JP2002196346A

JP2002196346A - 電気光学装置及びその製造方法、並びに投射型表示装置

Info

Publication number: JP2002196346A
Application number: JP2001277106A
Authority: JP
Inventors: Masao Muraide; 正夫村出; Masahide Uchida; 雅秀内田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-09-29
Filing date: 2001-09-12
Publication date: 2002-07-12

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、比較的
簡単な構成で一方の基板上の配線と他方の基板上の対向
電極との間における寄生容量を低減して、ゴーストの低
減された高品位の画像表示を行なう。【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ
（３０）を備える。更に、周辺領域（額縁領域やシール
領域を含む）には、画素電極の駆動に係るデータ線駆動
回路（１０１）やサンプリング回路（３０１）等の周辺
回路と、画像信号等を供給する配線とを備える。対向基
板（２０）上には、このような配線に対向する領域を避
けて対向電極（２１）が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に電
気光学物質が挟持されてなり、該一対の基板における電
気光学物質に面する側に設けられた一対の電極を備えた
液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野
に属する。

【０００２】

【従来の技術】一般にこの種の電気光学装置では、画素
電極、これをスイッチング制御する薄膜トランジスタ
（以下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）
及びこれに接続され画像信号を供給するデータ線や、走
査信号を供給する走査線等の配線などが設けられたＴＦ
Ｔアレイ基板を備える。更に、このＴＦＴアレイ基板の
配線等が配置された側に対向配置されており、カラーフ
ィルタ、遮光膜等の他に、全面に対向電極が設けられた
対向基板を備える。これらのＴＦＴアレイ基板及び対向
基板間に液晶等の電気光学物質が挟持される。そして、
画素電極に対応する画素毎に、画素電極及び対向電極間
に駆動電圧を発生させて各電気光学物質部分を駆動する
（例えば、液晶の配向状態を変化させる）ことにより、
表示動作を行なうように構成されている。

【０００３】また、この種の電気光学装置には、画像表
示領域の外側の周辺領域に、画像信号をサンプリング回
路に供給するための画像信号線等の各種配線や、画像信
号線に供給される画像信号をサンプリング回路駆動信号
に応じてサンプリングしてデータ線に供給するサンプリ
ング回路、このサンプリング回路駆動信号をサンプリン
グ回路に供給するデータ線駆動回路、データ線に供給さ
れた画像信号を画素電極に供給するためにＴＦＴのスイ
ッチング動作を行う走査信号を走査線に供給するための
走査線駆動回路などの周辺駆動回路を備えた駆動回路内
蔵型のものがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如くＴＦＴアレイ基板上の画像信号線、当該画像信号線
からの引き出し配線等の配線と対向基板上の対向電極と
が対向配置されていると、両者間の寄生容量により、画
像信号の電位変動で対向電極の電位変動が生じる。即
ち、図１６において、画像信号線に供給される画像信号
ＶＩＤの電位変化が、本来一定電位（但し、反転駆動時
における周期的に反転する一定電位も含む）であるべき
対向電極電位ＬＣＣＯＭを矢印ａに示すように変動させ
る。この対向電極電位ＬＣＣＯＭの変動即ち共通配線の
電位変動が本来の設定電圧に復帰する前に、次段以降の
データ線の選択動作時に電気光学物質に印加される電位
が不測に変化してしまうため、表示画像にゴーストが発
生するという問題点がある。

【０００５】特に、透過型の電気光学装置の場合には、
対向電極は透明電極から形成する必要があるので、この
ような対向電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から
形成するのが一般的である。しかしながら、ＩＴＯ膜の
如き比較的高抵抗な導電膜から対向電極を形成すると、
上述の如き画像信号線等との寄生容量による電位変動後
に対向電極が共通電位になる以前に、画像信号の画素電
極への書き込みが終了してしまう。このため、係る寄生
容量によるゴーストの発生が顕著となるという問題点が
ある。

【０００６】また、駆動回路内蔵型の場合には特に、電
位変動の幅が大きい或いは周波数の高い信号を供給する
配線と対向電極とが対向配置されているため、このよう
な寄生容量による対向電極における電位変動が大きくな
り、結果としてゴーストの発生がより顕著となるという
問題点がある。

【０００７】更に、画像信号をシリアル−パラレル変換
してシリアルな画像信号を複数のパラレルな画像信号に
変化して周波数を低くする場合、パラレルな画像信号に
変換する数が多い程、このようなゴーストが視覚上目立
つという問題点がある。即ち、係るゴーストは、画面上
で、シリアル−パラレル変換数に等しいデータ線の本数
だけ本来の画像から離れて発生するため、シリアル−パ
ラレル変換数が多いほど、当該ゴーストは大きなブロッ
ク状に広がって視認し易くなるのである。特に、動画表
示ならともかく、パソコン画面等のデータ表示の場合に
は、当該ブロック状のゴーストは、視覚上一層目立つと
いう問題点もある。

【０００８】尚、このような問題に対して、対向電極を
画像信号線等からシールドするシールド膜を設けたり、
対向電極自体を低抵抗膜から形成したり或いは対向電極
上に低抵抗膜を追加形成する対策も考えられるが、いず
れの場合にも、対向基板の積層構造及び製造工程の複雑
化により、コストの上昇を招くことや追加されたシール
ド膜等により電気光学物質の動作不良が起こることが予
想される。

【０００９】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、比較的簡単な構成で一方の基板上に配置された配
線等とこれに対向する他方の基板上に配置された対向電
極との間における寄生容量を低減することにより、係る
寄生容量に起因した対向電極の電位変動を低減し、これ
によりゴーストの低減された高品位の画像表示が可能で
ある電気光学装置及びその製造方法を提供することを課
題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間
に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上にお
ける画像表示領域に、複数の画素電極を備えており、前
記第１基板上における前記画像表示領域及び前記画像表
示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記画素電極に信
号を供給するための配線を備えており、前記第２基板上
における前記複数の画素電極に対向すると共に前記配線
のうち少なくとも前記周辺領域にある配線部分に対向す
る領域の少なくとも一部には対向電極は形成されないこ
とを特徴とする。

【００１１】本発明の電気光学装置によれば、その動作
時には、第１基板上に形成された配線に画像信号等の信
号が供給され、画素電極に供給される。従って、係る信
号に応じて画素毎に画素電極及び対向電極間に駆動電圧
が印加され、両者間にある電気光学物質が駆動されて、
電気光学的な画像表示が行なわれる。ここで特に、画像
信号線等の配線のうち周辺領域にある配線部分に対向す
る領域の少なくとも一部には、対向電極は形成されてい
ない。従って、周辺領域において対向電極が配線に対向
する領域にも全て形成されている場合や、更に第２基板
の全面に対向電極が形成されている場合と比較して、対
向電極が配線に対向していない分だけ、対向電極及び配
線間の寄生容量が低減される。この結果、本発明によれ
ば、係る対向電極及び配線間の寄生容量に起因した配線
に供給される信号（例えば、画像信号）の電位変動によ
る対向電極の電位変動を低減できる。特に、当該電気光
学装置が透過型であり、ＩＴＯ膜等の比較的高抵抗の透
明導電膜から対向電極を形成しても、係る対向電極及び
配線間の寄生容量が低減されているので、これに起因す
る対向電極の電位変動を低減することが可能となり、大
変有利である。この結果、対向電極の電位を良好に一定
電位（但し、反転駆動時における、周期的に反転する一
定電位も含む）とすることができ、これによりゴースト
の低減された高品位の画像表示が可能となる。

【００１２】尚、このような対向電極は、周辺領域にあ
る配線部分に対向する領域に部分的に形成されてもよい
し、或いは周辺領域にある配線部分に対向する領域に全
く形成されていなくてもよい。

【００１３】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
対向電極は、平面的に見て前記配線に対向する領域を配
線毎に避けるように短冊状或いはストライプ状に形成さ
れている。

【００１４】この態様によれば、第１基板上の配線に対
向する領域を配線毎に避けるように対向電極は、短冊状
に形成されている。例えば、周辺領域における配線に対
向する領域には、配線毎に対向電極が形成されていな
い。或いは、第１基板上の配線に対向する領域を配線毎
に避けるように、対向電極はストライプ状に形成されて
いる。例えば、周辺領域及び画像表示領域の全体におけ
る配線に対向する領域には、配線毎に対向電極が形成さ
れていない。従って、配線及び対向電極間の寄生容量に
起因した配線に供給される信号の電位変動による対向電
極の電位変動を低減できる。

【００１５】或いは本発明の電気光学装置における他の
態様では、前記対向電極は、平面的に見て前記配線に対
向する領域を相隣接する複数の配線毎に避けるように形
成されている。

【００１６】この態様によれば、第１基板上の配線に対
向する領域を複数の配線毎に避けるように対向電極は、
形成されている。例えば、周辺領域の辺毎にブロック状
に、対向電極が形成されていない領域がある。従って、
配線及び対向電極間の寄生容量に起因した配線に供給さ
れる信号の電位変動による対向電極の電位変動を低減で
きる。

【００１７】或いは本発明の電気光学装置における他の
態様では、前記対向電極は、前記周辺領域に全く形成さ
れていない。

【００１８】この態様によれば、第１基板上の配線に対
向する領域では、対向電極は、周辺領域に全く形成され
ていない。従って、配線及び対向電極間の寄生容量に起
因した配線に供給される信号の電位変動による対向電極
の電位変動を極力低減できる。

【００１９】本発明の電気光学装置における他の態様で
は、前記配線は、前記周辺領域に形成された画像信号を
供給するための画像信号線を含む。

【００２０】この態様によれば、一般に電位変動の幅が
大きく且つ周波数が高い画像信号が供給される画像信号
線に対向する領域では、対向電極は少なくとも部分的に
形成されていない。従って、画像信号線及び対向電極間
の寄生容量に起因した画像信号線に供給される画像信号
の電位変動による対向電極の電位変動を低減できる。

【００２１】本発明の電気光学装置における他の態様で
は、前記配線は、少なくとも前記画像表示領域に形成さ
れており画像信号を供給するためのデータ線を含む。

【００２２】この態様によれば、一般に電位変動の幅が
大きく且つ周波数が高い画像信号が供給されるデータ線
に対向する領域では、対向電極は少なくとも部分的に形
成されていない。従って、データ線及び対向電極間の寄
生容量に起因したデータ線に供給される画像信号の電位
変動による対向電極の電位変動を低減できる。

【００２３】この態様では、相隣接する複数のデータ線
には、シリアル−パラレル変換された画像信号が同一タ
イミングで供給されてもよい。

【００２４】このように構成すれば、シリアル−パラレ
ル変換した画像信号を供給する画像信号線と、対向電極
間の寄生容量に起因した電位変動による対向電極の電位
変動を低減できる。従って、シリアル−パラレル変換数
に応じてブロック状に視認されるゴーストを低減でき
る。このため特に、駆動周波数を高めつつ低性能のＴＦ
Ｔをサンプリング回路として用いて複数のデータ線の同
時駆動を行っても、ブロック状のゴーストを発生しない
ようにできるので、実用上大変有利である。

【００２５】本発明の電気光学装置における他の態様で
は、前記周辺領域に周辺回路を更に備えており、前記配
線は、前記周辺領域に形成された画像信号を供給するた
めの画像信号線及び該画像信号線と前記周辺回路とを接
続する引き出し配線を含む。

【００２６】この態様によれば、一般に電位変動の幅が
大きく且つ周波数が高い画像信号が供給される画像信号
線及び引き出し配線に対向する領域では、対向電極は少
なくとも部分的に形成されていない。従って、画像信号
線や引き出し配線と対向電極との間の寄生容量に起因し
た、画像信号の電位変動による対向電極の電位変動を低
減できる。

【００２７】この態様では、前記周辺回路は、前記引き
出し配線に供給される画像信号をサンプリングするサン
プリング回路を含んでもよい。

【００２８】このように構成すれば、画像信号線からの
引き出し配線に供給される画像信号をサンプリング回路
によりサンプリングして、データ線等の配線を介して各
画素電極に供給することが可能となる。

【００２９】本発明の電気光学装置における他の態様で
は、前記対向電極と前記配線の一部とを電気的に接続す
るための上下導通端子が、前記第２基板の隅に設けられ
ている。

【００３０】この態様によれば、第２基板（対向基板）
の隅に設けられた上下導通端子及び配線の一部を介し
て、対向電極を、良好に一定電位（但し、反転駆動時に
おける、周期的に反転する一定電位も含む）とすること
が可能となる。

【００３１】本発明の電気光学装置における他の態様で
は、前記第１及び第２基板は、前記画像表示領域の外側
に設けられたシール領域においてシール材により貼り合
わされており、前記対向電極は、前記シール領域内で、
前記配線に対向する領域には少なくとも部分的に形成さ
れていない。

【００３２】この態様によれば、対向電極は、シール領
域内における、配線に対向する領域に少なくとも部分的
に形成されていない。従って、シール領域における配線
及び対向電極間の寄生容量に起因した配線に供給される
信号の電位変動による対向電極の電位変動を低減でき
る。尚、本願における“シール領域”は、画像表示領域
の外側の領域であり、周辺領域に含まれる。

【００３３】この態様では、前記対向電極は、前記シー
ル領域に全く形成されていなくてもよい。

【００３４】このように構成すれば、シール領域におけ
る配線及び対向電極間の寄生容量に起因した配線に供給
される信号の電位変動による対向電極の電位変動を極力
低減できる。しかも、例えば対角２センチメートル程度
の小型の電気光学装置において、シール材中に第１基板
及び第２基板との基板間ギャップを制御するためのギャ
ップ材を混入する場合に、ギャップ材が接触する第２基
板表面の高さをシール領域の全体に渡って均一とできる
ため、当該基板間ギャップの制御を高精度で行なうこと
も可能となる。

【００３５】この態様では更に、前記第２基板に、前記
画像表示領域の周囲に額縁を規定すると共に前記配線の
一部と前記対向電極とを電気的に接続するための上下導
通端子部を含む導電性の遮光膜を更に備えてもよい。

【００３６】このように構成すれば、遮光膜が、額縁を
規定する機能と上下導通端子部としての機能との両者を
果たすことができ有利である。しかも、額縁を規定する
遮光膜の隅から延設して上下導通端子部を設ければ、額
縁の周辺に位置する周辺領域で上下導通をとる構成が無
理なく得られるので大変有利である。尚、本願における
“額縁”が形成される領域は、周辺領域のうち画像表示
領域の周囲に沿った領域（前述のシール領域と画像表示
領域との間にある領域）であり、周辺領域に含まれる。

【００３７】本発明の電気光学装置における他の態様で
は、前記第２基板に、前記画像表示領域の周囲に額縁を
規定すると共にアルミニウムを含有した膜からなる導電
性の遮光膜を更に備えており、前記額縁を規定する遮光
膜上には、前記対向電極が形成されている。

【００３８】この態様によれば、アルミニウムを含有し
た膜からなる遮光膜が、良好な遮光性を有する額縁を規
定する機能と、良好な導電性を有する上下導通端子部と
しての機能との両者を果たすことができ有利である。し
かも、係る遮光膜上には、対向電極が形成されており、
対向電極をエッチングする際にエッチングに曝されるこ
ともない。従って、このような構成を採ると、当該遮光
膜を電気的な腐食に強い或いは化学的に安定した材質か
ら形成する必要がなくなり有利である。

【００３９】本発明の他の電気光学装置は上記課題を解
決するために、一対の第１基板及び第２基板間に電気光
学物質が挟持されてなり、前記第１基板上における画像
表示領域に、複数の画素電極を備えており、前記第１基
板上における前記画像表示領域及び前記画像表示領域の
周辺に位置する周辺領域に、前記画素電極に信号を供給
するための配線を備えており、前記第２基板上における
前記複数の画素電極に対向すると共に前記配線のうち少
なくとも前記周辺領域にある配線部分に対向しない領域
に形成された対向電極を備えてもよい。

【００４０】本発明の他の電気光学装置によれば、周辺
領域において対向電極が配線に対向する領域にも全て形
成されている場合や、更に第２基板の全面に対向電極が
形成されている場合と比較して、対向電極が配線に対向
していない分だけ、対向電極及び配線間の寄生容量が低
減される。この結果、係る対向電極及び配線間の寄生容
量に起因した配線に供給される信号（例えば、画像信
号）の電位変動による対向電極の電位変動を低減でき
る。

【００４１】本発明の対向基板の製造方法は上記課題を
解決するために、上述した本発明の電気光学装置に係る
対向基板（その各種態様も含む）の製造方法であって、
前記第２基板の全面に前記対向電極となる導電膜を形成
する成膜工程と、前記導電膜に対するフォトリソグラフ
ィ及びエッチングにより、前記配線に対向する領域に形
成された前記導電膜を少なくとも部分的に除去すること
により前記対向電極を形成するエッチング工程とを備え
る。

【００４２】本発明の対向基板の製造方法によれば、先
ず成膜工程では、第２基板の全面に対向電極となる導電
膜を形成し、その後エッチング工程では、フォトリソグ
ラフィ及びエッチングにより、配線に対向する領域に形
成された導電膜を少なくとも部分的に除去する。従っ
て、上述した本発明の電気光学装置（その各種態様も含
む）に係る対向基板を比較的簡単に製造できる。

【００４３】本発明の対向基板の一態様では、前記対向
基板をマザー基板上に複数形成し、前記エッチング工程
では、前記配線に対向する領域に加えて、切断線に沿っ
た領域に形成された前記導電膜を除去し、前記導電膜が
除去された切断線に沿った領域内で切断を行う切断工程
を更に備える。

【００４４】この態様によれば、対向基板は、マザー基
板上にて複数形成される。そして、エッチング工程で
は、切断線に沿った領域に形成された導電膜を除去し、
その後、マザー基板から複数の対向基板を切り離す切断
工程では、導電膜が除去された切断線に沿った領域内で
切断が行われる。従って、切断工程で、ＩＴＯ膜等から
なる対向電極が切断されることで生じる塵や異物の発生
を未然防止できる。逆に言えば、このような切断工程に
おけるＩＴＯ膜等からの塵や異物の発生を低減するため
のエッチング工程を元々含む製造方法を基準とすれば、
本発明は、エッチングする領域に若干の変更を加えるだ
けで済むので、製造工程の増加を殆ど招かないで済み、
実践上大変有利である。

【００４５】本発明の対向基板の切断工程は、ダイシン
グブレードにて切断する。

【００４６】この態様によれば、マザー基板上に設けら
れた切断線に沿ってダイシングブレードを回転させなが
ら対向基板を容易に切り離すことができる。

【００４７】本発明の投射型表示装置は上記課題を解決
するために、光源と、本発明の電気光学装置でなるライ
トバルブと、前記光源から発生した光を前記ライトバル
ブに導光する導光部材と、前記ライトバルブで変調され
た光を投射する投射光学部材とを備えることを特徴とす
る。

【００４８】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５０】先ず、本発明の実施形態における電気光学
装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明
する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内
蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置
を例にとる。

【００５１】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【００５２】図１及び図２において、本実施形態に係る
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。

【００５３】シール材５２は、両基板を貼り合わせるた
めの、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、
製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布さ
れた後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたもの
である。また、シール材５２中には、両基板間の間隔
（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイ
バ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されてい
る。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタ
のライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適し
ている。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや
液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であ
れば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれ
てもよい。

【００５４】シール材５２が配置されたシール領域の内
側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の
額縁５３が対向基板２０側に設けられている。額縁５３
はＴＦＴアレイ基板１０側に設けても良いことは言うま
でもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺領域のう
ち、シール材５２が配置されたシール領域の外側部分に
は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられてお
り、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺
に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の
残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた
走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０
５が設けられている。また図１に示すように、対向基板
２０のコーナー部の少なくとも１ヶ所（図１では４ヶ
所）において、両基板間に上下導通材１０６が配置され
ており、対向基板２０に形成された対向電極２１のコー
ナー部が対向基板２０側の上下導通端子として機能す
る。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー
に対向する領域において、ＴＦＴアレイ基板１０側の上
下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴア
レイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をと
ることができる。

【００５５】本実施形態では特に、額縁５３下にあるＴ
ＦＴアレイ基板１０上の領域に、サンプリング回路３０
１が設けられている。サンプリング回路３０１は、画像
信号線に供給される画像信号をデータ線駆動回路１０１
から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサン
プリングしてデータ線に供給するように構成されてい
る。

【００５６】次に以上の如く構成された電気光学装置に
おける回路構成及び動作について図３を参照して説明す
る。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、
配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図であ
る。

【００５７】図３において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するための画素ＴＦＴ３０とが
形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが
当該画素ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されてい
る。

【００５８】画像表示領域１０ａ外である周辺領域に
は、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリ
ング回路３０１を構成するサンプリングＴＦＴ３０２の
ドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５
は、引き出し配線１１６を介してサンプリングＴＦＴ３
０２のソースに接続されている。データ線駆動回路１０
１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、
サンプリングＴＦＴ３０２のゲートに接続されている。
そして、画像信号線１１５に供給される画像信号ＶＩＤ
１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリ
ング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆
動信号が供給されるのに応じて、サンプリングＴＦＴ３
０２によりサンプリングされて各データ線６ａに画像信
号Ｓ１〜Ｓｎが供給されるように構成されている。

【００５９】ここで、本実施形態では相隣接する６本の
データ線６ａを同じタイミングで同画像信号を書き込め
るように、前記データ線６ａに対応するサンプリングＴ
ＦＴ３０２のゲートに共通のサンプリング回路駆動信号
を供給する。外部回路であるシリアル−パラレル変換回
路で、シリアルな画像信号を６倍に伸長して、パラレル
な画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６にシリアル−パラレル変
換して供給する。このように画像信号をデータ線６本毎
にシリアル−パラレル変換することにより、画像信号の
書き込み時間を６倍にできるだけでなく、データ線駆動
回路の駆動周波数を１／６に低減する事ができる。これ
により、サンプリングＴＦＴ３０２や画素ＴＦＴ３０の
能力が低くても、高速な画像処理が可能になる。尚、シ
リアル−パラレル変換数が多ければ多いほど画像信号の
書き込み時間を伸長することができるが、画像信号線１
１５をシリアル−パラレル変換数分だけ設ける必要があ
る。

【００６０】また、画素ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、走査線駆動回路１０４により、この順に線順次で印
加するように構成されている。画素電極９ａは、画素Ｔ
ＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッ
チング素子である画素ＴＦＴ３０を一定期間だけそのス
イッチを閉じることにより、データ線６ａから供給され
る画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで
書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例と
しての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎは、図２における対向基板２０に形成さ
れた対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶
は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序
が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能に
する。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単
位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減
少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単
位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増
加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じ
たコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持され
た画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａ
と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄
積容量７０を付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量
７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定さ
れた容量線３ｂが設けられている。容量線３ｂは、画像
表示領域１０ａの外側において定電位線と接続されてお
り、固定電位ＶＣＡＰが供給される。固定電位ＶＣＡＰ
は電気光学装置の外部から供給される。あるいは、ＴＦ
Ｔアレイ基板上に設けられるデータ線駆動回路１０１や
走査線駆動回路１０４の電源等の定電位線から供給して
も良いし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定
電位の対向電極電位と接続しても良い。このような構成
を採れば、図１における外部回路接続端子１０２を固定
電位ＶＣＡＰ供給のために設ける必要が無いため、電気
光学装置の小型化に有利である。

【００６１】次に、図２の破線で囲ったＣ領域における
電気光学装置の詳細構成について、図４を参照して説明
する。ここに図４は、この領域の平面図であり、図３の
等価回路図を具体的なパターン図として表している。

【００６２】図４において、サンプリング回路３０１を
構成するサンプリングＴＦＴ３０２は、半導体層３０４
のソースに画像信号線から延設された引き出し配線１１
６とコンタクトホール３０５ａを介して電気的に接続さ
れている。一方、半導体層３０４のドレインはデータ線
６ａとコンタクトホール３０５ｂを介して電気的に接続
されている。サンプリングＴＦＴ３０２のゲートはサン
プリング回路駆動信号線１１４とコンタクトホール３０
５ｂを介して電気的に接続されている。データ線６ａは
画素電極９ａに画像信号Ｓ１〜Ｓｎを供給している。こ
こで、隣接するサンプリングＴＦＴ３０２を６個同時に
制御できるように、ゲート線３０３が６個のサンプリン
グＴＦＴ３０のゲートに共通配線として設けられてい
る。

【００６３】図３及び図４に示すように、本実施形態で
は画像信号線１１５とサンプリング回路３０１の間に、
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０を貼り合わせるた
めのシール材５２を塗布したシール領域を設けている。
これは、サンプリング回路駆動信号線１１４や引き出し
配線１１６といった配線領域を有効活用する事により、
シール領域を形成している。また、走査線駆動回路１０
４が図１に示すように対向基板２０より外側のＴＦＴア
レイ基板１０上に形成している場合は、走査線３ａの延
設部を有効活用してシール領域としても良い。

【００６４】ここで本実施形態では、従来、対向基板２
０の全面に形成していたＩＴＯ等の透明性導電膜を、シ
ール材５２が塗布されるシール領域やその付近におい
て、サンプリング回路駆動信号を供給するサンプリング
回路駆動信号線１１４や画像信号を供給する引き出し配
線１１６に少なくとも部分的に重ならないように対向電
極を形成しないように構成する。

【００６５】具体的には図４のＡ−Ａ’線の断面図を示
した図５において、画像信号を供給する引き出し配線１
１６部には、対向基板２０上の対向電極２１を設けない
ようにする。これにより、引き出し配線１１６と対向電
極との間で寄生容量が生じないため、引き出し配線１１
６に供給される画像信号の電位変動の影響を受け、対向
電極２１に供給される対向電極電位が変動することはな
い。従って、図１６に示すように、サンプリングＴＦＴ
３０２がＯＮしている期間（即ちデータ線６ａの選択期
間）において、画像信号ＶＩＤの電位変動の影響を受け
ることなく常に対向電極電位ＬＣＣＯＭが矢印ｂのよう
に一定であるため、ゴーストが生じる事がない。

【００６６】特に、シリアルな画像信号をシリアル−パ
ラレル変換する場合、複数のデータ線６ａを同時に選択
するため、対向電極電位ＬＣＣＯＭに矢印ａのような電
位変動が起こると、選択された複数のデータ線６ａが全
て影響を受けるためにブロック状のゴーストが発生し、
画質品位を著しく低下させたが、本実施形態では画像信
号ＶＩＤと対向電極電位ＬＣＣＯＭが容量結合しないた
め、シリアル−パラレル変換数が増えてもゴーストが発
生する事が無い。高精細な電気光学装置になるほど画像
信号ＶＩＤの周波数が高速になるため、サンプリングＴ
ＦＴ３０２の能力を向上させない限りは、シリアル−パ
ラレル変換数を増やさざるを得ないが、本実施形態の構
成を採る事により、ゴーストが無く画質品位の高い高精
細な電気光学装置を実現する事が可能になる。

【００６７】次に、本実施形態の対向基板２０の各種具
体例について図６から図１１を参照して説明する。尚、
図６から図１０は夫々、図１に示した対向基板２０に形
成される対向電極２１の平面パターンを額縁５３と共に
示す平面図である。

【００６８】図６に示す例では、対向電極２１は平面的
に見て、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路
３０１の間に設けられた図３で示す画像信号線１１５や
当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サン
プリング回路駆動信号線１１４等の配線に対向する領域
４０１を配線毎に避けるように短冊状に形成されてい
る。これにより、配線と対向基板２０が重なる領域には
少なくともその一部において対向電極２１が形成されて
いないため、配線及び対向電極２１間の寄生容量に起因
した配線に供給される信号の電位変動による対向電極２
１の電位変動を低減できる。

【００６９】図７に示す例では、対向電極２１は平面的
に見て、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路
３０１の間に設けられた図３で示す画像信号線１１５や
当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サン
プリング回路駆動信号線１１４等の複数の配線に対向す
るブロック状の領域４０２を避けるように形成されてい
る。これにより、配線と対向基板２０が重なる領域には
少なくともその一部においてブロック状に対向電極２１
が形成されていないため、配線及び対向電極２１間の寄
生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動によ
る対向電極２１の電位変動を大幅に低減できる。

【００７０】図８に示す例では、対向電極２１は平面的
に見て、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路
３０１の間に設けられた図３で示す画像信号線１１５や
当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サン
プリング回路駆動信号線１１４等の配線に対向する領域
だけでなく、対向基板２０の四辺付近において夫々、ブ
ロック状の領域４０３を避けるように形成されている。
この構成によれば、図１におけるシール材５２中にＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０間ギャップを制御する
ためのギャップ材を混入しても、対向電極２１は、対向
基板２０の四辺を均等に避けるよう形成されているの
で、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０間のギャッ
プ制御を高精度で行うことができる。これにより、配線
と対向基板２０が重なる領域には少なくともその一部に
おいてブロック状に対向電極２１が形成されていないた
め、配線及び対向電極２１間の寄生容量に起因した配線
に供給される信号の電位変動による対向電極２１の電位
変動を大幅に低減できるだけでなく、安定したギャップ
制御により色むら等のない画質品位の高い電気光学装置
を実現できる。

【００７１】尚、図６から図８に示した具体例では、対
向基板２０の４つのコーナー部に延設された対向電極２
１部分が夫々、図１に示したＴＦＴアレイ基板１０上の
上下導通材１０６と接触する上下導通端子として機能し
ている。ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０上の対
向電極２１に対向電極電位を供給する上下導通端子は、
対向基板２０の１つ以上のコーナー部に設けてあれば良
い。更に、図６から図８に示した具体例では、額縁５３
を構成する遮光膜は、対向基板２０上において対向電極
２１を構成するＩＴＯ等の透明性導電膜により覆われて
いる。従って、この場合には、その製造中に対向電極２
１をエッチングで形成する際に、額縁５３を構成する遮
光膜がエッチングに曝されることはない。このため、電
気的な腐食に弱く、化学的な安定性の低いＡｌ（アルミ
ニウム）を含有した遮光膜から額縁５３を形成しても問
題がない。逆に、Ａｌを含有した遮光膜から額縁５３を
形成すれば、良好な遮光性及び良好な導電性が比較的安
価にして得られるだけでなく、投射型のライトバルブと
して用いる場合には、反射率の高いＡｌにより入射光を
反射できるため、電気光学装置表面の温度上昇を防ぐ事
ができる。これにより、耐光性寿命を向上する事がで
き、有利である。

【００７２】図９に示す例では、対向電極２１は平面的
に見て、シール領域を含めて周辺領域４０４に全く形成
されていない。即ち、対向電極２１は、画像表示領域１
０ａより若干大きめに形成されている。このように構成
すれば、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路
３０１の間に設けられた図３で示す画像信号線１１５や
当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サン
プリング回路駆動信号線１１４等の配線と対向電極２１
とが重なる領域がないため、配線及び対向電極２１間の
寄生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動に
よる対向電極２１の電位変動が生じないため、ゴースト
が発生する事はない。また、本実施形態により、図１に
おけるシール材５２中に混入されたギャップ材が接触す
る対向基板２０の表面高さをシール領域の全体に渡って
均一にできる。このため、ギャップ材による基板間ギャ
ップの制御を高精度で行える。例えば、対向電極２１を
構成するＩＴＯ膜の膜厚は、１００〜２００ｎｍである
ので、シール領域内で局所的に対向電極２１を形成しな
いようにすると、この膜厚に応じて基板間ギャップの制
御が不安定となってしまうのである。

【００７３】但し、図９のように対向電極２１を小さく
形成すると、図６から図８に示した具体例の如く図１に
示した上下導通材１０６に接触する上下導通端子として
機能させることができなくなる。従って、この場合に
は、図９に示したように、額縁５３を導電性の遮光膜か
ら形成すると共に、額縁５３を対向基板２０の４つのコ
ーナー部に延設して上下導通端子５３’とすればよい。
この場合、額縁５３を形成する導電性の遮光膜と対向電
極２１を電気的に接続するのは言うまでもない。

【００７４】更に、このように対向電極２１を小さく形
成すると、その製造中に対向電極２１をエッチングする
際に、その下層に位置する額縁５３を構成する遮光膜も
エッチングに曝されることになる。従って、この場合、
額縁５３を電気的な腐食に強い或いは化学的に安定した
遮光膜から形成するのが好ましい。

【００７５】以上図６から図９に示したように、周辺領
域において対向電極２１が配線に対向する領域にも全て
形成されている場合や更に対向基板２０の全面に対向電
極２１が形成されている場合と比較して、本実施形態で
は、シール領域や額縁領域を含む周辺領域で、対向電極
２１が画像信号線１１５や当該画像信号線１１５からの
引き出し配線１１６、サンプリング回路駆動信号線１１
４等の配線に対向していない分だけ、対向電極２１及び
配線間の寄生容量が低減される。この結果、本実施形態
によれば、対向電極２１及び配線間の寄生容量に起因し
た配線上の画像信号等の電位変動による対向電極２１の
電位変動を低減できる。

【００７６】特に、本実施形態の如く対向電極２１が比
較的高抵抗のＩＴＯ膜等からなる場合にも、このように
対向電極２１及び配線間の寄生容量を低減することで、
これに起因する対向電極２１の電位変動を効率的に低減
できる。この結果、対向電極２１の電位を良好に一定電
位（但し、反転駆動時における、周期的に反転する一定
電位も含む）とすることができる。

【００７７】加えて、本実施形態の如く、シール領域に
対向電極２１を形成しなければ、その分この領域におけ
る透過率が向上するので、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬
化樹脂等からなるシール材を、紫外線等を用いて硬化さ
せる際に多少有利となる。

【００７８】次に、本実施形態の応用例を図１０及び図
１１に示す。本実施形態では、画像信号線１１５や当該
画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サンプリ
ング回路駆動信号線１１４等の配線だけでなく、データ
線６ａと対向電極２１との容量結合を防ぐ場合について
説明する。

【００７９】図１０は、図６に示した対向基板２０の実
施例に、更にデータ線６ａと重なる領域４０５において
対向電極２１を設けないようにする。これにより、デー
タ線６ａに供給される画像信号により、対向電極電位の
電位変動が生じないため、更に大幅にゴーストの発生を
低減する事ができる。

【００８０】図１１は、図１０のように構成した場合、
対向電極２１の抵抗が高くなるのを防ぐための工夫で、
データ線６ａと重なる対向電極２１を領域４０６におい
て取り除くように構成する事で、画素電極９ａと重なる
部分の対向電極２１の抵抗をできるだけ小さくする事が
できる。

【００８１】尚、図１０，図１１に示した応用例は、図
６〜図９に示した対向基板２０の具体例と組合せること
が可能である。

【００８２】次に、本実施形態の電気光学装置の画像表
示領域における構成について、図１２及び図１３を参照
して説明する。図１２は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図である。図１３は、図１２のＢ−Ｂ’断面
図である。尚、図１２及び図１３においては、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００８３】図１２及び図１３において、電気光学装置
は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透
明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１
０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板から
なり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。

【００８４】図１２において、電気光学装置のＴＦＴア
レイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極
９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設け
られており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデ
ータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００８５】また、半導体層１ａのうち図１２中右上が
りの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するよ
うに走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート
電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ
線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’
に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素Ｔ
ＦＴ３０が設けられている。

【００８６】図１２及び図１３に示すように、容量線３
ｂは、画素ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅから延
設された画素電位側容量電極１ｆとの間に絶縁薄膜２を
介して蓄積容量７０ａを形成している。容量線３ｂは走
査線３ａと同層のポリシリコン膜で形成されており、同
一工程によりエッチングされる。即ち、画素電位側容量
電極１ｆは、画素ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’と同
一膜からなり、第１蓄積容量７０ａを形成する絶縁薄膜
２は、画素ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜と同一膜から形成
されている。これにより、絶縁薄膜２の膜厚が薄くても
緻密で高耐圧な誘電体膜で蓄積容量が形成できる。ま
た、容量線３ｂ及び画素電位側容量電極１ｆはデータ線
６ａの下方まで延設され、この領域においても第１蓄積
容量７０ａを形成される。このように、非開口領域を有
効に使うことにより図３における蓄積容量７０を増大す
ることができる。

【００８７】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したも
の等からなる。下側遮光膜１１ａは、下側絶縁膜１２を
介して画素ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側から覆
うように配置することで、ＴＦＴアレイ基板１０側から
の反射光を遮光することができる。これにより、少なく
とも画素ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’とその隣接す
る領域を遮光することができるため、光が起因して生じ
るリーク電流の発生を防ぐことができる。また、図１２
に示すように下側遮光膜１１ａは、データ線６ａの下方
において、容量線３ｂとコンタクトホール１３を介して
電気的に接続すれば、容量線３ｂの冗長配線として機能
する。これにより、容量線の定抵抗化が実現できるだけ
でなく、画素電位側容量電極１ｆと下側遮光膜１１ａと
の間に下側絶縁膜１２を介して蓄積容量を形成する事も
可能である。

【００８８】画素電極９ａは、中継層８０ａを中継する
ことにより、コンタクトホール８ａ及び８ｂを介して半
導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接
続されている。中継層８０ａは、半導体層１ａの高濃度
ドレイン領域１ｅとコンタクトホール８ａを介して電気
的に接続されている。中継層８０ａは図１３に示すよう
に、容量線３ｂとの間に誘電体膜８１を介して重ねるよ
うに構成すれば、第２蓄積容量７０ｂを形成することが
できる。このように容量線３ｂの上方及び下方にて積層
容量を形成することにより、平面的に見て小さい領域に
おいても蓄積容量７０を増大することができる。これに
より、開口領域を広げても十分な蓄積容量７０を得るこ
とができる。誘電体膜８１は、耐圧が許す限り薄膜化す
ることにより、第２蓄積容量７０ｂをさらに増大するこ
とができる。

【００８９】また、中継層８０ａを、例えばＴｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したも
の等から形成すれば、遮光膜として機能することができ
る。

【００９０】更に、この中継層８０ａと同一層で、デー
タ線６ａの下方に上方遮光膜８０ｂを島状に形成しても
良い。これにより、データ線６ａと半導体層１ａの間に
遮光膜を形成できるので、チャネル領域１ａ’及びその
隣接領域への光照射を効果的に防ぐことができる。

【００９１】画素電極９ａは、第１層間絶縁膜４及び第
２層間絶縁膜７に開孔したコンタクトホール８ｂを介し
て中継層８０ａに電気的に接続されている。このよう
に、中継層８０ａを介在させることにより、エッチング
時に薄い半導体層１ａを突き抜けることがないため、接
続不良等の歩留まり低下を招くことがない。

【００９２】図１３に示すように、データ線６ａは、絶
縁薄膜２、誘電体膜８１、及び第１層間絶縁膜４に開孔
されたコンタクトホール５を介して半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。データ線
６ａは、Ａｌ等の遮光性の低抵抗膜から形成されてお
り、画素ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその隣接
領域を対向基板２０側から見て遮光することにより、入
射光を遮光する働きをする。これにより、少なくとも画
素ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’とその隣接する領域
を遮光することができるため、光が起因して生じるリー
ク電流の発生を防ぐことができる。

【００９３】また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０
は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有してお
り、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャ
ネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、
走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を
含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソ
ース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えてい
る。

【００９４】更に、画素電極９ａの上側には、ラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けら
れている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯなどの透明性
導電膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【００９５】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯなどの透
明性導電膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜
などの有機膜からなる。

【００９６】対向基板２０には、格子状又はストライプ
状の遮光膜２３を設けるようにしてもよい。このような
構成を採ることで、対向基板２０側からの入射光がチャ
ネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレ
イン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。
更に、このような対向基板２０上の遮光膜は、少なくと
も入射光が照射される面を高反射なＡｌ等で形成するこ
とにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。
また、遮光膜２３は、図における額縁５３と同一膜で、
同一工程にて形成されても良い。

【００９７】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図
１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の
一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。

【００９８】本実施形態では、第２層間絶縁膜７の表面
は、ＣＭＰ（Chemical MechanicalPolishing：化学的機
械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存
在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０
における液晶の配向不良を低減する。

【００９９】以上説明した実施形態では、図１３に示し
たように多数の導電層を積層することにより、画素電極
９ａの下地面におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿っ
た領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜７の表面を
平坦化することで緩和しているが、これに代えて或いは
加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１
層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜７に溝を掘って、データ
線６ａ等の配線や画素ＴＦＴ３０等を埋め込むことによ
り平坦化処理を行っても良い。

【０１００】尚、画素ＴＦＴ３０と同一工程により、図
３におけるデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路
３０１や走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴを形成
することができることは言うまでもない。

【０１０１】次に、図１４及び図１５を参照して、対向
電極２１等を備えた対向基板２０の製造プロセスについ
て説明を加える。ここに図１４は、対向基板の製造の各
工程における図５に対応する個所の断面を順を追って示
す工程図であり、図１５は、マザー基板上に多数形成さ
れている対向基板を示す平面図である。

【０１０２】図１４の工程（１）では、対向基板２０上
の全面に、Ａｌ、Ｃｒ等の遮光膜をスパッタリング、Ｃ
ＶＤ（化学蒸着）等により形成後、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、図１に示した平面パターンを有
する額縁５３を形成する。

【０１０３】次に、図１４の工程（２）では、額縁５３
を含めた対向基板２０の全面に、ＣＶＤ等によりＩＴＯ
膜２１’を形成する。一般には、このように形成された
ＩＴＯ膜２１’がそのまま対向電極２１として利用され
ている。

【０１０４】次に、図１４の工程（３）では、フォトリ
ソグラフィ及びエッチングにより、配線部と重なる領域
（例えば、図６の領域４０１）を除く領域にフォトレジ
スト６００を形成する。

【０１０５】次に、図１４の工程（４）では、このフォ
トレジスト６００を介して、ドライエッチング、ウエッ
トエッチング或いは両者の組み合わせにより、ＩＴＯ膜
２１’をエッチングし、対向電極２１を形成する。その
後フォトレジスト６００を剥離する。特に、図６から図
８に示した具体例を製造する場合には、この工程で、額
縁５３がエッチングに曝されることはないため、前述の
ように額縁を、電気的な腐食に弱いＡｌを含む膜から形
成することが可能となる。他方、図８に示した具体例を
製造する場合には、この工程で、額縁５３が露出してエ
ッチングに曝されるため、電気的な腐食に強い遮光膜を
採用することが望ましい。

【０１０６】最後に、図１４の工程（５）では、対向電
極２１を含めた対向基板２０上の全面にポリイミド膜等
の有機膜を形成し、これに所定方向のラビング処理を施
して、配向膜２２を形成する。

【０１０７】以上のように本実施形態の製造プロセスに
よれば、上述した本実施形態の電気光学装置に係る対向
基板を比較的簡単に製造できる。特に、通常の基板全面
に対向電極を形成する製造プロセスと比較して、図１４
の工程（３）及び工程（４）に示したＩＴＯ膜２１’を
パターニングするプロセスだけ追加すれば済む。

【０１０８】図１５に示すように、本実施形態では好ま
しくは、図１４の各工程をマザー基板５００上の切断線
５０１で区切られた各領域に対して行なうことにより、
多数の対向基板２０を同時形成する。そして、図１４の
工程（５）の後に、切断線５０１に沿ってダイシングブ
レードを回転させることで容易に切断できる。これによ
り、個々の対向基板２０とする。ここでより好ましく
は、工程（３）及び工程（４）でＩＴＯ膜２１’をパタ
ーニングする際に、切断線５０１に沿った領域に形成さ
れたＩＴＯ膜２１’部分も除去する。具体的には、切断
線５０１から破線５０２の領域までＩＴＯ膜２１’を取
り除いておくことにより、対向基板を切り出す際に生じ
るＩＴＯ膜の塵や異物の発生を未然防止できる。即ち、
対向電極２１をパターニングする工程と、マザー基板５
００から対向基板２０を切り出す際にＩＴＯ膜から塵や
異物が発生するのを防ぐための工程とを同一工程として
行なえるので製造工程上有利である。また、マザー基板
５００から対向基板２０を切り出す方法としては、スク
ライブ法を用いても良い。

【０１０９】以上図１から図１２を参照して説明した実
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed LiquidCrystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。

【０１１０】（電気光学装置の応用例）以上説明した各
実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用
できる。上述した電気光学装置をライトバルブとして用
いたプロジェクタについて説明する。図１７は、このプ
ロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示され
るように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンラ
ンプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設
けられている。このランプユニット１１０２から射出さ
れた投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６
および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ
ＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導か
れる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび
１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る電気光学装
置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省
略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆
動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ
色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および
出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を
介して導かれる。

【０１１１】さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、
１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイ
ックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、
このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色お
よびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進
する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリ
ーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー
画像が投射されることとなる。

【０１１２】なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇお
よび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によ
って、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するの
で、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はな
い。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は
ダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射
されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はその
まま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂ
による表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に
対して左右反転させる構成となっている。

【０１１３】尚、各実施形態では、対向基板２０に、カ
ラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。

【０１１４】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びその製
造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦ
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【図３】本発明の実施形態の電気光学装置における画像
表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けら
れた各種素子、配線等の等価回路及び周辺回路のブロッ
ク図である。

【図４】図２のＣ領域における平面パターン図である。

【図５】図４のＡ−Ａ’断面図である。

【図６】本実施形態の電気光学装置における対向電極の
平面パターンの一具体例を示す平面図である。

【図７】本実施形態の電気光学装置における対向電極の
平面パターンの他の具体例を示す平面図である。

【図８】本実施形態の電気光学装置における対向電極の
平面パターンの他の具体例を示す平面図である。

【図９】本実施形態の電気光学装置における対向電極の
平面パターンの他の具体例を示す平面図である。

【図１０】本実施形態の電気光学装置における対向電極
の平面パターンの一応用例を示す平面図である。

【図１１】本実施形態の電気光学装置における対向電極
の平面パターンの他の応用例を示す平面図である

【図１２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１３】図１２のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１４】本実施形態に係る対向基板の製造プロセスを
示す工程図である。

【図１５】本実施形態に係る対向基板を多数含むマザー
基板の平面図である。

【図１６】画像信号の電位変動による対向電極電位の電
位変動を示したタイミングチャート図である。

【図１７】プロジェクタの構成を示す平面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層１ａ’…チャネル領域１ｂ…低濃度ソース領域１ｃ…低濃度ドレイン領域１ｄ…高濃度ソース領域１ｅ…高濃度ドレイン領域２…絶縁薄膜３ａ…走査線６ａ…データ線９ａ…画素電極１０…ＴＦＴアレイ基板１１ａ…下側遮光膜１２…下地絶縁膜１６…配向膜２０…対向基板２１…対向電極２２…配向膜３０…ＴＦＴ５０…液晶層７０…蓄積容量１０１…データ線駆動回路１０４…走査線駆動回路１１４…サンプリング回路駆動信号線１１５…画像信号線１１６…引き出し配線３０１…サンプリング回路５００…マザー基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｃ０８０Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｅ５Ｃ０９４Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８Ｃ５Ｇ４３５ 9/30 ３３０ 9/30 ３３０Ｚ３４０３４０３４９３４９ＣＧ０９Ｇ 3/20 ６２３Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２３Ｌ６８０６８０Ｃ６８０Ｇ // Ｇ０９Ｇ 3/36 3/36 Ｆターム(参考） 2H088 EA12 HA02 HA06 HA08 HA12 HA13 HA24 HA28 HA30 MA01 MA04 2H091 FA02Y FA05Z FA23Z FA26X FA29 FA41Z GA03 GA08 GA11 GA13 LA17 2H092 GA32 GA51 JA26 JA34 JA37 JA46 JB02 JB14 JB22 JB31 JB51 JB69 KB04 MA13 MA18 NA01 PA03 PA06 PA08 PA13 2H093 NC23 ND15 5C006 BB16 BC14 BC20 BC23 BF11 EB05 FA37 5C080 AA10 BB05 DD30 FF11 JJ02 JJ04 JJ06 KK43 5C094 AA02 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB01 DB03 DB04 EA04 EA07 EB02 HA10 5G435 AA00 BB12 BB17 DD02 DD04 EE33 EE37 FF05 FF13 GG02 GG21 KK05 LL15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の第１及び第２基板間に電気光学物
質が挟持されてなり、前記第１基板上における画像表示領域に、複数の画素電
極を備えており、前記第１基板上における前記画像表示領域及び前記画像
表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記画素電極に
信号を供給するための配線を備えており、前記第２基板上における前記複数の画素電極に対向する
と共に前記配線のうち少なくとも前記周辺領域にある配
線部分に対向する領域の少なくとも一部には対向電極は
形成されないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記対向電極は、平面的に見て前記配線
に対向する領域を配線毎に避けるように短冊状或いはス
トライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の電気光学装置。
【請求項３】前記対向電極は、平面的に見て前記配線
に対向する領域を相隣接する複数の配線毎に避けるよう
に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電
気光学装置。
【請求項４】前記対向電極は、前記周辺領域に全く形
成されていないことを特徴とする請求項１に記載の電気
光学装置。
【請求項５】前記配線は、前記周辺領域に形成された
画像信号を供給するための画像信号線を含むことを特徴
とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学
装置。
【請求項６】前記配線は、少なくとも前記画像表示領
域に形成されており画像信号を供給するためのデータ線
を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項
に記載の電気光学装置。
【請求項７】相隣接する複数のデータ線には、シリア
ル−パラレル変換された画像信号が同一タイミングで供
給されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装
置。
【請求項８】前記周辺領域に周辺回路を更に備えてお
り、前記配線は、前記周辺領域に形成された画像信号を供給
するための画像信号線及び該画像信号線と前記周辺回路
とを接続する引き出し配線を含むことを特徴とする請求
項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】前記周辺回路は、前記引き出し配線に供
給される画像信号をサンプリングするサンプリング回路
を含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装
置。
【請求項１０】前記対向電極と前記配線の一部とを電
気的に接続するための上下導通端子が、前記第２基板の
隅に設けられていることを特徴とする請求項１から９の
いずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】前記第１及び第２基板は、前記画像表
示領域の外側に設けられたシール領域においてシール材
により貼り合わされており、前記対向電極は、前記シール領域内で、前記配線に対向
する領域には少なくとも部分的に形成されていないこと
を特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の
電気光学装置。
【請求項１２】前記対向電極は、前記シール領域に全
く形成されていないことを特徴とする請求項１１に記載
の電気光学装置。
【請求項１３】前記第２基板に、前記画像表示領域の
周囲に額縁を規定すると共に前記配線の一部と前記対向
電極とを電気的に接続するための上下導通端子部を含む
導電性の遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１
２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】前記第２基板に、前記画像表示領域の
周囲に額縁を規定すると共にアルミニウムを含有した膜
からなる導電性の遮光膜を更に備えており、前記額縁を規定する遮光膜上には、前記対向電極が形成
されていることを特徴とする請求項１から１３のいずれ
か一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】一対の第１基板及び第２基板間に電気
光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上における画像表示領域に、複数の画素電
極を備えており、前記第１基板上における前記画像表示領域及び前記画像
表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記画素電極に
信号を供給するための配線を備えており、前記第２基板上における前記複数の画素電極に対向する
と共に前記配線のうち少なくとも前記周辺領域にある配
線部分に対向しない領域に形成された対向電極を備えた
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】請求項１から１５のいずれか一項に記
載の電気光学装置に係る対向基板の製造方法であって、前記第２基板の全面に前記対向電極となる導電膜を形成
する成膜工程と、前記導電膜に対するフォトリソグラフィ及びエッチング
により、前記配線に対向する領域に形成された前記導電
膜を少なくとも部分的に除去することにより前記対向電
極を形成するエッチング工程とを備えたことを特徴とす
る対向基板の製造方法。
【請求項１７】前記対向基板をマザー基板上に複数形
成し、前記エッチング工程では、前記配線に対向する領域に加
えて、切断線に沿った領域に形成された前記導電膜を除
去し、前記導電膜が除去された切断線に沿った領域内で切断を
行う切断工程を更に備えたことを特徴とする請求項１６
に記載の対向基板の製造方法。
【請求項１８】前記切断工程は、ダイシングブレード
にて切断することを特徴とする請求項１７に記載の対向
基板の製造方法。
【請求項１９】光源と、請求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置
でなるライトバルブと、前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する
導光部材と、前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部
材とを備えることを特徴とする投射型表示装置。