JP2002341380A - 電気光学装置及びこれを具備する電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性
を高め、明るく高品位の画像表示を行えるようにする。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦ
Ｔ（３０）と、これに接続された走査線（３ａ）及びデ
ータ線（６ａ）と、ＴＦＴの下側に配置された下側遮光
膜（１１ａ）とを備える。画像表示領域内において走査
線のうちチャネル領域に対向しない配線部分の少なくと
も一部は、平面的に見て下側遮光膜の形成されていない
領域に配線されている

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置及びこれを具備する投射型
表示装置等の電子機器の技術分野に属し、特に画素スイ
ッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transisto
r:以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構造中に
備えた形式の電気光学装置及びそのような電気光学装置
を具備する投射型表示装置等の電子機器の技術分野に属
する。

【０００２】

【背景技術】ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電
気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング
用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光によ
る励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化す
る。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装
置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャ
ネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うこ
とは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた
各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦ
Ｔアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過すると共にＡ
ｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線によ
り、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように
構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの
下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮
光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも
遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射
光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合
わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置
からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光
が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防
ぐことができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。

【０００４】即ち、先ず対向基板上やＴＦＴアレイ基板
上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル
領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層
間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜め
に入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジ
ェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学
装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞っ
た光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に
（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度
傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような
斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問
題となる。

【０００５】加えて、遮光膜のない領域から電気光学装
置内に侵入した光が、基板の上面或いは基板の上面に形
成された遮光膜の上面やデータ線の下面（即ち、チャネ
ル領域に面する側の内面）で反射された後に、係る反射
光或いはこれが更に基板の上面或いは遮光膜やデータ線
の内面で反射された多重反射光が最終的にＴＦＴのチャ
ネル領域に到達してしまう場合もある。

【０００６】特に近年の表示画像の高品位化という一般
的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピ
ッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示す
べく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の
各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難
となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリ
ッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうとい
う問題点がある。

【０００７】尚、このような耐光性を高めるためには、
遮光膜の形成領域を広げればよいようにも考えられる
が、遮光膜の形成領域を広げてしまったのでは、表示画
像の明るさを向上させるべく各画素の開口率を高めるこ
とが根本的に困難になるという問題点が生じる。更に上
述の如く遮光膜（即ち、ＴＦＴの下側の遮光膜やデータ
線等からなるＴＦＴの上側の遮光膜等）の存在により、
斜め光に起因した内面反射や多重反射光が発生すること
に鑑みればむやみに遮光膜の形成領域を広げたのでは、
このような内面反射光や多重反射光の増大を招くという
解決困難な問題点もある。

【０００８】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示
が可能な電気光学装置及びこれを具備する電子機器を提
供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画
素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トラン
ジスタに接続された走査線と、前記薄膜トランジスタに
接続されており前記走査線と交差するデータ線と、前記
薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域の下側に設
けられた下側遮光膜とを備えており、画像表示領域内に
おいて前記走査線のうち前記チャネル領域に対向しない
配線部分の少なくとも一部は、平面的に見て前記下側遮
光膜の形成されていない領域に配線されている。

【００１０】本発明の電気光学装置によれば、走査線に
走査信号を供給し且つデータ線に画像信号を供給して、
薄膜トランジスタによって画素電極をスイッチング制御
することにより、アクティブマトリクス駆動が可能とな
る。この際、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領
域の下側には、下側遮光膜が設けられているので、前述
の戻り光が、薄膜トランジスタの下側からチャネル領域
に直接入射することを防止できる。この結果、戻り光に
起因した光リーク電流を低減でき、薄膜トランジスタの
特性が変化する自体を有効に防止できる。このような下
側遮光膜は、例えば高融点金属膜、ポリシリコン膜など
の単一層膜或いは多層膜から構成され、光を反射或いは
吸収することにより遮光を行う。

【００１１】ここで特に、画像表示領域内において、走
査線のうちチャネル領域に対向しない配線部分の少なく
とも一部は、平面的に見て下側遮光膜の形成されていな
い領域に配線されている。即ち、該走査線の一部の下側
には、下側遮光膜が形成されていない。このため、該走
査線の一部において走査線を透過して或いは走査線の脇
を抜けて走査線の下側に抜ける斜めの入射光は、下側遮
光膜の上面即ち薄膜トランジスタに面する側の表面で反
射されることなく基板側に抜ける。従って、この部分で
走査線の下側に抜ける斜めの入射光が下側遮光膜の上面
で反射して、薄膜トランジスタのチャネル領域に入射す
る事態を未然防止できる。仮に、この走査線の一部の下
側にも下側遮光膜が形成されていたとすれば、走査線の
下側に抜ける斜めの入射光は、下側遮光膜の上面で反射
した後に或いは更に他の界面で反射して、内面反射光或
いは多重反射光として、薄膜トランジスタのチャネル領
域に入射してしまうのである。更に、下側遮光膜が形成
されていない領域に戻り光が入射して走査線の下面に到
達しても、戻り光強度は、入射光強度よりも、例えば数十
から数百分の一程度に低い。このため、斜めの戻り光が
走査線の下面で反射すること或いは走査線を透過して他
の界面で反射すること等によって、最終的に内面反射光
或いは多重反射光としてチャネル領域に至ったとして
も、その光強度は低いので、実用上殆ど又は全く問題とは
ならない。他方で、戻り光がチャネル領域に直接入射す
る事態は、前述のようにチャネル領域の下側に設けられ
ている下側遮光膜により防止できる。

【００１２】以上のように、本発明の電気光学装置によ
れば、入射光及び戻り光の強度や性質に着目して、画像表
示領域内において走査線のうちチャネル領域に対向しな
い配線部分の少なくとも一部は、下側遮光膜の形成され
ていない領域に配線されているので、入射光及び戻り光
に対する耐光性を総合的に高めることができる。加え
て、下側遮光膜の形成領域をむやみに広げることで各画
素の開口領域を狭める事態も避けられる。これらの結
果、強力な入射光が入射され且つこれに伴い戻り光の強
度も高くなるようなプロジェクタ用途等でも、トランジ
スタ特性に優れた薄膜トランジスタにより明るく高品位
の画像表示が可能となる。

【００１３】尚、下側遮光膜は、チャネル領域のみなら
ず、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）型ＴＦＴにおけるＬ
ＤＤ領域、オフセット型ＴＦＴにおけるオフセット領域
などのチャネル隣接領域を遮光するように形成してもよ
い。

【００１４】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
走査線は、前記薄膜トランジスタのゲート電極を含んで
なる。

【００１５】この態様によれば、例えばストライプ状に
延びる走査線のうち薄膜トランジスタのゲート絶縁膜上
を通過する部分がゲート電極としての機能を有する。そ
して、走査線のうち、ゲート電極部分の下側には下側遮
光膜が設けられており、その他の部分の下側には少なく
とも部分的に下側遮光膜は設けられていないので、入射
光及び戻り光に対して総合的に高い耐光性が得られる。

【００１６】尚、ストライプ状の走査線から角状にゲー
ト電極が形成されていてもよいし、走査線とは別層から
なるゲート電極が走査線に接続されていてもよい。

【００１７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記走査線は、光透過性の導電材料から構成されている。

【００１８】この態様によれば、走査線は、例えば導電性
のポリシリコン膜からなる。この際、下側遮光膜の形成
されていない領域上で走査線を透過して走査線の下側に
抜ける斜めの入射光は、下側遮光膜で反射されることな
く基板側に抜けるので、入射光に対して高い耐光性が得
られる。

【００１９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記下側遮光膜は、前記走査線に沿ってストライプ状に延
びる。

【００２０】この態様によれば、走査線に沿ってストラ
イプ状に延びる下側遮光膜により、チャネル領域を下側
から覆っているので、戻り光に対して高い耐光性が得ら
れる。

【００２１】或いは本発明の電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、前記データ線に沿ってストライプ
状に延びる。

【００２２】この態様によれば、データ線に沿ってスト
ライプ状に延びる下側遮光膜により、チャネル領域を下
側から覆っているので、戻り光に対して高い耐光性が得
られる。

【００２３】或いは本発明の電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、前記走査線及び前記データ線に夫
々沿って格子状に延びる。

【００２４】この態様によれば、走査線及びデータ線に
夫々沿って格子状に延びる下側遮光膜により、チャネル
領域を下側から覆っているので、戻り光に対して高い耐
光性が得られる。

【００２５】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記下側遮光膜は、導電膜からなると共に定電位に落とさ
れている。

【００２６】この態様によれば、下側遮光膜は、定電位に
落とされているので、下側遮光膜における電位変動がチ
ャネル領域に悪影響を及ぼすことを防止できる。尚、こ
のような走査線は、例えばストライプ状或いは格子状に
周辺領域にまで延設されて、該周辺領域において周辺回
路用の固定電位源に接続されてもよい。或いは、画像表
示領域内で、容量線等の定電位配線に接続されてもよ
い。

【００２７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板上で、前記走査線のうち前記配線部分の少なくと
も一部を上側から覆う上側遮光膜を更に備える。

【００２８】この態様では、走査線のうち下側遮光膜が
下側に形成されていない部分を、上側遮光膜が覆うの
で、基板に垂直な入射光が走査線に至ることを阻止でき
る。この際、下側遮光膜の形成されていない領域上で、上
側遮光膜及び走査線の脇を、走査線の下側に抜ける斜め
の入射光は、下側遮光膜で反射されることなく基板側に
抜けるので、入射光に対して高い耐光性が得られる。

【００２９】尚、走査線のうち下側遮光膜が下側に形成
されている部分の一部或いは全部を上側遮光膜で覆って
もよい。この際、少なくとも走査線に重なる領域に、下側
遮光膜及び上側遮光膜のうち少なくとも一方を形成する
ことにより、当該下側遮光膜及び上側遮光膜により、各
画素の非開口領域のうち走査線に沿った部分を規定でき
る。但し、チャネル領域及び上側遮光膜間の層間距離が
小さい場合などには、両者間における電位変動の相互作
用を低減する観点から、チャネル領域の上側には上側遮
光膜を形成しない方がよい場合もある。或いは、上側遮
光膜のうち電位変動が問題となる可能性がある部分につ
いては、コンタクトホール等により容量線等の固定電位
配線に接続して、定電位に落とすように構成してもよ
い。

【００３０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板上に、前記走査線と同一層から構成されており蓄
積容量の固定電位側容量電極を含む容量線と、該容量線
に誘電体膜を介して対向配置されており前記蓄積容量の
画素電位側容量電極を含む中間導電膜とを更に備えてお
り、前記上側遮光膜は、前記中間導電膜からなる部分を含
む。

【００３１】この態様によれば、例えば導電性のポリシ
リコン膜等からなる走査線と同一層から構成された固定
電位側容量電極と、画素電位側容量電極とが誘電体膜を
介して対向配置されて、画素電極に対して蓄積容量が構
築される。ここで特に、上側遮光膜は少なくとも部分的
に、画素電位側容量電極を構成する中間導電膜からな
る。即ち、上側遮光膜と画素電位側容量電極とを同一膜
から構成することにより、基板上における積層構造及び
製造プロセスの単純化を図れる。

【００３２】この蓄積容量が構築される態様では、前記
下側遮光膜は、平面的に見て前記容量線に重なる領域に
前記容量線に沿ってストライプ状に形成された部分を含
むように構成してもよい。

【００３３】この様に構成すれば、容量線に沿ってスト
ライプ状に形成された部分を含む下側遮光膜により、チ
ャネル領域を下側から覆っているので、戻り光に対して
高い耐光性が得られる。

【００３４】尚、このような容量線は、例えば走査線と横
並びに配線され、下側遮光膜は、走査線に重なる領域を
部分的に避けつつ容量線に重なる領域に形成される。

【００３５】この蓄積容量が構築される態様では、前記
薄膜トランジスタを構成する半導体層のうち前記画素電
極に接続されたドレイン領域から延設された部分と、前
記固定電位側容量電極とが他の誘電体膜を介して対向配
置されているように構成してもよい。

【００３６】この様に構成すれば、画素電位側容量電極
としてドレイン領域から延設された部分と固定電位側容
量電極とが他の誘電体膜を介して対向配置されて、画素
電極に対して蓄積容量が追加的に構築される。

【００３７】尚、このような他の誘電体膜は、薄膜トラン
ジスタのゲート絶縁膜と同一膜でもよい。

【００３８】この蓄積容量が構築される態様では、前記
上側遮光膜は、前記中間導電膜から分離された前記中間
導電膜と同一膜からなる部分を含むように構成してもよ
い。

【００３９】この様に構成すれば、上側遮光膜と中間導
電膜とを同一膜から構成することにより、基板上におけ
る積層構造及び製造プロセスの単純化を図れる。特に、
上側遮光膜の電位変動の悪影響が懸念される個所では、
上側遮光膜を中間導電膜から分離して形成することによ
り、上側遮光膜が画素電位に振れないようにできるの
で、当該悪影響を未然防止できる。

【００４０】尚、画素電位とされる中間導電膜から分離
された上側遮光膜部分については、容量線等に接続して
定電位に落とすように構成することも可能である。

【００４１】上記上側遮光膜を更に備えた態様では、前
記上側遮光膜は、導電膜からなり、前記走査線に沿って
延びると共に複数箇所で前記走査線に接続されてもよ
い。

【００４２】このように構成すれば、上側遮光膜を走査
線の冗長配線として機能させることにより、走査線の低
抵抗化や高信頼性化を図ることが可能となる。

【００４３】上記上側遮光膜を更に備えた態様では、前
記上側遮光膜は、前記チャネル領域に対向する領域には
設けられていないように構成してもよい。

【００４４】この様に構成すれば、上側遮光膜の電位変
動がチャネル領域に悪影響を及ぼす事態を未然防止でき
る。

【００４５】この場合更に、前記上側遮光膜は、前記チ
ャネル領域に近い端部が前記チャネル領域に沿って幅広
に形成されているように構成してもよい。

【００４６】このように構成すれば、チャネル領域に近
い端部における上側遮光膜による遮光性能を向上でき
る。

【００４７】尚、このような上側遮光膜は、データ線の上
側に形成されてもよいし、下側に形成されてもよい。ま
た、上側遮光膜は、平面的に見てデータ線に重なる領域
の少なくとも一部に形成されてもよい。更に、このよう
な上側遮光膜は、導電膜からなってもよい。更にまた、
データ線に重なる領域に形成された上側遮光膜部分とデ
ータ線に重ならない領域に形成された上側遮光膜部分と
は、相互に分離されてもよいし、分離されなくてもよ
い。

【００４８】上記上側遮光膜を更に備えた態様では、前
記上側遮光膜は、少なくとも部分的に平面形状が前記下
側遮光膜よりも一回り大きく形成されているように構成
してもよい。

【００４９】この様に構成すれば、上側遮光膜の脇を抜
ける斜めの入射光が下側遮光膜の上面に至る可能性を、
上側遮光膜に対する下側遮光膜の相対的な小ささの程度
に応じて、小さくできる。

【００５０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板に対向配置された対向基板に、少なくとも前記チ
ャネル領域に対向配置された他の遮光膜を更に備える。

【００５１】このように構成すれば、薄膜トランジスタ
のチャネル領域に向かう入射光の光量を、対向基板に設
けられた遮光膜により、ある程度或いは大幅に低減でき
る。特に、対向基板側で、余分な入射光を反射することに
より、当該電気光学装置における温度上昇を防ぐのに有
効である。

【００５２】尚、以上説明した本発明の電気光学装置で
は、各薄膜トランジスタは、シングルゲートのものでも
よいし、ダブルゲートのものでもよい。ダブルゲートの
場合には、各々のゲートに対応するチャネル領域の下側
に下側遮光膜を形成し且つ走査線の下側には少なくとも
部分的に下側遮光膜を形成しないようにすれば、上述し
た本発明と同様の効果が得られる。

【００５３】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態
様を含む）を具備する。

【００５４】本発明の電子機器によれば、上述した本発
明の電気光学装置を具備するので、明るく高品位の画像
表示が可能な投射型表示装置等の各種電子機器を実現で
きる。

【００５５】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５７】先ず本発明の実施形態における電気光学装
置の画素部における構成について、図１から図５を参照
して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を
構成するマトリクス状に形成された複数の画素における
各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図
２のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’で
ある。図５は、図２に示した構成要素のうち走査線、デ
ータ線及び下側遮光膜を抜粋して示す平面図である。
尚、図３及び図４においては、各層や各部材を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。

【００５８】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述す
る）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期
間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分
子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調
し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置
からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐ
ために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液
晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０
は、容量線３００の一部からなる固定電位側容量電極
と、ＴＦＴ３０のドレイン側及び画素電極に９ａに接続
された画素電位側容量電極とを備える。

【００５９】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３００が設けられてい
る。

【００６０】データ線６ａは、コンタクトホール９１を
介して例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのう
ち後述のソース領域に電気的に接続されている。また、
半導体層１ａのうち図２中右下がりの細かい斜線領域で
示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａ
が配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能
する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差
する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａが
ゲート電極として対向配置された画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０が設けられている。

【００６１】容量線３００は、走査線３ａに沿ってほぼ
直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所
からデータ線６ａに沿って図２中上方に突出した突出部
とを有する。

【００６２】本実施形態では、図２から図４に示すよう
に、走査線３ａ及び容量線３００は、同一導電膜からな
る。このような走査線３ａ及び容量線３００は、例え
ば、減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によ
りポリシリコン膜を約１００〜５００ｎｍの厚さに堆積
して、Ｐ（リン）をドーピングして低抵抗化し、フォト
リソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示
した如き所定パターンに形成されている。尚、走査線３
ａ及び容量線３００は、高融点金属や金属シリサイド等
の金属合金膜で形成してもよいし、ポリシリコン膜等と
組み合わせた多層配線としてもよい。

【００６３】他方、データ線６ａは、例えば、スパッタリ
ング等によりＡｌ（アルミニウム）等の低抵抗金属膜や
金属シリサイド膜を約１００〜５００ｎｍの厚さに堆積
した後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等
により、所定パターンに形成されている。

【００６４】本実施形態では特に、走査線３ａ及び容量
線３００の上側には、同一導電膜からなる中間導電膜８
１、８３及び８４が、第１層間絶縁膜４１を介して積層
されている。これらの中間導電膜８１、８３及び８４
は、遮光性の導電膜からなり、本実施形態では上側遮光
膜として機能する。

【００６５】これらのうち中間導電膜８１は、走査線３
ａ上に積層されており、図３及び図４に示した対向基板
２０側から入射される入射光Ｌ１を遮光する。更に、中
間導電膜８１における各チャネル領域１ａ’に隣接する
端部には、幅広部８２が設けられており、入射光Ｌ１に含
まれる斜め光が、チャネル領域１ａ’に到達するのを効
果的に防止するように構成されている。更に、中間導電
膜８１は、走査線３ａ上に積層されると共に走査線３ａ
に沿って延びており、コンタクトホール９５及び９６に
より、各画素で走査線３ａに接続されて走査線３ａの冗
長配線としても機能する。

【００６６】次に、中間導電膜８３は、容量線３００上
に積層されており、入射光Ｌ１を遮光する。更に、中間
導電膜８３は、第１層間絶縁膜４１を誘電体膜として容
量線３００に対向配置されることにより、第１蓄積容量
７０ａが構成されている。他方、本実施形態では、容量線
３００がその下側で、半導体層１ａの高濃度ドレイン領
域１ｅから延設された容量電極部１ｆに対し、ＴＦＴ３
０のゲート絶縁膜をなす絶縁膜２の延設部を誘電体膜と
して対向配置されることにより、第２蓄積容量７０ｂが
構成されている。従って、本実施形態では、第１蓄積容量
７０ａと第２蓄積容量７０ｂとが積層され且つ並列に接
続された蓄積容量７０が容量線３００に沿った領域に立
体的に構築されている。

【００６７】尚、第１蓄積容量７０ａの誘電体膜を構成
する第１層間絶縁膜４１は、単一層膜からなってもよい
し、多層膜からなってもよく、例えば、膜厚５〜２００
ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxid
e）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シ
リコン膜や窒化シリコン膜とを含んでなってもよい。第
１蓄積容量７０ａを増大させる観点からは、膜の信頼性
が十分に得られる限りにおいて薄い程良い。このような
誘電体膜は、例えば、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等により形成されている。他方、第２蓄積容量７０ｂの
誘電体膜については、ゲート絶縁膜をなす絶縁膜２と同
一膜からなるので容量の誘電体膜としては十分である。

【００６８】加えて、中間導電膜８３は、ＴＦＴ３０の
高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを中継接続す
る中継層としての機能をも有する。即ち、中間導電膜８
３は、その下側でコンタクトホール９２を介して高濃度
ドレイン領域１ｅに接続されており、その上側でコンタ
クトホール９３を介して画素電極９ａと接続されてい
る。このように中間導電膜８３を中継層として用いるこ
とにより、画素電極９ａ及び半導体層１ａ間の層間距離
が例えば２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つの
コンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ
比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホール９２及
び９３で両者間を良好に接続でき、画素開口率を高める
ことが可能となり、更にコンタクトホール開孔時におけ
るエッチングの突き抜け防止にも役立つ。尚、データ線
６ａ及び半導体層１ａ間についても、中間導電膜８１、
８３及び８４と同一膜若しくは異なる導電膜から中継層
を形成してもよい。

【００６９】次に、中間導電膜８４は、データ線６ａ下
に積層されており、データ線６ａと共に入射光Ｌ１を遮
光する。データ線６ａと中間導電膜８４とは冗長的に遮
光を行うが、データ線６ａは、チャネル領域１ａ’から
比較的離れた積層位置に形成されているので、入射光Ｌ
１のうちデータ線６ａの脇を抜ける斜め光に対して、中
間導電膜８４による遮光は有効である。尚、中間導電膜
８４は、コンタクトホール９７により、容量線３００と
電気的に接続しても良い。この構成を採ることにより、
中間導電膜８４における電位変動がＴＦＴ３０等に悪影
響を及ぼす事態を未然防止できる。

【００７０】尚、上述のコンタクトホール９１から９３
及び９７は夫々、例えば、反応性イオンエッチング、反応
性イオンビームエッチング等のドライエッチング或いは
ウエットエッチングにより開孔される。

【００７１】以上のように上側遮光膜として機能する中
間導電膜８１、８３及び８４並びにデータ線６ａによ
り、図２に示すように平面的に見て、各画素の開口領域
を規定すると共にＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及び
その周辺を遮光するほぼ格子状の遮光膜がＴＦＴ３０の
上側に構築される。これにより、入射光Ｌ１に起因する
光リーク電流の発生によってＴＦＴ３０の特性が変化す
るのを防止している。同時に、図３及び図４に示した対
向基板２０上の遮光膜２３を少なくとも部分的に省略で
きる。これにより、両基板の貼り合わせ精度等によらず
に透過率のばらつきが大幅に低減されており装置信頼性
の高い電気光学装置が得られる。

【００７２】以上のように上側遮光膜並びに画素電位側
容量電極、中継層、冗長配線などとして機能する中間導
電膜８１、８３及び８４は、装置仕様に鑑み必要な導電
性及び遮光性が得られるように、不透明な高融点金属膜
や、不透明或いは半透明の遮光性の導電性のシリコン膜
などからなり、光を少なくとも部分的に反射或いは吸収
する性質を有する。より具体的には、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層した不
透明な導電膜等からなる。或いは、光吸収性のシリコン
膜などの半透過膜等からなる。このような中間導電膜８
１、８３及び８４は、例えば、スパッタリングにより堆積
して、５０〜５００ｎｍ程度の膜厚の導電膜を形成し、
これにフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等を
施すことにより、図２に示した所定の平面パターンに形
成されている。

【００７３】図２から図５に示すように、ＴＦＴアレイ
基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜
１１ａが容量線３００に沿ってストライプ状に設けられ
ている。下側遮光膜１１ａは、容量線３００に沿って延
びる本線部と、容量線３００がデータ線６ａに交差する
個所から図２中下側に突出して、ＴＦＴ３０を下側から
覆う平面形状を有している。そして特に、下側遮光膜１
１ａは、走査線３ａが形成された平面領域のうちＴＦＴ
３０のゲート電極として機能する部分の下には形成され
ているが、それを除く走査線３ａの大部分の形成領域を
避けて配置されている。即ち、走査線３ａを形成した平
面領域の大部分について、下側遮光膜１１ａは設けられ
ていない。

【００７４】このような下側遮光膜１１ａは、例えばＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうち
の少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層した不透明な導電
膜等からなり、スパッタリング等で高融点金属からなる
遮光膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程、エッチ
ング工程等を施すことにより、図２に示した如き所定の
平面パターンを有するように形成されている。或いは、
下側遮光膜１１ａは、光吸収性のシリコン膜などの半透
過膜等からなってもよい。

【００７５】このように下側遮光膜１１ａが形成されて
いるので、図３及び図４に示した戻り光Ｌ２からＴＦＴ
３０のチャネル領域１ａ’及びその隣接領域を遮光でき
る。

【００７６】以上のように構成された電気光学装置にお
いては、容量線３００は好ましくは、画素電極９ａが配
置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位
源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電
位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を
走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述す
る）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング
回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給さ
れる正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２
０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更
に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦ
Ｔ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容
量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設
して定電位源に接続するとよい。

【００７７】図３及び図４において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００７８】ＴＦＴアレイ基板１０には、データ線６ａ
及び容量線３００に沿って、溝１０ｃｖが掘られており、
この溝１０ｃｖ内に、データ線６ａ、走査線３ａ、容量
線３００及びＴＦ３０が夫々少なくとも部分的に埋め込
まれている。これにより、画素電極９ａの下地面となる
第３層間絶縁膜４３の表面が、ある程度平坦化されて、
段差による液晶の配向不良が低減されている。

【００７９】また、ＴＦＴアレイ基板１０上の最上層付
近には、画素電極９ａが設けられており、その上側に
は、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜
１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。
このような画素電極９ａは、例えばスパッタリング工
程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等によ
り、厚さ約５０〜２００ｎｍで所定平面パターンを持つ
ように形成されている。尚、当該電気光学装置を反射型
として用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な
材料から画素電極９ａを形成してもよい。また配向膜１
６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜から形成されて
いる。

【００８０】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【００８１】対向基板２０には、格子状又はストライプ
状の遮光膜２３が設けられている。このような構成を採
ることで、前述の如く走査線３ａやＴＦＴ３０を上方か
ら覆う中間導電膜８１、８３及び８４並びにデータ線６
ａと共に、当該対向基板２０上の遮光膜２３により、対
向基板２０側からの入射光Ｌ１がチャネル領域１ａ’や
低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵
入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような
対向基板２０上の遮光膜２３は、少なくとも入射光Ｌ１
が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電
気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このよう
に対向基板２０上の遮光膜２３は好ましくは、平面的に
見て容量線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内
側に位置するように形成する。これにより、対向基板２
０上の遮光膜２３により、各画素の開口率を低めること
なく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得られ
る。

【００８２】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されてい
る。

【００８３】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。このよ
うな下地絶縁膜１２は、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法等
によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケー
ト）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガ
ス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレー
ト）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなり、膜厚が約５００〜２０００ｎｍと
なるように形成されている。

【００８４】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。このような半導体層１ａは、例えば次のような
製造プロセスを経て形成されている。即ち、下地絶縁膜
１２の上に、減圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン
膜を形成し熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を
固相成長させる。或いは、アモルファスシリコン膜を経
ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形
成しても良い。次に、このポリシリコン膜に対し、フォ
トリソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことによ
り、図２に示した如き所定パターンを有する半導体層１
ａを形成する。次に、低濃度及び高濃度の２段階で不純
物をドーピングすることにより、低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及
び高濃度ドレイン領域１ｅを含む、ＬＤＤ構造の画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０を形成する。

【００８５】半導体層１ａ上に形成されるゲート絶縁膜
２は、例えば、半導体層１ａを熱酸化すること等により形
成されている。尚、このような熱酸化処理により、例え
ば、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚
さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとされており、
絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好まし
くは約３０〜１００ｎｍの厚さとされている。

【００８６】更に、このようなゲート絶縁膜２上に形成
された走査線３ａ及び容量線３００の上には、第１層間
絶縁膜４１が形成されており、これに対し、高濃度ソー
ス領域１ｄへ通じるコンタクトホール９１及び高濃度ド
レイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール９２が各々開
孔されている。

【００８７】第１層間絶縁膜４１上には前述した中間導
電膜８１、８３及び８４が形成されており、これらの上
には、コンタクトホール９１及びコンタクトホール９３
が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されてい
る。

【００８８】第２層間絶縁膜４２上には前述したデータ
線６ａが形成されており、これらの上には、コンタクト
ホール９３が開孔された第３層間絶縁膜４３が形成され
ている。画素電極９ａは、このように構成された第３層
間絶縁膜４３の上面に設けられている。尚、このような
第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３は夫々、例
えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等により膜厚が約５００〜
２０００ｎｍの窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から
形成されている。

【００８９】以上説明したように本実施形態によれば、
画像表示領域内において、走査線３ａのうちチャネル領
域１ａ’に対向しない配線部分は、平面的に見て下側遮
光膜１１ａの形成されていない領域に配線されている。
即ち、走査線３ａの大部分の下側には、下側遮光膜１１ａ
が形成されていない。

【００９０】このため、図４に示すように、走査線３ａ
の大部分において、入射光Ｌ１のうち、例えば透明なポ
リシリコン膜からなる走査線３ａを透過して或いは走査
線３ａの脇を抜けて走査線３ａの下側に抜ける斜め光Ｌ
１ｉは、下側遮光膜１１ａの上面で反射されることなく
下側に抜ける。従って、この部分で走査線３ａの下側に
抜ける斜め光Ｌ１ｉが下側遮光膜１１ａの上面で反射し
て、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａに入射する事態を未
然防止できる。仮に、図４において、走査線３ａの下側
にも下側遮光膜が形成されていたとすれば、走査線３ａ
の下側に抜ける斜め光Ｌ１ｉは、図４中破線矢印で示す
反射光Ｌ１ｉｒの如くに、下側遮光膜の上面で反射した
後に或いは更に他の界面で反射して、内面反射光或いは
多重反射光として、最終的にＴＦＴ３０のチャネル領域
１ａ’に入射してしまうのである。更に、図３及び図４
に示す戻り光Ｌ２が、下側遮光膜１１ａが形成されてい
ない領域に入射して走査線３ａの下面に到達しても、戻
り光強度は、入射光Ｌ１の強度よりも、遥かに低いので、
これに基づく内面反射光或いは多重反射光は、実用上殆
ど又は全く問題とはならない。

【００９１】以上の結果、本実施形態では、下側遮光膜１
１ａ及び上側遮光膜として機能する中間導電膜８１、８
３及び８４、データ線６ａ及び対向基板２０上の遮光膜
２３により、斜め光Ｌ１ｉを含む入射光Ｌ１及び戻り光
Ｌ２に対する耐光性を総合的に高めることができる。

【００９２】尚、以上説明した実施形態では、好ましく
は、上側遮光膜は、少なくとも部分的に平面形状が下側遮
光膜よりも一回り大きく形成されている。即ち、上側遮
光膜を構成する中間導電膜８１、８３及び８４の各長手
方向に垂直な断面上では、各中間導電膜８１、８３及び
８４の幅が、下側遮光膜１１ａの幅よりも広く構成され
ていることが好ましい。この様に構成すれば、各中間導
電膜８１、８３及び８４の脇を抜ける斜めの入射光Ｌ１
が下側遮光膜１１ａの上面に至る可能性を、小さくでき
る。

【００９３】以上説明した実施形態では、ＴＦＴアレイ
基板１０に溝１０ｃｖが掘られて平坦化が図られている
が、これに代えて又は加えて、下地絶縁膜１２、第１層間
絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４
３のうち少なくとも一つに溝を設けて、これに走査線３
ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ３０等の配線や素子等を埋め
込むことにより、画素電極９ａの下地となる第３層間絶
縁膜４３の表面を平坦化してもよい。このように構成す
れば、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等の画
像不良を低減できる。或いは、第３層間絶縁膜４３や第
２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mec
hanical Polishing）処理等で研磨することにより、或
いは有機や無機のＳＯＧを用いて平らに形成することに
より、当該平坦化処理を行ってもよい。

【００９４】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減
することができる。

【００９５】いずれの型のＴＦＴの場合にも、チャネル
領域の下に下側遮光膜を設けると共に走査線３ａの少な
くとも一部の下には下側遮光膜を設けない構成をとるこ
とにより、上述したように総合的に耐光性を高められ
る。

【００９６】（変形形態）次に以上の如く構成された実
施形態の各種の変形形態について図６及び図７を参照し
て説明する。ここに、図６は、一の変形形態における走
査線、データ線及び下側遮光膜を図５と同じく抜粋して
示す平面図であり、図７は、他の変形形態における走査
線、データ線及び下側遮光膜を図５と同じく抜粋して示
す平面図である。

【００９７】上述した実施形態では、図５に示したよう
に、下側遮光膜１１ａは、走査線３ａに沿って延び且つ
データ線６ａに交差する個所で、図５中下方に突出して
いるが、図６に示す変形形態では、下側遮光膜１１ｂは
データ線６ａに沿ってストライプ状に形成されている。
その他の構成については上述した実施形態と同様であ
る。

【００９８】図６に示した変形形態によれば、データ線
６ａに沿ってストライプ状に延びる下側遮光膜１１ｂに
より、チャネル領域１ａを下側から覆っているので、戻
り光Ｌ２に対して高い耐光性が得られる。

【００９９】また図７に示す変形形態では、下側遮光膜
１１ｃは走査線３ａ及びデータ線６ａに沿って格子状に
形成されている。その他の構成については上述した実施
形態と同様である。

【０１００】図７に示した変形形態によれば、走査線３
ａ及びデータ線６ａに夫々沿って格子状に延びる下側遮
光膜１１ｃにより、チャネル領域１ａを下側から覆って
いるので、戻り光Ｌ２に対して高い耐光性が得られる。
また、下側遮光膜１１ｃの配線抵抗を小さくすることが
できるため、電位変動に対して有利である。

【０１０１】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された実施形態における電気光学装置の全体構成を
図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦＴ
アレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に
対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、図８
のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１０２】図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定
する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール
材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所
定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動
するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられてお
り、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給する
ことにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない
のならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いこ
とは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を
画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよ
い。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表
示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４
間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられて
いる。そして、図９に示すように、図８に示したシール
材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール
材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【０１０３】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１０４】以上図１から図９を参照して説明した実施
形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路
１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、
例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装
された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部
に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機
械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０
の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射
光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nema
tic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、Ｐ
ＤＬＣ(PolymerDispersed Liquid Crystal)モード等の
動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリー
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【０１０５】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上
のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等
でカラーフィルタ層を形成することも可能である。この
ようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明
るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２
０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積するこ
とで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイク
ロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイッ
クフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電
気光学装置が実現できる。

【０１０６】（投射型表示装置の実施形態）次に、以上
詳細に説明した液晶装置をライトバルブとして用いて構
成された、本発明の電子機器の一例たる投射型表示装置
の実施形態について図１０及び図１１を参照して説明す
る。

【０１０７】先ず、本実施形態の投射型カラー表示装置
の回路構成について図１０のブロック図を参照して説明
する。尚、図１０は、投射型カラー表示装置における３
枚のライトバルブのうちの１枚に係る回路構成を示した
ものである。これら３枚のライトバルブは、基本的にど
れも同じ構成を持つので、ここでは１枚の回路構成に係
る部分について説明を加えるものである。但し厳密に
は、３枚のライトバルブでは、入力信号が夫々異なり
（即ち、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の信号で夫々駆動され）、更
にＧ用のライトバルブに係る回路構成では、Ｒ用及びＢ
用の場合と比べて、画像を反転して表示するように画像
信号の順番を各フィールド又はフレーム内で逆転させる
か又は水平或いは垂直走査方向を逆転させる点も異な
る。

【０１０８】図１０において、投射型カラー表示装置
は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００
２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生
回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成され
ている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディ
スク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同
調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロ
ック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号など
の表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表
示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリ
アル−パラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ
補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含ん
で構成されており、クロック信号に基づいて入力された
表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号
CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１０
０４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０
は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置
１００を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１
００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回
路１００２を搭載してもよい。

【０１０９】次に図１１を参照して、本実施形態の投射
型カラー表示装置の全体構成、特に光学的な構成につい
て説明する。ここに図１１は、投射型カラー表示装置の
図式的断面図である。

【０１１０】図１１において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に
搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個
用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成さ
れている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハラ
イドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から
投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚
のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３
原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対
応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損
失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１
１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系
１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１０
０Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原
色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１
２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介し
てスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。

【０１１１】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びこれを
具備する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像
表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けら
れた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ’断面図である。

【図５】図２における下側遮光膜、走査線及びデータ線
を抜粋して示す平面図である。

【図６】一の変形形態の電気光学装置における下側遮光
膜等を抜粋して示す平面図である。

【図７】他の変形形態の電気光学装置における下側遮光
膜等を抜粋して示す平面図である。

【図８】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ
基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の
側から見た平面図である。

【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１０】本発明の投射型表示装置に係る実施形態にお
けるライトバルブに係る回路構成を示したブロック図で
ある。

【図１１】本発明の投射型表示装置に係る実施形態の一
例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図であ
る。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…容量電極部 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下側遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ４１…第１層間絶縁膜 ４２…第２層間絶縁膜 ４３…第３層間絶縁膜 ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７０ａ…第１蓄積容量 ７０ｂ…第２蓄積容量 ８１、８３、８４…中間導電膜 ８２…幅広部 ９１、９２、９３、９５、９６、９７…コンタクトホー
ル ３００…容量線

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ｂ ６１２Ｃ Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA34Y GA13 MA07 2H092 GA29 JA24 JA37 JA46 JB22 JB31 JB61 KA04 KB25 MA05 MA07 MA13 MA17 PA08 PA09 RA05 5C094 AA02 BA03 BA16 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 ED01 ED05 ED14 ED15 5F110 AA21 BB02 CC02 DD02 DD03 DD05 DD12 DD13 DD14 DD21 EE04 EE05 EE06 EE09 EE14 EE28 EE37 EE45 FF02 FF23 GG02 GG13 GG25 GG47 HL03 HL05 HL23 HM14 HM15 NN03 NN04 NN22 NN23 NN24 NN35 NN36 NN40 NN42 NN44 NN45 NN46 NN47 NN48 NN54 NN73 PP01 QQ11 QQ19

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、 画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタ
   と、該薄膜トランジスタに接続された走査線と、前記薄膜
   トランジスタに接続されており前記走査線と交差するデ
   ータ線と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル
   領域の下側に設けられた下側遮光膜とを備えており、画
   像表示領域内において前記走査線のうち前記チャネル領
   域に対向しない配線部分の少なくとも一部は、平面的に
   見て前記下側遮光膜の形成されていない領域に配線され
   ていることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記走査線は、前記薄膜トランジスタの
   ゲート電極を含んでなることを特徴とする請求項１に記
   載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記走査線は、光透過性の導電材料から
   構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載
   の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記下側遮光膜は、前記走査線に沿って
   ストライプ状に延びることを特徴とする請求項１から３
   のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記下側遮光膜は、前記データ線に沿っ
   てストライプ状に延びることを特徴とする請求項１から
   ３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記下側遮光膜は、前記走査線及び前記
   データ線に夫々沿って格子状に延びることを特徴とする
   請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記下側遮光膜は、導電膜からなると共
   に定電位に落とされていることを特徴とする請求項１か
   ら６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記基板上で、前記走査線のうち前記配
   線部分の少なくとも一部を上側から覆う上側遮光膜を更
   に備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれか一
   項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記基板上に、前記走査線と同一層から
   構成されており蓄積容量の固定電位側容量電極を含む容
   量線と、 該容量線に誘電体膜を介して対向配置されており前記蓄
   積容量の画素電位側容量電極を含む中間導電膜とを更に
   備えており、前記上側遮光膜は、前記中間導電膜からなる
   部分を含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学
   装置。
10. 【請求項１０】 前記下側遮光膜は、平面的に見て前記
    容量線に重なる領域に前記容量線に沿ってストライプ状
    に形成された部分を含むことを特徴とする請求項９に記
    載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記薄膜トランジスタを構成する半導
    体層のうち前記画素電極に接続されたドレイン領域から
    延設された部分と、前記固定電位側容量電極とが他の誘
    電体膜を介して対向配置されていることを特徴とする請
    求項９又は１０に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記上側遮光膜は、前記中間導電膜か
    ら分離された前記中間導電膜と同一膜からなる部分を含
    むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に
    記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記上側遮光膜は、導電膜からなり、
    前記走査線に沿って延びると共に複数箇所で前記走査線
    に接続されていることを特徴とする請求項８から１２の
    いずれか一項に記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記上側遮光膜は、前記チャネル領域
    に対向する領域には設けられていないことを特徴とする
    請求項８から１３のいずれか一項に記載の電気光学装
    置。
15. 【請求項１５】 前記上側遮光膜は、前記チャネル領域
    に近い端部が前記チャネル領域に沿って幅広に形成され
    ていることを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装
    置。
16. 【請求項１６】 前記上側遮光膜は、少なくとも部分的
    に平面形状が前記下側遮光膜よりも一回り大きく形成さ
    れていることを特徴とする請求項８から１５のいずれか
    一項に記載の電気光学装置。
17. 【請求項１７】 前記基板に対向配置された対向基板
    に、少なくとも前記チャネル領域に対向配置された他の
    遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１から１３
    のいずれか一項に記載の電気光学装置。
18. 【請求項１８】 請求項１から１７のいずれか一項に記
    載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機
    器。