JP2007187964A - 電気光学装置、電子機器及びプロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TFTアレイ基板10の画素間領域には、基板面に対して凹部10aが設けられており、容量素子17の一部及びデータ線6a、走査線3aなどの配線の一部がこの凹部10a内に設けられているので、これら容量素子17及び配線が画素間領域内に占める面積を小さくすることができる。したがって、その分液晶装置を小型化することが可能となり、画素間領域を狭くする、すなわち、画素領域を広げることが可能となる。これにより、小型化・高精細化の要請に応えることができると共に、画素領域の開口率を飛躍的に高めることができる。
【選択図】図4
Description
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、小型化・高精細化の要請に応えることができると共に、画素領域の開口率を飛躍的に向上させることができる電気光学装置、電子機器及びプロジェクタを提供することにある。
本発明によれば、基板の画素領域間には、基板面に対して凹部が設けられており、容量素子の少なくとも一部がこの凹部内に設けられているので、当該容量素子が画素領域内に占める面積を小さくすることができる。したがって、その分電気光学装置を小型化すると共に、画素領域間を狭くする、すなわち、画素領域を広げることが可能となる。これにより、小型化・高精細化の要請に応えることができると共に、画素領域の開口率を飛躍的に高めることができる。また、容量素子が画素領域内に占める面積を小さくすることによって、光の反射・吸収を抑えることができる。これにより、光反射・吸収による電気光学装置の温度上昇が抑制され、耐光性が向上するという利点を有している。
さらに、データ線が画素領域内に占める面積を小さくすることによって、光の反射・吸収を抑えることができる。これにより、光反射・吸収による電気光学装置の温度上昇が抑制され、耐光性が向上するという利点を有している。
本発明によれば、走査線の少なくとも一部が凹部内に設けられているので、当該走査線が画素領域内に占める面積を小さくすることができる。したがって、その分電気光学装置を小型化すると共に、画素領域を広くすることが可能となる。
本発明によれば、凹部の開口部側の断面積が底部側の断面積よりも大きくなっているので、凹部の側面に容量素子などの薄膜を形成する際のカバレッジを良好にすることができる。
本発明によれば、交差するデータ線及び走査線の幅方向の寸法が、交差領域に設けられる遮光部の幅方向の最大寸法よりも小さくなっているので、その分画素領域を広げることができる。これにより、開口率を向上させることができる。また、逆に交差部分を含む領域の遮光部の幅方向の最大寸法が配線の幅方向の寸法よりも大きくなっているため、マイクロレンズなどを用いて画素領域に入射する光を円状に集光する場合には、光を効率的に利用することができる。また、本発明では、画素領域とは平面視で重ならないように遮光部が設けられているので、画素領域を透過しようとする光を妨げることなく、高効率で利用することができる。
本発明によれば、画素領域とは平面視で部分的に重なるように遮光部が設けられている場合であっても、交差するデータ線及び走査線の幅方向の寸法が、交差領域に設けられる遮光部の幅方向の最大寸法よりも小さくなっているので、その分画素領域を広げることができる。これにより、開口率を向上させることができる。
本発明によれば、凹部が容量電極及び配線の長手方向に延在しており、容量素子を構成する容量電極の少なくとも一部と、配線のうち少なくとも一部とが絶縁膜を介して凹部内に設けられており、当該凹部内で容量電極が配線に沿うように配置されているので、画素間領域という狭い領域内であっても容量電極と配線とを互いに接触させることなく配置することが可能となる。
本発明によれば、容量電極が配線よりも凹部内の側面に近い側、すなわち、配線に対して凹部内の外側に設けられているので、その分容量電極の表面積を広くすることができる。例えば、容量電極を凹部の側部上に形成することによって、容量電極の表面積をより大きくすることができる。
本発明によれば、容量電極が、少なくとも凹部の底面及び両側面に沿って形成される一つの容量電極からなるので、容量電極の表面積を大きくすることができる。
本発明によれば、スイッチング素子と交差領域とが交差するように配置されており、配線に電気的に接続された平坦部が、交差領域に対応する凹部から延在して設けられており、スイッチング素子と平坦部とを接続するコンタクトホールが設けられているので、スイッチング素子と配線とが基板面に対して平行な方向に離れていても、アライメントが容易になる。このため、接続不良が発生するのを回避することができる。また、配線とスイッチング素子とが平坦部を介して接続されているので、コンタクトの面積を確保することができ、安定した信号伝達が可能となる。これにより、スイッチング素子の安定駆動を確保することができる。
データ線と走査線とが交差する領域は、マトリクス状に配置された4つの画素領域の角部が接する領域(角部間の領域)となる。本発明では、スイッチング素子を、遮光膜により形成される平面視の領域の内側に配置することによって、当該スイッチング素子が画素領域の角部に平面的に重なることになる。このため、画素領域とは平面視で部分的に重なるように遮光部が設けられている場合には、スイッチング素子が遮光されると同時に、画素領域の角部を透過しようとする光(画素角部光)はこのスイッチング素子を覆う遮光膜に遮光されることとなる。
本発明によれば、画素領域の開口率を高めた上で、当該開口率が高くなった画素領域にマイクロレンズによって光を集光することができるので、光の利用効率を相乗的に高めることができる。特に、スイッチング素子を画素領域の角部間に配置する場合には、マイクロレンズによって画素領域の中央部に光を集光することによって、本来角部で遮光される光についても利用可能となるため、光の利用効率が一層向上することになる。
本発明によれば、画素領域の開口率を高めることができ、光の利用効率を高めることができる電気光学装置を備えているので、明るく、コントラストの高い表示部を有する電子機器を得ることができる。
本発明によれば、画素領域の開口率を高めることができ、光の利用効率を高めることができる電気光学装置を備えているので、明るく、コントラストの高い表示が可能なプロジェクタを得ることができる。
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態では、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。図1(a)は、同液晶装置の平面構成図、図1(b)は図1(a)のH−H’線に沿う断面構成図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板(アクティブマトリクス基板)10と、対向基板20とが平面視略矩形枠状のシール材42を介して貼り合わされ、このシール材42に囲まれた領域内に液晶層50が封入された構成になっている。液晶層50としては、例えば正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられている。シール材42の一部(図中下辺側)に液晶注入口45が形成されており、当該液晶注入口45を塞ぐように封止材44が形成されている。シール材42内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り43が形成され、この周辺見切りの内側の領域が表示領域11となっている。
同図に示すように、液晶装置の表示領域11には、複数の画素領域12がマトリクス状に配置されており、これら画素領域12には、それぞれ画素電極9が配置されている。また、その画素電極9の側方にはTFT素子30が形成されている。TFT素子30は、該画素電極9への通電制御を行うスイッチング素子である。このTFT素子30のソース側にはデータ線6aが接続されている。各データ線6aには、例えばデータ線駆動素子から画像信号S1、S2、…、Snが供給されるようになっている。
容量素子17は、図3に示すように、当該凹部10aの幅が広くなった部分、すなわち、縦横に延在する凹部10aの交差する部分を中心として十字方向(図3中上下左右方向)に設けられており、凹部10aの壁面に沿うように設けられている。この容量素子17は、例えば図4に示すように、凹部10a内に設けられた容量電極17a、絶縁膜17c、容量電極17bとを主体として構成されている。この容量素子17は、凹部10aの壁面(底面及び側面を含む)に積層されるように、当該壁面に沿ってU字状に設けられている。
図3に示すように、画素間領域14においてマトリクス状に配列された4つの画素領域12が接する領域(角部間の領域)を含むと共に、当該4つの画素領域12にまたがるように矩形に設けられている。また、半導体膜62の角部がデータ線平坦部6b及び容量平坦部17dに平面的に重なるように設けられており、半導体膜62の中央部がゲート電極3bに平面的に重なるように設けられている。TFT素子30の断面構成としては、図4及び図5に示すように、半導体膜62上に絶縁膜67が設けられ、絶縁膜67を介してゲート電極3bが設けられた構成になっている。
低濃度ソース領域1dは、チャネル領域1aと高濃度ソース領域1bとの間の領域に設けられている。また、低濃度ドレイン領域1eは、チャネル領域1aと高濃度ドレイン領域1cとの間の領域に設けられている。
次に、本発明の液晶装置100の製造工程について説明する。図4は、液晶装置100の製造工程を示すフローチャートである。本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断することによって個々の液晶装置100に分離する方法を例に挙げて説明する。
まず、ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材(TFTアレイ基板10)に凹部10a及び基板平坦部10bを形成する。
この工程については、図9〜図13を参照して具体的に説明する。
まず、凹部10a及び基板平坦部10bが形成されたTFTアレイ基板10上に、例えばTi、Mo、Cr、W、Ta、Pdなどの金属膜74を形成する。金属膜74は、TFTアレイ基板10の基板面、凹部10a及び基板平坦部10bを含めたTFTアレイ基板10の表面上に形成する。続いて、図9に示すように、金属膜74のうち凹部10a内に形成された部分に保護層75を形成する。
TFTアレイ側マザー基板の場合と同様に、ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材の各表示領域に共通電極21を形成し、当該共通電極21上に配向膜22を形成する。
次に、本発明に係る第2実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態では、データ線が凹部の内部に設けられ、走査線が凹部の外側に設けられている点が第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
また、各画素領域212の図中右下の角部に平面的に重なる領域には、基板平坦部210bが設けられている。基板平坦部210bは、凹部210aの延在方向から図中左側の画素領域212にはみ出すように設けられている。
容量素子217は、図15に示すように、当該凹部210aの幅が広くなった部分に設けられており、凹部210aの壁面に沿うように設けられている。この容量素子217は、例えば図16に示すように、凹部210a内に設けられた容量電極217a、絶縁膜217c、容量電極217bと、容量電極217bの一部が基板平坦部210bに延在して設けられた容量平坦部217dとを主体として構成されている。この容量素子217は、凹部210aの壁面に積層されるように、当該壁面に沿って断面コの字状に設けられている。
チャネル領域201aは、図15に示すように、半導体膜262のうちゲート電極203bに平面的に重なる位置(図15中上下方向中央部)に配置されている。また、断面構成としては、図16に示すように、ゲート電極203bとの間に絶縁膜267が設けられている。
低濃度ソース領域201dは、チャネル領域201aと高濃度ソース領域201bとの間の領域に設けられている。また、低濃度ドレイン領域201eは、チャネル領域201aと高濃度ドレイン領域201cとの間の領域に設けられている。
次に、本発明に係る第3実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態では、TFT素子の半導体膜の構成が第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
容量素子317は、図17に示すように、当該凹部310aの幅が広くなった部分に設けられており、凹部310aの壁面に沿うように設けられている。この容量素子317は、例えば図18に示すように、凹部310a内に設けられた容量電極317a、絶縁膜317c、容量電極317bと、基板平坦部310bに設けられた容量平坦部317dとを主体として構成されている。この容量素子317は、凹部310aの壁面に積層されるように、当該壁面に沿って設けられている。
図17に示すように、チャネル領域301aは、半導体膜342のうちゲート電極303bに平面視で重なる位置に配置されている。
高濃度ソース領域301bは、半導体膜342のうちデータ線平坦部306bに平面視で重なる位置に配置されており、ソースコンタクトホール345を介してデータ線平坦部306bに接続されている。
高濃度ドレイン領域301cは、半導体膜342のうち容量平坦部317dに平面視で重なる位置に配置されており、画素コンタクトホール343を介して画素電極309に接続されていると共に、容量コンタクトホール344を介して容量平坦部317dに接続されている。
低濃度ソース領域301dは、チャネル領域301aと高濃度ソース領域301bとの間の領域に設けられている。また、低濃度ドレイン領域301eは、チャネル領域301aと高濃度ドレイン領域301cとの間の領域に設けられている。
次に、本発明に係る第4実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態では、TFTアレイ素子の半導体膜の構成が第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
また、縦横に延在する凹部410aの交差する部分には、基板平坦部410bが設けられている。基板平坦部410bは、凹部410aの延在方向からはみ出すように設けられており、ここでは例えば各画素領域412の図20中左下の角部に一部平面的に重なるように設けられている。
また、本実施形態では、半導体素子462の高濃度ソース領域401bがデータ線406aに平面視で重なるように配置され、かつ、データ線406aに直接接続されているので、当該高濃度ソース領域401bとデータ線406aとを接続する接続部を特に設ける必要がない。このため、画素領域412上に開口部を広く設けることができ、開口率の一層の向上を図ることができる。
次に、本発明に係る第5実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態では、マイクロレンズアレイが設けられている点で第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
図22に示すように、液晶装置500は、TFTアレイ基板510と、対向基板520とが図示しないシール材を介して貼り合わされ、液晶層550が封入された構成になっている。液晶装置500の画素表示領域内には、複数の画素領域512がマトリクス状に設けられている。
図22に示すように、例えば画素領域512のほぼ中央部に基板面に対して垂直に入射する入射光L4は、マイクロレンズアレイ540のレンズ部分540aによって画素電極509のほぼ中央部に集光される。また、同じ領域に基板面に対して所定の角度θで入射する入射光L5は、マイクロレンズアレイ540のレンズ部分540aによって画素電極509の中央部からrだけ離れた領域に集光される。したがって、図23に示すように、画素電極509の中央部を中心とする半径rの円内の領域が、レンズ部分540aによって集光される領域になる。このrは、例えばθが12°である場合、約3.2μmとなる。なお、図23においては、画素領域512が正方形、集光領域が正円で示されているが、画素領域512は長方形であっても良く、集光領域は楕円になっていても良い。
次に、本発明に係る第6実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態では、配線(データ線及び走査線)と容量素子とが別々の凹部に形成されている点で第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。
図25は、本実施形態における液晶装置600のTFTアレイ基板610の断面図である。なお、当該図25は、第1実施形態におけるG−G断面に対応している。
データ線606a及び走査線603aは、第1実施形態と同様、凹部610a内に設けられており、凹部610aの断面に沿うように、基板面からの厚さに関わらず一定の幅になっている。データ線606a及び走査線603aの厚さLzと幅Lwとの間には、第2実施形態と同様、0.5<(Lz/Lw)<15の関係が成立している。
次に、本発明に係る第7実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。
本実施形態では、配線(データ線及び走査線)と容量素子とが別々の凹部に形成されている点で第6実施形態と共通しているが、凹部の形状が第6実施形態とは異なっている。
次に、本発明に係る第8実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。
図27は、本実施形態における液晶装置800のTFTアレイ基板810の断面図である。なお、当該図27は、第1実施形態におけるG−G断面に対応している。
TFTアレイ基板810の画素間領域814には、凹部810aが設けられている。凹部810aは、図中左右方向の中央部にかけて階段状に深くなっていくように設けられている。
また、凹部810a内に設けられる容量素子817は、容量電極817a、絶縁膜817c及び容量電極817bが、凹部810aの形状に沿ってそれぞれ階段状になるように形成されている。
次に、本発明に係る第9実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。
図28は、本実施形態における液晶装置900のTFTアレイ基板910の断面図である。なお、当該図28は、第1実施形態におけるG−G断面に対応している。
TFTアレイ基板910の画素間領域914には、凹部910aが設けられている。凹部910aは、図中左右方向の中央部にかけて円弧状に深くなっていく形状になっている。凹部910a内に設けられるデータ線906a及び走査線903aは、凹部910aの壁面に沿って半球状になるように形成されている。また、データ線906a及び走査線903aの厚さLzと幅Lwとの間には、0.5<(Lz/Lw)<15の関係が成立している。
また、凹部910a内に設けられる容量素子917については、容量電極917a、絶縁膜917c及び容量電極917bが、凹部910aの壁面に沿うように円弧状に形成されている。
次に、本発明に係る第10実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。
図29は、本実施形態における液晶装置1000のTFTアレイ基板1010の断面図である。なお、当該図29は、図3におけるG−G断面に対応している。
TFTアレイ基板1010の画素間領域1014には、凹部1010a及び1010bが設けられている。凹部1010aは、基板面からの深さが深くなるにつれて一定の割合で幅が狭くなるように形成されている。凹部1010a内に設けられるデータ線1006a及び走査線1003aは、凹部1010aの壁面に沿って、基板面からの厚さが厚くなるにつれて一定の割合で幅が狭くなるように設けられている。
本実施形態によれば、凹部1010aに2組の容量素子1017及び容量素子1027が2層構造に設けられているので、容量が増加することになる。
次に、各実施形態の液晶装置を光変調装置として用いたプロジェクタの実施形態を説明する。
図30は、投射型表示装置の一例としてのプロジェクタ1102の内部の構成を概略的に示す図である。
プロジェクタ1102は、光源1107と、フライアイレンズ1108、1109と、ダイクロイックミラー1110、1111と、反射ミラー1112、1113、1114と、液晶ライトバルブ1115、1116、1117と、クロスダイクロイックプリズム1118と、投射レンズ1119とを主体として構成されており、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えたカラー液晶プロジェクタである。
投射レンズ1119は、映像光をスクリーン1103に向けて投射する光学部品である。
プロジェクタ1102を駆動させると、ランプ1107aから白色光が射出される。ランプ1107aから直接射出された白色光及びリフレクタ1107bで反射された白色光がコリメータレンズ1107cにより平行光にされる。この平行光は、フライアイレンズ1108、1109によりその照度分布が均一化される。
このように、本実施形態によれば、画素領域の開口率を高めることができ、光の利用効率を高めることができる液晶装置100〜1000を備えているので、明るく、コントラストの高い表示が可能なプロジェクタ1102を得ることができる。
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図31は、携帯電話1200の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話1200は、筺体1201、複数の操作ボタンが設けられた操作部1202、画像や動画、文字等を表示する表示部1203を有する。表示部1203には、本発明に係る液晶装置100〜1000が搭載される。
例えば、上記実施形態では、凹部10aの壁面を傾斜させる際に、基板温度を調節することによって傾斜角度を調節する旨説明したが、これに限られることは無く、例えば、ドライエッチングを行う際のエッチャントガスを適宜選択することによって凹部10aの壁面の傾斜角度を調節することも可能である。例えばCF4やCCl4などの飽和ハロカーボンと重合反応を抑制しエッチングを促進するような添加ガスであるCl2、O2、F2を加え、混合ガスとして使用することによってエッチングを促進させることができる。一方、H2やC2F4、CH4などのガスを加えると、CF4との重合物によりフロロカーボンが発生し、壁面のエッチングが保護される。したがって、エッチングガスを適宜選択することによっても、凹部10aの壁面の傾斜角度を所望の角度に調節させることが可能である。その他、フォトリソグラフィ法やドライエッチングを数回行う手法によっても、傾斜角度を調節することが可能である。
Claims (15)
- 複数の画素領域がマトリクス状に設けられた基板と、
前記基板の前記画素領域内に設けられた画素電極と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、前記画素電極と電気的に接続されたスイッチング素子と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、少なくとも第1の容量電極と第2の容量電極からなる容量電極と絶縁膜とが積層されてなり、前記画素電極の電荷を保持する容量素子と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、前記スイッチング素子に対応して設けられたデータ線及び走査線を含む配線と
を具備し、
前記基板の前記画素領域間には、前記基板面に対して凹部が設けられており、
前記容量素子の少なくとも一部が、前記凹部内に設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 複数の画素領域がマトリクス状に設けられた基板と、
前記基板の前記画素領域内に設けられた画素電極と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、前記画素電極と電気的に接続されたスイッチング素子と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、少なくとも第1の容量電極と絶縁膜と第2の容量電極が積層されてなり、前記画素電極の電荷を保持する容量素子と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、前記スイッチング素子に対応して設けられたデータ線及び走査線を含む配線と
を具備し、
前記基板の前記画素領域間には、前記基板面に対して凹部が設けられており、
前記データ線の少なくとも一部が、前記スイッチング素子と前記基板との間であって且つ前記凹部内に設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 複数の画素領域がマトリクス状に設けられた基板と、
前記基板の前記画素領域内に設けられた画素電極と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、前記画素電極と電気的に接続されたスイッチング素子と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、少なくとも第1の容量電極と絶縁膜と第2の容量電極が積層されてなり、前記画素電極の電荷を保持する容量素子と、
前記基板の前記画素領域間に設けられ、前記スイッチング素子に対応して設けられたデータ線及び走査線を含む配線と
を具備し、
前記基板の前記画素領域間には、前記基板面に対して凹部が設けられており、
前記容量素子の少なくとも一部が、前記凹部内に設けられており、
前記データ線の少なくとも一部が、前記スイッチング素子と前記基板の間であって且つ前記凹部内に設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記走査線の少なくとも一部が前記凹部内に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記凹部の開口部側の断面積が底部側の断面積よりも大きくなっている ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記データ線及び前記走査線が互いに交差して交差領域を形成し、
前記交差領域と平面視で重なり、且つ前記画素領域とは平面視で重ならないように遮光部が設けられており、
前記データ線及び前記走査線の幅方向の寸法が、前記遮光部の前記幅方向の最大寸法よりも小さくなっている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記データ線及び前記走査線が互いに交差して交差領域を形成し、
前記交差領域と平面視で重なり、且つ前記画素領域とは平面視で部分的に重なるように遮光部が設けられており、
前記データ線及び前記走査線の幅方向の寸法が、前記遮光部の前記幅方向の最大寸法よりも小さくなっている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記凹部が前記容量電極及び前記配線の長手方向に延在しており、
前記容量素子を構成する前記容量電極の少なくとも一部と、前記配線のうち少なくとも一部とが絶縁膜を介して前記凹部内に設けられており、
前記凹部内では、前記容量電極が前記配線に沿うように配置されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記凹部内では、前記容量電極が前記配線よりも前記凹部内の側面に近い側に設けられている
ことを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。 - 前記容量電極が、少なくとも前記凹部の底面及び両側面に沿って形成される一つの容量電極からなる
ことを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。 - 前記スイッチング素子と前記交差領域とが交差するように配置されており、
前記配線に電気的に接続された平坦部が、前記交差領域に対応する前記凹部から延在して設けられており、
前記スイッチング素子と前記平坦部とを接続するコンタクトホールが設けられている
ことを特徴とする請求項6乃至請求項10のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記スイッチング素子が、前記遮光部により形成される平面視の領域の内側に配置されている
ことを特徴とする請求項6乃至請求項11のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 光を前記画素領域内に集光するマイクロレンズを更に具備することを特徴とする請求項1乃至請求項12のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項13のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至請求項13のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
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