层膜来形成。数据线6a的形成为，部分覆盖TFT30的沟道区域1a′。因此，可以利用能与沟道区域1a′接近配置的数据线6a，相对来自上层侧的入射光，将TFT30的沟道区域1a′加以遮光。另外，数据线6a通过贯通第1层间绝缘膜41的接触孔81，和TFT30的高浓度源区域1d进行电连接。

还有，在数据线6a的与沟道区域1a′对向的一侧，还可以形成与构成数据线6a主体的Al膜等导电膜相比反射率较低的导电膜。这样一来，就可以减低对沟道区域1a′的光影响。

中继层600作为和数据线6a同一膜来形成。中继层600和数据线6a如图4所示，其形成为各自被分割。另外，中继层600通过贯通第1层间绝缘膜41的接触孔83，和TFT30的高浓度漏区域1e进行电连接。

第1层间绝缘膜41例如采用NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)来形成。此外，还可以对第1层间绝缘膜41使用PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃以及氮化硅或氧化硅等。

(第4层的结构-存储电容等-)

如图6所示，第4层由存储电容70构成，存储电容70的结构为，作为本发明所涉及的“上侧电极”一例的电容电极300和作为本发明所涉及的“下侧电极”的下部电极71，通过作为本发明所涉及的“层间绝缘膜”一例的电介质膜75对向配置。

电容电极300的延伸部通过贯通第2层间绝缘膜42的接触孔84，和中继层600进行电连接。

电容电极300或下部电极71例如由含有Ti、Cr、W、Ta及Mo等高熔点金属之中至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物、将它们叠层后的叠层体等或者最好是钨硅化物，来构成。

电介质膜75如图5所示，在TFT阵列基板10上平面看上去形成在下述非开口区域，也就是说几乎不形成到开口区域，上述非开口区域位于每个像素的开口区域间隙。电介质膜75不用考虑透射率，而由介电常数较高的氮化硅膜等来形成。还有，作为电介质膜除了氮化硅膜之外，例如还可以使用氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)等的单层膜或多层膜。

第2层间绝缘膜42例如采用NSG来形成。此外，对第2层间绝缘膜42可以使用PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等。第2层间绝缘膜42的表面进行过化学研磨处理(Chemical MechanicalPolishing：CMP，化学机械研磨)或研磨处理、旋压覆盖处理、对凹处的填埋处理等平坦化处理。因而，因下层侧的这些要件引起的凹凸被去除，第2层间绝缘层42的表面得以平坦化。还有，这种平坦化处理也可以对其他层间绝缘膜的表面进行。

(第5层的结构-像素电极等-)

如图6所示，在第4层的整个面形成第3层间绝缘膜43，并且在其上作为第5层形成像素电极9a。第3层间绝缘膜43例如采用NSG来形成。此外，对第3层间绝缘膜43可以使用PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等。第3层间绝缘膜43的表面和第2层间绝缘膜42相同，进行过CMP等的平坦化处理。

如图4及图5所示，像素电极9a(在图5中，用虚线9a′表示出轮廓)配置于按纵横所划分排列的像素区域各自，并且其形成为，在其边界数据线6a及扫描线11a排列成网格状。另外，像素电极9a例如由ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等的透明导电膜构成。

如图6所示，像素电极9a通过贯通层间绝缘膜43的接触孔85，和电容电极300的延伸部进行电连接。因而，作为像素电极9a正下方的导电膜之电容电极300的电位为像素电位。因而，在液晶装置工作时，没有因像素电极9a和其下层的导电膜之间的寄生电容而使像素电位受到不良影响的状况。

再者，如上所述，电容电极300的延伸部和中继层600以及中继层600和TFT30的高浓度漏区域1e分别通过接触孔84及83进行电连接。也就是说，像素电极9a和TFT30的高浓度漏区域1e在中继层600及电容电极300的延伸部进行中继，被进行中继连接。

在像素电极9a的上侧设置取向膜16，该取向膜16实施过摩擦处理等预定的取向处理。

以上是TFT阵列基板10侧的像素结构。

另一方面，在对向基板20，在其对向面的整个面设置对向电极21，并且在其上(图6中是对向电极21的下侧)设置取向膜22。对向电极21和像素电极9a相同，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。还有，在对向基板20和对向电极21之间，为了防止TFT30中光泄漏电流的发生等，设置有遮光膜23，使之至少覆盖和TFT30正相对的区域。

在这样所构成的TFT阵列基板10和对向基板20之间，设置液晶层50。液晶层50是在利用密封部件将基板10及20的周缘部密封所形成的空间内封入液晶来形成的。液晶层50在未对像素电极9a和对向电极21之间施加电场的状态下，利用实施过摩擦处理等取向处理的取向膜16及取向膜22，取得预定的取向状态。

上面所说明的像素结构如图4及图5所示，在各像素中相同。在上述图像显示区域10a(参见图1)，此像素被周期性形成。

下面，参照图7及图8，对于数据线驱动电路及采样电路所涉及的电路结构以及利用信号布线等进行的电连接关系，进行说明。这里，图7是表示数据线驱动电路及采样电路所涉及的电路结构以及利用信号布线等进行的电连接关系的说明图。图8是表示图7所示的结构之中与传输信号的整形有关的电路系统的电路图。

在图7中，数据线驱动电路101具备移位寄存器51和逻辑电路52。

移位寄存器51的构成为，根据输入数据线驱动电路101内的预定周期的X侧时钟信号CLX(及其反相信号CLX′)、移位寄存器起始信号DX，从各级依次输出传输信号Pi(i＝1、···、n)。在液晶装置的工作时，对移位寄存器51，从外部电路通过外部电路连接端子102以及作为本发明所涉及的“定电位布线”一例的电源布线95，供给电源VDDX(及与电源相比低电位的电源VSSX)，驱动构成移位寄存器51的晶体管。

逻辑电路52包括脉冲宽度限制机构，并且具有下述功能，即根据使能信号ENB1～ENB4，对从移位寄存器51依次输出的传输信号Pi进行整形，并基于此最后输出采样电路驱动信号Si。在图8中，在逻辑电路52中，包括脉冲宽度控制机构540、预充电用电路521及反相电路523。

在图8中，脉冲宽度控制机构540具备逻辑电路，用来对从移位寄存器51所输出的传输信号Pi的波形进行整形。更为具体而言，脉冲宽度控制机构540由对应于移位寄存器51的各级所设置的单位电路540A来构成，并且单位电路540A由NAND(与非)电路来构成。

在图8中，给NAND电路540A的栅，输入从移位寄存器51对应的级输出的传输信号Pi和由作为本发明所涉及的“多条信号布线”一例的4条使能信号线92供给的使能信号ENB1～ENB4之中的一个。给NAND电路540A，作为NAND电路540A的电源，通过图8中未图示的布线供给电源VDDX(及VSSX)。电源VDDX是对构成NAND电路540A的晶体管的漏输入的信号，电源VSSX是对构成NAND电路540A的晶体管的源输入的信号。

NAND电路540A通过计算所输入的传输信号Pi及使能信号ENB1～ENB4的逻辑积，来进行传输信号Pi的整形。据此，NAND电路540A生成整形信号Qai并加以输出，该整形信号Qai是对传输信号Pi实施过整形的信号。还有，在各单位电路540A中除NAND电路之外，还可以设置反相电路等，用来使输入给NAND电路的传输信号Pi或使能信号ENB1～ENB4以及从NAND电路输出的整形信号Qai的逻辑产生反相。

传输信号Pi的波形通过脉冲宽度控制机构540并根据脉冲宽度窄的使能信号ENB1～ENB4的波形进行修整，最终脉冲宽度或脉冲周期等的脉冲形状得到限制。

逻辑电路52具备对应于移位寄存器51的各级所设置的预充电用电路521。单位电路521A利用反相电路521a和NAND电路521b，实质上作为NOR(或非)电路来形成，该反相电路521a用来使由预充电用信号供给线93所供给的预充电用选择信号NRG的逻辑产生反相，该NAND电路521b其栅被输入在反相电路521a中逻辑反相后的预充电用选择信号NRG及整形信号Qai。在NOR电路521A中，运算整形信号Qai及预充电用选择信号NRG的逻辑和，输出整形信号Qai及预充电用选择信号NRG的某一个，来作为输出信号Qbi。这样所输出的输出信号Qbi通过2个反相电路523，作为采样电路驱动信号Si加以输出。

还在图7中，从作为本发明所涉及的“多条信号布线”一例的图像信号线91分支的分支布线116连接到构成采样电路7且由TFT等构成的采样开关7s的源，从数据线驱动电路101分支的采样电路驱动信号线117连接到采样开关302的栅。因而，在液晶装置的工作时，从外部电路给图像信号VID1～VID6用的外部电路连接端子102施加的图像信号，经由从图像信号线91分支的分支布线116供给采样电路7，在此按照与从数据线驱动电路101经由采样电路驱动信号线117所供给的采样电路驱动信号Si相应的定时，进行采样。然后，所采样的图像信号被向各数据线6a供给。

经由从图像信号线91分支的分支布线116给采样电路7供给的图像信号虽然也可以按线顺序来供给，但是在本实施方式中其构成为，图像信号对应于按6相进行了串行-并行展开后的图像信号各自，对6条数据线6a的组按每个组进行供给。还有，有关图像信号的相展开数，并不限于6相，例如也可以构成为，按9相、12相、24相等多个相展开后的图像信号对于将与其展开数对应的数目作为一组的数据线6a的组进行供给。

下面，参照图6、图7及图9到图11，对于本实施方式所涉及的液晶装置的信号布线进行详细说明。这里，图9是图7中B-B′线的剖面图。图10是第1变形例中和图9相同内容的剖面图。图11是第2变形例中和图9相同内容的剖面图。还有，在图9到图11中，由于将各层、各部件设为可在附图上辨认程度的大小，因而对该各层、各部件的每个都使比例尺不同。

在图7中，图像信号线91、使能信号线92及电源布线95等的信号布线90分别从对应的外部电路连接端子102向数据线驱动电路101等进行布线。还有，作为信号布线90，还设置用来供给时钟信号、各种控制信号及电源信号等的布线，这些信号用来驱动数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104等的周边电路。

如图9所示，在本实施方式中，特别是图像信号线91、使能信号线92及电源布线95等的信号布线90由通过第2层间绝缘膜42及电介质膜75位于相互不同的层的多个导电膜来形成。因而，图像信号线91、使能信号线92及电源布线95等的信号布线90可以布线为，在TFT阵列基板10上平面看上去至少部分相互重合。因而，在从其法线方向看基板的一定区域内，可以布线更多的信号布线90，使之相互不产生短路。也就是说，能够既将一条一条的布线宽度相对确保得较宽，又布线更多的信号布线90。据此，能够既将图像显示区域10a确保得较宽，又谋求由位于图像显示区域10a周边的周边区域的削减而得到的TFT阵列基板10整体进而液晶装置整体的小型化。

再者，在本实施方式中，特别是多条信号布线90按信号的频带由不同的导电膜来分别形成。如图9所示，也就是说供给使能信号ENB1～ENB4的使能信号线92，由和用来供给图像信号的图像信号线91不同的导电膜来分别形成，该使能信号具有比图像信号VID1～VID6高的频率。还有，使能信号线92是本发明所涉及的“第1频率信号布线”一例，图像信号线91是本发明所涉及的“第2频率信号布线”一例。除此之外，在图像信号线91和使能信号线92之间，分别通过电介质膜75及第2层间绝缘膜42，布线电源布线95。因而，由于通过电源布线95供给的电源VDDX的电位为一定，因此电源布线95在图像信号线91及使能信号线92间作为屏蔽膜来发挥作用。也就是说，可以减低图像信号及使能信号间的电磁干扰。特别是，可以减低因使能信号ENB1～ENB4比图像信号VID1～VID6的频率高而产生的对图像信号VID1～VID6的电磁噪声。因而，可以进行高品质的图像显示。还有，对于下述信号布线90来说，也同样因为由和形成图像信号线91的导电膜不同的导电膜来形成，所以可以减低对图像信号VID1～VID6的电磁噪声，上述信号布线90供给比图像信号的频带高的频率的信号，例如用来驱动数据线驱动电路101的时钟信号CLK等。

在图6及图9中，在本实施方式中，特别是图像信号线91由和构成电容电极300的导电膜为同一膜的膜来形成，电源布线95由和构成下部电极71的导电膜为同一膜的膜来形成，使能信号线92由和构成数据线6a的导电膜为同一膜的膜来形成。因而，图像信号线91、电源布线95及使能信号线92可以分别按和电容电极300、下部电极71及数据线6a的形成相同的时机，来形成。也就是说，可以在不导致制造工艺复杂化的状况下，将多条信号布线及屏蔽膜由多个导电膜来形成。还有，图像信号线91、电源布线95及使能信号线92等的信号布线90也可以分别由和构成电容电极300、下部电极71及数据线6a某一个的导电膜为同一膜的膜，来形成。再者，也可以由和像素中的除电容电极300、下部电极71及数据线6a之外的导电膜为同一膜的膜，来形成。

除此之外，如图9所示，在本实施方式中，特别是使能信号线92、电源布线95及图像信号线91在TFT阵列基板10上，按该顺序分别通过第2层间绝缘膜42及电介质膜75进行叠层。也就是说，图像信号线91形成于叠层结构的靠近表面的一方。因而，为了电连接靠近叠层结构表面所形成的外部电路连接端子102和图像信号线91所需要的接触孔数量可以较少。因而，可以使图像信号线91低电阻化。据此，可以进行高品质的图像显示。另一方面，使能信号线92形成于叠层结构的靠近TFT阵列基板10表面的一方。电连接使能信号线92且构成逻辑电路52的TFT等形成于靠近基板面的一方。因而，使能信号线92和构成逻辑电路52的TFT等之间的接触孔数量可以较少。因而，可以容易连接使能信号线92和逻辑电路52。

这里，如图10中作为第1变形例所示，图像信号线91、电源布线95及使能信号线92也可以在TFT阵列基板10上，按该顺序分别通过第2层间绝缘膜42及电介质膜75进行叠层。也就是说，使能信号线92也可以形成到叠层结构的靠近表面的一方。这种情况下，可以将因使能信号ENB1～ENB4的频率较高引起的由使能信号线92发生的热，通过叠层结构的表面散热或去除。也就是说，可以对使能信号线92进行冷却。

还在图7中，在本实施方式中，特别是电源布线95的布线宽度在TFT阵列基板10上平面看上去，比图像信号线91及使能信号线92的布线宽度宽。换言之，电源布线95形成为，在TFT阵列基板10上平面看上去，和多条图像信号线91及多条使能信号线92部分相互重合。因而，可以进一步可靠地减低图像信号线91及使能信号线92间的电磁干扰，也就是说，可以使电源布线95作为屏蔽膜的功能得到提高。再者，由于电源布线95的布线宽度较宽，因而可以谋求电源信号布线95的低电阻化。因而，可以利用电源布线95，给数据线驱动电路101供给稳定的电源VDDX。

在此，如图11中作为第2变形例所示，电源将具有预定电位之电源VDDX及具有比电源VDDX的电位低的电位之电源VSSX作为一组，并且用来供给电源VDDX的电源布线95d及用来供给电源VSSX的电源布线95s的布线宽度，也可以至少部分比图像信号线91及使能信号线92任一个的布线宽度窄。还有，电源VDDX是本发明所涉及的“第1电位”一例，电源VSSX是本发明所涉及的“第2电位”一例。另外，电源布线95d是本发明所涉及的“第1电位电源布线”一例，电源布线95s是本发明所涉及的“第2电位电源布线”一例。再者，电源布线95d及95s作为一组，也可以布线为，在TFT阵列基板10上平面看上去，至少部分相互排列且和图像信号线91及使能信号线92的各自重合。这种情况下，图像信号线91及使能信号线92间的电磁噪声通过电源布线95d及95s得到减低。再者，假设在一个图像信号线91及使能信号线92间布线电源布线95d并且在另一个图像信号线91及使能信号线92间布线电源布线95s时，两者对图像信号线91及使能信号线92间的电磁影响不同。然而，在本实施方式中，由于电源布线95d及95s作为一组，和图像信号线91及使能信号线92的各自重合，因而可以获得大致均匀的屏蔽效果。

下面，参照图12及图13，对于与图像信号线和采样电路之间的电连接有关的具体结构，进行说明。这里，图12是图像信号线及分支布线的布置图。图13是图12中D-D′线的剖面图。

如图12所示，在TFT阵列基板10上，采样电路驱动信号线117从数据线驱动电路101按和图像信号线91交叉的方向来布线，并且按每个采样开关7s分支按数据线6a延伸的方向来布置。另外，分支布线116，从通过在电介质膜75中所开出的接触孔181电连接于对应的图像信号线91的一端侧，沿数据线6a延伸的方向来布线。而且，分支布线116的一部分形成采样开关7s的源电极，数据线6a的一部分形成采样开关7s的漏电极，采样电路驱动信号线117的一部分形成采样开关7s的栅电极。还有，如图12及图13所示，分支布线116通过第1层间绝缘膜41中所开出的接触孔183，和采样开关7s的半导体层1a进行电连接。

如图13所示，在本实施方式中，特别是该分支布线116包括一端与对应的图像信号线91进行电连接的作为本发明所涉及的“中继层”一例的中继布线500。中继布线500由和构成作为屏蔽膜来发挥作用的电源布线95之导电膜、也就是构成下部电极71的导电膜为同一膜的膜，来形成，中继布线500与分支布线116之中的除去中继布线500的部分的布线，通过第2层间绝缘膜42中所开出的接触孔182进行电连接。也就是说，作为本发明所涉及的“上层侧信号布线”一例的图像信号线91和中继布线500以及中继布线500和构成作为本发明所涉及的“下侧周边电路”一例的采样电路7之采样开关7s，通过各自之间的介质膜75或第2层间绝缘膜42中所开出的接触孔181或182，进行电连接。因而，可以避免图像信号线91及构成采样电路7的采样开关7s间的层间距离较长而难以利用一个接触孔来连接双方之间的状况。而且，由于中继布线500由和作为屏蔽膜来发挥作用的电源布线95为同一膜的膜，来形成，因而不导致叠层结构及制造工艺的复杂化。

下面，参照图14到图17，对于外部电路连接端子周边的信号布线布置，进行说明。这里，图14是外部电路连接端子周边的信号布线布置图。图15是图14中D-D′线的剖面图。图16是图14中E-E′线的剖面图。图17是图14中F-F′线的剖面图。还有，在图15到图17中，由于将各层、各部件设为可在附图上辨认程度的大小，因而对该各层、各部件的每个都使比例尺不同。

在图14中，图像信号线91、电源布线95及使能信号线92分别电连接到对应的外部电路连接端子102d、102e及102f。外部电路连接端子102d、102e及102f相互相邻。如图15到图17所示，这些外部电路连接端子102d、102e及102f由和构成图像信号线91的导电膜、也就是构成电容电极300的导电膜为同一膜的膜，来形成。

如图14及图15所示，图像信号线91由和外部电路连接端子102d为同一膜的膜，来整体形成。

如图14及图16所示，电源布线95通过设置于外部电路连接端子102e的周围、在电介质膜75中所开出的接触孔191，和外部电路连接端子102e进行电连接。

如图14及图17所示，使能信号线92通过设置于外部电路连接端子102f的周围、贯通电介质膜75及第2层间绝缘膜42的接触孔192，和外部电路连接端子102f进行电连接。

如图14所示，在本实施方式中，特别是电源布线95在TFT阵列基板10上平面看上去，部分和电连接于与外部电路连接端子102e相邻的外部电路连接端子102d及102f的图像信号线91及使能信号线92相互重合。也就是说，在TFT阵列基板10上平面看上去，在位于图像信号线91及使能信号线92和外部电路连接端子102d及102f分别连接的部分的周边的区域，也存在电源布线95的一部分。因而，在位于图像信号线91及使能信号线92和外部电路连接端子102d及102e分别电连接的部分的周边的区域，也可以利用作为屏蔽膜的电源布线95，进一步可靠地减低图像信号线91及使能信号线92间的电磁干扰。还有，作为屏蔽膜的电源布线95也可以在TFT阵列基板10上平面看上去，和外部电路连接端子102c或102e部分或完全重合。

如同上面所说明的那样，根据本实施方式的液晶装置，可以缩小TFT阵列基板10的尺寸，能够使液晶装置小型化，并且可以减低不同种类的信号间的电磁干扰，进行高品质的图像显示。

<第2实施方式>

下面，对于第2实施方式所涉及的液晶装置，参照图18进行说明。这里，图18是第2实施方式中和图6相同内容的剖面图。还有，在图18中，对和图6所示的第1实施方式所涉及的结构要件相同的结构要件附上相同的参照符号，对它们的说明适当予以省略。

在图18中，本实施方式的液晶装置中的像素从下按顺序，包括：第1层，包括扫描线11a；第2层，包括栅电极3a；第3层，包括存储电容70；第4层，包括数据线6a等；第5层，包括电容布线400等；以及第6层，包括像素电极9a等。

第1层及第2层的结构和上述第1实施方式中的像素结构大体相同。

(第3层的结构-存储电容等-)

在图18中，第3层由存储电容70构成。其中，电容电极300电连接到电容布线400。下部电极71电连接到TFT30的高浓度漏区域1e及像素电极9a的各自。还有，电容布线400是本发明所涉及的“上侧电极”一例。

下部电极71和高浓度漏区域1e通过第1层间绝缘膜41中所开出的接触孔83进行连接。另外，下部电极71和像素电极9a通过接触孔881、882、804及89，利用在中继电极719、第2中继电极6a2及第3中继电极402的各层中进行中继所构成的路径，进行电连接。

在这种电容电极300中，例如由含有Ti、Cr、W、Ta及Mo等高熔点金属之中至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物、将它们叠层后的叠层体或者最好是钨硅化物，来构成。另外，对下部电极71，例如使用导电性的多晶硅。

(第4层的结构-数据线等-)

在图18中，第4层由数据线6a构成。数据线6a从下按顺序，作为铝、氮化钛、氮化硅的3层膜来形成。另外，在第4层中作为和数据线6a为同一膜的膜，形成第2中继电极6a2。

其中，数据线6a通过贯通第1层间绝缘膜41及第2层间绝缘膜42的接触孔81，和TFT30的高浓度源区域1d进行电连接。另外，第2中继电极6a2如上所述，通过贯通第1层间绝缘膜41及第2层间绝缘膜42的接触孔882，电连接到中继电极719。

(第5层的结构-电容布线等-)

在图18中，第5层由电容布线400及第3中继电极402来构成。电容布线400例如为叠层了铝、氮化钛的双层结构。电容布线400和电容电极300为通过接触孔801进行连接的结构。另外，作为和电容布线400同一膜，形成第3中继电极402。第3中继电极402如上所述，通过接触孔804及接触孔89，对第2中继电极6a2-像素电极9a间进行中继。

(第6层的结构-像素电极等-)

在图18中，在第4层间绝缘膜44，开出用来电连接像素电极9a-第3中继电极402间的接触孔89。

以上是本实施方式的像素结构。

如上所述，在本实施方式的像素中，分别形成电容布线400、数据线6a、电容电极300及下部电极71的膜是导电膜。因而，也可以将图像信号线91、电源布线95、使能信号线92等的信号布线90或屏蔽膜，由和它们4种导电膜的任一为同一膜的膜来形成。这样一来，和第1实施方式的液晶装置相同，可以在不导致制造工艺复杂化的状况下，将图像信号线91、电源布线95、使能信号线92等信号布线90或屏蔽膜的各自，由相互不同的导电膜来形成。因而，可以减小为了布线图像信号线91、电源布线95、使能信号线92等信号布线90所需要的TFT阵列基板10上的面积，并且可以利用屏蔽膜来减低不同种类的信号间的电磁干扰。

(电子设备)

下面，对于将作为上述电光装置的液晶装置使用于各种电子设备中的情形，进行说明。

首先，对于将该液晶装置作为光阀来使用的投影机，进行说明。图19是表示投影机结构例的平面图。如该图19所示，在投影机1100内部，设置由卤素灯等白色光源构成的灯组件1102。从该灯组件1102所射出的投影光通过光导向装置1104内所配置的4片反射镜1106及2片分色镜1108，分离成RGB的3原色，入射到作为与各原色对应的光阀之液晶面板1110R、1110B及1110G。

液晶面板1110R、1110B及1110G的结构和上述液晶装置相同，按照从图像信号处理电路供给的R、G、B原色信号分别进行驱动。而且，由这些液晶面板调制后的光从3个方向入射到分色棱镜1112。在该分色棱镜1112，R及B的光弯折90度，另一方面G的光直行。因而，各色的图像被合成的结果为，通过投影透镜1114，向屏幕等投影彩色图像。

在此，注意由各液晶面板1110R、1110B及1110G得到的显示像得知，由液晶面板1110G得到的显示像需要对由液晶面板1110R、1110B得到的显示像进行左右翻转。

还有，在液晶面板1110R、1110B及1110G，由于通过分色镜1108，入射与R、G、B的各原色对应的光，因而不需要设置滤色器。

接着，对于将液晶装置使用于便携式个人计算机中的例子，进行说明。图20是表示该个人计算机结构的立体图。在图20中，计算机1200由具备键盘1202的主体部1204和液晶显示单元1206来构成。该液晶显示单元1206是通过在上面所述的液晶装置1005背面附加背光源来构成的。

再者，对于将液晶装置使用于便携式电话机中的例子，进行说明。图21是表示该便携式电话机结构的立体图。在图21中，便携式电话机1300除多个操作按键1302之外，还具备反射型的液晶装置1005。在该反射型的液晶装置1005中，根据需要在其前面设置前光源。

还有，除了参照图19到图21所说明的电子设备之外，还能列举出液晶电视、取景器式、监视直观式的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端及具备触摸面板的装置等。而且，不言而喻，可以使用于这些各种电子设备中。

另外，本发明除上述实施方式中所说明的液晶装置之外，还可以使用于在硅基板上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、场致发射型显示器(FED、SED)及有机EL显示器等中。

本发明并不限于上述的实施方式，而可以在不违反从技术方案及说明书总体领会的发明宗旨或构思的范围内，进行适当变更，并且伴随那种变更的电光装置及具备该电光装置的电子设备，也全都包括在本发明的技术范围内。

Claims (12)

1.一种电光装置，其特征为，

在基板上，具备：

多个像素，其设置于像素区域；

周边电路，其设置在位于上述像素区域的周边的周边区域，用来控制上述多个像素；

多条信号布线，其分别供给用来控制上述周边电路的多种信号之中的不同种类的信号，由通过层间绝缘膜位于相互不同的层的多个导电膜分别形成，并且具有在上述周边区域至少在一部分相互重合的部分；以及

屏蔽膜，其设置为，位于上述多条信号布线相互重合的部分之间的层、与上述多条信号布线重合。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征为：

在上述基板上还具备多条数据线及多条扫描线，其设置为，在上述像素区域相互交叉，

上述像素对应于上述数据线及上述扫描线的交叉处设置，在上述基板上具备按顺序叠层有下侧电极、电介质膜及上侧电极的存储电容，

分别构成上述多个导电膜、上述屏蔽膜的膜，和分别构成上述数据线、上述下侧电极及上述上侧电极的导电膜之中的任一个膜，为同一膜。

3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为：

上述多条信号布线按所要供给的信号的频率由不同的上述导电膜分别形成。

4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征为：

上述多条信号布线，包括：

第1频率信号布线，其用来供给上述频率为第1频率的信号；和

第2频率信号布线，其用来供给上述频率为比上述第1频率低的第2频率的信号；

按上述第1频率信号布线、上述屏蔽膜、上述第2频率信号布线的顺序，在上述基板上，将它们相互通过层间绝缘膜叠层。

5.根据权利要求3所述的电光装置，其特征为：

上述多条信号布线，包括：

第1频率信号布线，其用来供给上述频率为第1频率的信号；和

第2频率信号布线，其用来供给上述频率为比上述第1频率低的第2频率的信号；

按上述第2频率信号布线、上述屏蔽膜、上述第1频率信号布线的顺序，在上述基板上，将它们相互通过层间绝缘膜叠层。

6.根据权利要求4或5所述的电光装置，其特征为：

上述屏蔽膜是用来供给一定电位的定电位布线。

7.根据权利要求6所述的电光装置，其特征为：

上述定电位布线的布线宽度在上述基板上平面看，至少部分比上述第2频率信号布线及上述第1频率信号布线至少一方的布线宽度宽。

8.根据权利要求6所述的电光装置，其特征为：

上述定电位布线的布线宽度在上述基板上平面看，至少部分比上述第1及第2频率信号布线至少一方的布线宽度窄。

9.根据权利要求8所述的电光装置，其特征为：

上述一定电位是具有第1电位和第2电位的电源电位，该第2电位是比该第1电位低的电位，

上述定电位布线由用来供给上述第1电位的第1电位电源布线及用来供给上述第2电位的第2电位电源布线构成，

上述定电位布线的布线宽度至少部分比上述第1及第2频率信号布线任一个的布线宽度窄，

上述第1及第2电位电源布线其布线为，在上述基板上平面看，至少部分并列配置，且和上述第1及第2频率信号布线分别重合。

10.根据权利要求1所述的电光装置，其特征为：

还具备中继层，其由和上述屏蔽膜为同一膜的膜来形成，用来对上层侧信号布线和下层侧周边电路进行电中继连接，该上层侧信号布线为上述多条信号布线之中的、与上述屏蔽膜相比在上层侧所形成的布线，该下层侧周边电路为上述周边电路之中的、与上述屏蔽膜相比在下层侧所形成的电路。

11.根据权利要求1所述的电光装置，其特征为：

在上述基板上还具备多个外部电路连接端子，其分别电连接于上述多条信号布线及屏蔽膜，排列于上述周边区域，

上述屏蔽膜在上述基板上平面看，至少部分和电连接于与电连接有上述屏蔽膜的上述外部电路连接端子相邻的上述外部电路连接端子的上述信号布线相互重合。

12.一种电子设备，其特征为：

具备权利要求1到11中任一项所述的电光装置。

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