JP3744521B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等の電気光学装置の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。

従来、例えば基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な、液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。

このような電気光学装置では、上記の構成に加え、前記基板上に、データ線に好適に画像信号を供給するための、プリチャージ回路、サンプリング回路、データ線駆動回路等の各種回路、或いは走査線に好適に走査信号を供給するための走査線駆動回路等の各種回路が設けられることがある。これら各種回路は、通常、前記の画素電極・ＴＦＴがマトリクス状に形成されることで規定される画像表示領域の周囲に形成される。また、これら各種回路は、それぞれ、必要に応じてスイッチング素子等の回路素子や配線等を備えている。

このように、周辺領域上に形成された各種回路により、データ線、或いは走査線が好適に駆動されることによって、前記のアクティブマトリクス駆動が可能になる。

ところで、このような各種回路を構成する前記のスイッチング素子については、次のような問題点があった。すなわち、前記の液晶表示装置においては、前記各種要素に加えて、前記基板に対向配置される対向基板、これら基板及び対向基板間に配置される液晶層等が更に備えられるとともに、該液晶表示装置に対しては、比較的強力な光源から光が投射されることになる。ここで仮に、この投射光が対向基板から射する場合を考えると、その光は、液晶層及び基板を透過して出射し、最終的にスクリーン上に投影等されることで画像を構成することになる。

しかしながら、実際上、液晶表示装置内における光の進行方向は常に一定とは限らない。例えば、液晶表示装置をいったん出射した光が、当該液晶表示装置を収納する実装ケース内の各種の要素で反射することで、当該液晶表示装置にいわば戻ってくる可能性がある。また、カラー表示可能な投射型表示装置においては、例えば赤緑青に対応した三つの液晶表示装置がプリズムを挟んで対向配置される構成例が知られているが、このような構成例では、当該プリズムを挟み対面し合う二つの液晶表示装置が存在し得る。この場合には、一方の液晶表示装置を出射した光は、本来投射光が入射すべき方向とは反対側から、より直接的に他方の液晶表示装置に入射してくることになる。

そして、このような、いわゆる「戻り光」が存在すると、前記のスイッチング素子に該戻り光が入射することによって、その動作を乱すおそれがあるのである。即ち、該スイッチング素子が半導体層を備えたＴＦＴである場合には、該半導体層、とりわけチャネル領域に前記戻り光が入射することによって、該半導体層が励起されて光リーク電流が発生し、これがチャネル領域における導通・非導通の正確な制御を乱すおそれがあるのである。

そこで、このような問題点に対処するため、従来、例えば特許文献１のような技術が開示されている。この特許文献１における電気光学装置では、前記のスイッチング素子の下側に遮光膜を備える。この遮光膜によれば、前記したような戻り光が、投射光の入射方向とは反対側から入射したとしても、スイッチング素子に至る前に、その進行を遮ることができる。

特開平１１−１９４３６０号公報

しかしながら、上述の電気光学装置においては、次のような問題点がある。すなわち、前記のように基板上のスイッチング素子の下に遮光膜を形成する構成では、該遮光膜、その上の層間絶縁膜、更にその上のスイッチング素子たるＴＦＴの半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極膜という積層構造がとられることになるが、この場合、ゲート電極膜と遮光膜との配置関係により、前記層間絶縁膜、更には前記半導体層にクラックを生じさせる可能性があったのである。このような現象が発生すると、スイッチング素子を破壊してしまうおそれがある。ちなみに、前記クラックは、ゲート電極膜と遮光膜との縁が、平面視して相互に重ならないように形成されている場合に発生し、とりわけ両者の縁が同一直線上に載るような場合には最も発生しやすい。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、スイッチング素子及び遮光膜間における層間絶縁膜等にクラックを生じさせないことにより、当該スイッチング素子の破壊を未然に防止し、もって正確に動作し得る電気光学装置を提供することを課題とする。また、本発明は、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、データ線と、前記データ線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、前記周辺領域には、前記データ線に対する画像信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、該第２のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層およびゲート電極膜と、前記半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、前記遮光膜は、平面視して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記ゲート電極膜の端部と重なり合っていることを特徴とする。

また、基板上に、走査線と、前記走査線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、前記周辺領域には、前記走査線に対する前記走査信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、該第２のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層およびゲート電極膜と、前記半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、前記遮光膜は、平面視して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記ゲート電極膜の端部と重なり合っていることを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、スイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタに対し走査線を通じて走査信号が供給されることで、そのＯＮ・ＯＦＦが制御される。他方、画素電極に対しては、データ線を通じて画像信号が供給されることで、前記薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦに応じて、画素電極に当該画像信号の印加・非印加が行われる。これにより、本発明に係る電気光学装置は、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能とされている。また、本発明の電気光学装置では、基板が画像表示領域及び周辺領域に区分けされており、このうち周辺領域には、データ線に対する画像信号の供給の有無、或いは走査線に対する走査信号の供給の有無の少なくとも一方を決定するための第２のスイッチング素子が形成されている。ここで第２のスイッチング素子としては、前記第１のスイッチング素子と同様、典型的には薄膜トランジスタが該当する。

そして、本発明では特に、前記の周辺領域には、前記第２のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して遮光膜が形成されており、該遮光膜は、平面視して第２のスイッチング素子の少なくとも一部と重なり合っている。これにより、例えば、遮光膜と、第２のスイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタを構成するゲート電極膜とが、その少なくとも一部分において、相互に重なり合っていることから、両者間で応力の作用が極端に集中するような部分は存在しないことになる。

したがって、これら第２のスイッチング素子及び遮光膜間に位置する層間絶縁膜にクラックが発生することを未然に防止することができ、したがってまた、スイッチング素子を破壊するようなこともない。

なお、本発明に係る第２のスイッチング素子は、具体的には例えば、データ線と画像信号線との間に置かれるサンプリング回路に含まれ、データ線駆動回路から発せられる制御信号によってそのＯＮ・ＯＦＦが行われる薄膜トランジスタ等が該当し得る。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第２のスイッチング素子は、半導体層、絶縁膜及び電極膜の積層構造を有しており、前記遮光膜は、平面視して、前記電極膜の少なくとも一部と重なり合っていてもよい。

この態様によれば、前述した作用効果は、第２のスイッチング素子の一部たる電極膜と遮光膜との間に存在する層間絶縁膜等に関して享受することができる。

この場合特に、これら電極膜及び遮光膜間には、半導体層が存在することから、当該半導体層についてもクラックを生じさせないことができる。したがって、本態様によれば、第２のスイッチング素子の破壊をより確実に防止することができる。また、本態様のような積層構造を有している場合において、前記クラックを生じさせる最大の原因は、電極膜及び遮光膜に起因する応力と考えられることからしても、該電極膜と該遮光膜とを、その少なくとも一部分において重なり合わせることは、前記クラックの発生をより効果的に防止することができる。

この態様では、前記半導体層は、チャネル領域及びこれを挟持するように位置するソース領域及びドレイン領域を有し、前記電極膜は、前記チャネル領域に対応する部分に形成されており、前記遮光膜は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分には形成されており前記チャネル領域に対応する部分には形成されていないようにしてもよい。

このような構成によれば、半導体層は、例えば一定の方向に沿って、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有する。そして、このうちチャネル領域に対応する部分には電極膜が形成されており、遮光膜は、当該部分には形成されていない。また、該遮光膜は、ソース領域及びドレイン領域に対応する部分には形成されている。すなわち、該遮光膜は、チャネル領域に対応する部分を挟んで、ソース領域に対応する部分に形成された遮光膜と、ドレイン領域に対応する部分に形成された遮光膜と有し、これらが相互に分断されて形をとっていることになる。これによれば、ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方に通電する場合、遮光膜が、他方に影響を及ぼす際の媒介役を果たすという事態を発生させない。つまり、この態様によれば、ソース及びドレイン間で、いわゆる寄生容量を生じさせることがないのである。

そして、本態様においても、遮光膜が、電極膜の少なくとも一部と重なり合っていることに変わりはないから、前述した作用効果を併せて享受できることに変わりはない。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜及び前記ゲート電極膜を平面視した形状は長方形状を含み、前記遮光膜は、平面視して前記長方形状における長辺の部分において前記ゲート電極膜と重なり合っている。

この態様によれば、遮光膜及び電極膜が、それぞれの長辺の部分において相互に重なり合っていることから、両膜は、比較的長い距離にわたって重なりあっているということができる。そして、この重なり合っている部分においては、前述のように応力の作用が極端には集中しない。したがって、遮光膜及び電極膜間に存在する層間絶縁膜等にクラックの生じることを、より広範な部分にわたって防止することができる。

なお、本態様にいう「長方形状を含」むとは、遮光膜及び電極膜の平面形状が完全に長方形である場合だけを意味しない。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２のスイッチング素子は、当該電気光学装置の製造段階において、前記第１のスイッチング素子と同時に形成される。

この態様によれば、第１及び第２のスイッチング素子が、同一の機会に形成されることから、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を達成することができる。

なお、「同一の機会に形成」とは、例えば、第１及び第２のスイッチング素子のいずれもが薄膜トランジスタであって、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極膜等からなる積層構造を有する場合においては、これら各要素の前駆膜形成及びこれに対するパターニング処理を同時に実施することを意味する。例えば、第１のスイッチング素子のゲート電極膜を形成する際には、第２のスイッチング素子のゲート電極膜も同時に形成される（即ち、共通の前駆膜形成及びこれに対するパターニング処理が実施される）等ということになる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記第１のスイッチング素子の少なくとも一部と重なり合っている。

この態様によれば、第１のスイッチング素子についても、前記の第２のスイッチング素子に関するのと同様な作用効果を享受することができる。すなわち、遮光膜が、第１のスイッチング素子の少なくとも一部と重なり合っていることにより、第１のスイッチング素子及び遮光膜間に存在する層間絶縁膜等におけるクラックの発生を防止することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、遮光性材料からなる。

この態様によれば、遮光膜は、例えば、光反射率が比較的大きいＡｌ（アルミニウム）等を含むほか、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。したがって、第２のスイッチング素子、或いは第１のスイッチング素子に対する遮光性をよりよく享受可能であり、これらの動作をより正確に期待することができる。

また特に、遮光膜が、上記の各種材料のうち、タングステンシリサイド等成膜した際にその内部に比較的大きな応力が作用する材料からなる場合においては、前記クラックの発生する可能性はより高まるといえる。しかるに、本発明においては、上述のように遮光膜及び第２のスイッチング素子間の層間絶縁膜等にクラックを発生させる危険性は著しく低下していることから、該遮光膜に、前記のような材料を用いることにつき特別な制約が課されるわけではない。ちなみに、前記のような材料は一般に優れた遮光性を有することから、遮光膜の遮光性能を大きく増進させることも可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像表示領域上に、前記データ線及び前記走査線の形成領域に対応するように形成された画素見切り遮光膜を更に備えてなり、前記遮光膜は、当該電気光学装置の製造段階において、前記画素見切り遮光膜と同一の機会に形成されてもよい。

この態様によれば、画像表示領域に形成される画素見切り遮光膜と、本発明に係る遮光膜とが同一の機会に形成される。したがって、製造工程の簡略化や製造コストの低廉化等を図ることができる。なお、「同一の機会」の意義は、既に述べたところと同様である。

また、本発明の電気光学装置は、基板上に、データ線と、前記データ線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、前記画像表示領域には、前記第１のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成され、平面視して、前記第１のスイッチング素子のチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆うように形成された下側遮光膜を備え、前記周辺領域には、前記データ線に対する画像信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、該第２のスイッチング素子と前記層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、前記遮光膜は、平面視して、前記第２のスイッチング素子の前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記第２のスイッチング素子の前記チャネル領域の端部と重なり合っていることを特徴とする。

また、基板上に、走査線と、前記走査線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、前記画像表示領域には、前記第１のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成され、平面視して、前記第１のスイッチング素子のチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆うように形成された下側遮光膜とを備え、前記周辺領域には、前記走査線に対する前記走査信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、該第２のスイッチング素子と前記層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、前記遮光膜は、平面視して、前記第２のスイッチング素子の前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記第２のスイッチング素子の前記チャネル領域の端部と重なり合っていることを特徴とする。

本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるから、周辺領域上の第２のスイッチング素子がクラックによって破損するなどということがなく、該第２のスイッチング素子の正確な動作、ひいては装置全体について正確な動作を期しえる、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

〔電気光学装置の全体構成〕
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。なお、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ´断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、アクティブマトリクス基板であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、前記の画素電極９ａ及びＴＦＴ３０等の形成領域として規定される画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における電気光学装置を、液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置に適用するのであれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該電気光学装置を液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置に適用するのであれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。

シール材５２が配置されたシール領域５２の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。なお、本実施形態においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３から基板の外周縁までの領域が周辺領域として規定されている。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路（後述参照）、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置される。

〔画素部の構成〕
次に、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３から図５を参照して説明する。ここに図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ´断面図である。なお、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないが、本実施形態では特に、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、Ｎ個のパラレルな画像信号にシリアル−パラレル展開され、Ｎ本の画像信号線１１５から相隣接するＮ本のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給可能に構成されている。

画像表示領域外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するスイッチング用回路素子２００に接続されている。このスイッチング用回路素子としては、ｎチャネル型、ｐチャネル型、或いはＣＭＯＳ型等のＴＦＴ等をあてることができる（以下、図３に示す該スイッチング用回路素子２００を「ＴＦＴ２００」と呼称する。）。この場合、このＴＦＴ２００のドレインには、引き出し配線２０６を介して前記データ線６ａの図３中下端が接続され、該ＴＦＴ２００のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２００のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。

このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。本実施形態では、図３に示すように、６本のデータ線６ａを一組として、これに対して一時に画像信号が供給されるようになっている。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。

以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図４及び図５を参照して説明する。

まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図４のＡ−Ａ´線断面図たる図５に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。

ＴＦＴアレイ基板１０には、図５に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。

一方、図４において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。

すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

ＴＦＴ３０は、図５に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図５に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。

一方、図５においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。

中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。

容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図４に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。

誘電体膜７５は、図５に示すように、例えば膜厚５〜２００〔ｎｍ〕程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。

図４及び図５においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、本発明にいう「画素見切り遮光膜」の一例に該当する下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図４中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。

また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。

なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。また、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。

〔周辺領域の構成〕
以下では、本発明の電気光学装置の周辺領域における構成について、図６を参照して説明する。ここに図６は、前述した画像表示領域の周囲を規定する周辺領域上に形成されたＴＦＴ２００等の構成について図示する断面図である。

まず、図６において、周辺領域上には、ＴＦＴ２００、配線２０６ａ等が形成されている。このうちＴＦＴ２００は、例えば、図３に示したサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２００に該当し、配線２０６ａは、引き出し配線２０６、或いは引き出し配線１１６に該当する。または、走査線駆動回路１０４と走査線Ｇ１、Ｇ２、‥Ｇｍとの間に設けられ、走査信号の供給をタイミングを制御する例えばイネーブルの機能を有す回路をＴＦＴによって構成しても良い。このような回路を設けた場合、図６において回路はＴＦＴ２００を有し、配線２０６ａは走査線Ｇｍにあたる。

そして、これらＴＦＴ２００及び配線２０６ａ等は、図５を参照して説明した各種要素と同一の機会に形成される。すなわち、図６におけるＴＦＴ２００は、半導体層２０１ａ、ゲート絶縁膜２０２及びゲート電極膜２０３ａからなり、このうち半導体層２０１ａは、図５における半導体層１ａと同一の機会に形成され、ゲート絶縁膜２０２は図５における絶縁膜２と同一の機会に形成され、ゲート電極膜２０３ａは図５における走査線３ａと同一の機会に形成されている。なお、図示はしないが、図６の半導体層２０１ａにおいても、図５の半導体層１ａと同様に、不純物が導入されることにより、その内部にはチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成されている。

また、図６においては、半導体層２０１ａと電気的に接続される配線２０６ａが形成されているが、該配線２０６ａは図５におけるデータ線６ａと同一の機会に形成されている。さらに、該配線２０６ａと半導体層１ａとはコンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されているが、該コンタクトホールＣＨは、図５におけるコンタクトホール８１と同一の機会に形成されている。加えていえば、図６における各層間絶縁膜は、図５におけるそれと同一の機会に形成されているのは言うまでもない（両者において、同じ符号が用いられているのは、そのような趣旨である。）
このように、本実施形態においては、図５に示した各種要素と、図６に示した各種要素とは、同一の機会に形成されていることにより、一方を製造することが、同時に他方を製造することを意味し、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を実現することができる。

さて、本実施形態においては特に、このような周辺領域上における構成において、ＴＦＴ２００の図６中下側に遮光膜１１ａＰが形成されている。この遮光膜１１ａＰは、図５における下側遮光膜１１ａと同一の機会に形成されている。このように、本実施形態においては、ＴＦＴ２００の下側に遮光膜１１ａＰが形成されていることにより、該ＴＦＴ２００には、ＴＦＴアレイ基板１０の図中下側から入射した光が、ＴＦＴ２００、とりわけその半導体層２０１ａに到達することを未然に防止することができる。したがって、該半導体層２０１ａにおいて、光リーク電流の発生を防止することができ、もって当該ＴＦＴ２００の正確に動作させることができる。ちなみに、前述のＴＦＴアレイ基板１０の図中下側から入射する光とは、いわゆる「戻り光」である。

また、このような遮光膜１１ａＰによれば、前記の戻り光が画像表示領域１０ａの周囲に形成された配線２０６ａ等で反射した光の進行を遮ることができる。

この場合、仮に、当該光の進行が遮られないとすると、画像の構成に何ら寄与しない光があたかも画像表示領域１０ａ外の部分を起点として出射するようなことになり、画像の周囲にぼやけた像が映し出される結果となって、当該画像の見栄えを損ねることになる。しかるに、本実施形態の遮光膜１１ａＰによれば、前記のように、戻り光の反射光の進行を遮ることができるから、前記のような不具合を被らなくて済む。なお、前記不具合は、前記反射が画像表示領域１０ａの近傍、特に該領域１０ａの縁から４００〔μｍ〕程度の範囲に形成された配線２０６ａ（例えば、図１に示したサンプリング回路３０１を構成する配線等はそれに該当する。）等で生じる場合、更には該配線２０６ａ等がアルミニウム等の比較的反射率の高い材料からなる場合に、より顕著になる。したがって、このような場合において、当該部分に対応するように遮光膜１１ａＰが形成されれば、前記の効果はより顕著に奏されることになる。

以下では、この遮光膜１１ａＰ及びＴＦＴ２００ないしはゲート電極膜２０３ａの構成及び作用効果について、図７及び図８を参照しながら、より詳しく説明する。ここに図７は、ＴＦＴ２００及びその下層に形成される遮光膜１１ａＰ等を示す平面図であり、図８は、図７のＸ１−Ｘ１´断面図である。なお、図８は、図６におけるゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１１ａＰの図示部分のみを拡大して示す断面図にも該当する。

まず、図７において、ＴＦＴ２００は、平面視して略長方形状の部分を含むゲート電極膜２０３ａを含んでいる。他方、遮光膜１１ａＰも、ゲート電極膜２０３ａと同様に、平面視して略長方形状の部分を含んでいる。また、この遮光膜１１ａＰは、ゲート電極膜２０３ａの真下にあたる部分、即ち半導体層２０１ａのチャネル領域に対応する部分には形成されておらず、その両隣に位置するソース領域及びドレイン領域に対応する部分にのみ形成されている。言い換えると、該遮光膜１１ａＰは、チャネル領域に対応する部分を境にして相互に分断された形となっている。そして、これらゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１1ａＰは、図７に示すように、前記の長方形状における長辺部分において相互に重なり合っている（図７及び図８中符号Ｈ参照）。ちなみに、本実施形態に係る重なり合いの程度は、図７に示すチャネル幅Ｗが６００〔μｍ〕程度である場合には、図８中符号Ｌで示す距離にして、例えば０．５〔μｍ〕程度とするとよい。

なお、このような遮光膜１１ａＰ及びゲート電極膜２０３ａは、既に述べたように、画像表示領域における下側遮光膜１１ａ及び走査線３ａと同一の機会に形成されている。したがって、両者は、同じ材料から構成されることになる。これに関連して、本実施形態に係る遮光膜１１ａＰについては、前記のＴＦＴ２００に対する遮光作用をより効果的に享受するため、例えばタングステンシリサイド等からなるものとすると好ましい。

また、遮光膜１１ａＰ及びゲート電極膜２０３ａ間の距離、すなわち下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜２０２及び半導体層２０１ａの全体の厚さＤ（図８参照）は、当該電気光学装置の小型化をはじめとして、下地絶縁膜１２による十分な絶縁と最適な成膜時間、ＴＦＴ２００が好適に動作するための半導体層２０１ａ及びゲート絶縁膜２０２の厚さ、等の事情を勘案することによって、全体として約３０００〔ｎｍ〕以下、より好ましくは２０００〔ｎｍ〕以下程度とすると好ましい。

以上のような構成となる遮光膜１１ａＰによれば、以下のような作用効果が得られることになる。すなわち、ゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１１ａＰが、図６、或いは図７及び図８に示すように、相互に重なり合っていることから、これらの間の位置する下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜２０２、半導体層２０１ａにクラックを生じさせるおそれが極めて低減されることになる。以下、このような作用効果が得られる理由について、図９乃至図１１を参照しながら説明することとする。ここに図９及び図１０は、それぞれ、図７及び図８に対応する比較例であり、図１１は、図９及び図１０に示すクラックＣｒが発生するメカニズムを説明するための説明図である。なお、図９乃至図１１に示す各種の要素には、説明の便宜上、図７及び図８と実質的に同一の機能を果たすものについては同じ符号を付すこととする。

図９及び図１０において、ゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１１ａＰは、図７及び図８とは異なり、平面視して相互に重なっていない。のみならず、両者の縁は、ほぼ同一直線上にのるように形成されている。このような構成の場合、ゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１１ａＰの縁の部分において、図に示すようなクラックＣｒが形成されるおそれが大きくなるのである。これは以下の事情によると考えられる。

まず、ゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１１ａＰは、典型的には、それらの前駆膜の形成及び該前駆膜に対するパターニング処理（フォトリソグラフィ及びエッチング処理）を経て形成される。この場合、第一に、遮光膜１１ａＰの前駆膜形成及びこれに対するパターニング処理を実施することにより、図１１（ａ）に示すように、形成済みの遮光膜１１ａＰには、例えば図に示すような内部応力Ｆ１が作用する。この内部応力Ｆ１は、該遮光膜１１ａＰの上に形成される下地絶縁膜１２、半導体層２０１ａ及びゲート絶縁膜２０２にも影響を及ぼす（例えば、図１１（ａ）中の符号Ｆ２参照。）。ちなみに、このような内部応力Ｆ１及びＦ２は、遮光膜１１ａＰの材料として、上述のようにタングステンシリサイド等を選択すると、より大きくなると考えられる。そして、このような状況の下、第二に、同じく図１１（ａ）に示すように、ゲート電極膜２０３ａの前駆膜２０３ａＺが形成される。この前駆膜２０３ａは、図から明らかなように、前記の内部応力Ｆ２をいわば押さえ込むような作用を有することになる。最後に第三に、図１１（ｂ）に示すように、前駆膜２０３ａＺが所定の領域を除きエッチング処理等によって除去される（図中の破線参照）。すると、形成済みのゲート電極膜２０３ａの内部に、図に示すような内部応力Ｆ３が作用するとともに、前記の内部応力Ｆ２は、いわば開放されるような状態となる。そして、このように互いに相反するような内部応力Ｆ１及びＦ２と、内部応力Ｆ３とが作用し、加えて、ゲート電極膜２０３ａの縁と遮光膜１１ａＰの縁とが平面視して同一直線上にのるように形成されている場合においては、前記の各応力Ｆ１、Ｆ２及びＦ３が、前記の縁の部分に集中的に作用することになる。これにより、図１１（ｂ）、或いは図１０及び図９に示すようなクラックＣｒが発生するおそれが極めて大きくなると考えられるのである。この際、前記の説明からも明らかなように、クラックＣｒの発生するおそれが最も大きくなるのは、図１１（ｂ）、或いは図９及び図１０に示すように、ゲート電極膜２０３ａの縁と遮光膜１１ａＰの縁とが同一直線上にのるように形成される場合であるが、両者が平面視して重なり合わないように形成される場合であっても、程度の差こそあれ、同様な現象が生じることが考えられる（もっとも、両者が相当程度距離をおいて形成される場合には、前記の不具合は生じなくなると考えられるが、そうすると、遮光膜１１ａＰによって半導体層２０１ａを遮光することができなくなる）。そして、このようなクラックＣｒが発生してしまうと、各図に示すようにゲート絶縁膜２０２や半導体層２０１ａを破損させてしまうことから、悪い場合には、ＴＦＴ２００自体の破壊がもたらされることになる。

しかるに、本実施形態においては、上述のような不具合を被らない。なぜなら、既に述べたように、ゲート電極膜２０３ａと遮光膜１１ａＰとは、平面視して相互に重なり合うように形成されているからである。この場合においては、図８に併せて示したように、図１１に示したような内部応力Ｆ２の開放といった事態を、残存するゲート電極膜２０３ａで押さえ込むことが可能であり、また、内部応力Ｆ１、Ｆ２及びＦ３の作用点を特定のポイントに集中させるという可能性も小さくなる。

したがって、本実施形態においては、ゲート電極膜２０３ａ及び遮光膜１１ａＰ間に存在する下地絶縁膜１２、或いはゲート絶縁膜２０２及び半導体層２０１ａにクラックを生じさせるというおそれを極めて低減することができることにより、ＴＦＴ２００の正確な動作を期することができる。また、本実施形態においては特に、ゲート電極膜２０３ａと遮光膜１１ａＰとが重なり合う領域が図７に示すように比較的長い距離にわたっているから、前記の作用効果は、当該距離について享受することができる。

なお、上記実施形態においては、周辺領域上に形成されるＴＦＴ２００について設けられる遮光膜１１ａＰと、該ＴＦＴ２００のゲート電極膜２０３ａとの関係についてのみ言及したが、本発明は、このような形態に限定されない。例えば、画像表示領域１０ａ上に形成されるＴＦＴ３０、ないし該ＴＦＴ３０のゲート電極として機能する走査線３ａの部分と、下側遮光膜１１ａとの関係についても、前記と同様な考え方を当てはめることが可能である。また、周辺領域上に形成されるＴＦＴ２００は、サンプリング回路３０１または、走査線駆動回路１０４と走査線Ｇ１、Ｇ２、‥Ｇｍとの間に設けられ、走査信号の供給のタイミングを制御する、例えばイネーブルの機能を有す回路であってもよいことは前述した通りである。

（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１２は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。

図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。

このような投射型カラー表示装置においては、ダイクロイックプリズム１１１２を挟んで、ライトバルブ１００Ｒ及び１００Ｂが相互に対面し合うことになる。したがって、一方のライトバルブ１００Ｒ（又は１００Ｂ）を出射した光は、他方のライトバルブ１００Ｂ（又は１００Ｒ）に、本来投射光が入射すべき方向とは反対側からより直接的に入射してくることになる。

しかるに、本実施形態においては、上述したように、ＴＦＴ２００に対応するように遮光膜１１ａＰが形成されていることから、前記のような、いわゆる「戻り光」は、ＴＦＴ２００に至る前に、遮光膜１１ａＰによってその進行が遮られることになる。これにより、ＴＦＴ２００の半導体層２０１ａにおいて光リーク電流が発生して、該ＴＦＴ２００の動作、ひいてはライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの動作を狂わす等という事態の発生は未然に防止することができる。また、本実施形態においては特に、遮光膜１１ａＰは、図７及び図８等を参照して説明したように、ゲート電極膜２０２と重なり合うように形成されていることから、これら遮光膜１１ａＰ及びゲート電極膜２０２間の下地絶縁膜１２、半導体層２０１ａ等にクラックを発生させることがなく、これによってもライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの動作を狂わすなどという事態の発生は未然に防止されることになる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。

本発明の実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。 本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図４のＡ−Ａ´断面図である。 本発明の実施形態の電気光学装置における周辺領域上に形成されたＴＦＴ、配線等の構成について図示する断面図である。 周辺領域上のＴＦＴ及びその下層に形成される遮光膜等を示す平面図である。 図７のＸ１−Ｘ１´断面図である。 図７に対する比較例である。 図８に対する比較例である（図９のＸ２−Ｘ２´断面図である）。 図９及び図１０に示すクラックＣｒが発生するメカニズムを説明するための説明図である。 本発明の実施形態に係る投射型液晶装置の平面図である。

符号の説明

１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、３０…ＴＦＴ、１１ａ…下側遮光膜、２００…（周辺領域上の）ＴＦＴ、２０１ａ…半導体層、２０２…ゲート絶縁膜、２０３ａ…ゲート電極膜、１１ａＰ…遮光膜。

Claims (9)

1. 基板上に、
   データ線と、
   前記データ線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、
   前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、
   前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、
   前記周辺領域には、前記データ線に対する画像信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、
   該第２のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、
   前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層およびゲート電極膜と、
   前記半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、
   前記遮光膜は、平面視して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記ゲート電極膜の端部と重なり合っていることを特徴とする電気光学装置。
2. 基板上に、
   走査線と、
   前記走査線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、
   前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、
   前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、
   前記周辺領域には、前記走査線に対する前記走査信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、
   該第２のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、
   前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層およびゲート電極膜と、
   前記半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、
   前記遮光膜は、平面視して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記ゲート電極膜の端部と重なり合っていることを特徴とする電気光学装置。
3. 前記遮光膜及び前記ゲート電極膜を平面視した形状は長方形状を含み、
   前記遮光膜は、平面視して前記長方形状における長辺の部分において前記ゲート電極膜と重なり合っていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第２のスイッチング素子は、当該電気光学装置の製造段階において、前記第１のスイッチング素子と同時に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記遮光膜は、前記第１のスイッチング素子の少なくとも一部と重なり合っていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記遮光膜は、遮光性材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 基板上に、
   データ線と、
   前記データ線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、
   前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、
   前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、
   前記画像表示領域には、前記第１のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成され、平面視して、前記第１のスイッチング素子のチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆うように形成された下側遮光膜を備え、
   前記周辺領域には、前記データ線に対する画像信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、
   該第２のスイッチング素子と前記層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、
   前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、
   前記遮光膜は、平面視して、前記第２のスイッチング素子の前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記第２のスイッチング素子の前記チャネル領域の端部と重なり合っていることを特徴とする電気光学装置。
8. 基板上に、
   走査線と、
   前記走査線に電気的に接続される第１のスイッチング素子と、
   前記第１のスイッチング素子に対応して設けられる画素電極とを備えてなり、
   前記基板は、前記画素電極及び前記第１のスイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、
   前記画像表示領域には、前記第１のスイッチング素子と層間絶縁膜を介して形成され、平面視して、前記第１のスイッチング素子のチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆うように形成された下側遮光膜とを備え、
   前記周辺領域には、前記走査線に対する前記走査信号の供給を制御するための第２のスイッチング素子と、
   該第２のスイッチング素子と前記層間絶縁膜を介して形成された遮光膜と、
   前記第２のスイッチング素子を構成する半導体層のチャネル領域を狭むように位置するソース領域及びドレイン領域とを備えてなり、
   前記遮光膜は、平面視して、前記第２のスイッチング素子の前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する部分にそれぞれ分断されて形成されており、それぞれ前記第２のスイッチング素子の前記チャネル領域の端部と重なり合っていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
   

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