JP2003307747A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気光学装置において、容量線の低抵抗化、
あるいはＴＦＴにおける光リーク電流の発生防止を実現
しながら、開口率の向上等の一般的要請に応える。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）、これに接続されたＴＦＴ
（３０）、該ＴＦＴに接続された走査線（３ａ）及びデ
ータ線（６ａ）、前記画素電極に接続されており蓄積容
量（７０）を構成する画素電位側容量電極、該画素電位
側容量電極に誘電体膜を介して対向配置されており前記
蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線
（３００）を備え、該容量線における前記データ線に沿
って突出した部分の幅Ｗ１は、当該データ線の幅Ｗ２と
同一又はより広く形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置に好適に用い
られる電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる
電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】

【発明が解決しようとする課題】従来、液晶等の電気光
学物質を挟持してなる一対の基板と、前記電気光学物質
に対して電界を印加するため前記一対の基板のそれぞれ
に設けられた電極等とを備える電気光学装置が知られて
いる。ここに、前記電極は、前記電気光学物質に電界を
印加し、該電気光学物質の状態を適宜変化させるために
利用される。そして、このような電気光学装置によれ
ば、該装置に対して、例えば光源から発せられた光等を
入射させるとともに、電気光学物質の状態を上述の如く
適宜変化させれば、該光の透過率を制御することが可能
となり、画像表示をさせることが可能となる。

【０００３】そして、このような電気光学装置において
は、前記一対の基板の一方において、前記電極としてマ
トリクス状に配列された画素電極を備えるとともに、該
画素電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin F
ilm Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該
ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行
に設けられた走査線及びデータ線等を備えることで、い
わゆるアクティブマトリクス駆動が可能なものが知られ
ている。これにより、前記画素電極、あるいは前記走査
線及び前記データ線により区画される一つ一つの画素毎
に、前記電気光学物質に対する電圧の印加を制御するこ
とで、画素毎に光の透過率を制御することが可能とな
る。

【０００４】また、上記電気光学装置においては、より
高品質な画像を表示すべく、上記以外の種々の構成が備
えられることが一般的である。例えば、代表的には、前
記画素電極及び前記ＴＦＴに接続される画素電位側容量
電極と、該電極に誘電体膜を介して対向配置される固定
電位側容量電極からなる蓄積容量が設けられる。これ
は、電気光学物質に対して印加された電圧を、所定の時
間、保持するために利用される。

【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、容量線の低抵抗化、あるいはＴＦＴにおける
光リーク電流の発生防止を実現しながら、開口率の向上
等の一般的要請に応えうる電気光学装置及び該電気光学
装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】しかしながら、従来の電
気光学装置には、次のような問題があった。すなわち、
上述したような電気光学装置においては、より明るい画
像を表示すべく、前記走査線及び前記データ線、あるい
は前記蓄積容量等の基板上に占める面積をより小さく
し、各画素において実際に画像表示に寄与する光が透過
又は反射により出射する領域たる光透過域をより大きく
して、開口率の向上が一般的に望まれている。加えて、
省電力化等の目的を達成するため、電気光学装置の高精
細化ないし小型化も同時に要請されている。このような
観点から、上述の各種構成要素は、これを微細に形成し
なければならない、という一般的な要請がある。

【０００７】ここで特に問題となるのは、開口率を向上
させるために、前記蓄積容量を構成する容量線も微細に
形成しなければならない点である。容量線を微細に形成
するために配線幅を狭小化すると、容量線の抵抗が高く
なり、配線時定数が大きくなる。これにより、クロスト
ークや焼き付き等を生じさせる。なお、従来において
は、蓄積容量を構成する前記画素電位側容量電極は、一
般にポリシリコンやタングステンシリサイド（ＷＳｉ）
等により形成される例があったが、これらの材料は決し
て低抵抗とはいえないため、上述した問題はより深刻で
あった。

【０００８】また、上述したように、各種構成要素の微
細化・狭小化を図るにあたっては、前記ＴＦＴに対する
光入射に対しても十分な注意を払わなければならない。
というのも、ＴＦＴを構成する半導体層のチャネル領域
に対して光が入射すると、光リーク電流が発生すること
になり、これに起因して画像上にフリッカを生じること
になる等、その品質の低下を招くことになるからであ
る。とりわけ、前記電気光学装置を投射型表示装置にお
けるライトバルブとして利用する場合には、当該ライト
バルブに対して、非常に強力な光源から発せられた光が
入射されることになるから、ＴＦＴに対して光が入射す
るおそれが一層高くなり、特に問題がある。

【０００９】従来においては、このようなＴＦＴに対す
る光入射を防止するため、前記一対の基板のうちＴＦＴ
等が備えられない基板側に遮光層を設ける手段がとられ
ていた。しかしながら、このような手段では、当該遮光
層とＴＦＴとの距離が比較的大きくなるため、斜めに入
射する光に対しては、効果的な遮光機能を望めない点に
問題がある。これに対処しようと、遮光層を幅広に形成
することも考えられなくはないが、これでは開口率の低
下を招き、上述した一般的な要請ないし課題に応えるこ
とは殆ど不可能である。

【００１０】また、ＴＦＴに対する光入射防止手段とし
ては、上記のほか、前記データ線を遮光層として利用す
る手段も既に提案されている。しかしながら、この手段
では、信号伝達の損失を可能な限り低減するため、デー
タ線は、一般に低抵抗な材料、例えばアルミニウム等で
構成されることが一般的であることにより、高い光反射
率を有することが問題となる。すなわち、このような手
段によれば、たしかにデータ線の入射側の面で直接入射
される光を遮ることができるにしても、データ線で反射
した反射光が迷光となり、あるいは該データ線の他方の
面で光が反射して迷光となる等して、結局ＴＦＴに至
る、という事態が考えられるからである。なお、このよ
うな手段においても、遮光機能を高めようとデータ線の
幅を広げることは、上述の遮光層と同様に開口率の低下
を招くことが問題となるし、上述の迷光の問題を鑑みる
に、迷光の量をかえって増大させることになり、光リー
ク電流の発生防止にとってはむしろ逆効果となりかねな
いことになる。

【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、容量線の低抵抗化、あるいはＴＦＴにおける
光リーク電流の発生防止を実現しながら、開口率の向上
等の一般的要請に応えうる電気光学装置及び該電気光学
装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、上記課題を解決するために、基板上に、走査線と、
データ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応
して設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジス
タに対応して設けられた画素電極と、前記画素電極に接
続されており蓄積容量を構成する画素電位側容量電極
と、該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置
されており前記蓄積容量を構成する固定電位側容量電極
を含む容量線とを備え、前記容量線は前記走査線に沿っ
て延びる本線部と前記データ線に沿って延びる部分とを
有し、前記容量線における前記データ線に沿って延びる
部分の幅は、当該データ線の幅と同一又はより広く形成
されている。

【００１３】本発明の電気光学装置によれば、走査線及
びデータ線を介して走査信号及び画像信号を薄膜トラン
ジスタに供給することにより、画素電極をアクティブマ
トリクス駆動できる。ここで、画素電極には、画素電位
側容量電極と固定電位側容量電極とが対向配置されてな
る蓄積容量が接続されているので、画素電極に書き込ま
れた画像信号の電圧を長期にわたって保持できる。

【００１４】そして特に、本発明においては、容量線に
おける前記データ線に沿って延びる部分の幅は、当該デ
ータ線の幅と同一又はより広く形成されていることによ
り、容量線をより低抵抗化することが可能となる。

【００１５】また、本発明においては、上述のように容
量線の低抵抗化を実現しうることから、装置全体から見
て、容量線の狭小化、ひいては蓄積容量の狭小化を達成
しうることとなり、その結果、開口率の向上を図ること
ができる。ここで、「容量線の狭小化」というとき、容
量線自体は、その幅がデータ線の幅と同一か、又は「よ
り広く」形成されるのであるから、一見矛盾するかのよ
うに見えるが、そこに想定されている幅広・幅狭という
概念は、あくまでも容量線とデータ線との相対的な関係
から決定されるべきものであるから、装置全体から見れ
ば、従来に比べて、「容量線の狭小化」が達成しうるの
である。

【００１６】なお、上述にいう幅広・幅狭、あるいは本
発明にいう「より広く」という場合の、具体的な幅値
は、理論的・実験的・経験的、あるいはシミュレーショ
ンによって、適宜好適なものを決定しうる。

【００１７】さらに、本発明によれば、上述の低抵抗化
だけではなく、薄膜トランジスタ、とりわけそのチャネ
ル領域に対する光入射を、従来に比べてより効果的に防
止することが可能となる。というのも、既述したよう
に、従来においては、データ線の裏面等で反射した光が
迷光となって、結局、薄膜トランジスタに入射する場合
があったところ、本発明によれば、そのような迷光であ
っても、データ線の幅と同一か、又はより広く形成され
た容量線により、その光の進行が遮られる可能性が高く
なるからである。

【００１８】以上のことから、本発明によれば、容量線
の低抵抗化により、従来問題となっていたクロストーク
や焼き付き等の問題が生じる可能性が低減する。また、
薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生が低減さ
れることにより、高い品質をもつ画像を表示することが
可能となる。

【００１９】また、本発明においては、容量線におい
て、前記データ線に沿って延びる部分が存在しているこ
とにより、蓄積容量の増大化を実現することができる。
これも、高い品質をもつ画像の表示に大きく資すること
になる。

【００２０】なお、上述したような光遮蔽機能を、より
好適に発揮させるためには、容量線を構成する材料とし
て、光遮光性の優れたものをあてるとよい。例えば、Ａ
ｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｃ
ｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタ
ル）、Ｍｏ（モリブデン）等のうち少なくとも一つを含
む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイ
ド、これらを積層したもの等が好適に使用できる。ま
た、これに加えて、例えば、ポリシリコン等の光吸収性
の材料を使用することもできる。

【００２１】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
容量線における前記データ線に沿って延びる部分の縁
は、前記画素電極の縁と平面的に見て重なっており、前
記データ線の縁は少なくとも部分的に、前記画素電極の
縁と平面的に見て重なっていない。

【００２２】この態様によれば、まず、前記容量線にお
ける前記データ線に沿った部分の縁が、前記画素電極の
縁と平面的に重なっているため、当該部分において、薄
膜トランジスタに対する光の入射を遮ることが可能とな
り、光リーク電流の低減が可能となる。

【００２３】また、前記データ線の縁が少なくとも部分
的に、前記画素電極の縁と平面的にみて重なっていない
ことにより、該データ線と該画素電極との間における寄
生容量を低減できるので、該データ線の電位変動が該画
素電極の電位に及ぼす悪影響を低減できる。

【００２４】以上のことから、本態様によれば、最終的
に表示画像の品位を高めることが可能となる。

【００２５】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記容量線は、前記データ線に沿って延びる部分として、
前記本線部から前記データ線に沿って突出した突出部を
備えており、該突出部の幅が、前記データ線の幅と同一
又はより広く形成されている。

【００２６】この態様によれば、突出部の先端における
容量線が存在しない領域を利用して、例えばデータ線と
半導体層とを接続するコンタクトホールを設けることも
可能となる。すなわち、電気光学装置の設計上の自由度
を増大させることが可能となる。

【００２７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記容量線における前記本線部の幅は、当該走査線の幅よ
りも広く形成されている。

【００２８】この態様によれば、前述にも増して、より
確実に容量線の低抵抗化が図れるとともに、薄膜トラン
ジスタに対する光入射を防止することが可能となる。と
りわけ、走査線の一部を薄膜トランジスタのゲート電極
として使用する場合においては、上述した薄膜トランジ
スタにおける光リーク電流の発生防止という目的を、よ
りよく達成することが可能となる。というのも、このよ
うな構成においては、前記ゲート電極下に最も光入射を
生じさせたくないチャネル領域が存在しているからで、
走査線の幅よりも容量線の幅を大きくしておけば、該チ
ャネル領域に対する光入射が、より効果的に防止しうる
からである。

【００２９】この態様では特に、前記容量線における前
記本線部の縁は、前記画素電極の縁と平面的に見て重な
っており、前記走査線の縁は少なくとも部分的に、前記
画素電極の縁と平面的に見て重なっていないようにする
とよい。

【００３０】このような構成によれば、まず、前記容量
線における前記本線部の縁が、前記画素電極の縁と平面
的に重なっているため、当該部分において、薄膜トラン
ジスタに対する光の入射を遮ることが可能となり、光リ
ーク電流の低減が可能となる。

【００３１】また、前記走査線の縁が少なくとも部分的
に、前記画素電極の縁と平面的にみて重なっていないこ
とにより、該走査線と該画素電極との間における寄生容
量を低減できるので、該走査線の電位変動が該画素電極
の電位に及ぼす悪影響を低減できる。

【００３２】以上のことから、結局、本態様によれば、
最終的に表示画像の品位を高めることが可能となる。

【００３３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記容量線は、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層
と前記データ線との間の積層位置に配置されている。

【００３４】この態様によれば、容量線が、薄膜トラン
ジスタを構成する半導体層とデータ線との間の積層位置
に配置されていることにより、前記半導体層に対して光
が入射しようとするのを、前述にも増して、より効果的
に防止することが可能となる。

【００３５】この態様では特に、前記画素電極は前記基
板上にマトリクス状に複数形成されており、前記容量線
は、前記薄膜トランジスタの下側に設けられ前記走査線
及び前記データ線に沿って格子状に延在する下側遮光膜
に電気的に接続されているようにするとよい。

【００３６】このような構成によれば、上述の光遮蔽に
係る作用効果は、より高められることになる。というの
も、薄膜トランジスタに対する光入射は、その上側にお
いて、上述の容量線により防止されるのみならず、該薄
膜トランジスタの下側に設けられている下側遮光膜によ
っても防止されることとなるからである。

【００３７】また、本構成によれば、容量線のうちの一
部に何らかの破損等が生じたとしても、電気的に接続さ
れた下側遮光膜がその代替的作用を発揮することが可能
であるから、容量線が容易に高抵抗化するようなことも
ない。しかも、該下側遮光膜は、走査線及びデータ線方
向に沿って格子状に延在することから、容量線のみなら
ず下側遮光膜の一部において何らかの破損等が生じたと
しても、多数の電気伝導路を想定することができるか
ら、容量線を全体としてみた場合に、それが高抵抗する
ような事態は更に生じにくい。

【００３８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記容量線は、平面的にみて、前記画素電極と前記画素電
位側容量電極とを電気的に接続するコンタクトホールの
形成位置に対応して、括れ部を有している。

【００３９】この態様によれば、画素電極と画素電位側
容量電極との電気的接続を、容量線の存在に関わらず、
無理なく実現することが可能となるとともに、当該接続
に伴って要求される、容量線の一部を構成する固定電位
側容量電極の面積の減少を最小限に抑えることが可能と
なるから、蓄積容量を比較的大きく維持することが可能
となる。

【００４０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記容量線は多層膜からなる。

【００４１】この態様によれば、容量線の高機能化、す
なわち例えば、該容量線がもつ固定電位側容量電極とし
ての機能に加えて、他の機能を併せ持たせること等を実
現することができる。具体的には、上述した課題に対応
すべく、容量線の低抵抗化を図るという機能を実現する
ための一の材料と、ＴＦＴに対する光入射を防止しうる
光遮蔽機能を実現するための他の材料とから、容量線を
構成する等によって、上述した本発明の目的を達成する
ことが可能となる。

【００４２】また、本発明のように容量線を多層膜から
構成すると、蓄積容量としての機能を安定化させること
が可能となる。すなわち例えば、上で例示した低抵抗化
という目的のみを達成するのであれば、そのような材料
一層のみで容量線を構成すればよいのであるが、それで
は蓄積容量として本来有すべきコンデンサとしての機能
を十分に果たしえない場合があるのである。しかるに、
本発明においては、上述のように、２層以上の膜から容
量線が構成されることにより、その一の層において何ら
かの特別な機能をもたせる材料を用いたとしても、他の
層において蓄積容量としての機能を果たすべき材料を補
償的に用いることができるから、上述のような問題が発
生しない。

【００４３】この態様では特に、前記容量線は、その上
層として導電性材料からなる膜を有するとともに、その
下層として光吸収性の材料からなる膜を有するようにす
るとよい。

【００４４】このような構成によれば、容量線におい
て、以下に述べるような多機能化が図られることにな
る。まず、容量線の上層は、例えばアルミニウム、銅、
チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン
等の金属その他の導電性材料からなるから、該上層では
高い電気伝導度を達成することが可能となる。言い換え
ると、本構成によれば、容量線の狭小化、すなわち蓄積
容量の狭小化を、特別な制約を伴うことなく、より確実
に実現することができることになる。このことから、従
来問題となっていた容量線の高抵抗化に起因するクロス
トークの発生や焼き付き等の発生を防止することがより
確実となる。また、容量線の狭小化を特段問題なく実現
しうることは、開口率の向上を図る上でも大きく資する
ことになる。

【００４５】他方、容量線の下層は、例えばポリシリコ
ン等の光吸収性の材料からなるから、例えば、電気光学
装置内部に入射した後、前記データ線の下面で反射する
等の結果発生する、いわゆる迷光が、ＴＦＴに至ろうと
するのを未然に防止することが可能となる。すなわち、
そのような迷光の全部又は一部は、容量線の下層で吸収
されることになるから、該迷光がＴＦＴに至る可能性を
より確実に低減することが可能となるのである。

【００４６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記データ線は、前記薄膜トランジスタに重なる部分が局
所的に幅広に形成されており、前記容量線における前記
データ線に沿って延びる部分の幅は、前記データ線にお
ける幅広に形成されていない部分の幅より広く且つ前記
データ線における前記幅広に形成された部分の幅と同一
に形成されている。

【００４７】この態様によれば、データ線における薄膜
トランジスタに重なる部分が局所的に幅広に形成されて
いる。そして、この幅広に形成された部分の幅は、前述
した容量線におけるデータ線に沿って延びる部分の幅と
同一とされている。すなわち、これによると、該薄膜ト
ランジスタの上方には、いずれも幅広に形成されたデー
タ線及び容量線が形成されていることになる。したがっ
て、該薄膜トランジスタの上方からの光入射を、より確実
に防止することができる。

【００４８】より具体的には例えば、容量線が高融点金
属等からなる場合においては、該容量線単独で、透過率
にして０．１％程度（ＯＤ（Optical Density）値で
は、２以上）の遮光性能を発揮させることができる。し
かしながら、当該容量線に対してシリサイド化処理等を
実施すると、その組成が変化すること等により、その遮
光性能が低下する場合がある。この場合、前述の透過率
０．１％以上の遮光性能しか享受できないという場合も
あり得る。

【００４９】しかるに、本態様においては、このような
高融点金属膜からなる容量線に重ねて、データ線もまた
存在する。このように、容量線及びデータ線の重なり合
いにより、薄膜トランジスタの遮光を行う構成を採用す
れば、これらの透過率の積算値に該当する遮光性能を得
ることができる。例えば、データ線がアルミニウム等か
らなる場合においては、透過率にして、０．００１％以
下程度（ＯＤ値では、４以上）の遮光性能を発揮させる
ことができる。

【００５０】なお、本態様では特に、容量線におけるデ
ータ線に沿って延びる部分の幅が広いとは、データ線に
おける幅広に形成されていない部分の幅よりも広いとい
う意味である。

【００５１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記データ線は、前記薄膜トランジスタに重なる部分が局
所的に幅広に形成されており、前記容量線における前記
データ線に沿って延びる部分の幅は、前記データ線にお
ける幅広に形成されていない部分の幅より広く且つ前記
データ線における前記幅広に形成された部分の幅より狭
く形成されている。

【００５２】この態様によれば、データ線における薄膜
トランジスタに重なる部分が局所的に幅広に形成されて
いる。すなわち、これによると、該薄膜トランジスタの
上方には、いずれも幅広に形成されたデータ線及び容量
線が形成されていることになる。したがって、該薄膜ト
ランジスタの上方からの光入射を、より確実に防止する
ことができる。

【００５３】なお、本態様では特に、容量線におけるデ
ータ線に沿って延びる部分の幅は、幅広に形成されたデ
ータ線より幅狭に形成されている。つまり、当該部分に
おいて、データ線は容量線よりも幅狭とされている。こ
れにより、例えばデータ線を光反射率の高いアルミニウ
ム等で構成する場合において、入射光が電気光学装置内
部の何らかの要素で反射して生じる迷光や、いったん電
気光学装置を出射した光が該電気光学装置外部の何らか
の要素で反射して再び電気光学装置に戻ってくる戻り
光、或いは電気光学装置が複数設置されるカラー表示可
能な液晶プロジェクタ等の投射型表示装置において他の
電気光学装置を出射した光が当該電気光学装置に戻って
くる戻り光等が、前記データ線で反射することによって
迷光を増大させるという事態を防止することができる。
これは、データ線における幅広に形成された部分が、容
量線に比べて相対的に幅狭に形成されているからであ
る。

【００５４】このような薄膜トランジスタに重なる部分
が幅広に形成されたデータ線を備える態様では、前記容
量線は、前記薄膜トランジスタと前記データ線との間の
積層位置に配置されており、前記データ線は、前記薄膜
トランジスタに重なる部分に加えて、前記薄膜トランジ
スタとの接続用のコンタクトホールが設けられた部分
が、幅広に形成されているように構成するとよい。

【００５５】このような構成によれば、このコンタクト
ホールのために、遮光膜としての容量線を設けることが
できなくても、その分の遮光性能の低下を、データ線を
幅広に形成することで補うことが可能となる。

【００５６】あるいは、前記データ線は、前記薄膜トラ
ンジスタごとに、前記薄膜トランジスタに重なる部分か
ら前記コンタクトホールが設けられた部分までが連続し
て幅広に形成されているように構成するとよい。

【００５７】このような構成によれば、薄膜トランジス
タに対する遮光をより確実になしうる。

【００５８】なお、薄膜トランジスタに重なる部分にお
ける幅広に形成された部分と、コンタクトホールが設け
られた部分における幅広に形成された部分とは、別々に
幅広に形成されていてもよい。薄膜トランジスタに重な
る部分とコンタクトホールが設けられた部分とを近接配
置して、当該態様の如く、連続して幅広に形成すると、
幅広に形成する領域をむやみに広げないで済むので、内
面反射を増大させない観点から有利である。

【００５９】本発明の電気光学装置の他の態様によれ
ば、前記基板に電気光学物質を介して対向配置された他
の基板と、該他の基板上に形成された遮光膜とを更に備
えてなり、前記データ線及び前記容量線における前記デ
ータ線に沿って延びる部分の幅は、前記遮光膜の幅より
も狭い。

【００６０】この態様によれば、前記他の基板から光が
入射すると仮定すると、その光の入射側から順に、遮光
膜、データ線及び容量線という積層構造を構築すること
が可能となる。ここで、このうちの前者の幅は、後二者
の幅よりも広い。すなわち、入射光は、より幅広の遮光
膜によってその進行が遮られることになり、そこを通り
抜けた光だけが、データ線及び容量線に到達することに
なる。更に、遮光膜を通り抜けた光が、データ線及び容
量線に到達する場合には、これらデータ線及び容量線に
よる前述の遮光機能の発揮を期待することができる。要
するに、本態様によれば、薄膜トランジスタの耐光性を
より高めることができ、光リーク電流の発生する可能性
をより減退させることができる。

【００６１】なお、本態様にいう「遮光膜」は、例えば
前記画素電極がマトリクス状に配列されるのであれば、
該画素電極の間隙を縫うようにストライプ状、或いは格
子状に形成することが可能である。また、場合により、
該遮光膜を、例えばクロム或いはクロミナ等の光吸収性
材料及びアルミニウム等の光反射性材料からなる積層構
造として形成することも可能である。

【００６２】本発明の電子機器は、上述の本発明の電気
光学装置（その各種態様を含む。）を具備してなる。

【００６３】本発明の電子機器によれば、上述した本発
明の電気光学装置を具備してなるから、容量線の高抵抗
化を招くことがなく、また、薄膜トランジスタに対する
光入射を極力抑制することが可能とされる結果、高品質
の画像を表示することが可能な、例えば、液晶プロジェ
クタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセ
ッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテ
ープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯ
Ｓ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現すること
ができる。

【００６４】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００６５】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００６６】まず、本発明の実施形態における電気光学
装置の画素部における構成について、図１を参照して説
明する。ここに、図１は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。そして、図
３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３におい
ては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめて
ある。

【００６７】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画
素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と
が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａ
が当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給
するようにしてもよい。

【００６８】また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、こ
の順に線順次で印加するように構成されている。画素電
極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だ
けそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから
供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイ
ミングで書き込む。

【００６９】画素電極９ａを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極
との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧
レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として
電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをも
つ光が出射する。

【００７０】ここで保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成さ
れる液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

【００７１】以下では、上記データ線６ａ、走査線３
ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現
される電気光学装置の、より現実的な構成について、図
２及び図３を参照して説明する。

【００７２】まず、本実施形態に係る電気光学装置は、
図２のＡ−Ａ´断面図たる図３に示すように、アクティ
ブマトリクス基板であるＴＦＴアレイ基板１０と、これ
に対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基
板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガ
ラス基板や石英基板からなる。

【００７３】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。

【００７４】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜等の透
明導電性膜からなる。

【００７５】一方、図２において、電気光学装置の透明
なＴＦＴアレイ基板１０上には、マトリクス状に複数の
画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されてい
る）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各
々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられてい
る。

【００７６】走査線３ａは、半導体層１ａのうち図２中
右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向
するように配置されており、走査線３ａはゲート電極と
して機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａと
の交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走
査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画
素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００７７】ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ
（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成
要素としては、上述したようにゲート電極として機能す
る走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３
ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａ
のチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを
絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａに
おける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１
ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅを備えている。

【００７８】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示
したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わ
ないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部
からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打
ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレ
イン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであって
もよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高
濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲ
ート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極
を配置したデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以
上でＴＦＴを構成してもよい。さらに、ＴＦＴ３０を構
成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わ
ない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方
法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とす
ることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができ
る。

【００７９】一方、図２及び図３においては、蓄積容量
７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素
電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継
層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の
一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることに
より形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素
電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可
能となる。

【００８０】中継層７１は、例えば導電性のポリシリコ
ン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただ
し、中継層７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多
層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容
量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び
８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレ
イン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。このような
中継層７１を利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎ
ｍ程度と長くても、両者間を一つのコンタクトホールで
接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ
以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続す
ることができ、画素開口率を高めることが可能となる。
また、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突
き抜け防止にも役立つ。

【００８１】また、誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２
００ｎｍ程度の比較的薄い、ＴａＯｘ（酸化タンタ
ル）、ＢＳＴ（チタン酸ストロンチウムバリウム）、Ｐ
ＺＴ（チタン酸ジルコン酸塩）、ＴｉＯ_２（酸化チタ
ン）、ＺｉＯ_２（酸化ジルコニウム）、ＨｆＯ_２（酸化
ハフニウム）、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）、ＳｉＯＮ
（酸窒化シリコン）及びＳｉＮ（窒化シリコン）のうち
少なくとも一つを含んでなる絶縁膜からなる。特に、Ｔ
ａＯｘ、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＴｉＯ_２、ＺｉＯ_２及びＨｆ
Ｏ_２といった高誘電率材料を使用すれば、限られた基板
上領域で容量値を増大できる。あるいは、ＳｉＯ_２（酸
化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮ
といったシリコンを含む材料を使用すれば、シリコンを
含んでなる半導体層１ａ及び第１層間絶縁膜４１等の層
間絶縁膜との間におけるストレス発生を低減できる。

【００８２】なお、誘電体膜７５としては、ＨＴＯ（Hi
gh Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature
Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン
膜等から構成してもよい。いずれにしても、蓄積容量７
０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られ
る限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。

【００８３】また、容量線３００は、図３に示すよう
に、ＴＦＴ３０の半導体層１ａとデータ線６ａの間に配
置されており、該容量線３００それ自体は特に、多層膜
からなるように構成しても良い。より具体的には、容量
線３００は、図３に示すように、２種類の層からなり、
その上層として導電性材料からなる層の一例たるアルミ
ニウム層３００ａ、及び、その下層として光吸収性の材
料からなる層の一例たるポリシリコン層３００ｂが、そ
れぞれ積層構造をなしている。

【００８４】ただし、本発明は、このような材料選択に
限定されるものではなく、「多層膜」を構成する材料と
しては、上記アルミニウム及びポリシリコンに加えて、
銅、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブ
デン等を適宜組み合わせて使用することが可能である。
なお、ここに挙げた各種材料は、光遮光性という点につ
いても一般に優れている。

【００８５】このような容量線３００は、平面的に見る
と、図２に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて
形成されている。より具体的には容量線３００は、走査
線３ａに沿って延びる本線部３０１と、図中、データ線
６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に
夫々突出した突出部３０２と、コンタクトホール８５に
対応する個所が僅かに括れた括れ部３０３とを備えてい
る。

【００８６】このうち突出部３０２は、走査線３ａ上の
領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７
０の形成領域の増大に貢献する。また、本実施形態にお
いては、この突出部３０２それ自体を形成すること、す
なわち該突出部３０２の先端に容量線３００を存在させ
ない領域を意識的に形成することによって、図２及び図
３に示すように、データ線６ａとＴＦＴ３０の半導体層
１ａの高濃度ソース領域１ｅとを接続するコンタクトホ
ール８１を設けることが可能となっている。すなわち、
本実施形態によれば、画素開口率の減少を伴う等の不具
合なく、設計の自由度が増大しているといえるのであ
る。

【００８７】また、括れ部３０３の存在により、画素電
極９ａと画素電位側容量電極を含む中継層７１との接
続、すなわちコンタクトホール８５の設置を、容量線３
００の存在に関わらず、無理なく実現することができ
る。なお、括れ部３０３は、図２に示すように、コンタ
クトホール８５の断面積に対応した「括れ」を有すれば
十分であるから、蓄積容量７０は、比較的大きく維持す
ることが可能である。

【００８８】そして本実施形態では特に、この容量線３
００における前記データ線６ａに沿って突出した部分、
すなわち突出部３０２の幅Ｗ１は、当該データ線６ａの
幅Ｗ２と同一又はより広く形成されている。図２におい
ては、Ｗ１＞Ｗ２である。また、本実施形態における容
量線３００については、その走査線３ａに沿って延在す
る部分、すなわち本線部３０１及び括れ部３０３の幅Ｗ
３及びＷ４が、走査線３ａの有する幅Ｗ５よりも大き
い。すなわち、Ｗ３＞Ｗ５、Ｗ４＞Ｗ５の関係となる。

【００８９】また、これに加えて、本実施形態における
容量線３００においては特に、図２に示すように、その
突出部３０２の縁３０２ｐが、画素電極９ａの縁９ａｐ
と平面的に見て重なっているが、その一方で、データ線
６ａの縁６ａｐは少なくとも部分的に、画素電極９ａの
縁９ａｐと平面的に見て重なっていない。さらに、これ
と同様にして、容量線３００における本線部３０１の縁
３０１ｐは、画素電極９ａの縁９ａｐと平面的に見て重
なっているが、その一方で、走査線３ａの縁３ａｐは少
なくとも部分的に、画素電極９ａの縁と平面的に見て重
なっていない。

【００９０】なお、容量線３００は、好ましくは、画素
電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設
され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされ
る。このような定電位源としては、データ線駆動回路に
供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向
基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わな
い。

【００９１】また、本実施形態においては、ＴＦＴアレ
イ基板１０上に、下から順次、中継層７１、誘電体膜７
５及び容量線３００という順で積層されているが、本発
明は、このような形態に限定されるものではない。例え
ば、これとは逆に、容量線３００、誘電体膜７５及び中
継層７１という順で積層されていたとしても、本発明の
作用効果は何ら変更を受けることなく発揮されることと
なるのはいうまでもない。

【００９２】図２及び図３においては、上記のほか、Ｔ
ＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられてい
る。下側遮光膜１１ａは、走査線３ａ及びデータ線６ａ
の下方、かつ、該走査線３ａ及びデータ線６ａに沿って
格子状に延在されている。また、この下側遮光膜１１ａ
についても、前述の容量線３００の場合と同様に、その
電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避
けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電
位源に接続するとよい。

【００９３】また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２
が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１
ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴア
レイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴア
レイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残
る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化
を防止する機能を有する。

【００９４】加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース
領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレ
イン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ
開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００９５】第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１及
び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔
された第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００９６】なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４
１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、
半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に
注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層
間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないこ
とにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの
緩和を図るようにしてもよい。

【００９７】第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａ
が形成されており、これらの上には中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３
が形成されている。第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭ
Ｐ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平
坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等
の段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。た
だし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施
すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下
地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜
４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ
等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化
処理を行ってもよい。

【００９８】以上説明したような構成となる本実施形態
の電気光学装置によれば、上述したように、容量線３０
０の突出部３０２の幅がデータ線６ａの幅よりも大き
く、また、本線部３０１及び括れ部３０３の幅が走査線
３ａの幅よりも大きく形成されていたことにより、次に
記す作用効果を実現することができる。

【００９９】まず、従来に比べて、容量線３００をより
低抵抗化することが可能となる。これにより、従来問題
となっていた容量線の高抵抗化に起因するクロストーク
や焼き付き等の発生の可能性を低減することができる。
そしてまた、容量線３００のこのような低抵抗化は、装
置全体から見た場合における容量線３００の狭小化、す
なわち蓄積容量７０の狭小化を達成することを可能と
し、その結果、画素開口率の向上を達成することができ
る。

【０１００】また、ＴＦＴ３０、とりわけそのチャネル
領域１ａ´に対する光入射を、従来に比べてより効果的
に防止することが可能となる。というのも、既述したよ
うに、従来においては、データ線６ａの裏面等で反射し
た光が迷光となって、結局、ＴＦＴ３０に入射する場合
があったところ、本実施形態によれば、そのような迷光
であっても、データ線６ａの幅と同一か、又はより広く
形成された容量線３００により、その進行が遮られる可
能性が高くなるからである。

【０１０１】なお、このようなＴＦＴ３０に対する光遮
蔽に係る作用効果は、本実施形態において、容量線３０
０の本線部３０１及び括れ部３０３の幅が走査線３ａの
幅よりも大きく形成されていること（図２参照）、ま
た、該容量線３００がＴＦＴ３０の半導体層１ａとデー
タ線６ａとの間に配置されていること（図３参照）等に
より、より効果的に達成されうることとになる。

【０１０２】さらに、本実施形態においては、容量線３
００が、その上層としてアルミニウム層３００ａを有す
るとともに、その下層としてポリシリコン層３００ｂを
有することから、上述した作用効果は、より効果的に発
揮されうることになる。

【０１０３】まず、容量線３００の上層がアルミニウム
層３００ａからなることにより、該上層では高い電気伝
導度を達成することが可能となる。すなわち、本実施形
態においては、容量線３００の低抵抗化が、この多層膜
化によっても支援されているのである。

【０１０４】また、容量線３００の下層がポリシリコン
層３００ｂからなることにより、例えば、本実施形態に
係る電気光学装置内部に入射した後、前記データ線６ａ
の下面で反射する等の結果発生する、いわゆる迷光が、
ＴＦＴ３０に至ろうとするのを未然に防止することが可
能となる。そのような迷光の全部又は一部は、容量線３
００の下層で吸収されることになるからである。

【０１０５】加えて、本実施形態における容量線３００
は、その突出部３０２の縁３０２ｐ及び本線部３０１の
縁３０１ｐが、それぞれ、画素電極９ａの縁９ａｐと重
なる（以下では、単に「容量線３００が画素電極９ａに
重なる」等と表現することがある。）ように形成されて
いたことから、これによっても、ＴＦＴ３０に対する光
の入射を防止することが可能となる。そして、本実施形
態では、上述したように、データ線６ａの縁６ａｐ及び
走査線３ａの縁３ａｐが、それぞれ画素電極９ａの縁９
ａｐに重なっていない構成を採っていたが、これが可能
となるのは、容量線３００が画素電極９ａに重なるよう
に形成されていることによるに他ならない。すなわち、
従来においては、データ線６ａ及び走査線３ａが画素電
極９ａに重なるように形成されていたことにより、光の
入射を防止する機能をも見込まれていたのであるが、本
実施形態では、容量線３００が画素電極９ａに重なるよ
うに形成されていることにより、もはやその必要がない
のである。そして、この結果、データ線６ａ及び走査線
３ａが画素電極９ａに重なることで両者の間に生成され
ていた寄生容量を低減することが可能となるから、該デ
ータ線６ａ及び該走査線３ａの電位変動が画素電極９ａ
の電位に対して悪影響を及ぼすことを未然に防止するこ
とが可能となるのである。

【０１０６】以上のことから、本実施形態に係る電気光
学装置によれば、容量線の低抵抗化により、また、薄膜
トランジスタにおける光リーク電流の発生が低減される
こと等により、高い品質を持つ画像を表示することが可
能となる。

【０１０７】なお、本発明の実施形態としては、上述の
ほか、図４及び図５に示すような形態とすることも可能
である。ここに、図４は、図２と同趣旨の図であって、
当該図とは容量線３００についてコンタクトホール５０
１が設けられている点につき異なる形態となる平面図で
ある。また、図５は、図４のＢ−Ｂ´断面図である。

【０１０８】これらの図においては、容量線３００の突
出部３０２の幅がデータ線６ａの幅よりも大きく、ま
た、本線部３０１及び括れ部３０３の幅が走査線３ａの
幅よりも大きくされている点、そして容量線３００が多
層膜化されている点等その他について変更はない。しか
しながら、本形態においては、容量線３００と前記下側
遮光膜１１ａとが、コンタクトホール５０１によって電
気的に接続されている点が異なる。

【０１０９】コンタクトホール５０１は、図５に示すよ
うに、第１層間絶縁膜４１及び下地絶縁膜１２を貫通し
て設けられている。また、コンタクトホール５０１は、
図４に示すように、平面的にみると、上述した容量線３
００の突出部３０２の端部付近に形成されている。さら
に、このコンタクトホール５０１は、図４及び図５に示
すように、データ線６ａの直下に形成されている。これ
により、コンタクトホール５０１は、データ線６ａによ
り規定される非開口領域内に存在することとなるから、
開口率の更なる向上に資することとなる。

【０１１０】このような形態においては、上述した容量
線３００の低抵抗化に係る作用効果をより確実に達成し
うることになる。なぜなら、容量線３００のうちの一部
に何らかの破損等が生じたとしても、電気的に接続され
た下側遮光膜１１ａがその代替的作用を発揮することが
可能だからである。ここに代替的作用とは、容量線３０
０の破損等位置を補うように、下側遮光膜１１ａが、該
容量線３００に含まれる固定電位側容量電極に対する固
定電位の供給等を実現することをいう。このようなこと
から、結果的に、容量線３００自体の高抵抗化を招くよ
うなことがないのである。

【０１１１】また、本実施形態における下側遮光膜１１
ａは、上述したように、走査線３ａ及びデータ線６ａの
下方、かつ、該走査線３ａ及びデータ線６ａに沿って格
子状に延在することから、該下側遮光膜１１ａの一部に
おいて何らかの破損等が生じたとしても、多数の電気伝
導路を想定することができるから、容量線３００を全体
としてみた場合、それが高抵抗化するような事態は、更
に生じにくい。

【０１１２】（第２実施形態）以下では、本発明の第２
実施形態について、図６乃至図９を参照しながら説明す
ることとする。ここに図６は、図２と同趣旨の図であっ
て、同図とはデータ線の形態が異なるものを示す図であ
り、図７は図６のＰ−Ｐ´断面図であり、図８は図６の
Ｑ−Ｑ´断面図であり、図９は図６のＲ−Ｒ´断面図で
ある。なお、第２実施形態の電気光学装置の基本的な構
成及び作用等は上記第１実施形態と同様であるので、以
下では、第２実施形態において特徴的な部分について主
に説明を加えることとする。また、図６乃至図９で使用
する符号は、実質的に同一の要素を指し示す場合におい
ては、前述までに参照した図１乃至図５において使用し
た符号と同一のものを使用することとする。

【０１１３】第２実施形態では、図６乃至図９に示すよ
うに、データ線６ａ１は、ＴＦＴ３０に重なる部分が局
所的に幅広に形成された幅広部６ａＷを備えている。そ
して、容量線３００におけるデータ線６ａ１に沿って延
びる部分、すなわち突出部３０２の幅Ｗ１は、第一に、
データ線６ａ１における幅広部６ａＷ以外の部分の幅Ｗ
２´より広く形成されている（特に、図７参照）。この
点は、図２ないし上記第１実施形態と略同様である。そ
して第二に、該突出部３０２の幅Ｗ１は、データ線６ａ
１における幅広部６ａＷの幅Ｗ６とほぼ同一に形成され
ている（図８参照）。この点は、データ線６ａ１が、第
２実施形態において新たに幅広部６ａＷを有することに
基づく特徴であり、図２ないし上記第１実施形態には見
られないものである。

【０１１４】なお、上述の突出部３０２の幅Ｗ１、デー
タ線６ａ１における幅広部６ａＷの幅Ｗ６、及び該幅広
部６ａＷ以外の幅Ｗ２´の具体値としては、それぞれ、
３〔μｍ〕、３〔μｍ〕及び２〔μｍ〕等とするとよ
い。

【０１１５】さらに、第２実施形態では、図６或いは図
８及び図９に示すように、データ線６ａ１の幅広部６ａ
Ｗは、マトリクス状に配列されたＴＦＴ３０ごとに、該
ＴＦＴ３０に重なる部分から該ＴＦＴ３０の半導体層１
ａとデータ線６ａとを接続するコンタクトホール８１が
設けられた部分まで連続している。

【０１１６】加えて、第２実施形態では、図７乃至図９
に示すように、対向基板２０上に遮光膜２３が形成され
ている。そして、この遮光膜２３の幅ＷＳは、前記の幅
広部６ａＷよりも大きくされている。

【０１１７】このような構成となる第２実施形態の電気
光学装置では、次のような作用効果が得られることにな
る。すなわち、第一に、ＴＦＴ３０上には、いずれも幅
広に形成されたデータ線６ａ１の幅広部６ａＷ及び容量
線３００の突出部３０２が存在することにより、いわば
二重の遮光作用が得られることになる。したがって、Ｔ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に対する光入射は、前記
の実施形態にも増して生じ難く、よって、光リーク電流
も発生し難い。

【０１１８】特に、第２実施形態においては、ＴＦＴ３
０上に、このような容量線３００に重ねて、データ線６
ａの幅広部６ａＷもまた存在する。この場合、ＴＦＴ３
０上では、これらの透過率の積算値に該当する遮光性能
を得ることができる。

【０１１９】このように第２実施形態においては、容量
線３００においてその遮光性能を低下せしめる何らかの
事情等がある場合にあっても、データ線６ａが補完的に
遮光性能を発揮することにより、ＴＦＴ３０に対する光
入射はより生じ難い構成となっているということができ
るのである。

【０１２０】第二に、このような優れた遮光性能に関連
して更に、第２実施形態においては、上述のように、容
量線３００の突出部３０２の幅Ｗ１及びデータ線６ａの
幅広部６ａＷの幅Ｗ６は、対向基板２０上の遮光膜２３
の幅ＷＳよりも小さく（即ち、ＷＳ＜Ｗ１、ＷＳ＜Ｗ
６）されている。これによると、ＴＦＴ３０の上方から
入射する光は、まず、遮光膜２３で遮られるか、或いは
これを通過しても、次なるデータ線６ａの幅広部６ａＷ
で遮られる。更に、入射光が、この幅広部６ａＷを通過
しても、次なる容量線３００の突出部３０２によって遮
られることになる。要するに、第２実施形態において
は、三重の遮光が実現されることになるから、ＴＦＴ３
０に対する光入射は更に生じ難い状況にある。

【０１２１】更に第三に、第２実施形態では、データ線
６ａの幅広部６ａＷが、マトリクス状に配列されたＴＦ
Ｔ３０ごとに、ＴＦＴ３０に重なる部分からコンタクト
ホール８１に至るまで連続して形成されている。ここ
で、このコンタクトホール８１は、前述のようにＴＦＴ
３０の半導体層１ａとデータ線６ａとを接続するために
設けられているから、当該部分においては、容量線３０
０を形成することができない。すなわち、該コンタクト
ホール８１では、容量線３００の遮光機能を期待するこ
とができないのである。

【０１２２】しかるに、第２実施形態では、このコンタ
クトホール８１の形成部位において、ＴＦＴ３０の上方
と同様に、データ線６ａの幅広部６ａＷが存在してい
る。したがって、容量線３００を形成することができな
い分、被り得る遮光性能の低下は、この幅広部６ａＷの
存在によって補うことが可能となるのである。ちなみ
に、第２実施形態のように、ＴＦＴ３０上及びコンタク
トホール８１の形成部位の幅広部６ａを連続するように
形成する態様によれば、幅広部６ａＷの形成領域をむや
みに広げないで済むので、内面反射を増大させない観点
から好ましい。

【０１２３】以上のように、第２実施形態においては、
各種の作用効果が相俟って、チャネル領域１ａ´に対す
る光入射の可能性は極めて減退されており、ＴＦＴ３０
における光リーク電流発生、ひいては該光リーク電流を
起因とする画像上のフリッカ等の発生は非常に抑制され
ることになる。

【０１２４】なお、第２実施形態においては、データ線
６ａ１の幅広部６ａＷの幅Ｗ６と容量線３００の突出部
３０２の幅Ｗ１とは同一とされていたが、本発明は、こ
のような形態に限定されない。この他、例えば好ましく
は、データ線の幅広部６ａＷの幅が、容量線３００の突
出部３０２の幅よりも狭いという形態とするとよい。こ
のような形態によれば、これら幅広部６ａＷ及び突出部
３０２による二重の遮光作用を、前述に比べて殆ど遜色
なく享受できることに加えて、幅広部６ａＷが相対的に
狭く形成されていることから、該幅広部６ａＷにおいて
光の内面反射等をむやみに生じさせることなく、迷光の
増大を防止することができる。

【０１２５】ちなみに、幅広部６ａＷにおいて内面反射
する光としては、入射光が電気光学装置内部の何らかの
要素で反射して生じる迷光や、いったん電気光学装置を
出射した光が該電気光学装置外部の何らかの要素で反射
して再び電気光学装置に戻ってくる戻り光、或いは電気
光学装置が複数設置されるカラー表示可能な液晶プロジ
ェクタ等の投射型表示装置（後述の図１２参照）におい
て他の電気光学装置を出射した光が当該電気光学装置に
戻ってくる戻り光等を考えることができる。

【０１２６】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された本実施形態に係る電気光学装置の全体構成
を、図１０及び図１１を参照して説明する。なお、図１
０は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構
成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であ
り、図１１は図１０のＨ−Ｈ´断面図である。

【０１２７】図１０及び図１１において、本実施形態に
係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基
板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０
と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されてお
り、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表
示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた
シール材５２により相互に接着されている。

【０１２８】シール材５２の外側の領域には、データ線
６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することによ
り該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及
び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一
辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所
定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆
動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二
辺に沿って設けられている。

【０１２９】なお、走査線３ａに供給される走査信号遅
延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は
片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ
線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両
側に配列してもよい。

【０１３０】ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所
においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられ
ている。そして、図１１に示すように、図１０に示した
シール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該
シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されて
いる。

【０１３１】図１１において、ＴＦＴアレイ基板１０上
には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０や走査線３ａ、
データ線６ａ等の配線が形成された後の画素電極９ａ上
に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上に
は、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成さ
れている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類
のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一
対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

【０１３２】なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これ
らのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等
に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイ
ミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６
ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための
検査回路等を形成してもよい。

【０１３３】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに、図１２は、投射型カラー表示装置の図式的
断面図である。

【０１３４】図１２において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された電気光
学装置を３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ
１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェ
クタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００
では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニ
ット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー
１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によっ
て、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分
けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光
は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１
１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４
からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そ
して、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
よりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダ
イクロックプリズム１１１２により再度合成された後、
投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラ
ー画像として投射される。

【０１３５】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可
能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、例え
ば、電気泳動装置やエレクトロルミネッセンス表示装置
や、それら電気光学装置を含む電子機器もまた、本発明
の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図であ
る。

【図２】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ´断面図である。

【図４】 図２と同趣旨の図であって、当該図とは容量
線の形態が異なるものを示す平面図である。

【図５】 図４のＢ−Ｂ´断面図である。

【図６】 図２と同趣旨の図であって、同図とはデータ
線の形態が異なるものを示す図である。

【図７】 図６のＰ−Ｐ´断面図である。

【図８】 図６のＱ−Ｑ´断面図である。

【図９】 図６のＲ−Ｒ´断面図である。

【図１０】 本発明の実施形態の電気光学装置における
ＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素と
ともに対向基板の側から見た平面図である。

【図１１】 図１０のＨ−Ｈ´断面図である。

【図１２】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ´…チャネル領域 ３ａ…走査線 ６ａ、６ａ１…データ線 ６ａＷ…幅広部 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下側遮光膜 ３０…ＴＦＴ ７０…蓄積容量 ７１…中継層 ７５…誘電体膜 ３００…容量線 ３００ａ…アルミニウム層 ３００ｂ…ポリシリコン層 ３００ｂ´…ＷＳｉ層 ３０１…本線部 ３０２…突出部 ３０３…括れ部 ５０１…コンタクトホール

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、 走査線と、 データ線と、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して設けられ
   た薄膜トランジスタと、 該薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極と、 前記画素電極に接続されており蓄積容量を構成する画素
   電位側容量電極と、 該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置され
   ており前記蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含
   む容量線とを備え、 前記容量線は、前記走査線に沿って延びる本線部と前記
   データ線に沿って延びる部分とを有し、 前記容量線における前記データ線に沿って延びる部分の
   幅は、当該データ線の幅と同一又はより広く形成されて
   いることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記容量線における前記データ線に沿っ
   て延びる部分の縁は、前記画素電極の縁と平面的に見て
   重なっており、 前記データ線の縁は少なくとも部分的に、前記画素電極
   の縁と平面的に見て重なっていないことを特徴とする請
   求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記容量線は、前記データ線に沿って延
   びる部分として、前記本線部から前記データ線に沿って
   突出した突出部を備えており、 該突出部の幅が、前記データ線の幅と同一又はより広く
   形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載
   の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記容量線における前記本線部の幅は、
   当該走査線の幅よりも広く形成されていることを特徴と
   する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装
   置。
5. 【請求項５】 前記容量線における前記本線部の縁は、
   前記画素電極の縁と平面的に見て重なっており、 前記走査線の縁は少なくとも部分的に、前記画素電極の
   縁と平面的に見て重なっていないことを特徴とする請求
   項４に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記容量線は、前記薄膜トランジスタを
   構成する半導体層と前記データ線との間の積層位置に配
   置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
   か一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記画素電極は前記基板上にマトリクス
   状に複数形成されており、 前記容量線は、前記薄膜トランジスタの下側に設けられ
   前記走査線及び前記データ線に沿って格子状に延在する
   下側遮光膜に電気的に接続されていることを特徴とする
   請求項６に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記容量線は、平面的にみて、前記画素
   電極と前記画素電位側容量電極とを接続するコンタクト
   ホールの形成位置に対応して、括れ部を有していること
   を特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電
   気光学装置。
9. 【請求項９】 前記容量線は、多層膜からなることを特
   徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光
   学装置。
10. 【請求項１０】 前記容量線は、その上層として導電性
    材料からなる膜を有するとともに、その下層として光吸
    収性の材料からなる膜を有することを特徴とする請求項
    ９に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記データ線は、前記薄膜トランジス
    タに重なる部分が局所的に幅広に形成されており、 前記容量線における前記データ線に沿って延びる部分の
    幅は、 前記データ線における幅広に形成されていない部分の幅
    より広く且つ前記データ線における前記幅広に形成され
    た部分の幅と同一に形成されていることを特徴とする請
    求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記データ線は、前記薄膜トランジス
    タに重なる部分が局所的に幅広に形成されており、 前記容量線における前記データ線に沿って延びる部分の
    幅は、 前記データ線における幅広に形成されていない部分の幅
    より広く且つ前記データ線における前記幅広に形成され
    た部分の幅より狭く形成されていることを特徴とする請
    求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記容量線は、前記薄膜トランジスタ
    と前記データ線との間の積層位置に配置されており、 前記データ線は、前記薄膜トランジスタに重なる部分に
    加えて、前記薄膜トランジスタとの接続用のコンタクト
    ホールが設けられた部分が、幅広に形成されていること
    を特徴とする請求項１１又は１２に記載の電気光学装
    置。
14. 【請求項１４】 前記データ線は、前記薄膜トランジス
    タごとに、前記薄膜トランジスタに重なる部分から前記
    コンタクトホールが設けられた部分までが連続して幅広
    に形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２
    に記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】 前記基板に電気光学物質を介して対向
    配置された他の基板と、 該他の基板上に形成された遮光膜とを更に備えてなり、 前記データ線及び前記容量線における前記データ線に沿
    って延びる部分の幅は、前記遮光膜の幅よりも狭いこと
    を特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の
    電気光学装置。
16. 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれか一項に記
    載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子
    機器。