JPH05265034A - 溝付きガラス基板 - Google Patents
溝付きガラス基板Info
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- JPH05265034A JPH05265034A JP6011292A JP6011292A JPH05265034A JP H05265034 A JPH05265034 A JP H05265034A JP 6011292 A JP6011292 A JP 6011292A JP 6011292 A JP6011292 A JP 6011292A JP H05265034 A JPH05265034 A JP H05265034A
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- Japan
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- thin film
- groove
- glass substrate
- auxiliary
- auxiliary capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 補助容量が大きく且つ開口率の高い薄膜トラ
ンジスタ・ディスプレイを提供する。 【構成】 溝付きガラス基板１１の表面には、側壁に傾
斜を有する複数の溝１３が設けられる。この溝１３の側
壁に、ＣＶＤ等によってメタル薄膜１４,絶縁体薄膜１
５および透明メタル薄膜１６を順次積層して補助キャパ
シタを形成する。さらに表面をエッチングして平坦化す
る。こうして、ガラス基板の溝内に補助キャパシタを形
成することによって、必要最小面積で十分な補助容量を
有する補助キャパシタを形成し、開口率の高い薄膜トラ
ンジスタ・ディスプレイを提供する。
ンジスタ・ディスプレイを提供する。 【構成】 溝付きガラス基板１１の表面には、側壁に傾
斜を有する複数の溝１３が設けられる。この溝１３の側
壁に、ＣＶＤ等によってメタル薄膜１４,絶縁体薄膜１
５および透明メタル薄膜１６を順次積層して補助キャパ
シタを形成する。さらに表面をエッチングして平坦化す
る。こうして、ガラス基板の溝内に補助キャパシタを形
成することによって、必要最小面積で十分な補助容量を
有する補助キャパシタを形成し、開口率の高い薄膜トラ
ンジスタ・ディスプレイを提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置やＥＬ
(エレクトロ・ルミネッセンス)表示装置に用いられる溝
付きガラス基板に関する。
(エレクトロ・ルミネッセンス)表示装置に用いられる溝
付きガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置やＥＬ表示装置を製
造する際には、無アルカリガラスや石英等の透明非晶質
基板上に金属薄膜を堆積し、更にその上に絶縁体薄膜お
よび配線となる金属薄膜を形成して補助容量となる補助
キャパシタを形成するようにしている。この補助キャパ
シタは、ゲートとソースとの交差部の寄生容量を液晶部
分の容量よりも十分小さなものにするために設けるもの
である。
造する際には、無アルカリガラスや石英等の透明非晶質
基板上に金属薄膜を堆積し、更にその上に絶縁体薄膜お
よび配線となる金属薄膜を形成して補助容量となる補助
キャパシタを形成するようにしている。この補助キャパ
シタは、ゲートとソースとの交差部の寄生容量を液晶部
分の容量よりも十分小さなものにするために設けるもの
である。
【０００３】図４は、平坦な透明非晶質基板１上に平坦
な補助キャパシタ７を形成した概念図である。尚、３は
薄膜トランジスタ、４はゲートバスライン、５は補助容
量ライン、８はソースバスライン、９は液晶表示部であ
る。
な補助キャパシタ７を形成した概念図である。尚、３は
薄膜トランジスタ、４はゲートバスライン、５は補助容
量ライン、８はソースバスライン、９は液晶表示部であ
る。
【０００４】上記補助キャパシタ７の容量は液晶の容量
を補うことになる。ところが、補助キャパシタ７は液晶
表示パネルのある程度の面積を占めるので、液晶表示パ
ネルの開口率向上の妨げとなる。すなわち、図４に示す
ように、補助容量を大きくするために配線(すなわち、
補助容量ライン５)の幅を大きくすれば補助キャパシタ
７の占める面積が一層大きくなって開口率が小さくなる
のである。
を補うことになる。ところが、補助キャパシタ７は液晶
表示パネルのある程度の面積を占めるので、液晶表示パ
ネルの開口率向上の妨げとなる。すなわち、図４に示す
ように、補助容量を大きくするために配線(すなわち、
補助容量ライン５)の幅を大きくすれば補助キャパシタ
７の占める面積が一層大きくなって開口率が小さくなる
のである。
【０００５】小さい面積で大きな容量を稼ぐためには、
ゲート絶縁膜材料に誘電率の大きい材料を使ったり、ゲ
ート絶縁膜の厚さを薄くしたりしてパネル設計時に補助
キャパシタの部分だけ電極幅を大きくする等の工夫が必
要である。
ゲート絶縁膜材料に誘電率の大きい材料を使ったり、ゲ
ート絶縁膜の厚さを薄くしたりしてパネル設計時に補助
キャパシタの部分だけ電極幅を大きくする等の工夫が必
要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ゲ
ート絶縁膜材料に誘電率の大きい材料を使って補助キャ
パシタの容量を稼ぐ位では充分な補助容量を得ることは
できない。また、ゲート絶縁膜の厚さを薄くしようとす
ればゲート部で電流リークが生じたりして開口率の上昇
には限界があるという問題がある。
ート絶縁膜材料に誘電率の大きい材料を使って補助キャ
パシタの容量を稼ぐ位では充分な補助容量を得ることは
できない。また、ゲート絶縁膜の厚さを薄くしようとす
ればゲート部で電流リークが生じたりして開口率の上昇
には限界があるという問題がある。
【０００７】そこで、この発明の目的は、薄膜トランジ
スタ・ディスプレイの開口率を高く保持しつつ補助容量
を大きくして薄膜トランジスタ・ディスプレイの高性能
化を図ることにある。
スタ・ディスプレイの開口率を高く保持しつつ補助容量
を大きくして薄膜トランジスタ・ディスプレイの高性能
化を図ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明の溝付きガラス基板は、薄膜トランジス
タ・ディスプレイに用いられる透明ガラス基板であっ
て、表面に溝を設けたことを特徴としている。
め、第１の発明の溝付きガラス基板は、薄膜トランジス
タ・ディスプレイに用いられる透明ガラス基板であっ
て、表面に溝を設けたことを特徴としている。
【０００９】また、第２の発明の溝付きガラス基板は、
第１の発明の溝付きガラス基板において、上記溝はその
側壁が斜めになっていることを特徴としている。
第１の発明の溝付きガラス基板において、上記溝はその
側壁が斜めになっていることを特徴としている。
【００１０】また、第３の発明の溝付きガラス基板は、
第１あるいは第２の発明の溝付きガラス基板において、
上記溝内に金属膜,絶縁膜および透明金属膜を順次形成
した後、エッチバックして上記溝の表面を平坦化したこ
とを特徴としている。
第１あるいは第２の発明の溝付きガラス基板において、
上記溝内に金属膜,絶縁膜および透明金属膜を順次形成
した後、エッチバックして上記溝の表面を平坦化したこ
とを特徴としている。
【００１１】
【作用】第１の発明では、薄膜トランジスタ・ディスプ
レイに用いられる透明ガラス基板の表面に溝が設けられ
ている。したがって、この溝内に補助キャパシタを形成
することによって、表面積を大きくすることなく容量の
大きい補助キャパシタが形成される。
レイに用いられる透明ガラス基板の表面に溝が設けられ
ている。したがって、この溝内に補助キャパシタを形成
することによって、表面積を大きくすることなく容量の
大きい補助キャパシタが形成される。
【００１２】また、第２の発明では、上記溝の側壁が斜
めになっているので、この溝内に補助キャパシタを形成
する際に各膜の被覆性が十分であり、容易に容量の大き
い補助キャパシタが形成される。
めになっているので、この溝内に補助キャパシタを形成
する際に各膜の被覆性が十分であり、容易に容量の大き
い補助キャパシタが形成される。
【００１３】また、第３の発明では、上記溝内に金属
膜,絶縁膜および透明金属膜を順次成膜して補助キャパ
シタが形成された後、エッチバックして上記溝の表面が
平坦化されている。したがって、上部には容易に薄膜ト
ランジスタ等が形成される。
膜,絶縁膜および透明金属膜を順次成膜して補助キャパ
シタが形成された後、エッチバックして上記溝の表面が
平坦化されている。したがって、上部には容易に薄膜ト
ランジスタ等が形成される。
【００１４】
【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。図３は本実施例における無アルカリガラスや
石英等の透明非晶質基板である溝付きガラス基板１１に
補助キャパシタ１２を形成した概念図であり、図４と同
じ部品には同じ番号を付している。
説明する。図３は本実施例における無アルカリガラスや
石英等の透明非晶質基板である溝付きガラス基板１１に
補助キャパシタ１２を形成した概念図であり、図４と同
じ部品には同じ番号を付している。
【００１５】図１は上記溝付きガラス基板１１の斜視図
である。本実施例における補助キャパシタ１２は、図１
のような溝付きガラス基板１１の表面に設けられた複数
の溝１３内に形成するのである。そうすると、得られる
容量は Ｃ＝Ｓ・ε/ｄ 但し、Ｓ：溝の側壁面積 ｄ：絶縁体薄膜の厚み で与えられるので、小さい面積で大きな容量を得ること
ができる。したがって、図４に示す従来の補助キャパシ
タ７と同じ補助容量を得る場合には補助容量ライン５の
幅を十分細くでき、従来に比較して十分大きな開口率を
得ることができるのである。
である。本実施例における補助キャパシタ１２は、図１
のような溝付きガラス基板１１の表面に設けられた複数
の溝１３内に形成するのである。そうすると、得られる
容量は Ｃ＝Ｓ・ε/ｄ 但し、Ｓ：溝の側壁面積 ｄ：絶縁体薄膜の厚み で与えられるので、小さい面積で大きな容量を得ること
ができる。したがって、図４に示す従来の補助キャパシ
タ７と同じ補助容量を得る場合には補助容量ライン５の
幅を十分細くでき、従来に比較して十分大きな開口率を
得ることができるのである。
【００１６】図２は、図１に示す溝付きガラス基板１１
の溝１３内に形成された補助キャパシタ１２の断面構造
を示す図である。図２において、溝１３の側壁をメタル
薄膜１４で覆い、更にその上に絶縁体薄膜１５および透
明メタル薄膜１６を順次成膜した後に絶縁体１７で溝を
埋めて補助キャパシタ１２を形成する。尚、上記メタル
薄膜１４,絶縁体薄膜１５および透明メタル薄膜１６等
は、ＣＶＤ(化学蒸着)法,スパッタ法または真空蒸着法
によって成膜する。その際に、溝１３の側壁には傾斜が
付けられており、各膜の十分な被覆性が得られるように
なっている。
の溝１３内に形成された補助キャパシタ１２の断面構造
を示す図である。図２において、溝１３の側壁をメタル
薄膜１４で覆い、更にその上に絶縁体薄膜１５および透
明メタル薄膜１６を順次成膜した後に絶縁体１７で溝を
埋めて補助キャパシタ１２を形成する。尚、上記メタル
薄膜１４,絶縁体薄膜１５および透明メタル薄膜１６等
は、ＣＶＤ(化学蒸着)法,スパッタ法または真空蒸着法
によって成膜する。その際に、溝１３の側壁には傾斜が
付けられており、各膜の十分な被覆性が得られるように
なっている。
【００１７】そうした後、有機系液体等を固化してドラ
イエッチング装置等によってエッチングし、キャパシタ
１２が形成された溝付きガラス基板１１上を図２に示す
ように平坦化する。こうすることによって、後に薄膜ト
ランジスタ等を形成する際に支障なく形成できる。
イエッチング装置等によってエッチングし、キャパシタ
１２が形成された溝付きガラス基板１１上を図２に示す
ように平坦化する。こうすることによって、後に薄膜ト
ランジスタ等を形成する際に支障なく形成できる。
【００１８】こうして、溝付きガラス基板１１による補
助キャパシタ１２の形成とその後の平坦化プロセスによ
って、液晶パネルの開口率を容易に上げることができ、
明るく高精細な液晶パネルを製造できる。
助キャパシタ１２の形成とその後の平坦化プロセスによ
って、液晶パネルの開口率を容易に上げることができ、
明るく高精細な液晶パネルを製造できる。
【００１９】上記実施例においては、溝付きガラス基板
１１に形成されている溝１３の平面形状は正方形を有し
ているが、これに限定されるものではない。例えば、円
形を有するようにしてもよい。また、各溝１３の配列も
図１に示すような配列に限定されるものではない。
１１に形成されている溝１３の平面形状は正方形を有し
ているが、これに限定されるものではない。例えば、円
形を有するようにしてもよい。また、各溝１３の配列も
図１に示すような配列に限定されるものではない。
【００２０】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
溝付きガラス基板は、薄膜トランジスタ・ディスプレイ
に用いられる透明ガラス基板の表面に溝を設けているの
で、この溝内に補助キャパシタを形成することによっ
て、補助キャパシタの表面積を大きくすることなく補助
キャパシタの容量を大きくできる。したがって、薄膜ト
ランジスタ・ディスプレイの開口率を高く保持しつつ補
助容量を大きくして、薄膜トランジスタ・ディスプレイ
の高性能化を図ることができる。
溝付きガラス基板は、薄膜トランジスタ・ディスプレイ
に用いられる透明ガラス基板の表面に溝を設けているの
で、この溝内に補助キャパシタを形成することによっ
て、補助キャパシタの表面積を大きくすることなく補助
キャパシタの容量を大きくできる。したがって、薄膜ト
ランジスタ・ディスプレイの開口率を高く保持しつつ補
助容量を大きくして、薄膜トランジスタ・ディスプレイ
の高性能化を図ることができる。
【００２１】また、第２の発明の溝付きガラス基板は、
上記溝付きガラス基板の溝の側壁を斜めにしているの
で、この溝内に補助キャパシタを形成する際における各
膜の被覆性が十分であり、容易に容量の大きい補助キャ
パシタを形成できる。したがって、開口率が高くて明る
く、補助容量が大きくて高性能な薄膜トランジスタ・デ
ィスプレイを容易に作成できる。
上記溝付きガラス基板の溝の側壁を斜めにしているの
で、この溝内に補助キャパシタを形成する際における各
膜の被覆性が十分であり、容易に容量の大きい補助キャ
パシタを形成できる。したがって、開口率が高くて明る
く、補助容量が大きくて高性能な薄膜トランジスタ・デ
ィスプレイを容易に作成できる。
【００２２】また、第３の発明の溝付きガラス基板は、
上記溝内に金属膜,絶縁膜および透明金属膜を順次成膜
して補助キャパシタを形成した後、エッチバックして上
記溝の表面を平坦にしているので、上部に容易に薄膜ト
ランジスタ等を形成できる。したがって、開口率が高く
て明るく、補助容量が大きくて高性能な薄膜トランジス
タ・ディスプレイを更に容易に作成できる。
上記溝内に金属膜,絶縁膜および透明金属膜を順次成膜
して補助キャパシタを形成した後、エッチバックして上
記溝の表面を平坦にしているので、上部に容易に薄膜ト
ランジスタ等を形成できる。したがって、開口率が高く
て明るく、補助容量が大きくて高性能な薄膜トランジス
タ・ディスプレイを更に容易に作成できる。
【図１】この発明の溝付きガラス基板における斜視図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す溝付きガラス基板の溝内に形成され
た補助キャパシタの断面図である。
た補助キャパシタの断面図である。
【図３】図１に示す溝付きガラス基板にキャパシタを形
成した概念図である。
成した概念図である。
【図４】従来の平坦ガラス基板にキャパシタを形成した
概念図である。
概念図である。
１１…溝付きガラス基板、 １２…補助キャ
パシタ、１３…溝、 １４…
メタル薄膜、１５…絶縁体薄膜、 １
６…透明メタル薄膜。
パシタ、１３…溝、 １４…
メタル薄膜、１５…絶縁体薄膜、 １
６…透明メタル薄膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタ・ディスプレイに用い
られる透明ガラス基板であって、 表面に溝を設けたことを特徴とする溝付きガラス基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の溝付きガラス基板にお
いて、 上記溝は、その側壁が斜めになっていることを特徴とす
る溝付きガラス基板。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の溝付
きガラス基板において、 上記溝内に金属膜,絶縁膜および透明金属膜を順次形成
した後、エッチバックして上記溝の表面を平坦化したこ
とを特徴とする溝付きガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011292A JP2902516B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011292A JP2902516B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265034A true JPH05265034A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2902516B2 JP2902516B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=13132709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6011292A Expired - Lifetime JP2902516B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902516B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000081636A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2007187964A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器及びプロジェクタ |
| JP2019106331A (ja) * | 2017-12-14 | 2019-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
| JPS6481262A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Seiko Epson Corp | Active matrix substrate |
| JPH03274029A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置の薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP6011292A patent/JP2902516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
| JPS6481262A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Seiko Epson Corp | Active matrix substrate |
| JPH03274029A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置の薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000081636A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2007187964A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器及びプロジェクタ |
| JP4702067B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器及びプロジェクタ |
| JP2019106331A (ja) * | 2017-12-14 | 2019-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2902516B2 (ja) | 1999-06-07 |
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