JP2002156653A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、遮光性
能の高い額縁遮光膜により表示画像中に配線の内面反射
による明暗パターンが映し出されることを防止し、しか
も、シール材を硬化させるための光や熱の照射を良好に
行えるようにする。 【解決手段】 電気光学装置は、一対のＴＦＴアレイ基
板（１０）及び対向基板（２０）が光硬化性樹脂等のシ
ール材（５２）で貼り合わされ、両基板間に液晶層（５
０）が封入されてなる。画素部には、画素電極（９
ａ）、ＴＦＴ（３０）、データ線（６ａ）、走査線（３
ａ）、容量線（３００）等を備える。各種の配線や回路
パターン或いはダミー画素電極等が配置される額縁領域
を規定する額縁遮光膜（５３）は、ＴＦＴアレイ基板側
に、画素部を構成する遮光性の導電膜と同一膜から形成
される。対向基板側には、額縁遮光膜は設けられない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置の技術分野に属し、特に画像表示領域の額縁領
域を規定する額縁遮光膜を備えた電気光学装置の技術分
野に属する。

【０００２】

【背景技術】この種の電気光学装置は、データ線や走査
線などの各種配線、画素電極、画素スイッチング用の薄
膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）や薄膜ダ
イオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）などのスイッチ
ング素子等が形成された素子アレイ基板と、ストライプ
状や全面的に形成された対向電極、カラーフィルタ、遮
光膜等が形成された対向基板とが対向配置されている。
これら一対の基板間で、液晶等の電気光学物質がシール
材により包囲されており、このようにシール材が存在す
るシール領域よりも中央寄りに、複数の画素電極が配置
された画像表示領域が位置している。ここで特に、平面
的に見てシール領域の内側輪郭に沿って、画像表示領域
の額縁領域が、前述の如く対向基板に設けられた遮光膜
と同一膜により規定されている。

【０００３】このように対向基板上の額縁遮光膜により
額縁領域が規定された電気光学装置は、画像表示領域に
対応する表示窓が設けられたプラスチック製等の遮光性
の実装ケース内に、額縁領域の中心線付近に表示窓の縁
が位置するように収容される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た電気光学装置によれば、対向基板上のＣｒ（クロム）
等からなる額縁遮光膜により額縁領域が規定されている
ので、素子アレイ基板上にＡｌ（アルミニウム）膜等か
ら形成された配線の対向基板側に向いた表面と、対向基
板上の額縁遮光膜の素子アレイ基板側に向いた面とによ
る内面反射により、対向基板側から入射され素子アレイ
基板から出射する表示用の光に、額縁領域内に位置する
配線の明暗パターンが混入してしまう。そして最終的に
は、この配線の内面反射により、例えば、配線が複数配
列されている場合には、縞模様等の明暗パターンが表示
画像の縁付近に映し出されてしまうという問題点があ
る。

【０００５】逆に、このような配線の内面反射により映
し出される明暗パターンを隠すためには、隠すべき配線
が占める基板上領域よりもかなり広く額縁領域を規定す
るように幅広の額縁遮光膜を形成する必要が生じてしま
う。この結果、限られた基板上領域においてなるべく広
い画像表示領域を確保するという当該電気光学装置にお
ける基本的要請に応えることが困難となる。特に、この
ような配線の内面反射による明暗パターンを隠すために
幅広の額縁遮光膜を形成しても、実装ケースの表示窓の
位置合わせ精度を高めないと、実装ケースと電気光学装
置とのずれ方に応じて表示画像の左右や上下のいずれか
の辺付近に偏って、このような明暗パターンが映し出さ
れてしまう。従って実装ケースに要求される形状や実装
ケースに電気光学装置を収容する際の機械的な位置合わ
せについては高い精度が要求され、入射光に対して十分
なマージンを持ってケースを構成することができない。
例えば、額縁遮光膜の幅が０．６ｍｍ程度であれば、実
装ケースの縁を０．３ｍｍの精度で０．３ｍｍだけ重ね
る必要が生じ、これは機械的な位置合わせによっては達
成が困難である。この結果、実装ケースの縁が画像表示
領域内にはみ出してたり、両者間に隙間が空いて光漏れ
が生じるという問題が生じる。

【０００６】更に、むやみに対向基板上の額縁遮光膜の
幅を広げたのでは、電気光学装置自体の小型化が困難に
なる。

【０００７】また、ＴＦＴアレイ基板側には、画素電
極、ＴＦＴ、各種配線等を画像表示領域からシール領域
の外側にある周辺領域に引き出すための配線或いは周辺
回路からなる各種パターンが額縁領域やシール領域に配
置されている。このため、ＴＦＴアレイ基板側から光や
熱を照射するのは根本的に困難であり、結局、上述の如
く対向基板側からの照射が困難となると、両基板のどち
ら側からも照射できない事態に陥るという実践上解決困
難な問題点がある。

【０００８】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、遮光性能の高い額縁遮光膜により表示画像の
周辺に内面反射による配線等のパターンが映し出される
ことを防止することを可能ならしめる電気光学装置を提
供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の透明な第１基板及び
透明な第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前
記第１基板上に、画像表示領域に配置された複数の画素
電極と、該画素電極に接続された一の配線又は回路素子
と、前記画像表示領域の周囲に額縁領域を規定すると共
に前記一の配線又は回路素子若しくは前記一の配線又は
回路素子に接続された他の配線又は回路素子のうち一つ
を構成する遮光性の第１導電膜と少なくとも部分的に同
一膜からなる額縁遮光膜と、前記額縁領域に配置されて
いると共に前記一の配線又は回路素子若しくは前記他の
配線又は回路素子のうち他の一つを構成する第２導電膜
と少なくとも部分的に同一膜からなる導電性領域とを備
える。

【００１０】本発明の電気光学装置によれば、第１基板
側に額縁遮光膜を形成するので、第２基板側に額縁遮光
膜を形成する必要がなくなるため、額縁領域内において
第１基板側の配線や回路素子と第２基板側の遮光膜との
内面反射は起こり得ないのである。これにより、表示画
像の周辺に内面反射による配線等のパターンが映し出さ
れることはない。

【００１１】そして特に、係る額縁遮光膜を専用の遮光
膜からではなく、画素電極に接続された一の配線又は回
路素子若しくはこれに接続された他の配線又は回路素子
のうち一つを構成する遮光性の第１導電膜と少なくとも
部分的に同一膜から構成し、且つ額縁領域に配置された
導電性領域を専用の導電膜からではなく、画素電極に接
続された一の配線又は回路素子若しくはこれに接続され
た他の配線又は回路素子のうち他の一つを構成する第２
導電膜と少なくとも部分的に同一膜から構成するので、
第１基板上の積層構造や製造工程の複雑化を避けつつ、
第１基板上に額縁遮光膜を作り込める。

【００１２】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
第１及び第２基板は、前記額縁領域の周囲にて前記電気
光学物質を包囲するシール領域で光硬化性接着剤により
貼り合わされている。

【００１３】この態様によれば、紫外線硬化樹脂等から
なる光硬化性接着剤により、第１及び第２基板が貼り合
わされるが、紫外線等の光を第２基板側から照射するこ
とにより、この光硬化性接着剤を良好に硬化できる。即
ち、第２基板側のシール領域及びその付近に広がる領域
を介して紫外線等を十分に照射できるので、狭い領域を
介して強力な紫外線等を照射する必要がなくなる。従っ
て、液晶や配向膜の紫外線等による劣化を低減でき、最
終的に液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良を低
減できる。

【００１４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記一の配線又は回路素子は、薄膜トランジスタ及び蓄積
容量を含み、前記他の配線又は回路素子は、前記薄膜ト
ランジスタに接続されたデータ線及び走査線と、前記蓄
積容量に接続された容量線とを含む。

【００１５】この態様によれば、画素電極に接続された
薄膜トランジスタ並びにこれに接続されたデータ線及び
走査線を備え、画素電極に蓄積容量が付加されたアクテ
ィブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、額縁
遮光膜を構成する第１導電膜が、容量線、データ線或い
は走査線と同一膜からなる構成が得られる。

【００１６】上述の薄膜トランジスタや容量線等を含む
態様では、前記容量線は、前記走査線及び前記データ線
間に積層されてもよい。

【００１７】このように構成すれば、平面的に見て走査
線やデータ線と重なる基板上領域に、蓄積容量を作り込
むことが可能となり、蓄積容量の増大を図れる。

【００１８】上述の薄膜トランジスタや容量線等を含む
態様では、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル
領域を前記第２基板の側から見て覆う導電性の上方遮光
膜を更に備え、前記第１導電膜は、前記上方遮光膜であ
ってもよい。

【００１９】このように構成すれば、上方遮光膜によ
り、各画素に設けられた薄膜トランジスタのチャネル領
域に入射光が照射されるのを効果的に防止でき、これに
より光リーク電流の発生による薄膜トランジスタの特性
変化を防止できる。特に、プロジェクタのライトバルブ
用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いた
め、薄膜トランジスタのチャネル領域やその付近に対す
る入射光の遮光を行うことは重要である。そして、この
ような上方遮光膜と同一膜から額縁遮光膜を形成できる
ので、第１基板上における積層構造や製造工程の複雑化
を避けつつ、第１基板上に上方遮光膜及び額縁遮光膜の
両者を内蔵する積層構造を構築できる。

【００２０】上述の薄膜トランジスタや容量線等を含む
態様では、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル
領域を前記第２基板側から覆う導電性の上方遮光膜を更
に備え、前記第２導電膜は、前記上方遮光膜であっても
よい。

【００２１】このように構成すれば、上方遮光膜によ
り、各画素に設けられた薄膜トランジスタのチャネル領
域に入射光が照射されるのを効果的に防止でき、これに
より光リーク電流の発生による薄膜トランジスタの特性
変化を防止できる。そして、このような上方遮光膜と同
一膜から額縁領域における配線や回路素子のパターンを
少なくとも部分的に形成できるので、第１基板上におけ
る積層構造や製造工程の複雑化を避けられる。

【００２２】尚、このような上方遮光膜は、容量線或い
は蓄積容量の固定電位側容量電極を兼ねてもよく、蓄積
容量の画素電位側容量電極を兼ねてもよく、薄膜トラン
ジスタと画素電極又はデータ線とを中継接続する中間導
電層などを兼ねてもよい。更にこれらの容量線等から分
離された形で、これらと同一膜から上方遮光膜を形成す
ることも可能である。

【００２３】上述の上方遮光膜を備えた態様では夫々、
前記上方遮光膜は、各画素の非開口領域を少なくとも部
分的に規定してもよい。

【００２４】このように構成すれば、第１基板側に形成
された遮光膜により、第１基板側で額縁領域を規定する
のみならず、各画素の非開口領域をも規定できる。従っ
て、第２基板側に各画素の非開口領域を規定するための
遮光膜を設けない構成も可能となり、各画素の開口領域
の減少を防げるので、高開口率な電気光学装置を実現で
きる。

【００２５】上述の薄膜トランジスタや容量線等を含む
態様では、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル
領域を前記第１基板の側から見て覆う導電性の下方遮光
膜を更に備え、前記第１導電膜は、前記下方遮光膜であ
ってもよい。

【００２６】このように構成すれば、下方遮光膜によ
り、第１基板の裏面反射光や、複数の電気光学装置をラ
イトバルブとして組み合わせた複板式のプロジェクタで
合成光学系を突き抜けてくる他の電気光学装置からの出
射光等の戻り光を遮光できるので、薄膜トランジスタの
光入射による特性変化を更に低減できる。そして、この
ような下方遮光膜と同一膜から額縁遮光膜を形成できる
ので、第１基板上における積層構造や製造工程の複雑化
を避けつつ、第１基板上に下方遮光膜及び額縁遮光膜の
両者を内蔵する積層構造を構築できる。

【００２７】上述の薄膜トランジスタや容量線等を含む
態様では、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル
領域を前記第２基板側から覆う導電性の下方遮光膜を更
に備え、前記第２導電膜は、前記下方遮光膜であっても
よい。

【００２８】このように構成すれば、下方遮光膜によ
り、各画素に設けられた薄膜トランジスタのチャネル領
域に戻り光が照射されるのを効果的に防止でき、これに
より光リーク電流の発生による薄膜トランジスタの特性
変化を防止できる。そして、このような下方遮光膜と同
一膜から額縁領域における配線や回路素子を少なくとも
部分的に形成できるので、第１基板上における積層構造
や製造工程の複雑化を避けられる。

【００２９】尚、このような下方遮光膜は、容量線或い
は蓄積容量の固定電位側容量電極を兼ねてもよく、蓄積
容量の画素電位側容量電極などを兼ねてもよい。更にこ
れらの容量線等から分離された形で、これらと同一膜か
ら下方遮光膜を形成することも可能である。

【００３０】上述の下方遮光膜を備えた態様では夫々、
前記下方遮光膜は、各画素の非開口領域を少なくとも部
分的に規定してもよい。

【００３１】このように構成すれば、第１基板側に形成
された遮光膜により、第１基板側で額縁領域を規定する
のみならず、各画素の非開口領域をも規定できる。従っ
て、第２基板側に各画素の非開口領域を規定するための
遮光膜を設けない構成も可能となり、各画素の開口領域
の減少を防げるので、コントラスト比を低下させること
なく表示画像を明るくする観点からは一層有利である。

【００３２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記導電性領域は、前記一の配線又は回路素子若しくは前
記他の配線又は回路素子から前記画像表示領域の外側に
延設された引き出し配線を含む。

【００３３】この態様によれば、額縁領域における引き
出し配線を専用の導電膜からではなく、画素電極に接続
された一の配線や回路素子を構成する第２導電膜と少な
くとも部分的に同一膜から構成するので、第１基板上の
積層構造や製造工程の複雑化を避けられる。

【００３４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記導電性領域は、前記一の配線又は回路素子若しくは前
記他の配線又は回路素子に接続された周辺回路を含む。

【００３５】この態様によれば、額縁領域における周辺
回路をなす回路素子を専用の導電膜からではなく、配線
や回路素子を構成する第２導電膜と少なくとも部分的に
同一膜から構成するので、第１基板上の積層構造や製造
工程の複雑化を避けられる。

【００３６】上述の周辺回路を備えた態様では、前記周
辺回路は、画像信号をサンプリングするサンプリング回
路を含んでもよい。

【００３７】このように構成すれば、額縁領域に設けら
れたサンプリング回路により画像信号をサンプリングし
て、画像表示領域内の配線及び薄膜トランジスタを介し
て画素電極に供給する構成を構築可能となる。

【００３８】上述の周辺回路を備えた構成では、前記周
辺回路は、データ線を駆動するデータ線駆動回路及び走
査線を駆動する走査線駆動回路のうち少なくとも一方を
含んでもよい。

【００３９】このように構成すれば、額縁領域に設けら
れたデータ線駆動回路及び走査線駆動回路により、画像
表示領域内のデータ線及び走査線を駆動する構成を構築
可能となる。従って、これらの回路をシール領域の外側
にある周辺領域に設ける場合と比べて、当該周辺領域を
小さくすることができ、同一基板上で画像表示領域を相
対的に広げることが可能となる。

【００４０】上述の周辺回路を備えた構成では、前記周
辺回路は薄膜トランジスタを備えており、前記周辺回路
の薄膜トランジスタが存在する領域では、前記額縁遮光
膜は、前記周辺回路の薄膜トランジスタの上方又は下方
に層間絶縁膜を介して積層されてもよい。

【００４１】このように構成すれば、薄膜トランジスタ
と額縁遮光膜との間には、層間絶縁膜が介在しているの
で、この層間絶縁膜の膜厚を所定膜厚以上に設定するこ
とで、導電性の額縁遮光膜の電位変動が薄膜トランジス
タに及ぼす悪影響を実害がない程度にまで低減可能とな
る。

【００４２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記額縁遮光膜により上方又は下方から覆われており、前
記画素電極と同様に前記一の配線又は回路素子に接続さ
れたダミー画素電極を更に備える。

【００４３】この態様によれば、額縁領域には、画素電
極と同様に一の配線又は回路素子に接続されたダミー画
素電極が設けられており、ダミー画素電極に対向する部
分における電気光学物質を、当該ダミー画素電極により
動作させる。そして、ダミー画素電極は、画像表示領域
内に位置する画素電極とは異なり、その四方に画素電極
が配置されていないので、ダミー画素電極に対向する電
気光学物質部分は良好に動作しない。しかるに、このよ
うな良好に動作しない電気光学物質部分は額縁領域内に
位置し、額縁遮光膜により覆われているので、表示画像
に悪影響を及ぼすことはない。そして額縁領域にダミー
画素電極を設けることにより、額縁領域付近の電気光学
物質部分を良好に動作させる。これらの結果、ダミー画
素電極の存在により、画像表示領域の隅々まで電気光学
物質を画素電極で良好に動作させることが可能となる。

【００４４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記額縁遮光膜は、前記一の配線又は回路素子若しくは前
記他の配線又は回路素子のうち複数を構成する前記第１
導電膜を含む複数の導電膜が、前記第１基板上で層間絶
縁膜を介して積層され且つ相互に相補的或いは冗長的に
重ねられた積層構造を有する。

【００４５】この態様によれば、額縁遮光膜は、第１導
電膜を含む複数の導電膜が層間絶縁膜を介して積層され
且つ相互に相補的或いは冗長的に重ねられた積層構造を
有する。ここに、「相補的に重ねる」とは、一の遮光層
が存在する領域では他の遮光層が存在しないように重
ね、逆に他の遮光層が存在する領域では一の遮光層が存
在しないように重ねることをいい、額縁領域全体として
は、いずれの遮光層も存在しない領域が殆ど又は全くな
いように複数層を重ねることをいう。このように相補的
に重ねる構成を採れば、コンタクトホールを開孔するた
めに一の遮光層を局所的に形成できない場合に、この部
分で他の遮光層から額縁遮光膜を形成できるので有利で
ある。更に回路素子や他の配線との寄生容量が大きい一
の遮光層を局所的に形成しない方が好ましい場合に、こ
の部分で該寄生容量が小さくなる他の遮光層から額縁遮
光膜を形成できるので有利である。特に、額縁領域に、
ダミー画素電極を設けたり周辺回路を作り込んだりする
場合には、単純な配線のみならず、上下の導電膜間を接
続するコンタクトホール等が必要になったり上下の導電
膜間における寄生容量が問題となったりするので、この
ように相補的に重ねられた積層構造を有する額縁遮光膜
は、大変有利となる。

【００４６】他方、「冗長的に重ねる」とは、一の遮光
層が存在する領域に、更に他の遮光層が存在するように
両者を層間絶縁膜を介して或いは直接に重ねることをい
う。このように冗長的に重ねる構成を採れば、第１導電
膜の膜厚を余り厚くできないために、第１導電膜だけで
は十分な遮光性能が得られない場合に、複数の遮光膜を
重ねることで必要な遮光性能を得ることが可能となるの
で有利である。

【００４７】尚、このような複数層からなる額縁遮光膜
は、相補的に重ねられた部分と冗長的に重ねられた部分
の両者を含む積層構造を有してもよい。更に、額縁領域
の一部分において、第１導電膜から額縁遮光膜を形成す
ると共に第２導電膜から配線や回路を形成し、額縁領域
の他の部分において、第２導電膜から額縁遮光膜を形成
すると共に第１導電膜から配線や回路を形成するように
構成してもよい。

【００４８】但し額縁遮光膜は、単純に単一層からなっ
てもよいことは言うまでもない。

【００４９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第１導電膜は、金属を含有する膜からなる。

【００５０】この態様によれば、額縁遮光膜は金属を含
有する遮光性の第１導電膜からなるので、遮光性に優れ
た額縁遮光膜を比較的容易に実現できる。この場合の第
１導電膜に含まれる金属としては、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金
属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの
等が挙げられる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から
額縁遮光膜を形成することも可能である。

【００５１】同時に画素電極に接続された配線や回路素
子を構成する第１導電膜は、金属を含有するので、導電
性に優れた配線や回路素子を比較的安価にて且つ容易に
実現できる。

【００５２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記額縁遮光膜は、定電位に固定される。

【００５３】この態様によれば、額縁遮光膜は定電位に
固定されるので、額縁遮光膜に層間絶縁膜を介して配置
される第２導電膜からなる配線や回路に対して、額縁遮
光膜の電位変動が悪影響を及ぼす事態を効果的に防止で
きる。また額縁遮光膜を定電位配線の一部或いは定電位
源として利用することも可能となる。

【００５４】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００５５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５６】（第１実施形態）先ず、本発明の第１実施
形態における電気光学装置の全体構成について、図１及
び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の
一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶装置を例にとる。

【００５７】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【００５８】図１及び図２において、本実施形態に係る
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。

【００５９】シール材５２は、両基板を貼り合わせるた
めの、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、
製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布さ
れた後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたもの
である。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定
値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等の
ギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気
光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型
で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学
装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等
倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材
は、液晶層５０中に含まれてもよい。

【００６０】シール材５２が配置されたシール領域の内
側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定す
る遮光性の額縁遮光膜５３がＴＦＴアレイ基板１０側に
設けられている。この額縁遮光膜５３の構成については
後述する。

【００６１】画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する
周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接
続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設
けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣
接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ
基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に
設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数
の配線１０５が設けられている。また図１に示すよう
に、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の
上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置さ
れている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコ
ーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられ
ている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基
板２０との間で電気的な導通をとることができる。

【００６２】図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、
所定の配向状態をとる。

【００６３】尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基
板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査
線駆動回路１０４等に加えて、画像信号をサンプリング
する後述のサンプリング回路（第３及び第４実施形態参
照）、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャ
ージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャー
ジ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、
欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

【００６４】次に以上の如く構成された電気光学装置に
おける回路構成及び動作について図３を参照して説明す
る。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、
配線等の等価回路を示すブロック図である。

【００６５】図３において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されている。そしてＴＦＴ３０のゲー
トに対し、所定のタイミングで、図１に示した走査線駆
動回路１０４により走査線３ａを介してパルス的に走査
信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加する
ように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０の
ドレインに電気的に接続されている。そして、スイッチ
ング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチ
を閉じることで、図１に示したデータ線駆動回路１０１
によりデータ線６ａを介して供給される画像信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電
極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き
込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保
持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集
合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階
調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれ
ば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対
する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれ
ば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対
する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは
画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。こ
こで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並ん
で、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定
電位に固定された容量線３００が設けられている。

【００６６】次に、図１及び図２に示した額縁遮光膜５
３及びシール材５２の設けられた周辺領域における電気
光学装置の詳細構成について、図４を参照して説明す
る。ここに図４は、図２におけるＣＲ部分を拡大して示
す部分断面図である。

【００６７】図４において、後述の如く画素部に形成さ
れる走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ等を層間絶縁す
る下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁
膜４２及び第３層間絶縁膜４３は、ＴＦＴアレイ基板１
０上に積層形成されており、第３層間絶縁膜４３上に
は、画素電極９ａ及び配向膜１６が形成されている。ま
た第２層間絶縁膜４２と第３層間絶縁膜４３との間に
は、画像表示領域内に配線されたデータ線６ａと同一膜
からなる遮光膜２１２が形成されている。第１層間絶縁
膜４１と第２層間絶縁膜４２の間には、画像表示領域内
に配線された容量線３００と同一膜からなる、データ線
６ａの引き出し配線２０６が形成されている。データ線
６ａとその引き出し配線２０６とは、コンタクトホール
２８１を介して接続されている。従って、コンタクトホ
ール２８１付近で、同一膜からなる容量線３００と引き
出し配線２０６とが相互に分断され、同一膜からなるデ
ータ線６ａと遮光膜２１２とが相互に分断されている
が、平面的に見てこれらの分断個所における隙間には、
後述の如く画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域
を下側から覆う下方遮光膜１１ａと同一膜からなる遮光
膜１１ｂが設けられている。尚、この遮光膜１１ｂは、
下方遮光膜１１ａから分断形成されてもよいし、連続形
成されてもよい。そして、これら遮光膜２１２及び遮光
膜１１ｂから図１及び図２に示した額縁遮光膜５３が形
成されている。

【００６８】他方、対向基板２０上には、対向電極２１
及び配向膜１６が形成されている。本実施形態では特
に、対向基板２０には、額縁遮光膜は設けられていな
い。

【００６９】このように本実施形態では、ＴＦＴアレイ
基板１０側に額縁遮光膜５３を形成するので、対向基板
２０側に額縁遮光膜を形成する必要がなくなる。従っ
て、その製造中に例えば紫外線硬化樹脂からなるシール
材５２を紫外線照射により硬化させる際に、透明な対向
基板２０、対向電極２１及び配向膜２２を介して、対向
基板２０側から十分な照射を行える。言い換えれば、シ
ール材５２を硬化させる紫外線照射のために額縁領域の
幅を狭くする必要がなくなるので、特に両基板の縁側に
向かって額縁遮光膜５３を幅広に形成でき、シール領域
と額縁遮光膜５３を重ねたり、シール領域を額縁領域内
に全て入れてしまうことも可能となる。

【００７０】そして特に、額縁遮光膜５３を専用の遮光
膜からではなく、画素電極９ａに画像信号を供給するデ
ータ線６ａと同一膜からなる遮光膜２１２と、ＴＦＴ３
０を下側から覆う下方遮光膜と同一膜からなる遮光膜１
１ｂとから構成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積
層構造や製造工程の複雑化を避けつつ、ＴＦＴアレイ基
板１０上に額縁遮光膜５３を作り込める。しかも、額縁
領域に配置されたデータ線６ａの引き出し配線２０６を
専用の導電膜からではなく、容量線３００と同一膜から
形成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製
造工程の複雑化を更に避けることが可能となる。

【００７１】従って、電気光学装置を比較的寸法精度の
低いプラスチック製等の遮光性の実装ケース内に収容し
ても、画像表示領域１０ａ（図１参照）が実装ケースの
縁で隠れたり、額縁遮光膜５３と実装ケースの縁との間
で光漏れが生じたりするのを比較的簡単に防げる。ま
た、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間における
内面反射により、額縁遮光膜５３で隠した筈の引き出し
配線２０６のパターンが画像表示領域１０ａの周辺に映
し出される事態を、額縁遮光膜５３での確実な遮光によ
り対向基板２０での額縁領域の遮光を省くことで防ぐこ
とができる。

【００７２】加えて本実施形態では、額縁遮光膜５３
は、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造中比較的上方に
位置する遮光膜２１２から主に形成されており、この遮
光膜２１２がコンタクトホール２８１を避けて欠如して
いる部分に遮光膜１１ｂを形成する。ここで、下方に位
置する遮光膜１１ｂは、上方に位置する遮光膜２１２よ
りも、プレーナプロセスにおけるＴＦＴ３０の形成工程
等で高温に曝される機会が多くなり且つ下層に位置して
いる分だけ、より大きなストレスが発生する。従って本
実施形態のように、額縁遮光膜５３を主に上方に位置す
る遮光膜２１２で形成することはストレス発生を抑える
観点から有利である。尚、下方に位置する遮光膜１１ｂ
であっても、コンタクトホール２８１の周囲に島状にの
み設けるだけであればストレスの発生は殆ど又は全く問
題とならない。

【００７３】次に、本発明の実施形態の電気光学装置の
画像表示領域における構成について、図５及び図６を参
照して説明する。図５は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’断面図で
ある。尚、図６においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。

【００７４】図５において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００７５】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００７６】図５及び図６に示すように、蓄積容量７０
は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極
９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７
１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部
とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより
形成されている。

【００７７】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図５中上下に突出している。このような容量線
３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリ
シリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の
高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜と
が積層された多層構造を持つように構成される。このよ
うに構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容
量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ
３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮
光層としての機能を持つ。

【００７８】本実施形態では特に、容量線３００は、走
査線３ａ及びデータ線６ａ間に積層されているので、平
面的に見て走査線３ａやデータ線６ａと重なる基板上領
域に容量を作り込むことにより、蓄積容量７０の増大が
図られている。

【００７９】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下方遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下方遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少な
くとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、
ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。

【００８０】そして、図５中縦方向に夫々伸びるデータ
線６ａと図５中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相
交差して形成されること及び格子状に形成された下方遮
光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。

【００８１】図５及び図６に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコ
ン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄ
に電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と
同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つ
のコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソー
ス領域１ｄとを電気的に接続してもよい。

【００８２】また容量線３００は好ましくは、画素電極
９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）から
その周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、
固定電位とされる。このような定電位源としては、デー
タ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源で
もよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定
電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられ
る下方遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ
３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量
線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設し
て定電位源に接続するとよい。

【００８３】画素電極９ａは、中継層７１を中継するこ
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。

【００８４】図５及び図６において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００８５】図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜な
どの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、
ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。

【００８６】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの透明な有機膜からなる。

【００８７】対向基板２０には、各画素の非開口領域に
対応して格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるよう
にしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如
く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと
共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０
側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、よ
り確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上
の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射
な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を
防ぐ働きをする。尚、このような対向基板２０上の遮光
膜は、両基板の貼り合わせずれによって各画素の開口領
域を狭めないように、非開口領域の内側に細めに形成す
るのが好ましい。このように細めに形成しても、冗長的
な遮光を行うと共に入射光による電気光学装置内部の温
度上昇を防ぐ効果は発揮される。

【００８８】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図
１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の
一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。

【００８９】更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下方遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用の
ＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

【００９０】図６において、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０は、ＬＤＤ（Lightly DopedDrain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高
濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備
えている。

【００９１】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００９２】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００９３】ここで容量線は、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうち少なくとも一つ
を含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサ
イドや、Ａｌ膜から形成しても良い。Ａｌ膜で容量線３
００を形成すれば、図４においてデータ線６ａとコンタ
クトホール２８１を介して電気的に接続されている引き
出し線２０６も低抵抗なＡｌ膜で形成できる。これによ
り、データ線６ａに書き込まれる画像信号の信号遅延を
極力低減することができる。

【００９４】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このよ
うに構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられて
いる。

【００９５】本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表
面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学
的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方
に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層
５０における液晶の配向不良を低減する。

【００９６】以上説明したように本実施形態によれば、
ＴＦＴアレイ基板１０側に、額縁遮光膜５３を形成した
ので、額縁遮光膜を備えていない対向基板２０側からシ
ール材５２を硬化させるための紫外線を十分に照射可能
な構成が得られ、額縁領域付近において画像表示領域を
狭めることなく確実に遮光を行うことができ、額縁領域
に配線された引き出し配線２０６等に対応する明暗パタ
ーンが表示画像の縁付近に映し出されてしまう問題も生
じない。これらの結果、明るく高品位の画像を表示可能
な電気光学装置を実現できる。

【００９７】以上説明した実施形態では、額縁領域にお
いて、配線パターンの一例たる引き出し配線２０６を容
量線３００と同一膜から形成し且つ額縁遮光膜５３をデ
ータ線６ａと同一遮光膜から形成したが、引き出し配線
をデータ線６ａと同一膜から形成し且つ額縁遮光膜５３
を容量線３００と同一遮光膜から形成してもよく、引き
出し配線をデータ線６ａや容量線３００と同一膜から形
成し且つ額縁遮光膜５３を下方に位置する遮光膜１１ｂ
から形成してもよい。要するに、図５及び図６で説明し
た画素部におけるデータ線６ａ、容量線３００、走査線
３ａ、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０等を構成する複数の導
電膜のうち一又は複数（但し、その遮光性の有無は問わ
ない）から額縁領域における配線パターンや回路パター
ンを形成し且つこれら複数の導電膜のうち一又は複数
（但し、遮光性の膜に限る）から額縁遮光膜５３を形成
すれば、上述したシール材５２に対し紫外線照射しやす
いという利益や額縁領域での高い遮光性能という利益は
本実施形態と同様に得られる。

【００９８】以上説明した実施形態では、画像表示領域
１０ａの周囲に額縁領域を規定する額縁遮光膜５３のみ
ならず、各画素の開口領域の周囲に非開口領域を規定す
る遮光膜（即ち、容量線３００、データ線６ａ及び下方
遮光膜１１ａ）を、ＴＦＴアレイ基板１０側に作り込む
ことで、対向基板２０側に額縁遮光膜も各画素の非開口
領域を規定するための遮光膜も設けない構成とされてい
る。このような構成により、該両基板の貼り合わせずれ
による各画素の開口領域の減少を防げるので、各画素に
おける光漏れを防止しつつ開口領域を広げることがで
き、最終的には表示画像におけるコントラスト比及び明
るさを一層向上できる。

【００９９】本実施形態において好ましくは、額縁遮光
膜５３は定電位に固定される。このように構成すれば、
額縁遮光膜５３に第２層間絶縁膜４２を介して配置され
る引き出し配線２０６に対して、額縁遮光膜５３の電位
変動が悪影響を及ぼす事態、或いは引き出し配線２０６
の電位変動が額縁遮光膜５３を介して他の配線や回路素
子等に悪影響を及ぼす事態を効果的に防止できる。また
定電位に固定された額縁遮光膜５３を定電位配線の一部
或いは定電位源として利用できる。

【０１００】なお以上説明した実施形態では、図６に示
したように多数の導電層を積層することにより、画素電
極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）に
おけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が
生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化するこ
とで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４
１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝
を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め
込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間
絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨すること
により、或いは有機又は無機ＳＯＧを用いて平らに形成
することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。

【０１０１】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態における電気光学装置について、図７及び図８を参
照して説明する。ここに図７は、画像表示領域の一つの
隅付近におけるダミー画素電極が形成された額縁領域を
示す拡大平面図であり、図８は、図７のうち額縁遮光膜
を構成する複数の遮光膜を抜粋し、模様分けして示す図
である。尚、図７及び図８において、図１から図６に示
した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号
を付しそれらの説明は省略する。

【０１０２】第２実施形態は、第１実施形態と比べて額
縁領域にダミー画素電極を作り込んだ点及び額縁遮光膜
５３’が冗長的且つ相補的に重ねられた複数の遮光膜か
らなる点が異なり、その他の構成については第１実施形
態の場合と同様である。

【０１０３】図７及び図８において、額縁領域のうち画
像表示領域１０ａに隣接する側にあるダミー画素領域２
１０には、ダミー画素電極として画像表示領域１０ａ内
の画素電極９ａと同様の構成を持つ画素電極９ａが設け
られている。尚、図７及び図８では簡単のために、ダミ
ー画素領域２１０には、画像表示領域１０ａの周囲に沿
って一列の画素電極９ａが配列されているが、実際には
複数列の画素電極９ａが配列されていてもよい。

【０１０４】ダミー画素領域２１０内における画素電極
９ａは、額縁遮光膜５３’により覆われており、各画素
の開口領域を持っていない。従って当該電気光学装置の
動作時に、ダミー画素領域２１０内における画素電極９
ａは、画像表示には直接寄与しないが、画像表示領域１
０ａ内の画素電極９ａと同様に、ダミー画素領域２１０
に対向する部分における液晶層５０（図６参照）を駆動
する。この際、ダミー画素領域２１０内の画素電極９ａ
は、その四方に画素電極９ａが配置されていないので、
係るダミー画素領域では、液晶の配向不良等が起きる。
しかしながら、ダミー画素領域２１０自体は、額縁遮光
膜５３’により覆われているので、この領域での液晶の
配向不良は表示画像を劣化させる原因とはならない。他
方、このようなダミー画素領域２１０内の画素電極９ａ
の存在により、画像表示領域１０ａと額縁領域との境界
付近における画素電極９ａに対向する液晶部分も、画像
表示領域１０ａの中央付近における液晶部分と同様に良
好に配向する。

【０１０５】このように第２実施形態では、額縁遮光膜
５３’で覆われたダミー画素領域２１０に画素電極９ａ
をダミー画素電極として設けることにより、画像表示領
域１０ａの隅々まで液晶を良好に配向させることがで
き、画像表示領域１０ａの隅々まで良好な画像表示を行
えるようになる。

【０１０６】ここで第２実施形態では特に、額縁遮光膜
５３’は、下方遮光膜１１ａと同一膜からなる遮光膜１
１ｂと、容量線３００と、データ線６ａと同一膜からな
る遮光膜２１２とから形成されている。そして図８に示
すように、額縁遮光膜５３’のうちダミー画素領域２１
０を覆う部分は、右下がりハッチングされた領域に形成
された遮光膜１１ｂと、右上がりハッチングされた領域
に形成された容量線３００とにより冗長的に構成されて
いる。またダミー画素領域２１０内の画素電極９ａのコ
ンタクトホール８５を避けて容量線３００には、窓３０
０ｈが開孔されおり、この領域では、遮光膜１１ｂのみ
から額縁遮光膜５３’が構成されている。

【０１０７】他方、額縁遮光膜５３’のうちダミー画素
領域２１０から若干外側に位置するコンタクトホール２
８１の周囲の部分等は、“＋＋＋”模様が施されたデー
タ線６ａと同一層からなる遮光膜２１２と遮光膜１１ｂ
とから冗長的に構成されており、更にその外側の部分
は、遮光膜２１２から単独で構成されている。

【０１０８】このように本実施形態では、遮光膜２１
２、遮光膜１１ｂ及び容量線３００を部分的に冗長的に
且つ部分的に相補的に重ねて額縁遮光膜５３’を形成す
ることにより、ダミー画素領域２１０内の画素電極９ａ
並びにコンタクトホール８５及び２８１等の形成を邪魔
しないようにしつつ額縁領域を遮光することができる。
更に後述の実施形態の如く、配線のみならず、回路を額
縁領域内に設ける場合に、回路素子や他の配線との寄生
容量が大きい一の遮光層を局所的に形成しない方が好ま
しい場合に、この部分で局所的に該寄生容量が小さくな
る他の遮光層から額縁遮光膜を形成することも可能とな
る。

【０１０９】加えてこのように、冗長的に重ねる構成を
採れば、一層の遮光膜（即ち、容量線３００と同一膜の
み、データ線６ａと同一膜のみ、下方遮光膜１１ａと同
一膜のみ）では、膜厚或いは入射光強度との関係で、十
分な遮光性能が得られない場合に、複数の遮光膜を重ね
ることで必要な遮光性能を得ることも可能となる。特に
本実施形態の如く額縁領域にダミー画素電極を設けたり
後述の実施形態の如く額縁領域に周辺回路を作り込んだ
りする場合には、額縁領域において額縁遮光膜５３’を
構成する一層の膜のみに大きな膜厚を割り当てることが
装置設計上困難となる事態もあるので、このように冗長
的に或いは相補的に重ねられた積層構造を有する額縁遮
光膜５３’は、実践上大変有利となる。

【０１１０】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態における電気光学装置について、図９から図１２を
参照して説明する。ここに図９は、第３実施形態におけ
るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板の側から見た平面図である。図１０は、第
３実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス
状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の
等価回路を周辺回路と共に示すブロック図である。図１
１は、第３実施形態におけるサンプリング回路の各サン
プリングスイッチ（Nチャネル型ＴＦＴ）の拡大平面図
であり、図１２は、そのD−D’断面図である。尚、図９
から図１２において、図１から図６に示した第１実施形
態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの
説明は省略する。

【０１１１】第３実施形態は、第１実施形態と比べて額
縁領域にサンプリング回路を作り込んだ点が異なり、そ
の他の構成については第１実施形態の場合と同様であ
る。

【０１１２】即ち、図９に示すように、第３実施形態で
は、外部回路接続端子１０２に隣接した辺における額縁
領域内にサンプリング回路３０１が作り込まれている。

【０１１３】図１０に示すように、データ線６ａの先端
（図１０中で下端）は、引き出し配線２０６を介して、
サンプリング回路３０１の例えばNチャネル型ＴＦＴか
ら夫々構成された各サンプリングスイッチ２０２に接続
されている。他方、外部回路接続端子１０２から画像信
号を供給する画像信号線１１５は、引き出し配線１１６
を介してサンプリング回路３０１に接続されている。画
像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、
データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号
線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給され
るのに応じて、サンプリング回路３０１の各サンプリン
グスイッチ２０２によりサンプリングされて各データ線
６ａに（引き出し配線２０６を介して）供給されるよう
に構成されている。

【０１１４】図１１及び図１２に示したように、各サン
プリングスイッチ２０２は、Ｎチャネルから構成される
半導体層２２０を備えており、画像信号線１１５からの
引き出し配線１１６の先端部をソース電極（入力側）と
し、データ線６ａからの引き出し配線２０６の先端部を
ドレイン電極（出力側）とし、サンプリング回路駆動信
号線１１４の先端部をゲート電極とする、Ｎチャネル型
ＴＦＴからなる。尚、このような各サンプリングスイッ
チ２０２を構成するＮチャネル型ＴＦＴは好ましくは、
画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様にＬＤＤ構造を有
する。

【０１１５】本実施形態では特に、半導体層２２０は、
画素部における半導体層１ａと同一膜からなる。サンプ
リング回路駆動信号線１１４の先端部（ゲート電極）
は、画素部における走査線３ａと同一膜からなる。引き
出し配線１１６の先端部（ソース電極）及び引き出し配
線２０６の先端部（ドレイン電極）は、画素部における
容量線３００と同一膜からなる。そして、額縁遮光膜５
３のうち少なくとも当該サンプリングスイッチ２０２を
覆う部分は、画素部におけるデータ線６ａと同一膜から
なる遮光膜２１２から構成されている。

【０１１６】このように第３実施形態によれば、額縁領
域における周辺回路の一例たるサンプリング回路３０１
を専用の導電膜からではなく、画素部における配線や回
路素子を構成する導電膜と同一膜から構成し、しかも額
縁遮光膜５３を専用の遮光膜からではなく、画素部にお
けるデータ線６ａと同一膜から構成するので、ＴＦＴア
レイ基板１０上の積層構造や製造工程の複雑化を避けら
れる。そして特に、額縁遮光膜５３により覆われた額縁
領域内にサンプリング回路３０１を作り込むことによ
り、限られた基板上領域の有効利用を図れる。

【０１１７】また本実施形態では特に、各サンプリング
スイッチ２０２を構成するＮチャネル型ＴＦＴの上方
に、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を介し
て遮光膜２１２が設けられている。従って、第１層間絶
縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の膜厚を適当な膜厚に
設定することで、導電性の遮光膜２１２の電位変動が、
このＮチャネル型ＴＦＴに及ぼす悪影響を実害がない程
度にまで低減できる。このような第１層間絶縁膜４１及
び第２層間絶縁膜４２の適当な膜厚は、個々の電気光学
装置の仕様等に応じて、実験的、経験的、理論的或いは
シミュレーションにより個別具体的に設定すればよい。

【０１１８】（第４実施形態）次に、本発明の第４実施
形態における電気光学装置について、図１３を参照して
説明する。ここに図１３は、第４実施形態におけるＴＦ
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。尚、図１３におい
て、図１に示した第１実施形態と同様の構成要素には同
様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。

【０１１９】第４実施形態は、第１実施形態と比べて額
縁遮光膜５３Ｗが幅広に形成されており、額縁領域がシ
ール領域に重なっている点が異なり、その他の構成につ
いては第１実施形態の場合と同様である。即ち、本実施
形態では、対向基板２０側からシール材５２を硬化させ
るための紫外線照射が可能であるので、ＴＦＴアレイ基
板１０側では係る紫外線照射用の領域を確保する必要が
無いため、このように額縁遮光膜５３Ｗを幅広に形成で
きるのである。

【０１２０】この結果、第４実施形態によれば、額縁領
域とシール領域との間で光漏れが殆ど又は全く起こらな
いので、当該電気光学装置を収容する実装ケースの縁と
額縁領域との間で光漏れが確実に起こらないようにでき
る。

【０１２１】（第５実施形態）次に、本発明の第５実施
形態における電気光学装置について、図１４から図１６
を参照して説明する。ここに図１４は、第５実施形態に
おけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要
素と共に対向基板の側から見た平面図である。図１５
は、第５実施形態における周辺回路を構成する相補型Ｔ
ＦＴの拡大平面図であり、図１６は、そのＢ−Ｂ’断面
図である。尚、図１４から図１６において、図１から図
６に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参
照符号を付しそれらの説明は省略する。

【０１２２】第５実施形態は、第１実施形態と比べて額
縁遮光膜５３Ｗが幅広に形成されており、額縁領域がシ
ール領域に重なっている点、データ線駆動回路１０１ｉ
及び走査線駆動回路１０４ｉがシール領域の内側（即ち
液晶層５０に対向する基板上領域）に配置されている点
並びにこれに伴い周辺領域を小さくした分だけＴＦＴア
レイ基板１０が小面積化している点が異なり、その他の
構成については第１実施形態の場合と同様である。即
ち、本実施形態では、対向基板２０側からシール材５２
を硬化させるための紫外線照射が可能であるので、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側では係る紫外線照射用の領域を確保
する必要が無いため、このように額縁遮光膜５３Ｗを幅
広に形成できるのである。更に、このように額縁遮光膜
５３Ｗの幅が広いため、額縁領域にデータ線駆動回路１
０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉを作り込めるのであ
る。更にまた、このように額縁領域にデータ線駆動回路
１０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉを作り込むため、
周辺領域を小さくでき、これによりＴＦＴアレイ基板１
０自体を小面積化できるのである。

【０１２３】この結果、第５実施形態によれば、額縁領
域とシール領域との間で光漏れが殆ど又は全く起こらな
いので、当該電気光学装置を収容する実装ケースの縁と
額縁領域との間で光漏れが確実に起こらないようにでき
る。しかも、ＴＦＴアレイ基板１０を小型化することに
より、電気光学装置全体の小型化・軽量化或いは限られ
た基板上面積における画像表示領域の大面積化を図るこ
とができ、更に当該電気光学装置を用いて構成したプロ
ジェクタ等の電子機器の小型・軽量化も可能となる。特
に、当該電気光学装置を製造する際に、１枚のマザー基
板上に作り込み可能な個数も増加するので、製造コスト
の削減にも繋がる。

【０１２４】図１５及び図１６に示すように第５実施形
態では、周辺回路の一例たるデータ線駆動回路１０１ｉ
や走査線駆動回路１０４ｉを構成する各相補型ＴＦＴ３
０２は、Ｐチャネル領域３２０ｐ及びＮチャネル領域３
２０ｎを含む半導体層３２０を備えており、配線３１６
の先端部をゲート電極（入力側）とし、低電位配線３２
１及び高電位配線３２２の先端部を夫々ソース電極と
し、配線３０６の先端部をドレイン電極（出力側）とす
る、Ｐチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦ
Ｔ３０２ｎが組み合わされて構成されている。尚、この
ようなＰチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型Ｔ
ＦＴ３０２ｎは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様
にＬＤＤ構造を有しても良い。

【０１２５】本実施形態では特に、半導体層３２０は、
画素部における半導体層１ａと同一膜からなる。配線３
１６の先端部（ゲート電極）は、画素部における走査線
３ａと同一膜からなる。低電位配線３２１及び高電位配
線３２２の先端部（ソース電極）並びに配線３０６の先
端部（ドレイン電極）は、画素部における容量線３００
と同一膜からなる。そして、額縁遮光膜５３のうち少な
くとも相補型ＴＦＴ３０２を覆う部分は、画素部におけ
るデータ線６ａと同一膜からなる遮光膜３１２から構成
されている。

【０１２６】このように第５実施形態によれば、額縁領
域における周辺回路を構成する相補型ＴＦＴ３０２を専
用の導電膜からではなく、画素部における配線や回路素
子を構成する導電膜と同一膜から構成し、しかも額縁遮
光膜５３の少なくとも一部分を構成する遮光膜３１２を
専用の遮光膜からではなく、画素部におけるデータ線６
ａと同一膜から構成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上
の積層構造や製造工程の複雑化を避けられる。そして特
に、額縁遮光膜５３により覆われた額縁領域内にデータ
線駆動回路１０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉ等の周
辺回路を作り込むことにより、限られた基板上領域の有
効利用を図れる。

【０１２７】また本実施形態では特に、Ｐチャネル型Ｔ
ＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ３０２ｎの上方
に、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を介し
て遮光膜３１２が設けられている。従って、第１層間絶
縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の膜厚を適当な膜厚に
設定することで、導電性の遮光膜３１２の電位変動がこ
れらのＰチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型Ｔ
ＦＴ３０２ｎに及ぼす悪影響を実害がない程度にまで低
減できる。このような第１層間絶縁膜４１及び第２層間
絶縁膜４２の適当な膜厚は、個々の電気光学装置の仕様
等に応じて、実験的、経験的、理論的或いはシミュレー
ションにより個別具体的に設定すればよい。

【０１２８】（第６実施形態）次に、本発明の第６実施
形態における電気光学装置について、図１７及び図１８
を参照して説明する。ここに図１７は、第６実施形態に
おける周辺回路を構成する相補型ＴＦＴの拡大平面図で
あり、図１８は、そのＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１
７及び図１８において、図１から図６に示した第１実施
形態或いは図１４から図１６に示した第５実施形態と同
様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は
省略する。

【０１２９】第６実施形態は、第５実施形態の場合と同
様に、第１実施形態と比べて額縁遮光膜が幅広に形成さ
れてシール領域に重なっている点、データ線駆動回路及
び走査線駆動回路がシール領域の内側に配置されている
点並びにこれに伴い周辺領域を小さくした分だけＴＦＴ
アレイ基板が小面積化している点が異なり（図１４参
照）、その他の構成については第１実施形態の場合と同
様である。そして、第６実施形態は、第５実施形態と比
べて各相補型ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極を構
成する導電膜並びに各相補型ＴＦＴを覆う額縁遮光膜を
構成する遮光膜が異なり、その他の構成については第５
実施形態の場合と同様である。

【０１３０】即ち図１７及び図１８に示したように第６
実施形態では特に、相補型ＴＦＴ４０２は、Ｐチャネル
領域４２０ｐ及びＮチャネル領域４２０ｎを含む半導体
層４２０を備えており、配線４１６の先端部をゲート電
極とし、低電位配線４２１及び高電位配線４２２の先端
部を夫々ソース電極とし、配線４０６の先端部をドレイ
ン電極とする、Ｐチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮチャ
ネル型ＴＦＴ４０２ｎが組み合わされて構成されてい
る。尚、このようなＰチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮ
チャネル型ＴＦＴ４０２ｎは夫々好ましくは、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０と同様にＬＤＤ構造を有する。

【０１３１】本実施形態では特に、半導体層４２０は、
画素部における半導体層１ａと同一膜からなる。配線４
１６の先端部（ゲート電極）は、画素部における走査線
３ａと同一膜からなる。低電位配線４２１及び高電位配
線４２２の先端部（ソース電極）並びに配線４０６の先
端部（ドレイン電極）は、画素部におけるデータ線６ａ
と同一膜からなる。そして、額縁遮光膜のうち少なくと
も当該サンプリングスイッチ４０２を覆う部分は、画素
部における容量線３００と同一膜からなる遮光膜４１１
から構成されている。

【０１３２】このように第６実施形態によれば、額縁領
域における周辺回路を専用の導電膜からではなく、画素
部における配線や回路素子を構成する導電膜と同一膜か
ら構成し、しかも額縁遮光膜を専用の遮光膜からではな
く、画素部における容量線３００と同一膜から構成する
ので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製造工程の
複雑化を避けられる。そして特に、第５実施形態と同様
に額縁遮光膜（遮光膜４１１）により覆われた額縁領域
内に周辺回路を作り込むことにより、限られた基板上領
域の有効利用を図れる。

【０１３３】また本実施形態では特に、Ｐチャネル型Ｔ
ＦＴ４０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ４０２ｎの上方
に、第１層間絶縁膜４１を介して遮光膜４１１が設けら
れている。従って、第１層間絶縁膜４１の膜厚を適当な
膜厚に設定することで、導電性の遮光膜４１１の電位変
動がこれらのＰチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮチャネ
ル型ＴＦＴ４０２ｎに及ぼす悪影響を実害がない程度に
まで低減できる。このような第１層間絶縁膜４１の適当
な膜厚は、個々の電気光学装置の仕様等に応じて、実験
的、経験的、理論的或いはシミュレーションにより個別
具体的に設定すればよい。

【０１３４】以上図１から図１８を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed LiquidCrystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。

【０１３５】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上の
ＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等で
カラーフィルタ層を形成することも可能である。このよ
うにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明る
い電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０
上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積すること
で、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロ
イックフィルタを形成してもよい。このダイクロイック
フィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気
光学装置が実現できる。

【０１３６】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発
明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共
に対向基板の側から見た平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【図３】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路のブロック図であ
る。

【図４】図２のＣR部分を拡大して示す部分断面図であ
る。

【図５】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図である。

【図６】図５のＡ−Ａ’断面図である。

【図７】本発明の第２実施形態における画像表示領域の
一つの隅付近におけるダミー画素電極が形成された額縁
領域を示す拡大平面図である。

【図８】図７のうち額縁遮光膜を構成する複数の遮光膜
を抜粋し、模様分けして示す図である。

【図９】本発明の第３実施形態の電気光学装置における
ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共
に対向基板の側から見た平面図である。

【図１０】本発明の第３実施形態の電気光学装置におけ
る画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に
設けられた各種素子、配線等の等価回路及び周辺回路の
ブロック図である。

【図１１】本発明の第３実施形態におけるサンプリング
回路の各サンプリングスイッチ（Nチャネル型ＴＦＴ）
の拡大平面図である。

【図１２】図１１のD−Ｄ’断面図である。

【図１３】本発明の第４実施形態の電気光学装置におけ
るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板の側から見た平面図である。

【図１４】本発明の第５実施形態の電気光学装置におけ
るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板の側から見た平面図である。

【図１５】本発明の第５実施形態における周辺回路を構
成する相補型トランジスタの拡大平面図である。

【図１６】図１５のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１７】本発明の第６実施形態における周辺回路を構
成する相補型トランジスタの拡大平面図である。

【図１８】図１７のＣ−Ｃ’断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下方遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５３…額縁遮光膜 ７０…蓄積容量 ７１…中継層 ８１、８３、８５…コンタクトホール １０１…データ線駆動回路 １０４…走査線駆動回路 １１４…サンプリング回路駆動信号線 １１５…画像信号線 １１６…画像信号線の引き出し配線 ２０２…サンプリングスイッチ ２０６…データ線の引き出し配線 ２１２…遮光膜 ３００…容量線 ３０１…サンプリング回路 ３０２、４０２…相補型ＴＦＴ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA35Y FB08 FC10 FC26 FD04 FD22 GA13 LA03 LA11 LA12 MA07 2H092 HA11 JA25 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB51 JB57 JB63 JB69 KA04 KA07 MA05 MA07 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA28 MA35 MA37 MA41 NA25 NA27 NA29 PA09 RA05

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の透明な第１基板及び透明な第２基
   板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記第１基板上に、 画像表示領域に配置された複数の画素電極と、 該画素電極に接続された一の配線又は回路素子と、 前記画像表示領域の周囲に額縁領域を規定すると共に前
   記一の配線又は回路素子若しくは前記一の配線又は回路
   素子に接続された他の配線又は回路素子のうち一つを構
   成する遮光性の第１導電膜と少なくとも部分的に同一膜
   からなる額縁遮光膜と、 前記額縁領域に配置されていると共に前記一の配線又は
   回路素子若しくは前記他の配線又は回路素子のうち他の
   一つを構成する第２導電膜と少なくとも部分的に同一膜
   からなる導電性領域とを備えたことを特徴とする電気光
   学装置。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２基板は、前記額縁領域
   の周囲にて前記電気光学物質を包囲するシール領域で光
   硬化性接着剤により貼り合わされていることを特徴とす
   る請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記一の配線又は回路素子は、薄膜トラ
   ンジスタ及び蓄積容量を含み、 前記他の配線又は回路素子は、前記薄膜トランジスタに
   接続されたデータ線及び走査線と、前記蓄積容量に接続
   された容量線とを含むことを特徴とする請求項１又は２
   に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記容量線は、前記走査線及び前記デー
   タ線間に積層されていることを特徴とする請求項３に記
   載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記薄膜トランジスタの少なくともチャ
   ネル領域を前記第２基板の側から見て覆う導電性の上方
   遮光膜を更に備え、 前記第１導電膜は、前記上方遮光膜であることを特徴と
   する請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記薄膜トランジスタの少なくともチャ
   ネル領域を前記第２基板側から覆う導電性の上方遮光膜
   を更に備え、 前記第２導電膜は、前記上方遮光膜であることを特徴と
   する請求項３又は４に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記上方遮光膜は、各画素の非開口領域
   を少なくとも部分的に規定することを特徴とする請求項
   ５又は６に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記薄膜トランジスタの少なくともチャ
   ネル領域を前記第1基板側から覆う導電性の下方遮光膜
   を更に備え、 前記第１導電膜は、前記下方遮光膜であることを特徴と
   する請求項３から７のいずれか一項に記載の電気光学装
   置。
9. 【請求項９】 前記薄膜トランジスタの少なくともチャ
   ネル領域を前記第1基板側から覆う導電性の下方遮光膜
   を更に備え、 前記第２導電膜は、前記下方遮光膜であることを特徴と
   する請求項３から８のいずれか一項に記載の電気光学装
   置。
10. 【請求項１０】 前記下方遮光膜は、各画素の非開口領
    域を少なくとも部分的に規定することを特徴とする請求
    項８又は９に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記導電性領域は、前記一の配線又は
    回路素子若しくは前記他の配線又は回路素子から前記画
    像表示領域の外側に延設された引き出し配線を含むこと
    を特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の
    電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記導電性領域は、前記一の配線又は
    回路素子若しくは前記他の配線又は回路素子に接続され
    た周辺回路を含むことを特徴とする請求項１から１１の
    いずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記周辺回路は、画像信号をサンプリ
    ングするサンプリング回路を含むことを特徴とする請求
    項１２に記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記周辺回路は、データ線を駆動する
    データ線駆動回路及び走査線を駆動する走査線駆動回路
    のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１
    ３又は１４に記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】 前記周辺回路は薄膜トランジスタを備
    えており、 前記周辺回路の薄膜トランジスタが存在する領域では、
    前記額縁遮光膜は、前記周辺回路の薄膜トランジスタの
    上方又は下方に層間絶縁膜を介して積層されていること
    を特徴とする請求項１２から１４のいずれか一項に記載
    の電気光学装置。
16. 【請求項１６】 前記額縁遮光膜により上方又は下方か
    ら覆われており、前記画素電極と同様に前記一の配線又
    は回路素子に接続されたダミー画素電極を更に備えたこ
    とを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載
    の電気光学装置。
17. 【請求項１７】 前記額縁遮光膜は、前記一の配線又は
    回路素子若しくは前記他の配線又は回路素子のうち複数
    を構成する前記第１導電膜を含む複数の導電膜が、前記
    第１基板上で層間絶縁膜を介して積層され且つ相互に相
    補的或いは冗長的に重ねられた積層構造を有することを
    特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の電
    気光学装置。
18. 【請求項１８】 前記第１導電膜は、金属を含有する膜
    からなることを特徴とする請求項１から１７のいずれか
    一項に記載の電気光学装置。
19. 【請求項１９】 前記額縁遮光膜は、定電位に固定され
    ることを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に
    記載の電気光学装置。