KR100568372B1 - 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

Abstract

전기 광학 장치는, TFT 어레이 기판(10)상에, 화소 전극(9a), 이것에 접속된 TFT(30), 해당 TFT에 접속된 주사선(3a) 및 데이터선(6a), 상기 화소 전극에 접속되어 있고 축적 용량(70)을 구성하는 화소 전위측 용량 전극, 해당 화소 전위측 용량 전극에 유전체막을 거쳐서 대향 배치되어 있고 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선(300)을 구비하고, 해당 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 돌출한 부분의 폭 W1은, 당해 데이터선의 폭 W2와 동일 또는 보다 넓게 형성되어 있다.

이것에 의해, 용량선의 저저항화, 또는 TFT에 있어서의 광 리크 전류의 발생 방지를 실현하면서, 개구율 향상 등의 일반적 요구에 부응한다.

Description

전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로를 나타내는 회로도,

도 2는 본 발명의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도,

도 3은 도 2의 A-A' 단면도,

도 4는 도 2와 동일 취지의 도면으로서, 당해 도면과는 용량선의 형태가 다른 것을 나타내는 평면도,

도 5는 도 4의 B-B' 단면도,

도 6은 도 2와 동일 취지의 도면으로서, 동 도면과는 데이터선의 형태가 다른 것을 나타내는 도면,

도 7은 도 6의 P-P' 단면도,

도 8은 도 6의 Q-Q' 단면도,

도 9는 도 6의 R-R' 단면도,

도 10은 본 발명의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을, 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판측으로부터 본 평면도,

도 11은 도 10의 H-H' 단면도,

도 12는 본 발명의 전자 기기의 실시예인 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1a : 반도체층 1a' : 채널 영역

3a : 주사선 6a, 6a1 : 데이터선

6aW : 광폭부 9a : 화소 전극

10 : TFT 어레이 기판 11a : 하측 차광막

30 : TFT 70 : 축적 용량

71 : 중계층 75 : 유전체막

300 : 용량선 300a : 알루미늄층

300b : 폴리실리콘층 300b' : WSi층

301 : 본선부 302 : 돌출부

303 : 오목부 501 : 콘택트 홀

본 발명은 액티브 매트릭스 구동 방식의 액정 장치 등의 전기 광학 장치에 바람직하게 이용되는 전기 광학 장치 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기의 기술 분야에 속한다.

종래, 액정 등의 전기 광학 물질을 사이에 유지하여 이루어지는 한 쌍의 기판과, 상기 전기 광학 물질에 대하여 전계를 인가하기 위해서 상기 한 쌍의 기판의 각각에 마련된 전극 등을 구비하는 전기 광학 장치가 알려져 있다. 여기서, 상기 전극은, 상기 전기 광학 물질에 전계를 인가하여, 해당 전기 광학 물질의 상태를 적절히 변화시키기 위해서 이용된다. 그리고, 이러한 전기 광학 장치에 의하면, 해당 장치에 대하여, 예컨대 광원으로부터 발생한 광 등을 입사시키고, 또한 전기 광학 물질의 상태를 상술한 바와 같이 적절히 변화시키면, 해당 광의 투과율을 제어하는 것이 가능해져, 화상 표시를 하는 것이 가능해진다.

그리고, 이러한 전기 광학 장치에 있어서는, 상기 한 쌍의 기판의 한쪽에 있어서, 상기 전극으로서 매트릭스 형상으로 배열된 화소 전극을 구비하고, 또한 해당 화소 전극의 각각에 접속된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 적절히, 「TFT」라고 함), 해당 TFT의 각각에 접속되어, 행 및 열 방향 각각으로 평행하게 마련된 주사선 및 데이터선 등을 구비함으로써, 이른바 액티브 매트릭스 구동이 가능한 것이 알려져 있다. 이것에 의해, 상기 화소 전극, 또는 상기 주사선 및 상기 데이터선에 의해 구획되는 하나 하나의 화소마다, 상기 전기 광학 물질에 대한 전압의 인가를 제어하는 것에 의해, 화소마다 광의 투과율을 제어하는 것이 가 능해진다.

또한, 상기 전기 광학 장치에 있어서는, 보다 고품질의 화상을 표시하기 위해, 상기 이외의 여러 가지의 구성이 구비되는 것이 일반적이다. 예컨대, 대표적으로는, 상기 화소 전극 및 상기 TFT에 접속되는 화소 전위측 용량 전극과, 해당 전극에 유전체막을 거쳐서 대향 배치되는 고정 전위측 용량 전극으로 이루어지는 축적 용량이 마련된다. 이것은, 전기 광학 물질에 대하여 인가된 전압을, 소정의 시간, 유지하기 위해서 이용된다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 용량선의 저저항화, 또는 TFT에 있어서의 광 리크 전류의 발생 방지를 실현하면서, 개구율 향상 등의 일반적 요구에 부응할 수 있는 전기 광학 장치 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.

그러나, 종래의 전기 광학 장치에는, 다음과 같은 문제가 있었다. 즉, 상술한 바와 같은 전기 광학 장치에 있어서는, 보다 밝은 화상을 표시하기 위해, 상기 주사선 및 상기 데이터선, 또는 상기 축적 용량 등의 기판상에 차지하는 면적을 보다 작게 하고, 각 화소에 있어서 실제로 화상 표시에 기여하는 광이 투과 또는 반사에 의해 출사(出射)하는 영역인 광투과역을 보다 크게 하여, 개구율의 향상이 일반적으로 기대되고 있다. 또한, 전력 절약화 등의 목적을 달성하기 위해서, 전기 광학 장치의 고정밀화 내지 소형화도 동시에 요구되고 있다. 이러한 관점에서, 상 술한 각종 구성 요소는 이것을 미세하게 형성해야 한다고 하는 일반적인 요구가 있다.

여기서 특히 문제로 되는 것은, 개구율을 향상시키기 위해서, 상기 축적 용량을 구성하는 용량선도 미세하게 형성해야 한다는 점이다. 용량선을 미세하게 형성하기 위해서 배선폭을 협소화하면, 용량선의 저항이 높아지고, 배선 시정수가 커진다. 이것에 의해, 누화나 타버리는 등의 문제를 야기한다. 또, 종래에 있어서는, 축적 용량을 구성하는 상기 화소 전위측 용량 전극은, 일반적으로 폴리실리콘이나 텅스텐 실리사이드(WSi) 등에 의해 형성되는 예가 있었지만, 이들 재료는 결코 저저항이라고는 말할 수 없기 때문에, 상술한 문제는 보다 심각하였다.

또한, 상술한 바와 같이, 각종 구성 요소의 미세화·협소화를 도모하는데 있어서는, 상기 TFT에 대한 광입사에 대해서도 충분한 주의를 기울이지 않으면 안된다. 왜냐 하면, TFT를 구성하는 반도체층의 채널 영역에 대하여 광이 입사하면, 광 리크 전류가 발생하게 되고, 이것에 기인하여 화상상에 플릭커(flicker)를 발생하게 되는 등, 그 품질의 저하를 초래하게 되기 때문이다. 특히, 상기 전기 광학 장치를 투사형 표시 장치에 있어서의 광밸브로서 이용하는 경우에는, 당해 광밸브에 대하여, 대단히 강력한 광원으로부터 발생한 광이 입사되게 되므로, TFT에 대하여 광이 입사될 우려가 한층 더 높아져, 특히 문제가 있다.

종래에 있어서는, 이러한 TFT에 대한 광입사를 방지하기 위해서, 상기 한 쌍의 기판 중 TFT 등이 구비되지 않는 기판측에 차광층을 마련하는 수단이 채택되어 있었다. 그러나, 이러한 수단에서는, 당해 차광층과 TFT와의 거리가 비교적 커지 기 때문에, 비스듬히 입사하는 광에 대해서는, 효과적인 차광 기능을 기대할 수 없다는 점에 문제가 있다. 이것에 대처하려면, 차광층을 폭넓게 형성하는 것도 고려되지 않는 것은 아니지만, 이것으로는 개구율의 저하를 초래하여, 상술한 일반적인 요구 내지 과제에 부응하는 것은 거의 불가능하다.

또한, TFT에 대한 광입사 방지 수단으로서는, 상기 이외에, 상기 데이터선을 차광층으로서 이용하는 수단도 이미 제안되어 있다. 그러나, 이 수단에서는, 신호 전달의 손실을 가능한 한 저감하기 위해서, 데이터선은, 일반적으로 저저항의 재료, 예컨대 알루미늄 등으로 구성되는 것이 일반적인 것에 의해, 높은 광반사율을 갖는 것이 문제로 된다. 즉, 이러한 수단에 의하면, 확실히 데이터선의 입사측의 면에서 직접 입사되는 광을 차단할 수 있다고 하더라도, 데이터선에서 반사된 반사광이 미광으로 되거나, 또는 해당 데이터선의 다른쪽 면에서 광이 반사되어 미광으로 되는 등, 결국 TFT에 이른다고 하는 사태가 고려되기 때문이다. 또, 이러한 수단에 있어서도, 차광 기능을 높이려고 데이터선의 폭을 넓히는 것은, 상술한 차광층과 마찬가지로 개구율의 저하를 초래하는 것이 문제로 되고, 상술한 미광의 문제를 감안하면, 미광의 양을 오히려 증대시키는 결과가 되어, 광 리크 전류의 발생 방지에 있어서는 오히려 역효과로 될지도 모르게 된다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 용량선의 저저항화, 또는 TFT에 있어서의 광 리크 전류의 발생 방지를 실현하면서, 개구율 향상 등의 일반적 요구에 부응할 수 있는 전기 광학 장치 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어는 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명의 전기 광학 장치는, 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판상에, 주사선과, 데이터선과, 상기 주사선과 상기 데이터선과의 교차에 대응하여 마련된 박막 트랜지스터와, 해당 박막 트랜지스터에 대응하여 마련된 화소 전극과, 상기 화소 전극에 접속되어 있고 축적 용량을 구성하는 화소 전위측 용량 전극과, 해당 화소 전위측 용량 전극에 유전체막을 거쳐서 대향 배치되어 있고 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선을 구비하고, 상기 용량선은 상기 주사선을 따라 연장하는 본선부와 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분을 갖고, 상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭은, 당해 데이터선의 폭과 동일 또는 보다 넓게 형성되어 있다.

본 발명의 전기 광학 장치에 의하면, 주사선 및 데이터선을 거쳐서 주사 신호 및 화상 신호를 박막 트랜지스터에 공급하는 것에 의해, 화소 전극을 액티브 매트릭스 구동할 수 있다. 여기서, 화소 전극에는, 화소 전위측 용량 전극과 고정 전위측 용량 전극이 대향 배치되어 되는 축적 용량이 접속되어 있기 때문에, 화소 전극에 기입된 화상 신호의 전압을 장기에 걸쳐 유지할 수 있다.

그리고 특히, 본 발명에 있어서는, 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭은, 당해 데이터선의 폭과 동일 또는 보다 넓게 형성되어 있는 것에 의해, 용량선을 보다 저저항화하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명에 있어서는, 상술한 바와 같이 용량선의 저저항화를 실현할 수 있기 때문에, 장치 전체로 보아, 용량선의 협소화, 나아가서는 축적 용량의 협소화를 달성할 수 있게 되어, 그 결과, 개구율의 향상을 도모할 수 있다. 여기서, 「용량선의 협소화」라고 할 때, 용량선 자체는, 그 폭이 데이터선의 폭과 동일하거나, 또는「보다 넓게」형성되는 것이므로, 일견 모순되는 것처럼 보이지만, 거기에 상정되어 있는 광폭·협폭이라는 개념은, 어디까지나 용량선과 데이터선과의 상대적인 관계로부터 결정되어야 할 것이므로, 장치 전체로부터 보면, 종래에 비교하여, 「용량선의 협소화」가 달성될 수 있는 것이다.

또, 상술한 광폭·협폭, 또는 본 발명에서 말하는 「보다 넓게」라고 하는 경우의, 구체적인 폭값은, 이론적·실험적·경험적, 또는 시뮬레이션에 의해서, 적절히 바람직한 것을 결정할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 상술한 저저항화 뿐만 아니라, 박막 트랜지스터, 특히 그 채널 영역에 대한 광입사를, 종래에 비교하여 보다 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다. 왜냐 하면, 기술한 바와 같이, 종래에 있어서는, 데이터선의 이면 등에서 반사한 광이 미광으로 되고, 결국, 박막 트랜지스터에 입사하는 경우가 있었던 바, 본 발명에 의하면, 그러한 미광 이더라도, 데이터선의 폭과 동일하거나, 또는 보다 넓게 형성된 용량선에 의해, 그 광의 진행이 차단될 가능성이 높아지기 때문이다.

이상으로부터, 본 발명에 의하면, 용량선의 저저항화에 의해, 종래 문제로 되어 있었던 누화나 타버리는 등의 문제가 발생할 가능성이 저감된다. 또한, 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생이 저감되는 것에 의해, 높은 품질을 갖는 화상을 표시하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명에 있어서는, 용량선에 있어서, 상기 데이터선을 따라 연장하 는 부분이 존재하고 있는 것에 의해, 축적 용량의 증대화를 실현할 수 있다. 이것도, 높은 품질을 갖는 화상의 표시에 크게 이바지하게 된다.

또, 상술한 바와 같은 광차폐 기능을, 보다 바람직하게 발휘시키기 위해서는, 용량선을 구성하는 재료로서, 광 차광성이 우수한 것을 적용하면 좋다. 예컨대, Al(알루미늄), Cu(구리), Ti(티탄), Cr(크롬), W(텅스텐), Ta(탄탈), Mo(몰리브덴) 등 중에서 적어도 하나를 포함하는, 금속 단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리 실리사이드, 이들을 적층한 것 등이 바람직하게 사용될 수 있다. 또한, 이것에 부가하여, 예컨대, 폴리실리콘 등의 광흡수성 재료를 사용할 수도 있다.

본 발명의 전기 광학 장치의 일례에서는, 상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분의 둘레는, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있고, 상기 데이터선의 둘레는 적어도 부분적으로, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않다.

이 예에 의하면, 우선, 상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따르는 부분의 둘레가, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 겹쳐져 있기 때문에, 당해 부분에 있어서, 박막 트랜지스터에 대한 광의 입사를 차단하는 것이 가능해져, 광 리크 전류의 저감이 가능해진다.

또한, 상기 데이터선의 둘레가 적어도 부분적으로, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않은 것에 의해, 해당 데이터선과 해당 화소 전극과의 사이에서의 기생 용량을 저감할 수 있기 때문에, 해당 데이터선의 전위 변동이 해당 화소 전극의 전위에 미치는 악영향을 저감할 수 있다.

이상으로부터, 본 예에 의하면, 최종적으로 표시 화상의 품질을 높이는 것이 가능해진다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 용량선은, 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분으로서, 상기 본선부로부터 상기 데이터선을 따라 돌출한 돌출부를 구비하고 있고, 해당 돌출부의 폭이, 상기 데이터선의 폭과 동일 또는 보다 넓게 형성되어 있다.

이 예에 의하면, 돌출부의 선단에 있어서의 용량선이 존재하지 않는 영역을 이용하여, 예컨대 데이터선과 반도체층을 접속하는 콘택트 홀을 마련하는 것도 가능해진다. 즉, 전기 광학 장치의 설계상의 자유도를 증대시키는 것이 가능해진다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 용량선에 있어서의 상기 본선부의 폭은, 당해 주사선의 폭보다도 넓게 형성되어 있다.

이 예에 의하면, 전술한 것보다 한층 더, 보다 확실히 용량선의 저저항화를 도모할 수 있고, 또한 박막 트랜지스터에 대한 광입사를 방지하는 것이 가능해진다. 특히, 주사선의 일부를 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로서 사용하는 경우에 있어서는, 상술한 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생 방지라는 목적을, 보다 잘 달성할 수 있게 된다. 왜냐 하면, 이러한 구성에 있어서는, 상기 게이트 전극 아래에 가장 광입사를 발생시키고 싶지 않은 채널 영역이 존재하고 있기 때문에, 주사선의 폭보다도 용량선의 폭을 크게 하여 놓으면, 해당 채널 영역에 대한 광입사가, 보다 효과적으로 방지될 수 있기 때문이다.

이 예에서는 특히, 상기 용량선에 있어서의 상기 본선부의 둘레가, 상기 화 소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있고, 상기 주사선의 둘레는 적어도 부분적으로, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않도록 하면 좋다.

이러한 구성에 의하면, 우선, 상기 용량선에 있어서의 상기 본선부의 둘레가, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 겹쳐져 있기 때문에, 당해 부분에 있어서, 박막 트랜지스터에 대한 광의 입사를 차단하는 것이 가능해져, 광 리크 전류의 저감이 가능해진다.

또한, 상기 주사선의 둘레가 적어도 부분적으로, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않은 것에 의해, 해당 주사선과 해당 화소 전극 사이에 있어서의 기생 용량을 저감할 수 있기 때문에, 해당 주사선의 전위 변동이 해당 화소 전극의 전위에 미치는 악영향을 저감할 수 있다.

이상으로부터, 결국, 본 예에 의하면, 최종적으로 표시 화상의 품질을 높이는 것이 가능해진다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 용량선은, 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층과 상기 데이터선과의 사이의 적층 위치에 배치되어 있다.

이 예에 의하면, 용량선이, 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층과 데이터선과의 사이의 적층 위치에 배치되어 있는 것에 의해, 상기 반도체층에 대하여 광이 입사하고자 하는 것을, 전술한 것보다 한층 더, 보다 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

이 예에서는 특히, 상기 화소 전극은 상기 기판상에 매트릭스 형상으로 복수 형성되어 있고, 상기 용량선은, 상기 박막 트랜지스터의 하측에 마련되어 상기주사선 및 상기 데이터선을 따라 격자 형상으로 연장되는 하측 차광막에 전기적으로 접속되어 있도록 하면 좋다.

이러한 구성에 의하면, 상술한 광차폐에 따른 작용 효과는, 보다 높일 수 있게 된다. 왜냐 하면, 박막 트랜지스터에 대한 광입사는, 그 상측에 있어서, 상술한 용량선에 의해 방지될 뿐만 아니라, 해당 박막 트랜지스터의 하측에 마련되어 있는 하측 차광막에 의해서도 방지되는 것으로 되기 때문이다.

또한, 본 구성에 의하면, 용량선 중 일부에 어떠한 파손 등이 발생했다고 해도, 전기적으로 접속된 하측 차광막이 그 대체적 작용을 발휘하는 것이 가능하므로, 용량선이 용이하게 고저항화되는 일도 없다. 더구나, 해당 하측 차광막은, 주사선 및 데이터선 방향을 따라 격자 형상으로 연장되기 때문에, 용량선 뿐만 아니라 하측 차광막의 일부에 있어서 어떠한 파손 등이 발생했다고 해도, 다수의 전기 전도로를 상정할 수 있으므로, 용량선을 전체로서 본 경우에, 그것이 고저항화되는 것 같은 사태는 또한 발생되기 어렵다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 용량선은, 평면적으로 보아, 상기 화소 전극과 상기 화소 전위측 용량 전극을 전기적으로 접속하는 콘택트 홀의 형성 위치에 대응하여, 오목부를 갖고 있다.

이 예에 의하면, 화소 전극과 화소 전위측 용량 전극과의 전기적 접속을, 용량선의 존재와 관계없이, 무리없이 실현하는 것이 가능해지고, 또한 당해 접속에 따라 요구되는, 용량선의 일부를 구성하는 고정 전위측 용량 전극의 면적의 감소를 최소한으로 억제하는 것이 가능해지므로, 축적 용량을 비교적 크게 유지하는 것이 가능해진다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 용량선은 다층막으로 이루어진다.

이 예에 의하면, 용량선의 고기능화, 즉 예컨대, 해당 용량선이 갖는 고정 전위측 용량 전극으로서의 기능에 부가하여, 다른 기능을 더불어 갖게 하는 것 등을 실현할 수 있다. 구체적으로는, 상술한 과제에 대응하기 위해, 용량선의 저저항화를 도모한다고 하는 기능을 실현하기 위한 하나의 재료와, TFT에 대한 광입사를 방지할 수 있는 광차폐 기능을 실현하기 위한 다른 재료로부터, 용량선을 구성하는 등에 의해서, 상술한 본 발명의 목적을 달성하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명과 같이 용량선을 다층막으로부터 구성하면, 축적 용량으로서의 기능을 안정화시키는 것이 가능해진다. 즉 예컨대, 위에서 예시한 저저항화라는 목적만을 달성하는 것이면, 그와 같은 재료 1층만으로 용량선을 구성하면 좋은 것이지만, 그것으로는 축적 용량으로서 본래 가져야 되는 콘덴서로서의 기능을 충분히 다할 수 없는 경우가 있는 것이다. 그런데, 본 발명에 있어서는, 상술한 바와 같이, 2층 이상의 막으로 용량선이 구성되는 것에 의해, 그 하나의 층에 있어서 어떠한 특별한 기능을 갖게 하는 재료를 이용했다고 해도, 다른 층에 있어서 축적 용량으로서의 기능을 다해야 되는 재료를 보상적으로 이용할 수 있으므로, 상술한 바와 같이 문제가 발생하지 않는다.

이 예에서는 특히, 상기 용량선은, 그 상층으로서 도전성 재료로 이루어지는 막을 갖고, 또한 그 하층으로서 광흡수성의 재료로 이루어지는 막을 갖도록 하면 좋다.

이러한 구성에 의하면, 용량선에 있어서, 이하에 서술한 바와 같은 다기능화를 도모할 수 있게 된다. 우선, 용량선의 상층은, 예컨대 알루미늄, 구리, 티탄, 크롬, 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴 등의 금속 그 밖의 도전성 재료로 이루어지므로, 해당 상층에서는 높은 전기 전도도를 달성하는 것이 가능해진다. 바꿔 말하면, 본 구성에 의하면, 용량선의 협소화, 즉 축적 용량의 협소화를, 특별한 제약을 수반하는 일없이, 보다 확실하게 실현할 수 있게 된다. 이로부터, 종래 문제로 되어 있었던 용량선의 고저항화에 기인하는 누화의 발생이나 타버리는 문제 등의 발생을 방지하는 것이보다 확실해진다. 또한, 용량선의 협소화를 특별한 문제없이 실현할 수 있는 것은, 개구율의 향상을 도모하는 데에도 크게 이바지하게 된다.

한편, 용량선의 하층은, 예컨대 폴리실리콘 등의 광흡수성의 재료로 이루어지므로, 예컨대, 전기 광학 장치 내부에 입사한 후, 상기 데이터선의 하면에서 반사하는 등의 결과 발생하는, 이른바 미광이, TFT에 도달하려는 것을 미연에 방지하는 것이 가능해진다. 즉, 그와 같은 미광의 전부 또는 일부는, 용량선의 하층에서 흡수되게 되므로, 해당 미광이 TFT에 도달할 가능성을 보다 확실하게 저감하는 것이 가능해지는 것이다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 데이터선은, 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분이 국소적으로 폭넓게 형성되어 있고, 상기 용량선에 있어 서의 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭은, 상기 데이터선에 있어서의 폭넓게 형성되어 있지 않은 부분의 폭보다 넓고 또한 상기 데이터선에 있어서의 상기 폭넓게 형성된 부분의 폭과 동일하게 형성되어 있다.

이 예에 의하면, 데이터선에 있어서의 박막 트랜지스터에 겹치는 부분이 국소적으로 폭넓게 형성되어 있다. 그리고, 이 폭넓게 형성된 부분의 폭은, 전술한 용량선에 있어서의 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭과 동일하게 되어 있다. 즉, 이것에 의하면, 해당 박막 트랜지스터의 윗쪽에는, 모두 폭넓게 형성된 데이터선 및 용량선이 형성되어 있게 된다. 따라서, 해당 박막 트랜지스터의 윗쪽으로부터의 광입사를, 보다 확실하게 방지할 수 있다.

보다 구체적으로는 예컨대, 용량선이 고융점 금속 등으로 이루어지는 경우에 있어서는, 해당 용량선 단독으로, 투과율로서 0.1% 정도(OD(Optical Density)값에서는, 2 이상)의 차광 성능을 발휘시킬 수 있다. 그러나, 당해 용량선에 대하여 실리사이드화 처리 등을 실시하면, 그 조성이 변화되는 것 등에 의해, 그 차광 성능이 저하되는 경우가 있다. 이 경우, 전술한 투과율 0.1% 이상의 차광 성능밖에는 누릴 수 없다고 하는 경우도 있을 수 있다.

그런데, 본 예에 있어서는, 이러한 고융점 금속막으로 이루어지는 용량선에 겹쳐, 데이터선도 또 존재한다. 이와 같이, 용량선 및 데이터선이 서로 겹치는 것에 의해, 박막 트랜지스터의 차광을 행하는 구성을 채용하면, 이들의 투과율의 적산값에 해당하는 차광 성능을 얻을 수 있다. 예컨대, 데이터선이 알루미늄 등으로 이루어지는 경우에 있어서는, 투과율로서, 0.001% 이하 정도(OD 값에서는, 4 이상) 의 차광 성능을 발휘시킬 수 있다.

또, 본 예에서는 특히, 용량선에 있어서의 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭이 넓다고 하는 것은, 데이터선에 있어서의 폭넓게 형성되어 있지 않은 부분의 폭보다도 넓다고 하는 의미이다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에서는, 상기 데이터선은, 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분이 국소적으로 폭넓게 형성되어 있고, 상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭은, 상기 데이터선에 있어서의 폭넓게 형성되어 있지 않은 부분의 폭보다 넓고 또한 상기 데이터선에 있어서의 상기폭넓게 형성된 부분의 폭보다 좁게 형성되어 있다.

이 예에 의하면, 데이터선에 있어서의 박막 트랜지스터에 겹치는 부분이 국소적으로 폭넓게 형성되어 있다. 즉, 이것에 의하면, 해당 박막 트랜지스터의 윗쪽에는, 모두 폭넓게 형성된 데이터선 및 용량선이 형성되어 있게 된다. 따라서, 해당 박막 트랜지스터의 윗쪽으로부터의 광입사를, 보다 확실하게 방지할 수 있다.

또, 본 예에서는 특히, 용량선에 있어서의 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭은, 폭넓게 형성된 데이터선보다 폭좁게 형성되어 있다. 즉, 당해 부분에 있어서, 데이터선은 용량선보다도 폭좁게 되어 있다. 이것에 의해, 예컨대 데이터선을 광반사율이 높은 알루미늄 등으로 구성하는 경우에 있어서, 입사광이 전기 광학 장치 내부의 어떠한 요소에서 반사하여 발생하는 미광이나, 일단 전기 광학 장치를 출사한 광이 해당 전기 광학 장치 외부의 어떠한 요소에서 반사하여 다시 전기 광학 장치로 되돌아오는 복귀광, 혹은 전기 광학 장치가 복수 설치되는 컬러 표시 가 능한 액정 프로젝터 등의 투사형 표시 장치에 있어서 다른 전기 광학 장치를 출사한 광이 당해 전기 광학 장치로 되돌아오는 복귀광 등이, 상기 데이터선에서 반사하는 것에 의해 미광을 증대시킨다고 하는 사태를 방지할 수 있다. 이것은, 데이터선에 있어서의 폭넓게 형성된 부분이, 용량선에 비교하여 상대적으로 폭좁게 형성되어 있기 때문이다.

이러한 박막 트랜지스터에 겹치는 부분이 폭넓게 형성된 데이터선을 구비하는 예에서는, 상기 용량선은, 상기 박막 트랜지스터와 상기 데이터선과의 사이의 적층 위치에 배치되어 있고, 상기 데이터선은, 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분에 부가하여, 상기 박막 트랜지스터와의 접속용의 콘택트 홀이 마련된 부분이, 폭넓게 형성되어 있도록 구성하면 좋다.

이러한 구성에 의하면, 이 콘택트 홀 때문에, 차광막으로서의 용량선을 마련할 수 없더라도, 그 만큼의 차광 성능의 저하를, 데이터선을 폭넓게 형성하는 것으로 보충하는 것이 가능해진다.

또는, 상기 데이터선은, 상기 박막 트랜지스터마다, 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분으로부터 상기 콘택트 홀이 마련된 부분까지가 연속하여 폭넓게 형성되어 있도록 구성하면 좋다.

이러한 구성에 의하면, 박막 트랜지스터에 대한 차광을 보다 확실하게 할 수 있다.

또, 박막 트랜지스터에 겹치는 부분에 있어서의 폭넓게 형성된 부분과, 콘택트 홀이 마련된 부분에 있어서의 폭넓게 형성된 부분은, 따로따로 폭넓게 형성되어 있더라도 좋다. 박막 트랜지스터에 겹치는 부분과 콘택트 홀이 마련된 부분을 근접 배치하여, 당해 예와 같이, 연속하여 폭넓게 형성하면, 폭넓게 형성하는 영역을 쓸데없이 넓히지 않아도 되기 때문에, 내면 반사를 증대시키지 않는 관점에서 유리하다.

본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예에 의하면, 상기 기판에 전기 광학 물질을 거쳐서 대향 배치된 다른 기판과, 해당 다른 기판상에 형성된 차광막을 더 구비하여 이루어지고, 상기 데이터선 및 상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 연장하는 부분의 폭은, 상기 차광막의 폭보다도 좁다.

이 예에 의하면, 상기 다른 기판으로부터 광이 입사한다고 가정하면, 그 광의 입사측으로부터 순서대로, 차광막, 데이터선 및 용량선이라는 적층 구조를 구축하는 것이 가능해진다. 여기서, 이 중에서의 전자의 폭은, 뒤의 양자의 폭보다도 넓다. 즉, 입사광은, 보다 폭이 넓은 차광막에 의해서 그 진행이 차단되는 것으로 되어, 거기를 빠져나간 광만이, 데이터선 및 용량선에 도달하게 된다. 또한, 차광막을 빠져나간 광이, 데이터선 및 용량선에 도달하는 경우에는, 이들 데이터선 및 용량선에 의한 전술한 차광 기능의 발휘를 기대할 수 있다. 요컨대, 본 예에 의하면, 박막 트랜지스터의 내광성(耐光性)을 보다 높일 수 있어, 광 리크 전류의 발생할 가능성을 보다 감퇴시킬 수 있다.

또, 본 예에 말하는 「차광막」은, 예컨대 상기 화소 전극이 매트릭스 형상으로 배열되는 것이면, 해당 화소 전극의 간극을 뚫고 지나가는 스트라이프 형상, 혹은 격자 형상으로 형성하는 것이 가능하다. 또한, 경우에 따라, 해당 차광막을, 예컨대 크롬 혹은 크로미나 등의 광흡수성 재료 및 알루미늄 등의 광반사성 재료로 이루어지는 적층 구조로서 형성하는 것도 가능하다.

본 발명의 전자 기기는, 상술한 본 발명의 전기 광학 장치(그 각종 예를 포함함)를 구비하여 이루어진다.

본 발명의 전자 기기에 의하면, 상술한 본 발명의 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지므로, 용량선의 고저항화를 초래하는 일이 없고, 또한, 박막 트랜지스터에 대한 광입사를 극력 억제하는 것이 가능하게 되는 결과, 고품질의 화상을 표시하는 것이 가능하다, 예컨대, 액정 프로젝터, 액정 텔레비젼, 휴대 전화, 전자 수첩, 워드 프로세서, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, 텔레비젼 전화, POS 단말, 터치 패널 등의 각종 전자 기기를 실현할 수 있다.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 실시예는, 본 발명의 전기 광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.

우선, 본 발명의 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화소부에 있어서의 구성에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1은 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로이다. 도 2는 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 A-A' 단면도이다. 또, 도 3에 있어서는, 각 층·각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 해당 각 층·각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.

도 1에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는, 각각, 화소 전극(9a)과 당해 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 당해 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 기입하는 화상 신호 S1, S2, …, Sn은, 이 순서대로 선순차적으로 공급하더라도 상관없고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a) 끼리에 대하여, 그룹마다 공급하도록 하더라도 좋다.

또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로, 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm을, 이 순서대로 선순차적으로 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은, TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2, …, Sn을 소정의 타이밍으로 기입한다.

화소 전극(9a)을 거쳐서 전기 광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은, 대향 기판에 형성된 대향 전극과의 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은, 인가되는 전압 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화되는 것에 의해, 광을 변조하여, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하고, 노멀리 블랙 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되어, 전체로서 전기 광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 갖는 광이 출사된다.

여기서 유지된 화상 신호가 리크하는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극과의 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다.

이하에서는, 상기 데이터선(6a), 주사선(3a), TFT(30) 등에 의한, 상술한 바와 같은 회로 동작이 실현되는 전기 광학 장치의 보다 현실적인 구성에 대하여, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.

우선, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치는, 도 2의 A-A' 단면도인 도 3에 도시하는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판인 TFT 어레이 기판(10)과, 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은, 예컨대, 석영 기판, 유리 기판, 실리콘 기판으로 이루어지고, 대향 기판(20)은, 예컨대, 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다.

도 3에 도시하는 바와 같이, TFT 어레이 기판(10)에는, 화소 전극(9a)이 마련되어 있고, 그 상측에는, 러빙(rubbing) 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 화소 전극(9a)은, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다.

다른 한편, 대향 기판(20)에는, 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 마련되어 있고, 그 하측에는, 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련 되어 있다. 대향 전극(21)은, 예컨대 ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다.

한편, 도 2에 있어서, 전기 광학 장치의 투명한 TFT 어레이 기판(10)상에는, 매트릭스 형상으로 복수의 화소 전극(9a)(점선부(9a')에 의해 윤곽이 도시되어 있음)이 마련되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계를 각각 따라 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 마련되어 있다.

주사선(3a)은, 반도체층(1a) 중 도 2중 오른쪽 위로 올라가는 사선 영역에서 나타낸 채널 영역(1a')에 대향하도록 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다. 즉, 주사선(3a)과 데이터선(6a)과의 교차하는 개소에는 각각, 채널 영역(1a')에 주사선(3a)의 본선부가 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용의 TFT(30)가 마련되어 있다.

TFT(30)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 그 구성 요소로서는, 상술한 바와 같이 게이트 전극으로서 기능하는 주사선(3a), 예컨대 폴리실리콘막으로 이루어지고 주사선(3a)으로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)에 있어서의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c) 및 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다.

또, TFT(30)는, 바람직하게는 도 3에 나타낸 바와 같이 LDD 구조를 갖지만, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 불순물의 주입을 행하지 않는 오프셋 구조를 갖더라도 무방하며, 주사선(3a)의 일부로 이루어지는 게이트 전극을 마스크로서 고농도로 불순물을 주입하고, 자기 정합적으로 고농도 소스 영역 및 고농도 드레인 영역을 형성하는 셀프 얼라인형의 TFT 이더라도 좋다. 또한, 본 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)의 게이트 전극을, 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e) 사이에 1개만 배치한 단일 게이트 구조로 했지만, 이들의 사이에 2개 이상의 게이트 전극을 배치한 2중 게이트, 또는 3중 게이트 이상으로 TFT를 구성하더라도 좋다. 또한, TFT(30)를 구성하는 반도체층(1a)은 비단결정층이라도 단결정층이라도 상관없다. 단결정층의 형성에는, 접합법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다. 반도체층(1a)을 단결정층으로 함으로써, 특히 주변 회로의 고성능화를 도모할 수 있다.

한편, 도 2 및 도 3에 있어서는, 축적 용량(70)이, TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e) 및 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량 전극으로서의 중계층(71)과, 고정 전위측 용량 전극으로서의 용량선(300)의 일부가, 유전체막(75)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해 형성되어 있다. 이 축적 용량(70)에 의하면, 화소 전극(9a)에 있어서의 전위 유지 특성을 현저히 높이는 것이 가능해진다.

중계층(71)은, 예컨대 도전성의 폴리실리콘막으로 이루어지고 화소 전위측 용량 전극으로서 기능한다. 단, 중계층(71)은, 금속 또는 합금을 포함하는 단일층막 또는 다층막으로 구성하더라도 좋다. 중계층(71)은, 화소 전위측 용량 전극으로서의 기능 외에, 콘택트 홀(83 및 85)을 거쳐서, 화소 전극(9a)과 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e)을 중계 접속하는 기능을 갖는다. 이러한 중계층(71)을 이용하면, 층간 거리가 예컨대 2000nm 정도로 길더라도, 양자 사이를 하나의 콘택트 홀 로 접속하는 기술적 곤란성을 회피하면서, 비교적 작은 직경의 두 개 이상의 직렬 콘택트 홀로 양자 사이를 양호하게 접속할 수 있어, 화소 개구율을 높이는 것이 가능해진다. 또한, 콘택트 홀 개공시에 있어서의 에칭의 관통 방지에도 도움이 된다.

또한, 유전체막(75)은, 예컨대 막 두께 5∼200nm 정도의 비교적 얇은, TaOx(산화 탄탈), BST(티탄산 스트론튬 바륨), PZT(티탄산 지르콘산염), TiO₂(산화 티탄), ZiO₂(산화 지르코늄), HfO₂(산화 하프늄), SiO₂(산화 실리콘), SiON(산질화 실리콘) 및 SiN(질화 실리콘) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 절연막으로 이루어진다. 특히, TaOx, BST, PZT, TiO₂, ZiO₂ 및 HfO₂ 라고 하는 고유전율 재료를 사용하면, 한정된 기판상 영역에서 용량값을 증대시킬 수 있다. 또는, SiO₂(산화 실리콘), SiON(산질화 실리콘) 및 SiN 이라고 하는 실리콘을 포함하는 재료를 사용하면, 실리콘을 포함하여 이루어지는 반도체층(1a) 및 제 1 층간 절연막(41) 등의 층간 절연막과의 사이에 있어서의 스트레스 발생을 저감할 수 있다.

또, 유전체막(75)으로서는, HTO(High Temperature Oxide)막, LTO(Low Temperature Oxide)막 등의 산화 실리콘막, 또는 질화 실리콘막 등으로 구성하더라도 좋다. 어떻든 간에, 축적 용량(70)을 증대시키는 관점에서는, 막의 신뢰성이 충분히 얻어지는 한도내에서, 유전체막(75)은 얇은 것이 좋다.

또한, 용량선(300)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, TFT(30)의 반도체층(1a)과 데이터선(6a)의 사이에 배치되어 있고, 해당 용량선(300) 그 자체는 특히, 다층 막으로 이루어지도록 구성하더라도 좋다. 보다 구체적으로는, 용량선(300)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 2 종류의 층으로 이루어지고, 그 상층으로서 도전성 재료로 이루어지는 층의 일례인 알루미늄층(300a), 및, 그 하층으로서 광흡수성의 재료로 이루어지는 층의 일례인 폴리실리콘층(300b)이, 각각 적층 구조를 하고 있다.

단, 본 발명은, 이러한 재료 선택에 한정되는 것이 아니라, 「다층막」을 구성하는 재료로서는, 상기 알루미늄 및 폴리실리콘에 부가하여, 구리, 티탄, 크롬, 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴 등을 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 또, 여기서 예로 든 각종 재료는, 광 차광성이라는 점에 대해서도 일반적으로 우수하다.

이러한 용량선(300)은, 평면적으로 보면, 도 2에 도시하는 바와 같이, 주사선(3a)의 형성 영역에 겹쳐져 형성되어 있다. 보다 구체적으로는 용량선(300)은, 주사선(3a)을 따라 연장하는 본선부(301)와, 도면 중, 데이터선(6a)과 교차하는 각 개소로부터 데이터선(6a)을 따라 윗쪽으로 각기 돌출한 돌출부(302)와, 콘택트 홀(85)에 대응하는 개소가 약간 오목한 오목부(303)를 구비하고 있다.

이 중에서 돌출부(302)는, 주사선(3a)상의 영역 및 데이터선(6a) 아래의 영역을 이용하여, 축적 용량(70)의 형성 영역의 증대에 공헌한다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 이 돌출부(302) 그 자체를 형성하는 것, 즉 해당 돌출부(302)의 선단에 용량선(300)을 존재시키지 않는 영역을 의식적으로 형성함으로써, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 데이터선(6a)과 TFT(30)의 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1e)을 접속하는 콘택트 홀(81)을 마련하는 것이 가능해지고 있다. 즉, 본 실시예에 의하면, 화소 개구율의 감소를 수반하는 등의 문제없이, 설계의 자유도가 증 대된다고 할 수 있다.

또한, 오목부(303)의 존재에 의해, 화소 전극(9a)과 화소 전위측 용량 전극을 포함하는 중계층(71)과의 접속, 즉 콘택트 홀(85)의 설치를, 용량선(300)의 존재와 관계없이, 무리없이 실현할 수 있다. 또, 오목부(303)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 콘택트 홀(85)의 단면적에 대응한 「오목한 부분」을 가지면 충분하므로, 축적 용량(70)은, 비교적 크게 유지하는 것이 가능하다.

그리고 본 실시예에서는 특히, 이 용량선(300)에 있어서의 상기 데이터선(6a)을 따라 돌출한 부분, 즉 돌출부(302)의 폭 W1은, 해당 데이터선(6a)의 폭 W2와 동일 또는 보다 넓게 형성되어 있다. 도 2에 있어서는, W1 > W2이다. 또한, 본 실시예에 있어서의 용량선(300)에 대해서는, 그 주사선(3a)을 따라 연장되는 부분, 즉 본선부(301) 및 오목부(303)의 폭 W3 및 W4가, 주사선(3a)이 갖는 폭 W5보다도 크다. 즉, W3 > W5, W4 > W5의 관계로 된다.

또한, 이것에 부가하여, 본 실시예에 있어서의 용량선(300)에 있어서는 특히, 도 2에 도시하는 바와 같이, 그 돌출부(302)의 둘레(302p)가, 화소 전극(9a)의 둘레(9ap)와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지만, 한편, 데이터선(6a)의 둘레(6ap)는 적어도 부분적으로, 화소 전극(9a)의 둘레(9ap)와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않다. 또한, 이것과 마찬가지로 해서, 용량선(300)에 있어서의 본선부(301)의 둘레(301p)는, 화소 전극(9a)의 둘레(9ap)와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지만, 한편, 주사선(3a)의 둘레(3ap)는 적어도 부분적으로, 화소 전극(9a)의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않다.

또, 용량선(300)은, 바람직하게는, 화소 전극(9a)이 배치된 화상 표시 영역으로부터 그 주위로 연장되어 마련되고, 정전위원과 전기적으로 접속되어, 고정 전위로 된다. 이러한 정전위원으로서는, 데이터선 구동 회로에 공급되는 정(正) 전원이나 부(負) 전원의 정전위원이라도 좋고, 대향 기판(20)의 대향 전극(21)에 공급되는 정전위 이더라도 상관없다.

또한, 본 실시예에 있어서는, TFT 어레이 기판(10)상에, 아래로부터 순차적으로, 중계층(71), 유전체막(75) 및 용량선(300)이라는 순으로 적층되어 있지만, 본 발명은, 이러한 예에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 이것과는 반대로, 용량선(300), 유전체막(75) 및 중계층(71)이라는 순으로 적층되어 있었다고 해도, 본 발명의 작용 효과는 아무런 변경을 받지 않고 발휘되는 것은 말할 필요도 없다.

도 2 및 도 3에 있어서는, 상기한 것 이외에, TFT(30)의 하측에, 하측 차광막(11a)이 마련되어 있다. 하측 차광막(11a)은, 주사선(3a) 및 데이터선(6a)의 아래쪽, 또한, 해당 주사선(3a) 및 데이터선(6a)를 따라 격자 형상으로 연장되어 있다. 또한, 이 하측 차광막(11a)에 대해서도, 전술한 용량선(300)의 경우와 마찬가지로, 그 전위 변동이 TFT(30)에 대하여 악영향을 미치는 것을 피하기 위해서, 화상 표시 영역으로부터 그 주위로 연장하여 정전위원에 접속하면 좋다.

또한, TFT(30) 아래로는, 하지 절연막(12)이 마련되어 있다. 하지 절연막(12)은, 하측 차광막(11a)으로부터 TFT(30)를 층간 절연하는 기능 외에, TFT 어레이 기판(10)의 전면에 형성되는 것에 의해, TFT 어레이 기판(10)의 표면 연마시에 있어서의 거칠함이나, 세정후에 남는 오염 등으로 화소 스위칭용의 TFT(30)의 특성 변화를 방지하는 기능을 갖는다.

부가하여, 주사선(3a)상에는, 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(83)이 각각 개공된 제 1 층간 절연막(41)이 형성되어 있다.

제 1 층간 절연막(41)상에는, 중계층(71) 및 용량선(300)이 형성되어 있고, 이들의 위에는 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 각각 개공된 제 2 층간 절연막(42)이 형성되어 있다.

또, 본 실시예에서는, 제 1 층간 절연막(41)에 대해서는, 약 1000 ℃의 소성을 행함으로써, 반도체층(1a)이나 주사선(3a)을 구성하는 폴리실리콘막에 주입한 이온의 활성화를 도모하더라도 좋다. 한편, 제 2 층간 절연막(42)에 대해서는, 이러한 소성을 행하지 않는 것에 의해, 용량선(300)의 계면 부근에 발생하는 스트레스의 완화를 도모하도록 하더라도 좋다.

제 2 층간 절연막(42)상에는, 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 이들의 위에는 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 형성된 제 3 층간 절연막(43)이 형성되어 있다. 제 3 층간 절연막(43)의 표면은, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 처리 등에 의해 평탄화되어 있고, 그 아래쪽으로 존재하는 각종 배선이나 소자 등의 단차에 기인하는 액정층(50)의 배향 불량을 저감한다. 단, 이와 같이 제 3 층간 절연막(43)에 평탄화 처리를 실시하는 대신에, 또는 부가하여, TFT 어레이 기판(10), 하지 절연막(12), 제 1 층간 절연막(41) 및 제 2 층간 절연막(42) 중 적어도 하나에 홈을 파서, 데이터선(6a) 등의 배선이나 TFT(30) 등을 설치하는 것에 의해, 평 탄화 처리를 하더라도 좋다.

이상 설명한 바와 같은 구성으로 이루어지는 본 실시예의 전기 광학 장치에 의하면, 상술한 바와 같이, 용량선(300)의 돌출부(302)의 폭이 데이터선(6a)의 폭보다도 크고, 또한, 본선부(301) 및 오목부(303)의 폭이 주사선(3a)의 폭보다도 크게 형성되어 있는 것에 의해, 다음에 기재하는 작용 효과를 실현할 수 있다.

우선, 종래에 비교하여, 용량선(300)을 보다 저저항화하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 종래 문제로 되어 있었던 용량선의 고저항화에 기인하는 누화나 타버리는 등의 문제의 발생 가능성을 저감할 수 있다. 그리고 또, 용량선(300)의 이러한 저저항화는, 장치 전체로부터 본 경우에 있어서의 용량선(300)의 협소화, 즉 축적 용량(70)의 협소화를 달성하는 것을 가능하게 하여, 그 결과, 화소 개구율의 향상을 달성할 수 있다.

또한, TFT(30), 특히 그 채널 영역(1a')에 대한 광입사를, 종래에 비교하여 보다 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다. 왜냐 하면, 기술한 바와 같이, 종래에 있어서는, 데이터선(6a)의 이면 등에서 반사된 광이 미광으로 되어, 결국, TFT(30)에 입사하는 경우가 있었던 바, 본 실시예에 의하면, 그러한 미광 이더라도, 데이터선(6a)의 폭과 동일하거나, 또는 보다 넓게 형성된 용량선(300)에 의해, 그 진행이 차단될 가능성이 높아지기 때문이다.

또, 이러한 TFT(30)에 대한 광차폐에 따른 작용 효과는, 본 실시예에 있어서, 용량선(300)의 본선부(301) 및 오목부(303)의 폭이 주사선(3a)의 폭보다도 크게 형성되어 있는 것(도 2 참조), 또한, 해당 용량선(300)이 TFT(30)의 반도체층(1a)과 데이터선(6a)과의 사이에 배치되어 있는 것(도 3 참조) 등에 의해, 보다 효과적으로 달성될 수 있게 된다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 용량선(300)이, 그 상층으로서 알루미늄층(300a)을 갖고, 또한 그 하층으로서 폴리실리콘층(300b)을 갖는 것으로부터, 상술한 작용 효과는, 보다 효과적으로 발휘되게 된다.

우선, 용량선(300)의 상층이 알루미늄층(300a)으로 이루어지는 것에 의해, 해당 상층에서는 높은 전기 전도도를 달성하는 것이 가능해진다. 즉, 본 실시예에 있어서는, 용량선(300)의 저저항화가, 이 다층막화에 의해서도 지원되고 있는 것이다.

또한, 용량선(300)의 하층이 폴리실리콘층(300b)으로 이루어지는 것에 의해, 예컨대, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치 내부에 입사한 후, 상기 데이터선(6a)의 하면에서 반사하는 등의 결과 발생하는, 이른바 미광이, TFT(30)에 도달하고자 하는 것을 미연에 방지하는 것이 가능해진다. 그러한 미광의 전부 또는 일부는, 용량선(300)의 하층에서 흡수되게 되기 때문이다.

부가하여, 본 실시예에 있어서의 용량선(300)은, 그 돌출부(302)의 둘레(302p) 및 본선부(301)의 둘레(301p)가, 각각, 화소 전극(9a)의 둘레(9ap)와 겹치도록(이하에서는, 단지「용량선(300)이 화소 전극(9a)에 겹친다」등으로 표현하는 경우가 있음) 형성되어 있기 때문에, 이것에 의해서도, TFT(30)에 대한 광의 입사를 방지하는 것이 가능해진다. 그리고, 본 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 데이터선(6a)의 둘레(6ap) 및 주사선(3a)의 둘레(3ap)가, 각각 화소 전극(9a)의 둘 레(9ap)에 겹쳐져 있지 않은 구성을 채용하고 있었지만, 이것이 가능해지는 것은, 용량선(300)이 화소 전극(9a)에 겹치도록 형성되어 있기 때문이다. 즉, 종래에 있어서는, 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 화소 전극(9a)에 겹치도록 형성되어 있던 것에 의해, 광의 입사를 방지하는 기능도 예상되고 있었던 것이지만, 본 실시예에서는, 용량선(300)이 화소 전극(9a)에 겹치도록 형성되어 있는 것에 의해, 이제는 그 필요가 없는 것이다. 그리고, 이 결과, 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 화소 전극(9a)에 겹치는 것에 의해 양자간에 생성되어 있던 기생 용량을 저감하는 것이 가능해지므로, 해당 데이터선(6a) 및 해당 주사선(3a)의 전위 변동이 화소 전극(9a)의 전위에 대하여 악영향을 미치는 것을 미연에 방지하는 것이 가능해지는 것이다.

이상으로부터, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치에 의하면, 용량선의 저저항화에 의해, 또한, 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생이 저감되는 것 등에 의해, 높은 품질을 갖는 화상을 표시하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 실시예로서는, 상술한 것 이외에, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같은 예로 하는 것도 가능하다. 여기서, 도 4는, 도 2와 동일 취지의 도면이고, 당해 도면과는 용량선(300)에 대하여 콘택트 홀(501)이 마련되어 있는 점에 관하여 다른 형태로 되는 평면도이다. 또한, 도 5는 도 4의 B-B' 단면도이다.

이들 도면에 있어서는, 용량선(300)의 돌출부(302)의 폭이 데이터선(6a)의 폭보다도 크고, 또한, 본선부(301) 및 오목부(303)의 폭이 주사선(3a)의 폭보다도 크게 되어 있는 점, 그리고 용량선(300)이 다층막화되어 있는 점 등 외에 다른 변경은 없다. 그러나, 본 예에 있어서는, 용량선(300)과 상기 하측 차광막(11a)이, 콘택트 홀(501)에 의해서 전기적으로 접속되어 있는 점이 다르다.

콘택트 홀(501)은, 도 5에 도시하는 바와 같이, 제 1 층간 절연막(41) 및 하지 절연막(12)을 관통하여 마련되어 있다. 또한, 콘택트 홀(501)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 평면적으로 보면, 상술한 용량선(300)의 돌출부(302)의 단부 부근에 형성되어 있다. 또한, 이 콘택트 홀(501)은, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 데이터선(6a)의 바로 아래에 형성되어 있다. 이것에 의해, 콘택트 홀(501)은, 데이터선(6a)에 의해 규정되는 비개구 영역내에 존재하는 것으로 되므로, 개구율이 더욱 향상되는 데에 이바지하는 것으로 된다.

이러한 예에 있어서는, 상술한 용량선(300)의 저저항화에 따른 작용 효과를 보다 확실하게 달성하게 된다. 왜냐 하면, 용량선(300) 중 일부에 어떠한 파손 등이 발생했다고 해도, 전기적으로 접속된 하측 차광막(11a)이 그 대체적 작용을 발휘하는 것이 가능하기 때문이다. 여기서 대체적 작용이란, 용량선(300)의 파손 등 위치를 보충하도록, 하측 차광막(11a)이, 해당 용량선(300)에 포함되는 고정 전위측 용량 전극에 대한 고정 전위의 공급 등을 실현하는 것을 말한다. 이러한 것으로부터, 결과적으로, 용량선(300) 자체의 고저항화를 초래하는 것 같은 일이 없는 것이다.

또한, 본 실시예에 있어서의 하측 차광막(11a)은, 상술한 바와 같이, 주사선(3a) 및 데이터선(6a)의 하방, 또한, 해당 주사선(3a) 및 데이터선(6a)을 따라 격자 형상으로 연장되는 것으로부터, 해당 하측 차광막(11a)의 일부에서 어떠한 파손 등이 발생했다고 해도, 다수의 전기 전도로를 상정할 수 있으므로, 용량선(300)을 전체로서 본 경우, 그것이 고저항화하는 것 같은 사태는, 또한 발생하기 어렵다.

(제 2 실시예)

이하에서는, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여, 도 6 내지 도 9를 참조하면서 설명하는 것으로 한다. 여기서 도 6은, 도 2와 동일 취지의 도면으로서, 동 도면과는 데이터선의 형태가 다른 것을 도시하는 도면이고, 도 7은 도 6의 P-P' 단면도이며, 도 8은 도 6의 Q-Q' 단면도이고, 도 9는 도 6의 R-R' 단면도이다. 또, 제 2 실시예의 전기 광학 장치의 기본적인 구성 및 작용 등은 상기 제 1 실시예와 마찬가지이기 때문에, 이하에는, 제 2 실시예에 있어서 특징적인 부분에 대하여 주로 설명을 부가하는 것으로 한다. 또한, 도 6 내지 도 9에서 사용하는 부호는, 실질적으로 동일의 요소를 지시하는 경우에 있어서는, 전술한 설명에서 참조한 도 1 내지 도 5에 있어서 사용한 부호와 동일한 것을 사용하는 것으로 한다.

제 2 실시예에서는, 도 6 내지 도 9에 도시하는 바와 같이 데이터선(6a1)은, TFT(30)에 겹치는 부분이 국소적으로 폭넓게 형성된 광폭부(6aW)를 구비하고 있다. 그리고, 용량선(300)에 있어서의 데이터선(6a1)을 따라 연장하는 부분, 즉 돌출부(302)의 폭 W1은, 첫째로, 데이터선(6a1)에 있어서의 광폭부(6aW) 이외의 부분의 폭 W2'보다 넓게 형성되어 있다(특히, 도 7 참조). 이 점은, 도 2 내지 상기 제 1 실시예와 대략 마찬가지이다. 그리고 둘째로, 해당 돌출부(302)의 폭 W1은, 데이터선(6a1)에 있어서의 광폭부(6aW)의 폭 W6과 거의 동일하게 형성되어 있다(도 8 참조). 이 점은, 데이터선(6a1)이, 제 2 실시예에 있어서 새롭게 광폭부(6aW)를 갖는 것에 근거하는 특징이며, 도 2 내지 상기 제 1 실시예에는 보이지 않는 것이다.

또, 상술한 돌출부(302)의 폭 W1, 데이터선(6a1)에 있어서의 광폭부(6aW)의 폭 W6, 및 해당 광폭부(6aW) 이외의 폭 W2'의 구체값으로서는, 각각, 3〔㎛〕, 3〔㎛〕 및 2〔㎛〕등으로 하면 좋다.

또한, 제 2 실시예에서는, 도 6 혹은 도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 데이터선(6a1)의 광폭부(6aW)는, 매트릭스 형상으로 배열된 TFT(30)마다, 해당 TFT(30)에 겹치는 부분으로부터 해당 TFT(30)의 반도체층(1a)과 데이터선(6a)을 접속하는 콘택트 홀(81)이 마련된 부분까지 연속하고 있다.

부가하여, 제 2 실시예에서는, 도 7 내지 도 9에 도시하는 바와 같이, 대향 기판(20)상에 차광막(23)이 형성되어 있다. 그리고, 이 차광막(23)의 폭 WS는, 상기 광폭부(6aW)보다도 크게 되어 있다.

이러한 구성으로 이루어지는 제 2 실시예의 전기 광학 장치에서는, 다음과 같은 작용 효과가 얻어지게 된다. 즉, 첫째로, TFT(30)상에는, 모두 폭넓게 형성된 데이터선(6a1)의 광폭부(6aW) 및 용량선(300)의 돌출부(302)가 존재하는 것에 의해, 이른바 2중의 차광 작용이 얻어지게 된다. 따라서, TFT(30)의 채널 영역(1a')에 대한 광입사는, 상기 실시예에도 또한 발생하기 어렵고, 따라서, 광 리크 전류도 발생하기 어렵다.

특히, 제 2 실시예에 있어서는, TFT(30)상에, 이러한 용량선(300)에 겹쳐, 데이터선(6a)의 광폭부(6aW)도 또 존재한다. 이 경우, TFT(30)상에서는, 이들의 투과율의 적산값에 해당하는 차광 성능을 얻을 수 있다.

이와 같이 제 2 실시예에 있어서는, 용량선(300)에 있어서 그 차광 성능을 저하시키는 어떠한 사정 등이 있는 경우에 있더라도, 데이터선(6a)이 보완적으로 차광 성능을 발휘하는 것에 의해, TFT(30)에 대한 광입사는 보다 발생하기 어려운 구성으로 되어 있다고 할 수 있다.

둘째로, 이러한 우수한 차광 성능에 관련되어 또한, 제 2 실시예에 있어서는, 상술한 바와 같이, 용량선(300)의 돌출부(302)의 폭 W1 및 데이터선(6a)의 광폭부(6aW)의 폭 W6은, 대향 기판(20)상의 차광막(23)의 폭 WS보다도 작게(즉, WS < W1, WS < W6) 되어 있다. 이것에 의하면, TFT(30)의 윗쪽으로부터 입사하는 광은, 우선, 차광막(23)에서 차단되거나, 혹은 이것을 통과하더라도, 다음 데이터선(6a)의 광폭부(6aW)에서 차단된다. 또한, 입사광이, 이 광폭부(6aW)를 통과하더라도, 다음 용량선(300)의 돌출부(302)에 의해서 차단되게 된다. 요컨대, 제 2 실시예에 있어서는, 3중의 차광이 실현되게 되므로, TFT(30)에 대한 광입사는 더욱 발생하기 어려운 상황에 있다.

또한 셋째로, 제 2 실시예에서는, 데이터선(6a)의 광폭부(6aW)가, 매트릭스 형상으로 배열된 TFT(30)마다, TFT(30)에 겹치는 부분으로부터 콘택트 홀(81)에 도달할 때까지 연속하여 형성되어 있다. 여기서, 이 콘택트 홀(81)은, 전술한 바와 같이 TFT(30)의 반도체층(1a)과 데이터선(6a)을 접속하기 위해서 마련되어 있으므로, 당해 부분에 있어서는, 용량선(300)을 형성할 수가 없다. 즉, 해당 콘택트 홀(81)에서는, 용량선(300)의 차광 기능을 기대할 수가 없는 것이다.

그런데, 제 2 실시예에서는, 이 콘택트 홀(81)의 형성 부위에 있어서, TFT(30)의 윗쪽과 마찬가지로, 데이터선(6a)의 광폭부(6aW)가 존재하고 있다. 따라서, 용량선(300)을 형성할 수가 없는 만큼, 발생할 수 있는 차광 성능의 저하는, 이 광폭부(6aW)의 존재에 의해서 보충하는 것이 가능해지는 것이다. 또한, 제 2 실시예와 같이, TFT(30)상 및 콘택트 홀(81)의 형성 부위의 광폭부(6aW)를 연속하도록 형성하는 형태에 의하면, 광폭부(6aW)의 형성 영역을 쓸데없이 넓히지 않아도 되기 때문에, 내면 반사를 증대시키지 않는 관점에서 바람직하다.

이상과 같이, 제 2 실시예에 있어서는, 각종 작용 효과가 맞물려, 채널 영역(1a')에 대한 광입사의 가능성은 지극히 감퇴되어 있고, TFT(30)에 있어서의 광 리크 전류 발생, 나아가 해당 광 리크 전류에 기인하는 화상상의 플릭커 등의 발생은 대단히 억제되게 된다.

또, 제 2 실시예에 있어서는, 데이터선(6a1)의 광폭부(6aW)의 폭 W6과 용량선(300)의 돌출부(302)의 폭 W1과는 동일한 것으로 되어 있었지만, 본 발명은, 이러한 예에 한정되지 않는다. 이 밖에, 예컨대 바람직하게는, 데이터선의 광폭부(6aW)의 폭이, 용량선(300)의 돌출부(302)의 폭보다도 좁다고 하는 형태로 하면 좋다. 이러한 예에 의하면, 이들 광폭부(6aW) 및 돌출부(302)에 의한 2중의 차광 작용을, 전술에 비교하여 거의 손색없이 누릴 수 있을 뿐만 아니라, 광폭부(6aW)가 상대적으로 좁게 형성되어 있는 것으로부터, 해당 광폭부(6aW)에 있어서 광의 내면 반사 등을 함부로 생기게 하는 일없이, 미광의 증대를 방지할 수 있다.

또한, 광폭부(6aW)에 있어서 내면 반사하는 광으로서는, 입사광이 전기 광학 장치 내부의 어떠한 요소에서 반사하여 발생하는 미광이나, 일단 전기 광학 장치를 출사한 광이 해당 전기 광학 장치 외부의 어떠한 요소에서 반사하여 다시 전기 광학 장치로 되돌아오는 복귀광, 혹은 전기 광학 장치가 복수 설치되는 컬러 표시 가능한 액정 프로젝터 등의 투사형 표시 장치(후술한 도 12 참조)에 있어서 다른 전기 광학 장치를 출사한 광이 해당 전기 광학 장치로 되돌아오는 복귀광 등을 생각할 수 있다.

(전기 광학 장치의 전체 구성)

이상과 같이 구성된 본 실시예에 따른 전기 광학 장치의 전체 구성을, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 또, 도 10은 TFT 어레이 기판(10)을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판(20)의 측으로부터 본 평면도이고, 도 11은 도 10의 H-H' 단면도이다.

도 10 및 도 11에 있어서, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 대향 배치되어 있다. TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)의 사이에는, 액정층(50)이 봉입되어 있고, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은, 화상 표시 영역(10a)의 주위에 위치하는 밀봉(seal) 영역에 마련된 밀봉재(52)에 의해 서로 접착되어 있다.

밀봉재(52)의 외측 영역에는, 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정의 타이밍으 로 공급하는 것에 의해 해당 데이터선(6a)을 구동하는 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변을 따라 마련되어 있고, 주사선(3a)에 주사 신호를 소정의 타이밍으로 공급하는 것에 의해, 주사선(3a)을 구동하는 주사선 구동 회로(104)가, 이 한 변에 인접하는 두 변을 따라 마련되어 있다.

또, 주사선(3a)에 공급되는 주사 신호 지연이 문제가 되지 않는 것이라면, 주사선 구동 회로(104)는 한 쪽만이라도 좋은 것은 말할 필요도 없다. 또한, 데이터선 구동 회로(101)를 화상 표시 영역(10a)의 변을 따라 양측에 배열하더라도 좋다.

TFT 어레이 기판(10)의 남는 한 변에는, 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 잇기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다. 또한, 대향 기판(20)의 코너부의 적어도 1개소에 있어서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에서 전기적으로 도통을 취하기 위한 도통재(106)가 마련되어 있다. 그리고, 도 11에 도시하는 바와 같이, 도 10에 나타낸 밀봉재(52)와 거의 같은 윤곽을 갖는 대향 기판(20)이 당해 밀봉재(52)에 의해 TFT 어레이 기판(10)에 고착되어 있다.

도 11에 있어서, TFT 어레이 기판(10)상에는, 화소 스위칭용의 TFT(30)나 주사선(3a), 데이터선(6a) 등의 배선이 형성된 후의 화소 전극(9a)상에, 배향막이 형성되어 있다. 한편, 대향 기판(20)상에는, 대향 전극(21) 외에, 최상층 부분에 배향막이 형성되어 있다. 또한, 액정층(50)은, 예컨대 일종 또는 수종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어지고, 이들 한 쌍의 배향막 사이에서, 소정의 배향 상태를 취한다.

또, TFT 어레이 기판(10)상에는, 이들 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 등에 부가하여, 복수의 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정의 타이밍으로 인가하는 샘플링 회로, 복수의 데이터선(6a)에 소정 전압 레벨의 프리차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리차지 회로, 제조 도중이나 출하시의 당해 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하더라도 좋다.

(전자 기기의 실시예)

다음에, 이상 상세히 설명한 전기 광학 장치를 광밸브로서 이용한 전자 기기의 일례인 투사형 컬러 표시 장치의 실시예에 대하여, 그 전체 구성, 특히 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기서, 도 12는 투사형 컬러 표시 장치의 도식적단면도이다.

도 12에 있어서, 본 실시예에 있어서의 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는, 구동 회로가 TFT 어레이 기판상에 탑재된 전기 광학 장치를 3개 준비하고, 각각 RGB 용의 광밸브(100R, 100G 및 100B)로서 이용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는, 메탈 할라이드(metal halide) 램프 등의 백색 광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발생하면, 3장의 미러(1106) 및 2장의 다이클로익 미러(1108)에 의해서, RGB의 삼원색에 대응하는 광성분 R, G 및 B로 나누어지고, 각 색에 대응하는 광밸브(100R, 100G 및 100B)로 각각 도입된다. 이 때 특히, B 광은, 긴 광로에 의한 광손실을 막기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(1123) 및 출사 렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이 렌즈계(1121)를 거쳐서 도입된다. 그리고, 광밸브(100R, 100G 및 100B)에 의해 각각 변조된 삼원색에 대응하는 광성분은, 다이클로익 프리즘(1112)에 의해 재합성된 후, 투사 렌즈(1114)를 거쳐서 스크린(1120)에 컬러 화상으로서 투사된다.

본 발명은, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 판독할 수 있는 발명의 요지, 또는 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 따르는 전기 광학 장치, 예컨대, 전기 영동 장치나 일렉트로루미네슨스 표시 장치나, 그들 전기 광학 장치를 포함하는 전자 기기도 또한, 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.

본 발명에 의하면, 용량선의 저저항화, 또는 TFT에 있어서의 광 리크 전류의 발생 방지를 실현하면서, 개구율 향상 등의 일반적 요구에 부응할 수 있는 전기 광학 장치 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (16)

1. 기판상에,

   주사선과,

   광 반사성 재료로 이루어지는 데이터선과,

   상기 주사선과 상기 데이터선과의 교차에 대응하여 마련된 박막 트랜지스터와,

   해당 박막 트랜지스터에 대응하여 마련된 화소 전극과,

   상기 화소 전극에 접속되어 있고 축적 용량을 구성하는 화소 전위측 용량 전극과,

   해당 화소 전위측 용량 전극에 유전체막을 사이에 두고 대향 배치되어 있고 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 차광성의 용량선

   을 구비하고,

   상기 데이터선은 상기 박막 트랜지스터와 겹치고,

   상기 데이터선과 상기 박막 트랜지스터가 겹치는 부분은 국소적으로 폭이 넓게 형성된 광폭부로 이루어져 있고,

   상기 용량선은, 광흡수성 재료를 포함하고, 또한, 상기 주사선을 따라 연장되는 본선부와 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분을 갖고,

   상기 용량선의 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분은 상기 데이터선의 광폭부와 상기 박막 트랜지스터 사이의 층에 위치하고, 또한, 당해 광폭부 및 박막 트랜지스터와 겹쳐 있으며,

   상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선의 광폭부 및 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분의 폭은 상기 데이터선의 광폭부의 폭보다 넓게 형성되어 있고,

   상기 용량선에 있어 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분의 둘레는 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있는 것

   을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 데이터선의 둘레는 적어도 부분적으로, 상기 화소 전극의 둘레와 평면적으로 보아 겹쳐져 있지 않은 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 용량선은, 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분으로서, 상기 본선부로부터 상기 데이터선을 따라 돌출된 돌출부를 구비하고 있고,

   해당 돌출부의 폭이, 상기 데이터선의 폭과 동일 또는 보다 넓게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 용량선에 있어서의 상기 본선부의 폭은, 당해 주사선의 폭보다 넓게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 용량선에 있어서의 상기 본선부의 둘레는, 평면적으로 보아 상기 화소 전극의 둘레와 겹쳐져 있고,

   상기 주사선의 둘레는 적어도 부분적으로, 평면적으로 보아 상기 화소 전극의 둘레와 겹쳐져 있지 않은 것

   을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 용량선은 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층과 상기 데이터선과의 사이의 적층 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 화소 전극은 상기 기판상에 매트릭스 형상으로 복수 형성되어 있고,

   상기 용량선은, 상기 박막 트랜지스터의 하측에 마련되고 상기 주사선 및 상기 데이터선을 따라 격자 형상으로 연장되는 하측 차광막에 전기적으로 접속되어 있는 것

   을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 용량선은, 평면적으로 보아, 상기 화소 전극과 상기 화소 전위측 용량 전극을 접속하는 콘택트 홀의 형성 위치에 대응하여, 오목부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 용량선은 다층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 용량선은, 그 상층으로서 도전성 재료로 이루어지는 막을 갖고, 또한 그 하층으로서 광흡수성의 재료로 이루어지는 막을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
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13. 제 1 항에 있어서,

    상기 데이터선은, 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분에 부가하여, 상기 박막 트랜지스터와의 접속용의 콘택트 홀이 마련된 부분이 폭넓게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 데이터선은, 상기 박막 트랜지스터마다, 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분으로부터 상기 콘택트 홀이 마련된 부분까지가 연속하여 폭넓게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
15. 제 1 항에 있어서,

    상기 기판에 전기 광학 물질을 사이에 두고 대향 배치된 다른 기판과, 해당 다른 기판상에 형성된 차광막을 더 구비하여 이루어지며,

    상기 데이터선과 상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분의 폭은 상기 차광막의 폭보다 좁은 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
16. 기판상에,

    주사선과,

    광 반사성 재료로 이루어지는 데이터선과,

    상기 주사선과 상기 데이터선의 교차에 대응하여 마련된 박막 트랜지스터와,

    해당 박막 트랜지스터에 대응하여 마련된 화소 전극과,

    상기 화소 전극에 접속되어 있고 축적 용량을 구성하는 화소 전위측 용량 전극과,

    해당 화소 전위측 용량 전극에 유전체막을 사이에 두고 대향 배치되어 있고 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 차광성 용량선

    을 구비하되,

    상기 데이터선은 상기 박막 트랜지스터와 겹치고,

    상기 데이터선과 상기 박막 트랜지스터가 겹치는 부분은 국소적으로 폭이 넓게 형성된 광폭부로 이루어지고,

    상기 용량선은, 광 흡수성 재료를 포함하고, 또한, 상기 주사선을 따라 연장되는 본선부와 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분을 갖고,

    상기 용량선의 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분은 상기 데이터선의 광폭부와 상기 박막 트랜지스터 사이의 층에 위치하고, 또한, 당해 광폭부 및 박막 트랜지스터와 겹쳐 있으며,

    상기 용량선에 있어서의 상기 데이터선의 광폭부 및 상기 박막 트랜지스터에 겹치는 부분의 폭은 상기 데이터선의 광폭부의 폭보다 넓게 형성되어 있고,

    상기 용량선에 있어 상기 데이터선을 따라 연장되는 부분의 둘레는 평면적으로 보아 상기 화소 전극의 둘레와 겹쳐져 있는 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치

    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 기기.

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