JP2011186078A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置において、製造コストの削減を可能ならしめつつ耐光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）に対応して設けられたＴＦＴ（３０）と、このチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜（６ｃ）と、これ及びＴＦＴ間に設けられ、上側遮光膜及びＴＦＴ間を電気的に相互接続するためのコンタクトホール（８１ｃ）が形成されていると共にトランジスタの上方に凹部（５０１ｈ）が形成されている、多層構造の層間絶縁膜と、この多層構造をなす複数の膜間に設けられており、凹部の底又は底の周囲に形成されているストッパー膜（５００）の少なくとも一片とを備える。上側遮光膜は、凹部内に形成されている壁部（６ｗ）を含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、例えば素子基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、適宜「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」という）が画素毎に配置された液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。このような電気光学装置では、ＴＦＴのチャネル領域に光源光等の光が入射すると、ＴＦＴにて光電効果による光リークが発生し、トランジスタ特性の劣化或いは画像信号の保持特性の低下により、画質が劣化する。また、光源光等は、基板面に対して垂直である成分のみならず、光源光等の広がり、内面反射光、多重反射光、乱反射光、戻り光などの存在等に起因する、基板面に対して斜めである成分をも無視し得ない程度に含む。

このため、例えば特許文献１に開示されているように、ＴＦＴは、基板上で上側及び下側から遮光膜により覆われている。ここでは特に、ＴＦＴの下側に位置する基板に掘られた凹部内に、斜面が設けられ、ＴＦＴの上側にある遮光膜が、その斜面上に形成された層間絶縁膜の斜面上に延在する部分を含み、この部分によりＴＦＴを斜め上方からも覆えるように構成されている。これらにより、上下方向からの直進光に対する遮光性能のみならず、斜め上方から進入しようとする斜め光に対する遮光性能も高められている。

特開２００２−１２４６７９号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、製造の際に、ＴＦＴの下側に位置する基板に、凹部をエッチング等により掘るという専用工程の追加が不可欠となってしまう。更に、凹部形成後における、ＴＦＴの製造やその他の成膜工程を、その凹凸構造の存在により複雑高度化させてしまう。即ち、基板上における積層構造及び製造工程を全体に複雑困難化させてしまうという技術的問題点がある。これは、製造コストの上昇や、製造歩留まりの低下、装置の信頼性の低下に繋がるので、実践上極めて重大なる問題点である。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、比較的容易に製造可能であり、ＴＦＴにおける光リークが低減されることにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極に対応して設けられたトランジスタと、該トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と、該上側遮光膜及び前記トランジスタ間に設けられ、前記上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されていると共に前記トランジスタの上方に凹部が形成されている、多層構造の層間絶縁膜と、該層間絶縁膜内における前記多層構造をなす複数の膜間に設けられており、前記凹部の底又は底の周囲に形成されているストッパー膜の少なくとも一片とを備え、前記上側遮光膜は、前記凹部内に形成されている壁部を含む。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば基板上に形成されたデータ線から画素電極への画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、例えば、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子としてのトランジスタが、走査線から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。

本発明に係る「トランジスタ」は、典型的にはＴＦＴであり、基板上における積層構造中、半導体層、ゲート絶縁膜等が積層されることで構築されている。即ち、典型的には、層間絶縁膜や上側遮光膜と共に基板上において層を成している。但し、トランジスタは、厚膜型或いはバルク型などの、他の型のトランジスタであってもよい。

電気光学装置は特に、トランジスタの上層側に層間絶縁膜を有し、その上層側に上側遮光膜を有し、更に、多層構造の層間絶縁膜をなす複数の膜間に、ストッパー膜の少なくとも一片が挟持或いはサンドイッチされている。

上側遮光膜は、上述の如く動作するトランジスタにて、光源光、外光、内面反射光、多重反射光、乱反射光、戻り光等の光のチャネル領域への侵入により、光リークが引き起こされないように、少なくともチャネル領域を上側から覆う。上側遮光膜は、例えば、導電性であり、典型的にはその一部にてトランジスタに（例えば、そのソース領域又はドレイン領域に）電気的に接続され、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部として機能する。例えば、データ線、データ線からトランジスタへ到る中継配線、画素電位側若しくは所定電位側の容量電極、及びトランジスタから画素電極に到る中継配線などの少なくとも一つとして機能する。また、このように配線等として機能する本体部から延在された部分や分断された部分が、遮光専用に機能してもよい。いずれにしても、上側遮光膜は少なくともその一部において、コンタクトホールを介してトランジスタの一部と電気的に接続されている。

但し、上側遮光膜は、少なくともその一部において、絶縁性材料或いは半導体材料など、導電性でなくてもよい。

上側遮光膜は、層間絶縁膜よりも遮光率の高い材料から形成される。本願発明において「遮光性」とは、広義には層間絶縁膜よりも遮光性が高いことであり、狭義には層間絶縁膜よりも顕著に遮光性が高いことである。上側遮光膜は、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム等の導電性のある金属製の遮光材料から形成される。或いは、導電性のシリサイドやポリシリコン等も、層間絶縁膜よりも遮光性に優れている限り採用可能であり、該採用された遮光膜の種類や膜厚に応じて相応の遮光性能が得られる。

層間絶縁膜は、上側遮光膜及びトランジスタ間に設けられている。即ち、基板上における積層構造中、上側遮光膜とトランジスタ（典型的にはＴＦＴ）との間に、層間絶縁膜は、配置或いは挟持されている。層間絶縁膜には、上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールが開孔されている。即ちコンタクトホール（言い換えれば、貫通孔）が層間絶縁膜に形成されている。典型的には、エッチングにより開孔されている。例えば、上側遮光膜及びトランジスタ（例えば、そのソース領域若しくはドレイン領域）間を、電気的に相互接続するためのコンタクトホールがエッチングにより開孔されている。更に、層間絶縁膜には、トランジスタの上方、典型的には、チャネル領域の斜め上方にて、層間絶縁膜用のエッチングにより、トランジスタ（例えば、そのソース領域やドレイン領域）までは貫通していない凹部が掘られている。即ち、凹部が層間絶縁膜に形成されている。凹部は、基板上で平面視して、丸い或いは矩形の穴でもよいし、長手状に真っ直ぐに又は湾曲して若しくは折れ曲がって延びる溝などでもよい。

ストッパー膜の少なくとも一片は、凹部の底又は底の周囲に形成されている。本発明に係る「ストッパー膜」とは、電気光学装置の製造工程中、層間絶縁膜にコンタクトホール及び凹部を掘る際のエッチング（即ち、エッチャント又はエッチングガス若しくはエッチング液）に対して、ストッパーとして機能する膜を意味する。例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、チッカ膜等が、酸化シリコン膜等から構成される層間絶縁膜用のエッチングのストッパーとして利用される。ストッパー膜は、製造工程中に、その主な使命を追え、その少なくとも一片が、層間絶縁膜の多層構造中に残存している。このストッパー膜の「一片」は、凹部の「底」を構成するように残存していてもよいし、凹部の底に残存すること無く「底の周囲」にて底よりも僅かに上方となる位置にて、凹部の周囲に環状に残存していてもよい。或いは、ストッパー膜は、凹部の「底」を含む、基板面上の全域に残存していてもよいし、凹部の「底」を除く全域に残存していてもよい。

但し、ストッパー膜は、製造後においても、遮光性に優れる場合に、遮光膜の一つ或いは一部として機能したり、耐湿性に優れる場合、水分が素子基板内へ浸入するのを遮断するように機能する。即ち、残存しているストッパー膜は、製造中に必ずしもその使命を完全に終えている訳ではない。このような機能或いは目的に応じて適宜、ストッパー膜の少なくとも一片は、凹部の底又は底の周囲に局所的に或いは局所的にのみ形成されていてもよい。或いは、ストッパー膜は、凹部の底又は底の周囲以外の領域にも形成されていてもよい。

上側遮光膜は、このように層間絶縁膜においてストッパー膜のところまで又はストッパー膜を若干過ぎたところまで、掘られた凹部内に、形成されている壁部を含む。即ち、壁部は、凹部の斜めの又は切り立った側壁面上や底面上に少なくとも部分的に形成される。上側遮光膜は、例えば、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部として機能する。また、複数の本体部と、チャネル領域を斜め上方から覆うべく本体部から延在又は分断されており且つこのように凹部内に形成されている壁部とを含むように構成されてもよい。

製造工程において、トランジスタ（例えば、そのソース領域又はドレイン領域）にまで到るコンタクトホール（即ち貫通孔）と同一機会に掘られているにも拘わらず、凹部（即ち非貫通孔）は、ストッパー膜の存在により、チャネル領域を含む半導体層或いはトランジスタにまで到ることはない。このため、導電性の上側遮光膜の一部である壁部が、凹部内に形成されても、トランジスタの電気的な接続状態や絶縁状態に悪影響を及ぼすことは無い。他方、凹部と同一機会に掘られているにも拘わらず、コンタクトホールに形成された上側遮光膜の配線等としての本来の機能は、コンタクトホールがストッパー膜により邪魔されること無く貫通しているので、問題なく発揮される。製造工程の簡素化の観点からは、コンタクトホール内には、上側導電層を、その本体部から連続的に一体的に形成するのが好ましいが、コンタクトホール内に、導電性の金属プラグ等を形成することも可能である。

なお、トランジスタは、表示の妨げとならないように、典型的には、画素領域内における、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に設けられる。ここで、「画素領域」とは、個々の画素の領域ではなく、複数の画素がマトリクス状に配列されてなる領域全体を意味し、「画像表示領域」或いは「表示領域」とも呼ばれる。「開口領域」とは、画素毎に表示に実際に寄与する光が出射する領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれる領域をいう。

また、本発明に係る「非開口領域」は、画素毎の開口領域を互いに隔てる領域であり、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれない領域をいう。非開口領域は、例えば、データ線や走査線の少なくとも一部が遮光性を有する遮光膜から形成され、このような遮光膜により各画素に入射される光を遮光可能な領域として、基板上に開口領域を囲むように規定される。上側遮光膜は、このような非開口領域を規定する遮光膜の一部又は全部とされてよい。これに加えて又は代えて、非開口領域は、遮光専用の基板に内蔵された遮光膜、或いは基板上又は対向基板上に形成されたブラックマトリクスやブラックマスクなどにより、少なくとも部分的に若しくは冗長的に規定されてもよい。

以上の如き構造を有するので、先ず、光リークを起こし得るチャネル領域に、真っ直ぐに（即ち、基板面に垂直に）向う直線光を、チャネル領域の上側に対向して位置する上側遮光膜の部分（例えば本体部）により確実に或いは高信頼性で遮光できる。しかも、光リークを起こし得るチャネル領域に、斜めに向う光を、例えば上側遮光膜における凹部内に形成されている壁部により、極めて有効に遮光できる。また、トランジスタを構成する半導体層においてチャネル領域に隣接してＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が有る場合、ＬＤＤ領域への光の侵入をも、壁部により効果的に防止できる。

ここで特に、上述の如き優秀なる遮光性能を得るために、基板自体に凹部を掘る必要は無く、コンタクトホールを開孔するのと同一機会に、層間絶縁膜に凹部を掘れば足りる。言い換えれば、上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する工程が必須であると考えて、これを基準とすれば、追加すべき工程は概ね、ストッパー膜を成膜しパターンニングする工程だけである。即ち、基板上における積層構造及び製造工程が簡単で済み、これは、製造コストの削減、製造歩留まりの向上及び装置信頼性の向上にも繋がる。

以上説明したように、トランジスタの周囲における遮光性能に優れるので、光リークが低減されており、よって、高品位の画像を表示可能な電気光学装置を実現できる。しかも、ストッパー膜を利用することで、このように優れた電気光学装置を、比較的簡単に或いは比較的低コストで、実現できる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記ストッパー膜は、前記基板上で平面的に見て、(i)前記コンタクトホールが形成された領域及び(ii)前記画素電極が夫々形成された各画素の開口領域を、除く領域に形成されている。

この態様によれば、ストッパー膜は、コンタクトホールが形成された領域に形成されていないので、製造時において、コンタクトホール（即ち貫通孔）をストッパー膜により邪魔されること無くエッチングにより開孔できる。しかも、ストッパー膜は、各画素の開口領域に形成されていないので、製造後（即ち完成後）において、ストッパー膜の存在により開口領域における光透過率が下がる等の不具合が生じることは無い。即ち、表示画像の明るさが、ストッパー膜の存在により低下する事態を未然防止できる。逆に、ストッパー膜を、不透明な膜或いは遮光膜から構成することが可能となり、ストッパー膜を遮光膜の一部或いは一つとして機能させることも可能となる。

或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ストッパー膜は、前記基板上で平面的に見て、前記底又は前記底の周囲に局所的に形成されていると共に、前記底及び前記底の周囲を除く領域に形成されていない。

この態様によれば、ストッパー膜は、凹部の底及び底の周囲を除く領域に形成されていないので、言い換えれば、凹部の底のみ、凹部の底及び底の周囲のみ、又は凹部の底の周囲のみに局所的に形成されている。このため、製造時において、ストッパー膜により凹部をコンタクトホールをエッチングするのと同一機会に掘ることができる。しかも、製造後（即ち完成後）において、基板上の積層構造に対してストッパー膜が与える影響を最小限に済ませることが出来る。

或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ストッパー膜は、前記基板上で平面的に見て、前記コンタクトホールが形成された領域を除く領域に形成されている。

この態様によれば、ストッパー膜は、コンタクトホールが形成された領域を除く領域に形成されている。典型的には、凹部やその周囲のみならず、画素の非開口領域や開口領域の全面に設けられる。このため、製造時において、コンタクトホール（即ち貫通孔）をストッパー膜により邪魔されること無くエッチングにより開孔できる。しかも、ストッパー膜を、例えば耐湿性に優れた窒化膜等から形成しておけば、製造後（即ち完成後）において、ストッパー膜を形成した領域の大きさに応じて、電気光学装置における耐湿性を高めることも可能となる。なお、ストッパー膜に対して、耐湿性以外の機能を与えることも可能である。

上述したストッパー膜を画素の開口領域に設けない各種態様では、前記ストッパー膜は、前記層間絶縁膜に比べて遮光性に優れた遮光性材料から形成されてよい。

このように構成すれば、ストッパー膜を利用して、遮光性能を高めることが可能となる。しかも、ストッパー膜により開口領域における透過率を下げないで済み、明るく高品位の画像表示が可能となる。

上述したストッパー膜を画素の開口領域に設ける態様では、前記ストッパー膜は、前記上側遮光膜に比べて光透過性に優れた透明材料から形成されてよい。

このように構成すれば、ストッパー膜を利用して、例えば耐湿性等を高めることが可能となる。しかも、ストッパー膜により開口領域における透過率を殆ど下げないで済み、明るく高品位の画像表示が可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記層間絶縁膜及び前記チャネル領域間には、前記チャネル領域に対向する位置に、前記トランジスタのゲート電極が存在しており、前記層間絶縁膜及び前記上側遮光膜は、前記ゲート電極の存在に応じて凸状に盛り上がっており、前記凹部は、前記層間絶縁膜における、前記基板上で平面的に見て、前記盛り上がった箇所から外れた箇所に、形成されている。

この態様によれば、チャネル領域に対向するゲート電極の存在により、チャネル領域上の層間絶縁膜は凸状に、言い換えれば土手状或いは山状に盛り上がっているが、その盛り上がった箇所からＴＦＴに向って進入しようとする直進光については、上側遮光膜の本体部により遮光される。他方、その盛り上がった箇所から外れた箇所からＴＦＴに向って侵入しようとする斜め光等については、上側遮光膜のうち、凹部内に形成された壁部或いは本体部から凹部内の壁部に延在する部分により遮光される。このように、ゲート電極の存在により、その上層側の層間絶縁膜に凹凸が生じても、上側遮光膜による遮光性能を高く維持できる。

この態様では、前記ゲート電極は、遮光性の導電材料から形成されており、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタにおけるソースドレイン領域のうち前記画素電極に電気的に接続される側である画素電極側ソースドレイン領域を前記チャネル領域側からＵ字に囲むＵ字部を含み、前記凹部は、前記層間絶縁膜における、前記基板上で平面的に見て、前記Ｕ字の切れた箇所を少なくとも部分的に塞ぐ箇所に、形成されてよい。

このように構成すれば、遮光性のゲート電極により、先ずＵ字の中央部分にてチャネル領域を上側から覆うことができ、しかも、Ｕ字の両先端部分にて、画素電極側ソースドレイン領域（例えば、ドレイン領域）やそこに隣接するＬＤＤ領域をも、斜め上方から覆うことができる。しかも、平面的に見て、ゲート電極により覆われていない領域であると共に画素電極側ソースドレイン領域やそれに隣接するＬＤＤ領域に対向する箇所である、Ｕ字部分の切れた箇所は、凹部が形成されており且つその中に上側遮光膜の壁部が設けられている。ここで特に、画素電極側ソースドレイン領域やそれに隣接するＬＤＤ領域（例えば、ドレイン側ＬＤＤ領域）は、画素電極に電気的に接続された側であるが故に、光が入射した場合に、トランジスタにおけるソースドレイン領域のうちデータ線に電気的に接続された側であるデータ線側ソースドレイン領域（例えば、ソース領域）と比べて相対的に光リークを引き起こし易い。

この現象は、本願出願人らにより発見され既に公知とされているものであり、「画素電極にプラスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、画素電極側ソースドレイン領域が、ドレインとなる場合）には、バイポーラ効果に起因した第２の電流成分は殆ど抑制されないのに対し、画素電極にマイナスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、データ側ソースドレイン領域が、ドレインとなる場合）には、バイポーラ効果に起因した第２の電流成分は、フローティング状態である画素電極側ソースドレイン領域の電位の上昇に起因して抑制される」ことに起因する現象である。つまり「画素電極側ソースドレイン領域がドレインとなる場合の方が、データ側ソースドレイン領域がドレインとなる場合よりも、光リーク電流に起因してドレイン電流が増加する」ことに起因する現象である。

よって、このように、遮光性のゲート電極の両先端部分により画素電極側ソースドレイン領域を単独又は冗長に斜め上方から覆うと共に、凹部内の壁部により画素電極側ソースドレイン領域を直上又は斜め上方から覆う構成は、光リークを低減させる上では非常に効果的である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記エッチングは、前記複数の膜のうちの上方膜を貫通すると共に前記複数の膜のうちの下方膜上に残存するストッパー膜上で止めらており、前記凹部は、前記ストッパー膜から底壁が形成され且つ前記上方膜から側壁が形成されてなる。

この態様によれば、コンタクトホールを開孔する際のエッチングは、ストッパー膜により完全に止められ、層間絶縁膜のうちのストッパー膜より下方側部分（即ち下方膜）にまでは到らない。よって、凹部が層間絶縁膜を貫通してＴＦＴの半導体層等へ到ってしまう事態が、確実にして未然防止されている。特に、製造時におけるエッチングの深度制御或いは時間制御が容易となる。しかも、基板上における壁部が存在する高さを、ストッパー膜の高さにより高精度で制御できるので、製造後における装置信頼性が高まる。

或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記エッチングは、前記複数の膜のうちの上方膜及び前記ストッパー膜を貫通すると共に前記複数の膜のうちの下方膜の途中で止めらており、前記凹部は、前記下方膜から底壁が形成され且つ前記下方膜、前記上方膜及び前記ストッパー膜から側壁が形成されてなる。

この態様によれば、凹部は、層間絶縁膜のうちのストッパー膜より下方側部分（即ち下方膜の途中）にまで到る。よって、より低い位置まで壁部により覆うことが出来るので、上側遮光膜全体としてキャップ状に覆う深さが深くなり、より遮光性能が高められる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、トランジスタと、該トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と、該上側遮光膜及び前記トランジスタ間に設けられ、前記上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されていると共に前記トランジスタの上方に凹部が形成されている、多層構造の層間絶縁膜とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記トランジスタを形成する工程と、前記トランジスタの上層側に、前記多層の層間絶縁膜のうち下方膜を形成する工程と、前記形成された下方膜上に、前記層間絶縁膜用のエッチングに対するストッパー膜を成膜する工程と、前記成膜されたストッパー膜を、少なくとも前記コンタクトホールに対応する穴が開いているようにパターンニングする工程と、前記パターンニングされたストッパー膜上に、前記多層の層間絶縁膜のうち上方膜を形成する工程と、前記上方膜上に、前記コンタクトホール及び前記凹部に対応する穴が開いたレジストを形成する工程と、前記層間絶縁膜を、前記レジストを介して、前記エッチングにより貫通するまでエッチングすることで、前記コンタクトホールを開孔すると共に、前記エッチングにより前記ストッパー膜まで若しくは前記下方膜の途中までエッチングすることで、前記凹部を掘る工程と、前記エッチングされた後における前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホール内及び前記凹部内を含むように前記上側遮光膜を形成する工程とを備える。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、先ず、多層構造を有する層間絶縁膜のうちの下方膜が、蒸着、スパッタリング等により成膜される。

その後、下方膜の上の一面に、層間絶縁膜用のエッチングに対するストッパー膜が成膜される。ストッパー膜は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、チッカ膜等の、例えばＳｉＯ2からなる層間絶縁膜に比べて、層間絶縁膜用のエッチングによるエッチングレートが顕著に低い膜である。

その後、この成膜されたストッパー膜は、少なくともコンタクトホールに対応する穴が開いているようにパターンニングされる。このパターンニングは、例えばフォトリソグラフィ及びエッチングにより行われればよい。このパターンニングの際には、コンタクトホール以外に対応する穴が、例えば、各画素の開口領域に対応して開けられてもよい。

その後、パターンニングされたストッパー膜上の一面に、多層の層間絶縁膜のうち上方膜が、蒸着、スパッタリング等により成膜される。上方膜は、例えば、下方膜と同じくＳｉＯ2膜で形成される。

その後、上方膜上に、コンタクトホール及び凹部に対応する穴が開いたレジストが形成される。ここでのレジストの形成は、例えばフォトリソグラフィ及びエッチング等により行われればよい。

その後、このように形成されたレジストを介して、層間絶縁膜は、それ用のエッチングにより、一方で、貫通するまでエッチングされ、コンタクトホールが開孔される。典型的には、層間絶縁膜を貫通することで、コンタクトホールは、ＴＦＴを構成するチャネル領域を含む半導体層の延在部分である、ソース領域にまで到る。このエッチングにより、他方で、ストッパー膜まで到る凹部が掘られる。或いは、下方膜の途中まで到る凹部が掘られる。

その後、エッチングされた後における、コンタクトホールが形成されたと共にトランジスタの上方に凹部が形成された後における層間絶縁膜上に、上側遮光膜が形成される。典型的には、上側遮光膜は、コンタクトホール内及び凹部内を含む、トランジスタの少なくともチャネル領域を上側（典型的には、上側及び斜め上方）から覆うパターンを有するように形成される。また、そのパターンは、配線、電極等の上側遮光膜の（即ち上側遮光膜の本体部の）機能に応じて決められる。いずれの場合にも、凹部内には、チャネル領域を上側（典型的には、上側及び斜め上方）から覆う壁部が形成される。

以上の結果、上述した本発明の電気光学装置を、比較的容易に製造できる。即ち、基板自体に凹部を掘る必要は無く、コンタクトホールを開孔するエッチングを援用して、層間絶縁膜に凹部を掘ることで製造できる。言い換えれば、上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する工程が必須であると考えて、これを基準とすれば、追加すべき工程は概ね、ストッパー膜を成膜しパターンニングする工程だけである。即ち、基板上における製造工程が簡単で済み、これは、製造コストの削減、製造歩留まりの向上にも繋がる。

なお、本製造方法により製造された電気光学装置は、ストッパー膜の一片が残存している必要性は必ずしも無い。例えば、平面視して、凹部の底面と丁度同じ形状及びサイズになるようにストッパー膜がパターンニングされていれば、凹部を下方膜の途中まで掘る場合にあっては、ストッパー膜はその欠片も残存しない可能性が有る。即ち、本発明の製造方法によれば、そのようにストッパー膜が全く残存していない電気光学装置を製造することも可能である。

以上説明したように、ストッパー膜を利用することで、本発明の電気光学装置を、比較的簡単に或いは比較的低コストで、実現できる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図８を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、本実施形態では、画像表示領域１０ａにおける液晶層５０に対して対向基板２０側から入射される入射光が、ＴＦＴアレイ基板１０側から表示光として出射されることを前提としている。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）を構成する液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。尚、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４から図８を参照して説明する。ここに図４及び図５は、本実施形態における複数の画素部の平面図である。図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分けて図示している。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＣ−Ｃ’断面図である。図７は、ストッパー膜の平面図である。図８は、比較例における図６と同趣旨の断面図である。

尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。更に、図４及び図５では、ストッパー膜の図示を省略しており、図７では、ストッパー膜を抜粋して示している。

図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている（点線によって、その輪郭が示されている）。

図４及び図５に示すように、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ｃ及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域の各々にはＴＦＴ３０（図４参照）が設けられている。

データ線６ｃは、走査線１１との交差領域の夫々において、図４中左側に突出しており、ＴＦＴ３０とのコンタクトをとるための長い角状の延在部分６ｃｘを有する。データ線６ｃは、走査線１１との交差領域の夫々において、図４中右側に突出しており、遮光性能を高めるための、その下地をなす層間絶縁膜に掘られた凹部５０１ｈ内に入り込む壁部を含む、短い角状の延在部分６ｃｙを有する。

走査線１１、データ線６ｃ、蓄積容量７０、中継層９４及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、蓄積容量７０、データ線６ｃ、中継層９４及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。尚、走査線１１、蓄積容量７０及びデータ線６ｃは、非開口領域の一部を単独で又は冗長的にそれぞれ規定している。

図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、データ線６ｃ、画素電極９ａ等の各種の構成要素が積層構造をなして設けられている。

この積層構造は、下から順に、走査線１１を含む第１層、半導体層４ａ及びゲート電極３を有するＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ｃ及び中継層９４を含む第３層、蓄積容量７０ｃを含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられており、上述した各要素間が短絡することを防止している。第４層には、蓄積容量７０の電極間ショートを防ぐべく層間絶縁膜６１が、誘電体膜７５ｃと共に両電極間に設けられている。

また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２及び４３には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層４ａ中のデータ線側ソースドレイン領域４ｄとデータ線６ｃとを電気的に接続するコンタクトホール８１ｃ等が形成されている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、上述した積層構造のうち第１層から第３層までが、下層部分として図４に図示されており、第４層から第５層までが上層部分として図５に図示されている。

（第１層の構成―走査線１１等―）
図６において、第１層として、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）等の高融点金属材料等の遮光性導電材料からなる。尚、走査線１１は、戻り光等を遮光するための、下側遮光膜の一例を構成する。

図４に示すように、走査線１１は、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。更に、走査線１１は、Ｘ方向に沿うように延びる本線部分１１ｘと、各交差領域にてゲート電極３とのコンタクトを取れるように且つ下側遮光膜としての遮光性能を高めるために幅広に形成された張出部分１１ｔを有すると共に張出部分１１ｔからＹ方向に沿ってデータ線６ａに重なるように延設された延設部分１１ｙとを備えている。相隣接する走査線１１の延設部分１１ｙは相互に接続されることはなく、従って、該走査線１１は１本１本分断された形となっている。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０の半導体層４ａ（特に、チャネル領域４ａ’及びその周辺）を遮光する下側遮光膜として機能する。即ち、ＴＦＴ３０の半導体層４ａに入射する戻り光を、下側遮光膜としての本線部分１１ｘ及び延設部分１１ｙに加えて、張出部分１１ｔによって有効に遮光できる。更に、張出部分１１ｔは、各画素の開口領域の四隅の各々に形成されている。よって、半導体層４ａに入射する戻り光を、張出部分１１ｔによってより確実に遮光できる。

（第２層の構成―ＴＦＴ３０等―）
図６において、第２層として、ＴＦＴ３０が設けられている。

図４及び図６に示すように、ＴＦＴ３０は、半導体層４ａ及びゲート電極３ｃを含んで構成されている。

半導体層４ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｘ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域４ａ’、データ線側ＬＤＤ領域４ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域４ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。

データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅは、チャネル領域４ａ’を基準として、Ｘ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域４ｂは、チャネル領域４ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域４ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域４ｃは、チャネル領域４ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域４ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域４ｃ、データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層４ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域４ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域４ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下及びオフリーク電流の上昇を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域４ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域４ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

走査線１１及び半導体層４ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１から半導体層４ａを絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図４及び図６に示すように、ゲート電極３ｃは、半導体層４ａよりもゲート絶縁膜２ａを介して上層側に配置されている。即ち、ＴＦＴ３０は、トップゲート型のＴＦＴとして形成されている。ゲート電極３ｃは、例えば例えば導電性ポリシリコンや、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。

図４に示すように、ゲート電極３ｃは、ＴＦＴ３０のチャネル領域４ａ’に重なる本体部分３ｃａと、本体部分３ｃａを中心として、右側に開いたＵ字状或いはコの字状に延設される延設部分３２とを有している。ゲート電極３ｃは、下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８２ｃを介して、走査線１１と互いに電気的に接続されている。

コンタクトホール８２ｃは、半導体層４ａの両側（即ち図４中上側及び下側）にそれぞれ１つずつ、Ｘ方向に沿った壁状の遮光体として形成されている。よって、半導体層４ａに対して両側（即ち図４中上側及び下側）から斜めに入射される光を遮光できる。従って、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めることができ、例えばＴＦＴ３０における光リーク電流をより確実に低減できる。

尚、本実施形態では、各ＴＦＴ３０のゲート電極３ｃをそれぞれ分離して形成したが、例えば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０（即ち、Ｘ方向に沿って互いに隣接するＴＦＴ３０）のゲート電極３ｃを互いに繋ぐように形成してもよい。言い換えれば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０のゲート電極３ｃを含む、半導体層４ａに対して走査線１１とは反対側の層に配置された他の走査線として形成してもよい。この場合には、走査線を二重配線として構成でき、ゲート電極３ｃに走査信号をより確実に供給できる。

（第３層の構成―データ線６ｃ等―）
図６において、第３層としてデータ線６ｃが設けられている。また、第３層には、中継層９４が、データ線６ｃと同一膜から形成されている。

図４及び図６に示すように、データ線６ｃは、Ｙ方向に沿って延びる本線部分と該本線部分からＸ方向に沿って延設された延設部分６ｃｘ及び延設部分６ｃｙとを有している。データ線６ｃは、延設部分６ｃｘにおいて、半導体層４ａのデータ線側ソースドレイン領域４ｄに、第１層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２ａを貫通して開孔されたコンタクトホール８１ｃを介して電気的に接続されている。データ線６ｃ及びコンタクトホール８１ｃ内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ｃは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９４は、第１層間絶縁膜４１上においてデータ線６ｃと同層に形成されている。中継層９４は、第１層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２ａを貫通して開孔されたコンタクトホール８３ｃを介して画素電極側ソースドレイン領域４ｅに電気的に接続される共に、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８４ｃ（図５及び図６参照）を介して後述する蓄積容量７０ｃの下部容量電極７１ｃに電気的に接続されている。更に、下部容量電極７１ｃは、後述する絶縁膜６１及び第３層間絶縁膜４３を貫通して開孔されたコンタクトホール８５ｃ（図５参照）を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、中継層９４は、下部容量電極７１ｂと共に画素電極側ソースドレイン領域４ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。

本実施形態では特に、第１層間絶縁膜４１は、本発明に係る「多層構造の層間絶縁膜」の一例として、多層構造をなす下方膜４１ａ及び上方膜４１ｂを有し、これら下方膜４１ａ及び上方膜４１ｂ間に、ストッパー膜５００が挟持されている多層構造を有する。

図７に示すように、ストッパー膜５００は、概ね非開口領域の大部分に形成されており、より詳細には格子状の非開口領域のうちコンタクトホール８１ｃ及び８３ｃを除く平面領域に形成されている。

図６及び図７に示すように、ストッパー膜５００は、これらのコンタクトホール８１ｃ及び８３ｃを、後で詳述するようにエッチングで開孔する際に、凹部５０１ｈを非貫通孔とするためのストッパーとして機能し、このエッチングにて掘られる凹部５０１ｈの底をなしている。

このように、基板上における積層構造中、本発明に係る「上側遮光膜」として機能するデータ線６ｃ及び中継層９４とＴＦＴ３０との間に介在する第１層間絶縁膜４１には、データ線６ｃを電気的に接続するためのコンタクトホール８１ｃ及び８３ｃが、エッチングにより開孔されている。更に、第１層間絶縁膜４１には、チャネル領域４ａ'の斜め上方にて、層間絶縁膜用のエッチングにより、貫通していない凹部５０１ｈが掘られている。凹部５０１ｈは、基板上で平面視して、ゲート電極３ｃのＵ字状の切れた側（図４中右側）を塞ぐ位置にて、平面形状が矩形となるように、掘られてる。

ストッパー膜５００は、電気光学装置の製造工程中、第１層間絶縁膜４１にコンタクトホール８１ｃ及び８３ｃ並びに凹部５０１ｈを掘る際のエッチャントに対して、ストッパーとして機能する、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる。ストッパー膜５００は、各画素の開口領域に設けられていないので、遮光率或いはＯＤ（Optical Density：光学濃度）値の高いＡｌ2Ｏ3等の遮光性の材料膜をストッパー膜５００として使用でき、ストッパー膜５００の存在自体による遮光性能の向上も見込める。

このように、ストッパー膜５００は、製造後においても、遮光膜の一つとして機能し、非開口領域をデータ線６ｃ等と共に冗長的に規定する。

データ線６ｃは、ストッパー膜５００のところまで掘られた凹部５０１ｈ内に、形成されている壁部６ｗを含む。壁部６ｗは、図４に示した延在部分６ｃｙが、凹部５０１ｈ内に落ち込んでなる部分である。よって、光リークを起こし得るチャネル領域４ａ’に、斜めに向おうとする光を、壁部６ｗにより、極めて有効に遮光できる。

図８に示した比較例を参照して、この斜め光に対する遮光性能について検討を加える。図８の比較例は、本実施形態と比べて、ストッパー膜５００が無く、層間絶縁膜４１は単一層構造を有する。更に、図８の比較例では、凹部５０１ｈが掘られておらず、壁部６ｗも存在しない。その他の構成については本実施形態の場合と同様である。

図８において、データ線６ｃの右端は、平坦なままであり凹部５０１ｈ内にて、チャネル領域４ａ’及びその周辺を斜め上方から囲う壁部６ｗがないので、斜め光に対する遮光性能が低いことがよく理解できる。

再び図６において、データ線６ｃは、先ず、光リークを起こし得るチャネル領域４ａ’に、真っ直ぐに向う直線光を、チャネル領域４ａ’の上側に対向して位置するデータ線６ｃの部分により確実に或いは高信頼性で遮光できる。しかも、光リークを起こし得るチャネル領域４ａ’に、斜めに向う光を、壁部６ｗにより、極めて有効に遮光できる。特に、光リークを起こし易い画素電極側ソースドレイン領域４ｅに近い側のＬＤＤ領域４ｃ側に、壁部６ｗが形成されているので、ここに起因する光リークを効果的に低減できる。

しかも、後に詳述する製造工程において、半導体層４ａにまで到るコンタクトホール８１ｃ及び８３ｃと同一機会に掘られているにも拘わらず、凹部５０１ｈは、ストッパー膜５００の存在により、半導体層４ａにまで到ることない。このため、データ線６ｃの一部である導電性の壁部６ｗが、凹部５０１ｈ内に形成されても、ＴＦＴ３０の電気的な接続状態や絶縁状態に悪影響を及ぼすことは無い。他方、凹部５０１ｈと同一機会に掘られているにも拘わらず、コンタクトホール８１ｃ及び８３ｃは貫通孔として、その本来の機能が発揮される。

図６及び図８を見比べれば分かるように、本実施形態の積層構造と比較例のそれとの間における相違は僅かであり、ストッパー膜５００の存在により、このような遮光性能に優れた壁部６ｗを含むデータ線６ｃを構築できるので、本実施形態は実践上有利である。加えて、後に詳述するように、製造工程についても、図８の比較例を製造する場合に比べて、追加すべき工程は僅かで済むので、実践上極めて有利である。

（第４層の構成―蓄積容量７０ｃ等―）
図６において、第４層として蓄積容量７０ｃが設けられている。蓄積容量７０ｃは、図３の等価回路に示した蓄積要領７０の一例であり、データ線６ｃよりも、第２層間絶縁膜４２を介して上層側に設けられている。

蓄積容量７０ｃは、上部容量電極３００ｃと下部容量電極７１ｃとが誘電体膜７５ｃを介して対向配置されることにより形成されている。下部容量電極７１ｃ、誘電体膜７５ｃ及び上部容量電極３００ｃは、下層側からこの順に積層されている。

第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３間には、絶縁膜６１が、下部容量電極７１ｃ及び上部容量電極３００ｃ間に部分的に介在するように設けられている。

図５及び図６に示すように、上部容量電極３００ｃは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ｃは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ｃは、例えばＡｌ、Ａｇ等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜としても機能する。尚、上部容量電極３００ｃは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

下部容量電極７１ｃは、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域４ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８４ｃ、中継層９４及びコンタクトホール８３ｃを介して画素電極側ソースドレイン領域４ｅに電気的に接続されると共に、コンタクトホール８５ｃを介して画素電極９ａに電気的に接続されている。下部容量電極７１ｃは、例えばＡｌ、Ａｇ等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する、更なる上側遮光膜としても機能する。尚、下部容量電極７１ｃは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜若しくは窒化シリコン膜又はアルミナやハフニア等の絶縁性を有する金属酸化物等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

図５に示すように、下部容量電極７１ｃは、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出した張出部分７１ｃｔを有している。張出部分７１ｃｔは、図４を参照して上述した張出部分１１ｔに概ね重なると共に非開口領域の一部を規定するように形成されている。

コンタクトホール８４ｃは、張出部分１１ｔ及び７１ｃｔと重なるように配置される。これにより、半導体層４ａに対して、それよりも上層側から斜めに入射しようとする光を、壁部６ｗに加えてコンタクトホール８４ｃによっても（即ち、下部容量電極７１ｃのうちコンタクトホール８４ｃ内に形成された部分によっても）遮光できる。

（第５層の構成―画素電極９ａ等―）
図６において、第５層として画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、蓄積容量７１ｃよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。

図５及び図６に示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７１ｃ、コンタクトホール８３ｃ、８４ｃ及び８５ｃ、並びに中継層９４を介して半導体層４ａの画素電極側ソースドレイン領域４ｅに電気的に接続されている。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めつつ開口率を向上させることができ、最終的に明るく高品位な画像を表示できる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図９及び図１０を参照して説明する。ここに図９は、第１実施形態における図６と同趣旨の図面であり、図１０は、第１実施形態における図７と同趣旨の図面である。尚、図９及び図１０において、図６及び図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図９及び図１０において、第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態と比べて、ストッパー膜の平面レイアウトが異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。即ち、第２実施形態では、ストッパー膜５０２が、凹部５０１ｈの底付近にのみ設けられており、即ち交差領域にのみ局所的に且つ分断して設けられており、その他の非開口領域には設けられていない。

このように、ストッパー膜５０２を僅かに設けるだけでも、コンタクトホール８１ｃ及び８３ｃを開孔するのと同一エッチングにより、凹部５０１ｈを掘ることができ、壁部６ｗを第１実施形態の場合とほぼ同様に形成できる。この場合にも、第１実施形態の場合と同様に、ストッパー膜５０２が各画素の開口領域に設けられていないので、ＯＤ値の高い遮光性の材料膜をストッパー膜５０２として使用でき、ストッパー膜５０２の存在自体による遮光性能の向上も見込める。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る液晶装置について、図１１を参照して説明する。ここに図１１は、第１実施形態における図７或いは第２実施形態における図１０と同趣旨の図面である。尚、図１１において、図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１１において、第３実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態と比べて、ストッパー膜の平面レイアウトが異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。特にその断面については、上述した第１実施形態に係る図６に示したものと同様である。即ち、第３実施形態では、ストッパー膜５０３が、コンタクトホール８１ｃ及び８３ｃを除く基板一面に設けられている。

このように、ストッパー膜５０３を非開口領域のみならず、開口領域を含めた基板一面に形成する場合、ストッパー膜５０３に、耐湿向上、耐久性向上などの他の機能を持たせると有利である。この場合、開口領域における光透過率が下がらないように、ＯＤ値の低い透明なストッパー膜５０３を採用するのが好ましい。
＜製造方法＞
次に、上述した第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法について図１２及び図１３を参照して説明を加える。ここでは特に、ストッパー膜５００、凹部５０１ｈ及び壁部６ｗを形成する各種工程について詳細に説明する。図１２及び図１３は、該製造方法に係る一連の工程図（その１及びその２）である。

図１２の工程Ｓ１に示すように、ガラス基板等のＴＦＴアレイ基板１０上に、例えばスパッタリング、蒸着等により、走査線１１となる例えばＷＳｉ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の導電性金属シリサイド膜或いは金属膜を、例えば膜厚２００ｎｍ程度成膜する。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、図４に示した平面パターンを有するように走査線１１をパターンニングする。

続いて、工程Ｓ２に示すように、走査線１１上の一面に、例えば蒸着等により、酸化シリコン膜等の下地絶縁膜１２を、例えば膜厚４００ｎｍ程度成膜する。

続いて、工程Ｓ３に示すように、半導体層４ａを、例えば膜厚５５ｎｍ程度成膜し、その後、工程Ｓ４に示すように、熱酸化によりゲート絶縁膜２ａを、例えば膜厚５０ｎｍ程度成長させる。ゲート電極は、例えばＨＴＯ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜から形成してもよいし、或いは、窒化シリコン膜又はアルミナやハフニア等の絶縁性を有する金属酸化物等から構成された単層構造、或いは多層構造を有するように形成してもよい。

続いて、工程Ｓ５に示すように、例えば、導電性のポリシリコン膜等の成膜及びパターンニングにより、図４に示した平面パターンを有するように、ゲート電極３ｃを形成する。或いは、導電性の金属膜から、ゲート電極３ｃを形成する。

その後、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層４ａに不純物を打ち込み、データ線側ＬＤＤ領域４ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域４ｃ、データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅを形成する。この際、データ線側ＬＤＤ領域４ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域４ｃ等については、ゲート電極３ｃをマスクとして自己整合的に形成すればよい。

続いて、図１３の工程Ｓ６に示すように、第１層間絶縁膜４１のうちの下方膜４１ａを酸化シリコンの蒸着等により、例えば膜厚３００ｎｍ程度形成する。

続いて、工程Ｓ７に示すように、ストッパー膜５００となる、酸化アルミニウム等の材料膜５００ａを、例えばスパッタリングにより、膜厚４０ｎｍ程度成膜する。その後、この材料膜５００ａに対するフォトリソグラフィ及びエッチングにより、図７に示した平面パターンを有するように、ストッパー膜５００を形成する。特に、コンタクトホール８１ｃ及び８３ｃになる部分には、ストッパー膜５００が形成されず、凹部５０１ｈとなる部分には、ストッパー膜５００が形成される。

続いて、工程Ｓ８に示すように、パターンニングを終えたストッパー膜５００上に、第１層間絶縁膜４１のうちの上方膜４１ｂを酸化シリコンの蒸着等により、例えば膜厚１００ｎｍ程度形成する。これにより、第１層間絶縁膜４１内において、所定平面パターンを有するストッパー膜５００が、下方膜４１ａ及び上方膜４１ｂにより挟持或いはサンドイッチされている多層構造が作成される。

続いて、工程Ｓ９に示すように、同一エッチングにより、コンタクトホール８１ｃ及び８３ｃが開孔されると共に、凹部５０１ｈが掘られる。特に、凹部５０１ｈには、ストッパー膜５００が露出すると、エッチングレートの差により、エッチングはそこより下に殆ど進行しない。このため、非貫通の凹部５０１ｈがストッパー膜を突き破って掘り進められることがないままに、貫通孔であるコンタクトホール８１ｃ及び８３ｃが完成されることになる。このようなエッチングは、ドライエッチング若しくは指向性のある異方性エッチング、又はウエットエッチングでもよい。いずれの場合にも、下方膜４１ａ及びストッパー膜５００との間でエッチングレートは、顕著に（例えば十倍以上程度に）異なるようにエッチャントが選択される。

その後、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からデータ線６ｃが形成されると、凹部５０１ｈ内には、データ線６ｃの延設部分６ｃｙの一部が落ち込むことにより、壁部６ｗが形成されることになる。

その後、蓄積容量７０ｃ、層間絶縁膜４３、画素電極９ａ等が順次形成されることなどにより、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板側が完成され、その後、対向基板側との貼り合せ、液晶注入等の工程を経て、第１実施形態に係る電気光学装置が完成される。

以上の結果、ストッパー膜５００の形成及び第１層間絶縁膜４１へのエッチングという、比較的簡単な工程を採用しつつ、チャネル領域４ａ’及びその近隣を、斜め上方から覆うための凹部５０１ｈ及び壁部６ｗを形成できる。例えば、図８に示した比較例を製造する場合と比較した場合における製造コストの上昇を、極めて効果的に抑制できる。この際、ＴＦＴアレイ基板１０自体に凹部を掘る必要は無いままに、コンタクトホール８１ｃ及び８３ｃを開孔するエッチングを援用して、層間絶縁膜４１に凹部を掘ることで、このような遮光性能に優れた電気光学装置を製造できる。基板上における製造工程が簡単で済み、これは、製造コストの削減、製造歩留まりの向上にも繋がる。

なお、上述した第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法については、上述した第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法において、工程Ｓ７から工程Ｓ８にかけてのストッパー膜５００のパターンニングについて変更を加えれば済む。上述した第３に係る電気光学装置の製造方法については、上述した第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法において、工程Ｓ７から工程Ｓ８にかけてのストッパー膜５００の材質及びパターンニングについて変更を加えれば済む。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図１４を参照して説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。

図１４に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ’線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 第１実施形態における複数の画素部（下層部分）の平面図である。 第１実施形態における複数の画素部（上層部分）の平面図である。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＣ−Ｃ’断面図である。 第１実施形態におけるストッパー膜の平面レイアウトを拡大して示す平面図である。 比較例における図６と同趣旨の断面図である。 第２実施形態におけるＣ−Ｃ’断面図である。 第２実施形態におけるストッパー膜の平面レイアウトを拡大して示す平面図である。 第３実施形態におけるストッパー膜の平面レイアウトを拡大して示す平面図である。 第１実施形態の製造方法を示す工程図（その１）である。 第１実施形態の製造方法を示す工程図（その２）である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

６ｃ…データ線、６ｗ…壁部、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１１ｔ…張出部分、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、８１ｃ、８３ｃ、８４ｃ、８５ｃ…コンタクトホール、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、５００、５０２、５０３…ストッパー膜、５０１…凹部

Claims (12)

1. 基板上に、
   画素電極と、
   該画素電極に対応して設けられたトランジスタと、
   該トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と、
   該上側遮光膜及び前記トランジスタ間に設けられ、前記上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されていると共に前記トランジスタの上方に凹部が形成されている、多層構造の層間絶縁膜と、
   該層間絶縁膜内における前記多層構造をなす複数の膜間に設けられており、前記凹部の底又は底の周囲に形成されているストッパー膜の少なくとも一片と
   を備え、
   前記上側遮光膜は、前記凹部内に形成されている壁部を含む
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記ストッパー膜は、前記基板上で平面的に見て、(i)前記コンタクトホールが形成された領域及び(ii)前記画素電極が夫々形成された各画素の開口領域を、除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記ストッパー膜は、前記基板上で平面的に見て、前記底又は前記底の周囲に局所的に形成されていると共に、前記底及び前記底の周囲を除く領域に形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記ストッパー膜は、前記基板上で平面的に見て、前記コンタクトホールが形成された領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記ストッパー膜は、前記層間絶縁膜に比べて遮光性に優れた遮光性材料から形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
6. 前記ストッパー膜は、前記上側遮光膜に比べて光透過性に優れた透明材料から形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
7. 前記層間絶縁膜及び前記チャネル領域間には、前記チャネル領域に対向する位置に、前記トランジスタのゲート電極が存在しており、
   前記層間絶縁膜及び前記上側遮光膜は、前記ゲート電極の存在に応じて凸状に盛り上がっており、
   前記凹部は、前記層間絶縁膜における、前記基板上で平面的に見て、前記盛り上がった箇所から外れた箇所に、形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記ゲート電極は、遮光性の導電材料から形成されており、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタにおけるソースドレイン領域のうち前記画素電極に電気的に接続される側である画素電極側ソースドレイン領域を前記チャネル領域側からＵ字に囲むＵ字部を含み、
   前記凹部は、前記層間絶縁膜における、前記基板上で平面的に見て、前記Ｕ字の切れた箇所を少なくとも部分的に塞ぐ箇所に、形成されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記エッチングは、前記複数の膜のうちの上方膜を貫通すると共に前記複数の膜のうちの下方膜上に残存するストッパー膜上で止めらており、
   前記凹部は、前記ストッパー膜から底壁が形成され且つ前記上方膜から側壁が形成されてなる
   ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記エッチングは、前記複数の膜のうちの上方膜及び前記ストッパー膜を貫通すると共に前記複数の膜のうちの下方膜の途中で止めらており、
    前記凹部は、前記下方膜から底壁が形成され且つ前記上方膜及び前記ストッパー膜から側壁が形成されてなる
    ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
12. 基板上に、トランジスタと、該トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と、該上側遮光膜及び前記トランジスタ間に設けられ、前記上側遮光膜を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されていると共に前記トランジスタの上方に凹部が形成されている、多層構造の層間絶縁膜とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
    前記基板上に前記トランジスタを形成する工程と、
    前記トランジスタの上層側に、前記多層の層間絶縁膜のうち下方膜を形成する工程と、
    前記形成された下方膜上に、前記層間絶縁膜用のエッチングに対するストッパー膜を成膜する工程と、
    前記成膜されたストッパー膜を、少なくとも前記コンタクトホールに対応する穴が開いているようにパターンニングする工程と、
    前記パターンニングされたストッパー膜上に、前記多層の層間絶縁膜のうち上方膜を形成する工程と、
    前記上方膜上に、前記コンタクトホール及び前記凹部に対応する穴が開いたレジストを形成する工程と、
    前記層間絶縁膜を、前記レジストを介して、前記エッチングにより貫通するまでエッチングすることで、前記コンタクトホールを開孔すると共に、前記エッチングにより前記ストッパー膜まで若しくは前記下方膜の途中までエッチングすることで、前記凹部を掘る工程と、
    前記エッチングされた後における前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホール内及び前記凹部内を含むように前記上側遮光膜を形成する工程と
    を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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