JP2007225760A - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶等の電気光学装置において、例えば画像信号等の他の信号に対してクロック信号が及ぼすノイズの悪影響を抑制し、且つ、装置の小型化を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、複数の画素が設けられた画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に配置されたデータ線駆動回路１０１と、データ線駆動回路１０１へクロック信号を供給するＸ側クロック信号線９２と、データ線駆動回路１０１へクロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号を供給するＸ側反転クロック信号線９３とを備える。Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なる。
【選択図】図８

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、画素電極等の表示用電極や、これを駆動するためのデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の回路部が設けられた基板上に、その一辺の縁に沿って、複数の外部回路接続端子が配列されている。基板上には更に、これら複数の外部回路接続端子から走査線駆動回路やデータ線駆動回路等の回路部へ引き回される複数の信号配線が配線される。ここで、データ線駆動回路は、外部回路接続端子が設けられた基板の一辺に沿って設けられ、走査線駆動回路は、その一辺の両側に位置する二つの辺の少なくとも一方に沿って設けられる場合が多い。

このようなデータ線駆動回路等の回路部に対しては、その駆動動作の基本となるクロック信号とこれに対して位相が反転している反転クロック信号とが、外部回路から外部回路接続端子及び信号配線を介して供給される。

クロック信号や反転クロック信号は、その性質上極めて高周波であるため、画像信号に対するノイズ源となりやすい。このため、画像信号を供給する画像信号線を、データ線駆動回路の一方側（例えば左辺寄り）から引き回すと共に、クロック信号を供給するクロック信号線を、データ線駆動回路の他方側（例えば右寄り）から引き回すようにされることが多い。更に、画像信号線を高周波ノイズ源としてのクロック信号から電磁的にシールドすべく、画像信号線とクロック信号線との間に定電位のシールド線を配線する技術が本願出願人によって提案されている（特許文献１参照）。

特許３６４９２０５号公報

しかしながら、クロック信号線や反転クロック信号線を、データ線駆動回路に対して画像信号線と反対側から引き回す場合には、他の信号配線や回路部との関係でレイアウトが制限され、装置を小型化することが困難であるという技術的問題点がある。更に、特許文献１に開示された技術では、シールド線にクロック信号によるノイズが発生してしまい、シールド線を介して画像信号にクロック信号によるノイズが及んでしまうおそれがあるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば画像信号等の他の信号に対してクロック信号が及ぼすノイズの悪影響を抑制でき、且つ、装置の小型化が可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素と、前記複数の画素が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素を制御するための周辺回路と、前記周辺領域に設けられ、前記周辺回路へクロック信号を供給するためのクロック信号線と、前記周辺領域に設けられ、前記周辺回路へ前記クロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号を供給するための反転クロック信号線とを備え、前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、前記基板上で少なくとも部分的に互いに重なる。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば外部回路から、画像信号、クロック信号、反転クロック信号、各種制御信号、電源信号等が、例えば外部回路接続端子を介して、画像信号線、クロック信号線及び反転クロック信号線を含む基板上に引き回された信号配線及び周辺回路に供給される。画像信号線、クロック信号線、反転クロック信号線等の信号配線及び周辺回路は、基板上の複数の画素が例えばマトリクス状に平面配列された画素領域或いは画素アレイ領域（又は「画像表示領域」とも呼ぶ）の周辺に位置する周辺領域に設けられている。ここに本発明に係る「周辺回路」とは、例えば画素に電気的に接続された走査線やデータ線を制御或いは駆動するための走査線駆動回路やデータ線駆動回路或いはサンプリング回路等の基板上に作り込まれる又は取り付けられる各種の回路を意味する。例えば、データ線駆動回路は、データ線駆動回路用のクロック信号及び反転クロック信号等に基づいて、サンプリング回路を駆動するためのサンプリング回路駆動信号を出力する。画像信号線に供給される画像信号は、データ線駆動回路から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリング回路によってサンプリングされ、データ線を介して各画素に供給される。これと共に、走査線駆動回路により、走査線駆動回路用のクロック信号及び反転クロック信号等に基づいて、走査線を介して走査信号が各画素に供給される。画素毎に設けられた例えば画素スイッチング用薄膜トランジスタ（以下、適宜「画素スイッチング用ＴＦＴ」という。）は、走査線にゲートが接続されており、走査信号に応じて画像信号を画素毎に設けられた画素電極へ選択的に供給する。これらにより、例えば、画素電極及びこれに対向する対向電極間に挟持された、例えば液晶等の電気光学物質を各画素で駆動することでアクティブマトリクス駆動が可能となる。尚、当該電気光学装置の駆動方式としては、アクティブマトリクス駆動方式に限らず、パッシブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の各種の駆動方式が考えられる。

本発明では特に、クロック信号線及び反転クロック信号線は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、基板上で平面的に見て（或いは基板の法線方向から見て）少なくとも部分的に互いに重なる、好ましくはクロック信号線及び反転クロック信号線は、基板上で平面的に見て、殆ど或いは実践上完全に互いに重なる。よって、位相が互いに反転した、即ち互いに逆位相であるクロック信号及び反転クロック信号を夫々供給するクロック信号線と反転クロック信号線とが互いに重なる部分によって、クロックノイズ（或いは電磁ノイズ）を打ち消しあわせることができる。即ち、クロック信号線或いは反転クロック信号線が、例えば電源線或いは画像信号線等の他の信号配線と互いに近接して配置されると、クロック信号或いは反転クロック信号により例えば電源信号或いは画像信号等にクロックノイズが発生してしまうことがある。しかるに本発明によれば、互いに逆位相のクロック信号線及び反転クロック信号線は、基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に互いに重なるので、近接して配置される他の信号配線においてクロックノイズを打ち消しあわせることができる。言い換えれば、クロック信号線及び反転クロック信号線による他の信号配線へのクロックノイズを低減或いは防止できる。よって、周辺回路の動作不具合の発生を低減或いは防止できる。特に画像信号に比べて周波数が高い信号である例えばデータ線駆動回路用のクロック信号或いは反転クロック信号の画像信号に及ぼす電磁ノイズが低減されることにより、高品位の画像表示が可能となる。

更に、本発明では特に、クロック信号線及び反転クロック信号線は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、基板上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なるので、仮にクロック信号線及び反転クロック信号線を同層に位置する導電膜から夫々形成した場合に比較して、クロック信号線及び反転クロック信号線を形成するのに必要な領域を小さくすることができる。加えて、上述したように、他の信号配線へのクロックノイズが低減或いは防止されているので、クロック信号線及び反転クロック信号線を、より周波数の低い信号を供給する配線、例えば画像信号線等とも近接して配線できる、即ち配線レイアウトの自由度が高い。従って、画素領域を広く確保しつつ、周辺領域の削減による基板全体、惹いては電気光学装置の全体の小型化を図ることが可能となる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、例えば画像信号等の他の信号に対してクロック信号が及ぼすノイズの悪影響を低減でき、高品位の画像表示が可能であると共に、基板サイズを縮小することができ、電気光学装置を小型化することが可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記周辺領域に設けられ、前記クロック信号線と前記反転クロック信号線との間の層において、前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線と少なくとも部分的に互いに重なるように設けられたシールド膜を備える。

この態様によれば、シールド膜が、基板上の積層構造において、クロック信号線と反転クロック信号線との間、即ち層間に配置される。言い換えれば、クロック信号線、シールド膜及び反転クロック信号線は、この順に或いはこれと反対の順に、層間絶縁膜を夫々介して積層される。更に、シールド膜は、前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線と少なくとも部分的に互いに重なるように設けられる。よって、クロック信号線と反転クロック信号線とは、シールド膜により、互いに反転クロック信号或いはクロック信号から発生する電磁ノイズが低減される。ここに本発明に係る「シールド膜」とは、導電膜等の電磁シールド機能を有する膜を意味し、例えば、周辺回路に電源を供給する電源配線として形成されてもよい。加えて、シールド膜において、クロック信号線及び反転クロック信号線の各々からのクロックノイズを打ち消しあわせることができる。即ち、クロック信号及び反転クロック信号は互いに逆位相の信号であり、基板上における積層構造において、シールド膜に対してクロック信号線及び反転クロック信号線は互いに反対側に位置するので、シールド膜において、クロックノイズを低減或いは防止できる。よって、クロック信号線又は反転クロック信号線が、シールド膜を介して、例えば画像信号線等の他の信号配線にクロックノイズ等の悪影響を及ぼすことを低減或いは防止できる。

上述したシールド膜を備えた態様では、前記シールド膜は、一定電位を供給するための定電位配線であるように構成してもよい。

この場合には、定電位配線が、シールド膜として機能するので、製造工程の複雑化を招くことなく、クロック信号及び反転クロック信号間の電磁的な干渉を低減し、周辺回路の動作不具合を低減或いは防止できる。更に、定電位配線においてクロック信号線及び反転クロック信号線の各々からのクロックノイズは互いに打ち消しあうことにより、定電位配線の電位が変動する或いは揺らぐことを防止できるので、定電位配線を介して、例えば画像信号線等の他の信号配線に悪影響を及ぼすことを低減或いは防止できる。尚、シールド膜は、信号の電位が一定時間毎に所定電位へと変化する、例えば一定周期で反転するような所定電位信号を供給するための所定電位配線であってもよい。この場合にも、各一定時間について見れば、信号の電位は一定であるので、上記と同様の電磁的な干渉を低減する効果が相応に得られる。

上述したシールド膜が定電位配線である態様では、前記定電位配線は、前記周辺回路に電源電位を供給するための電源配線であるように構成してもよい。

この場合には、電源配線がシールド膜として機能するので、製造工程の複雑化を招くことなく、クロック信号及び反転クロック信号間の電磁的な干渉を低減できると共に、例えば画像信号線等の他の信号配線に悪影響を及ぼすことを低減或いは防止できる。

上述したシールド膜が定電位配線である態様では、前記画素は画素電極を有し、前記画素電極に対向する対向電極を備え、前記定電位配線は、前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線であるように構成してもよい。

この場合には、対向電極電位線がシールド膜として機能するので、製造工程の複雑化を招くことなく、クロック信号及び反転クロック信号間の電磁的な干渉を低減できると共に、例えば画像信号線等の他の信号配線に悪影響を及ぼすことを低減或いは防止できる。

上述したシールド膜が定電位配線である態様では、前記定電位配線の配線幅は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線の少なくとも一方の配線幅よりも広いように構成してもよい。

この場合には、定電位配線の配線幅は、基板上で平面的に見て、少なくとも部分的にクロック信号線及び反転クロック信号線の少なくとも一方の配線幅よりも広いので、クロック信号線及び反転クロック信号線間における電磁的干渉を一層確実に低減することができる、即ち、定電位配線のシールド膜としての機能を向上させることができる。更に、配線幅が広いので、定電位配線の低抵抗化を図ることができる。よって、定電位配線によって、周辺回路に安定した定電位信号或いは定電位電源を供給することができる。

上述したシールド膜を備えた態様では、前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線は、前記基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように、且つ、互いに重なるように形成されてもよい。

この場合には、クロック信号線及び反転クロック信号線は、基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように形成される。即ち、クロック信号線及び反転クロック信号線の配線幅は、殆ど或いは実践的な意味で完全に一致することになる。更に、クロック信号線及び反転クロック信号線は、互いに重なるように形成される。即ち、クロック信号線及び反転クロック信号線は、基板上で平面的に見て、互いに殆ど或いは実践的な意味で完全に重なることになる。よって、クロック信号線及び反転クロック信号線から生じるノイズは、シールド膜において、一層確実に打ち消しあうので、シールド膜を介して例えば画像信号線等の他の信号配線にクロックノイズ等の悪影響が発生するのを一層確実に低減或いは防止できる。更に、クロック信号線及び反転クロック信号線を、１つのクロック信号線を配線するのに必要な基板上の面積と殆ど同じ面積で配線できる。従って、基板サイズの小型化を図ることができる。

上述したシールド膜を備えた態様では、前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線は、前記クロック信号線、第１層間絶縁膜及び前記シールド膜が積層されてなる第１容量の大きさと、前記反転クロック信号線、第２層間絶縁膜及び前記シールド膜が積層されてなる第２容量の大きさとの差が小さくなるように、配線幅及び配線長の少なくとも一方が調整されていてもよい。

この場合には、クロック信号線、第１層間絶縁膜及びシールド膜が積層されてなる第１容量と、反転クロック信号線、第２層間絶縁膜及びシールド膜が積層されてなる第２容量とが殆ど或いは実践上完全に等しい大きさとなるように、クロック信号線及び反転クロック信号線が形成される。よって、クロック信号線が第１容量を介してシールド膜に及ぼすノイズの大きさと、反転クロック信号線が第２容量を介してシールド膜に及ぼすノイズの大きさとを殆ど或いは実践上完全に一致させることができる。従って、クロック信号線及び反転クロック信号線の各々から生じる互いに逆位相のノイズを、シールド膜において、一層確実に互いに打ち消しあうようにすることができる。

上述したシールド膜を備えた態様では、前記基板上に、前記クロック信号線、反転クロック信号線及びシールド膜に電気的に夫々接続されており、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子を備え、前記シールド膜に電気的に接続された前記外部回路接続端子は、前記基板上で平面的に見て、前記クロック信号線及び反転クロック信号線に夫々電気的に接続された前記外部回路接続端子の間に位置するように構成してもよい。

この場合には、クロック信号線及び反転クロック信号線が外部回路接続端子と電気的に接続する領域においても、シールド膜が存在するようにすることができる。従って、クロック信号及び反転クロック信号間の電磁的な干渉を一層確実に低減できると共に、シールド膜を介して例えば画像信号線等の他の信号配線に悪影響を及ぼしてしまうことを一層確実に低減或いは防止できる。

上述したシールド膜を備えた態様では、前記基板上に、前記画素領域で互いに交差するように設けられた複数のデータ線及び複数の走査線を備え、前記画素は、前記データ線及び前記走査線の交差に応じて設けられており、前記基板上に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量を備え、前記クロック信号線、前記反転クロック信号線及び前記シールド膜は夫々、前記データ線、前記下側電極及び前記上側電極を夫々構成する導電膜のうちいずれかと同一膜であるように構成してもよい。

この場合には、クロック信号線、反転クロック信号線及びシールド膜は夫々、データ線、下側電極及び上側電極を夫々構成する複数の導電膜のうちいずれかと同一膜である。ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜である」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。よって、クロック信号線、反転クロック信号線及びシールド膜は夫々、データ線、下側電極又は上側電極の形成と同一機会に形成することができる。即ち、製造工程の複雑化を招くことなく、クロック信号線、反転クロック信号線及びシールド膜を複数の導電膜から形成することができる。

尚、蓄積容量によって、例えば画素を構成する画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

上述したシールド膜を備えた態様では、前記画像信号線は、前記シールド膜と同一膜からなるように構成してもよい。

この場合には、画像信号線はシールド膜と同一膜からなるので、例えば画像信号線がクロック信号線及び反転クロック信号線と近接して配置された場合であっても、シールド膜と同様に、画像信号線においても、クロック信号線及び反転クロック信号線の各々から生じるノイズを互いに打ち消しあわせることができる。よって、クロック信号線及び反転クロック信号線に起因して発生し得る、画像信号線におけるクロックノイズを低減或いは防止し、高品位な表示が可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図９を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。尚、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４は、本発明に係る「周辺回路」の一例である。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための信号配線９０が形成されている。尚、信号配線９０には、後述するように、画像信号線、クロック信号線、走反転クロック信号線、電源配線等が含まれている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路図である。

＜画素部の原理的構成＞
図３において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。

＜画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図４から図６を参照して説明する。図４及び図５は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図であり、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分(図５)に相当する。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´線での断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図４から図６では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第５層が上層部分として図５に示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線１１ａは、導電性ポリシリコンからなる。尚、走査線１１ａは、導電性ポリシリコンの他、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等から形成してもよい。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンから形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなる。

尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもよい。

（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。

データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。また、データ線６ａは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。

中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００は、容量配線４００の一部として形成されており、容量配線４００（図３参照）と電気的に接続されている。尚、容量電極３００は、本発明に係る「上側電極」の一例であり、下部電極７１は、本発明に係る「下側電極」の一例である。下部電極７１の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。

容量電極３００又は下部電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。

図５に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている。誘電体膜７５は、シリコン窒化膜から形成されている。尚、誘電膜７５は、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜から形成してもよい。

第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第２層間絶縁膜４２の表面は、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理、スピンコート処理、凹への埋め込み処理等の平坦化処理がなされている。よって、下層側のこれらの要素に起因した凹凸が除去され、第２層間絶縁層４２の表面は平坦化されている。尚、このような平坦化処理は、他の層間絶縁膜の表面に対して行ってもよい。

（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。層間絶縁膜４３の表面は、層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。

画素電極９ａ（図５中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる。

画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、下部電極７１の延在部と電気的に接続されている（図６参照）。即ち、下部電極７１の電位は、画素電位となっている。更に上述したように、下部電極７１の延在部と中継層６００と、及び、中継層６００とＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。 画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。

以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。

他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図６では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。

このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。

以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１を参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。

次に、データ線駆動回路及びサンプリング回路の回路構成、並びに画像信号線、Ｘ側クロック信号線、電源配線等の信号配線等による電気的な接続関係について、図７を参照して説明する。ここに図７は、データ線駆動回路及びサンプリング回路に係る回路構成、並びに信号配線等による電気的な接続関係を示す説明図である。

図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及び外部回路接続端子１０２が設けられており、画像信号線９１、Ｘ側クロック信号線９２、Ｘ側反転クロック信号線９３、シフトレジスタスタート信号線９４、電源線９５等を含む複数の信号配線９０が配線されている。

データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部回路接続端子１０２並びに、Ｘ側クロック信号線９２、Ｘ側反転クロック信号線９３及びシフトレジスタスタート信号線９５の各々を介して、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ、Ｘ側反転クロック信号ＣＬＸＢ及びシフトレジスタスタート信号ＤＸが供給される。Ｘ側クロック信号ＣＬＸ及びＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢは、いずれも所定周期の信号であり、互いに位相が反転した、即ち逆位相の信号である。

データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ及び該シフトレジスタからの転送信号を整形するための論理回路等を備えており、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ、Ｘ側反転クロック信号ＣＬＸＢ及びシフトレジスタスタート信号ＤＸに基づいて、サンプリング回路７を駆動するためのサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）を出力するように構成されている。

液晶装置の動作時において、データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部回路接続端子１０２及び本発明に係る「定電位配線」の一例としての電源線９５を介して電源ＶＤＤＸが供給され、データ線駆動回路１０１を構成するトランジスタが駆動される。

図７において、画像信号線９１からの分岐配線１１６は、サンプリング回路７を構成するＴＦＴ等からなるサンプリングスイッチ７ｓのソースに接続されており、データ線駆動回路１０１からのサンプリング回路駆動信号線１１７は、サンプリングスイッチ７ｓのゲートに接続されている。よって、液晶装置の動作時には、外部回路から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用の外部回路接続端子１０２に印加される画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、画像信号線９１からの分岐配線１１６を経てサンプリング回路７へ供給され、ここで、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１７を経て供給されるサンプリング回路駆動信号Ｓｉに応じたタイミングで、サンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号は、各データ線６ａに供給されることになる。

画像信号線９１からの分岐配線１１６を経てサンプリング回路７へ供給される画像信号は、線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号は、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるように構成されている。尚、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるように構成してもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置のＸ側クロック信号線及びＸ側反転クロック信号線について、図７及び図８を参照して詳細に説明する。ここに図８は、図７におけるＢ−Ｂ´線での断面図である。尚、図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図７において、画像信号線９１、Ｘ側クロック信号線９２、Ｘ側反転クロック信号線９３、シフトレジスタスタート信号線９４及び電源線９５等の信号配線９０は、夫々対応する外部回路接続端子１０２からデータ線駆動回路１０１等へ配線されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、信号配線９０として、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４等の周辺回路を駆動するためのＹ側クロック信号、Ｙ側反転クロック信号、各種制御信号、電源信号等を供給するための配線も設けられている。

図７及び図８に示すように、本実施形態では特に、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は、誘電体膜７５及び層間絶縁膜４２を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て（或いはＴＦＴアレイ基板１０の法線方向から見て）部分的に互いに重なっている。よって、位相が互いに反転した、即ち互いに逆位相であるＸ側クロック信号ＣＬＸ及びＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢを夫々供給するクロック信号線９２と反転クロック信号線９３とが互いに重なる部分によって、互いに逆位相のクロックノイズ（或いは電磁ノイズ）を打ち消しあうことができる。即ち、Ｘ側クロック信号線９２或いはＸ側反転クロック信号線９３が、電源線９５或いは画像信号線９１と互いに近接して配置されると、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ或いはＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢにより電源信号ＶＤＤＸ或いは画像信号ＶＩＤにクロックノイズが発生してしまうことがある。しかるに本実施形態によれば、互いに逆位相のクロック信号線９２及び反転クロック信号線９３は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、少なくとも部分的に互いに重なるので、近接して配置される電源線９５及び画像信号線９１(或いはシフトレジスタスタート信号線９５等の他の信号配線）においてクロックノイズが打ち消しあう、即ちキャンセルする。言い換えれば、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３による他の信号配線９０へのクロックノイズを低減できる。よって、データ線駆動回路１０１等の周辺回路の動作不具合の発生を低減できる。特に画像信号線に供給される画像信号に及ぼす電磁ノイズが低減されることにより、高品位の画像表示が可能となる。尚、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、殆ど或いは実践上完全に互いに重なるようにするのが好ましい。この場合には、より一層確実にクロックノイズを打ち消しあわせ、クロックノイズを低減或いは防止できる。但し、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３が互いに重なり合う部分が比較的少ない場合でも、クロックノイズを低減或いは防止する効果は相応に得られる。

更に、図７及び図８に示すように、本実施形態では特に、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は、誘電体膜７５及び層間絶縁膜４２を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て部分的に互いに重なっているので、仮にＸ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３を同層に位置する導電膜から夫々形成した場合に比較して、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３を形成するのに必要な基板上の面積を小さくすることができる。加えて、上述したように、他の信号配線９０へのクロックノイズが低減されているので、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３を、画像信号線９１等の比較的低周波の信号配線９０とも近接して配線できる、即ち配線レイアウトの自由度が高い。従って、画像表示領域１０ａを広く確保しつつ、周辺領域の削減によるＴＦＴアレイ基板１０全体、惹いては液晶装置の全体の小型化を図ることが可能となる。

加えて、図８に示すように、Ｘ側クロック信号線９２は、容量電極３００（図６参照）と同一膜からなり、Ｘ側反転クロック信号線９３は、データ線６ａ（図６参照）と同一膜からなる。即ち、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は夫々、容量電極３００及びデータ線６ａの製造工程における同一機会に成膜される、同一種類の膜である。よって、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３を、製造工程の複雑化を招くことなく、層間絶縁膜を介して互いに異なる導電膜から形成することができる。尚、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３のどちらか一方を、容量電極３００及びデータ線６ａの他、下部電極７１と同一膜から形成してもよい。

図９に第１変形例として示すように、電源線９５及び画像信号線９１を、Ｘ側クロック信号線９２とＸ側反転クロック信号線９３との間に位置する導電膜（即ち、下部電極７１と同一膜）から形成してもよい。ここに図９は、第１変形例における図８と同趣旨の断面図である。この場合には、電源線９５及び画像信号線９１をＸ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３のどちらか一方と同一膜から形成した場合に比較して、Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３からのクロックノイズをより一層打ち消しあわせることができる。よって、電源線９５及び画像信号線９１のクロックノイズを一層低減できる。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、例えば画像信号ＶＩＤ等の他の信号に対してＸ側クロック信号ＣＬＸ或いはＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢが及ぼすクロックノイズ等の悪影響を低減でき、高品位の画像表示が可能であると共に、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを縮小することができ、液晶装置を小型化することが可能である。尚、本実施形態では、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ或いはＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢについて説明したが、例えば、走査線駆動回路１０４に供給されるＹ側クロック信号（及びその反転信号）を夫々供給するＹ側クロック信号線（及びＹ側反転クロック信号線）等の他のクロック信号線（及び反転クロック信号線）についても同様に、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から、少なくとも部分的に重なるように形成してもよい。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図１０から図１３を参照して説明する。ここに図１０は、第２実施形態における図７と同趣旨の説明図であり、図１１は、図１０のＣ−Ｃ´線での断面図である。尚、図１０及び図１１において、図１から図８に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１０に示すように、第２実施形態の液晶装置は、図７を参照して上述したＸ側クロック信号線９２、Ｘ側反転クロック信号線９３及び電源線９５の各々に代えて、Ｘ側クロック信号線９６、Ｘ側反転クロック信号線９７及び電源線９９を備える点で、上述した第１実施形態の液晶装置と異なる。その他の点については、第１実施形態の液晶装置と概ね同様である。

図１０及び図１１において、本実施形態では特に、Ｘ側クロック信号線９６とＸ側反転クロック信号線９７との間の層に、シールド膜としての電源線９９が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７と重なるように配線されている。

即ち、図１１において、本実施形態では特に、電源線９９が、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造において、Ｘ側クロック信号線９６とＸ側反転クロック信号線９７との間、即ち層間に配置されている。言い換えれば、反転クロック信号線９７、電源線９９及びクロック信号線９６は、この順に、第２層間絶縁膜４２或いは誘電体膜７５を夫々介して積層されている。尚、反転クロック信号線９７、電源線９９及びクロック信号線９６を、これとは反対の順に積層してもよい。更に、図１０及び図１１に示すように、本実施形態では特に、電源線９９は、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７と互いに重なるように配線されている。よって、電源線９９はＸ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７間を電磁シールドするシールド膜として機能することができ、Ｘ側クロック信号線９６におけるＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢからの電磁ノイズ及びＸ側反転クロック信号線９７におけるＸ側クロック信号ＣＬＸからの電磁ノイズを低減できる。

加えて、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造において、電源線９９に対してＸ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７は互いに反対側に位置する。更に、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ及び反転クロック信号ＣＬＸＢは互いに逆位相の信号（即ち、これらから発生するノイズも互いに殆ど逆位相）であるので、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７の各々からの電源線９９におけるクロックノイズを打ち消しあわせることができる。即ち、電源線９９におけるクロックノイズを低減或いは防止できる。よって、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ又はＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢが、電源線９９を介して、画像信号線９１等の近接する他の信号配線９０にクロックノイズを及ぼすことを低減或いは防止できる。

図１０及び図１１において、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように形成されている。即ち、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７の配線幅は、殆ど或いは実践的な意味で完全に一致している。更に、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに重なるように配線されている。よって、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７から生じるノイズは、電源線９９において、一層確実に打ち消しあうことができるので、電源線９９を介して例えば画像信号線９１等の他の信号配線９０にクロックノイズ等の悪影響が発生するのを一層確実に低減或いは防止できる。更に、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７を、１つのＸ側クロック信号線９６（或いはＸ側反転クロック信号線９７）を配線するのに必要なＴＦＴアレイ基板１０上の面積と殆ど同じ面積で配線できる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズの小型化を図ることができる。

更に、図１１において、本実施形態では特に、画像信号線９１は、電源線９９と同一膜から形成されている。よって、電源線９９と同様に、画像信号線９１においても、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７からのクロック信号線及び反転クロック信号線の各々から生じる互いに逆位相のノイズを互いに打ち消しあわせることができる。よって、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７に起因して発生し得る、画像信号線９１におけるクロックノイズを低減或いは防止し、高品位な表示が可能となる。

次に、外部回路接続端子の周辺における信号配線のレイアウトについて、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は、外部回路接続端子の周辺におけるＸ側クロック信号線、Ｘ側反転クロック信号線及び電源線のレイアウト図である。図１３は、図１２のＤ−Ｄ´線での断面図である。尚、図１３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図１２において、Ｘ側クロック信号線９６、電源線９９及びＸ側反転クロック信号線９７は夫々、対応する外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆに電気的に接続されている。外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆは互いに隣接している。これら外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆは、Ｘ側クロック信号線９６を構成する導電膜、即ち、容量電極３００を構成する導電膜と同一膜から形成されている。

Ｘ側クロック信号線９６は、外部回路接続端子１０２ｄと同一膜から一体的に形成されている。

電源線９９は、外部回路接続端子１０２ｅの周囲に設けられた、誘電体膜７５に開孔されたコンタクトホール１９１を介して、外部回路接続端子１０２ｅと電気的に接続されている。

Ｘ側反転クロック信号線９７は、外部回路接続端子１０２ｆの周囲に設けられた、誘電体膜７５及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１９２を介して、外部回路接続端子１０２ｆと電気的に接続されている。

図１２及び図１３に示すように、本実施形態では特に、電源線９９の配線幅は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、少なくとも部分的にＸ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７の配線幅よりも広い。よって、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７間における電磁的干渉を、電源線９９により一層確実に低減することができる、即ち、電源線９９のシールド膜としての機能を向上させることができる。更に、配線幅が広いので、電源線９９の低抵抗化を図ることができる。よって、電源線９９によって、データ線駆動回路１０１（図１０参照）に安定した電源ＶＤＤＸを供給することができる。

図１２及び図１３において、本実施形態では特に、Ｘ側クロック信号線９６、誘電体膜７５及び電源線９９が積層されることにより構成される配線容量１８１と、Ｘ側反転クロック信号線９７、層間絶縁膜４２及び電源線９９が積層されることにより構成される配線容量１８２とが殆ど或いは実践上完全に等しい大きさとなるように、Ｘ側クロック信号線９６及び反転クロック信号線９７が形成されている。即ち、配線容量１８１と配線容量１８２と容量差が小さくなるように、Ｘ側クロック信号線９６及び反転クロック信号線９７の配線幅或いは配線長が調整されている。よって、Ｘ側クロック信号線９６が配線容量１８１を介して電源線９９に及ぼすノイズの大きさと、Ｘ側反転クロック信号線９７が配線容量１８２を介して電源線９９に及ぼすノイズの大きさとを殆ど或いは好ましくは完全に一致させることができる。従って、Ｘ側クロック信号線９６及び反転クロック信号線９７の各々から生じる互いに逆位相のノイズを、電源線９９において、一層確実に互いに打ち消しあうようにすることができる。尚、配線容量１８１及び１８２の容量の大きさは、誘電体膜７５或いは層間絶縁膜４２の例えば材料、膜厚等によっても変化するので、これら例えば材料、膜厚等に考慮して、Ｘ側クロック信号線９６及び反転クロック信号線９７の配線幅或いは配線長を、配線容量１８１及び１８２の容量差が小さくなるように調整すればよい。尚、誘電体膜７５は、画像表示領域１０ａと周辺領域とで膜厚を異なるようにしてもよい。即ち、画像表示領域１０ａでは、蓄積容量７０の容量の大きさを大きくするために誘電体膜７５の膜厚を薄くし、周辺領域では、配線容量１８１及び１８２の容量差が小さくなるように誘電体膜７５の膜厚を、画像表示領域１０ａにおける部分の膜厚よりも厚くしてもよい。

図１２において、本実施形態では特に、電源線９９に電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｅは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、Ｘ側クロック信号線９６に電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｄとＸ側反転クロック信号線９７に電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｆとの間に位置する。よって、Ｘ側クロック信号線９６及びＸ側反転クロック信号線９７が外部回路接続端子１０２と電気的に接続する領域においても、シールド膜としての電源線９９が存在するようにすることができる。従って、Ｘ側クロック信号ＣＬＸ及びＸ側反転クロック信号ＣＬＸＢ間の電磁的な干渉を一層確実に低減できると共に、電源線９９を介して例えば画像信号線９１等の他の信号配線９０に悪影響を及ぼしてしまうことを一層確実に低減或いは防止できる。尚、Ｘ側クロック信号線、Ｘ側反転クロック信号線等のクロック信号線（或いは反転クロック信号線）を電気的に接続する外部回路接続端子の配列順序は任意に選択してもよい。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１４に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 複数の画素部の等価回路図である。 画素部の部分構成（下層部分）を表す平面図である。 画素部の部分構成（上層部分）を表す平面図である。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´線での断面図である。 データ線駆動回路、サンプリング回路及び信号配線の電気的な構成を示す説明図である。 図７におけるＢ−Ｂ´線断面図である。 第１変形例における図８と同趣旨の断面図である。 第２実施形態における図７と同趣旨の説明図である。 図１０のＣ−Ｃ´線断面図である。 外部回路接続端子の周辺におけるＸ側クロック信号線、Ｘ側反転クロック信号線及び電源線のレイアウト図である。 図１２のＤ−Ｄ´線断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、９１…画像信号線、９２、９６…Ｘ側クロック信号線、９３、９７…Ｘ側反転クロック信号線、９４…シフトレジスタスタート信号線、９５、９９…電源線、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材

Claims (12)

1. 基板上に、
   複数の画素と、
   前記複数の画素が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素を制御するための周辺回路と、
   前記周辺領域に設けられ、前記周辺回路へクロック信号を供給するためのクロック信号線と、
   前記周辺領域に設けられ、前記周辺回路へ前記クロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号を供給するための反転クロック信号線と
   を備え、
   前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、前記基板上で少なくとも部分的に互いに重なる
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記周辺領域に設けられ、前記クロック信号線と前記反転クロック信号線との間の層において、前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線と少なくとも部分的に互いに重なるように設けられたシールド膜を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記シールド膜は、一定電位を供給するための定電位配線であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記定電位配線は、前記周辺回路に電源電位を供給するための電源配線であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記画素は画素電極を有し、
   前記画素電極に対向する対向電極を備え、
   前記定電位配線は、前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
6. 前記定電位配線の配線幅は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線の少なくとも一方の配線幅よりも広いことを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線は、前記基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように、且つ、互いに重なるように形成されることを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記クロック信号線及び前記反転クロック信号線は、前記クロック信号線、第１層間絶縁膜及び前記シールド膜が積層されてなる第１容量の大きさと、前記反転クロック信号線、第２層間絶縁膜及び前記シールド膜が積層されてなる第２容量の大きさとの差が小さくなるように、配線幅及び配線長の少なくとも一方が調整されていることを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記基板上に、前記クロック信号線、反転クロック信号線及びシールド膜に電気的に夫々接続されており、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子を備え、
   前記シールド膜に電気的に接続された前記外部回路接続端子は、前記基板上で平面的に見て、前記クロック信号線及び反転クロック信号線に夫々電気的に接続された前記外部回路接続端子の間に位置する
   ことを特徴とする請求項２から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記基板上に、前記画素領域で互いに交差するように設けられた複数のデータ線及び複数の走査線を備え、
    前記画素は、前記データ線及び前記走査線の交差に応じて設けられており、前記基板上に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量を備え、
    前記クロック信号線、前記反転クロック信号線及び前記シールド膜は夫々、前記データ線、前記下側電極及び前記上側電極を夫々構成する導電膜のうちいずれかと同一膜である
    ことを特徴とする請求項２から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記周辺領域に設けられると共に前記シールド膜と同一膜からなり、前記周辺回路へ画像信号を供給するための画像信号線を備えることを特徴とする請求項２から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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