JP4640026B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高精細の画像表示を行うものに好適な電気光学装置及び電子機器に関する。

例えば、液晶装置等の電気光学装置においては、データ線を駆動するためのデータ線駆動回路、走査線を駆動するための走査線駆動回路、画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路等を備えた駆動回路が、表示部の構成基板と同一の基板上に作り込まれるものがある。そして、この種の駆動回路では、データ線駆動回路から供給されるサンプリング回路駆動信号のタイミングで、サンプリング回路が画像信号線上に供給される画像信号をサンプリングし、データ線に供給するように構成されている。

また、電気光学装置では、駆動周波数の上昇を抑えつつ、高精細な画像表示を実現するために、シリアルな画像信号を、複数のパラレルな画像信号に変換（すなわち、相展開）し、複数本の画像信号線を介して表示部に同時に供給する技術も既に実現されている。この場合、複数の画像信号が、複数のサンプリングスイッチによって同時にサンプリングされ、複数本のデータ線に対して同時に供給されるように構成されている。

さらに、狭ピッチで配線される隣接信号線の影響によるノイズを低減するための技術として、例えば、特許文献１には、駆動回路の要所（サンプリング回路上の相隣接する薄膜トランジスタの間隙等）に電磁シールドを形成する技術が開示されている。
特開２００５−７７４８４号公報

しかしながら、この種の電気光学装置において、画像表示の更なる高精細化が進み、画像信号の更なる高周波化等が進むと、たとえ、上述の特許文献１に開示された技術のように、駆動回路の要所に電磁シールドを形成したとしても、その電磁シールドに対し、少なからず、電磁波のリークや回り込み等が発生し、隣接する信号線間が容量結合される場合がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、画像信号におけるノイズの影響を抑制し、高品位の画像表示を可能にすることができる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る第１の電気光学装置は、表示領域において、複数の走査線及び複数のデータ線の各交点に対応して設けられた第１のスイッチング素子と、前記表示領域に設けられた少なくとも３層の金属層と、前記表示領域の周辺に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線と、前記複数のデータ線に夫々対応して設けられ、（ｉ）前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、（ｉｉ）前記画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、（ｉｉｉ）平面的に見て、前記ドレイン領域及び前記ソース領域間に形成されたチャネル領域に重なるように配設されたゲート電極とを夫々有する複数の第２のスイッチング素子と、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に夫々電気的に接続されたｎ個の第２のスイッチング素子各々のゲート電極に駆動信号を供給することによって、前記ｎ個の第２のスイッチング素子のグループ毎に、前記複数の第２のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、少なくとも２層の前記金属層により形成され、（ｉ）前記画像信号線から前記データ線が延びる方向に沿って配設され、前記ソース領域に電気的に接続されたソース配線と、（ｉｉ）前記駆動回路から前記グループ毎に対応して配設された本線部、及び前記本線部から延在し、前記本線部が対応するグループに含まれるｎ個の第２のスイッチング素子のゲート電極に夫々電気的に接続されたｎ本の延在部を有するゲート配線と、を含む配線部と、前記配線部を形成する前記金属層以外の前記金属層を用いて前記配線部を覆う第１のシールド部と、前記第１のシールド部に電気的に接続され、前記本線部のうち前記ソース配線が延びる方向に沿って配設された部分と前記部分と相隣接するソース配線との間に介在する第２のシールド部とを有する電磁シールドと、を具備し、前記電磁シールドは、前記表示領域の蓄積容量を構成する一方の電極と同層の前記金属層で形成されている。

このような構成によれば、配線部を第１のシールド部で覆い、配線部内の各信号線が第１のシールド部と容量結合可能な構成とすることにより、相隣接する信号線間の容量結合成分が分散される。従って、隣り合う信号線の電位変化の影響が軽減される。さらに、配線部内部の要所に第２のシールド部を介在させることにより、高いシールド効果が実現される。

従って、画像信号におけるノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示を可能にすることができる。その際、少なくとも３層の金属層を用いて表示領域を構成し、少なくとも２層の金属層を用いて信号線を形成することにより配線を無理なく実現することができ、信号線を形成する金属層以外の金属層を用いて電磁シールドを形成することにより、隣接領域の任意の場所に電磁シールドを形成することができる。

本発明に係る第２の電気光学装置は、表示領域において、複数の走査線及び複数のデータ線の各交点に対応して設けられた第１のスイッチング素子と、前記表示領域に形成される蓄積容量の両側の各々の容量電極及びデータ線の各々に対応した３層の金属層と、前記表示領域の周辺に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線と、前記複数のデータ線に夫々対応して設けられ、（ｉ）前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、（ｉｉ）前記画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、（ｉｉｉ）平面的に見て、前記ドレイン領域及び前記ソース領域間に形成されたチャネル領域に重なるように配設されたゲート電極とを夫々有する複数の第２のスイッチング素子と、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に夫々電気的に接続されたｎ個の第２のスイッチング素子各々のゲート電極に駆動信号を供給することによって、前記ｎ個の第２のスイッチング素子のグループ毎に、前記複数の第２のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、少なくとも２層の前記金属層により形成され、（ｉ）前記画像信号線から前記データ線が延びる方向に沿って配設され、前記ソース領域に電気的に接続されたソース配線と、（ｉｉ）前記駆動回路から前記グループ毎に対応して配設された本線部、及び前記本線部から延在し、前記本線部が対応するグループに含まれるｎ個の第２のスイッチング素子のゲート電極に夫々電気的に接続されたｎ本の延在部を有するゲート配線と、を含む配線部と、前記配線部を形成する前記金属層以外の前記金属層を用いて前記配線部を覆う第１のシールド部と、前記第１のシールド部に電気的に接続され、前記本線部のうち前記ソース配線が延びる方向に沿って配設された部分と前記部分と相隣接するソース配線との間に介在する第２のシールド部とを有する電磁シールドと、を具備し、前記電磁シールドは、前記蓄積容量を構成する一方の容量電極と同層の前記金属層で形成されている。

このような構成によれば、配線部を第１のシールド部で覆い、配線部内の各信号線が第１のシールド部と容量結合可能な構成とすることにより、相隣接する信号線間の容量結合成分が分散される。従って、隣り合う信号線の電位変化の影響が軽減される。さらに、配線部内部の要所に第２のシールド部を介在させることにより、高いシールド効果が実現される。

従って、画像信号におけるノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示を可能にすることができる。その際、表示領域に形成される蓄積容量の両側の各々の容量電極及びデータ線を各々に対応した３層の金属層で構成し、これらのうちの２層の金属層を用いて隣接領域に信号線を形成することにより配線を無理なく実現することができ、信号線を形成する金属層以外の金属層を用いて電磁シールドを形成することにより、隣接領域の任意の場所に電磁シールドを形成することができる。

ここで、特に、前記電磁シールドは、前記駆動回路を覆い前記表示領域の周辺領域に延在して形成されることが望ましい。

このように構成すれば、前記スイッチング素子の駆動回路まで電磁シールドを拡張することができ、画像信号におけるノイズの影響をより高レベルで抑制し、高品位の画像表示の実現することができる。

また、前記電磁シールドは前記蓄積容量の固定電位側の電極と電気的に接続されていることが望ましい。

このように構成すれば、電磁シールドを常に一定電位に維持することができ、第１のシールド部によって各信号線の電位変化の影響が効果的に低減される。

本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を表示手段として用いる。

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投写型表示装置、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の各種電子機器を実現できる。

以下、図面を参照して本発明の形態を説明する。図面は本発明の一形態に係わり、図１は液晶パネルの構成を示す平面図、図２は図１のＨ−Ｈ'線での断面図である。図３は液晶パネルの画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、図４から図６はＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図４及び図５は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分(図５)に相当する。図６は積層構造を拡大した平面図であり、図４及び図５を重ね合わせたようになっている。図７は図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。図８は液晶装置の構成を示すブロック図である。図９はサンプリング回路及び配線部の要部を示す平面図である。図１０は図９のＩ−Ｉ線での断面図、図１１は図９のII−II線での断面図、図１２は図９のIII−III線での断面図、図１３は図９のIV−IV線での断面図、図１４は図９のＶ−Ｖ線での断面図である。図１５は容量結合された信号線を示す説明図であり、図１６、図１７は電磁シールドの変形例を示す平面図である。図１８は電子光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。図８に示すように、本実施形態において、液晶装置は、液晶パネル１００と、タイミングジェネレータ２００と、画像信号処理回路２５０とを備える。 ＜液晶パネルの全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る液晶パネル１００の全体構成について、説明する。図１及び図２において、本実施形態に係る液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路１５０が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線１０５が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜が形成されている。そして、遮光膜上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

＜画像表示領域の構成＞
次に、本実施形態に係る液晶パネル１００の画素部における構成について、図３から図７を参照して説明する。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

＜画素部の原理的構成＞
図３において、本実施形態に係る液晶パネル１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するための第１のスイッチング素子としてのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、例えば、相隣接する複数（例えば４本）のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給する。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。

＜画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図４から図７を参照して説明する。

図４から図７では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第５層が上層部分として図５に示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。

本実施形態では特に、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａに対向する領域を含むように配置されており、導電膜からなる。このため、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光についても、走査線１１ａによりチャネル領域１ａを下層側から遮光できる。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ'、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。

尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。

（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。

データ線６ａは、例えば、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ'に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を遮光できる。また、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。

本実施形態の変形例として、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａに対向する側には、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等の導電膜に比べて反射率が低い導電膜を形成してもよい。変形例によれば、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａに対向する側の面、即ちデータ線６ａの下層側の面で前述した戻り光が反射して、これから多重反射光や迷光等が発生することを防止できる。よって、チャネル領域１ａに対する光の影響を低減することができる。このようなデータ線６ａは、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａに対向する側の面、即ち、データ線６ａの下層側の面に、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等よりも反射率が低い材質のメタル、或いは、バリアメタルを形成するとよい。尚、Ａｌ膜等よりも反射率の低い材質のメタル、或いは、バリアメタルとしては、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）等を用いることができる。

中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極（画素電位側電極）３００と下部電極（固定電位側電極）７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。なお、本発明では蓄積容量７０にたいして、画素電位側電極が上部電極、固定電位側電極が下部電極とする構成になっているが、画素電位側電極を下部電極、固定電位側電極を上部電極とし、下部電極側を中継層６００と電気的に接続する構成とすることも可能である。

容量電極３００又は下部電極７１は、例えば、Ａｌ、ＴＩ、Ｗなどの遮光性の高い金属を含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものからなる。このため、データ線６ａ上に層間絶縁膜４２を介して近接配置可能な蓄積容量７０によって、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を、より一層確実に遮光できる。

更に、下部電極７１における容量電極３００に誘電体膜７５を介して対向する縁には、テーパが設けられている（図７中、円Ｃ１参照）。このため、縁付近における下部電極７１と容量電極３００との間隔は、テーパを設けない場合と比較して広い。従って、縁付近における製造不良でショートが生じる可能性や、電界集中により欠陥が生じる可能性を低減できる。

加えて、上部電極をパターンニングする際に、下部電極の表面が露出したり、下部電極と上部電極の端面が揃う事によって容量部の電気的耐圧が悪化してしまうことの無いよう、エッチストップ膜や主となる容量形成領域の縁部に保護膜を形成する構成にすれば、信頼性の面においてなお良い。

誘電体膜７５は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている、即ち、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。

第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第２層間絶縁膜４２の表面は、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理、スピンコート処理、凹への埋め込み処理等の平坦化処理がなされている。よって、下層側のこれらの要素に起因した凹凸が除去され、第２層間絶縁膜４２の表面は平坦化されている。このため、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に挟みこまれた液晶層５０の配向状態に乱れを生じさせる可能性を低減することができ、より高品位な表示が可能となる。尚、このような平坦化処理は、他の層間絶縁膜の表面に対して行ってもよい。

（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。

画素電極９ａ（図５中、破線９ａ'で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。

画素電極９ａは、第３層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図７参照）。よって、画素電極９ａの直ぐ下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。

更に上述したように、容量電極３００の延在部と中継層６００と、及び、中継層６００とＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。従って、画素電極及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。

画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。

以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成であり、本実施形態においては、データ線６ａ及び中継層６００を形成する第１の金属層、下部電極７１を形成する第２の金属層、及び、容量電極３００を形成する第３の金属層からなる３層の金属層を有する。

他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図７では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜が設けられている。

このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。

以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１を参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶パネル１００では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路１５０等を備えた駆動手段としての駆動回路１２０が形成されている。そして、この駆動回路１２０は、タイミングジェネレータ２００及び信号処理回路２５０等から供給される各種信号に基づいて画像表示領域１０ａの各画素を駆動制御する。

＜画像表示領域の駆動制御系＞
図８に示すように、タイミングジェネレータ２００は、各部で使用されるタイミング信号や制御信号などを出力するものである。

また、画像信号処理回路２５０内部におけるＳ／Ｐ（Serial to Parallel）変換回路２５２は、１系統の画像信号Ｖｉｄｅｏを入力すると、相展開による書き込みを行うために、例えば４系統の画像信号にシリアル−パラレル変換して出力する。ここで、画像信号を４系統にシリアル−パラレル変換する理由は、サンプリング回路１５０において、サンプリング用のスイッチング素子（第２のスイッチング素子）でありスイッチ１５１を構成するＴＦＴのソース領域への画像信号の印加時間を長くして、サンプリング時間及び充放電時間を十分に確保するためである。言い換えれば、サンプリング回路１５０に係る駆動周波数が極端に高くなってしまうことを回避するためである。

また、画像信号処理回路２５０内部における増幅・反転回路２５４は、シリアル−パラレル変換された画像信号のうち、反転が必要となるものを反転させ、この後、適宜、増幅して画像信号として液晶パネル１００に対して並列的に供給するものである。なお、反転するか否かについては、一般には、データ信号の印加方式が走査線１１ａ単位の極性反転であるか、データ線６ａ単位の極性反転であるか、画素単位の極性反転であるかに応じて定められ、その反転周期は、１水平走査期間またはドットクロック周期に設定される。

なお、極性反転とは、画像信号の振幅中心電位を基準として正極性と負極性に交互に電圧レベルを反転させることをいう。例えば、対向電極２１の電位或いは共通電位を基準電位として、その正側及び負側に反転させる。なお、接地電位或いはグランド電位を基準電位として、正負に反転させてもよい。また、４系統の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４を液晶パネル１００に供給するタイミングは、図８に示す液晶装置では同時とするが、ドットクロックに同期して順次ずらしてもよく、この場合は、サンプリング回路１５０にて４系列の画像信号を順次サンプリングする構成となる。

画像表示領域１０ａの駆動に４相展開を採用した場合、サンプリング回路１５０は、４本のデータ線６ａを１群（ブロック）とし、これらの群に属するデータ線６ａに対し、サンプリング信号Ｑ１、…Ｑｌのうち対応する一つにしたがって、画像信号を同時にサンプリングして供給する。詳細には、サンプリング回路１５０は、各データ線６ａ毎に設けられるスイッチ１５１からなり、各スイッチ１５１は、データ線６ａの一端と、画像信号の何れかが供給される信号線との間に介挿されるとともに、そのゲートにサンプリング信号Ｑ１、…Ｑｌが供給される構成となっている。

画像信号処理回路２５０からは、配線部１７０に形成された４本の信号線１７１を介して、４種類の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４がサンプリング回路１５０にパラレルに供給されるようになっている。

データ線駆動回路１０１は、水平走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＸ−ＲまたはＤＸ−Ｌを、クロック信号ＣＬＸ及びその反転クロック信号ＣＬＸinvにしたがって順次シフトすることによって、サンプリング信号Ｑ１、…Ｑｌを所定の順番で出力するものである。データ線駆動回路１０１に供給されるクロック信号ＣＬＸ、その反転クロック信号ＣＬＸinv、転送開始パルスＤＸ−Ｒ（ＤＸ−Ｌ）及びイネーブル信号（パルス幅制限信号）ＥＮＢ１、ＥＮＢ２は、いずれもタイミングジェネレータ２００によって、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４と同期して供給されるものである。

なお、水平走査方向が左右方向である場合には、水平走査期間の最初に転送開始パルスＤＸ−Ｒが供給されるとともに、転送制御信号Ｒがアクティブとされる。一方、水平走査方向が左方向である場合には、水平走査期間の最初に転送開始パルスＤＸ−Ｌが供給されるとともに、転送制御信号Ｌがアクティブとされる。このように本実施形態では、データ線駆動回路１０１は、双方向型である。但し、いずれかの転送開始パルスＤＸ−ＲまたはＤＸ−Ｌのみに適用した片方向型であってもかまわない。

走査線駆動回路１０４は、出力信号の引き出し方向と入力される信号とが異なり、駆動周波数が異なる以外、基本的にはデータ線駆動回路１０１の構成と同様である。すなわち、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１を９０度左回転して配置したものであり、図８に示すように、パルスＤＸ−Ｒ（ＤＸ−Ｌ）及び転送制御信号Ｒ（Ｌ）の代わりに、パルスＤＹ−Ｄ（ＤＹ−Ｕ）及び転送制御信号Ｄ（Ｕ）を入力すると共に、クロック信号ＣＬＹ及びその反転クロック信号ＣＬＸinvの代わりに、水平走査期間毎に、クロック信号ＣＬＹ及びその反転クロック信号ＣＬＹinvを入力する構成となっている。これにより、走査線駆動回路１０４は、走査信号Ｙ１、…Ｙｍを線順次で出力する。

なお、垂直走査方向が下方向である場合には、垂直走査期間の最初にパルスＤＹ−Ｄが供給されるとともに、転送制御信号Ｄがアクティブとされる。一方、垂直走査方向が上方向である場合には、垂直走査期間の最初にパルスＤＹ−Ｕが供給されるとともに、転送制御信号Ｕがアクティブとされる。このように本実施形態では、走査線駆動回路１０４は、双方向型である。但し、何れかの転送開始パルスＤＹ−ＤまたはＤＹ−Ｕのみに適用した片方向型であってもかまわない。

次に、サンプリング回路１５０及び配線部１７０の詳細な構成について、図９乃至図１４を参照して説明する。

図１０に示すように、本実施形態においてサンプリング回路１５０の各スイッチ１５１は、例えば、画像表示領域１０ａのＴＦＴ３０と略共通の製造プロセスで形成されるＬＤＤ構造のＴＦＴである。すなわち、ＴＦＴ３０と同様に、各スイッチ１５１は、ゲート電極１５３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極１５３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。このスイッチ１５１の上層には、第１層間絶縁膜４１が積層されている。そして、スイッチ１５１の高濃度ドレイン領域１ｅには、画像表示領域１０ａから延設するデータ線６ａが、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール１８０を介して電気的に接続されている。

また、図９に示すように、配線部１７０には、データ線６ａと同一の金属層（第１の金属層）によって、各スイッチ１５１の高濃度ソース領域１ｄに対応する信号線１７２、及び、各スイッチ１５１のゲート電極に接続される信号線１７３が形成され、さらに、群毎にデータ線駆動回路１０１に接続する信号線１７４が形成されている。

そして、図１０に示すように、信号線１７２は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール１８２を介して、スイッチ１５１の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。また、信号線１７３は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール１８３を介して、スイッチ１５１のゲート電極１５３ａに電気的に接続されている。また、図１０〜１４に示すように、データ線６ａ及び各信号線１７２〜１７４の上層には、第２層間絶縁膜４２が積層されている。

また、図９に示すように、配線部１７０には、画像表示領域１０ａにおいて蓄積容量７０の下部電極７１を形成する金属層と同一の金属層（第２の金属層）によって、信号線１７３信号線１７４とを群毎に中継する信号線１７５が形成され、さらに、画像信号処理回路２５０に接続する４本の信号線１７１が形成されている。

そして、図１１に示すように、信号線１７５は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１８５を介して信号線１７４に電気的に接続され、さらに、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１８６を介して信号線１７３に電気的に接続されている。これにより、各スイッチ１５１のゲートには、群毎に個別のサンプリング信号Ｑ１、…Ｑｌが供給される構成となっている。

また、図１４に示すように、信号線１７１は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１８８を介して、対応する信号線１７２に電気的に接続されている。これにより、各群の４個のスイッチ１５１には、対応する映像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４がパラレルに供給される構成となっている。

また、図１０〜１４に示すように、各信号線１７１，１７５の上層には、層間絶縁膜４５が積層されている。なお、画像表示領域１０ａにおいて、蓄積容量７０の誘電体膜７５は、層間絶縁膜４５がエッチング等によって除去された領域に形成される。従って、層間絶縁膜４５は、図７においては不図示である。

さらに、層間絶縁膜４５の上層には、画像表示領域１０ａにおいて蓄積容量７０の容量電極３００を形成する金属層と同一の金属層（第３の金属層）によって、電磁シールド１９０が形成されている。電磁シールド１９０は、配線部１７０の上層部を一体的に覆う第１のシールド部１９１と、駆動回路１２０内部の要所（本実施形態において、具体的には、順次相展開する群間に位置する信号線１７４の両側）に埋設して介在する第２のシールド部１９２とを有する。

ここで、図９に示すように、本実施形態において、電磁シールと１９０は、駆動回路１２０（具体的には、サンプリング回路１５０）まで延在されている。また、図１３に示すように、本実施形態において、第２のシールド部１９２は、例えば、層間絶縁膜４５，４２，４１にホールを形成し、当該ホールに第３の金属層を埋め込むことにより形成される円柱状のシールド部である。なお、第２のシールド部１９２は、円柱状のものに代えて、例えば、層間絶縁膜４５，４２，４１にグルーブを形成し、当該グルーブに第３の金属層を埋め込むことにより形成される板状のシールド部であってもよい。

また、図示しないが、本実施形態において、電磁シールド１９０は、コンタクトホール等を介して、画像表示領域１０ａ内で蓄積容量７０の固定電位側電極である下部電極７１に、コンタクトホール等を介して電気的に接続されている。

このように、本実施形態において、配線部１７０の各信号線１７１〜１７５は、画像表示領域１０ａにおいてデータ線６ａ及び中継層６００等を形成する第１の金属層と蓄積容量７０の下部電極７１等を形成する第２の金属層とで形成されている。また、電磁シールド１９０は、画像表示領域１０ａにおいて容量電極３００を形成する第３の金属層で形成されている。すなわち、液晶パネル１００上に形成される駆動回路１２０の各構成素子や信号線等、及び電磁シールド１９０は、画像表示領域１０ａのＴＦＴ３０及び蓄積容量７０等と共通の製造プロセスで形成される。

このような構成によれば、配線部１７０の上層部を第１のシールド部１９１で覆い、各信号線１７１〜１７５等が第１のシールド部１９１と容量結合可能な構成とすることにより、相隣接する信号線間との容量結合成分を分散することができる。従って、隣り合う信号線の電位変化の影響を軽減することができる。例えば、図１５に示すように、相隣接する相展開の群間において、相隣接する信号線１７２，１７４間の容量結合成分（Ｃ１）は、信号線１７２と第１のシールド部１９１と容量結合（Ｃ２）、及び、信号線１７４と第１のシールド部１９１と容量結合（Ｃ０）によって分散されるので、信号線１７２，１７４間の電位変化の影響が軽減される。さらに、第２のシールド部１９２を信号線間の要所に埋設して介在させることにより、高いシールド効果を実現することができる。従って、画像信号におけるノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示を可能にすることができる。

その際、少なくとも３層の金属層を用いて画像表示領域１０ａを構成し、そのうちの少なくとも２層の金属層を用いて信号線１７１〜１７５を形成することにより、配線部１７０内で互いに交差する各信号線の配線を無理なく実現することができ、各信号線１７１〜１７５を形成する第１，第２の金属層よりも上層の第３の金属層を用いて電磁シールド１９０を形成することにより、配線部１７０の任意の場所に電磁シールドを形成することができる。

また、配線部１７０に形成した電磁シールド１９０を、例えばサンプリング回路１５０等の駆動回路１２０側に拡張することにより、画像信号におけるノイズの影響をより高いレベルで抑制し、高品位の画像表示を実現することができる。

また、電磁シールド１９０を蓄積容量７０の固定電位側の電極である下部電極７１と電気的に接続することにより、電磁シールド１９０を常に一定電位に維持することができ、第１のシールド部１９１によって各信号線１７１〜１７５の電位変化の影響を効果的に低減できる。

ここで、例えば図１６に示すように、上述の電磁シールド１９０を、配線部１７０の特に高いシールド性が要求される領域に対して限定的に形成することも可能である。この場合においても、電磁シールド１９０は、信号線１９５，１９６を形成する少なくとも２層の金属層の上層に積層される金属層によって、好適に形成される。

逆に、例えば、図１７に示すように、第１のシールド部１９１は、画像表示領域１０ａの周辺領域の全域に形成されるものであってもよい。このように構成すれば、第１のシールド部１９１に遮光膜としての機能を持たせることができる。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を電子機器に適用する場合の一例として、液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタ（投写型表示装置）について説明する。

図１８に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、該電気光学装置を備えてなる電子機器及び該電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

液晶パネルの構成を示す平面図 図１のＨ−Ｈ'線での断面図 液晶パネルの画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図 ＴＦＴアレイ基板上の画素群の下層部分に係る構成のみを示す平面図 ＴＦＴアレイ基板上の画素群の上層部分に係る構成のみを示す平面図 図４と図５を重ね合わせた場合の一部を拡大した平面図 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図 液晶装置の構成を示すブロック図 サンプリング回路及び配線部の要部を示す平面図 図９のＩ−Ｉ線での断面図 図９のII−II線での断面図 図９のIII−III線での断面図 図９のIV−IV線での断面図 図９のＶ−Ｖ線での断面図 容量結合された信号線を示す説明図 電磁シールドの変形例を示す平面図 電磁シールドの変形例を示す平面図 電子光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図

符号の説明

６ａ…データ線、１０ａ…画像表示領域（表示領域）、１１ａ…走査線、３０…ＴＦＴ（第１のスイッチング素子）、７０…蓄積容量、７１…下部電極、１００…液晶パネル、１０１…データ線駆動回路（駆動手段）、１０４…走査線駆動回路（駆動手段）、１１００…プロジェクタ、１２０…駆動回路、１５０…サンプリング回路、１５１…スイッチ（第２のスイッチング素子）、１７０…配線部、１７１〜１７５…信号線、１９０…電磁シールド、１９１…第１のシールド部、１９２…第２のシールド部、１９５，１９６…信号線、３００…容量電極、４００…容量配線、６００…中継層

Claims (5)

1. 表示領域において、
   複数の走査線及び複数のデータ線の各交点に対応して設けられた第１のスイッチング素子と、
   前記表示領域に設けられた少なくとも３層の金属層と、
   前記表示領域の周辺に、
   シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線と、
   前記複数のデータ線に夫々対応して設けられ、（ｉ）前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、（ｉｉ）前記画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、（ｉｉｉ）平面的に見て、前記ドレイン領域及び前記ソース領域間に形成されたチャネル領域に重なるように配設されたゲート電極とを夫々有する複数の第２のスイッチング素子と、
   前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に夫々電気的に接続されたｎ個の第２のスイッチング素子各々のゲート電極に駆動信号を供給することによって、前記ｎ個の第２のスイッチング素子のグループ毎に、前記複数の第２のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、
   少なくとも２層の前記金属層により形成され、（ｉ）前記画像信号線から前記データ線が延びる方向に沿って配設され、前記ソース領域に電気的に接続されたソース配線と、（ｉｉ）前記駆動回路から前記グループ毎に対応して配設された本線部、及び前記本線部から延在し、前記本線部が対応するグループに含まれるｎ個の第２のスイッチング素子のゲート電極に夫々電気的に接続されたｎ本の延在部を有するゲート配線と、を含む配線部と、
   前記配線部を形成する前記金属層以外の前記金属層を用いて前記配線部を覆う第１のシールド部と、前記第１のシールド部に電気的に接続され、前記本線部のうち前記ソース配線が延びる方向に沿って配設された部分と前記部分と相隣接するソース配線との間に介在する第２のシールド部とを有する電磁シールドと、
   を具備し、
   前記電磁シールドは、前記表示領域の蓄積容量を構成する一方の電極と同層の前記金属層で形成されている
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 表示領域において、
   複数の走査線及び複数のデータ線の各交点に対応して設けられた第１のスイッチング素子と、
   前記表示領域に形成される蓄積容量の両側の各々の容量電極及びデータ線の各々に対応した３層の金属層と、
   前記表示領域の周辺に、
   シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線と、
   前記複数のデータ線に夫々対応して設けられ、（ｉ）前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、（ｉｉ）前記画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、（ｉｉｉ）平面的に見て、前記ドレイン領域及び前記ソース領域間に形成されたチャネル領域に重なるように配設されたゲート電極とを夫々有する複数の第２のスイッチング素子と、
   前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に夫々電気的に接続されたｎ個の第２のスイッチング素子各々のゲート電極に駆動信号を供給することによって、前記ｎ個の第２のスイッチング素子のグループ毎に、前記複数の第２のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、
   少なくとも２層の前記金属層により形成され、（ｉ）前記画像信号線から前記データ線が延びる方向に沿って配設され、前記ソース領域に電気的に接続されたソース配線と、（ｉｉ）前記駆動回路から前記グループ毎に対応して配設された本線部、及び前記本線部から延在し、前記本線部が対応するグループに含まれるｎ個の第２のスイッチング素子のゲート電極に夫々電気的に接続されたｎ本の延在部を有するゲート配線と、を含む配線部と、
   前記配線部を形成する前記金属層以外の前記金属層を用いて前記配線部を覆う第１のシールド部と、前記第１のシールド部に電気的に接続され、前記本線部のうち前記ソース配線が延びる方向に沿って配設された部分と前記部分と相隣接するソース配線との間に介在する第２のシールド部とを有する電磁シールドと、
   を具備し、
   前記電磁シールドは、前記蓄積容量を構成する一方の容量電極と同層の前記金属層で形成されている
   ことを特徴とする電気光学装置。
3. 前記電磁シールドは、前記駆動回路を覆い前記表示領域の周辺領域に延在して形成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電気光学装置。
4. 前記電磁シールドは前記蓄積容量の固定電位側の電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
5. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の電気光学装置を表示手段として用いたことを特徴とする電子機器。

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