JP2000162634A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 周辺回路内蔵型の液晶装置等の電気光学装置
において、画素部を構成する薄膜の有効利用により周辺
回路の入出力配線における電気抵抗を低めて、高品質の
画像表示を可能にする。 【解決手段】 液晶装置は、一対の基板間に挟持された
液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリ
クス状に設けられた画素電極（９ａ）とを備える。高融
点金属からなる第１遮光膜（１１ａ）が、画素スイッチ
ング用ＴＦＴ（３０）、走査線（３ａ）、容量線（３
ｂ）等の下側に形成されている。画像信号線（１１５）
等の周辺配線は、データ線（６ａ)と同じ金属膜からな
る第２配線部と、これに立体的に交差可能な、走査線と
同じポリシリコン膜及び遮光膜からなる第１配線部とを
含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下適宜、ＴＦＴと称する）によるアクティブマトリ
クス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びその製造
方法の技術分野に属し、特に、データ線駆動回路や走査
線駆動回路などの周辺回路を内蔵する周辺回路内蔵型
で、ＴＦＴの下側に遮光膜を設けた形式の液晶装置等の
電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、周辺回路内蔵型の液晶装置におい
ては、液晶を挟持する一対の基板の一方であるＴＦＴア
レイ基板上に、データ線駆動回路、走査線駆動回路、サ
ンプリング回路などの周辺回路が形成される。これらの
周辺回路は、製造効率等の観点より、各画素部に設けら
れ各画素電極に印加される画像信号のスイッチング制御
を行うためのＴＦＴ（以下適宜、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴと称する）と同一の構造を用いた製造プロセスによ
り形成されるのが一般的である。そして、ＴＦＴアレイ
基板上には、液晶に対向する画像表示領域内に多数のデ
ータ線及び走査線が相交差して配線される。また、この
画像表示領域外にあり液晶を封入するためのシール材に
対向するシール領域や更にその外側に位置する周辺領域
には、周辺回路の入出力配線が配線されている。より具
体的には、周辺回路の入出力配線として、データ線、走
査線及び容量線からの引き出し配線等がシール領域下に
設けられており、外部回路接続端子に接続された画像信
号線、制御信号線、電源配線、クロック信号線などが周
辺領域に設けられている。

【０００３】特に周辺回路としてサンプリング回路を備
えた液晶装置では、外部回路接続端子を介して画像信号
が画像信号線に供給されると、データ線駆動回路から所
定タイミングで出力されるサンプリング回路駆動信号に
よりサンプリング回路の各サンプリングスイッチが画像
信号をデータ線毎にサンプリングするように構成されて
いる。

【０００４】ここで、画像信号線は、液晶にかける印加
電圧を規定する画像信号そのものを供給する信号線であ
るが故に、その画像信号の遅延が低いことが、画質劣化
を防ぐ上で極めて重要となる。このため、液晶装置を構
成する配線材料のうち最も低抵抗であり、通常はデータ
線を形成するのに用いられるＡｌ(アルミニウム)等の金
属膜から画像信号線は形成される。

【０００５】これに対し、走査線を金属膜や金属シリサ
イド膜から形成する技術は、走査線形成後の高温プロセ
スにおいて、走査線における膜剥れが起きてしまう等の
理由から実用化されておらず、走査線は通常ポリシリコ
ン膜で形成される。このポリシリコン膜のシート抵抗
は、例えば、Ａｌ等の金属膜からなるシート抵抗と比較
して、数十倍になり、配線抵抗が大きくなる。従って、
仮にポリシリコン膜から画像信号線を形成した場合に
は、当該配線抵抗が大きくなることにより信号遅延が生
じ、画質劣化が引き起こされるのである。このため実際
には、画像信号線は、前述のように金属膜から形成され
る。

【０００６】このように構成された周辺回路内蔵型の液
晶装置では、画像信号線が一本であれば、基板端部に設
けられた外部回路接続端子からサンプリング回路の各サ
ンプリングスイッチに至るまで、基板上の同一層にある
（即ち、同一工程により形成される）金属膜により配線
することが可能である。しかし、例えば液晶装置におけ
る高周波駆動に対応すべくシリアル−パラレル変換され
た画像信号に対しシリアル−パラレル変換数に応じて画
像信号線が複数本必要となる場合や、ＲＧＢのカラー画
像信号に対し色別に画像信号線が複数本必要となる場合
などには、各サンプリングスイッチに至る間に、少なく
とも一本の画像信号線が他の画像信号線とどこかで交差
せねば配線できないことになる。即ち、同一層にある金
属膜のみを用いて複数の画像信号線の全てを配線するこ
とは不可能となる。このため、当該金属膜に対し層間絶
縁膜を介して別層にあるポリシリコン膜を中継配線（第
１配線部）として用いて対処している。より具体的に
は、交差する箇所では、一方の配線を、低抵抗な金属膜
からなる第２配線部として構成する。そして、他方の配
線を、層間絶縁膜を介して第２配線部の下又は上を立体
的に交差させるように、交差する箇所の前後に開孔され
たコンタクトホールを介して金属膜からなる配線部分に
電気接続されたポリシリコン膜からなる第１配線部とし
て構成する。

【０００７】以上のように交差する箇所だけをポリシリ
コン膜からなる第１配線部とし、それ以外の箇所を低抵
抗な金属膜からなる第２配線部とすれば、ポリシリコン
膜からなる中継配線の長さは、非常に短くて済むため、
当該ポリシリコン膜からなる中継配線の存在による画像
信号線全体の時定数の上昇が実用上問題となることは殆
どなかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】近時の画質向上という
一般的要請の下、所謂ＸＧＡ方式、ＳＸＧＡ方式など液
晶装置の駆動周波数は益々高くなってきており、これに
伴って、シリアル−パラレル変換数も、例えば２４相な
ど、かなり多数になってきている。

【０００９】しかしながら、このように多数にシリアル
−パラレル変換すると、並列配置される画像信号線の数
も当然に多くなり、これに応じて前述のポリシリコン膜
を用いた中継配線の長さは長くなる。ここで、配線抵抗
は長さに比例して大きくなるため、中継配線の配線抵抗
は高くなり、これに起因して画像信号線の時定数は大き
くなってしまい、画質の劣化を引き起こすようになる。
例えば、画像信号線の時定数が大きくなると、カップリ
ング容量の増大により画像信号の電位揺れが引き起こさ
れたり、次段のライン（列）に自段のライン（列）用の
画像信号が書込まれてゴーストやクロストークが生じた
りする問題がある。

【００１０】また仮に、シール領域や周辺領域における
中継配線を、画素部では用いられない金属膜等から別途
形成するのでは、プレーナ技術を用いた製造プロセスに
おける製造効率が低下してコスト上昇を招いてしまい、
周辺回路内蔵型の液晶装置の基本的利点が失われかねな
い。

【００１１】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、周辺回路内蔵型の液晶装置等の電気光学装置
において、画素部を構成する薄膜の有効利用により周辺
回路の入出力配線における電気抵抗が低められており、
高品質の画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方
法を提供することを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の電気光学
装置は上記課題を解決するために、基板上に複数の走査
線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ
線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジ
スタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタの
少なくともチャネル領域を平面的に覆うように配置され
た導電性の遮光膜と、前記走査線と前記データ線の少な
くとも一方に信号を供給するための周辺回路と、前記周
辺回路に接続された周辺配線とを備えており、前記周辺
配線は、前記遮光膜を形成する第１導電膜を含む第１配
線部と、前記薄膜トランジスタ、前記データ線及び前記
走査線を構成する複数の薄膜の少なくとも一つの導電膜
を含む第２配線部とを有することを特徴とする。

【００１３】本発明の第１の電気光学装置によれば、基
板上に遮光膜が薄膜トランジスタの少なくともチャネル
領域を平面的に覆うように設けられている。従って、薄
膜トランジスタのチャネル領域は、遮光膜により遮光さ
れており、薄膜トランジスタへの光の侵入等による特性
劣化を防止できる。本発明では特に、周辺配線は、薄膜
トランジスタ、データ線及び走査線を構成する複数の薄
膜層のうちの一つである導電膜からなる第２配線部と、
遮光膜と同一膜からなる第１配線部とを有する。例え
ば、第１導電膜を導電性の高融点金属膜であるＴｉ（チ
タン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ
（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰｂ（鉛）のう
ちの少なくとも一つを含む、金属単体、金属又は金属シ
リサイド層等により形成すれば配線抵抗を顕著に低める
ことが可能となる。この際、遮光膜は、薄膜トランジス
タに対する遮光機能と周辺配線としての機能の両方を兼
ね備えるので、構成の簡易化及び製造の単純化を図る上
で有利である。

【００１４】以上の結果、低抵抗の周辺配線により、周
辺回路における画像信号等の各種の信号の入出力が行わ
れるため、電気光学装置の駆動周波数を高めたり、更に
シリアル−パラレル変換数やパラレル入力される画像信
号数を増加させたりしても、前述した従来例の如き画像
信号線等の周辺配線における容量カップリングによる電
位揺れ、ゴースト、クロストークなどは低減され、高品
位の画像表示が行うことも可能である。

【００１５】本発明の第１の電気光学装置の一の態様で
は、前記第１配線部は前記薄膜トランジスタ、前記デー
タ線及び前記走査線を構成する複数の薄膜のうちの少な
くとも一つの第２導電膜と前記第１導電膜とを有し、前
記第２配線部は前記薄膜トランジスタ、前記データ線及
び前記走査線を構成する複数の薄膜のうちの前記第２導
電膜とは異なる第３導電膜を含むことを特徴とする。

【００１６】この態様によれば、例えば、第３導電膜が
例えば金属膜などの低抵抗な金属膜で、第２導電膜が例
えばポリシリコン膜などの第３導電膜よりも高抵抗な薄
膜層で形成した場合、できるだけ低抵抗な金属膜からな
る第３導電膜により配線を形成することが好ましいが、
配線同士が交差する個所は、第２導電膜を配線の一部と
して用いることがある。その場合、第２導電膜は第３導
電膜に比べて抵抗が高いため、信号遅延等の問題が発生
する場合がある。そこで、第２導電膜からなる配線の代
わりに第１及び第２導電膜を電気接続して二重配線とす
ることにより、周辺配線自体の抵抗も低めることができ
る。例えば、第２導電膜をポリシリコン膜から形成し、
且つ第１導電膜を導電性の高融点金属膜であるＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを
含む金属単体、合金又は金属シリサイド等により形成す
れば、第１配線部の抵抗を第１導電膜のシート抵抗によ
り支配できる。即ち、従来の如くポリシリコン膜単独か
らなる配線と比較して第１導電膜を電気接続することに
より大幅な低抵抗化が可能となる。そして、本発明の第
２配線部における抵抗については、例えばＡｌ（アルミ
ニウム）等の第３導電膜を用いることにより低抵抗にで
きるので、第１配線部と第２配線部とを直列に電気接続
した周辺配線を低抵抗化することができる。

【００１７】これに加えて、異物等により第１配線部に
おけるポリシリコン膜等からなる第２導電膜又は第１導
電膜からなる部分が途中で断線しても、他方の部分で導
通がとれるという冗長構造が実現できる。

【００１８】尚、本発明の周辺配線は、第１配線部及び
第２配線部を有するが、上述の如き第３導電膜を有する
第２配線部に対して冗長的な配線を加えて二重、三重等
の多重配線としても、当該一重配線部を有することに変
わりはなく、更に、上述の如き第１導電膜と第２導電膜
を有する第１配線部に対して更に冗長的な配線を加えて
三重、四重等の多重配線としても、当該二重配線部を有
することに変わりはないことは言うまでもない。

【００１９】本発明の第１の電気光学装置における前記
第２導電膜は、前記第１導電膜よりも高抵抗であってよ
い。

【００２０】このように構成すれば、第３導電膜は、例
えばアルミニウム膜など薄膜トランジスタを構成する薄
膜層のうち最も低抵抗であり、他方、第２導電膜は、例
えばポリシリコン膜など薄膜トランジスタを構成する薄
膜層のうち２番目に低抵抗である。第１配線部において
第１導電膜により抵抗が低められているので、周辺配線
自体の抵抗も低められている。

【００２１】本発明の第１の電気光学装置において、前
記遮光膜と前記薄膜トランジスタとの間に介在する第１
層間絶縁膜と、前記第２導電膜と前記第３導電膜との間
に介在する第２層間絶縁膜とを更に備えており、前記第
１配線部は、前記第２配線部の一部に電気接続されると
共に前記２重配線部の他部に対し前記第１及び第２層間
絶縁膜を夫々介して立体的に交差する中継配線からな
る。

【００２２】この態様によれば、中継配線は、第２配線
部の一部に電気接続されると共に第２配線部の他部に対
し第１及び第２層間絶縁膜を夫々介して立体的に（即
ち、上又は下側を）交差する。従って、相互に交差する
箇所が必要であり、同一層では配設不可能な周辺配線
を、中継配線を介して所望のパターンに配線できる。

【００２３】本発明の第１の電気光学装置において、前
記周辺配線は、外部回路接続端子から前記画像信号を供
給するための画像信号線を含み、前記周辺回路は、前記
画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路
と、該サンプリング回路を所定タイミングで駆動して前
記画像信号線上の前記画像信号を前記サンプリング回路
を介して前記複数のデータ線に供給させるデータ線駆動
回路と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路とを含む
ように構成してもよい。

【００２４】このように構成すれば、相互に交差する箇
所が必要であり、同一層では配設不可能な画像信号線
を、中継配線を介して所望のパターンに配線できる。

【００２５】本発明の第１の電気光学装置において、前
記画像信号は、Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）シリア
ル−パラレル変換されており、前記画像信号線は、並列
にＮ本設けられており、該Ｎ本の画像信号線は、相互に
交差する箇所において前記中継配線を含むように構成し
てもよい。

【００２６】このように構成すれば、例えば、シリアル
−パラレル変換数（Ｎ）が大きいため或いはＲＧＢのカ
ラー画像信号などの場合のようにパラレル入力される画
像信号の数が多いため、中継配線を長くとる必要がある
場合や、 前述した従来例の如くポリシリコン膜単独か
ら中継配線を形成した場合と比較して、中継配線の抵抗
や時定数の増加を抑えることができる。

【００２７】本発明の第１の電気光学装置において、前
記データ線駆動回路から前記サンプリング回路にサンプ
リング回路駆動信号を供給するための複数のサンプリン
グ回路駆動信号線を更に備えており、該サンプリング回
路駆動信号線は、少なくとも前記画像信号線に交差する
箇所が前記中継配線からなるように構成してもよい。

【００２８】このように構成すれば、データ線駆動回路
からサンプリング回路に至るサンプリング回路駆動信号
線を、例えば画像信号線と交差する中継配線を用いて配
線することが可能となり、配線レイアウトの自由度が増
し、更にこの場合にも、サンプリング回路駆動信号線に
おける中継配線を前述した従来例の如くポリシリコン膜
等の第２導電膜単独から形成した場合と比較して、サン
プリング回路駆動信号線における時定数の増加を抑える
ことができる。

【００２９】本発明の第１の電気光学装置において、前
記第１配線部を構成する前記第１導電膜及び前記第２導
電膜は、前記第１層間絶縁膜に設けられたコンタクトホ
ールを介して相互に電気接続されているように構成して
もよい。

【００３０】このように構成すれば、コンタクトホール
を介して相互に電気接続された信頼性の高い第１配線部
を得ることが出来る。しかも、このようなコンタクトホ
ールは、画素ＴＦＴにおける製造プロセスを利用して比
較的容易に形成することが可能である。

【００３１】本発明の第１の電気光学装置において、前
記第３導電膜は前記データ線を形成する金属膜からな
り、前記第２導電膜は前記走査線を形成するポリシリコ
ン膜からなってよい。

【００３２】このように構成すれば、第２配線部は、例
えばアルミニウム等の金属膜から形成されるので、低抵
抗化できる。また、ポリシリコン膜からなる部分は金属
膜の場合と比較して数十倍程度に高抵抗ではあるが、第
１導電膜により二重に配線されば、第１配線部の抵抗
は、ポリシリコン膜の抵抗よりも遥かに低抵抗化するこ
とが可能となる。例えば、第１導電膜を、導電性の高融
点金属膜Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの
少なくとも一つを含む金属膜、合金又は金属シリサイド
から形成すれば、ポリシリコン膜単独の場合と比較し
て、時定数を数分の一（例えば、約１／２や１／３程度
に）に低めることが可能となる。

【００３３】本発明の第１の電気光学装置において、前
記基板に対向する対向基板との間に電気光学物質が挟持
されてなり、前記基板と前記対向基板とはシール材によ
り接着されてなり、前記シール材に対向する前記一方の
基板上のシール領域には、前記電気光学物質の周囲に渡
って少なくとも前記第１導電膜、前記第２導電膜及び前
記第３導電膜が積層されており、前記シール領域を介し
て前記データ線及び前記走査線の延設方向に引き出され
る引き出し配線部は夫々、前記第１導電膜と第２導電膜
と第３導電膜のうちの少なくとも１つからなってよい。

【００３４】このように構成すれば、シール材により、
一対の基板間で電気光学物質が封入され、所謂電気光学
物質セルが構成される。ここで、シール領域には、電気
光学物質の周囲に渡って少なくとも第１導電膜、第２導
電膜及び第３導電膜が積層されているので、シール領域
における各種薄膜を含めた両基板間のギャップの電気光
学物質の周囲に渡ってのバラツキを抑えることが可能と
なる。従って、例えば、シール材中に所定外径をもつギ
ャップ材を混入して電気光学物質セルのギャップを制御
する場合に、ギャップ制御をより正確且つ良好に行うこ
とが可能となる。そして、シール領域を介してデータ線
及び走査線の延設方向にそれぞれ引き出される引き出し
配線部は夫々、第１導電膜、第２導電膜及び第３導電膜
のうちの少なくとも１つからなるので、画像表示領域内
への信号供給を問題無く行うことが可能となる。

【００３５】本発明の第１の電気光学装置におけるシー
ル領域に第１導電膜、第２導電膜及び第３導電膜が積層
される態様では、前記引き出し配線部は夫々、前記第１
導電膜、第２導電膜及び第３導電膜のうち少なくとも２
つが相互にコンタクトホールを介して電気接続された二
重又は三重配線部からなるように構成してもよい。この
ように構成すれば、引き出し配線部における低抵抗化を
図れる。

【００３６】或いは、前記引き出し配線部は夫々、前記
第１導電膜、第２導電膜及び第３導電膜のうち一つから
形成された一重配線部からなり、前記第１導電膜、第２
導電膜及び第３導電膜のうち他の２つは、前記シール領
域において配線として機能しないダミー配線からなるよ
うに構成してもよい。このように構成すれば、ダミー配
線の膜厚により比較的簡単にシール領域における両基板
間のギャップのバラツキを抑えることが可能となる。

【００３７】本発明の第１の電気光学装置において、前
記第１導電膜は前記第２導電膜により覆われる形状を持
ってよい。

【００３８】この態様によれば、第１配線部のうち第１
導電膜を第２導電膜により平面的に覆うことにより、こ
の第１導電膜からなる部分と交差する、例えば画像信号
線などの配線部において、この第１導電膜からなる部分
との容量カップリングの増大を抑制できるため、この容
量カップリングによる配線部における時定数の増大を抑
制できる。特に、第１導電膜と第２導電膜が介在する構
造を採れば、遮光膜を二重配線部に利用した場合の、第
１導電膜と第２導電膜との間の容量カップリングの増大
を抑制できる。この結果、画像信号線等の配線における
画像信号等の劣化を効果的に防止できる。

【００３９】本発明の第１の電気光学装置において、前
記第１導電膜の配線幅は、前記第２導電膜からなる部分
の配線幅以下であってよい。

【００４０】このように構成すれば、第１導電膜と第２
導電膜との間の容量カップリングの増大を確実に抑制で
きる。

【００４１】本発明の第２の電気光学装置は上記課題を
解決するために、基板上には、複数の走査線と、複数の
データ線と、前記各走査線及び前記各データ線に接続さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、前記薄膜トランジスタの少なくとも
チャネル領域を平面的に覆う位置に設けられた導電性の
遮光膜と、画像信号を供給する複数の画像信号線と、該
複数の画像信号線に供給される前記画像信号をサンプリ
ングして前記複数のデータ線の各々に供給するサンプリ
ング回路とを備えており、前記画像信号線と前記サンプ
リング回路とを接続する配線の少なくとも一部は、前記
遮光膜と同一膜の第１導電膜からなる。

【００４２】本発明の第２の電気光学装置によれば、画
像信号線とサンプリング回路とを接続する中継配線の少
なくとも一部は、導電性の遮光膜と同一膜の第１導電膜
からなるので、配線における低抵抗化を図ることが出来
る。例えば、第１導電膜を導電性の高融点金属膜により
形成すれば、当該中継配線における配線抵抗を顕著に低
めることが可能となる。この際、第１導電膜は、薄膜ト
ランジスタに対する遮光機能と配線としての機能の両方
を兼ね備えるので、構成の簡易化及び製造の単純化を図
る上で有利である。

【００４３】以上の結果、低抵抗の配線により、サンプ
リング回路における画像信号の入力が行われるため、電
気光学装置の駆動周波数を高めたり、更にシリアル−パ
ラレル変換数やパラレル入力される画像信号数を増加さ
せたりしても、前述した従来例の如き画像信号線等の中
継配線における容量カップリングによる電位揺れ、ゴー
スト、クロストークなどは低減され、高品位の画像表示
が行える。

【００４４】本発明の第２の電気光学装置の一の態様で
は、前記サンプリング回路にサンプリング回路駆動信号
を供給するサンプリング回路駆動信号線の少なくとも一
部は、前記第１導電膜からなる。

【００４５】この態様によれば、サンプリング回路駆動
信号線の少なくとも一部は、第１導電膜からなるので、
サンプリング回路駆動信号線における低抵抗化を図るこ
とが出来る。この結果、低抵抗のサンプリング回路駆動
信号線により、サンプリング回路におけるサンプリング
回路駆動信号の入力が行われるため、高品位の画像表示
が行える。

【００４６】本発明の第１の電気光学装置の製造方法は
上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物
質が挿入されてなり、該一対の基板の一方の基板上に
は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線
及び前記各データ線に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄
膜トランジスタの少なくともチャネル領域を平面的に覆
う位置に設けられた導電性の遮光膜と、画像信号を供給
する複数の画像信号線と、該複数の画像信号線に供給さ
れる前記画像信号をサンプリングして前記複数のデータ
線の各々に供給するサンプリング回路とを備えた電気光
学装置の製造方法において、前記画像信号線と前記サン
プリング回路とを接続する配線の一部となる第１導電膜
と前記遮光膜とを同一材料により形成する工程と、前記
第１導電膜及び前記遮光膜の上に第１層間絶縁膜を形成
する工程と、該第１層間絶縁膜上に前記走査線を形成す
ると共に前記第１層間絶縁膜に形成したコンタクトホー
ルを介して前記第１導電膜に接続される第２導電膜を形
成する工程と、前記走査線及び前記第２導電膜上に第２
層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜のコ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタに接続さ
れる前記データ線及び前記第２導電膜に接続される前記
画像信号線を形成する工程とを有する。

【００４７】本発明の第１の電気光学装置の製造方法に
よれば、画像信号線とサンプリング回路とを接続する第
１導電膜と遮光膜とが同一材料により形成される。従っ
て、製造工程の簡略化が図られる。次に、第１導電膜及
び遮光膜の上に第１層間絶縁膜が形成され、この第１層
間絶縁膜上に走査線が形成され、第１層間絶縁膜に形成
したコンタクトホールを介して第１導電膜に接続される
第２導電膜が形成される。次に、走査線及び第２導電膜
上に第２層間絶縁膜が形成され、第２層間絶縁膜のコン
タクトホールを介して薄膜トランジスタに接続されるデ
ータ線及び第２導電膜に接続される画像信号線が形成さ
れる。以上の結果、低抵抗の中継配線により、サンプリ
ング回路における画像信号の入力が行われるため、電気
光学装置の駆動周波数を高めたり、更にシリアル−パラ
レル変換数やパラレル入力される画像信号数を増加させ
たりしても、高品位の画像表示が可能な電気光学装置を
製造できる。

【００４８】本発明の第２の電気光学装置の製造方法は
上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物
質が挿入されてなり、該一対の基板の一方の基板上に
は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線
及び前記各データ線に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄
膜トランジスタの少なくともチャネル領域を平面的に覆
う位置に形成された導電性の遮光膜と、画像信号を供給
する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給
される前記画像信号をサンプリングして前記複数のデー
タ線の各々に供給するサンプリング回路とを備えた電気
光学装置の製造方法において、前記画像信号線と前記サ
ンプリング回路とを接続する中継配線の少なくとも一部
となる第１導電膜と前記遮光膜とを同一材料により形成
する工程と、該第１導電膜及び前記遮光膜の上に第１層
間絶縁膜を形成する工程と、該第１層間絶縁膜上に前記
薄膜トランジスタのソース及びドレインとなる半導体
層、ゲート絶縁膜並びにゲート電極を順次積層形成する
工程と、前記ゲート電極上に第２層間絶縁膜を形成する
工程と、前記第２層間絶縁膜のコンタクトホールを介し
て前記薄膜トランジスタに接続される前記データ線を形
成し、前記第１及び第２層間絶縁膜のコンタクトホール
を介して前記第１導電膜に接続される画像信号線を形成
する工程とを有する。

【００４９】本発明の第２の電気光学装置の製造方法に
よれば、画像信号線とサンプリング回路とを接続する第
１導電膜と遮光膜とが同一材料により形成される。従っ
て、製造工程の簡略化が図られる。次に、第１導電膜及
び遮光膜の上に第１層間絶縁膜が形成され、この第１層
間絶縁膜上に、薄膜トランジスタのソース及びドレイン
となる半導体層、ゲート絶縁膜並びにゲート電極が順次
積層形成され、更に、ゲート電極上に第２層間絶縁膜が
形成される。次に、第２層間絶縁膜のコンタクトホール
を介して薄膜トランジスタに接続されるデータ線が形成
される。次に、第１及び第２層間絶縁膜のコンタクトホ
ールを介して、第１導電膜に接続される画像信号線が形
成される。以上の結果、低抵抗の中継配線により、画像
信号の入力が行われるため、電気光学装置の駆動周波数
を高めたり、更にシリアル−パラレル変換数やパラレル
入力される画像信号数を増加させたりしても、高品位の
画像表示が可能な電気光学装置を製造できる。

【００５０】本発明の電子機器は、上記の電気光学装置
を備えたことを特徴とする。かかる構成によれば、信号
遅延を抑えて高品位な画像表示可能な電子機器を提供す
ることができる。

【００５１】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施形態から明らかにする。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。尚、本発明の実施形態では電気光学
装置として液晶装置を例として説明する。

【００５３】（液晶装置の構成及び動作）本発明による
液晶装置の実施形態の構成及び動作について、図１から
図１０を参照して説明する。

【００５４】先ず、液晶装置の回路構成について図１の
ブロック図を参照して説明する。

【００５５】図１は、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上に
おいて画像表示領域を構成するマトリクス状に形成され
た複数の画素における各種素子、配線等の等価回路及び
画像表示領域の周辺に位置する周辺回路を示している。

【００５６】図１において、本実施形態による液晶装置
の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複
数の画素は、画素電極９aと画素電極９ａを制御するた
めのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、
画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０の
ソースに電気接続されている。データ線６ａに書き込む
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供
給されている。本実施形態では特に、画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎは、Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）相に
シリアル−パラレル変換されている。尚、Ｎ本の画像信
号線１１５から相隣接するＮ本のデータ線６ａ同士に対
してグループ毎に供給するように構成しても良い。この
ような構成を採れば、データ線駆動回路１０１の駆動周
波数を低減でき、信頼性の高い液晶装置を実現できる。

【００５７】また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａ
にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順
に線順次で印加するように構成されている。画素電極９
ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気接続されており、ス
イッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのス
イッチを閉じることにより、データ線６ａから供給され
る画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで
書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質としての
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電
極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、
印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能にす
る。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、
ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に
応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体と
して液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持
つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリーク
するのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に
形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
例えば、画素電極９ａの電圧は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…Ｓｎが供給された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積
容量７０により保持される。これにより、保持特性は更
に改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現でき
る。尚、蓄積容量７０を形成する方法としては、容量を
形成するための配線である容量線３ｂを設けても良い
し、前段の走査線３ａとの間で容量を形成しても良いこ
とは言うまでもない。

【００５８】図１において、液晶装置は、上述のように
データ線６ａ、走査線３ａ等が形成されたＴＦＴアレイ
基板上における画像表示領域の周囲に、周辺回路の例と
して、データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０
１、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４及び画
像信号をサンプリングするサンプリング回路１０３を備
えている。更に、画像表示領域の周囲には、周辺配線の
一例として、外部回路接続端子から上述の如きＮ相にシ
リアル−パラレル変換された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎを供給するためのＮ本の画像信号線１１５が配線さ
れている。

【００５９】このシリアル−パラレル変換数（Ｎ）とし
ては、例えば、当該サンプリング回路１０３におけるサ
ンプリング能力が相対的に高ければ、３相のシリアル−
パラレル変換、６相のシリアル−パラレル変換等で足り
るし、サンプリング能力が相対的に低ければ、１２相の
シリアル−パラレル変換、２４相のシリアル−パラレル
変換等が好ましい。

【００６０】ここで特に本実施形態では、後に詳述する
ようにシリアル−パラレル変換数（Ｎ）即ち画像信号線
１１５の本数（Ｎ）に応じて長くなる中継配線１１６を
二重配線構造にすることにより低抵抗化しているため
に、画像信号の信号遅延を効果的に抑えつつ、シリアル
−パラレル変換数（Ｎ）及び画像信号線１１５の本数を
増やすことが出来、よって画質を劣化させることなく液
晶装置の駆動周波数を高められる。尚、このシリアル−
パラレル変換数（Ｎ）としては、カラー画像信号が３つ
の色（赤、青、緑）に係る信号からなることとの関係か
ら３の倍数であると、ＮＴＳＣ表示やＰＡＬ表示等のビ
デオ表示をする際に制御や回路を簡易化する上で好まし
い。

【００６１】上述の如きシリアル−パラレル変換を行わ
なくても、ＲＧＢのカラー画像信号の場合などのように
複数の画像信号線１１５を設ける場合には、以下に説明
する本実施形態における低抵抗化された中継配線１１６
等に係る構造は有効である。

【００６２】更に本実施形態では、後に詳述するように
データ線駆動回路１０１からサンプリング回路１０３に
至るサンプリング回路駆動信号線１１４の低抵抗化もそ
の二重配線構造により図ることができる。

【００６３】データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回
路１０４がパルス的に走査線３ａに順番に走査信号を送
るのに合わせて、サンプリング回路駆動信号線１１４を
介してサンプリング回路駆動信号をサンプリング回路１
０３を構成する各サンプリングスイッチ１０３ａの制御
端子に供給する。サンプリング回路１０３は、このサン
プリング回路駆動信号に応じて、外部回路から画像信号
線１１５に供給された画像信号をサンプリングして、デ
ータ線６ａに供給する。

【００６４】尚、サンプリング回路１０３を構成する各
サンプリングスイッチ１０３ａは、製造効率等の観点か
ら好ましくは、画素部におけるＴＦＴ３０と同一製造プ
ロセスにより製造可能なｎチャネル型、ｐチャネル型、
相補型等のＴＦＴから構成される。

【００６５】次に、液晶装置の画像表示領域内における
画素部の構成について図２及び図３を参照して説明す
る。図２は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が
形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群
の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図であ
る。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。

【００６６】図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基
板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ
（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられ
ており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ
線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。
データ線６ａは、コンタクトホール５を介して半導体層
１ａのうち後述のソース領域に電気接続されており、画
素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１
ａのうち後述のドレイン領域に電気接続されている。ま
た、半導体層１ａのうち後述のチャネル領域に対向する
ように走査線３ａが配置されている。そして、図中右上
がりの斜線で示した領域に画素部における第１遮光膜１
１ａが設けられている。即ち第１遮光膜１１ａは、画素
部において、半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ
をＴＦＴアレイ基板の側から見て各々平面的に覆う位置
に設けられている。尚、第１遮光膜１１ａは、少なくと
も半導体層１ａのチャネル領域及びチャネル領域とソー
ス・ドレイン領域の接合部を覆えば、画素ＴＦＴにおけ
る光リークの防止機能は発揮されるが、第１遮光膜１１
ａを定電位にするための配線機能を持たせるためや画素
部の開口領域（即ち、光が透過する領域）を規定するた
め等の理由から、本実施形態では特に、第１遮光膜１１
ａは、走査線３ａに沿って縞状に設けられている。

【００６７】図３に示すように、液晶装置は、透明な一
方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、こ
れに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する
対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えば
ガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide)膜などの透明導電性薄膜からなる。ま
た配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜
からなる。

【００６８】また、ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素
電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチ
ング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられ
ている。

【００６９】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下
側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配
向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、Ｉ
ＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２
は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００７０】対向基板２０には、更に図３に示すよう
に、各画素の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設
けられている。このため、対向基板２０の側から入射光
が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャ
ネル領域１ａ’やソース側ＬＤＤ（Lightly Doped Drai
n）領域１ｂ及びドレイン側ＬＤＤ領域１ｃに侵入する
ことはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの
向上、色材の混色防止などの機能を有する。

【００７１】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成さ
れる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加さ
れていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向
状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネ
マティック液晶を混合した液晶からなる。シール材５２
は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの
周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬
化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定
値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等
のスペーサが混入されている。

【００７２】図３に示すように、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板
１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第
１遮光膜１１ａが各々設けられている。第１遮光膜１１
ａは、好ましくは不透明な高融点金属膜であるＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを
含む、金属単体、合金又は、金属シリサイド等から構成
される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ
基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われ
る高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶
融しないようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されて
いるので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が
画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’や
低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに入射
する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生により
画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化することは
ない。

【００７３】更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２
が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光
膜１１ａから電気絶縁するために設けられるものであ
る。

【００７４】本実施形態では、走査線３ａの一部からな
るゲート電極と半導体層１ａとの間に設ける絶縁薄膜２
を、走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜と
して用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１
ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２
蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成さ
れている。より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイ
ン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延設
されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って延
びる容量線３ｂ部分に絶縁薄膜２を介して対向配置され
て、第１蓄積容量電極１ｆとされている。特に蓄積容量
７０の誘電体としての絶縁薄膜２は、高温酸化によりポ
リシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜
に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすること
ができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容
量として構成できる。

【００７５】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、該走査
線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層
１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａ
とを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａ
の低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低
濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導
体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン
領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、
複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されて
いる。低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ｄ
並びに低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域
１ｅは後述のように、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ
型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又
はｐ型用の不純物イオンをドープすることにより形成さ
れている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いと
いう利点があり、画素のスイッチング素子である画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０として用いられることが多い。
本実施形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ等の金属膜や
金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成
されている。また、走査線３ａ、絶縁薄膜２及び第１層
間絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じる
コンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じ
るコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜
４が形成されている。この高濃度ソース領域１ｄへのコ
ンタクトホール５を介して、データ線６ａは高濃度ソー
ス領域１ｄに電気接続されている。更に、データ線６ａ
及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１
ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜
７が形成されている。この高濃度ドレイン領域１ｅへの
コンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ド
レイン領域１ｅに電気接続されている。前述の画素電極
９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面
に設けられている。

【００７６】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打
ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査
線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度
で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース
領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン
型のＴＦＴであってもよい。

【００７７】また本実施形態では、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０の走査線３ａの一部からなるゲート電極を高
濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１
個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの
間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、
各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにす
る。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）或いは
トリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネル領
域とソース・ドレイン領域接合部のリーク電流を防止で
き、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲ
ート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセッ
ト構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、安定したス
イッチング素子を得ることができる。

【００７８】ここで、一般には、半導体層１ａのチャネ
ル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイ
ン領域１ｃ等は、光が入射すると光電変換効果により光
電流が発生してしまい画素スイッチング用ＴＦＴ３０の
トランジスタ特性が劣化するが、本実施形態では、走査
線３ａを上側から重なるようにデータ線６ａがＡｌ等の
遮光性の金属膜から形成されているので、少なくとも半
導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域
１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃへの入射光の入射を効果
的に防ぐことが出来る。また、前述のように、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０の下側には、第１遮光膜１１ａが
設けられているので、少なくとも半導体層１ａのチャネ
ル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイ
ン領域１ｃへの戻り光の入射を効果的に防ぐことが出来
る。

【００７９】尚、本実施形態では特に、第１遮光膜１１
ａは定電位源に電気接続されており、定電位とされる。
従って、第１遮光膜１１ａに対向配置される画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電位変動
が悪影響を及ぼすことはない。この場合、定電位源とし
ては、当該液晶装置を駆動するための周辺回路（例え
ば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給され
る負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２
１に供給される定電位源等が挙げられるが、本実施形態
では、第１遮光膜１１ａは走査線駆動回路の負電源に接
続されるものとする。このように周辺回路等の電源を利
用すれば、専用の電位配線や外部回路接続端子を設ける
必要なく、第１遮光膜１１ａを定電位にできる。

【００８０】次に、液晶装置の周辺回路における入出力
配線或いは周辺配線について、図４から図７を参照して
説明する。

【００８１】図４は、周辺配線が設けられたＴＦＴアレ
イ基板の部分平面図であり、図５は、図４の中継配線及
び引き出し配線部を拡大して示す拡大平面図であり、図
６は、図４及び図５のＢ−Ｂ’断面図であり、図７は、
図４及び図５のＣ−Ｃ’断面図である。

【００８２】図４において、ＴＦＴ基板アレイ基板１０
の周辺部に設けられた外部回路接続端子１０２からは、
走査線駆動回路１０４に走査線駆動信号線１０５ａが配
線されており、データ線駆動回路１０１と液晶を封入す
るシール材５２が配置されたシール領域との間の領域
に、複数の画像信号線１１５が配線されている。

【００８３】そして、図４及び図５に示すように、サン
プリング回路１０３は、シール領域よりも内側におい
て、画像表示領域と該画像表示領域外とを仕切るために
対向基板２０上に設けられた額縁としての第３遮光膜５
３（図中、右上がりの斜線領域）下に配置されている。
また、データ線６ａの延長線上におけるシール領域下に
は、データ線駆動回路１０１からのサンプリング回路駆
動信号線１１４の引き出し配線３０１ａ及び画像信号線
１１５からの引き出し配線３０１ｂを含むデータ線側の
引き出し配線３０１が設けられている。他方、走査線３
ａの延長線上におけるシール領域下には、走査線３ａの
引き出し配線４０１ａが設けられている。また、容量線
３ｂの引き出し配線４０１ｂを設けても良いということ
は言うまでもない。これら、走査線側の引き出し配線４
０１と並列に対向電極電位配線１１２を設置してもよ
い。この対向電極電位配線１１２は、上下導通端子１０
６ａ及び上下導通材１０６を介して対向基板２０に形成
された対向電極２１（図３参照）に接続され、共通電位
を供給する。また、データ線駆動回路１０１に所定検査
用の信号を入力するための検査端子１１１を、データ線
駆動回路１０１に隣接して設けても良い。

【００８４】図６のＢ−Ｂ’断面図に示すように、周辺
配線の一例たる画像信号線１１５及び引き出し配線３０
１ｂは、データ線６ａを形成するのと同一工程で形成さ
れるＡｌ等の金属膜（第３導電膜）で形成されている。
他方、画像信号線１１５から引き出し配線３０１ｂに至
る中継配線１１６は、走査線３ａを形成するポリシリコ
ン膜と同一膜から形成されておりコンタクトホール３０
５ａを介して対応する画像信号線１１５に電気接続され
た第２導電膜１１６ａ、及び第１遮光膜１１ａと同一膜
から形成されておりコンタクトホール３０５ｂを介して
中継配線１１６ａに電気接続された第１導電膜１１６ｂ
により、ＴＦＴアレイ基板の厚み方向に二重に配線され
た二重配線構造を有する。また、引き出し配線３０１ｂ
を更に低抵抗化するため第２導電膜１１６ａ’及び第1
導電膜１１６ｂ’を設けても良い。

【００８５】このため、従来の如くポリシリコン膜単独
から中継配線を形成する場合と比較して、中継配線１１
６における抵抗が導電性の第１導電膜１１６ｂにより低
められている。より具体的には、第１導電膜１１６ｂ
は、導電性の高融点金属膜であるＷ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属
単体、合金又は金属シリサイド等から形成されているの
で、中継配線１１６における配線に沿った方向の抵抗
を、第１導電膜１１６ｂのシート抵抗により支配でき
る。即ち、ポリシリコン膜は、例えば膜厚が３００ｎｍ
の場合、２５Ω／□程度のシート抵抗値を持つため、対
角１．３インチや０．９インチ程度の小型の液晶装置の
場合には、１００〜２００ＫΩ程度の抵抗を有し、例え
ば、十数μ秒程度の配線時定数を有するが、第１導電膜
１１６ｂはシート抵抗が膜厚２００ｎｍの場合１０Ω／
□程度まで低減することができるため、この配線時定数
を数μ秒程度にまで小さくすることが可能となる。従っ
て、画像信号線１１５の下を交差して配線された中継配
線１１６と画像信号線１１５との容量カップリングによ
る画像信号の電位揺れで生じる、クロストーク、ゴース
ト等の発生を低減できる。そして、特に当該液晶装置を
前述のようにＸＧＡ、ＳＸＧＡ等の駆動周波数の高い機
種として構成することで、シリアル−パラレル変換数
（Ｎ）や画像信号線１１５の本数（Ｎ）が増えても、画
像信号の信号遅延を抑制できるため、高精細で高品位な
液晶装置を実現できる。

【００８６】これに加えて図６から分かるように、異物
等により第２導電膜１１６ａ及び第１導電膜１１６ｂの
一方が途中で断線しても、他方で導通がとれるという冗
長構造が実現されている。しかも、第２導電膜１１６ａ
及び第１導電膜１１６ｂが、第1層間絶縁膜１２を突き
破って相互にショートしてしまった場合にも、欠陥品と
ならないで済む。従って、本実施形態によれば、不良品
率が低く、信頼性の高い高品位の画像表示が可能な液晶
装置を実現できる。しかも、当該中継配線１１６を構築
するにあたっては、画素スイッチング用ＴＦＴを遮光す
るための第1遮光膜１１ａを形成する工程と同一工程
で、第１導電膜１１６ｂを形成できるので、工程を増や
すことなく、中継配線１１６の低抵抗が実現できる。

【００８７】また、図４及び図５に示したサンプリング
回路駆動信号線１１４は、図６に示した中継配線１１６
と同様に、画像信号線１１５の下方を交差する二重配線
構造を有する。このように構成すれば、従来例の如くポ
リシリコン膜単独から形成した場合と比較して、サンプ
リング回路駆動信号線１１４の抵抗や時定数の増加を抑
えることができ、高周波数駆動に適用できる。

【００８８】更に図６及び図７に示すように、シール領
域下における画像信号線１１５ａからの引き出し配線３
０１ｂは、第２導電膜１１６ａ’及び第１導電膜１１６
ｂ’が冗長配線として設けられており、三重配線構造を
有する。従って、極めて低抵抗の配線とされており、し
かも図５に示したようにコンタクトホール３０５ａ及び
コンタクトホール３０５ｂによりシール領域下において
複数箇所で相互に電気接続されており冗長度が増してい
る。これらの結果、引き出し配線３０１ｂの信頼性は非
常に高い。尚、第２導電膜１１６ａ’及び第３導電膜１
１６ｂ’のいずれか一方を引き出し配線３０１ｂの冗長
配線とする二重配線構造を採用しても、同じ効果が得ら
れる。また、サンプリング回路駆動信号線１１４の引き
出し配線３０１ａも同様に、二重或いは三重以上の配線
構造を有するように構成してもよい。

【００８９】他方、図４に示した走査線側の引き出し配
線４０１は各々、走査線３ａに沿った方向に延びてお
り、相隣接する配線同士は間隔をおいて配列されてい
る。そして、引き出し配線４０１は、走査線３ａと同じ
ポリシリコン膜から構成されており、各引き出し配線４
０１の上には、データ線６ａと同じＡｌ膜から構成され
たダミー配線が設けられている。尚、走査線側の引き出
し配線４０１についての抵抗は通常問題とならないが、
上述したデータ線側の引き出し配線３０１の場合と同様
に、走査線側の引き出し配線４０１を、二重或いは三重
以上の配線構造を有するように構成してもよい。

【００９０】従って、シール領域には、液晶層５０の周
囲に渡ってＴＦＴアレイ基板１０上に第１導電膜１１６
ｂ、１１６ｂ’、第２導電膜１１６ａ、１１６ａ’、第
３導電膜（Ａｌ膜）並びに第1層間絶縁膜１２、第２層
間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を含む積層体が万遍な
く形成されていることになり、画像表示領域の上下の辺
におけるシール領域における第３層間絶縁膜７の表面の
高さと、画像表示領域の左右の辺における第３層間絶縁
膜７の表面の高さとは一致するので、シール領域全体に
おける両基板間のギャップのバラツキを抑えることが可
能となる。従って、例えば、シール材中に所定外径をも
つギャップ材を混入して液晶セルのギャップを制御する
場合に、ギャップ制御をより正確且つ良好に行うことが
可能となる。特にこのように構成すると、シール領域下
においてギャップ材による応力を受けてデータ線側の引
き出し配線３０１又は走査線側の引き出し配線４０１が
断線しても、多重配線構造のため、致命欠陥とはならな
い。

【００９１】尚、このようなギャップ制御の目的を重視
するのであれば、図６に示したように引き出し配線３０
１ｂに対し第２導電膜１１６ａ’及び第１導電膜１１６
ｂ’を電気接続するのを止めて、これらの第２導電膜１
１６ａ’及び第１導電膜１１６ｂ’をギャップ制御用の
ダミー配線として構成してもよい。

【００９２】本実施形態では図５に示すように、シール
領域において、引き出し配線３０１は、ストライプ状の
平面パターンを備えており、夫々幅Ｌを有して相隣接す
る配線間に配線間隔Ｓに対応する光透過用の隙間が設け
られている。従って、光硬化性樹脂からなるシール材５
２を用いた場合に、ＴＦＴアレイ基板１０を介して光を
入射すれば、この積層構造における光透過用の隙間を通
ってシール材５２に光を十分に照射することが出来る。
従って、光硬化性樹脂からなるシール材５２を、両方の
基板の側からの光により良好に光硬化させることが出来
る。特に、このように光硬化できれば、熱硬化の場合と
比べて余分な熱を液晶装置に与えなくて済むので、液晶
装置の各構成要素の熱劣化を防いだり、熱歪みによる装
置欠陥の発生を防いだり出来るので有利である。また、
光照射の時間が少なくて済むため、配向膜１６及び２２
（図３参照）にダメージを与えることがない。従って、
液晶のティルト角が高いまま維持されるので、液晶の配
向不良（ディスクリネーション）による画質劣化を防ぐ
ことが出来る。

【００９３】また、図４及び図５において、額縁として
の第３遮光膜５３下には画像表示領域を構成する画素と
同一構成を持つダミー画素が形成されている。液晶の配
向不良領域等を隠すように設けられた第３遮光膜５３下
に表示用の画素を構成する必要は無いが、画像表示領域
の縁付近の画素の特性安定化のために、このように画像
表示領域の縁よりも外に所定幅だけダミー画素を設ける
ようにしても良い。

【００９４】更に本実施形態では特に、中継配線１１６
は、対向基板側から見て、遮光膜からなる第１導電膜１
１６ｂ、１１６ｂ’がポリシリコン膜からなる第２導電
膜１１６ａ、１１６ａ'により覆われる形状を持つのが
好ましい。より具体的には、例えば図７において、第２
導電膜１１６ａ’の配線幅Ｗ１が、第1導電膜１１６
ｂ’の配線幅Ｗ２と同じか或いはそれ以上であること、
即ち、Ｗ１≧Ｗ２となる関係が、図６に示した画像信号
線１１５下及び図７に示したシール領域下で成立するの
が好ましい。このように構成すれば、図６において、第
1導電膜１１６ｂと画像信号線１１５との間における容
量カップリングの増大を抑制でき、この容量カップリン
グによる画像信号線１１５や中継配線１１６における時
定数の増大を抑制できる。特に、交差する個所におい
て、第２導電膜１１６ａが第1導電膜１１６ｂと画像信
号線１１５との間に介在し、第1導電膜１１６ｂと画像
信号線１１５とは比較的距離を隔てているので、前述の
容量カップリングの増大を抑制できる。

【００９５】図６及び図７に示した中継配線１１６は、
第２導電膜１１６ａ及び第１導電膜１１６ｂから構成さ
れた二重配線構造を採っているが、これらの図に示した
二重配線構造における第２導電膜１１６ａ及び１１６
ａ’を削除して、図８及び図９に示すように、第１導電
膜１１６ｃ及び１１６ｃ’から構成された一重配線構造
を採ってもよい。このように構成すれば、冗長構造によ
る利益は得られないが、図６に示した画像信号線１１５
下における画像信号線１１５と第１導電膜１１６ｃとの
間の容量は、第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜４
の間に第２導電膜１１６ａを設けて中継配線１１６を構
成する場合と比較して、第１層間絶縁膜１２が存在する
分だけ小さくなるので有利である。

【００９６】他方、図４及び図５において、画像信号線
１１５は第２層間絶縁膜４上に形成された第３導電膜
（Ａｌ膜）から構成されているため、これと交差するデ
ータ線駆動回路１０１から引き出し配線３０１ａに至る
サンプリング回路駆動信号線１１４についても、図６や
図８に示した中継配線１１６の場合と同様に、Ａｌ膜か
ら構成することはできない。このため、画像信号線１１
５の下層又は上層等を通る図１０の如き立体的な中継配
線１１６がサンプリング回路駆動信号線１１４用に必要
となる。尚、図１０は図５のＤ−Ｄ’に沿った断面図で
ある。また、中継配線１１６はできる限り時定数を下げ
る工夫が必要である。そこで以下に述べるような方式が
考えられる。

【００９７】図１０（１）において、第１導電膜１１６
ｄは、第１遮光膜１１ａと同一膜のＷ（タングステン）
等の高融点金属膜あるいは金属合金膜等から構成されて
おり、画像信号線１１５と交差するように第１層間絶縁
膜１２の下を通されている。そして、画像信号線１１５
の両側において第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜
４に開孔されたコンタクトホールを介して、データ線駆
動回路１０１側のサンプリング回路駆動信号線１１４と
シール領域側の引き出し配線３０１ａとを夫々電気接続
するように構成されている。このような構成を採れば、
中継配線を低抵抗な高融点金属等で形成できるため、配
線抵抗を下げることが可能となり、画像信号の遅延を招
かない。

【００９８】図１０（２）において、中継配線は、走査
線３ａと同一のポリシリコン膜からなる第２導電膜１１
６ｅと第１遮光膜１１ａと同一のＷ等の高融点金属膜あ
るいは金属合金膜等からなる第１導電膜１１６ｄとから
構成されており、画像信号線１１５と交差するように第
２層間絶縁膜４及び第１層間絶縁膜１２の下を夫々通さ
れている。そして、図で画像信号線１１５の両側におい
て第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜４に夫々開孔
されたコンタクトホールを介して、データ線駆動回路１
０１側のサンプリング回路駆動信号線１１４とシール領
域側の引き出し配線３０１ａとを夫々電気接続するよう
に構成されている。このような構成を採れば、画像信号
線１１５の下層に第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁
膜４を介して第１導電膜１１６ｄ及び第２導電膜１１６
ｅを形成するため、冗長構造が実現できる。また、第１
導電膜１１６ｄは、低抵抗な高融点金属あるいは金属合
金膜等からなるため、配線抵抗を下げることが可能とな
り、画像信号の信号遅延を招かない。尚、第１導電膜１
１６ｄと第２導電膜１１６ｅとを直接に電気接続するよ
うにしたが、第１導電膜１１６ｄとサンプリング回路駆
動信号線１１４或いはシール領域側の引き出し配線３０
１ａと直接に電気接続するようにしてもよい。

【００９９】図１０（３）において、中継配線は、図１
０（２）における冗長構造をなす中継配線とほぼ同様に
構成された第１導電膜１１６ｄ及び第２導電膜１１６ｅ
に加えて、第３層間絶縁膜７上に更に、少なくとも画素
開口領域の一部を規定するための高融点金属膜あるいは
金属合金膜等からなる第４導電膜１１６ｆが、画像信号
線１１５と交差するように通されており、その上に第４
層間絶縁膜１１７が形成されている。そして、図で画像
信号線１１５の両側において第３層間絶縁膜７に開孔さ
れたコンタクトホールを介して、データ線駆動回路１０
１側のサンプリング回路駆動信号線１１４とシール領域
側の引き出し配線３０１ａとを第４導電膜１１６ｆと共
に夫々電気接続するように構成されている。このような
構成を採れば、画像信号線１１５の上下層に第１層間絶
縁膜１２、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を介
して第１導電膜１１６ｄ、第２導電膜１１６ｅ、第４導
電膜１１６ｆの３層から中継配線を形成するため、更な
る冗長構造が実現できる。また、第１導電膜１１６ｄ及
び第４導電膜１１６ｆは、低抵抗な高融点金属膜あるい
は金属合金膜等からなるため、配線抵抗をなお一層下げ
ることが可能となり、画像信号の信号遅延を招かない。

【０１００】以上説明したように本実施形態では、画像
信号線１１５やサンプリング回路駆動信号線１１４用の
中継配線１１６を、第１遮光膜１１ａと同一工程で形成
される第１導電膜を利用して低抵抗化したが、本発明の
中継配線の適用箇所は、これらの画像信号線１１５やサ
ンプリング回路駆動信号線１１４に限られない。例え
ば、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、
サンプリング回路１０３等の周辺回路内において、Ａｌ
膜からなる配線同士が交差する箇所に層間絶縁膜を介し
て形成される走査線３ａと同一工程で形成されるポリシ
リコン膜からなる中継配線などの、周辺回路内の任意の
中継配線を第１導電膜を利用して低抵抗化された単層あ
るいは多重配線に置き換えて構成することが、上述の実
施の形態の場合と同様に可能である。特に、データ線駆
動回路１０１や走査線駆動回路１０４用の中継配線の低
抵抗化は、それらの回路を構成するシフトレジスタの遅
延を防ぐことによる駆動の高速化を図ることができる。
また、サンプリング回路やプリチャージ回路用の中継配
線の低抵抗化は、サンプリング回路駆動信号やプリチャ
ージ回路駆動信号のなまりを抑えることができ、画像信
号の良好な書込みが可能となり、最終的には画質向上を
図れる。尚、中継配線は２層以上の導電膜から多重配線
を構成しても何等問題はない。

【０１０１】（液晶装置の製造プロセス）次に、以上の
ような構成を持つ液晶装置の実施形態の製造プロセスに
ついて、図１１から図１４を参照して説明する。図１１
及び図１２は、各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各
層を、図６と同様に図４のＢ−Ｂ’断面に対応させて示
す工程図であり、図１３及び図１４は、各工程における
ＴＦＴアレイ基板側の各層を、図３と同様に図２のＡ−
Ａ’断面に対応させて示す工程図である。尚、Ｂ−Ｂ断
面における製造プロセスとＣ−Ｃ’断面における製造プ
ロセスとは基本的に同時に並行して行われるものである
ので、以下の説明も両プロセスについて並列に行う。

【０１０２】図１１及び図１３の工程（１）に示すよう
に、石英基板、ハードガラス等のＴＦＴアレイ基板１０
を用意する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活
性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニー
ル処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴ
アレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理
しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処
理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０
を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておくと良い。

【０１０３】このように処理されたＴＦＴアレイ基板１
０の全面に、導電性の高融点金属膜であるＴｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等のうち少なくとも一つを含む
金属単体、合金又は金属シリサイドを、スパッタリング
により、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約
２００ｎｍの膜厚の遮光膜１１を形成する。

【０１０４】続いて、図１３の工程（２）に示すよう
に、該形成された遮光膜１１にフォトリソグラフィ及び
エッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａを形成
する。

【０１０５】同時に、図１１の工程（２）に示すよう
に、該形成された遮光膜１１にフォトリソグラフィ及び
エッチングを行うことにより、第１導電膜１１６ｂ及び
１１６ｂ’を形成する。

【０１０６】次に図１１及び図１３の工程（３）に示す
ように、第１遮光膜１１ａ及び第１導電膜１１６ｂ上
に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ
（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ
（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テ
トラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用い
て、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケー
トガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からな
る第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層間絶縁膜
１２の膜厚は、例えば、約５００〜２０００ｎｍとす
る。

【０１０７】次に図１１及び図１３の工程（４）に示す
ように、第１層間絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０
℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量
約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシ
ランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜
４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を
形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００
℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニ
ール処理を施すことにより、ポリシリコン膜１を約５０
〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さと
なるまで固相成長させる。

【０１０８】この際、ｎチャネル型の画素スイッチング
用ＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域に
Ｓｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などの
Ｖ族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりド
ープしても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ
（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素の
不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても
良い。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧Ｃ
ＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良
い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコ
ン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモ
ルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化
させてポリシリコン膜１を形成しても良い。

【０１０９】次に図１３の工程（５）に示すように、フ
ォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２
に示した如き所定パターンの半導体層１ａを形成する。
即ち、特に走査線３ａに沿って容量線３ｂが形成される
領域には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半
導体層１ａから延設された第１蓄積容量電極１ｆを形成
する。

【０１１０】次に図１３の工程（６）に示すように、画
素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと
共に第１蓄積容量電極１ｆを約９００〜１３００℃の温
度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化するこ
とにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコ
ン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリ
コン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５０ｎｍの比
較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つ画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜や容量形成用誘電体膜と
なる絶縁薄膜２を形成する。この結果、半導体層１ａの
厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５
〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁薄膜２の厚さは、約２０
〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの
厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすること
により、特に８インチ程度の大型基板を使用する場合に
熱によるそりを防止することができる。但し、ポリシリ
コン膜１を熱酸化することのみにより、絶縁薄膜２を形
成してもよい。

【０１１１】尚、図１３の工程（６）において特に限定
されないが、第１蓄積容量電極１ｆの部分に、例えば、
Ｐイオンをドーズ量約３×１０^１２／ｃｍ^２でドープし
て、低抵抗化させてもよい。

【０１１２】次に、図１１の工程（７）において、第１
層間絶縁膜１２に第１導電膜１１６ｂ及び１１６ｂ’に
至るコンタクトホール３０５ａを反応性イオンエッチン
グ、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチン
グにより或いはウエットエッチングにより形成する。こ
の際、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエ
ッチングのような異方性エッチングにより、コンタクト
ホール３０５ａ等を開孔した方が、開孔形状をマスク形
状とほぼ同じにできるという利点がある。但し、ドライ
エッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔
すれば、これらのコンタクトホール３０５ａ等をテーパ
状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという
利点が得られる。

【０１１３】次に図１１及び図１３の工程（８）に示す
ように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を堆積
した後、Ｐを熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化す
る。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に
導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。

【０１１４】次に、図１３の工程（９）に示すように、
フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図
２に示した如き所定パターンの走査線３ａ及び容量線３
ｂを形成する。

【０１１５】同時に図１１の工程（９）に示すように、
図４及び図５に示した如き所定パターンの中継配線１１
６及び引き出し配線３０１ｂを構成する第２導電膜１１
６ａ及び１１６ａ’を形成する。

【０１１６】次に図１３の工程（１０）に示すように、
図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構
造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１
ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領
域１ｃを形成するために、走査線３ａを拡散マスクとし
て、ＰなどのＶ族元素の不純物イオン１７を低濃度で
（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１３／ｃｍ^２のドー
ズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導
体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。

【０１１７】続いて、図１３の工程（１１）に示すよう
に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソ
ース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するた
めに、走査線３ａの一部であるゲート電極よりも幅の広
いマスクでレジスト層１８を走査線３ａ上に形成した
後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物イオン１７’を高
濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量にて）ドープする。また、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａ
に、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ
並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素の不純物イオ
ンを用いてドープする。尚、例えば、低濃度のドープを
行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査
線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いた
イオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとして
もよい。

【０１１８】これらの工程と並行して、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造
を持つデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０
４等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形
成する。このように、本実施形態において画素スイッチ
ング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａをポリシリコン膜で形
成すれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成時にほ
ぼ同一工程で、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動
回路１０４等の周辺回路を形成することができ、製造上
有利である。

【０１１９】次に図１２及び図１４の工程（１２）に示
すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０における走査
線３ａと共に容量線３ｂ及び走査線３ａ並びに第２導電
膜１１６ａ及び１１６ａ’を平面的に覆うように、例え
ば、常圧又は減圧ＣＶＤ法でＴＥＯＳガス等を用いて、
ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガ
ラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第
２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の膜厚
は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。

【０１２０】次に図１２及び図１４の工程（１３）の段
階で、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２
０分程度行った後、データ線６ａに対するコンタクトホ
ール５を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビー
ムエッチング等のドライエッチングにより或いはウエッ
トエッチングにより形成する。また、第２導電膜１１６
ａと引き出し配線３０１ｂを電気接続するためのコンタ
クトホール３０５ｂも、コンタクトホール５と同一の工
程により第２層間絶縁膜４に開孔する。

【０１２１】次に図１２及び図１４の工程（１４）に示
すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタリング等
により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド
等を金属膜６として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好
ましくは約３００ｎｍに堆積し、更に工程（１５）に示
すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等
により、データ線６ａ並びに画像信号線１１５及び引き
出し配線３０１ｂを形成する。

【０１２２】次に図１２及び図１４の工程（１６）に示
すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧
又は減圧ＣＶＤ法でＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、
窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶
縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の膜厚は、約５０
０〜１５００ｎｍが好ましい。

【０１２３】次に図１４の工程（１７）の段階におい
て、画素スイッチング用ＴＦＴ３０において、画素電極
９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気接続するための
コンタクトホール８を、反応性イオンエッチング、反応
性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより
形成する。

【０１２４】次に図１２及び図１４の工程（１８）に示
すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタリング等
により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９を、約５０〜２
００ｎｍの厚さに堆積し、更に図１２及び図１４の工程
（１９）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッ
チング工程等により、画素電極９ａを形成する。尚、当
該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ
等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成
してもよい。

【０１２５】続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系
の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角
を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等
により、配向膜１６が形成される。

【０１２６】他方、図３に示した対向基板２０について
は、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び
第３遮光膜５３（図４及び図５参照）が、例えば金属ク
ロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィ工
程、エッチング工程を経て形成される。尚、第２遮光膜
２３及び第３遮光膜５３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金
属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散し
た樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。

【０１２７】その後、対向基板２０の全面にスパッタ処
理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２
００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を
形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の
配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を
持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等に
より、配向膜２２が形成される。

【０１２８】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及
び２２が対面するようにシール材により貼り合わされ、
真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類
のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、
所定膜厚の液晶層５０が形成される。

【０１２９】（液晶装置の全体構成）以上のように構成
された液晶装置の各の実施形態の全体構成を図１５及び
図１６を参照して説明する。尚、図１５は、ＴＦＴアレ
イ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向
基板２０の側から見た平面図であり、図１６は、対向基
板２０を含めて示す図１６のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１３０】図１５において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ
或いは異なる材料から成る額縁としての第３遮光膜５３
が設けられている。シール材５２の外側の領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴ
ＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走
査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿っ
て設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅
延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は
片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ
線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配
列してもよい。例えば奇数列のデータ線は画像表示領域
の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画
像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表示領域
の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から
画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ
線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動
回路１０１の占有面積を拡張することができるため、複
雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレ
イ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設け
られた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配
線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコー
ナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるため
の上下導通材１０６が設けられている。そして、図１６
に示すように、図１５に示したシール材５２とほぼ同じ
輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦ
Ｔアレイ基板１０に固着されている。

【０１３１】以上図１から図１６を参照して説明した実
施形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上には
更に、画像信号のデータ線６ａへの書込み負荷軽減のた
めに各データ線６ａについて画像信号に先行するタイミ
ングで所定電位のプリチャージ信号を書き込むプリチャ
ージ回路を形成してもよいし、製造途中や出荷時の当該
液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を
形成してもよい。また、データ線駆動回路１０１、走査
線駆動回路１０４等の周辺回路の一部を、ＴＦＴアレイ
基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩ
に、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性
導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するよう
にしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する
側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には
各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モー
ド、等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノ
ーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、
位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置され
る。

【０１３２】以上説明した本実施形態における液晶装置
は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３枚の
液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いら
れ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロ
イックミラーを介して分解された各色の光が投射光とし
て各々入射されることになる。従って、本実施形態で
は、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていな
い。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない
画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィ
ルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成しても
よい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視
型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に
実施形態における液晶装置を適用できる。更に、対向基
板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを
形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率
を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更に
また、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干
渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色
を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、よ
り明るいカラー液晶装置が実現できる。

【０１３３】以上説明した実施形態における液晶装置で
は、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射す
ることとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているので、
ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対向基
板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、この
ように液晶装置を液晶プロジェクタに取り付けても、半
導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域
１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに光が入射することを防
ぐことが出来、高画質の画像を表示することが可能であ
る。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側で
の反射を防止するために、反射防止用のＡＲ（Anti Ref
lection)被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィ
ルムを貼り付ける必要があった。しかし、本実施形態で
は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少な
くともチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、
低濃度ドレイン領域１ｃとの間に第１遮光膜１１ａが形
成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光板や
ＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのも
のをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従っ
て、本実施形態によれば、材料コストを削減でき、また
偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落
とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れて
いるため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリ
ッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、
光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。

【０１３４】また、各画素に設けられるスイッチング素
子としては、正スタガ型又はプレーナー型のポリシリコ
ンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴ
やアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに
対しても、実施形態は有効である。

【０１３５】（電子機器）次に、以上詳細に説明した電
気光学装置を備えた電子機器の実施形態について図１７
から図１９を参照して説明する。

【０１３６】先ず図１７に、このように電気光学装置の
一例として液晶装置１００を備えた電子機器の概略構成
を示す。

【０１３７】図１７において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレ
ル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、ク
ランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されて
おり、クロック信号に基づいて入力された表示情報から
デジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆
動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶
装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各
回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成
するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載
してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を
搭載してもよい。

【０１３８】次に図１８から図１９に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。

【０１３９】図１８は電子機器の一例たる液晶プロジェ
クタ１１００を示す。この液晶プロジェクタ１１００に
は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に
搭載された液晶装置１００を含む液晶表示モジュールを
３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１
００Ｇ及び１００Ｂとして用いられている。液晶プロジ
ェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光
源のランプユニット１１０２から投射光が発せられる
と、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミ
ラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成
分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ
１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この
際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入
射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レン
ズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導
かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び
１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分
は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成さ
れた後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２
０にカラー画像として投射される。

【０１４０】図１９は電子機器の他の例たるマルチメデ
ィア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ
（ＰＣ）１２００を示す。上述した液晶装置１００がト
ップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、メ
モリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が
組み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１４１】以上図１８から図１９を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図１７に示した電子機器の例として挙げられ
る。

【０１４２】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置
を備えた各種の電子機器を実現できる。

【０１４３】

【発明の効果】本発明の電気光学装置によれば、遮光膜
を利用して低抵抗した中継配線等の周辺配線により、画
像信号等を供給するようにしたので、電気光学装置の駆
動周波数を高めても、画像信号線等と中継配線等との容
量カップリングによる容量線の電位揺れ、クロストー
ク、ゴースト等は低減され、高品位の画像表示が行え
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶装置の実施形態における画像形成領域を構
成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素
子、配線等の等価回路並びに周辺回路を含む液晶装置の
ブロック図である。

【図２】液晶装置の実施形態におけるデータ線、走査
線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】周辺配線が設けられたＴＦＴアレイ基板の部分
平面図である。

【図５】図４の中継配線及び引き出し配線部を拡大して
示す拡大平面図である。

【図６】図４及び図５のＢ−Ｂ’断面図である。

【図７】図４及び図５のＣ−Ｃ’断面図である。

【図８】図４及び図５のＢ−Ｂ’断面における変形態様
を示す断面図である。

【図９】図４及び図５のＣ−Ｃ’断面図における変形態
様を示す断面図である。

【図１０】図５のＤ−Ｄ’断面におけるサンプリング回
路駆動信号線用の中継配線の各種態様を示す断面図であ
る。

【図１１】液晶装置の実施形態の製造プロセスを、図６
に対応する部分について順を追って示す工程図（その
１）である。

【図１２】液晶装置の実施形態の製造プロセスを、図６
に対応する部分について順を追って示す工程図（その
２）である。

【図１３】液晶装置の実施形態の製造プロセスを、図３
に対応する部分について順を追って示す工程図（その
１）である。

【図１４】液晶装置の実施形態の製造プロセスを、図３
に対応する部分について順を追って示す工程図（その
２）である。

【図１５】液晶装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基
板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側
から見た平面図である。

【図１６】図１５のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１７】本発明による電子機器の実施形態の概略構成
を示すブロック図である。

【図１８】電子機器の一例として液晶プロジェクタを示
す断面図である。

【図１９】電子機器の他の例としてパーソナルコンピュ
ータを示す正面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域） １ｃ…低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域） １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…第１蓄積容量電極 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第２層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ７…第３層間絶縁膜 ８…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…第１遮光膜 １２…第１層間絶縁膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２３…第２遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…第３遮光膜 ７０…蓄積容量 １０１…データ線駆動回路 １０３…サンプリング回路 １０４…走査線駆動回路 １１４…サンプリング回路駆動信号線 １１５…画像信号線 １１６…中継配線 ３０１、４０１…引き出し配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ｂ Ｆターム(参考） 2H092 HA27 JA24 JA46 JB22 JB31 JB51 KA04 MA05 MA13 MA18 MA19 MA29 NA01 NA12 NA22 NA27 NA28 PA01 PA06 QA07 RA05 5C094 AA04 AA09 AA13 AA24 AA53 AA55 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA10 ED15 FA01 FA02 FB12 GB10 5F110 AA06 AA24 AA26 AA30 BB01 BB06 BB07 CC02 CC07 DD02 DD03 EE09 EE28 FF02 FF03 FF09 FF23 FF32 GG02 GG13 GG24 GG25 GG47 HJ01 HJ13 HJ23 HL07 HM14 HM15 HM17 NN03 NN04 NN22 NN23 NN24 NN25 NN26 NN35 NN40 NN42 NN44 NN45 NN46 NN47 NN54 NN72 PP27 PP33 QQ04 QQ05 QQ11

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に複数の走査線と、複数のデータ
   線と、前記各走査線と前記各データ線に接続された薄膜
   トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画
   素電極と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル
   領域を平面的に覆うように配置された導電性の遮光膜
   と、前記走査線と前記データ線の少なくとも一方に信号
   を供給するための周辺回路と、前記周辺回路に接続され
   た周辺配線とを備えており、 前記周辺配線は、前記遮光膜を形成する第１導電膜を含
   む第１配線部と、前記薄膜トランジスタ、前記データ線
   及び前記走査線を構成する複数の薄膜の少なくとも一つ
   の導電膜を含む第２配線部とを有することを特徴とする
   電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記第１配線部は前記薄膜トランジス
   タ、前記データ線及び前記走査線を構成する複数の薄膜
   のうちの少なくとも一つの第２導電膜と前記第１導電膜
   とを有し、前記第２配線部は前記薄膜トランジスタ、前
   記データ線及び前記走査線を構成する複数の薄膜のうち
   の前記第２導電膜とは異なる第３導電膜を含むことを特
   徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記第２導電膜は、前記第１導電膜より
   も高抵抗であることを特徴とする請求項２に記載の電気
   光学装置。
4. 【請求項４】 前記遮光膜と前記薄膜トランジスタとの
   間に介在する第１層間絶縁膜と、 前記第２導電膜と前記第３導電膜との間に介在する第２
   層間絶縁膜とを更に備えており、 前記第１配線部は、前記第２配線部の一部に電気接続さ
   れると共に前記第１配線部の他部に対し前記第１及び第
   ２層間絶縁膜を夫々介して立体的に交差する中継配線か
   らなることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光
   学装置。
5. 【請求項５】 前記周辺配線は、外部回路接続端子から
   前記画像信号を供給するための画像信号線を含み、 前記周辺回路は、前記画像信号をサンプリングするため
   のサンプリング回路と、該サンプリング回路を所定タイ
   ミングで駆動して前記画像信号線上の前記画像信号を前
   記サンプリング回路を介して前記複数のデータ線に供給
   させるデータ線駆動回路と、前記走査線を駆動する走査
   線駆動回路とを含むことを特徴とする請求項４に記載の
   電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記画像信号は、Ｎ（但し、Ｎは２以上
   の自然数）シリアル−パラレル変換されており、前記画
   像信号線は、並列にＮ本設けられており、 該Ｎ本の画像信号線は、相互に交差する箇所において前
   記中継配線を含むことを特徴とする請求項５に記載の電
   気光学装置。
7. 【請求項７】 前記データ線駆動回路から前記サンプリ
   ング回路にサンプリング回路駆動信号を供給するための
   複数のサンプリング回路駆動信号線を更に備えており、 該サンプリング回路駆動信号線は、少なくとも前記画像
   信号線に交差する箇所が前記中継配線からなることを特
   徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記１配線部を構成する前記第１導電膜
   及び前記第２導電膜は、前記第１層間絶縁膜に設けられ
   たコンタクトホールを介して相互に電気接続されている
   ことを特徴とする請求項２から７のいずれか一項に記載
   の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記第３導電膜は前記データ線を形成す
   る金属膜からなり、 前記第２導電膜は前記走査線を形成するポリシリコン膜
   からなることを特徴とする請求項２から８のいずれか一
   項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記基板に対向する対向基板との間に
    前記電気光学物質が挟持されて、前記基板と対向基板と
    はシール材により接着されてなり、 前記シール材に対向する前記基板上のシール領域には、
    電気光学物質の周囲に渡って少なくとも前記第１導電
    膜、前記第２導電膜及び前記第３導電膜が積層されてお
    り、 前記シール領域を介して引き出される前記データ線及び
    前記走査線側の引き出し配線部は夫々、前記第１導電膜
    と第２導電膜と第３導電膜のうちの少なくとも１つから
    なることを特徴とする請求項２から９のいずれか一項に
    記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記引き出し配線部は夫々、前記第１
    導電膜と第２導電膜と第３導電膜のうち少なくとも２つ
    が相互にコンタクトホールを介して電気接続されてなる
    ことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記引き出し配線部は夫々、前記第１
    導電膜と第２導電膜と第３導電膜のうち一つから形成さ
    れた配線からなり、 前記第１導電膜と第２導電膜と第３導電膜のうち他の２
    つは、前記シール領域において配線として機能しないダ
    ミー配線からなることを特徴とする請求項１０に記載の
    電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記第１配線部において、前記第１導
    電膜が前記第２導電膜により覆われていることを特徴と
    する請求項２から１２のいずれか一項に記載の電気光学
    装置。
14. 【請求項１４】 前記第１配線部において、前記第１導
    電膜の配線幅は、前記第２導電膜の配線幅以下であるこ
    とを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】 基板上に複数の走査線と、複数のデー
    タ線と、前記各走査線及び前記各データ線に接続された
    薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄
    膜トランジスタの少なくともチャネル領域を平面的に覆
    う位置に設けられた導電性の遮光膜と、画像信号を供給
    する複数の画像信号線と、該複数の画像信号線に供給さ
    れる前記画像信号をサンプリングして前記複数のデータ
    線の各々に供給するサンプリング回路とを備えており、 前記画像信号線と前記サンプリング回路とを接続する配
    線の少なくとも一部は、前記遮光膜と同一膜の第１導電
    膜からなることを特徴とする電気光学装置。
16. 【請求項１６】 前記サンプリング回路にサンプリング
    回路駆動信号を供給するサンプリング回路駆動信号線の
    少なくとも一部は、前記第１導電膜からなることを特徴
    とする請求項１５に記載の電気光学装置。
17. 【請求項１７】 一対の基板間に電気光学物質が挿入さ
    れてなり、該一対の基板の一方の基板上には、複数の走
    査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各デ
    ータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラ
    ンジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジス
    タの少なくともチャネル領域を平面的に覆う位置に設け
    られた導電性の遮光膜と、画像信号を供給する複数の画
    像信号線と、該複数の画像信号線に供給される前記画像
    信号をサンプリングして前記複数のデータ線の各々に供
    給するサンプリング回路とを備えた電気光学装置の製造
    方法において、 前記画像信号線と前記サンプリング回路とを接続する配
    線の一部となる第１導電膜と前記遮光膜とを同一材料に
    より形成する工程と、 前記第１導電膜及び前記遮光膜の上に第１層間絶縁膜を
    形成する工程と、 該第１層間絶縁膜上に前記走査線を形成すると共に前記
    第１層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前
    記第１導電膜に接続される第２導電膜を形成する工程
    と、 前記走査線及び前記第２導電膜上に第２層間絶縁膜を形
    成する工程と、 前記第２層間絶縁膜のコンタクトホールを介して前記薄
    膜トランジスタに接続される前記データ線及び前記第２
    導電膜に接続される前記画像信号線を形成する工程とを
    有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 一対の基板間に電気光学物質が挿入さ
    れてなり、該一対の基板の一方の基板上には、複数の走
    査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各デ
    ータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラ
    ンジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジス
    タの少なくともチャネル領域を平面的に覆う位置に設け
    られた導電性の遮光膜と、画像信号を供給する複数の画
    像信号線と、該複数の画像信号線に供給される前記画像
    信号をサンプリングして前記複数のデータ線の各々に供
    給するサンプリング回路とを備えた電気光学装置の製造
    方法において、 前記画像信号線と前記サンプリング回路とを接続する配
    線の一部となる第１導電膜と前記遮光膜とを同一材料に
    より形成する工程と、 該第１導電膜及び前記遮光膜の上に第１層間絶縁膜を形
    成する工程と、 該第１層間絶縁膜上に前記薄膜トランジスタのソース及
    びドレインとなる半導体層、ゲート絶縁膜並びにゲート
    電極を順次積層形成する工程と、 前記ゲート電極上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第２層間絶縁膜のコンタクトホールを介して前記薄
    膜トランジスタに接続される前記データ線を形成し、前
    記第１及び第２層間絶縁膜のコンタクトホールを介して
    前記第１導電膜に接続される画像信号線を形成する工程
    とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 請求項１から１６に記載の電気光学装
    置を備えたことを特徴とする電子機器。