WO2009154039A1

WO2009154039A1 - 表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法

Info

Publication number: WO2009154039A1
Application number: PCT/JP2009/057954
Authority: WO
Inventors: 英明春原
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2008-06-20
Filing date: 2009-04-22
Publication date: 2009-12-23
Also published as: CN102067199A; US20110147751A1

Abstract

　長手方向に直角な方向の断面形状が略半円形状に形成されるベース（１２）と、長手方向がベース（１２）の長手方向と略同じ方向であるとともに少なくとも一部がベース（１２）に重畳して長手方向に直角な方向の断面の少なくとも一部が略円弧形状である薄膜状の配線パターン（１３）とを形成することで、配線パターン（１３）が有する信号伝達能力を低下させることなく、配線パターン（１３）の幅を細くすることができる表示パネル用の基板（１）を提供する。

Description

表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法

　本発明は、表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法に関するものであり、特に好適には、表面に薄膜状かつ細線状の配線パターンが形成される表示パネル用の基板、この表示パネル用の基板を備える表示パネル、表面に薄膜状かつ細線状の配線パターンが形成される表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法に関するものである。

　一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板と対向基板（カラーフィルタなど）とを備える。そして、これらの基板が所定の微小な間隔をおいて、対向して配設され、これらの基板の間に、液晶が充填封入されるという構成を備える。ＴＦＴアレイ基板の片側表面（対向基板に対向する側の表面）には、データ線（ソース配線とも称する）、走査線（ゲート配線とも称する）およびドレイン配線などといった、さまざまな所定の薄膜状かつ細線状の配線パターンが形成される。

　液晶表示パネルに対しては、開口率の向上を図りたいという要求がある。ここでいう「開口率」とは、表示領域（または一絵素）に占める透光可能な領域の面積の割合をいうものとする。開口率の向上を図ることにより、光源が発する光の有効利用を図ることができるとともに、表示パネルの輝度の向上を図ることができる。開口率の向上を図るためには、表示領域（または一絵素）に占める遮光性材料の面積の割合を低くする必要がある。絵素中に存在する遮光性材料としては、たとえばデータ線、信号線、ドレイン配線などがある。したがって、遮光性材料の面積の割合を低くするためには、これらの配線パターンの幅を細くする構成が考えられる。

　しかしながら、データ線、走査線、ドレイン配線などの配線パターンの幅を細くする構成は、次のような問題が発生することがある。近年の液晶表示パネルの大面積化や、液晶表示パネルを駆動する信号の高周波数化などにより、前記配線パターンが有する信号伝達能力の向上が要求されている。配線パターンの幅を細くすると、それに伴い配線パターンの断面積が小さくなり、配線パターンの電気抵抗が大きくなる。そうすると、配線パターンが有する信号伝達能力が低下するおそれがある。

　配線パターンが有する信号伝達能力の向上を図るためには（または、信号伝達能力の低下を防止もしくは抑制するためには）、配線パターンを形成する材料を、電気的に低抵抗な材料に変更する構成や、配線パターンの膜厚を厚くする構成などが考えられる。しかしながら、配線パターンを形成する材料を電気的に低抵抗な材料に変更する構成では、材料の変更に伴い、成膜プロセスの大幅な変更が必要となる。また、配線パターンの膜厚を厚くする構成では、材料コストの上昇を招くおそれがあるのみならず、成膜処理能力の悪化を招くおそれもある。

　このほか、液晶表示パネルに対しては、絵素を駆動するＴＦＴのチャンネル長さを長くしたいという要求がある。「ＴＦＴのチャンネル長さ」とは、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極とが微小な間隔をおいて対向している部分の長さをいうものとする。ＴＦＴのチャンネル長さを長くすることによって、短時間に充分な電流を絵素電極へ供給することが可能となる。ＴＦＴのチャンネル長さを長くするためには、一般的にはＴＦＴのサイズを大きくする必要がある。しかしながらＴＦＴのサイズを大きくすると、絵素の開口率の低下を招くおそれがある。

　また、ＴＦＴのチャンネル長さを長くする構成と同様の作用効果を得られる構成として、チャンネル領域の半導体の膜質を変更して、チャンネル領域における電荷の移動速度を向上させる構成が考えられる。しかしながら、半導体の膜質を変更する構成では、材料の変更に伴い、一般的に成膜プロセスの大幅な変更が必要となる。

特開２００５－１９１１１３号公報特開２００７－２９９９７２号公報

　上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、配線パターンが有する信号伝達能力を低下させることなく、配線パターンの幅を細くすることができる表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供すること、または、配線パターンの幅を太くすることなく、配線パターンが有する信号伝達能力を向上させることができる表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供すること、または配線パターンが有する信号伝達能力を維持しつつ絵素の開口率の向上を図ることができる表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供すること、またはＴＦＴのサイズの大型化や半導体膜の膜質の変更を伴うことなく、ＴＦＴのチャンネル長さを長くすることができる表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供することである。

　前記課題を解決するため、本発明は、断面が略半円形状に形成されるベースと、少なくとも一部が前記ベースに重畳する薄膜状の配線パターンと、を備えることを要旨とするものである。

　本発明は、長手方向に直角な方向の断面形状が略半円形状に形成されるベースと、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向であるとともに少なくとも一部が前記ベースに重畳して長手方向に直角な方向の断面の少なくとも一部が略円弧形状に形成される薄膜状の配線パターンとを有することを要旨とするものである。

　前記表示パネル用の基板は絵素電極と該絵素電極を駆動する薄膜トランジスタとを有するものであって、前記配線パターンは前記薄膜トランジスタに画像信号を伝送するデータ線、前記薄膜トランジスタのゲート電極に選択パルスを伝送する走査線、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記絵素電極とを電気的に接続するドレイン配線の少なくとも一つであることが好ましい。

　表示パネル用の基板は、絵素電極と該絵素電極を駆動する薄膜トランジスタとを有するものであって、前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびチャンネル領域の少なくとも一部は、断面形状が略半円形状に形成されるベースに重畳することを要旨とするものである。

　前記ベースには、感光性樹脂材料から形成されることものが適用できる。

　本発明は、前記いずれかの表示パネル用の基板と、対向基板とを備えることを要旨とするものである。

　本発明は、断面略方形のベースを形成する段階と、該ベースを断面略半円形状に形成する段階と、少なくとも一部が前記ベースに重畳する配線パターンを形成する段階と、を含むことを要旨とするものである。

　本発明は、長手方向に直角な方向の断面形状が略方形の薄膜パターン状のベースを形成する段階と、該ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ部分を有するとともに、該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳して長手方向に直角な方向の断面形状が略円弧形状の部分を有する配線パターンを形成する段階と、を含むことを要旨とするものである。

　本発明は、透明基板の表面に薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向である部分を有するとともに該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳する走査線を形成する段階とを含むことを要旨とするものである。

　本発明は、所定の工程を経た透明基板の表面に薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向である部分を有するとともに該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳するデータ線を形成する段階とを含むことを要旨とするものである。

　本発明は、所定の工程を経た透明基板の表面に薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向である部分を有するとともに該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳するドレイン配線を形成する段階とを含むことを要旨とするものである。

　本発明は、ゲート電極とソース電極とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタが形成される表示パネル用の基板の製造方法であって、ゲート電極に重畳する薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、少なくとも一部が前記ベースに重畳するドレイン電極を形成する段階とを含むことを要旨とするものである。

　前記ベースには、感光性樹脂材料からなるものが好適に適用できる。

　また、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階は、前記ベースを加熱する段階またはキュア処理を施す段階であることが好ましい。

　本発明は、前記いずれかの表示パネル用の基板の製造方法を含むことを要旨とするものである。

　本発明によれば、断面形状が略半円形状に形成されるベースに、配線パターンが重畳する構成となるから、配線パターンの見かけ上の幅を大きくしなくともこの配線パターンの断面積を大きくして信号伝達能力の向上を図ることができる。換言すると、配線パターンの信号伝達能力を損なうことなく、配線パターンの幅を小さくすることができる。配線パターンの幅を小さくすることにより、絵素開口率の向上を図ることができるから、配線パターンの信号伝達能力を維持しつつ、絵素の開口率の向上を図ることができる。

　また、断面形状が半円形状に形成されるベースに、薄膜トランジスタのチャンネル領域およびドレイン電極を重畳させる構成とすれば、ＴＦＴの見かけ上のサイズを大きくすることなく、ＴＦＴのチャンネル長さを長くすることができる。したがって、ＴＦＴのチャンネル長さを長くすることにより、短時間に充分な電流を絵素電極へ供給することが可能となるから、ＴＦＴの能力が向上する。このように、ＴＦＴを大型化して開口率を低下させることなく、ＴＦＴのチャンネル長さを長くしてＴＦＴの能力向上を図ることができる。

　また、ＴＦＴの実質的なチャンネル長さを維持しつつ、ＴＦＴの見かけ上のサイズを小さくすることができる。このため、ＴＦＴの能力を維持しつつ、ＴＦＴのサイズの小型化を図ることにより開口率の向上を図ることができる。

　前記ベースとして感光性樹脂材料を適用する構成であれば、フォトリソグラフィ法により容易にベースを形成することができる。また、ベースとして樹脂材料を適用する構成であれば、加熱処理またはキュア処理において樹脂が軟化し、軟化した樹脂の表面張力によって、樹脂材料の断面形状が略半円形状となる。したがって、簡単な工程により断面形状が略半円形状のベースを形成することができる。

本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に形成される配線パターンの構成を、模式的に示した外観斜視図である。ベースの上面に配線パターンを形成した構成と、ベースがない構成とを比較した断面図（配線パターンの長手方向に直角な方向に沿った断面図）である。ベースおよび配線パターンの形成方法を段階的に示した断面模式図である。ベースおよび配線パターンの形成方法を段階的に示した断面模式図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の構成を、模式的に示した外観斜視図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に配列される複数の絵素電極および複数のＴＦＴから、一絵素分の絵素電極と一個のＴＦＴの構成を抜き出して拡大して示した平面模式図である。図６のＡ－Ａ線断面図であり、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の断面構造を模式的に示す図である。図６のＢ－Ｂ線断面図である。図６のＣ－Ｃ線断面図である。図６のＤ－Ｄ線断面図であり、ＴＦＴのチャンネル領域およびドレイン電極の断面構造を模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板を適用した表示パネルの構成を、模式的に示した外観斜視図である。対向基板（カラーフィルタ）の構成を模式的に示した図であり、１（ａ）は対向基板（カラーフィルタ）の全体構造を模式的に示した斜視図、（ｂ）は対向基板（カラーフィルタ）に形成される一絵素の構成を抜き出して示した平面図、（ｃ）は図２１（ｂ）のＦ－Ｆ線断面図であって、絵素の断面構造を示した図である。

　以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１は、液晶表示パネル用のＴＦＴアレイ基板である。

　図１は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１に形成される配線パターン１３の構成を、模式的に示した外観斜視図である。図１に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１には、透明基板１１上に、ベース１２と、このベース１２に重畳する所定の配線パターン１３が形成される。

　図１に示すように、透明基板１１上にはベース１２が形成される。このベース１２は、配線パターン１３と略同一の形状を有しており、長手方向に直角な方向に沿った断面が、略半円形状に形成される。このベース１２は、たとえば熱硬化性樹脂材料などにより形成される。そして、このベース１２に重畳するように、所定の配線パターン１３が形成される。すなわち、ベース１２の上面側に配線パターン１３が積層する構成を有する。配線パターン１３は、薄膜状かつ細線状に形成される。したがって、配線パターン１３の長手方向に直角な方向に沿った断面は、略円弧状に形成される部分を有する。

　このような構成によれば、ベース１２がない構成に比較すると、配線パターン１３の有する信号伝達能力を維持しつつ、配線パターン１３の幅方向寸法を小さくすることができる。図２は、ベース１２の上面に配線パターン１３を形成した構成と、ベース１２がない構成とを比較した断面図（配線パターンの長手方向に直角な方向に沿った断面図）である。図２（ａ）に示すように、断面略半円形のベース１２の上面に配線パターンを形成する構成とすると、図２（ｂ）に示すようにベース１２がない構成に比較して、断面積が同一であるならば配線パターン１３の幅方向寸法を小さくすることができる。

　具体的にはたとえば、ベース１２の半円の半径を５．０μｍとし、配線パターン１３の膜厚を０．３μｍとすると、配線パターン１３の幅は５．６μｍとなり、配線パターン１３の断面積は約２．５μｍ^２となる。これを図２（ｂ）に示すように、ベースがない構成で、配線パターン１４を形成すると（すなわち、図２（ｂ）に示すように、断面略方形とすると）、膜厚を０．３μｍとした場合に、ベース１２の上面に配線パターン１３を形成する構成と同じ断面積２．５μｍ^２とするためには、配線パターン１４の幅を約８．３μｍにする必要がある。

　このように、ベース１２の上面に配線パターン１３を形成する構成によれば、ベース１２のない構成に比較して、（（８．３－５．６）／８．３）×１００＝３２．５（％）の幅方向寸法の短縮を図ることができる。したがって、配線パターン１３が有する信号伝達能力を維持しつつ配線パターン１３の幅方向寸法の減少を図ることができる。そしてこれにより、液晶表示パネルの開口率の向上を図ることが可能となる。

　また、断面略半円形状のベース１２がある構成と、ベース１２がない構成とでは、配線パターン１３，１４の幅方向寸法を同一にした場合、断面略半円形のベース１２がある構成の方が、配線パターン１３の断面積を大きくすることができる。したがって、配線パターン１３の幅方向寸法の増加を招くことなく、配線パターン１３が有する信号伝達能力の向上を図ることができる。

　次に、ベース１２および配線パターン１３の形成方法について説明する。図３および図４は、ベース１２および配線パターン１３の形成方法を段階的に示した断面模式図である。これらの図３および図４は、ベース１２および配線パターン１３の長手方向に直角な面で切断した断面図である。

　まず、図３（ａ）に示すように、透明基板１１の表面に、ベース１２の材料となる感光性樹脂材料の層１５を形成する。感光性の樹脂材料は、ポジ型であってもネガ型であっても良いが、ここではポジ型を用いる構成を例にして説明する。感光性樹脂材料の層１５を形成する方法としては、たとえば、スピンコータなどを用いて、透明基板の表面に感光性の樹脂材料を塗布する方法が適用できる。

　感光性の樹脂材料には、たとえば感光性のアクリル樹脂などが適用できる。感光性の樹脂材料として適用できる材料の組成および構造式は表１に示すとおりである。すなわち、ベース樹脂としてアクリル系樹脂を２０～３０％含有し、感光剤としてナフトキノンジアルドスルホン酸エステルを１～１０％含有し、溶剤としてジエチレングリコールメチルエチルエーテルを６５～７５％含有する溶液が適用できる。

　次に図３（ｂ）に示すように、フォトマスク１６を使用し、形成した感光性樹脂材料の層１５に露光処理を施す。具体的には、ベース１２となる部分をフォトマスク１６によって遮光し、それ以外の部分に光エネルギを照射する。次に、露光処理を施した感光性の樹脂材料に現像処理を施す。現像処理が施されると、図３（ｃ）に示すように、遮光した部分１７が透明基板１１上に残り、それ以外の部分（光エネルギが照射された部分）が除去される。

　次に、現像処理によって透明基板１１上に残った感光性の樹脂材料１７に対し、加熱処理（またはキュア処理）を施す。加熱処理が施されると、当該加熱処理（キュア処理）の過程において、感光性の樹脂材料が軟化し、その表面張力によって、断面形状が方形から略半円形状に変化する。そして加熱処理（キュア処理）が進行すると、感光性の樹脂材料は、断面が略半円形状になった状態で硬化する。したがって、図３（ｄ）に示すように、断面が略半円形状のベース１２が得られる。

　次に、図４（ａ）に示すように、前記工程を経てベース１２が形成された透明基板１１の表面に、配線パターンとなる金属薄膜１８を形成する。この金属薄膜１８の形成方法には、公知のスパッタリング法などが適用できる。

　次に図４（ｂ）に示すように、金属薄膜１８の表面にフォトレジスト材料の層１９を形成し、形成したフォトレジスト材料の層１９に対して所定のフォトマスク２０を用いて露光処理を施す。フォトレジスト材料には、感光性の樹脂材料が適用できる。フォトレジスト材料の層１９の形成方法としては、たとえばスピンコータなどを用いてフォトレジスト材料を塗布する方法などが適用できる。そして、露光処理においては、フォトレジスト材料がポジ型であれば、金属薄膜１８のうちの配線パターン１３となる部分（ベース１２に重畳している部分）を覆っているフォトレジスト材料に対しては遮光し、それ以外の部分を覆っているフォトレジスト材料に光エネルギを照射する。

　露光処理を施したフォトレジスト材料を現像すると、図４（ｃ）に示すように、遮光された部分１９１が金属薄膜上に残り、それ以外の部分（光エネルギが照射された部分）が除去される。すなわち、金属薄膜１８は、ベース１２に重畳している部分がフォトレジスト材料に覆われ、それ以外の部分が露出する。

　次に、図４（ｄ）に示すように、金属薄膜１８上に残されたフォトレジスト材料をマスクとして用いて、金属薄膜１８の露出している部分を除去する。この金属薄膜１８の除去方法には、ドライエッチングやウェットエッチングなど、公知の各種エッチングが適用できる。これにより、金属薄膜１８は、フォトレジスト材料に覆われている部分を残して透明基板１１の表面から除去される。

　次に図４（ｅ）に示すように、フォトレジスト材料１９１を除去する。これにより、断面が略半円形状のベース１２の上面に配線パターン１３が重畳している構造が得られる。

　次に、このような配線パターンの構造を備える表示パネル用の基板１について説明する。

　図５は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１の構成を、模式的に示した外観斜視図である。図５に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１は、表示領域３０１（アクティブエリアとも称する）と、パネル額縁領域３０２とを有する。表示領域（アクティブエリア）３０１には、複数の絵素電極がマトリックス状に配列される。また、各絵素電極を駆動するためのＴＦＴが配列される。パネル額縁領域３０２には、各ＴＦＴに所定の信号を伝送するための所定の配線などが形成される。

　図６は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に配列される複数の絵素電極３２および複数のＴＦＴ３１から、一絵素分の絵素電極３２と一個のＴＦＴ３１の構成を抜き出して拡大して示した平面模式図である。図７は図６のＡ－Ａ線断面図であり、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１の断面構造を模式的に示す図である。

　図６および図７に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１は、透明基板１１と、データ線３３（ソース配線とも称する）と、走査線３４（ゲート配線とも称する）と、ドレイン配線３５と、補助容量信号線３６と、ＴＦＴ３１と、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７と、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８と、有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９と、絵素電極３２とを有する。ＴＦＴ３１は、ゲート電極３１１と、ソース電極３１２と、ドレイン電極３１３とを有する。

　なお、ここでいうドレイン配線３５とは、ＴＦＴ３１のドレイン電極３１３と絵素電極３２とを電気的に接続するための配線をいうものとする。具体的には、ドレイン配線３５の一端部（すなわち基端部）は、ＴＦＴ３１のドレイン電極３１３に電気的に導通している。ドレイン配線３５の他端部（すなわち先端部）は、絵素電極３２に電気的に導通している。このような構成によれば、ドレイン配線３５は、ＴＦＴ３１のドレイン電極３１３から出力される電気信号を、絵素電極３２に伝送することができる。

　図８は、図６のＢ－Ｂ線断面図である。図８に示すように、透明基板１１の表面に、断面略半円形のベース（説明の便宜上、このベースを「第一のベース１２ａ」と称する）が形成され、この第一のベース１２ａに重畳するように、走査線３４が形成される。このような構成によれば、走査線３４の信号伝達能力を維持しつつ、その幅方向寸法を小さくすることができる。このため、絵素の開口率の向上を図ることができる。また、このような構成によれば、走査線３４の見かけ上の幅方向の寸法を大きくすることなく、その断面積を大きくすることができる。このため、走査線３４の信号伝達能力の向上を図ることができる。

　図９は、図６のＣ－Ｃ線断面図である。図９に示すように、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７の表面に、断面略半円形のベース１２ｂ，１２ｃが形成され、これらのベース１２ｂ，１２ｃに重畳するように、データ線３３およびドレイン配線３５が形成される。説明の便宜上、データ線のベースを第二のベース１２ｂと称し、ドレイン配線のベースを第三のベース１２ｃと称する。このような構成によれば、データ線３３およびドレイン配線３５の信号伝達能力を維持しつつ、それらの幅方向寸法を小さくすることができる。このため、絵素の開口率の向上を図ることができる。また、このような構成によれば、データ線３３およびドレイン配線３５の見かけ上の幅方向の寸法を大きくすることなく、それらの断面積を大きくすることができる。したがって、開口率を低下させることなく、データ線３３およびドレイン配線３５の信号伝達能力の向上を図ることができる。

　図１０は、図６のＤ－Ｄ線断面図であり、ＴＦＴ３１のチャンネル領域およびドレイン電極３１３の断面構造を模式的に示した断面図である。図１０に示すように、第一の絶縁膜の表面にベース（説明の便宜上、このベースを「第四のベース」１２ｄと称する）が形成され、この第四のベース１２ｄに重畳するように、半導体膜４０とドレイン電極３１３が形成される。この第四のベース１２ｄの長手方向は、ＴＦＴ３１のチャンネル領域の長手方向に略直角な方向である。このような構成によれば、ＴＦＴ３１のチャンネル領域における半導体膜４０およびドレイン電極３１３は、半円状の曲線となる。このため、第四のベース１２ｄがない構成に比較して、ＴＦＴ３１のソース電極３１２に対向するドレイン電極３１３の長さを長くすることができる。

　したがって、このような構成によれば、結果としてＴＦＴ３１のドレイン電極３１３の見かけ上の長さを長くすることなく、またはＴＦＴ３１を大型化することなく、ＴＦＴ３１のチャンネル長さを長くすることができる。そして、ＴＦＴ３１のチャンネル長さを長くすることにより、短時間に充分な電流を絵素電極へ供給することが可能となるから、ＴＦＴ３１の能力が向上する。このように、ＴＦＴ３１を大型化して開口率を低下させることなく、ＴＦＴ３１のチャンネル長さを長くすることができる。

　次に、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１の製造方法について説明する。

　図１１から図１９は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。各図の（ａ）は、図６のＡ－Ａ線断面図に相当し、各図の（ｂ）は、図６のＢ－Ｂ線断面図に相当し、各図の（ｃ）は、図６のＣ－Ｃ線断面図に相当する。また、各図の（ａ）（ｂ）（ｃ）は、同一工程におけるＡ－Ａ線断面、Ｂ－Ｂ線断面、Ｃ－Ｃ線断面を示す。

　まず図１１に示すように、透明基板１１の表面に、走査線のベース（第一のベース１２ａ）が形成される（図１１（ｂ）を特に参照。図１１（ａ）、（ｃ）に示される位置には形成されない）。第一のベース１２ａの形成方法は、前記の通りである。

　次に、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、透明基板１１の表示領域（アクティブエリア）３０１に、走査線３４、補助容量信号線３６およびＴＦＴ３１のゲート電極３１１が形成される（図１２（ｃ）に示す位置には形成されない）。特に図１２（ｂ）に示すように、走査線３４は、先の工程で形成した第一のベース１２ａに重畳するように形成される。

　具体的には、透明基板１１の片側表面に、チタン、クロム、タングステン、モリブデン、アルミニウムなどからなる単層または多層の導体膜（以下、説明の便宜上「第一の導体膜」と称する）が形成される。この第一の導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。また、この第一の導体膜の厚さは、特に限定されるものではないが、たとえば３００ｎｍ程度の膜厚が適用できる。

　そして、形成された第一の導体膜が、図１２（ｂ）に示すように、走査線３４、補助容量信号線３６、ＴＦＴ３１のゲート電極３１１などの形状にパターニングされる。この第一の導体膜のパターニングには、公知の各種ウェットエッチングが適用できる。第一の導体膜がクロムからなる構成においては、（ＮＨ_４）_２［Ｃｅ（ＮＨ_３）_６］＋ＨＮＯ_３＋Ｈ_２Ｏ液を用いたウェットエッチングが適用できる。

　次に図１３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、前記工程を経た透明基板１１の表面に、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７が形成される。ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７には、厚さが３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）が適用できる。ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７の形成方法には、公知のＣＶＤ法が適用できる。ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７が形成されると、特に図１３（ａ）（ｂ）に示すように、走査線３４、補助容量信号線３６およびＴＦＴ３１のゲート電極３１１は、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７により覆われる。

　次いで、図１４（ａ）に示すように、ＴＦＴ３１のチャンネル領域およびドレイン電極３１３が形成されるべき位置に、第四のベース１２ｄが形成される。なお、図１４（ｂ）（ｃ）に示す位置には形成されない。第四のベース１２ｄの形成方法は、前記の通りである。この第四のベース１２ｄは、ＴＦＴ３１のチャンネル領域の長手方向に直角な方向に延伸する構成を有する。すなわち、第四のベース１２ｄの長手方向と、ＴＦＴ３１のチャンネル領域の長手方向は直交する。

　次いで、図１５（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７の表面の所定の位置に、所定の形状の半導体膜４０が形成される。なお、図１５（ｂ）（ｃ）に示す位置には形成されない。具体的にはこの半導体膜４０は、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７および第四のベース１２ｄを介してゲート電極３１１に重畳する位置と、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７を介して補助容量信号線３６に重畳する位置に形成される。この半導体膜４０は、第一のサブ半導体膜４０１と第二のサブ半導体膜４０２との二層構造を有する。第一のサブ半導体膜４０１には、厚さが約１００ｎｍ程度のアモルファスシリコンが適用できる。第二のサブ半導体膜４０２には、厚さが約２０ｎｍ程度のｎ^＋型のアモルファスシリコンなどが適用できる。

　この半導体膜４０（第一のサブ半導体膜４０１および第二のサブ半導体膜４０２）の形成方法には、ＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法が適用できる。すなわち、まずＣＶＤ法を用いて、半導体膜４０（第一のサブ半導体膜４０１および第二のサブ半導体膜４０２）の材料を、前記工程を経た透明基板１１の片側表面に堆積させる。そして、形成された半導体膜４０（第一のサブ半導体膜４０１および第二のサブ半導体膜４０２）を、フォトリソグラフィ法を用いることにより、所定の形状にパターニングする。このパターニングには、たとえばＨＦ＋ＨＮＯ_３溶液を用いたウェットエッチングやＣｌ_２とＳＦ_６ガスを用いたドライエッチングが適用できる。これにより、半導体膜４０（第一のサブ半導体膜４０１および第二のサブ半導体膜４０２）が、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７を介してゲート電極３１１に重畳するように形成されるとともに、補助容量信号線３６に重畳するように形成される。

　次に、図１６（ａ）（ｃ）に示すように、第二のベース１２ｂおよび第三のベース１２ｃが同一工程において、同時に形成される。なお、この工程においては、図１６（ｂ）に示す位置にはベースは形成されない。第二のベース１２ｂおよび第三のベース１２ｃの形成方法は、前記の通りである。

　次に、図１７（ａ）（ｃ）に示すように、データ線３３、ドレイン配線３５、ＴＦＴ３１のソース電極３１２およびドレイン電極３１３が同一工程において同じ材料により同時に形成される。図１７（ａ）（ｃ）に示すように、データ線３３は第二のベース１２ｂに重畳するように形成され、ドレイン配線３５は第三のベース１２ｃに重畳するように形成される。なお、この工程においては、図１７（ｂ）に示す位置には変化はない。具体的には、まず、前記工程を経た透明基板１１の片側表面に、データ線３３、ドレイン配線３５、ＴＦＴ３１のソース電極３１２およびドレイン電極３１３の材料となる導体膜（この導体膜を「第二の導体膜」と称する）が形成される。その後、形成された第二の導体膜が所定の形状にパターニングされる。

　この第二の導体膜は、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどからなる単層または二層以上の積層構造を有する。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板においては、第二の導体膜が異なる材料からなる二層構造を有するものとする。すなわち、第二の導体膜は、透明基板１１に近い側の第一のサブ導体膜４１１と、絵素電極３２に近い側の第二のサブ導体膜４１２とからなる二層構造を有する。第一のサブ導体膜４１１には、チタンなどが適用できる。第二のサブ導体膜４１２には、アルミニウムなどが適用できる。

　第二の導体膜の形成方法としては、スパッタリング法などが適用できる。第二の導体膜のパターニングには、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３ガスを用いたドライエッチングおよび燐酸、酢酸、硝酸を用いたウェットエッチングが適用できる。このパターニングによって、データ線３３、ドレイン配線３５、ＴＦＴ３１のソース電極３１２およびドレイン電極３１３が形成される。このパターニングにおいては、第二のサブ半導体膜４０２もソース電極及びドレイン電極をマスクとして用いたエッチングによって、チャネル領域が形成される。

　以上の工程を経ると、図１７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、透明基板１１の片側表面には、ＴＦＴ３１（ゲート電極３１１、ソース電極３１２、ドレイン電極３１３）、データ線３３、走査線３４、ドレイン配線３５、補助容量信号線３６が形成される。

　走査線３４は、図１７（ｂ）に示すように、第一のベース１２ａに重畳して形成される。図１７（ｃ）に示すように、データ線３３は、第二のベース１２ｂに重畳するように形成される。ドレイン配線３５は、第三のベース１２ｃに重畳するように形成される。このため、ベース１２ａ，１２ｂ，１２ｃに重畳しない構成と比較すると、信号伝達能力を維持しつつ、走査線３４、データ線３３、ドレイン配線３５の幅方向寸法を小さくすることができる。したがって開口率の向上を図ることができる。換言すると、幅方向寸法を大きくすることなく、走査線３４、データ線３３、ドレイン配線３５の信号伝達能力の向上を図ることができる。

　図１７（ａ）に示すように、半導体膜４０およびドレイン電極３１３は、第四のベース１２ｄに重畳するように形成されるから、ドレイン電極３１３が半円状に湾曲してソース電極３１２に対向する。このため、第四のベース１２ｄがない構成に比較すると、ドレイン電極３１３およびチャンネル領域の長さを長くすることができる。したがって、ＴＦＴ３１のドレイン電極３１３の見かけ上の長さを長くすることなく、またはＴＦＴ３１を大型化することなく、ＴＦＴ３１のチャンネル長さを長くすることができる。そして、ＴＦＴ３１のチャンネル長さを長くすることにより、短時間に充分な電流を絵素電極３２へ供給することが可能となるから、ＴＦＴ３１の能力が向上する。このように、ＴＦＴ３１を大型化して開口率を低下させることなく、ＴＦＴ３１のチャンネル長さを長くすることができる。

　次いで、図１８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、前記工程を経た透明基板１１の表面に、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８と有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９が形成される。具体的には、前記工程を経た透明基板１１の表面にパッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８が形成される。このパッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８には、厚さが３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）が適用できる。パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８の形成方法には、ＣＶＤ法などが適用できる。そして形成されたパッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８の表面に有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９が形成される。この有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９には、アクリル系の樹脂材料が適用できる。

　形成された有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９は、フォトリソグラフィ法などによって、所定のパターンにパターニングされる。このパターニングによって、有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９には、絵素電極３２とドレイン配線３５とを電気的に導通させるための開口部（コンタクトホール）が形成される。

　有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９に開口部（コンタクトホール）が形成されると、この開口部（コンタクトホール）を通じて、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８の所定の部分が露出する。そこで、パターニングされた有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９をマスクとして用いて、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８がパターニングされる。このパターニングによって、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８のうち、有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９の開口部（コンタクトホール）から露出する部分が除去される。これにより、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８にも開口部（コンタクトホール）が形成される。このパッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８のパターニングには、ＣＦ_４＋Ｏ_２ガスもしくはＳＦ_６＋Ｏ_２ガスを用いたドライエッチングが適用できる。

　次いで図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９の表面に絵素電極３２が形成される。絵素電極３２には、たとえば１００ｎｍ程度の厚さのＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）が適用できる。絵素電極３２の形成方法としては、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。

　以上の工程を経て、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１が製造される。

　次に、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１を適用した表示パネル５の製造方法について説明する。

　図２０は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１を適用した表示パネル５の構成を、模式的に示した外観斜視図である。図２０に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル５は、ＴＦＴアレイ基板（すなわち本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１）と、対向基板（すなわちカラーフィルタ）５１とを備える。そしてこれらの間に液晶が充填される。表示パネル５の構成には、一般的な液晶表示パネルの構成が適用できるから、詳細な説明は省略する。

　本発明の実施形態にかかる表示パネル５の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板製造工程と、カラーフィルタ製造工程と、パネル（セル）製造工程とを含む。なお、ＴＦＴアレイ基板製造工程は、前記のとおりである。

　対向基板（カラーフィルタ）５１の構成とカラーフィルタ製造工程は次のとおりである。図２１は、対向基板（カラーフィルタ）５１の構成を模式的に示した図であり、具体的には図２１（ａ）は対向基板（カラーフィルタ）５１の全体構造を模式的に示した斜視図、図２１（ｂ）は対向基板（カラーフィルタ）５１に形成される一絵素の構成を抜き出して示した平面図、図２１（ｃ）は図２１（ｂ）のＦ－Ｆ線断面図であって、絵素の断面構造を示した図である。

　この図２１に示すように対向基板（カラーフィルタ）５１は、ガラスなどからなる透明基板５１１の表面にブラックマトリックス５１２が形成され、ブラックマトリックス５１２の各格子の内側には、赤色、緑色、青色のそれぞれの色の着色感材からなる着色層５１３が形成される。そしてこれら各色の着色層５１３が形成される格子が、所定の順序で配列される。ブラックマトリックス５１２および各色の着色層５１３の表面には保護膜５１４が形成され、保護膜５１４の表面には透明電極（共通電極）５１５が形成される。透明電極（共通電極）５１５の表面には、液晶の配向を制御する配向規制構造物５１６が形成される。

　カラーフィルタ製造工程には、ブラックマトリックス形成工程と、着色層形成工程と、保護膜形成工程と、透明電極（共通電極）形成工程とが含まれる。

　ブラックマトリックス形成工程の内容は、たとえば樹脂ＢＭ法であれば次のとおりである。まず、透明基板５１１の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物をいう）などが塗布される。次いで塗布されたＢＭレジストがフォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成される。これにより、所定のパターンのブラックマトリックス５１２が得られる。

　着色層形成工程では、カラー表示用の赤色、緑色、青色の各色の着色層５１３が形成される。たとえば着色感材法であれば次のとおりである。まず、ブラックマトリックス５１２が形成された透明基板５１１の表面に、着色感材（感光性材料に所定の色の顔料を分散した溶液をいう）が塗布される。次いで、塗布された着色感材が、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成される。そしてこの工程が、赤色、緑色、青色の各色について行われる。これにより各色の着色層５１３が得られる。

　ブラックマトリックス形成工程で用いる方法は、樹脂ＢＭ法に限定されるものではない。たとえばクロムＢＭ法、重ね合わせ法などの公知の各種方法が適用できる。着色層形成工程で用いる方法も、着色感材法に限定されるものではない。たとえば印刷法、染色法、電着法、転写法、エッチング法など、公知の各種方法が適用できる。また、先に着色層５１３が形成され、その後にブラックマトリックス５１２が形成される背面露光法を用いてもよい。

　保護膜形成工程では、ブラックマトリックス５１２および着色層５１３の表面に、保護膜５１４が形成される。たとえば、スピンコータを用いて前記工程を経た透明基板５１１の表面に保護膜材料が塗布される方法（全面塗布法）や、印刷またはフォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンの保護膜５１４が形成される方法（パターニング法）などが適用できる。保護膜材料には、たとえばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが適用できる。

　透明電極（共通電極）膜形成工程においては、保護膜５１４の表面に透明電極（共通電極）５１５が形成される。たとえばマスキング法であれば、前記工程を経た透明基板５１１の表面にマスクが配置され、スパッタリングなどによってＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などを蒸着させて透明電極（共通電極）５１５が形成される。

　次いで配向規制構造物５１６が形成される。この配向規制構造物５１６は、たとえばフォトリソグラフィ法などを用いて形成される。前記工程を経た透明基板５１１の表面に感光性材料が塗布され、フォトマスクを通じて所定のパターンに露光される。そしてその後の現像工程において不要な部分が除去され、所定のパターンの配向規制構造物５１６が得られる。

　このような工程を経て、対向基板（カラーフィルタ）５１が得られる。

　次いで、パネル（セル）製造工程について説明する。まず、前記工程を経て得たＴＦＴアレイ基板（すなわち本発明のいずれかの実施形態にかかる表示パネル用の基板１）と対向基板（カラーフィルタ）５１のそれぞれの表面に、配向膜が形成される。そして形成された配向膜に配向処理が施される。その後、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板と対向基板（カラーフィルタ）とが貼り合わせるとともに、これらの間に液晶が充填される。

　本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１と対向基板（カラーフィルタ）５１のそれぞれの表面に配向膜を形成する方法は次のとおりである。まず配向材塗布装置などを用いて、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１と対向基板（カラーフィルタ）５１のそれぞれの表面に配向材が塗布される。配向材とは、配向膜の原料となる物質を含む溶液をいう。配向材塗布装置には、たとえば円圧式印刷装置やインクジェット印刷装置など、従来一般の方法が適用できる。そして塗布された配向材は、配向膜焼成装置などを用いて加熱され、焼成される。

　次いで、焼成された配向膜に配向処理が施される。この配向処理としては、ラビングロールなどを用いて配向膜の表面に微小な傷をつける方法や、配向膜の表面に紫外線などの光エネルギを照射して配向膜の表面性状を調整する光配向処理など、公知の各種処理方法が適用できる。また、配向処理を施さない構成であっても良い。

　次いで、シールパターニング装置などを用いて、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板と対向基板（カラーフィルタ）の一方の表面に、シール材が塗布される。

　そしてスペーサ散布装置などを用いて、セルギャップを所定の値に均一に保つためのスペーサが、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１と対向基板（カラーフィルタ）５１の一方の表面に散布される。そして、液晶滴下装置などを用いて、本発明のいずれかの実施形態にかかる表示パネル用の基板と対向基板（カラーフィルタ）の一方の表面のシール材に囲まれる領域に、液晶が滴下される。

　そして、減圧雰囲気下で本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１と対向基板（カラーフィルタ）５１とが貼り合わせられる。なお、シール材を固化させた後に、本発明のいずれかの実施形態にかかる表示パネル用の基板１と対向基板（カラーフィルタ）５１の間に液晶が注入される方法であってもよい。

　このような工程を経て、本発明にかかる表示パネルが得られる。

　以上、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明したが、本発明は前記各実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の改変が可能であることはいうまでもない。

Claims

　断面が略半円形状に形成されるベースと、少なくとも一部が前記ベースに重畳する薄膜状の配線パターンと、を備えることを特徴とする表示パネル用の基板。
　長手方向に直角な方向の断面形状が略半円形状に形成されるベースと、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向であるとともに少なくとも一部が前記ベースに重畳して長手方向に直角な方向の断面の少なくとも一部が略円弧形状に形成される薄膜状の配線パターンと、を有することを特徴とする表示パネル用の基板。
　絵素電極と該絵素電極を駆動する薄膜トランジスタとを有する表示パネル用の基板であって、前記配線パターンは前記薄膜トランジスタに画像信号を伝送するデータ線、前記薄膜トランジスタのゲート電極に選択パルスを伝送する走査線、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記絵素電極とを電気的に接続するドレイン配線の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示パネル用の基板。
　絵素電極と該絵素電極を駆動する薄膜トランジスタとを有する表示パネル用の基板であって、前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびチャンネル領域の少なくとも一部は、断面形状が略半円形状に形成されるベースに重畳することを特徴とする表示パネル用の基板。
　前記ベースは、感光性樹脂材料から形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
　請求項１から請求項５のいずれかに記載の表示パネル用の基板と、対向基板とを備えることを特徴とする表示パネル。
　断面略方形のベースを形成する段階と、該ベースを断面略半円形状に形成する段階と、少なくとも一部が前記ベースに重畳する配線パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
　長手方向に直角な方向の断面形状が略方形の薄膜パターン状のベースを形成する段階と、該ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ部分を有するとともに、該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳して長手方向に直角な方向の断面形状が略円弧形状の部分を有する配線パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
　透明基板の表面に薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向である部分を有するとともに該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳する走査線を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
　所定の工程を経た透明基板の表面に薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向である部分を有するとともに該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳するデータ線を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
　所定の工程を経た透明基板の表面に薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、長手方向が前記ベースの長手方向と略同じ方向である部分を有するとともに該部分の少なくとも一部が前記ベースに重畳するドレイン配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
　ゲート電極とソース電極とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタが形成される表示パネル用の基板の製造方法であって、ゲート電極に重畳する薄膜パターン状のベースを形成する段階と、前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階と、少なくとも一部が前記ベースに重畳するドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
　前記ベースは感光性樹脂材料からなることを特徴とする請求項７から請求項１２に記載の表示パネル用の基板の製造方法。
　前記ベースの長手方向に直角な方向の断面形状を略半円形状に形成する段階は、前記ベースを加熱する段階またはキュア処理を施す段階であることを特徴とする請求項１３に記載の表示パネル用の基板の製造方法。
　請求項７から請求項１４のいずれかに記載の表示パネル用の基板の製造方法を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。