JP2003178876A - 自発光型表示装置 - Google Patents
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Abstract
現することのできる自発光型表示装置を提供する。 【解決手段】 表示パネル20は、基板に有機電界発光
素子が形成されてなり、有機電界発光素子の光は発光面
20Aから取り出される。表示パネル20の有機電界発
光素子に対して反対側の背面20Bを覆うように、導電
性材料よりなる薄板状の部材である背面層32Aが接着
層33により接着されている。背面層32Aは、銅,ア
ルミニウム,亜鉛,鉄およびスズの単体、合金および化
合物からなる群のうちの少なくとも1種を含んで構成さ
れている。背面層32Aは、フェライト系材料またはグ
ラファイト等の導電性材料を含むフィルムであってもよ
く、あるいは、めっき,蒸着法および化学気相成長法の
うち少なくとも1種の方法により形成された金属層でも
よい。
Description
た自発光型表示装置に係り、特に、第1電極,発光層を
含む1層以上の有機層および第2電極が順次積層された
複数の有機電界発光素子(有機EL(Electroluminesce
nce )素子)を有し、発光層で発生した光を第2電極の
側から取り出すようにした自発光型表示装置に関する。
レーザ・ダイオード(LD)、有機電界発光素子などの
自発光素子を用いた表示装置(ディスプレイ)の開発が
なされている。この種の表示装置は、一般に、自発光素
子をマトリクス状に複数個配置して画面部(表示パネ
ル)が構成され、各素子を映像信号に応じて選択的に発
光させることにより、映像表示が行われる。
スプレイ(LCD;Liquid CrystalDisplay)などの非
自発光型の表示装置に比べて、バックライトが不要であ
るなどの利点がある。特に、有機電界発光素子を用いた
表示装置(有機ELディスプレイ)は、視野角が広く、
視認性が高いこと、素子の応答速度が速いことなどか
ら、近年注目されている。
の上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極
が順に積層されたものが知られている。このような有機
電界発光素子では、発光層で発生した光は、ディスプレ
イのタイプにより基板の側から取り出される場合もある
が、第2電極の側から取り出される場合もある。
は、単純マトリクス方式(パッシブマトリクス方式)と
アクティブマトリクス方式とがある。単純マトリクス方
式では、垂直方向に延びる複数のデータラインと水平方
向に延びる複数の走査ラインとをマトリクス状に形成
し、1フレーム期間内で各走査ラインを順次走査すると
ともにデータラインに信号を供給し、走査ラインとデー
タラインとの交点に位置する有機EL素子を発光させ
る。アクティブマトリクス方式では、TFT(Thin Fil
m Transister)などの能動素子(アクティブ素子)を各
有機電界発光素子に接続し、各有機電界発光素子ごとに
発光制御を行う。
も、液晶ディスプレイと同様に、アクティブマトリクス
方式の駆動制御が採用されつつある。アクティブマトリ
クス方式の有機ELディスプレイにおいては、基板側か
ら光を取り出す構造の有機電界発光素子を用いることも
可能であるが、第2電極側から光を取り出す構造の有機
電界発光素子の方が有利である。基板に形成されるTF
Tの配置によって光量が影響を受けないので、開口率が
向上し、高輝度化および高精細化が可能となるからであ
る。
ピュータ等の電子機器から漏洩する電磁波は、周辺の他
の電子機器の誤動作を引き起こす虞があり、また人体へ
の影響も懸念されている。特に、有機ELディスプレ
イ,液晶ディスプレイ,プラズマディスプレイ(PD
P;Plasma Display Panel)等のフラットパネルディス
プレイでは、一般的にデジタル制御され、しかも高精細
化に伴い制御クロックや信号は高速化されるので、不要
輻射などの電磁波による障害に対する対策は常に必要と
なる。
は、電気伝導度の大きい金属よりなる金属箔,金属繊維
あるいは金属粉、炭素繊維などがある。例えば一般の電
子機器では、従来より、絶縁性の樹脂ケースに金属繊維
や炭素繊維を混入したり、導電性樹脂ケースを用いたり
して電磁波の漏洩を防ぐことが行われている。しかしな
がら、フラットパネルディスプレイの場合には、表示パ
ネルの前面に電磁波シールド膜を設けなければならない
ので、そのような電磁波シールド膜の材料には電磁波シ
ールド性能だけでなく可視光に対する透光性も要求され
る。
ィスプレイの表示パネルの前面に設けられる電磁波シー
ルド膜には、透明導電材料が用いられることが多かっ
た。例えばプラズマディスプレイに関して、透明高分子
フィルムに、酸化スズ,銀および酸化スズの3層を積層
してなる透明導電層を設けた例(特開平10−2116
68号公報)、あるいは、薄い透明アクリル板にITO
(Indium Tin Oxide)等よりなる透明導電膜または導電
メッシュを設けた例(特開平11−352897号公
報)が提案されている。
属薄膜を積層し、さらに化学機械研磨(CMP)法によ
り研磨することにより膜厚を減らして可視光透光性を付
与した例がある(特開2000−59081公報)。
ルターは、導電性薄膜の加工にコストがかかるので比較
的高価であり、低コスト化に向けての障害となってい
た。
輝度で発光する際にはその効率により熱を生じる。しか
も基板として熱伝導率の低いガラス基板が用いられるこ
とが多く、発光状態によってはディスプレイ内部の熱分
布に大きな差が生じ、ディスプレイとしての発光特性に
悪影響が及ぶことも懸念されていた。
ので、その目的は、不要輻射などの電磁波の低減を低コ
ストで実現することのできる自発光型表示装置を提供す
ることにある。
熱分布を均一化し発光特性を高めることのできる自発光
型表示装置を提供することにある。
示装置は、基板に、複数の自発光素子を含む画素回路を
有するとともに画素回路の周辺に周辺制御回路を有する
表示パネルと、導電性材料を含んで構成され表示パネル
の少なくとも自発光素子に対して反対側の面を覆うよう
に設けられた背面層とを備えたものである。背面層は、
銅(Cu),アルミニウム(Al),亜鉛(Zn),鉄
(Fe)およびスズ(Sn)の単体、合金および化合物
からなる群のうちの少なくとも1種を含んで構成されて
いることが好ましい。また、背面層は、例えば、導電性
材料よりなる薄板状の部材、導電性材料を含むフィル
ム、または、めっき,蒸着法および化学気相成長法のう
ち少なくとも1種の方法により形成された金属層とする
ことができる。自発光素子としては、基板に、第1電
極,発光層を含む1層以上の有機層および第2電極が順
次積層され、発光層で発生した光を第2電極の側から取
り出す有機電界発光素子が好ましい。
パネルの少なくとも自発光素子に対して反対側の面を覆
うように、導電性材料を含んで構成された背面層が設け
られているので、この背面層によって、自発光素子を駆
動するための制御回路や配線電極などが遮蔽され、不要
輻射などの電磁波が低減される。また、背面層により表
示パネルの熱伝導を高めることができるので、有機電界
発光素子などの自発光素子の発光に伴って生じる熱が放
熱され、表示パネル内部の温度分布が均一化される。さ
らに、表示パネルの補強にも役立つ。
て図面を参照して詳細に説明する。
の実施の形態に係る自発光表示装置の断面構造を表すも
のである。この自発光型表示装置は、例えば、自発光型
の表示パネル20を有しており、表示パネル20の正面
の発光面20Aに映像等が表示される。
から見た平面図である。表示パネル20は、自発光素
子、例えば有機電界発光素子を用いて構成されている。
表示パネル20は、アクティブマトリクス方式により駆
動されるものであり、例えばガラスなどの絶縁材料より
なる基板21の周縁部21Aを除く表示領域21Bに、
複数の有機電界発光素子22が配置された構成を有して
いる。
界発光素子22に接続された図示しないTFT,キャパ
シタ等と、有機電界発光素子22間に配設されたアルミ
ニウム(Al)等よりなる配線電極23とを備えた画素
回路24が設けられている。また、基板21の周縁部2
1Aには、画素回路24の図示しないTFT等を制御す
るための周辺制御回路25が配置されるとともに、外部
接続用インターフェース26が設けられている。
ルミニウム,鉄またはこれらの合金などの金属よりなる
枠状の保持部材31により、発光面20Aの周縁部から
側面にかけて保持されているとともに、外部接続用イン
ターフェース26に接続されている。表示パネル20の
背面20Bには、画素回路24および周辺制御回路25
において生じた不要輻射などの電磁波の漏洩を防止する
ため、電磁波を遮蔽する機能を有する導電性材料を含ん
で構成された背面層32Aが設けられている。この背面
層32Aは、保持部材31および外部接続用インターフ
ェース26とともにアース電位Gに設定されており、こ
れにより背面層32Aの電磁波シールド効果をさらに向
上させることができる。
ている。この背面層32Aは、その他、アルミニウム,
亜鉛,鉄およびスズの単体でもよく、またこれらの合金
および化合物でもよい。また、本実施の形態では、背面
層32Aは薄板状の部材であり、背面層32Aと表示パ
ネル20とは接着剤33により接着されている。保持部
材31の断面形状はコの字形であり、背面層32Aと保
持部材31とは直接接続されている。なお、接着剤33
は、保持部材31および外部接続用インターフェース2
6とともに背面層32Aをアース電位Gに設定すること
が目的であるので、材料について特に限定されるもので
はなく、例えば一般的なエポキシ系接着剤を使用するこ
とができる。
における断面を表している。表示パネル20において
は、有機電界発光素子22が形成された基板21と封止
用基板27とが対向配置され、例えば紫外線硬化型樹脂
または熱硬化樹脂よりなる接着樹脂28により全面が貼
り合わされている。基板21の上には、赤色の光を発生
する有機電界発光素子22Rと、緑色の光を発生する有
機電界発光素子22Gと、青色の光を発生する有機電界
発光素子22Bとが、順に全体としてマトリクス状に設
けられている。なお、図3では、有機電界発光素子22
R,22G,22B間に配設される配線電極23は省略
されている。
は、例えば、基板21の側から、第1電極としての陽極
12、絶縁層13、有機層14、および第2電極として
の陰極15がこの順に積層された構造を有している。有
機電界発光素子22R,22G,22Bは、例えば窒化
ケイ素(SiN)よりなる保護層(パッシベーション)
16により覆われている。保護層16は、有機電界発光
素子22R,22G,22Bへの水分や酸素の侵入を防
止するためのものである。
下、単に厚みと言う)が200nm程度であり、白金
(Pt),金(Au),銀(Ag),クロム(Cr)あ
るいはタングステン(W)などの金属、またはその合金
により構成されている。
縁性を確保すると共に、有機電界発光素子22R,22
G,22Bにおける発光領域の形状を正確に所望の形状
とするためのものである。絶縁層13は、例えば、厚み
が600nm程度であり、二酸化ケイ素(SiO2 )な
どの絶縁材料により構成され、発光領域に対応して開口
部13Aが設けられている。
22G,22Bごとに構成が異なっている。図4は、有
機電界発光素子22R,22Gにおける有機層14の構
成を拡大して表すものである。有機電界発光素子22
R,22Gでは、有機層14は、有機材料よりそれぞれ
なる正孔注入層14A、正孔輸送層14Bおよび発光層
14Cが陽極12の側からこの順に積層された構造を有
している。正孔注入層14Aおよび正孔輸送層14Bは
発光層14Cへの正孔注入効率を高めるためのものであ
る。発光層14Cは電流の注入により光を発生するもの
であり、絶縁層13の開口部13Aに対応した領域で発
光するようになっている。
14Aは、例えば、厚みが30nm程度であり、4,
4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミ
ノ)トリフェニルアミン(MTDATA)により構成さ
れている。正孔輸送層14Bは、例えば、厚みが30n
m程度であり、ビス[(N−ナフチル)−N−フェニ
ル]ベンジジン(α−NPD)により構成されている。
発光層14Cは、例えば、厚みが40nm程度であり、
8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq)に4−ジ
シアノメチレン−6−(p−ジメチルアミノスチリル)
−2−メチルー4H−ピラン(DCM)を2体積%混合
したものにより構成されている。
14Aおよび正孔輸送層14Bは、有機電界発光素子2
2Rと同様の材料により構成されており、正孔輸送層1
4Aの厚みは例えば30nm程度であり、正孔輸送層1
4Bの厚みは例えば20nm程度である。発光層14C
は、例えば、厚みが50nm程度であり、8−キノリノ
ールアルミニウム錯体(Alq)により構成されてい
る。
有機層14の構成を拡大して示すものである。有機電界
発光素子22Bでは、有機層14は、有機材料よりそれ
ぞれなる正孔注入層14A、正孔輸送層14B、発光層
14Cおよび電子輸送層14Dが陽極12の側からこの
順に積層された構造を有している。電子輸送層14Dは
発光層14Cへの電子注入効率を高めるためのものであ
る。
14Aおよび正孔輸送層14Bは、有機電界発光素子2
2R,22Gと同様の材料により構成されており、正孔
輸送層14Aの厚みは例えば30nm程度であり、正孔
輸送層14Bの厚みは例えば30nm程度である。発光
層14Cは、例えば、厚みが15nm程度であり、バソ
クプロイン(BCP)により構成されている。電子輸送
層14Dは、例えば、厚みが30nm程度であり、Al
qにより構成されている。
に、発光層14Cで発生した光に対して半透過性を有す
る半透過性電極15Aと、発光層14Cで発生した光に
対して透過性を有する透明電極15Bとが有機層14の
側からこの順に積層された構造を有している。これによ
り、この表示パネル20では、図3ないし図5において
破線の矢印で示したように、発光層14Cで発生した光
を陰極15の側から取り出すようになっている。
0nm程度であり、マグネシウム(Mg)と銀との合金
(MgAg合金)により構成されている。半透過性電極
15Aは、発光層14Cで発生した光を陽極12との間
で反射させるためのものである。すなわち、半透過性電
極15Aと陽極12とにより、発光層14Cで発生した
光を共振させる共振器の共振部を構成している。このよ
うに共振器を構成するようにすれば、発光層14Cで発
生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルター
として作用することにより、取り出される光のスペクト
ルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができる
ので好ましい。また、封止用基板27から入射した外光
についても多重干渉により減衰させることができ、後述
する赤色フィルター29R,緑色フィルター29Gおよ
び青色フィルター29B(図3参照)との組合せにより
有機電界発光素子22R,22G,22Bにおける外光
の反射率を極めて小さくすることができるので好まし
い。
波長と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを
一致させるようにすることが好ましい。すなわち、陽極
12および半透過性電極15Aで生じる反射光の位相シ
フトをΦ(rad)、陽極12と半透過性電極15Aと
の間の光学的距離をL、陰極15の側から取り出したい
光のスペクトルのピーク波長をλとすると、この光学的
距離Lは数2を満たすようにすることが好ましく、実際
には、数2を満たす正の最小値となるように選択するこ
とが好ましい。なお、数2においてLおよびλは単位が
共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。
電気抵抗を下げるためのものであり、発光層14Cで発
生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料によ
り構成されている。透明電極15Bを構成する材料とし
ては、例えば、インジウムと亜鉛(Zn)と酸素とを含
む化合物が好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を
得ることができるからである。透明電極15Bの厚み
は、例えば200nm程度とすることが好ましい。
基板21の有機電界発光素子22R,22G,22Bの
側に位置しており、接着樹脂28と共に有機電界発光素
子22R,22G,22Bを封止している。封止用基板
27は、有機電界発光素子22R,22G,22Bで発
生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成さ
れている。封止用基板27には、例えば、カラーフィル
ターとして赤色フィルター29R,緑色フィルター29
Gおよび青色フィルター29Bおよびブラックマトリク
ス30が設けられており、有機電界発光素子22R,2
2G,22Bで発生した光を取り出すと共に、有機電界
発光素子22R,22G,22Bおよびその間に位置す
る配線電極23(図2参照)において反射された外光を
吸収し、コントラストを改善するようになっている。
ター29Gおよび青色フィルター29Bならびにブラッ
クマトリクス30は、封止用基板27のどちら側の面に
設けられてもよいが、有機電界発光素子22R,22
G,22Bの側に設けられることが好ましい。赤色フィ
ルター29R,緑色フィルター29Gおよび青色フィル
ター29Bおよびブラックマトリクス30が表面に露出
せず、接着樹脂28により保護することができるからで
ある。
9Gおよび青色フィルター29は、有機電界発光素子2
2R,22G,22Bに対応して順に配置されている。
赤色フィルター29R,緑色フィルター29Gおよび青
色フィルター29Bの平面配置方式としては、デルタ配
置、ストライプ配置などの従来の配置方式のいずれを利
用してもよい。赤色フィルター29R,緑色フィルター
29Gおよび青色フィルター29Bは、顔料を混入した
樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択するこ
とにより目的とする赤,緑あるいは青の波長域における
光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くな
るように調整されている。
ように、赤色フィルター29R,緑色フィルター29G
および青色フィルター29Bの境界に沿って設けられて
いる。ブラックマトリクス30は、例えば黒色の着色剤
を混入した光学濃度が1以上の黒色の樹脂膜、または薄
膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されてい
る。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれ
ば、安価で容易に形成することができるので好ましい。
薄膜フィルターは、例えば、金属,金属窒化物あるいは
金属酸化物よりなる薄膜を1層以上積層し、薄膜の干渉
を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルター
としては、具体的には、クロムと酸化クロム(III)
(Cr2 O3 )とを交互に積層したものが挙げられる。
板21の有機電界発光素子22R,22G,22Bが設
けられた側の全面を覆うことにより、有機電界発光素子
22R,22G,22Bの腐食および破損をより効果的
に防止するようになっている。但し、接着樹脂28は、
必ずしも基板21の全面に設けられている必要はなく、
少なくとも有機電界発光素子22R,22G,22Bを
覆うように設けられていればよい。
製造することができる。
を工程順に表すものである。まず、図6(A)に示した
ように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板27
の上に、上述した材料よりなるブラックマトリクス30
を成膜し、パターニングする。次いで、図6(B)に示
したように、封止用基板27の上に、赤色フィルター2
9Rの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリ
ソグラフィ技術によりパターニングして焼成することに
より赤色フィルター29Rを形成する。パターニングの
際には、赤色フィルター29Rの周縁部がブラックマト
リクス30にかかるようにすることが好ましい。ブラッ
クマトリクス30にかからないように高精度にパターニ
ングすることは難しく、またブラックマトリクス30の
上に重なった部分は画像表示に影響を与えないからであ
る。続いて、図6(C)に示したように、赤色フィルタ
ー29Rと同様にして、青色フィルター29Bおよび緑
色フィルター29Gを順次形成する。
ば、上述した材料よりなる基板21の上に、例えば直流
スパッタリングにより、上述した材料よりなる陽極12
を形成する。次いで、陽極12の上に、例えばCVD
(Chemical Vapor Deposition ;化学的気相成長)法に
より絶縁層13を上述した厚みで成膜し、例えばリソグ
ラフィー技術を用いて発光領域に対応する部分を選択的
に除去して開口部13Aを形成する。
ば蒸着法により図示しないエリアマスクを用い、絶縁層
13の開口部13Aに対応して、上述した厚みおよび材
料よりなる正孔注入層14A,正孔輸送層14B,発光
層14Cおよび電子輸送層14Dを順次成膜する。その
際、有機電界発光素子22R,22G,22Bにより用
いるエリアマスクを変え、有機電界発光素子22R,2
2G,22Bごとに成膜をする。また、開口部13Aに
のみ高精度に蒸着することは難しいので、開口部13A
全体を覆い、絶縁層13の縁に少しかかるように成膜す
ることが好ましい。有機層14を形成したのち、例えば
蒸着法により図示しないエリアマスクを用い、上述した
厚みおよび材料よりなる半透過性電極15Aを形成す
る。そののち、半透過性電極15Aの上に、例えば直流
スパッタリングにより、半透過性電極15Aと同じエリ
アマスクを用いて透明電極15Bを成膜する。最後に有
機電界発光素子22R,22G,22Bを例えば上述し
た材料よりなる保護層16により覆う。なお、上述した
有機電界発光素子22R,22G,22Bの形成ととも
に、基板21上には、配線電極23,周辺制御回路2
5,有機電界発光素子22R,22G,22Bを駆動制
御するための図示しないTFTやキャパシタ等も形成さ
れる。
21の有機電界発光素子22R,22G,22Bを形成
した側に、接着樹脂28を塗布形成する。塗布は、例え
ば、スリットノズル型ディスペンサーから樹脂を吐出さ
せて行うようにしてもよく、ロールコートあるいはスク
リーン印刷などにより行うようにしてもよい。
21と封止用基板27とを接着樹脂28を介して貼り合
わせる。その際、封止用基板27のうち赤色フィルター
29R,緑色フィルター29Gおよび青色フィルター2
9Bならびにブラックマトリクス30を形成した側の面
を、基板21と対向させて配置することが好ましい。ま
た、接着樹脂28に気泡などが混入しないようにするこ
とが好ましい。続いて、接着樹脂28を硬化させる前
に、例えば封止用基板27を適宜移動させることによ
り、封止用基板27と基板21との相対位置を整合させ
る。すなわち、有機電界発光素子22R,22G,22
Bと赤色フィルター29R,緑色フィルター29Gおよ
び青色フィルター29Bとの位置を整合させる。このと
き、接着樹脂28はまだ未硬化であり、封止用基板27
と基板21との相対位置を数百μm程度動かすことがで
きる。
加熱することにより、接着樹脂28を硬化させ、基板2
1と封止用基板27とを接着させる。以上により、図2
ないし図5に示した表示パネル20が完成する。最後
に、図1に示したように、表示パネル20に保持部材3
1を取り付け、その後、表示パネル20の背面20Bお
よび保持部材31に、接着層33を介して背面層32A
を接着させる。これにより、図1に示した自発光型表示
装置が完成する。
置では、陽極12と陰極15との間に所定の電圧が印加
されると、発光層14Cに電流が注入され、正孔と電子
とが再結合することにより、主として発光層14C側の
界面において発光が起こる。この光は、陽極12と半透
過性電極15Aとの間で多重反射し、陰極15,接着樹
脂28,赤色フィルター29R,緑色フィルター29G
および青色フィルター29Bならびに封止用基板27を
透過して、封止用基板27の側から取り出される。
ネル20の背面20B、すなわち有機電界発光素子22
R,22G,22Bに対して反対側の面を覆うように、
導電性材料を含んで構成された背面層32Aを設けるよ
うにしたので、この背面層32Aによって、周辺制御回
路25や配線電極23が遮蔽され、不要輻射などの電磁
波の漏洩が防止される。
鉛,鉄およびスズの単体、合金および化合物からなる群
のうちの少なくとも1種を含んで構成されているので、
透明導電材料を用いずに、安価な材料で高い電磁波遮蔽
能力を期待することができる。なお、背面層32Aは、
表示パネル20の発光面20A側ではなく背面20Bに
位置するので、従来のように高価で製造に手間のかかる
透明導電材料を用いる必要はなく、上記の群に列挙した
材料で足りる。
の熱伝導を高めることができるので、有機電界発光素子
22R,22G,22Bの発光に伴って生じる熱が放熱
され、表示パネル20内部の温度分布が均一化される。
特に、背面層32Aを、熱伝導率の高い銅の単体、合金
および化合物の少なくとも1種により構成すれば、高い
放熱効果が得られる。この場合、接着層33に、熱伝導
率の高いシリコーン系接着剤を用いると、さらに有効で
ある。
あるので、表示パネル20の補強にも役立つ。補強のた
めに適当な背面層32Aの材料としては、特に鉄の単
体、合金および化合物が挙げられる。また、薄板状の部
材とすることにより、容易に製造または入手することが
でき、且つ、接着層33により簡単に取り付けることが
できる。
2の実施の形態に係る自発光型表示装置を表している。
この自発光型表示装置では、背面層32Bが導電性材料
を含むフィルムであることを除き、第1の実施の形態と
同様の構成,作用および効果を有する。したがって、同
一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
ばフェライト系材料またはグラファイトを含むフィルム
であり、第1の実施の形態における背面層32Aと同様
に電磁波シールド膜としての機能を果たすことができ
る。特に、グラファイトを含むフィルムとした場合に
は、電磁波低減効果に加えて、放熱効果により表示パネ
ル20内の温度を均一化できるという相乗的な効果も得
ることができる。
第3の実施の形態に係る自発光型表示装置を表してい
る。この自発光型表示装置では、背面層32Cが、表示
パネル20の有機電界発光素子22R,22G,22B
に対して反対側の面に形成された金属層であることを除
き、第1の実施の形態と同様の構成,作用および効果を
有する。したがって、同一の構成要素には同一の符号を
付してその説明を省略する。
ルミニウム,亜鉛,鉄およびスズの単体、合金および化
合物からなる群のうちの少なくとも1種とすることがで
きるが、一般的に形成が容易であることから銀または銀
の合金が好ましい。
背面20Bに設けられるので特に膜厚や精度についての
制約はなく、めっき,蒸着法および化学気相成長法のう
ち少なくとも1種の方法で形成されたものとすることが
できる。特に、化学気相成長法を用いれば、表示パネル
20の製造プロセスと同時に背面層32Cを形成するこ
とができるので好ましい。なお、背面層32Cの膜厚
は、上述のように特に制約されないものの、良好な導通
性能を確保するため100μm以上とすることが望まし
い。
パネル20の有機電界発光素子22R,22G,22B
に対して反対側の面に形成された金属層であるので、表
示パネル20の重量,外観および寸法にほとんど影響を
与えることなく、配線電極23および周辺制御回路25
を遮蔽し、不要輻射などの電磁波の漏洩を防止すること
ができる。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、有機電界発光素子22R,22G,22Bの構成を
具体的に挙げて説明したが、絶縁層13あるいは透明電
極15Bなどの全ての層を備える必要はなく、また、他
の層を更に備えていてもよい。なお、半透過性電極15
Aを備えない場合についても本発明を適用することがで
きるが、上記実施の形態においても説明したように、半
透過性電極15Aと陽極12とを共振部とする共振器を
有するようにした方が、有機電界発光素子22R,22
G,22Bにおける外光の反射率を小さくすることがで
き、コントラストをより向上させることができるので好
ましい。
ては、上記実施の形態ではアクティブマトリクス方式の
例について説明したが、本発明はパッシブマトリクス方
式の駆動制御を採用する場合にも適用可能である。
A,32B,32Cが表示パネル20の背面20Bのみ
を覆う例について説明したが、背面層32A,32B,
32Cは表示パネル20の背面20Bから側面にかけて
覆うように形成されていてもよい。また、背面層32
A,32B,32Cを表示パネル20の背面20Bから
側面および発光面20Aの周縁部まで覆うように形成
し、保持部材31を兼ねるようにしてもよい。
14の材料を変えることにより赤色,緑色および青色の
光を発生させるようにしたが、本発明は、色変換層(co
lorchanging mediams;CCM)を組み合わせることに
より、またはカラーフィルターを組み合わせることによ
りこれらの光を発生させるようにした表示装置について
も、適用することができる。
項11のいずれか1項に記載の自発光型表示装置によれ
ば、表示パネルの少なくとも自発光素子に対して反対側
の面を覆うように、導電性材料を含んで構成された背面
層を設けるようにしたので、この背面層によって、周辺
制御回路や配線電極が遮蔽され、不要輻射などの電磁波
の漏洩防止対策を安価に行うことができる。
よれば、背面層は、銅,アルミニウム,亜鉛,鉄および
スズの単体、合金および化合物からなる群のうちの少な
くとも1種を含んで構成されているので、透明導電材料
を用いずに、安価な材料で高い電磁波遮蔽能力を期待す
ることができる。なお、背面層は、表示パネルの発光面
ではなく背面に位置するので、従来のように高価で製造
に手間のかかる透明導電材料を用いる必要はなく、上記
の群に列挙した材料で足りる。また、背面層により表示
パネルの熱伝導を高めることができるので、自発光素子
の発光に伴って生じる熱が放熱され、表示パネル内部の
温度分布が均一化される。特に、背面層を、熱伝導率の
高い銅の単体、合金および化合物の少なくとも1種によ
り構成すれば、電磁波シールド効果と放熱効果との相乗
効果が得られる。
装置によれば、背面層は薄板状の部材であるので、上述
した電磁波シールド効果に加えて、表示パネルの補強に
も役立つ。表示パネルの補強のために特に適当な背面層
の材料としては、鉄の単体、合金および化合物が挙げら
れる。また、薄板状の部材とすることにより、容易に製
造または入手することができ、且つ、一般の接着剤によ
り簡単に取り付けることができる。
光型表示装置によれば、背面層は導電性材料を含むフィ
ルム、具体的にはフェライト系材料またはグラファイト
を含むフィルムであるので、安価な材料で高い電磁波遮
蔽能力を期待することができる。とりわけグラファイト
を含むフィルムの場合には、電磁波シールド効果に加え
て、放熱効果により表示パネル内部の温度を均一化する
こともできる。また、このようなフィルムは容易に製造
または入手することができ、且つ、一般の接着剤により
簡単に取り付けることができる。
発光表示装置によれば、背面層が、表示パネルの自発光
素子に対して反対側の面に形成された金属層であるの
で、表示パネルの重量,外観および寸法にほとんど影響
を与えることなく、配線電極および周辺制御回路などを
遮蔽し、不要輻射などの電磁波の漏洩を防止することが
できる。
ずれか1項に記載の自発光型表示装置によれば、自発光
素子が、基板に、第1電極,発光層を含む1層以上の有
機層および第2電極が順次積層され、発光層で発生した
光を第2電極の側から取り出す有機電界発光素子である
ので、背面層により、電磁波の漏洩を防止する効果とと
もに、有機電界発光素子が高輝度で発光する際に生じる
熱を放散する効果が得られる。したがって、表示パネル
内の温度分布が均一化され、高い表示特性を有する有機
ELディスプレイを実現することができる。
の自発光型表示装置によれば、半透過性電極と第1電極
とが共振器の共振部を構成するようにしたので、発光層
で発生した光を多重干渉させ、一種の狭帯域フィルター
として作用させることにより、取り出す光のスペクトル
の半値幅を減少させることができ、色純度を向上させる
ことができる。加えて、封止パネルから入射した外光に
ついても多重干渉により減衰させることができ、カラー
フィルターとの組合せにより有機電界発光素子における
外光の反射率を極めて小さくすることができる。よっ
て、コントラストをより向上させることができる。
装置の構成を表す断面図である。
ネルの平面図である。
面図である。
界発光素子の構成を拡大して表す断面図である。
界発光素子の構成を拡大して表す断面図である。
程順に表す断面図である。
装置の構成を表す断面図である。
示装置の構成を表す断面図である。
部、14…有機層、14A…正孔注入層、14B…正孔
輸送層、14C…発光層、14D…電子輸送層、15…
陰極(第2電極)、15A…半透過性電極、15B…透
明電極、20…表示パネル、20A…発光面、20B…
背面、21…基板、21A…周縁部、21B…表示領
域、22,22R,22G,22B…有機電界発光素
子、23…配線電極、24…画素回路、25…周辺制御
回路、26…外部接続用インターフェース、27…封止
用基板、28…接着樹脂、29R…赤色フィルター、2
9G…緑色フィルター、29B…青色フィルター、30
…ブラックマトリクス、31…保持部材、32A,32
B,32C…背面層、33…接着層
Claims (11)
- 【請求項1】 基板に、複数の自発光素子を含む画素回
路を有するとともに前記画素回路の周辺に周辺制御回路
を有する表示パネルと、 導電性材料を含んで構成され前記表示パネルの少なくと
も前記自発光素子に対して反対側の面を覆うように設け
られた背面層とを備えたことを特徴とする自発光型表示
装置。 - 【請求項2】 前記背面層は、銅(Cu),アルミニウ
ム(Al),亜鉛(Zn),鉄(Fe)およびスズ(S
n)の単体、合金および化合物からなる群のうちの少な
くとも1種を含んで構成されていることを特徴とする請
求項1記載の自発光型表示装置。 - 【請求項3】 前記背面層は、導電性材料よりなる薄板
状の部材であることを特徴とする請求項1記載の自発光
型表示装置。 - 【請求項4】 前記背面層は、導電性材料を含むフィル
ムであることを特徴とする請求項1記載の自発光型表示
装置。 - 【請求項5】 前記背面層は、フェライト系材料または
グラファイトを含むフィルムであることを特徴とする請
求項1記載の自発光型表示装置。 - 【請求項6】 前記背面層は、めっき,蒸着法および化
学気相成長法のうち少なくとも1種の方法により形成さ
れた金属層であることを特徴とする請求項1記載の自発
光型表示装置。 - 【請求項7】 前記背面層の膜厚は100μm以上であ
ることを特徴とする請求項6記載の自発光型表示装置。 - 【請求項8】 前記表示パネルの周縁部を保持するとと
もに金属よりなる保持部材と、前記表示パネルと外部機
器との接続のための外部接続用インターフェースとを備
え、 前記背面層は、前記保持部材および前記外部接続用イン
ターフェースとともにアース電位に設定されていること
を特徴とする請求項1記載の自発光表示装置。 - 【請求項9】 前記自発光素子は、前記基板に、第1電
極,発光層を含む1層以上の有機層および第2電極が順
次積層され、前記発光層で発生した光を前記第2電極の
側から取り出す有機電界発光素子であることを特徴とす
る請求項1記載の自発光型表示装置。 - 【請求項10】 前記第2電極は、前記発光層で発生し
た光に対して半透過性の半透過性電極を有し、 この半透過性電極と前記第1電極とは、前記発光層で発
生した光を共振させる共振器の共振部を構成しているこ
とを特徴とする請求項9記載の自発光型表示装置。 - 【請求項11】 前記第1電極および前記半透過性電極
で生じる反射光の位相シフトをΦ、前記第1電極と前記
半透過性電極との間の光学的距離をL、前記第2電極の
側から取り出す光のスペクトルのピーク波長をλとする
と、 前記光学的距離Lは、数1を満たす正の最小値であるこ
とを特徴とする請求項9記載の自発光型表示装置。 【数1】2L/λ+Φ/2π=q (qは整数)
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