JP2007121809A - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、複数の画像信号線間の配線抵抗及び電気容量に起因する縦帯状の表示むらを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、複数の画素部と、複数の画素部が配列された画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、複数のデータ線に供給するための画像信号が供給される画像信号線とを備える。更に、画像信号線から画像信号を複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路を備えており、画像信号線は、データ線駆動回路と互いに重なる第１部分を有する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、一般に、シリアル−パラレル変換（或いは、「シリアル−パラレル展開」又は「相展開」とも称される）された画像信号に基づいて駆動される。例えば、液晶装置において、基板上の画像表示領域に配線された複数のデータ線は所定の本数毎にブロック化されており、シリアル−パラレル変換された画像信号は、ブロック単位で、該ブロックに含まれるデータ線にサンプリングスイッチを介して供給される。これにより、所定の本数のデータ線が同時に、且つ複数のデータ線は所定の本数毎に順次駆動される。この場合、複数の画像信号線は、複数の外部回路接続端子からサンプリングスイッチを含むサンプリング回路に至るまで、基板上で並走すると共にデータ線駆動回路を回避するように配線されるのが一般的である。例えば特許文献１に本願出願人により開示されているように、複数の画像信号線は、データ線駆動回路を構成するいずれかの膜と同一膜から夫々構成されると共に基板上で平面的に見てデータ線駆動回路と互いに重ならないように配線される。

特開平１１−９５２５７号公報

しかしながら、上述の如く、基板上で並走すると共にデータ線駆動回路を回避するように複数の画像信号線を配線した場合には、複数の画像信号線間の配線長に比較的大きな差が生じてしまう。このため、複数の画像信号線間における配線抵抗或いは電気容量のばらつきが大きくなってしまい、画像表示において各画像信号線に対応した縦帯状のむら、言い換えれば、パラレルな画像信号により同時に駆動されるブロック単位のむらが発生してしまうという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、複数の画像信号線間の配線抵抗や電気容量に起因する縦帯状の表示むらを低減する電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素部と、前記複数の画素部が配列された画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記複数のデータ線に供給するための画像信号が供給される画像信号線と、前記画像信号線から前記画像信号を前記複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路とを備えており、前記画像信号線は、前記データ線駆動回路と互いに重なる第１部分を有する。

本発明の電気光学装置によれば、その駆動時には、画像信号が、例えば外部回路接続端子を介して画像信号線に供給され、更に、例えば、データ線に対応して配列された複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路へと供給される。尚、画像信号は、シリアル−パラレル変換されたＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）系列の画像信号であって、画像信号線は、これらＮ系列の画像信号が夫々供給されるＮ本の画像信号線であってもよい。例えば、Ｎ系列の画像信号は、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数系列のパラレルな画像信号（即ち、パラレルな複数個の画像信号）に変換されることによって生成されてもよい。

このような画像信号の供給と並行して、データ線駆動回路によって、例えばデータ線に対応するサンプリングスイッチに、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線毎に画像信号が順次供給される。よって、複数のデータ線は、順次駆動されることとなる。尚、サンプリングスイッチは、例えば、片チャネル型のＴＦＴにより夫々構成され、ソースが画像信号線に電気的に接続され、ドレインがデータ線に接続され、ゲートにサンプリング信号が供給されることでオン状態とされる。

このようにデータ線が駆動されると、各画素部では、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して供給される走査信号に応じて、スイッチング動作を行う画素スイッチング素子を介して、データ線より画像信号が表示素子に供給される。これにより、例えば表示素子である液晶素子は供給された画像信号に基づいて画素領域或いは画素アレイ領域（又は「画像表示領域」とも呼ぶ）において画像表示を行う。

ここで特に、データ線駆動回路は、典型的には、画素領域の周辺に位置する周辺領域において基板上の一辺に沿って配置される。一方、画像信号線は、典型的には、外部回路との電気的な接続のために周辺領域における基板の縁（例えば、前記一辺）に近い領域に配列された外部回路接続端子から複数のデータ線に夫々対応する複数のサンプリングスイッチまで配線される。即ち、外部回路接続端子は、典型的には、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路に対して、画素領域とは反対側に位置する。このため、仮に何らの対策も施さねば、画像信号線は、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路を回避するように、即ち、データ線駆動回路の周囲を迂回するように配線しなければならず、画像信号線の配線長が比較的長くならざるを得ない。従って、画像信号線の配線抵抗或いは電気容量が大きくなってしまう。或いは、画像信号線が例えばＮ（但し、Ｎは、２以上の自然数）系列の画像信号を供給するためのＮ本の画像信号線である場合には、外回りと内回りとの差異によりＮ本の画像信号線間の配線長の差異が比較的大きくならざるを得ない。従って、Ｎ本の画像信号線間の配線抵抗或いは電気容量の差異に起因して、画像表示において縦帯状のむら、言い換えれば、パラレルな画像信号により同時に駆動されるブロック単位のむらが発生してしまう。

しかるに本発明では特に、画像信号線は、データ線駆動回路と互いに重なる第１部分を有する。即ち、画像信号線は、例えば、データ線駆動回路を構成する導電膜に対して層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する導電膜から形成されており、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路と部分的に互いに重なる。よって、上述した、画像信号線が、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路を回避するように配線される場合と比較して、画像信号線の配線長を短くすることができる。或いは、画像信号線が例えばＮ系列の画像信号を供給するためのＮ本の画像信号線である場合には、Ｎ本の画像信号線間の配線長の差異を殆ど或いは実践的な意味で完全に無くすことができる。即ち、基板上で平面的に見て、基板上におけるデータ線駆動回路の縁側（即ち、外部回路接続端子に近い側）から中央側（即ち、画素部に近い側）へと、画像信号線が、データ線駆動回路上や下或いはデータ線駆動回路中を通過するように構成すれば、基板上で平面的に見てデータ線駆動回路と互いに重なる第１部分を有する分だけ、画像信号線の配線長を短くすることが可能であると共に配線の自由度が高い。或いは、画像信号線が例えばＮ系列の画像信号を供給するためのＮ本の画像信号線である場合には、Ｎ本の画像信号線間の配線長の差異を殆ど或いは実践的な意味で完全に無くすことができる。従って、Ｎ本の画像信号線間の配線抵抗或いは電気容量の差異に起因して生じる縦帯状の表示むらを殆ど或いは実践的な意味で完全に無くすことが可能となる。

更に、第１部分は、基板上で平面的に見てデータ線駆動回路と互いに重なるので、上述した、画像信号線が基板上で平面的に見てデータ線駆動回路を回避するように配線される場合と比較して、画像信号線を配線するのに必要な基板上の面積を小さくすることができる。よって、基板のサイズを小さくすることにより電気光学装置を小型化する、或いは、基板上の面積を有効利用し、例えば他の配線或いは回路を配置することにより電気光学装置を高性能化することも可能となる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１部分は、前記データ線駆動回路を構成する複数の第１の導電膜に対して層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する第２の導電膜から形成される。

この態様によれば、画像信号線とデータ線駆動回路を構成する複数の第１の導電膜とを電気的に接続することなく、即ち互いに絶縁させつつ、画像信号線及びデータ線駆動回路を、基板上で平面的に見て、互いに部分的に重ねることができる。よって、画像信号線の配線長を短くすることが可能であると共に配線の自由度が高い。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号線は、前記複数のデータ線を、Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するために、Ｎ系列のシリアル−パラレル変換された画像信号が外部回路接続端子を介して供給されるＮ本の画像信号線を含み、前記データ線駆動回路は、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域において前記基板の一辺に沿って配置されており、前記外部回路接続端子は、前記周辺領域において前記一辺に沿って且つ前記データ線駆動回路に対して前記画素領域と反対側に配列されており、前記Ｎ本の画像信号線は、前記周辺領域において前記一辺の方向に延在し且つ前記データ線駆動回路と前記画素領域との間に配線された第２部分を夫々有し、前記第１部分は、前記外部回路接続端子から前記第２部分まで、前記一辺と交わる方向に配線される。

この態様によれば、その駆動時には、シリアル−パラレル変換されたＮ系列の画像信号が、外部回路接続端子を介してＮ本の画像信号線に供給され、更に、例えば、複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路へと供給される。このような画像信号の供給と並行して、データ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ系列の画像信号が順次供給される。よって、同一のデータ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。言い換えれば、複数のデータ線は、所定の本数毎にブロック化されており、ブロック単位で、同時に駆動されることとなる。本態様では特に、第１部分は、基板の一辺に沿って配列された外部回路接続端子から、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路と互いに重なるように、一辺と交わる方向に配線され、一辺の方向に延在した（言い換えれば、データ線駆動回路に沿った）第２部分まで配線される。よって、Ｎ本の画像信号線が、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路を回避するように配線される場合と比較して、Ｎ本の画像信号線間の配線長の差異を殆ど或いは実践的な意味で完全に無くすことを、第１部分を形成することによって一層有効にできる。尚、第１部分及び第２部分は、同一の導電膜から一体的に形成されてもよいし、相異なる導電膜から形成されると共に例えば層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてもよい。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素部の各々は、前記基板上で前記データ線よりも上層側に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量を備え、前記データ線駆動回路を構成する複数の配線は、前記データ線及び前記下側電極を夫々構成する第１及び第２導電膜のうち少なくとも一方の導電膜と同一膜からなり、前記第１部分は、前記上側電極を構成する第３導電膜と同一膜からなる。

この態様によれば、データ線駆動回路を構成する複数の配線は、データ線及び下側電極を夫々構成する第１及び第２導電膜のうち少なくとも一方の導電膜と同一膜からなり、第１部分は、上側電極を構成する第３導電膜と同一膜からなる。即ち、データ線駆動回路を構成する第１の導電膜は、第１及び第２導電膜のうち少なくとも一方と同一膜であり、第１部分を構成する第２の導電膜は、第３導電膜と同一膜である。ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜である」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。よって、データ線駆動回路を構成する複数の配線は、データ線及び下側電極のうち少なくとも一方の形成と同一機会に形成することができ、更に、第１部分は、上側電極の形成と同一機会に形成することができる。即ち、製造工程の複雑化を招くことなく、データ線駆動回路を構成する複数の配線を第１及び第２導電膜のうち少なくとも一方から形成できると共に第１部分を第３導電膜から形成できる。従って、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路と重なるように第１部分を確実に形成できる。

尚、蓄積容量によって、例えば画素部を構成する画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路を備え、前記データ線駆動回路は、前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給する。

この態様によれば、データ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ系列の画像信号が順次供給される。よって、同一のデータ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。言い換えれば、複数のデータ線は、所定の本数毎にブロック化されており、ブロック単位で、同時に駆動されることとなる。しかるに本態様によれば、Ｎ本の画像信号線が、基板上で平面的に見て、データ線駆動回路を回避するように配線される場合と比較して、Ｎ本の画像信号線間の配線長の差異を殆ど或いは実践的な意味で完全に無くすことを、第１部分を形成することによって一層有効にできる。

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

（第１実施形態）
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１１を参照して説明する。

先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

本実施形態では特に、引回配線９０には、後述する第１部分及び第２部分を有する画像信号線が含まれている。即ち、引回配線９０は、図１において、データ線駆動回路１０１を縦に横切る画像信号線を含むが、これについては後に詳述する。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、液晶装置の全体構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、液晶装置の全体構成を示すブロック図である。

図３に示すように、液晶装置は、液晶パネル１００を備えると共に、外部回路として設けられた画像信号供給回路７２０、タイミング制御回路７３０、及び電源回路７１０を備える。

タイミング制御回路７３０は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路７３０の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。

画像信号供給回路７２０には、外部から１系統の入力画像データＶＩＤが入力される。画像信号供給回路７２０は、１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換して、Ｎ相（但し、Ｎは２以上の自然数）、本実施形態では６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を生成する。更に、画像信号供給回路７２０において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が出力されるようにしてもよい。

また、電源回路７１０は、所定の共通電位ＬＣＣの共通電源を、図２に示す対向電極２１に供給する。本実施形態において、対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。

次に、液晶パネルにおける電気的な構成について、図４を参照して説明する。ここに図４は、液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。

図４に示すように、液晶パネル１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を含む内部駆動回路が設けられている。

走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍを順次生成して出力する。

データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。

サンプリング回路７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７ｓを複数備える。

液晶パネル１００は更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ及び走査線１１ａを備え、それらの交点に対応する各画素部７００に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８の画素電極９ａ、及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０を備える。尚、本実施形態では特に、走査線１１ａの総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線６ａの総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。

６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、Ｎ本、本実施形態では６本の画像信号線１７０を介して液晶パネル１００に供給される。そして、ｎ本のデータ線６ａは、以下に説明するように、画像信号線１７０の本数に対応する６本のデータ線６ａを１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。

データ線駆動回路１０１から、データ線群に対応するサンプリングスイッチ７ｓ毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ７ｓはオン状態となる。後述するように、各サンプリングスイッチ７ｓは、分岐配線を介して画像信号線１７０に接続されている。尚、この分岐配線の詳細な構成は後述する。

よって、６本の画像信号線１７０から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、オン状態となったサンプリングスイッチ７ｓを介して、データ線群に属するデータ線６ａに同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、データ線群に属するデータ線６ａは互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、ｎ本のデータ線６ａをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。

図４中、一つの画素部７００の構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、６）が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１ａが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。ここで、各画素部７００において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７００は、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。

走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍによって、各走査線１１ａは線順次に選択される。選択された走査線１１ａに対応する画素部７００において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態となり、当該画素部７００は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶パネル１００からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量７０が、液晶素子１１８と並列に付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。

次に、データ線の駆動に係る主要な構成について、図５を参照して説明する。ここに図５は、データ線の駆動に係る回路構成を示す回路図である。

以下では、データ線６ａの駆動に係る主要な構成について、ｎ本のデータ線６ａが、その配列方向に沿って片方向に或いは双方向のうちの一方の方向にデータ線群毎に順次駆動される際、データ線駆動回路１０１から第（ｉ−１）番目、第ｉ番目、及び第（ｉ＋１）番目に出力される３つのサンプリング信号Ｓｉ−１、Ｓｉ、Ｓｉ＋１に基づいて駆動される３つのデータ線群のうち、特に第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉに基づいて駆動される第ｉデータ線群の構成に着目して説明する。尚、以下に説明する第ｉデータ線群に係る構成は、第（ｉ−１）データ線群及び第（ｉ＋１）データ線群についても同様である。

図５において、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａｅ（即ち、データ線６ａｅ−１〜６ａｅ−６）の配列に対応して、分岐配線１７５のうち６本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ６が配列されている。また、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６は、データ線６ａｅの配列方向に交差する方向に沿って配列されている。そして、６本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ６の一端は、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６のうち対応する一本に、夫々電気的に接続されると共に、これら６本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ６の他端は夫々サンプリングスイッチ７ｓを介してデータ線６ａｅに電気的に接続される。各サンプリングスイッチを構成するＴＦＴ７ｓは、ソースが分岐配線Ｅｋに接続されると共に、ドレインがデータ線６ａｅに電気的に接続される。また、各ＴＦＴ７ｓのゲートは、制御配線Ｘ１〜Ｘ６を介してデータ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。尚、制御配線Ｘ１〜Ｘ６には第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉがデータ線駆動回路１０１から供給される。

ＴＦＴアレイ基板１０上において、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６は、後に詳述するが、例えば、データ線６ａｅ、或いは蓄積容量７０を構成する電極と同一膜から形成される。また、制御配線Ｘ１〜Ｘ６は、画像信号線１７０−１〜１７０−６と交差する方向であってデータ線６ａｅの延びる方向に配線され、例えばポリシリコン膜によって形成されている。また、各分岐配線Ｅ１〜Ｅ６は、対応する画像信号線１７０−ｋに電気的に接続される一端側よりデータ線６ａｅの延びる方向に、配線されている。そして、各分岐配線Ｅ１〜Ｅ６の一部はサンプリングスイッチ７ｓのソース電極を形成し、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａｅの各々の一部はサンプリングスイッチ７ｓのドレイン電極を形成し、各制御配線Ｘ１〜Ｘ６の一部はサンプリングスイッチ７ｓのゲート電極を形成している。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的な構成について、図６から図８を参照して説明する。ここに図６及び図７は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図であり、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図６）と上層部分(図７)に相当する。図８は、図６及び図７を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図６から図８では、図４を参照して上述した画素部７００の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図６に示され、第４層から第５層が上層部分として図７に示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図６のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図６のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。

走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａ´に対向する領域を含むように配置されており、導電膜からなる。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。

尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもよい。

（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。

データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。また、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。

尚、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａに対向する側には、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等の導電膜に比べて反射率が低い導電膜を形成してもよい。このようにすれば、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａに対向する側の面、即ちデータ線６ａの下層側の面で前述した戻り光が反射して、これから多重反射光や迷光等が発生することを防止できる。よって、チャネル領域１ａに対する光の影響を低減することができる。このようなデータ線６ａは、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａに対向する側の面、即ち、データ線６ａの下層側の面に、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等よりも反射率が低い材質のメタル、或いは、バリアメタルを形成するとよい。尚、Ａｌ膜等よりも反射率の低い材質のメタル、或いは、バリアメタルとしては、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）等を用いることができる。

中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図６に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、本発明に係る「上側電極」の一例としての容量電極３００と本発明に係る「下側電極」の一例としての下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。

容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。

容量電極３００又は下部電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。

誘電体膜７５は、図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている、即ち、開口領域に殆ど形成されていない。誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。

第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第２層間絶縁膜４２の表面は、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理、スピンコート処理、凹への埋め込み処理等の平坦化処理がなされている。よって、下層側のこれらの要素に起因した凹凸が除去され、第２層間絶縁層４２の表面は平坦化されている。尚、このような平坦化処理は、他の層間絶縁膜の表面に対して行ってもよい。

（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。

画素電極９ａ（図７中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図６及び図７参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる。

画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図８参照）。よって、画素電極９ａの直ぐ下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。

更に上述したように、容量電極３００の延在部と中継層６００と、及び、中継層６００とＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。

画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。

以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。

他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図８では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。

このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。

以上に説明した画素部の構成は、図６及び図７に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。

次に、本実施形態に係る液晶装置のデータ線駆動回路の具体的な構成について、図９を参照して説明する。ここに図９は、データ線駆動回路用ＴＦＴ、及び画像信号線の第１部分配線を含む断面図である。尚、図９においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。ここでは、データ線駆動回路を構成する駆動素子であるデータ線駆動回路用ＴＦＴの具体的構成を中心に説明する。

図９に示すように、データ線駆動回路１０１は、画素部７００と同様な積層構造からなる。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０上に第１層として、走査線１１ａと同層に位置する遮光膜１１０ａが形成されている。その上層側に第１層間絶縁膜４１を介して、第２層として、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同層に位置するデータ線駆動回路用ＴＦＴ２０２が形成されている。データ線駆動回路用ＴＦＴ２０２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様に、例えばＬＤＤ構造とされ、ゲート電極２０２ｇａ、半導体層２０２ａ、ゲート電極２０２ｇａと半導体層２０２ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極２０２ｇａは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極３ａと同層に形成され、半導体層２０２ａは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａと同層に形成される。半導体層２０２ａは、チャネル領域２０２ａ´、低濃度ソース領域２０２ｂ及び低濃度ドレイン領域２０２ｃ、並びに高濃度ソース領域２０２ｄ及び高濃度ドレイン領域２０２ｅからなる。尚、データ線駆動回路用ＴＦＴ２０２は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域２０２ｂ、低濃度ドレイン領域２０２ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極２０２ｇａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

データ線駆動回路用ＴＦＴ２０２のゲート電極２０２ｇａは、その一部分２０２ｇｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１４ｃｖを介して遮光膜１１０ａに電気的に接続されている。尚、本実施形態に係るデータ線駆動回路用ＴＦＴ２０２は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。

データ線駆動回路用ＴＦＴ２０２の上層側には、第１層間絶縁膜４１を介して、第３層として、ソース配線２０４ｓ及びドレイン配線２０４ｄが形成されている。尚、ソース配線２０４ｓ及びドレイン配線２０４ｄは、本発明に係る「複数の配線」の一例である。ソース配線２０４ｓは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８１０を介して、データ線駆動回路用ＴＦＴ２０２の高濃度ソース領域２０２ｄと電気的に接続されている。ドレイン配線２０４ｄは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３０を介して、データ線駆動回路用ＴＦＴ２０２の高濃度ドレイン領域２０２ｅと電気的に接続されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像信号線の具体的な構成について、図９から図１１を参照して説明する。ここに図１０は、画像信号線及びデータ線駆動回路のＴＦＴアレイ基板上におけるレイアウトを示す平面図である。図１１は、画像信号線の第２部分配線の構成を示す斜視図である。

図１０において、本実施形態では特に、６本の画像信号線１７０は夫々、第１部分配線１７１及び第２部分配線１７２を有する。以下では、主として、画像信号線１７０−１の第１部分配線１７０−１及び第２部分配線１７０−２について説明するが、他の画像信号線１７０−２〜１７０−６も同様の構成となっている。

再び図９において、第１部分配線１７１−１は、上述した蓄積容量７０の容量電極３００（図８参照）と同一膜から形成されている。即ち、第１部分配線１７１−１は、データ線駆動回路１０１のＴＦＴ２０２、ソース配線２０４ｓ及びドレイン配線２０４ｄを構成する導電膜に対して第２層間絶縁膜４２を介して上層側に位置する導電膜から形成されている。

一方、図１０に示すように、第２部分配線１７２−１は、データ線駆動回路１０１に対して画像表示領域１０ａと同じ側に、データ線駆動回路１０１に沿って（即ち図中、左右方向に）配線されている。

更に、図１１に示すように、第２部分配線１７２−１は、副部分配線１７２−１ａ及び１７２−１ｂからなる２重配線構造を有している。副部分配線１７２−１ａは、容量配線３００（図８参照）と同一膜からなり、第１部分配線１７１−１と一体的に形成されている。副部分配線１７２−１ｂは、下部電極７１（図８参照）と同一膜からなり、分岐配線１７５と一体的に形成されている。副部分配線１７２−１ａ及び１７２−１ｂは、誘電体膜７５に開孔されたコンタクトホール６１及び６２を介して電気的に接続されている。よって、第２部分配線１７２−１は、２重配線構造を有することにより低抵抗化されている。

尚、図１１に示すように、第２部分配線１７２−１が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、他の第２部分配線１７２−２〜１７２−６と電気的に接続された分岐配線１７５と交差する部分については、副部分配線１７２−１ｂは、部分的に途切れるように構成されている。副部分配線１７２−１ａ及び１７２−１ｂは、対応する分岐配線１７５毎に形成されたコンタクトホール６１を介して電気的に接続されている。

更に尚、図示はしないが、例えば、第２部分配線１７２−２が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、第１部分配線１７１−１と交差する部分については、副部分配線１７２−２ａは、部分的に途切れるように構成されている。

再び図１０に示すように、本実施形態では特に、第１部分配線１７１−１〜１７１−６は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てデータ線駆動回路１０１と互いに重なっている。即ち、第１部分配線１７１−１〜１７１−６は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って配列された外部回路接続端子１０２−１〜１０２−６からデータ線駆動回路１０１に対して反対側に配線された第２部分配線１７２−１〜１７２−６まで、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てデータ線駆動回路１０１と重なるように配線されている。よって、６本の画像信号線が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線駆動回路１０１を回避するように（即ち、データ線駆動回路１０１と重ならないように、データ線駆動回路１０１の周りを迂回して）配線される場合と比較して、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６間の配線長の差異を殆ど或いは好ましくは完全に無くすことができる。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるデータ線駆動回路１０１の縁側（即ち、図中、下側）から中央側（即ち、図中、上側）へと、画像信号線１７０が、データ線駆動回路１０１上を通過するように構成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てデータ線駆動回路１０１と互いに重なる第１部分配線１７１を有する分だけ、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６の配線長を短くすることが可能であると共に配線の自由度が高いので、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６間の配線長の差異を殆ど或いは好ましくは完全に無くすことができる。従って、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６間の配線抵抗或いは電気容量の差異に起因して生じる縦帯状の表示むらを殆ど或いは好ましくは完全に無くすことが可能となっている。

更に、第１部分配線１７１−１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てデータ線駆動回路１０１と互いに重なるので、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線駆動回路１０１を回避するように配線される場合と比較して、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６を配線するのに必要なＴＦＴアレイ基板１０上の面積を小さくすることができる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを小さくすることにより液晶装置全体を小型化する、或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上の面積を有効利用し、例えば他の配線或いは回路を配置することにより液晶装置を高性能化することも可能である。

尚、図１０に示すように、第２部分配線１７２における、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てコンタクトホール６２よりも左側の部分１７９（即ち、分岐配線１７５と交差しない部分）を設けることによって、複数の画像信号線１７０間の配線抵抗或いは電気容量が一層調整可能とされている。尚、実践上、このような調整の必要が無い場合には、部分１７９においては分岐配線１７５との電気的な接続点が存在しないので、部分１７９をなくして構成してもよい。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図１２を参照して説明する。ここに図１２は、第２実施形態における図１０と同趣旨の平面図である。尚、図１２において、図１から図１１に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１２に示すように、第１部分配線１７１−１〜１７１−６は、データ線群毎、即ちデータ線群に対応する６本の分岐配線毎の間隔で配列されてもよい。

この場合にも、第１実施形態と同様に、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６間の配線長の差異を殆ど或いは好ましくは完全に無くすことができる。従って、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６間の配線抵抗或いは電気容量の差異に起因して生じる縦帯状の表示むらを殆ど或いは好ましくは完全に無くすことが可能である。

更に、第１部分配線１７１−１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てデータ線駆動回路１０１と互いに重なるので、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線駆動回路１０１を回避するように配線される場合と比較して、６本の画像信号線１７０−１〜１７０−６を配線するのに必要なＴＦＴアレイ基板１０上の面積を小さくすることができる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを小さくすることにより液晶装置全体を小型化する、或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上の面積を有効利用し、例えば他の配線或いは回路を配置することにより液晶装置を高性能化することも可能である。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１３に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１４は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１４において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

更に、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１５は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１５において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。

尚、図１３から図１５を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´の断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。 液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。 データ線の駆動に係る回路構成を示す回路図である。 ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図であり、積層構造のうち下層部分に相当する図である。 ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図であり、積層構造のうち上層部分に相当する図である。 図６及び図７を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。 データ線駆動回路用ＴＦＴ、及び画像信号線の第１部分配線を含む断面図である。 画像信号線及びデータ線駆動回路のＴＦＴアレイ基板上におけるレイアウトを示す平面図である。 画像信号線の第２部分配線の構成を示す斜視図である。 第２実施形態における図１０と同趣旨の平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。

符号の説明

６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１１ａ…走査線、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、４１、４２、４３…層間絶縁膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１７０…画像信号線、１７１…第１部分配線、１７２…第２部分配線、１７５…分岐配線、７００…画素部、ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６…画像信号

Claims (6)

1. 基板上に、
   複数の画素部と、
   前記複数の画素部が配列された画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
   前記複数のデータ線に供給するための画像信号が供給される画像信号線と、
   前記画像信号線から前記画像信号を前記複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と
   を備えており、
   前記画像信号線は、前記データ線駆動回路と互いに重なる第１部分を有する
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１部分は、前記データ線駆動回路を構成する複数の第１の導電膜に対して層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する第２の導電膜から形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記画像信号線は、前記複数のデータ線を、Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するために、Ｎ系列のシリアル−パラレル変換された画像信号が外部回路接続端子を介して供給されるＮ本の画像信号線を含み、
   前記データ線駆動回路は、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域において前記基板の一辺に沿って配置されており、
   前記外部回路接続端子は、前記周辺領域において前記一辺に沿って且つ前記データ線駆動回路に対して前記画素領域と反対側に配列されており、
   前記Ｎ本の画像信号線は、前記周辺領域において前記一辺の方向に延在し且つ前記データ線駆動回路と前記画素領域との間に配線された第２部分を夫々有し、
   前記第１部分は、前記外部回路接続端子から前記第２部分まで、前記一辺と交わる方向に配線される
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記複数の画素部の各々は、前記基板上で前記データ線よりも上層側に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量を備え、
   前記データ線駆動回路を構成する複数の配線は、前記データ線及び前記下側電極を夫々構成する第１及び第２導電膜のうち少なくとも一方の導電膜と同一膜からなり、
   前記第１部分は、前記上側電極を構成する第３導電膜と同一膜からなる
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路を備え、
   前記データ線駆動回路は、前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給する
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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