JPS63253987A - El表示装置の電磁シ−ルド構造 - Google Patents
El表示装置の電磁シ−ルド構造Info
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- JPS63253987A JPS63253987A JP8849987A JP8849987A JPS63253987A JP S63253987 A JPS63253987 A JP S63253987A JP 8849987 A JP8849987 A JP 8849987A JP 8849987 A JP8849987 A JP 8849987A JP S63253987 A JPS63253987 A JP S63253987A
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、E L (Electro Lum1nes
cence)を用いて情報表示等を行うEL表示装置に
おいて、このEL表示装置から放射される電磁波をシー
ルドするためのEL表示装置の電磁シールド構造に関す
るものである。
cence)を用いて情報表示等を行うEL表示装置に
おいて、このEL表示装置から放射される電磁波をシー
ルドするためのEL表示装置の電磁シールド構造に関す
るものである。
EL表示装置は、第2図に示すように、ベースプレート
11の両側に配置されたEL表示パネル12と表示駆動
回路基板13の全体を、シャーシGND19に接続され
た導電性のシャーシ14にて覆うことにより電磁シール
ドを行うている。
11の両側に配置されたEL表示パネル12と表示駆動
回路基板13の全体を、シャーシGND19に接続され
た導電性のシャーシ14にて覆うことにより電磁シール
ドを行うている。
ところが、このようなシャーシ14では、EL表示パネ
ル12の表示面16まで覆うことができないので、この
表示面16側にも別に電磁シールドを行う必要がある。
ル12の表示面16まで覆うことができないので、この
表示面16側にも別に電磁シールドを行う必要がある。
このため、従来のEL表示装置では、このEL表示パネ
ル12の表示面16の前面に第2図に示すような導電性
フィルム20若しくはその他の導電性フィルタ等を配置
したり、或いは、EL表示パネル12の表示面16に直
接、導電性薄膜を形成することにより、表示面16側か
ら放射される電磁波をシールドしていた。
ル12の表示面16の前面に第2図に示すような導電性
フィルム20若しくはその他の導電性フィルタ等を配置
したり、或いは、EL表示パネル12の表示面16に直
接、導電性薄膜を形成することにより、表示面16側か
ら放射される電磁波をシールドしていた。
しかしながら、このようにEL表示パネル12の表示面
16側に導電性フィルム20等を配置した電磁シールド
構造では、EL表示パネル12から発した表示光の透過
率をある程度以上確保するためには、この導電性フィル
ム20等の導電率をあまり高くすることができないので
、十分なシールド効果が得られないという問題点を有し
ていた。また、電磁シールド構造としてEL表示パネル
12の表示面16に導電性膜を形成する場合、透光性と
導電性とを得るためにAu等の導電性金属、又はITO
等の導電性酸化物等の高価な材料を使用して高度な薄膜
技術により成膜しなければならず、また、導電性フィル
ム20等の場合もほぼ同様の事情となるので、電磁シー
ルド構造のためのコストが高くつくという問題点も有し
ていた。
16側に導電性フィルム20等を配置した電磁シールド
構造では、EL表示パネル12から発した表示光の透過
率をある程度以上確保するためには、この導電性フィル
ム20等の導電率をあまり高くすることができないので
、十分なシールド効果が得られないという問題点を有し
ていた。また、電磁シールド構造としてEL表示パネル
12の表示面16に導電性膜を形成する場合、透光性と
導電性とを得るためにAu等の導電性金属、又はITO
等の導電性酸化物等の高価な材料を使用して高度な薄膜
技術により成膜しなければならず、また、導電性フィル
ム20等の場合もほぼ同様の事情となるので、電磁シー
ルド構造のためのコストが高くつくという問題点も有し
ていた。
さらに、透光性と導電性とを兼ね備えた素材では、分光
特性を自由に選択することができないので、導電性フィ
ルム20等を通して見るEL表示パネルI2の表示光の
分光特性も制約を受けるという問題点を有していた。
特性を自由に選択することができないので、導電性フィ
ルム20等を通して見るEL表示パネルI2の表示光の
分光特性も制約を受けるという問題点を有していた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係るEL表示装置の電磁シールド構造は、上記
問題点を解決するために、ベースプレートの一面にEL
表示パネルを取り付けるとともに他面側に表示駆動回路
基板を配置し、かつ、EL表示パネルの表示面を除く全
体を、シャーシGNDに接続されたシャーシで覆ったE
L表示装置において、ベースプレートの少な(とも一方
の表面に導電層を形成し、かつ、この導電層をシャーシ
に接続したことを特徴としている。
問題点を解決するために、ベースプレートの一面にEL
表示パネルを取り付けるとともに他面側に表示駆動回路
基板を配置し、かつ、EL表示パネルの表示面を除く全
体を、シャーシGNDに接続されたシャーシで覆ったE
L表示装置において、ベースプレートの少な(とも一方
の表面に導電層を形成し、かつ、この導電層をシャーシ
に接続したことを特徴としている。
導電層は、導電性の薄膜又は塗布膜等で構成される。こ
の導電層を形成する面は、通常ベースプレートのEL表
示パネル取付側の表面が適当であるが、反対側の表面に
形成したり、又は、両表面に形成した場合であっても同
様の効果を得ることができる。また、この導電層は、透
光性や分光特性を考慮する必要がないので、安価な材料
を用いて簡易な工程により形成することができ、しかも
、高い導電率を得るために形成層を十分に厚くすること
ができる。
の導電層を形成する面は、通常ベースプレートのEL表
示パネル取付側の表面が適当であるが、反対側の表面に
形成したり、又は、両表面に形成した場合であっても同
様の効果を得ることができる。また、この導電層は、透
光性や分光特性を考慮する必要がないので、安価な材料
を用いて簡易な工程により形成することができ、しかも
、高い導電率を得るために形成層を十分に厚くすること
ができる。
このようにして形成された導電層は、EL表示装置の全
体を電磁シールドするシャーシと電気的に接続してシャ
ーシGNDをとる。
体を電磁シールドするシャーシと電気的に接続してシャ
ーシGNDをとる。
このように、電磁シールドのための導電層をEL表示パ
ネルの表示面とは反対側に配置することができるのは、
EL表示装置において実用上障害となる30MHz乃至
100100Oの電磁波のほとんどが、実際には表示駆
動回路基板から放射されているからである。従って、こ
の表示駆動回路基板から放射された電磁波はベースプレ
ートに形成された導電層によって確実にシールドされる
ので、EL表示パネルの表示面からは実用上障害となる
ような電磁波が放射されることはない。また、EL表示
装置の周囲も従来と同様にシャーシによって電磁シール
ドされる。
ネルの表示面とは反対側に配置することができるのは、
EL表示装置において実用上障害となる30MHz乃至
100100Oの電磁波のほとんどが、実際には表示駆
動回路基板から放射されているからである。従って、こ
の表示駆動回路基板から放射された電磁波はベースプレ
ートに形成された導電層によって確実にシールドされる
ので、EL表示パネルの表示面からは実用上障害となる
ような電磁波が放射されることはない。また、EL表示
装置の周囲も従来と同様にシャーシによって電磁シール
ドされる。
本発明の一実施例を第1図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
の通りである。
本実施例におけるEL表示装置は、ベースプレー)1.
EL表示パネル2、表示駆動回路基板3及びシャーシ4
とで構成されている。ベースブレー)1は、EL表示パ
ネル2の支持部材であり、この表面には、導電N5が形
成されている。この導電層5は、ベースプレート1の表
面にアルミニウム(Al’)等の導電性金属を蒸着させ
ることにより形成した層である。この導電層5は、光の
透過率等を考慮する必要がないので、厚く形成され電磁
シールドのために十分な導電率を得ている。
EL表示パネル2、表示駆動回路基板3及びシャーシ4
とで構成されている。ベースブレー)1は、EL表示パ
ネル2の支持部材であり、この表面には、導電N5が形
成されている。この導電層5は、ベースプレート1の表
面にアルミニウム(Al’)等の導電性金属を蒸着させ
ることにより形成した層である。この導電層5は、光の
透過率等を考慮する必要がないので、厚く形成され電磁
シールドのために十分な導電率を得ている。
EL表示パネル2は、両面に電極を配置したEL発光層
をガラス基板上に薄膜形成した表示素子であり、このガ
ラス基板における薄膜形成されない側の面を表示面6と
し、この表示面6を通してEL発光層の光を表示するよ
うになっている。このEL表示パネル2は、ベースプレ
ート1の導電層5を形成した側の表面に粘着剤等で接着
して取り付けられている。表示駆動回路基板3は、EL
表示パネル2の表示を駆動する回路素子を実装した基板
であり、ベースプレート1の導電層5を形成した表面と
は反対側に配置され、ベースプレート1を貫通する接続
リード7・7によってEL表示パネル2と接続している
。シャーシ4は、このようにして一体化されたベースプ
レート1、EL表示パネル2及び表示駆動回路基板3に
おけるEL表示パネル2の表示面6を除いた周囲全体を
覆い、このシャーシ4の内側に突設したボス8・8にベ
ースプレート1の端部をそれぞれねし止めすることによ
り固定している。このシャーシ4は、アルミニウム等の
導電性の金属板で形成され、シャーシGND9に接続さ
れている。また、ベースプレート1の導電層5は、ボス
8・8を介してこのシャーシ4に電気的に接続されるこ
とになる。
をガラス基板上に薄膜形成した表示素子であり、このガ
ラス基板における薄膜形成されない側の面を表示面6と
し、この表示面6を通してEL発光層の光を表示するよ
うになっている。このEL表示パネル2は、ベースプレ
ート1の導電層5を形成した側の表面に粘着剤等で接着
して取り付けられている。表示駆動回路基板3は、EL
表示パネル2の表示を駆動する回路素子を実装した基板
であり、ベースプレート1の導電層5を形成した表面と
は反対側に配置され、ベースプレート1を貫通する接続
リード7・7によってEL表示パネル2と接続している
。シャーシ4は、このようにして一体化されたベースプ
レート1、EL表示パネル2及び表示駆動回路基板3に
おけるEL表示パネル2の表示面6を除いた周囲全体を
覆い、このシャーシ4の内側に突設したボス8・8にベ
ースプレート1の端部をそれぞれねし止めすることによ
り固定している。このシャーシ4は、アルミニウム等の
導電性の金属板で形成され、シャーシGND9に接続さ
れている。また、ベースプレート1の導電層5は、ボス
8・8を介してこのシャーシ4に電気的に接続されるこ
とになる。
なお、この導電層5とシャーシ4との接続は、インピー
ダンスができるだけ低くなるように(1Ω以下)留意す
る。また、一点接触ではなくシールドする電磁波の半波
長以下の間隔で接触をとるようにし、できれば、各ボス
8・・・を繋げて堤状に形成することにより全周にわた
って接触させるようにする。
ダンスができるだけ低くなるように(1Ω以下)留意す
る。また、一点接触ではなくシールドする電磁波の半波
長以下の間隔で接触をとるようにし、できれば、各ボス
8・・・を繋げて堤状に形成することにより全周にわた
って接触させるようにする。
上記の構成をなすEL表示装置の電磁シールド構造によ
れば、表示駆動回路基板3からEL表示パネル2に向け
て放射された電磁波をベースプレート1の導電層5によ
ってシールドすることができる。また、他の方向へ放射
された電磁波は、従来と同様にシャーシ4によって確実
にシールドされる。
れば、表示駆動回路基板3からEL表示パネル2に向け
て放射された電磁波をベースプレート1の導電層5によ
ってシールドすることができる。また、他の方向へ放射
された電磁波は、従来と同様にシャーシ4によって確実
にシールドされる。
従って、本実施例のEL表示装置の電磁シールド構造は
、EL表示パネルの表示面から放射される電磁波を厚い
導電性の蒸着膜からなる導電層5によって確実にシール
ドすることができる。そして、この導電層5は、ベース
プレート10表面にアルミニウム等を蒸着して形成した
ものなので、比較的安価な材料を用いて簡易な工程によ
り形成することができる。
、EL表示パネルの表示面から放射される電磁波を厚い
導電性の蒸着膜からなる導電層5によって確実にシール
ドすることができる。そして、この導電層5は、ベース
プレート10表面にアルミニウム等を蒸着して形成した
ものなので、比較的安価な材料を用いて簡易な工程によ
り形成することができる。
本発明に係るEL表示装置の電磁シールド構造は、以上
のように、ベースプレートの一面にEL表示パネルを取
り付けるとともに他面側に表示駆動回路基板を配置し、
かつ、EL表示パネルの表示面を除く全体を、シャーシ
GNDに接続されたシャーシで覆ったEL表示装置にお
いて、ベースプレートの少なくとも一方の表面に導電層
を形成し、かつ、この導電層をシャーシに接続した構成
である。
のように、ベースプレートの一面にEL表示パネルを取
り付けるとともに他面側に表示駆動回路基板を配置し、
かつ、EL表示パネルの表示面を除く全体を、シャーシ
GNDに接続されたシャーシで覆ったEL表示装置にお
いて、ベースプレートの少なくとも一方の表面に導電層
を形成し、かつ、この導電層をシャーシに接続した構成
である。
これにより、導電層による電磁シールドがEL表示パネ
ルの表示面とは反対側に設けられるので、表示光の透過
率や分光特性を考慮する必要がなくなる。このため、表
示光の輝度や分光特性に影響を与えることなく、十分な
シールド効果を有するように導電層を厚く形成し導電率
の高いものとすることができるので、実用上問題となる
表示駆動回路基板からEL表示パネルに向けて放射され
る電磁波を確実にシールドすることができる。また、表
示光の透過率等を考慮する必要がないことから、この導
電層は低コストでの形成が可能となり、電磁シールドを
行ったことによるコストアンプを低減することができる
。
ルの表示面とは反対側に設けられるので、表示光の透過
率や分光特性を考慮する必要がなくなる。このため、表
示光の輝度や分光特性に影響を与えることなく、十分な
シールド効果を有するように導電層を厚く形成し導電率
の高いものとすることができるので、実用上問題となる
表示駆動回路基板からEL表示パネルに向けて放射され
る電磁波を確実にシールドすることができる。また、表
示光の透過率等を考慮する必要がないことから、この導
電層は低コストでの形成が可能となり、電磁シールドを
行ったことによるコストアンプを低減することができる
。
第1図は本発明の一実施例を示すものであって、EL表
示装置の縦断面正面図である。第2図は従来例を示すも
のであって、EL表示装置の縦断面正面図である。 1はベースプレート、2はE L表示パネル、3は表示
駆動回路基板、4はシャーシ、5は導電層、6は表示面
、8はボス、9はシャーシGNDである。
示装置の縦断面正面図である。第2図は従来例を示すも
のであって、EL表示装置の縦断面正面図である。 1はベースプレート、2はE L表示パネル、3は表示
駆動回路基板、4はシャーシ、5は導電層、6は表示面
、8はボス、9はシャーシGNDである。
Claims (1)
- 1.ベースプレートの一面にEL表示パネルを取り付け
るとともに他面側に表示駆動回路基板を配置し、かつ、
EL表示パネルの表示面を除く全体を、シャーシGND
に接続されたシャーシで覆ったEL表示装置において、
ベースプレートの少なくとも一方の表面に導電層を形成
し、かつ、この導電層をシャーシに接続したことを特徴
とするEL表示装置の電磁シールド構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8849987A JPS63253987A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | El表示装置の電磁シ−ルド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8849987A JPS63253987A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | El表示装置の電磁シ−ルド構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63253987A true JPS63253987A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13944513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8849987A Pending JPS63253987A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | El表示装置の電磁シ−ルド構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63253987A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999025157A1 (fr) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif electroluminescent et structure destinee au blindage de celui-ci |
JP2003178876A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Sony Corp | 自発光型表示装置 |
CN103177658A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 三星电子株式会社 | 具有电磁波屏蔽结构的显示装置 |
JP2017062484A (ja) * | 2012-09-03 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8849987A patent/JPS63253987A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999025157A1 (fr) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif electroluminescent et structure destinee au blindage de celui-ci |
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US10120410B2 (en) | 2012-09-03 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10437283B2 (en) | 2012-09-03 | 2019-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10474186B2 (en) | 2012-09-03 | 2019-11-12 | Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. | Electronic device including active matrix display device |
US11112821B2 (en) | 2012-09-03 | 2021-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device including active matrix display device and manufacturing method thereof |
US11803209B2 (en) | 2012-09-03 | 2023-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device including display panel |
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