JP5186728B2 - 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該
電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば
液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例え
ば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表
示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって
液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がリーク電流の増大や誤動作等を生じ
ないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。
このような遮光手段或いは遮光膜について、例えば特許文献１は、ＴＦＴのチャネル領域
において、ゲート電極として機能する走査線によって遮光する技術を開示している。特許
文献２によれば、チャネル領域上に形成された複数の遮光膜と、内面反射光を吸収する層
とを設けることによってＴＦＴのチャネル領域に到達する光を低減している。特許文献３
は、ＴＦＴの好適な動作の確保及び走査線の狭小化を可能としつつ、ＴＦＴのチャネル領
域に入射する入射光を極力低減する技術を開示している。

他方、この種の電気光学装置では、基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板
上において光を透過させない領域に、画素電極に供給される画像信号を一時的に保持する
ことによって画素電極の電位を一定期間保持する保持容量が設けられる。このような保持
容量は、当該保持容量の構成要素である電極を遮光膜として兼用し、ＴＦＴを遮光するこ
ともできる。

特開２００４−４７２２号公報 特許３７３１４４７号公報 特開２００３−２６２８８３号公報

しかしながら、各画素における液晶の反転制御を行う際のオン電流の低下を抑制し、且
つオフ電流を低減する目的で半導体層にＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成され
たＴＦＴ（即ち、ＬＤＤ構造を有するＴＦＴ）では、ＬＤＤ領域に照射された光によって
当該ＬＤＤ領域に光リーク電流が生じてしまう問題点がある。より具体的には、チャネル
領域から見て半導体層のソース領域の側及びドレイン領域の側の夫々の側に設けられたＬ
ＤＤ領域上に、半導体層が延在される方向、言い換えればＴＦＴのチャネル長に沿った方
向に延びる電極等の遮光手段が設けられている場合、当該電極の脇から斜めに入射する入
射光がＬＤＤ領域に到達してしまう。チャネル領域及びＬＤＤ領域の双方を遮光可能なよ
うにＴＦＴ上で幅広に遮光膜を形成することも考えられるが、画素において実質的に光が
透過する開口領域を狭めることになり、液晶装置等の表示性能を低下させてしまう。加え
て、仮に遮光膜の幅を広げたとしても、３次元的に見て当該遮光膜及びＬＤＤ領域間の隙
間に斜めに入射する入射光は大なり小なり存在する。

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、アクティブマト
リクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、ＬＤＤ構造を有するＴＦＴ
における光リーク電流の発生を低減可能な電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板
、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電子機器を提供する
ことを課題とする。

本発明の一態様における電気光学装置用基板は、データ線と、前記データ線に電気的に接続され、半導体層を有するトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、前記半導体層と前記画素電極との間の層に位置し、第１方向に沿って延びる部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる部分と、を有する遮光部と、を備え、前記半導体層は、平面視で前記遮光部の前記第１方向と前記第２方向に沿って延びる部分が相互に交差する交差部と重なる位置に設けられたチャネル領域と、前記チャネル領域の前記第１方向に配置され前記画素電極に電気的に接続されたドレイン領域と、前記チャネル領域の前記第１方向と反対の方向に配置され前記データ線に電気的に接続されたソース領域と、前記チャネル領域と前記ソース領域との間に形成された第１のＬＤＤ領域と、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間に形成された第２のＬＤＤ領域と、を有し、前記ゲート電極は、前記第２方向に沿って延び、前記チャネル領域と重なる部分を有する第１の部分と、前記第１の部分と連通し、前記第２方向に沿って延びる第２の部分及び第３の部分と、を有し、前記第１の部分は、前記第２方向に沿った第１端及び第２端を有し、前記第１端から前記第２端へ向かう方向が前記第１方向であり、前記第２の部分及び前記第３の部分は、前記第２方向に沿った第３端及び第４端を有し、前記第１端と前記第２端の間の距離は、前記第３端と前記第４端の間の距離より小さく、前記第１端と前記第３端は連続し、前記第２のＬＤＤ領域の少なくとも一部は、前記第２の部分と前記第３の部分との間に位置することを特徴とする。
上記の本発明に係る電気光学装置用基板は、データ線と、前記データ線に電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、前記半導体層と前記画素電極との間の層に位置し、第１方向に沿って延びる部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる部分と、を有する遮光部と、を備え、前記半導体層は、平面視で前記遮光部の前記第１方向と前記第２方向に沿って延びる部分が相互に交差する交差部と重なる位置に設けられたチャネル領域と、前記チャネル領域の前記第１方向に配置され前記画素電極に電気的に接続されたドレイン領域と、前記チャネル領域の前記第１方向側と反対側に配置され前記データ線に電気的に接続されたソース領域と、前記チャネル領域及び前記ソース領域間に形成された第１のＬＤＤ領域と、前記チャネル領域及び前記ドレイン領域間に形成された第２のＬＤＤ領域と、を有し、前記ゲート電極は、前記第２方向に沿って延び、前記チャネル領域と重なる本線部と、前記本線部から前記第１の方向に延びる第１部分と、平面視で前記第１部分と前記半導体層を挟んで対向し、前記本線部から前記第１の方向に延びる第２部分と、を有し、前記第２のＬＤＤ領域の少なくとも一部は、前記第１部分と前記第２部分との間に位置することを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、前記第１部分の前記半導体層側の端部及び前記第２部分の前記半導体側の端部は、前記第１部分と重なっていてもよい。
本発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、前記ゲート電極は、平面視で前記半導体層と重なるように、前記本線部から前記第１方向と反対側に突出した凸部を有していてもよい。
本発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、平面視で、前記チャネル領域の中心は前記交差部の中心より前記第１方向と反対側に配置されていてもよい。

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置
用基板を備える。

本発明に係る電気光学装置によれば、上述した電気光学装置用基板を備えているため、
表示性能に優れた電気光学装置を提供することができる。

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を
備えている。

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるの
で、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、
ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に
係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能であ
る。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに
電子機器の各実施形態を説明する。

（第１実施形態）
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら本発明に係る電気光学装置用基板及びこれを備えた
電気光学装置の各実施形態を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ
−Ｈ´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴ
ＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。

図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対
向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入され
ており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる画素領域
たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相
互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等
からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガ
ラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態の液晶装置１は、プロジェクタ
のライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、この
ような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設
けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換
えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮
光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０
ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設
けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導
通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対
向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１
０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、
データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、
対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には
最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティ
ック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板であ
る。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。

ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極９ａはＩ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの
有機膜からなる。

対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１
は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機
膜からなる。

対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。この
ような構成を採ることで、上部容量電極３００として設けられた上側遮光膜と併せ、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域１ａ´ないしその周辺への侵入をより確
実に阻止することができる。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、
画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリ
ングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリ
チャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の
当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

＜１−２：画素部の電気的な接続構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する
。図３は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素に
おける各種素子、配線等の等価回路である。

図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された
複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例であるＴ
ＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液
晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ
線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する
複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタ
イミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線
順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的
に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉
じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定
のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に
書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された
対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであ
れば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリ
ーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過
率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出
射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対
向電極との間に形成される液晶容量と並列に、本発明に係る「遮光部」の一例である蓄積
容量７０ａが電気的に接続されている。蓄積容量７０ａは、画像信号の供給に応じて各画
素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量
７０ａによれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリ
ッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

＜１−３：画素部の具体的な構成＞
次に、図４乃至図７を参照しながら画素部の具体的な構成を説明する。図４は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面
図である。図５は、図４のＶ−Ｖ´断面図である。図６は、図４のＶＩ−ＶＩ´断面図で
ある。図７は、本実施形態に係る液晶装置の比較例の断面図である。尚、図４乃至図７で
は、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに
縮尺を異ならしめてある。図５乃至図７では、説明の便宜上画素電極９ａより上側に位置
する部分の図示を省略している。図５において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａ
までの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成する。

図４及び図５において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０、図中Ｘ方向及びＹ方向
に対してマトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ、画素電極９ａの縦横の境界に各々に
沿って延びる複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａ、ＴＦＴ３０、及び蓄積容量７０
ａを備えている。

図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上の表示領域である画像表示領域１０ａは、画素
電極９ａが夫々設けられた複数の画素によって構成されている。ＴＦＴ３０が有する半導
体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように
走査線３ａが配置されている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々
には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極とされる走査線３ａの一部とを備えている
。半導体層１ａは、本発明の「第１方向」の一例であるＹ方向に沿って延びる第１領域Ｄ
１においてＹ方向に沿って延在されている。半導体層１ａのチャネル領域１ａ´は、Ｙ方
向に沿ったチャネル長を有している。

走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０ａ、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦ
Ｔ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開
口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を
囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０ａ、デー
タ線９ａ、下側遮光膜１１ａ、及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素
の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

図５において、ＴＦＴ３０は、ゲート電極として共用される走査線３ａからの電界によ
りチャネルが形成される、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´と、走査線３ａ及び半導体
層１ａとを絶縁する２層の絶縁膜２ａ及び２ｂを含むゲート絶縁膜２とを有している。

図４において、走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´に重なる電極部３ａａは、非開口
領域のうち本発明の「第２方向」の一例であるＸ方向に沿って延びる第２領域Ｄ２及び第
１領域Ｄ１が相互に交差する交差領域においてチャネル領域１ａ‘に重なっている。

図４及び図５において、半導体層１ａは、低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域
１ｄからなるソース領域と、低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅからな
るドレイン領域を有している。低濃度ドレイン領域１ｃ及び低濃度ソース領域１ｂの夫々
が、本発明の「第１のＬＤＤ領域」及び「第２のＬＤＤ領域」の一例であり、本実施形態
では、低濃度ドレイン領域１ｃが、本発明の「一方のＬＤＤ領域」の一例である。ＴＦＴ
３０は、チャネル領域１ａ´の両側に低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、
高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅがミラー対称に形成されたＬＤＤ(Lig
htly Doped Drain）構造を有している。

低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ド
レイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体
層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、Ｔ
ＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、
且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。

図５において、蓄積容量７０ａは、下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が誘電
体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気
的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、上部容量電極３００は、コ
ンタクトホール８４ａを介して中継層９３に電気的に接続されており、中継層９３と共に
高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。加えて、中継層
９３は、中継層９３の一部である凸部９３ａ及び当該凸部９３ａに電気的に接続されたコ
ンタクトホール８５ａを介して画素電極９ａに電気的に接続されている。したがって、画
素電極９ａ及び上部容量電極３００は、電気的に接続されている。

上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０の上側に設けられた非
透明な金属膜である。上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮
光膜）としても機能する。上部容量電極３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等
の金属を含んで形成されている。上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ
（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラ
ジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイ
ド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

下部容量電極７１ｍは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に
延設されている。下部容量電極７１ｍは、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持
された固定電位側容量電極である。

下部容量電極７１ｍも、上部容量電極３００と同様に非透明な金属膜である。したがっ
て、蓄積容量７０ａは、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂
ＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）構造を有している。ここで、下部容量電極７１ｍは
、複数の画素に渡って延在され、これら複数の画素によって共用される。本実施形態では
、下部容量電極７１ｍを金属膜として形成しておくことにより、半導体を用いて下部容量
電極７１ｍを構成する場合に比べて液晶装置１の駆動時に、当該液晶装置１全体で消費さ
れる消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。したがっ
て、液晶装置１は、高品位の画像表示が可能である。

誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temper
ature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造
、或いは多層構造を有している。

図４において、蓄積容量７０ａは、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する交
差領域からＹ方向に沿って延びる第１部分Ｐｙと、当該交差領域からＸ方向に沿って延び
る第２部分Ｐｘと、第１部分Ｐｙ及び第２部分Ｐｘが交差領域で相互に交差する交差部Ｃ
ｄを有している。

第１部分Ｐｙは、下部容量電極７１ｍのうちＹ方向に沿って延びる下部容量電極Ｙ側延
在部７１ｍｙと、上部容量電極３００のうちＹ方向に沿って延びる上部容量電極Ｙ側延在
部３００ｙと、誘電体膜７５ａのうち下部容量電極Ｙ側延在部７１ｍｙ及び上部容量電極
Ｙ側延在部３００ｙ間に延在する部分とから構成されている。第２部分Ｐｘは、下部容量
電極７１ｍのうちＸ方向に沿って延びる下部容量電極Ｘ側延在部７１ｍｘと、上部容量電
極３００のうちＸ方向に沿って延びる上部容量電極Ｘ側延在部３００ｘと、誘電体膜７５
ａのうち下部容量電極Ｘ側延在部７１ｍｘ及び上部容量電極Ｘ側延在部３００ｘ間に延在
する部分とから構成されている。

図５において、データ線６ａは、その上面が平坦化された図５に示す第２層間絶縁膜４
２を下地として形成されており、半導体層１ａに含まれるＴＦＴ３０の高濃度ソース領域
１ｄにコンタクトホール８１ａを介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコン
タクトホール８１ａ内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニ
ウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。デー
タ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、
ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ
´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、上部容量電極３００及び下部容量電極
７１ｍと同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少
なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層
したもの等からなる。

下地絶縁層１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴ
アレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時に
おける荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止
する機能を有する。

画素電極９ａは、上部容量電極３００、コンタクトホール８３ａ、８４ａ及び８５ａ、
並びに中継層９３を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続さ
れている。コンタクトホール８５ａは、第３層間絶縁層４３を貫通するように形成された
孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成
されている。

走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１ａ及び高濃度
ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３ａが各々開孔された第１層間絶縁膜４１
が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３０
０が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１ａが開孔された第２層間絶
縁膜４２が形成されている。データ線６ａの上から第２層間絶縁膜４２の全面及び中継層
９３を覆うように、コンタクトホール８５ａが形成された第３層間絶縁膜４３が形成され
ている。画素電極９ａ及び不図示の配向膜は、第３層間絶縁膜４３の上面に設けられてい
る。

中継層９３は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。
データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第２層間
絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパター
ニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。したがって、データ線６ａ
及び中継層９３を同一工程で形成できるため、液晶装置１の製造プロセスを簡便にできる
。

次に、図４、図６及び図７を参照しながら、蓄積容量７０ａと、低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃの相対的な位置関係を具体的に説明する。

図４において、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは、交差部Ｃｄに重
なっている。より具体的には、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃの夫々
の領域のうちチャネル領域１ａ´に近い側の領域が交差部Ｃｄに部分的に重なっている。

ここで、図７に示すように、低濃度ドレイン領域１ｃが交差部Ｃｄに重なっていない場
合、即ち蓄積容量７０ａのうち低濃度ドレイン領域１ｃ上に第１部分Ｐｙのみが重なって
いる場合には、Ｘ方向において、第２部分Ｐｘの表面に沿うように当該表面の法線方向に
対して大きな角度θで低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する入射光は、第１部分Ｐｙ
によって遮られることなく、第１部分Ｐｙの脇から低濃度ドレイン領域１ｃに入射する。
したがって、低濃度ドレイン領域１ｃには大なり小なりＸ方向に沿って低濃度ドレイン領
域１ｃに斜めに入射する光が存在するため、第１部分Ｐｙだけでは、低濃度ドレイン領域
１ｃを十分に遮光できない。このような場合、低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する
光によって低濃度ドレイン領域１ｃに光リーク電流を発生させてしまい、液晶装置１の表
示性能を低下させてしまう。

そこで、図６に示すように、本実施形態に係る液晶装置１では、低濃度ドレイン領域１
ｃ上に位置する交差部Ｃｄから図中Ｘ方向に沿って第２部分Ｐｘが延びているため、低濃
度ドレイン領域１ｃが交差部Ｃｄに重ならない場合に比べて低濃度ドレイン領域１ｃに入
射する光を低減できる。より具体的には、Ｘ方向に沿って低濃度ドレイン領域１ｃに斜め
に入射する光は、Ｘ方向に沿って延びる第２部分Ｐｘによって遮られる。第２部分Ｐｘの
長さ、即ちＸ方向に沿った寸法は、第１部分Ｐｙの幅の大きさより大きいため、Ｘ方向に
沿って低濃度ドレイン領域１ｃの法線方向に対して大きな角度で低濃度ドレイン領域１ｃ
に入射する光は、Ｘ方向に延びる第２部分Ｐｘの長さに応じて遮られることになる。特に
、本実施形態では、本願発明者は、低濃度ソース領域１ｄに比べて相対的に低濃度ドレイ
ン領域１ｃにおいて光リーク電流が発生し易いと推察している。したがって、低濃度ドレ
イン領域１ｃを交差部Ｃｄに重ねて設けることによって、低濃度ドレイン領域１ｃに到達
する光を低減でき、光リーク電流の発生を低減できる。尚、図４に示すように、半導体層
１のうち低濃度ソース領域１ｄも交差部Ｃｄに重なるようにしておいてもよい。ＴＦＴ３
０の素子特性に応じて設定されたチャネル長の大きさ、低濃度ドレイン領域１ｃ及び低濃
度ソース領域１ｄに生じる電位勾配等の各種条件を考慮した上で、実験的、理論的、或い
はシミュレーション的に光リーク電流が発生し易い領域として特定された領域を交差部Ｃ
ｄに重ねて配置することによって光リーク電流の発生を低減できる。尚、本実施形態では
、低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光の大部分を遮ることを目的とする観点から
みれば、低濃度ドレイン領域１ｃ全体を交差部Ｃｄに重ねて配置しておくことが好ましい
が、低濃度ドレイン領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なっていれば、光リーク
電流を低減する効果は相応に得られる。

加えて、本実施形態では、蓄積容量７０ａが、ＴＦＴ３０の直上に配置されているため
、蓄積容量７０ａ及びＴＦＴ３０間において低濃度ドレイン領域１ｃに対して斜めに入射
する入射光をより効果的に低減できる。より具体的には、蓄積容量７０ａ及びＴＦＴ３０
間に蓄積容量７０ａの一部を構成する上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｍと異な
る他の遮光膜を介在させる場合に比べて、蓄積容量７０ａ及びＴＦＴ３０間の距離を近づ
けることができ、その分低濃度ドレイン領域１ｃの法線方向に対して大きな角度で当該低
濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光を蓄積容量７０ａによって遮ることが可能であ
る。

尚、本実施形態では、画素毎に設けられた上部容量電極３００は、画素間で相互に分断
された金属膜であり、下部容量電極７１ｍは、Ｘ方向に沿って複数の画素に延在され、こ
れら複数の画素で共用されている。低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光のうち上
部容量電極Ｘ側延在部３００ｘによって遮られなかった光は、下部容量電極Ｘ側延在部７
１ｍｘによって遮られる。

加えて、本実施形態に係る液晶装置によれば、蓄積容量７０ａに含まれる第１部分Ｐｙ
及び第２部分Ｐｘの夫々の幅を広げることに伴って生じうる非開口領域の増大を抑制しつ
つ、低濃度ドレイン領域１ｃにおける光リーク電流の発生を抑制できるため、開口率向上
及び表示不良の低減が可能となる。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置１によれ
ば、ＴＴＦ３０に生じる光リーク電流を低減でき、フリッカ等の表示不良が低減された液
晶装置１を提供できる。

（変形例１）
次に、図８を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置用基板の変形例を説明する。
図８は、本例に係る電気光学装置用基板における図４に対応する領域の一部を示した平面
図である。尚、以下では上述の液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細
な説明を省略する。尚、図８及び図９では、説明を簡便にするために画像表示領域１０ａ
の一部である交差部Ｃｄを中心とした一定範囲の領域を示している。

図８において、ゲート電極として共用される走査線３ａは、第２領域Ｄ２においてＸ方
向に沿って延びる本線部３ａ１と、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する交差
領域において本線部３ａ１が低濃度ドレイン領域１ｃに重ならないように本線部３ａ１が
部分的に切り欠かれてなる凹部１５０とを有している。本例では、低濃度ドレイン領域１
ｃ全体が交差部Ｃｄに重なっている場合を例に挙げているが、低濃度ドレイン領域１ｃの
一部が交差部Ｃｄに重なっている場合には、本線部３ａ１が当該一部に重ならないように
凹部１５０が形成される。

本例に係る液晶装置では、Ｘ方向に沿って走査線３ａが延在されている場合であっても
、Ｘ方向に沿って配列された複数の画素で走査線３ａを共用しつつ、各画素においてチャ
ネル領域１ａ´にのみ走査線３ａの一部をゲート電極として重ねて設けることができる。
尚、ゲート電極は、走査線３ａの一部と共用されていてもよいし、走査線３ａとは別に設
けられ、且つコンタクトホール等の接続手段によって走査線３ａに電気的に接続されてい
てもよい。

本例に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置等の電気光学装置によれば、上述した
液晶装置１と同様に、光リーク電流に起因するフリッカ等の表示不良を低減でき、高品位
で画像を表示できる。

（変形例２）
次に、図９を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置用基板の他の変形例を説明す
る。図８は、本例に係る電気光学装置用基板における図４に対応する領域の一部を示した
平面図である。

図８において、本例の電気光学装置用基板が備える半導体層１ａにおけるチャネル領域
１ａ´のチャネル長Ｌ２は、第２部分Ｐｘの幅Ｌ１以上であり、ゲート電極としてその一
部が共用される走査線３ａは、本線部３ａ１からＹ方向に沿って低濃度ソース領域１ｄの
側に突出した凸部１６０を有している。

チャネル長Ｌ２は、ＴＴＦ３０に要求される素子特性に応じて設定されるため、低濃度
ドレイン領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なるようにチャネル領域１ａ´のチ
ャネル長Ｌ２の大きさ、或いは当該チャネル長Ｌ２に沿った半導体層１ａの長さを変更す
ることは、液晶装置等の設計に応じて要求される本来のＴＦＴ３０の素子特性を変更する
ことになる。したがって、光リーク電流の発生を低減したとしても、ＴＦＴ３０に要求さ
れるスイッチング特性等の素子特性自体に変更をきたすこととなり、光リーク電流を低減
できる利点が得られる反面、本来の素子特性を得ることができなくなる。特に、チャネル
長Ｌ２が、第２部分Ｐｘの幅Ｌ１、即ちＹ方向に沿った交差部Ｃｄの幅以上である場合、
低濃度ドレイン領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なることによってチャネル領
域１ａ´がＹ方向に沿って交差部Ｃｄからはみ出してしまう。このような場合に、走査線
の一部をゲート電極として共用すると、Ｘ方向に沿って延びる直線状に延びる走査線３ａ
全体がＹ方向に沿って第２部分Ｐｘからはみ出してしまい、非開口領域を拡げてしまう。
より具体的には、例えば蓄積容量７０ａの上部容量電極３００或いは下部容量電極７１ｍ
によって非開口領域が部分的に規定されている場合、第２部分Ｐｘが延びる第２領域Ｄ２
から、例えば遮光性を有する走査線３ａがはみ出すことによって非開口領域を拡げてしま
い、開口率を低下させてしまう。

そこで、本例では、走査線３ａの一部であるゲート電極は、半導体層１ａが延びる第１
領域において、本線部３ａ１からＹ方向に沿って低濃度ソース領域１ｄの側に突出した凸
部１６０を有する。このような凸部１６０によれば、Ｙ方向に沿って低濃度ソース領域１
ｄの側にチャネル領域１ａ´がずらして形成されていても、チャネル領域１ａ´に重ねて
走査線３ａの一部をゲート電極として配置できる。加えて、凸部１６０は、Ｙ方向に沿っ
て延びる第１部分Ｐｙに重なっているため、非開口領域を増大させることもない。したが
って、開口率を低下させることなく、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの一部をゲート電
極として重ねて配置できる。

（第２実施形態）
次に、図１０乃至図１２を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板及びこれを
備えた電気光学装置の夫々の他の実施形態を説明する。図１０は、データ線６ａ、走査線
３ａ、画素電極９ａ等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の相隣接する複数の画素群の
平面図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ´断面図である。図１２は、図１０のＸＩ
Ｉ−ＸＩＩ´断面図である。

尚、図１０乃至図１２においても、図４乃至図６と同様に、各層・各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また
、図１１及び図１２では、説明の便宜上画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省
略し、第１実施形態に係る液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付している。図
１１において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本実施形態に係る
「電気光学装置用基板」の一例を構成している。本実施形態に係る電気光学装置用基板で
は、下部容量電極７１ｓがポリシリコン等の半導体で構成されている点で、第１実施形態
に係る電気光学装置用基板と相違する。したがって、蓄積容量７０ｂは、金属膜−誘電体
膜（絶縁膜）−半導体膜が積層されてなる、所謂ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconducto
r）構造を有する。

図１０及び図１１において、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置は
、中継層９３、蓄積容量７０ｂ、コンタクトホール８５ｂ及びコンタクトホール８４ｂを
備えている。

蓄積容量７０ｂは、非開口領域から開口領域に渡って延びる下部容量電極７１ｓ、上部
容量電極３００、及びこれら電極に挟持された誘電体膜７５ｂを有している。上部容量電
極３００は、固定電位側容量電極であり、下部容量電極７１ｓは、コンタクトホール８３
ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続された画素電位側容量電
極である。下部容量電極７１ｓは、ポリシリコン等の半導体で形成されている。したがっ
て、蓄積容量７０ｂは、所謂ＭＩＳ（Metal−Insulator−Semiconductor）構造を有して
いる。尚、下部容量電極７１ｓは、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜と
しての上部容量電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜とし
ての機能も有する。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び第２層間絶縁
膜４２を貫通するコンタクトホール８１ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続
されている。第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２間には、部分的に絶縁膜６１が
介在している。

図１０に示すように、下部容量電極７１ｓは、画素毎に互いに離間されている。したが
って、データ線６ａを介して供給される画像信号がＴＦＴ３０のスイッチング動作に応じ
て画素毎に供給される。上部容量電極３００は、図１０中Ｘ方向に沿って複数の画素に延
在されているため、複数の画素で共用されることによって電極面積が下部容量電極７１ｓ
より大きくなる。

しかしながら、上部容量電極３００は、Ａｌ等の金属膜で構成されているため、半導体
で上部容量電極３００を形成する場合に比べて電極面積の増大による電気抵抗の増大分を
抑制できる。よって、液晶装置の動作時における消費電力の低減、及び各画素における各
種素子の高速駆動が可能となり、液晶装置によって画像が表示される際の応答性が低下す
ることを抑制できる利点がある。このような利点は、本実施形態のように上部容量電極３
００が図中Ｙ方向に沿って互いに隣接する画素に亘って延在するように形成されている場
合に限定されず、上部容量電極３００が画像表示領域１０ａにおいてより大きな面積を占
めるように複数の画素に渡って形成されている場合により顕著に現れる。

コンタクトホール８５ｂは、非開口領域で中継層９３及び画素電極９ａを電気的に接続
しているため、開口領域を狭めていない。

凸部９３ａは、非開口領域から開口領域に突出しており下部容量電極７１ｓも非開口領
域から開口領域に延びている。したがって、下部容量電極７１ｓは、コンタクトホール８
４ｂに接続される部分のみを開口領域に延ばしておけばよく、下部容量電極７１ｓ全体を
開口領域に延在させることによって開口率が低下することを低減できる。加えて、第１実
施形態と同様に、非開口領域のうちＸ方向に沿ってコンタクトホール８４ｂの両側に延び
る非開口領域を狭めることができるため、開口率を高めることが可能である。

図１０において、蓄積容量７０ｂは、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する
交差領域からＹ方向に沿って延びる第１部分Ｐｙと、当該交差領域からＸ方向に沿って延
びる第２部分Ｐｘと、第１部分Ｐｙ及び第２部分Ｐｘが交差領域で相互に交差する交差部
Ｃｄを有している。

第１部分Ｐｙは、下部容量電極７１ｓのうちＹ方向に沿って延びる下部容量電極Ｙ側延
在部７１ｓｙと、上部容量電極３００のうちＹ方向に沿って延びる上部容量電極Ｙ側延在
部３００ｙと、誘電体膜７５ａのうち下部容量電極Ｙ側延在部７１ｓｙ及び上部容量電極
Ｙ側延在部３００ｙ間に延在する部分とから構成されている。第２部分Ｐｘは、下部容量
電極７１ｓのうちＸ方向に沿って延びる下部容量電極Ｘ側延在部７１ｓｘと、上部容量電
極３００のうちＸ方向に沿って延びる上部容量電極Ｘ側延在部３００ｘと、誘電体膜７５
ａのうち下部容量電極Ｘ側延在部７１ｓｘ及び上部容量電極Ｘ側延在部３００ｘ間に延在
する部分とから構成されている。

次に、図１２を参照しながら、蓄積容量７０ｂと、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ド
レイン領域１ｃの相対的な位置関係を具体的に説明する。

図１２に示すように、本実施形態に係る電気光学装置用基板では、低濃度ドレイン領域
１ｃ上に位置する交差部Ｃｄから図中Ｘ方向に沿って第２部分Ｐｘが延びているため、第
１実施形態と同様に、低濃度ドレイン領域１ｃが交差部Ｃｄに重ならない場合に比べて低
濃度ドレイン領域１ｃに入射する光を低減できる。したがって、低濃度ドレイン領域１ｃ
を交差部Ｃｄに重ねて設けることによって、低濃度ドレイン領域１ｃに到達する光を低減
でき、光リーク電流の発生を低減できる。尚、図１０に示すように、半導体層１ａのうち
低濃度ソース領域１ｄも交差部Ｃｄに重なるようにしておいてもよい。尚、本実施形態で
は、低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光の大部分を遮ることを目的とする観点か
らみれば、低濃度ドレイン領域１ｃ全体を交差部Ｃｄに重ねて配置しておくことが好まし
いが、低濃度ドレイン領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なっていれば、光リー
ク電流を低減する効果は相応に得られる。

加えて、本実施形態では、蓄積容量７０ａが、ＴＦＴ３０の直上に配置されているため
、蓄積容量７０ｂ及びＴＦＴ３０間において低濃度ドレイン領域１ｃに対して斜めに入射
する入射光をより効果的に低減できる。より具体的には、蓄積容量７０ｂ及びＴＦＴ３０
間に蓄積容量７０ｂの一部を構成する上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｓと異な
る他の遮光膜を介在させる場合に比べて、蓄積容量７０ｂ及びＴＦＴ３０間の距離を近づ
けることができ、その分低濃度ドレイン領域１ｃの法線方向に対して大きな角度で当該低
濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光を蓄積容量７０ｂによって遮ることが可能であ
る。

加えて、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置によれば、蓄積容量７
０ｂに含まれる第１部分Ｐｙ及び第２部分Ｐｘの夫々の幅を広げることに伴って生じうる
非開口領域の増大を抑制しつつ、低濃度ドレイン領域１ｃにおける光リーク電流の発生を
抑制できるため、開口率向上及び表示不良の低減が可能となる。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置によれば
、ＴＴＦ３０に生じる光リーク電流を低減でき、フリッカ等の表示不良が低減された液晶
装置１を提供できる。

（電子機器）
次に、図１３を参照しながら上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合につい
て説明する。本実施形態に係る電子機器は、上述の液晶装置をライトバルブとして用いた
プロジェクタである。図１３は、上述した液晶装置を備えた電子機器の一例であるプロジ
ェクタの構成例を示す平面図である。図１３に示すように、プロジェクタ１１００内部に
は、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。こ
のランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置され
た４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３
原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１
０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同
等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動される
ものである。これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１
１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒおよ
びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成さ
れる結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることと
なる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について
着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ
による表示像に対して左右反転される。尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１
１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する
光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、本実施形態に係る電子機器によれば、上述の液晶装置を具備してなるので、高品位
の表示が可能であり、且つ小型サイズを有する、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、
ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワー
クステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現でき
る。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置をＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図４のＶ−Ｖ´断面図である。 図４のＶＩ−ＶＩ´断面図である。 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の比較例の断面図である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置用基板の変形例（その１）を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置用基板の変形例（その２）を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図１０のＸＩ−ＸＩ´断面図である。 図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ´断面図である。 本実施形態に係る電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す平面図である。

符号の説明

１・・・液晶装置、１ａ・・・半導体層、２・・・ゲート絶縁膜、３ａ・・・走査線、
６ａ・・・データ線、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１１ａ・・・下側遮光膜、７０ａ、
７０ｂ・・・蓄積容量、７１ｍ、７１ｓ・・・下部容量電極、７５ａ、７５ｂ・・・誘電
体膜、９３・・・中継層、３００・・・上部容量電極、Ｐｙ・・・第１部分、Ｐｘ・・・
第２部分

Claims (5)

1. データ線と、
   前記データ線に電気的に接続され、半導体層を有するトランジスタと、
   前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
   前記半導体層と前記画素電極との間の層に位置し、第１方向に沿って延びる部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる部分と、を有する遮光部と、を備え、
   前記半導体層は、
   平面視で前記遮光部の前記第１方向と前記第２方向に沿って延びる部分が相互に交差する交差部と重なる位置に設けられたチャネル領域と、
   前記チャネル領域の前記第１方向に配置され前記画素電極に電気的に接続されたドレイン領域と、
   前記チャネル領域の前記第１方向と反対の方向に配置され前記データ線に電気的に接続されたソース領域と、
   前記チャネル領域と前記ソース領域との間に形成された第１のＬＤＤ領域と、
   前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間に形成された第２のＬＤＤ領域と、を有し、
   前記ゲート電極は、
   前記第２方向に沿って延び、前記チャネル領域と重なる部分を有する第１の部分と、
   前記第１の部分と連通し、前記第２方向に沿って延びる第２の部分及び第３の部分と、
   を有し、
   前記第１の部分は、前記第２方向に沿った第１端及び第２端を有し、前記第１端から前記第２端へ向かう方向が前記第１方向であり、
   前記第２の部分及び前記第３の部分は、前記第２方向に沿った第３端及び第４端を有し、
   前記第１端と前記第２端の間の距離は、前記第３端と前記第４端の間の距離より小さく、
   前記第１端と前記第３端は連続し、
   前記第２のＬＤＤ領域の少なくとも一部は、前記第２の部分と前記第３の部分との間に位置することを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記ゲート電極は、
   平面視で前記半導体層と重なるように、前記第１の部分から前記第１方向と反対側に突出した凸部を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 平面視で、前記チャネル領域の中心は前記交差部の中心より前記第１方向と反対側に配置されていることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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