JP2002049052A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、比較的
簡単な装置構成により、基板上の周辺領域に設けられた
信号線上の信号におけるノイズを低減し、高品位の画像
表示を行なう。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上の画像表示領域に、画素電極（９ａ）と、これに
接続されたＴＦＴ（３０）及び容量線（３００）を備
え、更にＴＦＴに接続されたデータ線（６ａ）及び走査
線（３ａ）を備える。周辺領域に、データ線の駆動に係
る回路を含む周辺回路と、これに接続されており容量線
と同一膜からなる信号線（４００）と、これを少なくと
も一方向から電気遮蔽するデータ線と同一膜からなるシ
ールド（４０１ａ）を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置の技術分野に属し、特に、ＴＦＴアレイ基板上
の周辺領域に設けられたデータ線駆動回路、サンプリン
グ回路等の周辺回路により画像信号、クロック信号等に
応じてデータ線を駆動する形式の電気光学装置の技術分
野に属する。

【０００２】

【背景技術】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆
動方式の電気光学装置においては、縦横に夫々配列され
た多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点に対
応して多数の画素電極がＴＦＴアレイ基板上に設けられ
ている。そして、これらに加えて、データ線駆動回路、
サンプリング回路、走査線駆動回路等の周辺回路、更に
このような周辺回路に接続された画像信号線や制御信号
線（例えば、クロック信号線や波形選択信号線）などの
信号線が、係るＴＦＴアレイ基板上の周辺領域に設けら
れる場合がある。

【０００３】この場合、データ線駆動回路には、画像信
号の供給タイミングの基準となる基準クロック（以下、
Ｘ側基準クロックと称す）や所謂ゴーストの発生を防ぐ
ための波形選択信号などの制御信号、表示すべき画像の
内容に対応する画像信号、正や負の定電位電源等が、Ｔ
ＦＴアレイ基板に設けられた外部入力端子及び配線を介
して夫々供給される。他方、走査線駆動回路には、走査
信号の供給タイミングの基準となる基準クロック（以
下、Ｙ側基準クロックと称す）、正や負の定電位電源等
が、やはりＴＦＴアレイ基板に設けられた外部入力端子
及び配線を介して供給される。そして例えば、走査線駆
動回路により、Ｙ側基準クロックに基づくタイミングで
走査信号を走査線に線順次で供給する。これに対応して
データ線駆動回路が、入力された画像信号をサンプリン
グするサンプリング回路を、Ｘ側基準クロックに基づく
タイミングで順次駆動して、サンプリング回路から画像
信号がデータ線に供給される。これらの結果、走査線に
ゲート接続された各ＴＦＴは、走査信号の供給に応じて
導通状態とされ、画像信号がデータ線及び当該ＴＦＴを
介して画素電極に供給されて各画素における画像表示が
行われる。

【０００４】近年特に、表示画像の高解像度化に伴っ
て、非常に高い周波数のシリアルな画像信号が入力され
るようになってきている。例えば、画像信号のドット周
波数は、近時の高解像度のパソコン画面において使用さ
れるＸＧＡ表示モードでは約６５ＭＨｚであり、ＳＸＧ
Ａ表示モードでは約１３５ＭＨｚであり、従来のＶＧＡ
表示モードにおけるドット周波数（約３０ＭＨｚ）を遥
かに上回る。これに対応すべく、特にデータ線駆動回路
に供給されるＸ側基準クロックの周波数も非常に高くな
る。更に、このように高い画像信号の周波数を、サンプ
リング回路でサンプリング可能な程度の周波数に落とす
ために、電気光学装置に入力される前段階で、高周波数
のシリアルな画像信号を複数のパラレルな画像信号にシ
リアル−パラレル変換する処理が行われている。例え
ば、前述のＶＧＡ表示モードでは、６個程度のパラレル
な画像信号への変換が行われており、ＸＧＡ表示モード
やＳＸＧＡ表示モードでは、サンプリング回路の性能に
応じて、例えば１２個或いは２４個程度のパラレルな画
像信号への変換が必要となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
表示画像の高品位化の要請の下では、このように基準ク
ロックの周波数を高くすることによる、高周波のクロッ
クノイズの発生が無視し得ないようになる。即ち、例え
ば従来の比較的周波数の低いＸ側基準クロックをデータ
線駆動回路に供給してサンプリング回路を駆動する構成
において、そのままクロック信号の周波数を上げたので
は、サンプリング回路に入力される画像信号中やサンプ
リング回路から出力される画像信号中に高周波のクロッ
クノイズが発生して、データ線に供給すべき画像信号が
変化してしまう。このように変化した画像信号の供給を
受けたのでは、各画素電極により表示される画像もやは
り変化してしまうという問題点がある。例えば、各画素
において中間レベルの階調表示を行う時に、数ｍＶ〜数
十ｍＶ程度の微少なノイズが画像信号中に飛び込んだだ
けでも、表示画像中に視認可能な程度のノイズとして現
れてしまう。これは、最高又は最低の液晶駆動電圧（例
えば、０〜５Ｖ間の電圧）に対応する白又は黒レベルの
表示を行っている場合と比べて、中間レベルにおける液
晶駆動電圧の変化に対する液晶の透過率の変化が急峻だ
からである。このように高精度の多階調表示を実現する
ためには、高周波のクロックノイズの問題は重大であ
る。

【０００６】他方で、前述のようにシリアル−パラレル
変換によるパラレルな画像信号の個数を増やすことによ
りサンプリング回路に供給される画像信号の周波数を下
げることはできるが、電気光学装置の基板に設けねばな
らない画像信号入力用の外部入力端子の数や画像信号線
の数は、このパラレルな画像信号の個数の増加に対応し
て増やさねばならない。従って、限られた基板上の周辺
領域に多数の信号線を極めて近接配置せねばならず、結
果として、近接配置された一の信号線（例えば、クロッ
ク信号線）をノイズ源として他の信号線（例えば、画像
信号線）上の信号中に飛び込むノイズが増大してしまう
という問題点が生ずる。しかも、シリアル−パラレル変
換によるパラレルな画像信号の個数を増やす程、画素電
極への書き込み能力不足に起因して発生するブロックゴ
ースト（即ち、パラレルな画像信号が供給される複数の
データ線に対応する画素電極群を一纏めとして発生する
ブロック状のゴースト）が画像表示領域内に占める面積
が増加する。この結果、ブロックゴーストが視覚上目立
つようになるという深刻な問題も生じる。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、基板上の周辺領域に設けられた信号線上の信号
におけるノイズが低減されており、高品位の画像表示が
可能な電気光学装置を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に、
複数の画素電極と、該画素電極に蓄積容量を付加するた
めの第１導電膜からなる容量線と、該第１導電膜上に層
間絶線膜を介して積層された第２導電膜からなるデータ
線とを備え、前記基板上の前記画像表示領域の周辺に位
置する周辺領域に、前記データ線の駆動に係る回路を含
む周辺回路と、該周辺回路に接続されており前記第１導
電膜及び前記第２導電膜の一方からなる信号線と、該信
号線を少なくとも一方向から電気遮蔽する前記第１導電
膜及び前記第２導電膜の他方からなるシールドとを備え
る。

【０００９】本発明の電気光学装置によれば、画像表示
領域では、容量線をなす第１導電膜上に、データ線をな
す第２導電膜が層間絶線膜を介して積層されている。周
辺領域では、これら第１導電膜及び第２導電膜の一方か
ら、周辺回路に接続された信号線が形成されており、こ
れら第１導電膜及び第２導電膜の他方から、信号線を少
なくとも一方向（例えば、上方や下方）から電気遮蔽す
るシールドが形成されている。従って、容量線をなす第
１導電膜を利用して周辺領域における信号線を形成しつ
つ、データ線をなす第２導電膜を利用して係る信号線を
電気遮蔽することにより、信号線上の信号への電磁ノイ
ズの飛び込みを効果的に低減でき、又は信号線からの電
磁ノイズの発生を効果的に低減できる。或いは、信号線
をなす第２導電膜を利用して周辺領域における信号線を
形成しつつ、容量線をなす第１導電膜を利用して係る信
号線を電気遮蔽することにより、信号線上の信号への電
磁ノイズの飛び込みを効果的に低減でき、又は信号線か
らの電磁ノイズの発生を効果的に低減できる。しかも、
いずれの場合にも、周辺領域に信号線やシールドを形成
するために専用の膜を別途形成しないで済むので、装置
構成及び製造工程を簡略化する上でも有利である。特
に、画像品位の向上のために画素ピッチを微細化し駆動
周波数を高めた場合に、一般にこのような信号線に係る
ノイズは相対的に増加する。従って、本発明のように周
辺領域に配線された画像信号線、制御信号線等の信号線
を電気遮蔽する構成は、画素ピッチを微細化し或いは駆
動周波数を高める上で大変有利である。

【００１０】尚、本発明における周辺回路のうち「デー
タ線の駆動に係る回路」とは、例えばデータ線を駆動す
るデータ線駆動回路の他、データ線駆動回路からのサン
プリング回路駆動信号による制御を受けて複数のデータ
線に画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリン
グ回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャー
ジ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ
回路等を含む、データ線の駆動或いはデータ線への画像
信号の供給に関連する回路を全て含む広い意味である。
また、「周辺回路」とは、このようなデータ線の駆動に
係る回路以外に、例えば走査線の駆動に係る回路、製造
途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査
するための検査回路等の周辺領域に作りこまれる任意の
回路をいう。

【００１１】以上の結果、比較的簡単な装置構成によ
り、画像信号等におけるノイズが低減されており、高品
位の画像表示が可能な電気光学装置を実現できる。

【００１２】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
シールドは、前記第２導電膜からなり、前記第１導電膜
からなる前記信号線を上方から電気遮蔽する。

【００１３】この態様によれば、第１導電膜からなる画
像信号線等の信号線は、第２導電膜からなるシールドに
より上方から電気遮蔽される。従って、各信号線の主に
上方や側方に位置するノイズ源としての他の信号線や配
線或いは回路や素子からの電磁ノイズの飛び込みを効果
的に低減できる。

【００１４】この態様では、前記シールドは、前記信号
線を上方から電気遮蔽する本線部と該本線部から延設さ
れて少なくとも前記層間絶縁膜に掘られた溝内に埋め込
まれる側壁部分を更に有し、前記本線部及び前記側壁部
分により前記信号線の断面上で見て前記信号線を三方か
ら電気遮蔽するように構成してもよい。

【００１５】このように構成すれば、第１導電膜からな
る画像信号線等の信号線は、第２導電膜からなるシール
ドにより上方及び側方の三方から電気遮蔽される。従っ
て、各信号線の主に上方や側方に位置するノイズ源とし
ての他の信号線や配線或いは回路や素子からの電磁ノイ
ズの飛び込みを一層効果的に低減できる。

【００１６】この場合更に、前記シールドは、前記信号
線の下方に他の層間絶線膜を介して積層された他の導電
膜からなる底壁部分を更に有し、前記本線部、前記側壁
部分及び前記底壁部分により前記信号線を前記信号線の
断面上で見て四方から電気遮蔽するように構成してもよ
い。

【００１７】このように構成すれば、第１導電膜からな
る画像信号線等の信号線は、第２導電膜及び他の導電膜
からなるシールドにより上方、側方及び下方の四方から
電気遮蔽される。従って、各信号線の四方に位置するノ
イズ源としての他の信号線や配線或いは回路や素子から
の電磁ノイズの飛び込みを非常に効果的に低減できる。

【００１８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シールドは、前記第１導電膜からなり、前記第２導電
膜からなる前記信号線を下方から電気遮蔽する。

【００１９】この態様によれば、第２導電膜からなる画
像信号線等の信号線は、第１導電膜からなるシールドに
より下方から電気遮蔽される。従って、各信号線の主に
下方や側方に位置するノイズ源としての他の信号線や配
線或いは回路や素子からの電磁ノイズの飛び込みを効果
的に低減できる。

【００２０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記信号線は、画像信号を供給する画像信号線を含む。

【００２１】この態様によれば、周辺領域において、画
像信号線は電気遮蔽されているので、ノイズ源としての
他の信号線や配線或いは回路や素子からの画像信号線上
の画像信号への電磁ノイズの飛び込みを効果的に低減で
きる。従って、最終的に高いＳ／Ｎを持つ画像信号に基
づいて、画像表示領域において高品位の画像表示を行う
ことが可能となる。

【００２２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記周辺回路は、画像信号をサンプリングするサンプリン
グ回路を含み、前記信号線は、前記画像信号を供給する
画像信号線と前記サンプリング回路とを中継接続する中
継配線を含む。

【００２３】この態様によれば、周辺領域において、中
継配線はシールドされているので、ノイズ源としての他
の信号線や配線或いは回路や素子からの中継配線上の画
像信号への電磁ノイズの飛び込みを効果的に低減でき
る。従って、最終的に高いＳ／Ｎを持つ画像信号に基づ
いて、画像表示領域において高品位の画像表示を行うこ
とが可能となる。特に、対向基板に設けられる対向電極
に対向する中継配線部分については、当該中継配線部分
と対向電極との寄生容量を低減する観点から、両者間に
配置される上方シールドにより電気遮蔽すると効果的で
ある。

【００２４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記周辺回路は、画像信号をサンプリングするサンプリン
グ回路を含み、前記信号線は、前記サンプリング回路の
ゲート信号線を含む。

【００２５】この態様によれば、周辺領域において、サ
ンプリング回路のゲート信号線はシールドされているの
で、ノイズ源としての他の信号線や配線或いは回路や素
子からのゲート信号線上の制御信号（例えば、データ線
駆動回路から出力されるサンプリング回路駆動信号）へ
の電磁ノイズの飛び込みを効果的に低減できる。従っ
て、最終的にサンプリング回路における高精度のサンプ
リング動作により、画像表示領域において高品位の画像
表示を行うことが可能となる。特に、対向基板に設けら
れる対向電極に対向するゲート信号線部分については、
当該ゲート信号線部分と対向電極との寄生容量を低減す
る観点から、両者間に配置される上方シールドにより電
気遮蔽すると効果的である。

【００２６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記信号線は、クロック信号及び波形選択信号のうち少な
くとも一方を含む制御信号を供給する制御信号線を含
む。

【００２７】この態様によれば、周辺領域において、制
御信号線は電気遮蔽されているので、ノイズ源としての
他の信号線や配線或いは回路や素子からの制御信号線上
の制御信号への電磁ノイズの飛び込みを効果的に低減で
きる。更に、一般に高周波数や高電位である制御信号は
画像信号に対するノイズ源となり易い。従って、このよ
うに制御信号線を電気遮蔽することにより、ノイズ源と
しての当該制御信号線からの、他の信号線たる画像信号
線等に供給される画像信号等への電磁ノイズの飛び込み
を効果的に低減できる。よって、最終的に高いＳ／Ｎを
持つ制御信号や画像信号等に基づいて、画像表示領域に
おいて高品位の画像表示を行うことが可能となる。

【００２８】尚、以上説明した本発明の電気光学装置
（各実施形態を含む）では、シールドは、好ましくは接
地電位や他の定電位に固定される。

【００２９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記信号線は、画像信号を供給する画像信号線とクロック
信号及び波形選択信号のうち少なくとも一方を含む制御
信号を供給する制御信号線とを含み、前記シールドは、
前記画像信号線を電気遮蔽する第１部分と、前記制御信
号線を電気遮蔽する第２部分とを含み、前記第１部分は
第１定電位に固定され且つ前記第２部分は前記第１定電
位とは異なる第２定電位に固定される。

【００３０】この態様によれば、周辺領域において、画
像信号線はシールドの第１部分により電気遮蔽されてお
り、制御信号線はシールドの第２部分により電気遮蔽さ
れているので、ノイズ源としての他の信号線や配線或い
は回路や素子からの、画像信号線上の画像信号及び制御
信号線上の制御信号への電磁ノイズの飛び込みを夫々効
果的に低減できる。そして特に、シールドの第１部分と
第２部分とは、相異なる定電位に固定されているので、
同一の定電位配線を介して両信号線間でそれらの電位変
動が相互に影響を及ぼす事態を未然防止できる。従っ
て、最終的に高いＳ／Ｎを持つ画像信号や制御信号等に
基づいて、画像表示領域において高品位の画像表示を行
うことが可能となる。

【００３１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シールドは、１本の信号線毎に分断されている。

【００３２】この態様によれば、信号線は、１本毎に別
個に電気遮蔽されているので、各信号線を他の全ての信
号線から電気遮蔽できる。即ち、複数の信号線相互間の
電磁波による悪影響を極力低減できる。

【００３３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シールドは、複数の信号線毎に分断されている。

【００３４】この態様によれば、信号線は、複数の信号
線毎に別個に電気遮蔽されているので、１本の信号線毎
にシールドを設ける場合と比較して、容易にシールドを
形成できる。この際、例えば複数の画素信号線など、相
互に電磁波が及ぼす影響が基本的に小さい複数の信号線
を同一シールドにより纏めて電気遮蔽するようにし、他
方で、例えば画像信号線とクロック信号線など、相互に
電磁波が及ぼす影響が基本的に大きい信号線を相互に別
個のシールドにより電気遮蔽するようにすれば、このよ
うに複数の信号線を纏めて電気遮蔽する際の不利益（即
ち、同一シールドで電気遮蔽される複数の信号線相互間
におけるノイズの飛び込み）を抑えることができる。

【００３５】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第１導電膜及び前記第２導電膜のうち少なくとも一方
は、金属を含有する膜から形成される。

【００３６】この態様によれば、例えば、Ａｌ（アルミ
ニウム）膜、Ｃｒ（クロム）等の金属を含有する膜から
第１導電膜や第２導電膜を形成することにより、これら
の導電膜の低抵抗化を容易に図ることができる。

【００３７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画像表示領域に、前記基板上において前記第１導電膜
よりも下方に積層された第３導電膜からなる走査線を更
に備え、前記周辺領域に、前記信号線を下方から電気遮
蔽する前記第３導電膜からなる他のシールドを更に備え
る。

【００３８】この態様によれば、画像表示領域では、走
査線をなす第３導電膜が、容量線をなす第１導電膜より
も下方に積層されている。周辺領域では、この第３導電
膜から、信号線を下方から電気遮蔽する他のシールドが
形成されている。従って、第１導電膜及び第２導電膜の
一方からなる画像信号線等の信号線は、第１導電膜及び
第２導電膜の他方からなるシールドと、第３導電膜から
なるシールドとにより上下から或いは下方から冗長的に
電気遮蔽される。従って、ノイズ源としての他の信号線
や配線或いは回路や素子からの電磁ノイズの飛び込みを
一層効果的に低減できる。尚、画像表示領域では、走査
線及びデータ線によるアクティブマトリクス駆動或いは
パッシブマトリクス駆動が可能となる。

【００３９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画像表示領域に、前記データ線と前記画素電極との間
に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ
の少なくともチャネル領域を遮光する前記基板上におい
て前記第１導電膜及び前記薄膜トランジスタよりも下方
に積層された導電性の遮光膜とを更に備え、前記周辺領
域に、前記信号線を下方から電気遮蔽する前記遮光膜か
らなる他のシールドを更に備える。

【００４０】この態様によれば、画像表示領域では、薄
膜トランジスタの少なくともチャネル領域を遮光する遮
光膜が、容量線をなす第１導電膜よりも下方に積層され
ている。周辺領域では、この遮光膜から、信号線を下方
から電気遮蔽する他のシールドが形成されている。従っ
て、第１導電膜及び第２導電膜の一方からなる画像信号
線等の信号線は、第１導電膜及び第２導電膜の他方から
なるシールドと、遮光膜からなるシールドとにより上下
から或いは下方から冗長的に電気遮蔽される。従って、
ノイズ源としての他の信号線や配線或いは回路や素子か
らの電磁ノイズの飛び込みを一層効果的に低減できる。
尚、画像表示領域では、データ線及び薄膜トランジスタ
によるアクティブマトリクス駆動が可能となる。

【００４１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板に電気光学物質を介して対向する対向基板上に、
前記複数の画素電極に対向する対向電極を更に備えてお
り、前記シールドは、前記信号線のうち前記対向電極に
対向する一部と前記対向電極との間において前記信号線
の一部を上方から電気遮蔽する部分を含む。

【００４２】この態様によれば、対向基板に設けられる
対向電極とこれに対向する信号線の一部との間に上方シ
ールドが存在するので、当該信号線の一部と対向電極と
の間における寄生容量を低減できる。即ち、ノイズ源と
しての対向電極からの信号線上の画像信号等への電磁ノ
イズの飛び込みや、ノイズ源としての信号線からの対向
電極上の定電位信号（例えば、反転しない定電位の信
号、フレームやフィールド毎に反転する定電位の信号な
ど）等への電磁ノイズの飛び込みを効果的に低減でき
る。

【００４３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シールドは、電源配線の本線又は分岐配線からなる。

【００４４】この態様によれば、シールドは、電源配線
の本線又は分岐配線からなるので、シールドを定電位に
固定できる。しかも、周辺領域におけるシールドが占め
る領域を電源配線に割り当てることになるので、電源配
線を比較的容易に幅広に構成することができ、安定した
定電位を供給することも可能となる。またシールドと電
源配線とを共用することで、装置構成及び製造工程の簡
略化を図ることも可能となる。更に、シールドをこのよ
うに安定した定電位に固定することにより、電気遮蔽の
性能も向上するので一層有利である。

【００４５】本発明の他の電気光学装置は上記課題を解
決するために、基板上の画像表示領域に、複数の画素電
極と、該画素電極に蓄積容量を付加するための第１導電
膜からなる容量線と、該第１導電膜上に層間絶線膜を介
して積層された第２導電膜からなるデータ線とを備え、
前記基板上の前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領
域に、前記データ線の駆動に係る回路を含む周辺回路
と、該周辺回路に画像信号を供給すると共に前記第１導
電膜及び前記第２導電膜の一方からなる画像信号線と、
該周辺回路にクロック信号及び波形選択信号のうち少な
くとも一方を含む制御信号を供給すると共に前記第１導
電膜及び前記第２導電膜の他方からなる制御信号線とを
備える。

【００４６】本発明の他の電気光学装置によれば、画像
表示領域では、容量線をなす第１導電膜上に、データ線
をなす第２導電膜が層間絶線膜を介して積層されてい
る。周辺領域では、これら第１導電膜及び第２導電膜の
一方から、画像信号線が形成されており、これら第１導
電膜及び第２導電膜の他方から、制御信号線が形成され
ている。従って、周辺領域において、同一導電膜をパタ
ーニングすることにより同一平面内に画像信号線と制御
信号線とを形成する場合と比べると、画像信号線と制御
信号線とを形成する二つの導電膜が基板に垂直な方向に
離間した分だけ両者間における寄生容量は低減されたこ
とになる。即ち、二つの信号線間の距離が大きくなるに
連れて小さくなるノイズ源としての制御信号線からの画
像信号線上の画像信号への電磁ノイズの飛び込み（或い
はノイズ源としての画像信号線からの制御信号線上の制
御信号への電磁ノイズの飛び込み）を低減できる。尚、
このような構成を持つ電気光学装置に対して、上述した
本発明に係る各種のシールドを設けてもよい。このよう
に構成すれば、画送信号線と制御信号線とが基板に垂直
な方向に離間したことによる電磁ノイズを低減する効果
と、画像信号と制御信号線との間のシールドによる電磁
ノイズを低減する効果との両者を享受できる。

【００４７】以上の結果、比較的簡単な装置構成によ
り、画像信号等におけるノイズが低減されており、高品
位の画像表示が可能な電気光学装置を実現できる。

【００４８】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５０】先ず本発明の実施形態における電気光学装
置の構成について、図１から図３を参照して説明する。
図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素
電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数
の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面
図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上
で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎
に縮尺を異ならしめてある。

【００５１】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述す
る）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期
間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分
子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調
し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置
からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐ
ために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液
晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに
並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共
に定電位に固定された容量線３００が設けられている。

【００５２】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００５３】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａ
は、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成され
ている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３
ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング
用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００５４】図２及び図３に示すように、蓄積容量７０
は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（及び画素電
極９ａ）に接続された画素電位側容量電極としての中継
層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の
一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることに
より形成されている。

【００５５】中継層７１は、蓄積容量７０の画素電位側
容量電極としての機能の他、コンタクトホール８３及び
８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレ
イン領域１ｅとを中継接続する中間導電層としての機能
を持つ。

【００５６】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図２中上下に突出している。このような容量線
３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリ
シリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の
高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜と
が積層された多層構造を持つように構成される。このよ
うに構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容
量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ
３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮
光層としての機能を持つ。

【００５７】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したも
の等からなる。

【００５８】そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ
線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相
交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮
光膜１１ａにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の上側及び下側には夫々、平面的に見て格子状
に遮光領域が構成されており、各画素の開口領域を規定
している。

【００５９】また図３において、容量電極としての中継
層７１と容量線３００との間に配置される誘電体膜７５
は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ
膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコ
ン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点
からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘
電体膜７５は薄い程良い。

【００６０】図２及び図３に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコ
ン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄ
に電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と
同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つ
のコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソー
ス領域１ｄとを電気的に接続してもよい。

【００６１】また容量線３００は、画素電極９ａが配置
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような
定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信
号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述
する）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリン
グ回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給
される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板
２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａ
についても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響
を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、
画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続す
るとよい。

【００６２】画素電極９ａは、中継層７１を中継するこ
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。即ち、本実施形態では、中継層７１は、蓄
積容量７０の画素電位側容量電極としての機能に加え
て、画素電極９ａをＴＦＴ３０へ中継接続する機能を果
たす。このように中継層７１は、層間距離が例えば１０
００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホ
ールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の
二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接
続でき、画素開口率を高めることが可能となり、コンタ
クトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止に
も役立つ。

【００６３】図２及び図３において、電気光学装置は、
ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な
対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からな
り、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板から
なる。

【００６４】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。ま
た配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜
からなる。

【００６５】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００６６】対向基板２０には、格子状又はストライプ
状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成
を採ることで、前述の如く遮光領域を構成する容量線３
００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光
膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域
１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、こ
のような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光
が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電
気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。

【００６７】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａと対向電極２１との間に電圧が生じていない状
態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなる。シール材５２は、ＴＦＴア
レイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合
わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂から
なる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするため
のグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材
が混入されている。

【００６８】更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用の
ＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。

【００６９】図３において、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０は、ＬＤＤ（Lightly DopedDrain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高
濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備
えている。

【００７０】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００７１】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００７２】尚、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１
に対しては、１０００℃の焼成を行うことにより、半導
体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入
したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶
縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことに
より、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和
を図るようにしてもよい。

【００７３】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このよ
うに構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられて
いる。

【００７４】本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表
面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学
的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方
に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層
５０における液晶の配向不良を低減する。

【００７５】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、対向基板２０側からＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’及びその付近に入射光が入射しようとすると、デー
タ線６ａ及び容量線３００からなる格子状の遮光層で遮
光を行う。他方、ＴＦＴアレイ基板１０側から、ＴＦＴ
３０のチャネル領域１ａ’及びその付近に戻り光が入射
しようとすると、下側遮光膜１１ａで遮光を行う（特
に、複板式のカラー表示用のプロジェクタ等で複数の電
気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光
学系を構成する場合には、他の電気光学装置からプリズ
ム等を突き抜けて来る投射光部分からなる戻り光は強力
であるので、有効である。）。これらの結果、ＴＦＴ３
０の特性が光リークにより変化することは殆ど無くな
り、当該電気光学装置では、非常に高い耐光性が得られ
る。また、データ線６ａ及び走査線３ａが形成された各
画素の非開口領域を利用して大きな蓄積容量７０を構築
できる。

【００７６】次に、図４を参照して、本実施形態におけ
る周辺領域における配線及びシールドについて説明す
る。ここに、図４は、本実施形態におけるＴＦＴアレイ
基板上に設けられたシールドを含む各種配線、周辺回路
等の構成を示す図式的な平面図である。

【００７７】図５から図１０は夫々、シールド線、画像
信号線及びクロック信号線等の配線の各種具体例を示す
図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【００７８】図４において、液晶装置のＴＦＴアレイ基
板上における画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に
は、周辺回路の一例として、データ線駆動回路１０１、
走査線駆動回路１０４及びサンプリング回路３０１が形
成されている。

【００７９】以下図４の説明において、ＴＦＴアレイ基
板１の下辺に沿って複数設けられた外部入力端子１０２
を介して入力される信号の配線４００は、説明の容易化
のために信号名称と同一のアルファベット記号を配線４
００の後に夫々括弧で付加して参照する（例えば、“ク
ロック信号ＣＬＸ”の信号配線を“配線４００（ＣＬ
Ｘ）”と呼ぶ）ことにする。走査線駆動回路１０４は、
外部制御回路から外部入力端子１０２並びに配線４００
（ＶＳＳＹ）及び配線４００（ＶＤＤＹ）を介して供給
される、走査線駆動回路１０４用の負電源ＶＳＳＹ及び
正電源ＶＤＤＹを電源として用いて、スタート信号ＳＰ
Ｙの入力により内蔵シフトレジスタ回路をスタートさせ
る。そして、外部入力端子１０２並びに配線４００（Ｃ
ＬＹ）及び配線４００（ＣＬＹ’）を介して供給され
る、走査線駆動回路１０４の内蔵シフトレジスタ回路用
の基準クロック信号ＣＬＹ及びその反転クロック信号Ｃ
ＬＹ’に基づく所定タイミングで、走査線３ａに走査信
号をパルス的に線順次で印加する。

【００８０】データ線駆動回路１０１は、外部制御回路
から外部入力端子１０２並びに信号配線４００（ＶＳＳ
Ｘ）及び配線４００（ＶＤＤＸ）を介して供給される、
データ線駆動回路１０１用の負電源ＶＳＳＸ及び正電源
ＶＤＤＸを電源として用いて、スタート信号ＳＰＸの入
力により内蔵シフトレジスタ回路をスタートさせる。そ
して、外部入力端子１０２並びに配線４００（ＣＬＸ）
及び配線４００（ＣＬＸ’）を介して供給される、デー
タ線駆動回路１０１の内蔵シフトレジスタ回路用の基準
クロック信号ＣＬＸ及びその反転クロック信号ＣＬＸ’
に基づき、走査線駆動回路１０４が走査信号を印加する
タイミングに合わせて、外部入力端子１０２及び配線４
００（ＶＩＤ１）〜配線４００（ＶＩＤ１２）を介して
供給される例えば１２個のパラレル信号にシリアル−パ
ラレル変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２夫々に
ついて、データ線６ａ毎にサンプリング回路駆動信号Ｑ
ｍ（ｍ＝１、２、…）をサンプリング回路３０１にサン
プリング回路駆動信号線３０６を介して所定タイミング
で供給する。

【００８１】サンプリング回路３０１は、ＴＦＴ３０２
を各データ線６ａ毎に備えており、配線４００（ＶＩＤ
１）〜配線４００（ＶＩＤ１２）が中継配線３０５を経
由して、ＴＦＴ３０２のソース電極に接続されており、
サンプリング回路駆動信号線３０６がＴＦＴ３０２のゲ
ート電極に接続されている。そして、画像信号ＶＩＤ１
〜ＶＩＤ１２が入力されると、これらの画像信号をサン
プリングする。また、サンプリング回路駆動信号線３０
６を介して、データ線駆動回路１０１からサンプリング
回路駆動信号Ｑｍが入力されると、画像信号ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ１２夫々についてサンプリングされた画像信号
を、１２本の隣接するデータ線６ａからなるグループ毎
に順次印加する。

【００８２】以上のように、データ線駆動回路１０１と
サンプリング回路３０１とは、１２個のパラレル信号に
変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２をデータ線６
ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、…として供給するように構成
されている。本実施の形態では隣接する１２本のデータ
線６ａに接続されるサンプリング回路３０１を同時に選
択し、１２本のデータ線６ａからなるグループ毎に順次
転送していく方式を述べたが、データ線６ａを６本毎に
選択してもよいし、２４本毎に選択してもよい。或い
は、２本以上の任意の本数を同時に選択してもよい。こ
の際、少なくともパラレルな画像信号の個数だけ、画像
信号用の外部入力端子１０２及び画像信号線が必要なこ
とは言うまでもない。尚、パラレルな画像信号の個数と
サンプリング回路３０１を同時に選択する数が相等しく
なるように構成してもよいし、前者が後者よりも多くな
るように構成してもよい。

【００８３】更に図４に示すように、データ線駆動回路
１０１は、スタート信号ＳＰＸが入力されると、基準ク
ロック信号ＣＬＸ及びその反転クロック信号ＣＬＫ’に
基づく転送信号の順次生成を開始するシフトレジスタ回
路１０１ａと、シフトレジスタ回路１０１ａからの転送
信号を波形整形した後、サンプリング回路駆動信号線３
０６を介してサンプリング回路３０１に供給する波形制
御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１ｃとを備えてい
る。また、サンプリング回路３０１は、１２個にシリア
ル−パラレル変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２
に対応してＴＦＴ３０２が１２個ずつパラレルに各サン
プリング回路駆動信号線３０６に接続されている。即
ち、ＴＦＴ３０２から構成されるスイッチＳ１〜Ｓ１２
が左から１本目のサンプリング回路駆動信号線３０６に
接続されており、スイッチＳ１３〜Ｓ２４が左から２本
目のサンプリング回路駆動信号線３０６に接続されてお
り、スイッチＳｎ-11〜Ｓｎが右端のサンプリング回路
駆動信号線３０６に接続されている。

【００８４】制御信号の一つである波形選択信号として
のイネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２は、波形制御回
路１０１ｂに入力される。この波形制御回路１０１ｂで
は、シフトレジスタ回路１０１ａから順次出力されるパ
ルスの幅を、イネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２のパ
ルス幅に制限することにより、サンプリング回路３０１
の選択期間を（相前後するサンプリング回路駆動信号Ｑ
１、Ｑ２、…がハイレベルとなる期間が相互に重ならな
いように）制御する。これにより、同一の配線４００
（ＶＩＤ１）〜配線４００（ＶＩＤ１２）から画像信号
を受けるデータ線６ａ間におけるブロックゴーストの発
生を防止する。従って、イネーブル信号ＥＮＢ１及びＥ
ＮＢ２は、クロック信号ＣＬＸ及びＣＬＸ’と同じく、
水平走査期間よりも短い周期を持つ高周波の制御信号で
ある。

【００８５】尚、本実施形態では、画像表示領域の四隅
には、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２０側の対向電極
２１（図３参照）との間で電気的な導通をとるための上
下導通端子１０６が設けられている（但し、図４では、
そのうち２隅が図示されている）。上下導通端子１０６
には、外部入力端子１０２並びに配線４００（ＬＣＣＯ
Ｍ）を介して供給される。

【００８６】次に、本実施形態の電気光学装置で採用可
能なシールドの各種具体例を図５から図１０に夫々示
す。ここに、図５から図１０は夫々、シールドの各種具
体例の、図４のＢ−Ｂ’断面における構造を夫々示す断
面図である。

【００８７】図５から図１０において、各具体例では夫
々、画像信号線である配線４００（ＶＩＤ１）〜配線４
００（ＶＩＤ１２）は、画像表示領域における容量線３
００と同一の導電膜（例えば、導電性のポリシリコン膜
と導電性の金属シリサイド膜とを含む多層膜）から構成
されており、これらの配線４００は少なくとも、画像表
示領域におけるデータ線６ａと同一膜（例えば、Ａｌ
膜）からなるシールドにより電気遮蔽されている。

【００８８】即ち、図５の具体例では、容量線３００と
同一導電膜からなる配線４００は、その上方から各配線
４００に沿って且つ各配線４００を覆う領域に形成され
たデータ線６ａと同一導電膜からなる上方シールド４０
１ａにより、電気遮蔽されている。特にこの具体例で
は、上方シールド４０１ａは、１本の配線４００毎に分
断されているので、各配線４００を他の全ての配線４０
０から相互に電気遮蔽できる。

【００８９】図６の具体例では、容量線３００と同一導
電膜からなる配線４００は、その上方から複数の配線４
００に沿って且つ複数の配線４００を纏めて覆う領域に
形成されたデータ線６ａと同一導電膜からなる上方シー
ルド４０１ｂにより、電気遮蔽されている。特にこの具
体例では、上方シールド４０１ｂは、複数の信号線毎に
分断されている。従って、１本の信号線毎に上方シール
ド４０１ａを設ける図５の具体例の場合と比較して、比
較的容易に上方シールド４０１ｂを形成できる。この
際、複数の画素信号線など、相互に電磁波が及ぼす影響
が基本的に小さい複数の信号線を一つの上方シールド４
０１ｂにより纏めて電気遮蔽するようにし、他方で、例
えば画像信号線とクロック信号線など、相互に電磁波が
及ぼす影響が基本的に大きい信号線を相互に別個の上方
シールド４０１ｂにより電気遮蔽するとよい。即ち、こ
れにより、複数の信号線を纏めて電気遮蔽する際の不利
益を最小限に抑えることができる。

【００９０】図７の具体例では、図５に示した上方シー
ルド４０１ａに加えて、画像表示領域における下側遮光
膜１１ａと同一導電膜からなる下方シールド１１ｂよ
り、配線４００は上下方向から電気遮蔽されている。

【００９１】図８の具体例では、図５に示した上方シー
ルド４０１ａに加えて、画像表示領域における走査線３
ａと同一導電膜からなる下方シールド４０２より、配線
４００は上下方向から電気遮蔽されている。

【００９２】図９の具体例では、図７と同様の上方シー
ルド４０１ｃ及び下方シールド１１ｂに加えて、上方シ
ールド４０１ｃと同一導電膜から延設されてなり、下地
絶縁膜１２、第１層間絶線膜４１、誘電体膜７５及び第
２層間絶縁膜４２に配線４００に沿って溝状に掘られた
穴に埋め込まれた側方シールド４０１ｄにより、配線４
００は上下左右方向から電気遮蔽されている。特にこの
具体例では、シールドは、１本の配線４００毎に全周を
電気遮蔽しているので、複数の配線４００相互間の電磁
波による悪影響を極力低減できる。

【００９３】図１０の具体例では、図８と同様の上方シ
ールド４０１ｃ及び下方シールド４０２に加えて、上方
シールド４０１ｃと同一導電膜から延設されてなり且つ
第１層間絶線膜４１、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜
４２に配線４００に沿って溝状に掘られた穴に埋め込ま
れた側方シールド４０１ｅにより、配線４００は上下左
右方向から電気遮蔽されている。特にこの具体例では、
シールドは、１本の配線４００毎に全周を電気遮蔽して
いるので、複数の配線４００相互間の電磁波による悪影
響を極力低減できる。以上説明したように本実施形態の
電気光学装置によれば、画像表示領域では、容量線３０
０をなす第１導電膜上に、データ線６ａをなす第２導電
膜が層間絶線膜を介して積層されている。周辺領域で
は、これら第１導電膜及び第２導電膜の一方から、周辺
回路に接続された配線４００が形成されており、これら
第１導電膜及び第２導電膜の他方から、配線４００を少
なくとも一方向（例えば、上方や下方）から電気遮蔽す
るシールドが形成されている。従って、画像信号線等の
配線４００上の画像信号等への電磁ノイズの飛び込みを
効果的に低減できる。しかも、周辺領域に配線４００や
シールドを形成するために専用の膜を別途形成しないで
済むので、装置構成及び製造工程を簡略化する上でも有
利である。特に、画像品位の向上のために画素ピッチを
微細化し駆動周波数を高めた場合に、一般にこのような
信号線に係るノイズ（例えば、クロック信号線や波形選
択信号線等の制御信号線から画像信号線上の画像信号へ
の電磁ノイズ、外部装置や他の回路等からの画像信号線
上の画像信号への電磁ノイズ、クロック信号線や波形選
択信号線等の制御信号線から外部装置や他の回路等への
電磁ノイズなど）は相対的に増加する（即ち、Ｓ／Ｎは
低下する）。従って、本実施形態のように周辺領域に配
線された画像信号線、制御信号線等の配線４００を、上
方シールド４０１ａ、４０１ｂ又は４０１ｃ、下方シー
ルド１１ｂ又は４０２、側方シールド４０１ｄ又は４０
１ｅ等のシールドにより電気遮蔽する構成は、画素ピッ
チを微細化し或いは駆動周波数を高める上で大変有利で
ある。

【００９４】また本実施形態では特に配線４００として
画像信号線を電気遮蔽するので、ノイズ源としての他の
信号線や配線或いは回路や素子からの画像信号線上の画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…への電磁ノイズの飛び込みを効果
的に低減できる。従って、最終的に高いＳ／Ｎを持つ画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…に基づいて、画像表示領域におい
て高品位の画像表示を行うことが可能となる。

【００９５】また以上説明した実施形態では、図４に示
した画像信号線とサンプリング回路３０１とを中継接続
する中継配線３０５やサンプリング回路駆動信号線３０
６を、図５から図１０に示したように上方、下方或いは
側方から電気遮蔽してもよい。このようにすれば、中継
配線３０５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…への電磁ノイズ
の飛び込みや、サンプリング回路駆動信号線３０６上の
サンプリング回路駆動信号Ｑ１、Ｑ２、…への電磁ノイ
ズの飛込みを効果的に低減できる。これらの中継配線３
０５やサンプリング回路駆動信号線３０６は、対向基板
２０に設けられる対向電極２１に対向する部分を含むの
で、これらの配線と対向電極２１との寄生容量を低減す
る観点から、両者間に配置される上方シールドにより電
気遮蔽すると特に効果的である。

【００９６】更に以上説明した実施形態では、クロック
信号線としての配線４００（ＣＬＸ）、配線４００（Ｃ
ＬＸ’）や、波形選択信号線としての配線４００（ＥＮ
Ｂ１）、配線４００（ＥＮＢ２）を図５から図１０に示
したように上方、下方或いは側方から電気遮蔽してもよ
い。このように構成すれば、これらの制御信号線上にあ
り、一般には画像信号に対するノイズ源となり易い高周
波数で高電位である制御信号に起因する高周波で強力な
電磁ノイズが、画像信号線等上の画像信号に飛び込むこ
とを効果的に阻止できる。

【００９７】以上説明した本発明の電気光学装置（各実
施形態を含む）では、シールドは、好ましくは接地電位
や他の定電位に固定される。この際特に、画像信号線
（配線４００（ＶＩＤ１）、配線４００（ＶＩＤ２）、
…など）と制御信号線（配線４００（ＣＬＸ）、配線４
００（ＣＬＸ’）、…など）とを別々に電気遮蔽すると
共に相互に異なる定電位に固定するのがより好ましい。
このように構成すれば、同一の定電位配線を介して両信
号線間でそれらの電位変動が相互に影響を及ぼす事態を
未然防止できる。例えば、画像信号線を低電位（接地電
位或いは数ボルト程度）の第１定電位の定電位線に接続
することにより低電位で電気遮蔽し、制御信号線を高電
位（十数ボルト程度）の第２定電位の定電位線に接続す
ることにより高電位で電気遮蔽すればよい。

【００９８】加えて本実施形態では、シールドと電源配
線の本線又は分岐配線とを共用するのが好ましい。この
ように構成すれば、装置構成及び製造工程の簡略化を図
りつつ、シールドを定電位に固定できる。しかも、周辺
領域におけるシールドが占める領域を電源配線に割り当
てることになるので、電源配線を比較的容易に幅広に構
成することができる。更に、シールドを幅広に形成する
ことにより、シールドの性能も向上するので一層有利で
ある。

【００９９】また図５から図１０に示した各種具体例で
は、配線４００を容量線３００と同一導電膜から形成し
且つシールドを容量線３００と異なる導電層から形成し
たが、配線４００をデータ線６ａと同一導電膜から形成
し且つシールドをデータ線６ａと異なる導電層から形成
してもよいし、配線４００を走査線３ａと同一導電膜か
ら形成し且つシールドを走査線３ａと異なる導電層から
形成してもよいし、配線４００を下側遮光膜１１ａと同
一導電膜から形成し且つシールドを下側遮光膜１１ａと
異なる導電層から形成してもよい。

【０１００】更に、シールドの一部を、配線と同一膜か
ら形成することも可能であり、この場合には主に側方か
ら電気遮蔽することが可能である。本実施形態では、図
４に示したように、同一平面内で、負電源ＶＳＳＹを供
給する配線４００（ＶＳＳＹ）及び負電源ＶＳＳＸを供
給する配線４００（ＶＳＳＸ）は、画像信号線たる配線
４００（ＶＩＤ２）、配線４００（ＶＩＤ４）、配線４
００（ＶＩＤ６）、…を囲んでおり、画像信号シールド
線として機能している。同様に同一平面内で、正電源Ｖ
ＤＤＹを供給する配線４００（ＶＤＤＹ）及び負電源Ｖ
ＳＳＸを供給する配線４００（ＶＳＳＸ）は、画像信号
線たる配線４００（ＶＩＤ１）、配線４００（ＶＩＤ
３）、配線４００（ＶＩＤ５）、…を囲んでおり、画像
信号シールド線として機能している。更に、正電源ＶＤ
ＤＸを供給する配線４００（ＶＤＤＸ）は、やはり同一
平面内で、クロック信号線たる配線４００（ＣＬＸ）、
配線４００（ＣＬＸ’）等の制御信号線を囲んでおり、
制御信号シールド線として機能している。同様に正電源
ＶＤＤＹを供給する配線４００（ＶＤＤＹ）は、やはり
同一平面内で、クロック信号線たる配線４００（ＣＬ
Ｙ）、配線４００（ＣＬＹ’）等の制御信号を囲んでお
り、制御信号シールド線として機能している。特に図４
中で、破線で示したように、制御信号シールド線として
の配線４００（ＶＤＤＸ）の２つの先端は、接続部９３
により相互に接続されてもよいし、同様に画像信号シー
ルド線としての配線４００（ＶＳＳＸ）の２つの先端
は、接続部９１により相互に接続されてもよい。

【０１０１】更にまた、積層された２つの導電膜を共に
低抵抗のＡｌ膜から構成することも可能であり、これに
より、低抵抗の配線を低抵抗の導電膜で電気遮蔽するこ
とが可能となり、非常に電磁ノイズが飛び込み難い構成
が得られる。

【０１０２】以上説明した実施形態では、図３に示した
ように多数の導電層を積層することにより、画素電極９
ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけ
るデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じ
るのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化することで
緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴア
レイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、
第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝を掘
って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込む
ことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間絶縁
膜４２の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Po
lishing）処理等で研磨することにより、或いは有機Ｓ
ＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処
理を行ってもよい。

【０１０３】尚、以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減
することができる。

【０１０４】加えて、以上説明した本発明の実施形態の
変形として、周辺領域で配線４００に対して、図５から
図１０に示した如き各種シールドを設けるのに代えて又
は加えて、容量線３００、データ線６ａ、走査線３ａ及
び下側遮光膜１１ａの４つの導電膜のうちの一つから、
制御信号線たる配線４００（ＣＬＸ）、配線４００（Ｃ
ＬＹ）、…を形成すると共に、これら４つの導電膜の他
の一つから、画像信号線たる配線４００（ＶＩＤ１）、
配線４００（ＶＩＤ２）、…を形成してもよい。このよ
うに構成すれば、同一導電膜をパターニングすることに
より同一平面内にこれら２種類の配線を形成する場合と
比べると、両信号線は基板に垂直な方向に離間し且つ両
信号線間に層間絶縁膜が配置されている分だけ、両信号
線間におけるノイズの飛び込みを低減できるので有利で
ある。即ち、シールドがなくとも、このように基板に垂
直な方向に離間するように、これら２種類の信号線を形
成することにより、ノイズを低減することが可能となる
のである。更に、このような構成と上述した各種シール
ドとを組み合わせることにより、電磁ノイズを低減する
効果を一層高めることができる。

【０１０５】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図１１及び図１２を参照して説明する。尚、図１１
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
１２は、図１１のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１０６】図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を
規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シ
ール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１
及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の
一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない
のならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いこ
とは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を
画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよ
い。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表
示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４
間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的に導通をとるための上下導通材１０６が設けら
れている。また図４に示したサンプリング回路３０１が
額縁領域に設けられている。そして、図１２に示すよう
に、図１１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ
対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基
板１０に固着されている。

【０１０７】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サ
ンプリング回路３０１等に加えて、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１０８】以上図１から図１２を参照して説明した実
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed LiquidCrystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。

【０１０９】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上
のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等
でカラーフィルタ層を形成することも可能である。この
ようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明
るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２
０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積するこ
とで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイク
ロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイッ
クフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電
気光学装置が実現できる。

【０１１０】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びその製
造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像
表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けら
れた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】本実施形態におけるＴＦＴアレイ基板上に設け
られたシールドを含む各種配線、周辺回路等の構成を示
す図式的な平面図である。

【図５】本実施形態で採用可能なシールドの一具体例に
係る図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【図６】本実施形態で採用可能なシールドの他の具体例
に係る図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【図７】本実施形態で採用可能なシールドの他の具体例
に係る図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【図８】本実施形態で採用可能なシールドの他の具体例
に係る図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【図９】本実施形態で採用可能なシールドの他の具体例
に係る図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１０】本実施形態で採用可能なシールドの他の具体
例に係る図４のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１１】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレ
イ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た平面図である。

【図１２】図１１のＨ−Ｈ’断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下側遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７１…中継層 ７５…誘電体膜 ８１、８３、８５…コンタクトホール １０１…データ線駆動回路 １０１ａ…シフトレジスタ回路 １０１ｂ…波形制御回路 １０１ｃ…バッファ回路 １０４…走査線駆動回路 ３００…容量線 ３０１…サンプリング回路 ３０２…サンプリング回路のＴＦＴ ３０５…中継配線 ３０６…サンプリング回路駆動信号線 ４００…配線 ４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ…上方シールド ４０１ｄ、４０１ｅ…側方シールド ４０２…下方シールド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ５Ｇ４３５ ３３８ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１Ｃ // Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１ ６２３Ｌ ６２３ 3/36 3/36 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H092 GA35 GA59 GA64 JB24 JB33 JB54 JB64 JB66 JB69 NA23 NA25 PA06 PA09 RA05 2H093 NA16 NC13 NC23 NC35 ND40 NE02 NE03 NG02 5C006 BB16 BC12 BC22 BC23 BF11 EB05 EC11 FA32 5C080 AA10 BB05 DD12 FF11 JJ02 JJ06 5C094 AA03 AA05 AA07 AA09 AA53 AA56 BA03 BA43 CA19 CA25 DA09 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA10 EB02 FA01 FA02 FB12 FB14 FB15 GA10 5G435 AA16 BB12 CC09 EE37 HH12 HH14

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上の画像表示領域に、複数の画素電
   極と、該画素電極に蓄積容量を付加するための第１導電
   膜からなる容量線と、該第１導電膜上に層間絶線膜を介
   して積層された第２導電膜からなるデータ線とを備え、 前記基板上の前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領
   域に、前記データ線の駆動に係る回路を含む周辺回路
   と、該周辺回路に接続されており前記第１導電膜及び前
   記第２導電膜の一方からなる信号線と、該信号線を少な
   くとも一方向から電気遮蔽する前記第１導電膜及び前記
   第２導電膜の他方からなるシールドとを備えたことを特
   徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記シールドは、前記第２導電膜からな
   り、前記第１導電膜からなる前記信号線を上方から電気
   遮蔽することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装
   置。
3. 【請求項３】 前記シールドは、前記信号線を上方から
   電気遮蔽する本線部と該本線部から延設されて少なくと
   も前記層間絶縁膜に掘られた溝内に埋め込まれる側壁部
   分を更に有し、前記本線部及び前記側壁部分により前記
   信号線の断面上で見て前記信号線を三方から電気遮蔽す
   ることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記シールドは、前記信号線の下方に他
   の層間絶線膜を介して積層された他の導電膜からなる底
   壁部分を更に有し、前記本線部、前記側壁部分及び前記
   底壁部分により前記信号線を前記信号線の断面上で見て
   四方から電気遮蔽することを特徴とする請求項３に記載
   の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記シールドは、前記第１導電膜からな
   り、前記第２導電膜からなる前記信号線を下方から電気
   遮蔽することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装
   置。
6. 【請求項６】 前記信号線は、画像信号を供給する画像
   信号線を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれ
   か一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記周辺回路は、画像信号をサンプリン
   グするサンプリング回路を含み、 前記信号線は、前記画像信号を供給する画像信号線と前
   記サンプリング回路とを中継接続する中継配線を含むこ
   とを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の
   電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記周辺回路は、画像信号をサンプリン
   グするサンプリング回路を含み、 前記信号線は、前記サンプリング回路のゲート信号線を
   含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に
   記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記信号線は、クロック信号及び波形選
   択信号のうち少なくとも一方を含む制御信号を供給する
   制御信号線を含むことを特徴とする請求項１から８のい
   ずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記信号線は、画像信号を供給する画
    像信号線とクロック信号及び波形選択信号のうち少なく
    とも一方を含む制御信号を供給する制御信号線とを含
    み、 前記シールドは、前記画像信号線を電気遮蔽する第１部
    分と、前記制御信号線を電気遮蔽する第２部分とを含
    み、 前記第１部分は第１定電位に固定され且つ前記第２部分
    は前記第１定電位とは異なる第２定電位に固定されるこ
    とを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の
    電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記シールドは、１本の信号線毎に分
    断されていることを特徴とする請求項１から１０のいず
    れか一項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記シールドは、複数の信号線毎に分
    断されていることを特徴とする請求項１から１０のいず
    れか一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記第１導電膜及び前記第２導電膜の
    うち少なくとも一方は、金属を含有する膜から形成され
    たことを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に
    記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記画像表示領域に、前記基板上にお
    いて前記第１導電膜よりも下方に積層された第３導電膜
    からなる走査線を更に備え、 前記周辺領域に、前記信号線を下方から電気遮蔽する前
    記第３導電膜からなる他のシールドを更に備えたことを
    特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の電
    気光学装置。
15. 【請求項１５】 前記画像表示領域に、前記データ線と
    前記画素電極との間に接続された薄膜トランジスタと、
    該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を遮光す
    る前記基板上において前記第１導電膜及び前記薄膜トラ
    ンジスタよりも下方に積層された導電性の遮光膜とを更
    に備え、 前記周辺領域に、前記信号線を下方から電気遮蔽する前
    記遮光膜からなる他のシールドを更に備えたことを特徴
    とする請求項１から１４に記載の電気光学装置。
16. 【請求項１６】 前記基板に電気光学物質を介して対向
    する対向基板上に、前記複数の画素電極に対向する対向
    電極を更に備えており、 前記シールドは、前記信号線のうち前記対向電極に対向
    する一部と前記対向電極との間において前記信号線の一
    部を上方から電気遮蔽する部分を含むことを特徴とする
    請求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装
    置。
17. 【請求項１７】 前記シールドは、電源配線の本線又は
    分岐配線からなることを特徴とする請求項１から１６の
    いずれか一項に記載の電気光学装置。
18. 【請求項１８】 基板上の画像表示領域に、複数の画素
    電極と、該画素電極に蓄積容量を付加するための第１導
    電膜からなる容量線と、該第１導電膜上に層間絶線膜を
    介して積層された第２導電膜からなるデータ線とを備
    え、 前記基板上の前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領
    域に、前記データ線の駆動に係る回路を含む周辺回路
    と、該周辺回路に画像信号を供給すると共に前記第１導
    電膜及び前記第２導電膜の一方からなる画像信号線と、
    該周辺回路にクロック信号及び波形選択信号のうち少な
    くとも一方を含む制御信号を供給すると共に前記第１導
    電膜及び前記第２導電膜の他方からなる制御信号線とを
    備えたことを特徴とする電気光学装置。