WO2020084940A1 - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical class [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H05K1/00—Printed circuits
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/02—Details
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
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- H05K2201/05—Flexible printed circuits [FPCs]
- H05K2201/058—Direct connection between two or more FPCs or between flexible parts of rigid PCBs
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0707—Shielding
- H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
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Abstract
表示装置は、長さ方向に並ぶ第1領域(R1)及び第2領域(R2)を有し、長さ方向に直交する幅方向に延びる軸の周りに第2領域(R2)で屈曲する柔軟性基板(10)と、画像を表示するために第1領域(R1)で柔軟性基板(10)に設けられた表示回路層(16)と、表示回路層(16)から第2領域(R2)に延びるように柔軟性基板(10)に形成された引き出し配線(74)と、第2領域(R2)の屈曲の内側及び外側の少なくとも一方で、引き出し配線(74)を覆うように柔軟性基板(10)に設けられた導電シールド(86)と、を有する。
Description
本発明は、表示装置に関する。
有機エレクトロルミネッセンスを利用したフレキシブルディスプレイで、輻射ノイズが問題となっている(特許文献1)。高精細化による駆動周波数の上昇の他に、有機エレクトロルミネッセンスに特有の大電流高速スイッチングなどがその要因である。
フレキシブルディスプレイを製品化するに当たり、狭額縁を実現するために表示領域近くで配線を折り曲げた構造が知られている。この構造では、折り曲げ部の配線が長くなると、この領域では差動伝送ではなくシングル伝送を適用しているために信号電圧が大きいこともあって、輻射ノイズが増大する。そこで、折り曲げ部からの輻射ノイズに対して対策が必要である。
本発明は、輻射ノイズ対策を目的とする。
本発明に係る表示装置は、長さ方向に並ぶ第1領域及び第2領域を有し、前記長さ方向に直交する幅方向に延びる軸の周りに前記第2領域で屈曲する柔軟性基板と、画像を表示するために前記第1領域で前記柔軟性基板に設けられた表示回路層と、前記表示回路層から前記第2領域に延びるように前記柔軟性基板に形成された引き出し配線と、前記第2領域の屈曲の内側及び外側の少なくとも一方で、前記引き出し配線を覆うように前記柔軟性基板に設けられた導電シールドと、を有することを特徴とする。
本発明によれば、導電シールドによって、輻射ノイズを遮蔽することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、ディスプレイDPを含む。ディスプレイDPは、例えば、有機エレクトロルミネセンスディスプレイである。ディスプレイDPは、可撓性を有し、画像が表示される表示領域DAの外側で折り曲げられている。表示領域DAでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、ディスプレイDPを含む。ディスプレイDPは、例えば、有機エレクトロルミネセンスディスプレイである。ディスプレイDPは、可撓性を有し、画像が表示される表示領域DAの外側で折り曲げられている。表示領域DAでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
図2は、図1に示す表示装置のII-II線断面の拡大図である。図3は、図2に示すディスプレイDPの一部IIIの拡大図である。表示装置(ディスプレイDP)は、柔軟性基板10を有する。柔軟性基板10は、ポリイミドからなるが、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。柔軟性基板10は、長さ方向に並ぶ第1領域R1及び第2領域R2を有する。柔軟性基板10は、長さ方向に直交する幅方向に延びる軸AXの周りに第2領域R2で屈曲する。第2領域R2は、第1領域R1と端部12(第1領域R1とは反対側の端部12)の間に屈曲部14を有する。
表示装置は、表示回路層16を有する。表示回路層16は、画像を表示するために第1領域R1で柔軟性基板10に設けられる。柔軟性基板10上に、バリア無機膜18(アンダーコート層)が積層されている。バリア無機膜18は、シリコン酸化膜18a、シリコン窒化膜18b及びシリコン酸化膜18cの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜18aは、柔軟性基板10との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜18bは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜18cは、シリコン窒化膜18b中に含有する水素原子が薄膜トランジスタTRの半導体層22側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
薄膜トランジスタTRを形成する箇所に合わせて付加膜20を形成してもよい。付加膜20は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタTRの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタTRにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜18aを形成した後、薄膜トランジスタTRが形成される箇所に合わせて付加膜20を島状に形成し、その後シリコン窒化膜18b及びシリコン酸化膜18cを積層することで、バリア無機膜18に付加膜20を封入するように形成しているが、この限りではなく、柔軟性基板10上にまず付加膜20を形成し、その後にバリア無機膜18を形成してもよい。
バリア無機膜18上に薄膜トランジスタTRが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではNchトランジスタのみを示しているが、Pchトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタTRの半導体層22は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜24としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極26は、MoWから形成された第1配線層W1の一部である。第1配線層W1は、ゲート電極26に加え、第1保持容量線CL1を有する。第1保持容量線CL1と半導体層22(ソース・ドレイン領域)との間で、ゲート絶縁膜24を介して、保持容量Csの一部が形成される。
ゲート電極26の上に、層間絶縁膜28(シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜)が積層されている。層間絶縁膜28の上に、ソース・ドレイン電極30となる部分を含む第2配線層W2が形成されている。ここでは、Ti、Al及びTiの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜28を介して、第1保持容量線CL1(第1配線層W1の一部)と第2保持容量線CL2(第2配線層W2の一部)とで、保持容量Csの他の一部が形成される。
ソース・ドレイン電極30を覆うように平坦化有機膜32が設けられている。平坦化有機膜32は、CVD(Chemical Vapor Deposition)等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。
平坦化有機膜32は、画素コンタクト部34では除去されて、その上に酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide:ITO)膜36が形成されている。酸化インジウムスズ膜36は、相互に分離された第1透明導電膜36a及び第2透明導電膜36bを含む。
平坦化有機膜32の除去により表面が露出した第2配線層W2は、第1透明導電膜36aにて被覆される。第1透明導電膜36aを被覆するように、平坦化有機膜32の上にシリコン窒化膜38が設けられている。シリコン窒化膜38は、画素コンタクト部34に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極30に導通するように画素電極40が積層されている。画素電極40は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ag膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極40は、画素コンタクト部34から側方に拡がり、薄膜トランジスタTRの上方に至る。
第2透明導電膜36bは、画素コンタクト部34に隣接して、画素電極40の下方(さらにシリコン窒化膜38の下方)に設けられている。第2透明導電膜36b、シリコン窒化膜38及び画素電極40は重なっており、これらによって付加容量Cadが形成される。
平坦化有機膜32の上であって例えば画素コンタクト部34の上方に、バンク(リブ)と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁有機膜42が形成されている。絶縁有機膜42としては平坦化有機膜32と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁有機膜42は、画素電極40の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機エレクトロルミネセンス層44のカバレッジ不良を生ずる。
平坦化有機膜32と絶縁有機膜42は、両者間にあるシリコン窒化膜38に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁有機膜42の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜32から脱離する水分や脱ガスを、絶縁有機膜42を通じて引き抜くことができる。
画素電極40の上に、有機材料からなる有機エレクトロルミネセンス層44が積層されている。有機エレクトロルミネセンス層44は、単層であってもよいが、画素電極40側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極40(各サブ画素)に対して選択的に形成してもよいし、表示領域DAを覆う全面にベタ形成されてもよい。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ(図示せず)によって所望の色波長部分を取り出す構成になる。
有機エレクトロルミネセンス層44の上に、対向電極46が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極46は透明である。例えば、Mg層及びAg層を、有機エレクトロルミネセンス層44からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機エレクトロルミネセンス層44の形成順序に従うと、画素電極40が陽極となり、対向電極46が陰極となる。複数の画素電極40と、対向電極46と、複数の画素電極40のそれぞれの中央部と対向電極46の間に介在する有機エレクトロルミネセンス層44と、で発光素子層48が構成される。発光素子層48は、画像が表示される表示領域DAを含む。
対向電極46の上に、発光素子層48を覆う封止層50が形成されている。封止層50は、先に形成した有機エレクトロルミネセンス層44を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層50は、有機膜52及びこれを上下で挟む第1無機膜54及び第2無機膜56(例えばシリコン窒化膜)の積層構造になっている。第1無機膜54及び第2無機膜56は、有機膜52の周囲で、接触して重なる。
封止層50には、タッチセンシング層58が積層される。タッチセンシング層58は、相互に交差する複数の送信電極Txと複数の受信電極Rxを、絶縁膜の下と上に有しているが、対向電極46を複数部分に分割して送信電極に共用すれば、送信電極Txを省略することができる。
図2に示すように、ディスプレイDPの上には、偏光板60(例えば円偏光板)及びカバーガラス62が積層されている。また、ディスプレイDPの下には、裏面フィルム64、クッションシート66、ポリイミドフィルム68、グラファイトフィルム70及び銅フィルム72が積層されている。
図4は、図1に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路GDに接続される複数の走査線GLと、信号駆動回路SDに接続される複数の信号線DLを有する。集積回路チップ84(図2)に信号駆動回路SDが配置されている。隣接する2つの走査線GLと隣接する2つの信号線DLとで囲まれる領域が1つの画素PXである。画素PXは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタTR及びスイッチとしての薄膜トランジスタTR2と保持容量Csを含む。走査線GLにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタTR2がON状態となり、信号線DLから映像信号が供給され、保持容量Csに電荷が蓄積される。保持容量Csに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタTRがON状態となり、電源線PWLから発光素子ODに電流が流れる。この電流により発光素子ODが発光する。
図5は、図2に示す表示装置の一部Vの拡大図である。表示装置は、引き出し配線74を有する。引き出し配線74は、図3に示す表示回路層16から第2領域R2に延びるように、柔軟性基板10に形成されている。保護層76が引き出し配線74を覆う。柔軟性基板10の端部12(図2)は、スペーサ78を介して、ディスプレイDPの側に固定されている。また、柔軟性基板10の端部12には、フレキシブルプリント配線板80が接続されている。フレキシブルプリント配線板80には指紋センサ82が搭載されている。
集積回路チップ84(ドライバIC)が、屈曲部14よりも端部12に近い位置又は端部12上で、柔軟性基板10に搭載されている。集積回路チップ84への入力信号は差動信号(デジタル信号であり、振幅はおおむね5V以下)である一方で、集積回路チップ84からの出力信号はシングルエンド信号(階調アナログ信号、振幅は5Vをおおむね超え、5~20V程度ある)である。出力信号は、引き出し配線74を通る。引き出し配線74が長くなると、インダクタンス成分が増加する。また、シングルエンド信号は信号振幅が大きい。これらは、輻射ノイズの悪化要因となる。
表示装置は、導電シールド86を有する。導電シールド86は、第2領域R2の屈曲の内側及び外側の少なくとも一方(図5では内側のみ)にある。導電シールド86は、引き出し配線74を覆う(又は重なる)ように、柔軟性基板10に設けられている。
導電シールド86は、導電性ペースト又は導電性シートを柔軟性基板10に塗布することで形成する。導電性ペーストは、カーボンブラックやグラファイト粉、貴金属粉、銅粉、ニッケル粉等の導電性フィラーと、バインダーとなる樹脂溶剤を混合してペースト状にしたものである。導電粒子としての金属は、銀、銅又はニッケルが一般的に用いられる。屈曲性又は伸縮性に優れた導電性ペーストが望ましい。
製造プロセスでは、集積回路チップ84を柔軟性基板10に実装した後に、屈曲部14となる部分に樹脂を塗布して保護層76を形成する。保護層76、引き出し配線74及び柔軟性基板10の合計厚みの中間にある中立面に引き出し配線74が配置されるように、保護層76の最適な膜厚及びヤング率を選定する。そして、導電ペーストをディップ法等で柔軟性基板10の屈曲部14となる領域に塗布し、その部分を折り曲げる。あるいは、柔軟性基板10の第2領域R2を折り曲げてから、導電ペーストを塗布するか、導電シートを貼付してもよい。
本実施形態によれば、導電シールド86によって、輻射ノイズを遮蔽することができる。
[第2の実施形態]
図6は、第2の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、導電シールド286は、第2領域R2の屈曲の内側及び外側の両方にある。例えば、屈曲の表側では導電ペーストの塗布又は導電性シートの貼付を行い、裏側では導電ペーストを充填する。その他の詳細は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。
図6は、第2の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、導電シールド286は、第2領域R2の屈曲の内側及び外側の両方にある。例えば、屈曲の表側では導電ペーストの塗布又は導電性シートの貼付を行い、裏側では導電ペーストを充填する。その他の詳細は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。
[第3の実施形態]
図7は、第3の実施形態に係る表示装置の展開図である。本実施形態では、金属シート388が柔軟性基板310に積層している。金属シート388は、表示回路層316とは反対側(裏面側)で、第1領域R1に重なる。そして、導電シールド386は、金属シート388に電気的に接続している。導電シールド386及び金属シート388は、グランドに接続される。その他の詳細は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。
図7は、第3の実施形態に係る表示装置の展開図である。本実施形態では、金属シート388が柔軟性基板310に積層している。金属シート388は、表示回路層316とは反対側(裏面側)で、第1領域R1に重なる。そして、導電シールド386は、金属シート388に電気的に接続している。導電シールド386及び金属シート388は、グランドに接続される。その他の詳細は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。
[第4の実施形態]
図8は、第4の実施形態に係る表示装置の展開図である。本実施形態では、導電シールド486と金属シート488は、連続一体化している。その他の詳細は、第3の実施形態で説明した内容が該当する。
図8は、第4の実施形態に係る表示装置の展開図である。本実施形態では、導電シールド486と金属シート488は、連続一体化している。その他の詳細は、第3の実施形態で説明した内容が該当する。
[第5の実施形態]
図9は、第5の実施形態に係る表示装置の展開図である。図10は、図9に示す表示装置のX-X断面図である。本実施形態では、導電シールド586は、表示回路層516に電気的に接続されている。導電シールド586は、グランドに接続されている。この導電シールド586は、図3に示す第2配線層W2に含まれるグランド線590に接続部592で接続するのが好適である。この第2配線層W2は厚みが厚く、抵抗率の低い材料であるため、導電シールド586が十分にノイズをシールドできる能力をもてるからである。封止層50は、周縁部において有機膜52が無くなって第1無機膜54及び第2無機膜56が接触するようになっており、重なった第1無機膜54及び第2無機膜56(必要に応じてその他の絶縁膜)を接続部592が貫通して、導電シールド586及びグランド線590が接続されている。その他の詳細は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。
図9は、第5の実施形態に係る表示装置の展開図である。図10は、図9に示す表示装置のX-X断面図である。本実施形態では、導電シールド586は、表示回路層516に電気的に接続されている。導電シールド586は、グランドに接続されている。この導電シールド586は、図3に示す第2配線層W2に含まれるグランド線590に接続部592で接続するのが好適である。この第2配線層W2は厚みが厚く、抵抗率の低い材料であるため、導電シールド586が十分にノイズをシールドできる能力をもてるからである。封止層50は、周縁部において有機膜52が無くなって第1無機膜54及び第2無機膜56が接触するようになっており、重なった第1無機膜54及び第2無機膜56(必要に応じてその他の絶縁膜)を接続部592が貫通して、導電シールド586及びグランド線590が接続されている。その他の詳細は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
Claims (6)
- 長さ方向に並ぶ第1領域及び第2領域を有し、前記長さ方向に直交する幅方向に延びる軸の周りに前記第2領域で屈曲する柔軟性基板と、
画像を表示するために前記第1領域で前記柔軟性基板に設けられた表示回路層と、
前記表示回路層から前記第2領域に延びるように前記柔軟性基板に形成された引き出し配線と、
前記第2領域の屈曲の内側及び外側の少なくとも一方で、前記引き出し配線を覆うように前記柔軟性基板に設けられた導電シールドと、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記第2領域は、前記第1領域と端部の間に屈曲部を有し、
前記屈曲部よりも前記端部に近い位置で、前記柔軟性基板に搭載された集積回路チップをさらに有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記導電シールドは、前記表示回路層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記導電シールドは、グランドに接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記第1領域に重なって前記表示回路層とは反対側で前記柔軟性基板に積層する金属シートをさらに有し、
前記導電シールドは、前記金属シートに電気的に接続していることを特徴とする表示装置。 - 請求項5に記載された表示装置において、
前記導電シールドと前記金属シートは、連続一体化していることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/238,223 US20210242299A1 (en) | 2018-10-25 | 2021-04-23 | Display device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018200917A JP7100559B2 (ja) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 表示装置 |
JP2018-200917 | 2018-10-25 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US17/238,223 Continuation US20210242299A1 (en) | 2018-10-25 | 2021-04-23 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2020084940A1 true WO2020084940A1 (ja) | 2020-04-30 |
Family
ID=70331029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/035471 WO2020084940A1 (ja) | 2018-10-25 | 2019-09-10 | 表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210242299A1 (ja) |
JP (1) | JP7100559B2 (ja) |
WO (1) | WO2020084940A1 (ja) |
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- 2018-10-25 JP JP2018200917A patent/JP7100559B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-10 WO PCT/JP2019/035471 patent/WO2020084940A1/ja active Application Filing
-
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- 2021-04-23 US US17/238,223 patent/US20210242299A1/en active Pending
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JP2020067589A (ja) | 2020-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19875148 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
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|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
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