JP2001194677A - 配線板および液晶表示装置 - Google Patents
配線板および液晶表示装置Info
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 23
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 209
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000533901 Narcissus papyraceus Species 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000701286 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) Alkanesulfonate monooxygenase Proteins 0.000 description 1
- 101000983349 Solanum commersonii Osmotin-like protein OSML13 Proteins 0.000 description 1
- 101100214491 Solanum lycopersicum TFT3 gene Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
- C09K2323/05—Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
- C09K2323/05—Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
- C09K2323/051—Inorganic, e.g. glass or silicon oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
- C09K2323/06—Substrate layer characterised by chemical composition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
- C09K2323/06—Substrate layer characterised by chemical composition
- C09K2323/061—Inorganic, e.g. ceramic, metallic or glass
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
-
- G—PHYSICS
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- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/28—Adhesive materials or arrangements
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁膜上に形成された金属膜における上記絶
縁膜との密着性を改善する。 【解決手段】 絶縁性基板４２上にＴＦＴ４３を形成
し、ＴＦＴ３を覆う感光性樹脂４４を成膜する。円形遮
光部が散在された第１フォトマスクと第２フォトマスク
とで２回の露光を行い、感光性樹脂４４にコンタクトホ
ール６６を形成すると共に、ＴＦＴ４３以外の領域に滑
らかな凹凸を形成する。さらに、感光性樹脂４４上にＭ
oＮ膜４５および反射電極４６を順次積層する。その場
合、ＭoＮ膜４５におけるＮ2の含有量を５原子％以上で
且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４
４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることがで
き、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。
縁膜との密着性を改善する。 【解決手段】 絶縁性基板４２上にＴＦＴ４３を形成
し、ＴＦＴ３を覆う感光性樹脂４４を成膜する。円形遮
光部が散在された第１フォトマスクと第２フォトマスク
とで２回の露光を行い、感光性樹脂４４にコンタクトホ
ール６６を形成すると共に、ＴＦＴ４３以外の領域に滑
らかな凹凸を形成する。さらに、感光性樹脂４４上にＭ
oＮ膜４５および反射電極４６を順次積層する。その場
合、ＭoＮ膜４５におけるＮ2の含有量を５原子％以上で
且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４
４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることがで
き、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、配線板および液
晶表示装置の改良に関する。
晶表示装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ等のＯＡ
(オフィス・オートメーション)機器のポータブル化が進
み、ＯＡ機器に使用される表示装置の低コスト化が重要
な課題となってきている。この表示装置は、電極が形成
された一対の基板で電気光学特性を有する表示媒体を挟
んで形成されており、上記電極間に電圧を印加すること
によって上記表示媒体の電気光学特性に変化を与えて表
示を行うようになっている。
(オフィス・オートメーション)機器のポータブル化が進
み、ＯＡ機器に使用される表示装置の低コスト化が重要
な課題となってきている。この表示装置は、電極が形成
された一対の基板で電気光学特性を有する表示媒体を挟
んで形成されており、上記電極間に電圧を印加すること
によって上記表示媒体の電気光学特性に変化を与えて表
示を行うようになっている。
【０００３】上記表示装置としては、表示性能の点か
ら、個々の画素にスイッチング素子を設けて、駆動可能
な走査線の本数を増加させることができるアクティブマ
トリックス方式が主流となってきている。そして、上記
走査線本数の増加等の技術によって、ディスプレイの高
解像度化,光コントラスト化,多階調化および広視野角化
が達成されつつある。
ら、個々の画素にスイッチング素子を設けて、駆動可能
な走査線の本数を増加させることができるアクティブマ
トリックス方式が主流となってきている。そして、上記
走査線本数の増加等の技術によって、ディスプレイの高
解像度化,光コントラスト化,多階調化および広視野角化
が達成されつつある。
【０００４】上記アクティブマトリックス方式の液晶表
示装置においては、マトリックス状に設けられた画素電
極とこの画素電極の近傍を通る走査線とが、アクティブ
素子(上記スイッチング素子)を介して電気的に接続され
ている。上記アクティブ素子としては２端子の非線形素
子(ＭＩＭ)あるいは３端子の非線形素子があり、現在使
用されているアクティブ素子の代表格は、３端子の非線
形素子である薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)である。
示装置においては、マトリックス状に設けられた画素電
極とこの画素電極の近傍を通る走査線とが、アクティブ
素子(上記スイッチング素子)を介して電気的に接続され
ている。上記アクティブ素子としては２端子の非線形素
子(ＭＩＭ)あるいは３端子の非線形素子があり、現在使
用されているアクティブ素子の代表格は、３端子の非線
形素子である薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)である。
【０００５】また、近年、より低消費電極化の要求が高
まり、通常バックライトを必要とする透過型液晶表示装
置に代って、反射型液晶表示装置および反射/透過型液
晶表示装置の開発が盛んである。
まり、通常バックライトを必要とする透過型液晶表示装
置に代って、反射型液晶表示装置および反射/透過型液
晶表示装置の開発が盛んである。
【０００６】ここで、上記反射型液晶表示装置において
は、明るい表示を得るために、反射電極の面積を拡大さ
せ、更に、入射光を散乱させるために複数の凹凸を形成
した樹脂膜上に反射電極としてＡl膜を形成している。
また、映像信号を送る配線と液晶駆動用のドライバとの
接続には、後工程での酸化による高抵抗化を防止する等
の目的で、透明電極部分等に用いられるＩＴＯ(インジ
ュウム錫酸化物)が用いられている。
は、明るい表示を得るために、反射電極の面積を拡大さ
せ、更に、入射光を散乱させるために複数の凹凸を形成
した樹脂膜上に反射電極としてＡl膜を形成している。
また、映像信号を送る配線と液晶駆動用のドライバとの
接続には、後工程での酸化による高抵抗化を防止する等
の目的で、透明電極部分等に用いられるＩＴＯ(インジ
ュウム錫酸化物)が用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の反射型液晶表示装置においては、以下に記載するよ
うな問題がある。すなわち、上述のように複数の凹凸を
形成した樹脂膜上にＡl系金属膜を成膜して反射電極を
形成する場合において、特に量産工程では、マスクデポ
等の特殊な成膜手段を用いる他にはＡl系金属膜を部分
的に成膜することは不可能である。したがって、上述の
ように配線とドライバとを接続する端子部分や透明電極
等のＩＴＯ部分を含めた液晶パネル全面にＡl系金属膜
を成膜することになる。ところが、この反射電極膜(Ａl
系金属膜)をパターンニングする際に、下記のような問
題が生ずるのである。
来の反射型液晶表示装置においては、以下に記載するよ
うな問題がある。すなわち、上述のように複数の凹凸を
形成した樹脂膜上にＡl系金属膜を成膜して反射電極を
形成する場合において、特に量産工程では、マスクデポ
等の特殊な成膜手段を用いる他にはＡl系金属膜を部分
的に成膜することは不可能である。したがって、上述の
ように配線とドライバとを接続する端子部分や透明電極
等のＩＴＯ部分を含めた液晶パネル全面にＡl系金属膜
を成膜することになる。ところが、この反射電極膜(Ａl
系金属膜)をパターンニングする際に、下記のような問
題が生ずるのである。
【０００８】上記ＩＴＯ膜とＡl膜とが積層された状態
でＡl膜を所定の形状にエッチングする場合には、フォ
トリソ工程を利用することになる。その場合、レジスト
膜の形成に露光および現像を行うと、アルカリ系の現像
液を使用することによって、ＩＴＯ膜とＡl膜との間で
電池が構成されてしまう。その結果、Ａl膜とＩＴＯ膜
とが腐食,溶解されるので歩留まりを低下させる。この
現象を電食と呼び、ＩＴＯ膜とＡl膜との組み合せに限
ったことではなく、アルカリ系の現像液を使用すること
によって電池反応が生ずる組み合せの総てに生ずる。
でＡl膜を所定の形状にエッチングする場合には、フォ
トリソ工程を利用することになる。その場合、レジスト
膜の形成に露光および現像を行うと、アルカリ系の現像
液を使用することによって、ＩＴＯ膜とＡl膜との間で
電池が構成されてしまう。その結果、Ａl膜とＩＴＯ膜
とが腐食,溶解されるので歩留まりを低下させる。この
現象を電食と呼び、ＩＴＯ膜とＡl膜との組み合せに限
ったことではなく、アルカリ系の現像液を使用すること
によって電池反応が生ずる組み合せの総てに生ずる。
【０００９】この電食の問題を解決するために、Ａl等
の金属膜を成膜する前にＭo(モリブデン)を成膜して２
層構造とする技術が提案されている。この技術によれ
ば、ＡlおよびＭoの層は連続して成膜でき、また、リン
酸,硝酸,酢酸および水からなる混合液によって２層同時
にエッチングできるため、工程数を増やすことなく且つ
電食を起こすことなく反射電極膜(Ａl膜)のパターンを
形成できるのである。
の金属膜を成膜する前にＭo(モリブデン)を成膜して２
層構造とする技術が提案されている。この技術によれ
ば、ＡlおよびＭoの層は連続して成膜でき、また、リン
酸,硝酸,酢酸および水からなる混合液によって２層同時
にエッチングできるため、工程数を増やすことなく且つ
電食を起こすことなく反射電極膜(Ａl膜)のパターンを
形成できるのである。
【００１０】ところで、上記樹脂膜上に反射電極として
形成されたＡl等の金属膜若しくは透明導電膜のパター
ンニングを行う場合に、レジストの剥離液による上記樹
脂膜の膨潤によって上記樹脂膜と金属膜との密着力が弱
まって、上記金属膜が剥がれてしまうことがしばしば見
られる。上記Ｍoの場合においても、アクリル樹脂上に
成膜し、パターンニングした後にピールテストを行う
と、Ｍoが樹脂膜から剥がれてしまい、歩留りの低下に
つながる現象が発生するという問題がある。
形成されたＡl等の金属膜若しくは透明導電膜のパター
ンニングを行う場合に、レジストの剥離液による上記樹
脂膜の膨潤によって上記樹脂膜と金属膜との密着力が弱
まって、上記金属膜が剥がれてしまうことがしばしば見
られる。上記Ｍoの場合においても、アクリル樹脂上に
成膜し、パターンニングした後にピールテストを行う
と、Ｍoが樹脂膜から剥がれてしまい、歩留りの低下に
つながる現象が発生するという問題がある。
【００１１】ここで、上記ピールテストとは、粘着性を
有する接着テープを基板上の薄膜に貼りつけ、接着テー
プを剥がした場合に上記薄膜が基板側に残るか接着テー
プに粘着するかによって、上記薄膜の基板に対する付着
力の強さの程度を調べるテスト方法である。具体的に
は、 ＪＩＳ規格(ＪＩＳ Ｋ‐５４００等)に習い、テスト
膜を成膜した樹脂膜上にカッターナイフによって１mm角
の１００個の枡目を切る。 枡目が切られたテスト膜上に接着テープを貼り付け
た後、一定の剥がし角度で剥がす。 その際に、１００個の枡目のうち幾つの枡目のテス
ト膜が剥がれたかによって、テスト膜と樹脂膜との密着
性を評価する。つまり、１００個の枡目が剥がれた場合
には密着力が弱く、全く剥がれない場合には十分な密着
力があると評価する。 のである。
有する接着テープを基板上の薄膜に貼りつけ、接着テー
プを剥がした場合に上記薄膜が基板側に残るか接着テー
プに粘着するかによって、上記薄膜の基板に対する付着
力の強さの程度を調べるテスト方法である。具体的に
は、 ＪＩＳ規格(ＪＩＳ Ｋ‐５４００等)に習い、テスト
膜を成膜した樹脂膜上にカッターナイフによって１mm角
の１００個の枡目を切る。 枡目が切られたテスト膜上に接着テープを貼り付け
た後、一定の剥がし角度で剥がす。 その際に、１００個の枡目のうち幾つの枡目のテス
ト膜が剥がれたかによって、テスト膜と樹脂膜との密着
性を評価する。つまり、１００個の枡目が剥がれた場合
には密着力が弱く、全く剥がれない場合には十分な密着
力があると評価する。 のである。
【００１２】また、一般に、高分子フィルム等の絶縁物
上に金属配線を施す場合、上記高分子フィルムと金属膜
との密着力が弱いことが問題となっており、従来から様
々な試みがなされている。その一例として、上記金属膜
の成膜に、蒸着法よりもスパッタ法を用いることが強い
密着力を得る上で有効であることが紹介されている。し
かしながら、上記Ｍoを成膜する場合には、スパッタ法
を用いても十分な密着力を得ることができないという問
題がある。
上に金属配線を施す場合、上記高分子フィルムと金属膜
との密着力が弱いことが問題となっており、従来から様
々な試みがなされている。その一例として、上記金属膜
の成膜に、蒸着法よりもスパッタ法を用いることが強い
密着力を得る上で有効であることが紹介されている。し
かしながら、上記Ｍoを成膜する場合には、スパッタ法
を用いても十分な密着力を得ることができないという問
題がある。
【００１３】そこで、この発明の目的は、絶縁膜上に形
成された金属膜における上記絶縁膜との密着性が改善さ
れた製品歩留りおよび信頼性が高い配線基板、および、
液晶表示装置を提供することにある。
成された金属膜における上記絶縁膜との密着性が改善さ
れた製品歩留りおよび信頼性が高い配線基板、および、
液晶表示装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、金属膜と,この金属膜に接する絶縁
膜を有する配線板において、上記金属膜における少なく
とも上記絶縁膜と接する側に、ＭoＮ膜が形成されてい
ることを特徴としている。
め、第１の発明は、金属膜と,この金属膜に接する絶縁
膜を有する配線板において、上記金属膜における少なく
とも上記絶縁膜と接する側に、ＭoＮ膜が形成されてい
ることを特徴としている。
【００１５】Ｍoを窒化することによって上記Ｍoの結晶
構造が変化され、高分子樹脂等でなる絶縁膜との密着性
が向上される。上記構成によれば、配線を構成する金属
膜における少なくとも絶縁膜と接する側にＭoＮ膜が形
成されている。したがって、上記絶縁膜としてポリエチ
レンテレフタレート(ＰＥＴ)フィルムを用いた場合であ
っても、上記ＰＥＴフィルムと金属膜(配線)との密着性
が向上されて、製品歩留りおよび信頼性が向上される。
構造が変化され、高分子樹脂等でなる絶縁膜との密着性
が向上される。上記構成によれば、配線を構成する金属
膜における少なくとも絶縁膜と接する側にＭoＮ膜が形
成されている。したがって、上記絶縁膜としてポリエチ
レンテレフタレート(ＰＥＴ)フィルムを用いた場合であ
っても、上記ＰＥＴフィルムと金属膜(配線)との密着性
が向上されて、製品歩留りおよび信頼性が向上される。
【００１６】また、上記第１の発明の配線基板は、上記
ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０％以
下とすることが望ましい。
ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０％以
下とすることが望ましい。
【００１７】上記構成によれば、上記ＭoＮ膜における
窒素含有量は５％以上であるから、上記絶縁膜と金属膜
との密着性が十分向上される。また、上記窒素含有量は
３０％以下であるから、上記ＭoＮ膜のエッチングレー
トは低下することがない。したがって、上記金属膜のエ
ッチング処理に時間を要することによるパターニング工
程のスループットの悪化が防止される。
窒素含有量は５％以上であるから、上記絶縁膜と金属膜
との密着性が十分向上される。また、上記窒素含有量は
３０％以下であるから、上記ＭoＮ膜のエッチングレー
トは低下することがない。したがって、上記金属膜のエ
ッチング処理に時間を要することによるパターニング工
程のスループットの悪化が防止される。
【００１８】また、第２の発明の液晶表示装置は、上記
第１の発明の配線基板を備えたことを特徴としている。
第１の発明の配線基板を備えたことを特徴としている。
【００１９】上記構成によれば、上記絶縁膜上に密着性
よく配線が形成されているので、液晶表示装置の製品歩
留りおよび信頼性が向上される。
よく配線が形成されているので、液晶表示装置の製品歩
留りおよび信頼性が向上される。
【００２０】また、第３の発明の液晶表示装置は、一対
の基板間に液晶層が挟持され,この液晶層が複数に分割
されて成る画素領域内に光反射機能を有する反射金属膜
を備えて,上記画素領域毎に上記液晶層に印加する電圧
が制御される液晶表示装置において、上記反射金属膜
は、上記基板側から絶縁膜およびＭoＮ膜の順に積層さ
れて成る積層構造体上に形成されていることを特徴とし
ている。
の基板間に液晶層が挟持され,この液晶層が複数に分割
されて成る画素領域内に光反射機能を有する反射金属膜
を備えて,上記画素領域毎に上記液晶層に印加する電圧
が制御される液晶表示装置において、上記反射金属膜
は、上記基板側から絶縁膜およびＭoＮ膜の順に積層さ
れて成る積層構造体上に形成されていることを特徴とし
ている。
【００２１】Ｍoを窒化することによって高分子樹脂等
でなる絶縁膜とＭo膜との密着性が向上される。上記構
成によれば、絶縁膜上にはＭoＮ膜と反射金属膜とが順
次積層されている。したがって、上記絶縁膜としてアク
リル樹脂を用いた場合であっても、上記アクリル樹脂と
反射金属膜との密着性が向上されて、製品歩留りおよび
信頼性が向上される。
でなる絶縁膜とＭo膜との密着性が向上される。上記構
成によれば、絶縁膜上にはＭoＮ膜と反射金属膜とが順
次積層されている。したがって、上記絶縁膜としてアク
リル樹脂を用いた場合であっても、上記アクリル樹脂と
反射金属膜との密着性が向上されて、製品歩留りおよび
信頼性が向上される。
【００２２】また、上記第３の発明の液晶表示装置は、
上記ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０
％以下とすることが望ましい。
上記ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０
％以下とすることが望ましい。
【００２３】上記構成によれば、上記ＭoＮ膜における
窒素含有量は５％以上であるから、上記絶縁膜と反射金
属膜との密着性が十分向上される。また、上記窒素含有
量は３０％以下であるから、エッチングレートは低下す
ることがない。したがって、上記ＭoＮ膜および反射金
属膜のエッチング処理に時間を要することによるパター
ニング工程のスループットの悪化が防止される。
窒素含有量は５％以上であるから、上記絶縁膜と反射金
属膜との密着性が十分向上される。また、上記窒素含有
量は３０％以下であるから、エッチングレートは低下す
ることがない。したがって、上記ＭoＮ膜および反射金
属膜のエッチング処理に時間を要することによるパター
ニング工程のスループットの悪化が防止される。
【００２４】また、上記第３の発明の液晶表示装置は、
上記反射金属膜を、上記液晶層に電圧を印加するための
電極を兼ねるように成すことが望ましい。
上記反射金属膜を、上記液晶層に電圧を印加するための
電極を兼ねるように成すことが望ましい。
【００２５】上記構成によれば、上記絶縁膜と反射/画
素電極との密着性が向上されて、製品歩留りおよび信頼
性の高い反射型の液晶表示装置が得られる。
素電極との密着性が向上されて、製品歩留りおよび信頼
性の高い反射型の液晶表示装置が得られる。
【００２６】また、上記第３の発明の液晶表示装置は、
上記反射金属膜が形成されている側の基板上にはＩＴＯ
膜が形成されていることが望ましい。
上記反射金属膜が形成されている側の基板上にはＩＴＯ
膜が形成されていることが望ましい。
【００２７】上記構成によれば、上記反射金属膜として
Ａl系金属膜が用いられ、上記基板上には、例えばドラ
イバとの接続端子や透明電極として機能するＩＴＯ膜が
形成されており、上記ＩＴＯ膜上にＡl系金属膜を形成
してパターニングを行う場合でも、上記Ａl系金属膜と
ＩＴＯ膜との間には上記Ｍo膜が形成されるため、上記
Ａl系金属とＩＴＯとの電食反応が防止される。
Ａl系金属膜が用いられ、上記基板上には、例えばドラ
イバとの接続端子や透明電極として機能するＩＴＯ膜が
形成されており、上記ＩＴＯ膜上にＡl系金属膜を形成
してパターニングを行う場合でも、上記Ａl系金属膜と
ＩＴＯ膜との間には上記Ｍo膜が形成されるため、上記
Ａl系金属とＩＴＯとの電食反応が防止される。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明するが、この発明は以下の実施の形
態に限定されるものではない。
態により詳細に説明するが、この発明は以下の実施の形
態に限定されるものではない。
【００２９】＜第１実施の形態＞図１は、本実施の形態
の液晶表示装置としての反射型液晶表示装置の画素領域
部分における平面図である。また、図２は、図１におけ
る反射基板を含む縦断面図である。
の液晶表示装置としての反射型液晶表示装置の画素領域
部分における平面図である。また、図２は、図１におけ
る反射基板を含む縦断面図である。
【００３０】図１および図２(a)に示すように、本実施
の形態における反射型液晶表示装置においては、絶縁性
基板４２上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ４３が
形成されている。そして、このＴＦＴ４３を含む絶縁性
基板４２上には、凹凸形状を有する層間絶縁膜としての
感光性樹脂４４,ＭoＮ膜４５および反射電極４６が順次
形成されて、滑らかな凹凸状を有する反射基板４１を構
成している。尚、上記ＭoＮ層４５は、密着力を有して
耐電食機能を備えている。また、反射電極４６はＡlで
形成されている。
の形態における反射型液晶表示装置においては、絶縁性
基板４２上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ４３が
形成されている。そして、このＴＦＴ４３を含む絶縁性
基板４２上には、凹凸形状を有する層間絶縁膜としての
感光性樹脂４４,ＭoＮ膜４５および反射電極４６が順次
形成されて、滑らかな凹凸状を有する反射基板４１を構
成している。尚、上記ＭoＮ層４５は、密着力を有して
耐電食機能を備えている。また、反射電極４６はＡlで
形成されている。
【００３１】上述のごとく、ガラス等で成る絶縁性基板
４２上にＴＦＴ４３が形成されている。このＴＦＴ４３
は、絶縁性基板４２上に、走査信号線であるゲートバス
ライン４７、ゲートバスライン４７から分岐したＴa(タ
ンタル)で成るゲート電極４８、ＳiＮxで成るゲート絶
縁層４９、ａ‐Ｓi(アモルファスシリコン)で成る半導
体層５０、ｎ型ａ‐Ｓiで成るｎ型半導体層５１、デー
タバスライン５２、このデータバスライン５２から分岐
したＩＴＯで成るソース電極５３、Ｔi（チタン)で成る
ドレイン電極５４等が順次成膜されて構成される。尚、
５５は、エッチストッパである。
４２上にＴＦＴ４３が形成されている。このＴＦＴ４３
は、絶縁性基板４２上に、走査信号線であるゲートバス
ライン４７、ゲートバスライン４７から分岐したＴa(タ
ンタル)で成るゲート電極４８、ＳiＮxで成るゲート絶
縁層４９、ａ‐Ｓi(アモルファスシリコン)で成る半導
体層５０、ｎ型ａ‐Ｓiで成るｎ型半導体層５１、デー
タバスライン５２、このデータバスライン５２から分岐
したＩＴＯで成るソース電極５３、Ｔi（チタン)で成る
ドレイン電極５４等が順次成膜されて構成される。尚、
５５は、エッチストッパである。
【００３２】また、図２(b)に示すように、上記ゲート
バスラインおよびソースバスライン（共に図示せず)に
信号を入力するための信号入力端子部５６は、ゲートバ
スライン４７およびゲート電極４８と同時にパターニン
グされるＴaから成る端子部電極５７とＩＴＯから成る
端子部接続電極部５８との２層によって構成されてい
る。
バスラインおよびソースバスライン（共に図示せず)に
信号を入力するための信号入力端子部５６は、ゲートバ
スライン４７およびゲート電極４８と同時にパターニン
グされるＴaから成る端子部電極５７とＩＴＯから成る
端子部接続電極部５８との２層によって構成されてい
る。
【００３３】次に、上記ＭoＮ層４５の構造について説
明する。図３に、感光性樹脂４４上にＭoＮ膜４５を成
膜する際におけるＮ2ガス及びＡr(アルゴン)の成分比Ｎ
2/Ａrと、密着力との関係を示す。感光性樹脂４４上に
おけるＭoの成膜を１００sccmのＡrのみで行った場合
は、ピールテストの結果１００枡目中１００枡目が剥が
れた。ところが、Ａrに流量２０sccmでＮ2を加えたとこ
ろ、４８枡目が剥がれただけでかなり密着性が向上し
た。さらにＮ2を増加して４０sccmで加えた場合には、
剥がれる枡目は全くなかった。その場合におけるＮ2の
含有量(原子％)をオージェ分光分析装置によって調査し
た結果、Ｎ2の含有量は約１０％であった。
明する。図３に、感光性樹脂４４上にＭoＮ膜４５を成
膜する際におけるＮ2ガス及びＡr(アルゴン)の成分比Ｎ
2/Ａrと、密着力との関係を示す。感光性樹脂４４上に
おけるＭoの成膜を１００sccmのＡrのみで行った場合
は、ピールテストの結果１００枡目中１００枡目が剥が
れた。ところが、Ａrに流量２０sccmでＮ2を加えたとこ
ろ、４８枡目が剥がれただけでかなり密着性が向上し
た。さらにＮ2を増加して４０sccmで加えた場合には、
剥がれる枡目は全くなかった。その場合におけるＮ2の
含有量(原子％)をオージェ分光分析装置によって調査し
た結果、Ｎ2の含有量は約１０％であった。
【００３４】上記ＡrにＮ2を流量６０sccm,８０sccm,１
００sccmで加えた場合にも、流量４０sccmで加えた場合
と同様に、剥がれる枡目は全くなかった。尚、Ｎ2の流
量を８０sccm,１００sccmとした場合におけるＮ2の含有
量(原子％)は約２５％,３０％であった。尚、上記オー
ジェ分光分析装置によるＮ2含有量の測定条件は以下通
りである。 ・オージェ分光分析装置：Perkin-Elmer社 ＳＡＭ６７
０ ・電子ビーム加速電圧 ３kＶ ・電子ビーム電流 ２２nＡ ・電子ビーム径 １６００Å ・電子ビーム入射角度 ６０°
００sccmで加えた場合にも、流量４０sccmで加えた場合
と同様に、剥がれる枡目は全くなかった。尚、Ｎ2の流
量を８０sccm,１００sccmとした場合におけるＮ2の含有
量(原子％)は約２５％,３０％であった。尚、上記オー
ジェ分光分析装置によるＮ2含有量の測定条件は以下通
りである。 ・オージェ分光分析装置：Perkin-Elmer社 ＳＡＭ６７
０ ・電子ビーム加速電圧 ３kＶ ・電子ビーム電流 ２２nＡ ・電子ビーム径 １６００Å ・電子ビーム入射角度 ６０°
【００３５】以上の結果は、感光性樹脂４４上に成膜す
るＭoを窒化することによって、感光性樹脂(アクリル樹
脂)４４とＭoＮ層４５との密着力を大きくすることがで
きることを示している。その場合、Ｍo膜は窒化するこ
とによってエッチングレートが低下する。図３に示すよ
うに、Ｎ2の流量が０sccmの場合におけるＭo膜のエッチ
ングレートが最も大きく、Ｎ2流量が増加するに連れて
エッチングレートは小さくなって行き、Ｎ2流量が１０
０sccmの場合には０sccmの場合の約１/３となる。エッ
チングレートは小さくなるということは、それだけエッ
チングするために時間を要することになり、生産量が低
下することを意味する。そこで、この発明においては、
１/３の生産量低下を限界とし、ＭoＮ層のＮ2含有量を
５％以上且つ３０％以下とする。
るＭoを窒化することによって、感光性樹脂(アクリル樹
脂)４４とＭoＮ層４５との密着力を大きくすることがで
きることを示している。その場合、Ｍo膜は窒化するこ
とによってエッチングレートが低下する。図３に示すよ
うに、Ｎ2の流量が０sccmの場合におけるＭo膜のエッチ
ングレートが最も大きく、Ｎ2流量が増加するに連れて
エッチングレートは小さくなって行き、Ｎ2流量が１０
０sccmの場合には０sccmの場合の約１/３となる。エッ
チングレートは小さくなるということは、それだけエッ
チングするために時間を要することになり、生産量が低
下することを意味する。そこで、この発明においては、
１/３の生産量低下を限界とし、ＭoＮ層のＮ2含有量を
５％以上且つ３０％以下とする。
【００３６】尚、上述のように、感光性樹脂４４上に成
膜するＭo層の密着力を上げるためにＭo層を窒化するの
であるが、その場合、ＭoＮ膜４５上に形成される反射
電極４６としてのＡl膜とＭoＮ膜との密着力は、Ａl膜
とＭo膜との密着力に比して低下することはない。
膜するＭo層の密着力を上げるためにＭo層を窒化するの
であるが、その場合、ＭoＮ膜４５上に形成される反射
電極４６としてのＡl膜とＭoＮ膜との密着力は、Ａl膜
とＭo膜との密着力に比して低下することはない。
【００３７】次に、本反射型液晶表示装置における反射
基板４１の製造工程、特に感光性樹脂４４上に対するＭ
oＮ層(凹凸形状を有して密着力を持つ電食防止膜)４５
およびＡlで成る反射電極４６の形成工程について説明
する。図４および図５は、図２における反射基板４１の
製造工程を示すプロセス断面図である。尚、図中、左側
には画素領域のプロセス断面図を示し、右側には信号入
力端子部領域のプロセス断面図を示している。
基板４１の製造工程、特に感光性樹脂４４上に対するＭ
oＮ層(凹凸形状を有して密着力を持つ電食防止膜)４５
およびＡlで成る反射電極４６の形成工程について説明
する。図４および図５は、図２における反射基板４１の
製造工程を示すプロセス断面図である。尚、図中、左側
には画素領域のプロセス断面図を示し、右側には信号入
力端子部領域のプロセス断面図を示している。
【００３８】先ず、図４(a)に示すように、上記ＴＦＴ
４３(図４及び図５では図示せず)が形成されたガラス等
の絶縁性基板４２上に、層間絶縁膜としてのポジ型の感
光性樹脂４４(製品名：ＯＦＰＲ‐８００：東京応化製)
を１μm〜５μmの厚さに塗布する。本実施の形態におい
ては３μmの厚さで塗布した。そして、この状態で、図
４(b)に示すように、図６に示すような円形の遮光部６
２をその面積が２０％以上４０％以下で形成された第１
フォトマスク６１を配置して、低照度の紫外線光６４で
均一に第１の露光を行う。次に、図４(c)に示すよう
に、図７に示すような第２フォトマスク６５配置して、
コンタクトホール６６の形成部を高照度の紫外線光６４
で第２の露光を行う。
４３(図４及び図５では図示せず)が形成されたガラス等
の絶縁性基板４２上に、層間絶縁膜としてのポジ型の感
光性樹脂４４(製品名：ＯＦＰＲ‐８００：東京応化製)
を１μm〜５μmの厚さに塗布する。本実施の形態におい
ては３μmの厚さで塗布した。そして、この状態で、図
４(b)に示すように、図６に示すような円形の遮光部６
２をその面積が２０％以上４０％以下で形成された第１
フォトマスク６１を配置して、低照度の紫外線光６４で
均一に第１の露光を行う。次に、図４(c)に示すよう
に、図７に示すような第２フォトマスク６５配置して、
コンタクトホール６６の形成部を高照度の紫外線光６４
で第２の露光を行う。
【００３９】ここで、上記第１フォトマスク６１は、Ｔ
ＦＴ４３の位置に対応する遮光部とコンタクトホール６
６の位置に対応する開口部(共に図示せず)とを有してい
る。さらに、円形遮光部６２は、隣り合う円形遮光部６
２との中心間隔が５μm以上且つ５０μm以下、好ましく
は１０μm〜２０μmになるようにランダムに配置されて
いる。尚、６３は、透明部である。また、第２フォトマ
スク６５は、コンタクトホール６６の位置に対応する透
過部６７を開口している。また、両フォトマスク６１,
６５共、信号入力端子部５６の位置が透過部となるよう
な構造を有している。そして、コンタクトホール６６の
露光と同時に信号入力端子部５６にも紫外線光６４で露
光可能になっている。
ＦＴ４３の位置に対応する遮光部とコンタクトホール６
６の位置に対応する開口部(共に図示せず)とを有してい
る。さらに、円形遮光部６２は、隣り合う円形遮光部６
２との中心間隔が５μm以上且つ５０μm以下、好ましく
は１０μm〜２０μmになるようにランダムに配置されて
いる。尚、６３は、透明部である。また、第２フォトマ
スク６５は、コンタクトホール６６の位置に対応する透
過部６７を開口している。また、両フォトマスク６１,
６５共、信号入力端子部５６の位置が透過部となるよう
な構造を有している。そして、コンタクトホール６６の
露光と同時に信号入力端子部５６にも紫外線光６４で露
光可能になっている。
【００４０】次に、図４(d)に示すように、現像液とし
て東京応化工業(株)製のＴＭＡＨ(テトラ・メチルアンモ
ニウム・ハイドロオキサイド)を用いて現像を行い、上述
した高照度露光部分(上記２度の露光が行われたコンタ
クトホール６６および信号入力端子部５６の部分)の感
光性樹脂４４を完全に除去する。また、低照度露光部分
(上記第１の露光による１度の露光が行われた透明部６
３の部分)６８の感光性樹脂４４を初期の膜厚に対して
約４０％残膜させ、未露光部分(ＴＦＴ４３および上記
円形遮光部６２の部分)の感光性樹脂４４を初期の膜厚
に対して約８０％残膜させる。
て東京応化工業(株)製のＴＭＡＨ(テトラ・メチルアンモ
ニウム・ハイドロオキサイド)を用いて現像を行い、上述
した高照度露光部分(上記２度の露光が行われたコンタ
クトホール６６および信号入力端子部５６の部分)の感
光性樹脂４４を完全に除去する。また、低照度露光部分
(上記第１の露光による１度の露光が行われた透明部６
３の部分)６８の感光性樹脂４４を初期の膜厚に対して
約４０％残膜させ、未露光部分(ＴＦＴ４３および上記
円形遮光部６２の部分)の感光性樹脂４４を初期の膜厚
に対して約８０％残膜させる。
【００４１】次に、２００℃で６０分間の加熱処理を行
い、図４(e)に示すように、熱だれ現象によって感光性
樹脂４４を変形させて、表面に滑らかな凹凸を形成す
る。そして、図５(f)に示すように、絶縁性基板４２上
にＭoＮとＡlとをスパッタリング法によって各々５００
Å,１０００Åの膜厚で形成する。そして、図５(g)〜図
５(k)に示すように、１つのＴＦＴ４３に１つの反射電
極４６が存在するようにパターニングを行い、ＭoＮ膜
４５とＡl膜４６との積層膜を形成するのである。
い、図４(e)に示すように、熱だれ現象によって感光性
樹脂４４を変形させて、表面に滑らかな凹凸を形成す
る。そして、図５(f)に示すように、絶縁性基板４２上
にＭoＮとＡlとをスパッタリング法によって各々５００
Å,１０００Åの膜厚で形成する。そして、図５(g)〜図
５(k)に示すように、１つのＴＦＴ４３に１つの反射電
極４６が存在するようにパターニングを行い、ＭoＮ膜
４５とＡl膜４６との積層膜を形成するのである。
【００４２】尚、上記ＭoＮ膜は、ＤＣマグネトロンス
パッタ法によって、１００sccmのＡr,４０sccmのＮ2に
よって、ガス圧が０.５Ｐaの雰囲気下で成膜する。ま
た、上記Ａl膜は、１００sccmのＡr、ガス圧が０.４Ｐa
の雰囲気下で成膜する。また、上記ＭoＮ膜４５と反射
電極４６の積層膜のパターニングは、図５(g)に示すよ
うにフオトレジスト６９を塗布し、図５(h)に示すよう
に画素電極毎に分離するためのヌキ部および信号入力端
子部５６を紫外線光６４で露光し、図５(i)〜図５(k)に
示すように、現像工程,エッチング工程および剥離工程
を行うことによって行うのである。
パッタ法によって、１００sccmのＡr,４０sccmのＮ2に
よって、ガス圧が０.５Ｐaの雰囲気下で成膜する。ま
た、上記Ａl膜は、１００sccmのＡr、ガス圧が０.４Ｐa
の雰囲気下で成膜する。また、上記ＭoＮ膜４５と反射
電極４６の積層膜のパターニングは、図５(g)に示すよ
うにフオトレジスト６９を塗布し、図５(h)に示すよう
に画素電極毎に分離するためのヌキ部および信号入力端
子部５６を紫外線光６４で露光し、図５(i)〜図５(k)に
示すように、現像工程,エッチング工程および剥離工程
を行うことによって行うのである。
【００４３】以上のような工程によって、滑らかで高密
度な凹凸部を有する反射電極４６を形成できる。このよ
うな反射基板４６は、平坦部が減少しているため、正反
射成分の少ない理想的な反射特性を実現することが可能
である。また、感光性樹脂４４のフォトプロセス回数を
削減することが可能であり、反射電極４６の製造に必要
なコストの低減も可能である。
度な凹凸部を有する反射電極４６を形成できる。このよ
うな反射基板４６は、平坦部が減少しているため、正反
射成分の少ない理想的な反射特性を実現することが可能
である。また、感光性樹脂４４のフォトプロセス回数を
削減することが可能であり、反射電極４６の製造に必要
なコストの低減も可能である。
【００４４】最後に、上述のように形成された反射基板
４１と透明電極を支持するカラーフィルタ基板(共に図
示せず)とをスペーサーを介して貼り合わせ、上記両基
板間に液晶を注入して、上記カラーフィルタ基板に位相
差板と偏光板とを貼り付けて反射型液晶表示装置が完成
する。
４１と透明電極を支持するカラーフィルタ基板(共に図
示せず)とをスペーサーを介して貼り合わせ、上記両基
板間に液晶を注入して、上記カラーフィルタ基板に位相
差板と偏光板とを貼り付けて反射型液晶表示装置が完成
する。
【００４５】上述のように、本実施の形態においては、
反射型液晶表示装置を作成するに際して、絶縁性基板４
２上にＴＦＴ４３を形成し、さらにＴＦＴ３を覆って層
間絶縁膜としての感光性樹脂４４を成膜する。そして、
円形遮光部６２が散在された第１フォトマスク６１と第
２フォトマスク６５とで２回の露光を行い、感光性樹脂
４４にコンタクトホール６６を形成すると共に、ＴＦＴ
４３以外の領域に滑らかな凹凸を形成する。その後、上
記凹凸が形成された感光性樹脂４４上にＭoＮ膜４５お
よび反射電極４６とを順次積層して、滑らかで高密度な
凹凸を有する反射電極４６を形成するようにしている。
反射型液晶表示装置を作成するに際して、絶縁性基板４
２上にＴＦＴ４３を形成し、さらにＴＦＴ３を覆って層
間絶縁膜としての感光性樹脂４４を成膜する。そして、
円形遮光部６２が散在された第１フォトマスク６１と第
２フォトマスク６５とで２回の露光を行い、感光性樹脂
４４にコンタクトホール６６を形成すると共に、ＴＦＴ
４３以外の領域に滑らかな凹凸を形成する。その後、上
記凹凸が形成された感光性樹脂４４上にＭoＮ膜４５お
よび反射電極４６とを順次積層して、滑らかで高密度な
凹凸を有する反射電極４６を形成するようにしている。
【００４６】したがって、正反射成分が少なくペーパー
ホワイト表示が可能な反射電極４６を１つの画素領域内
に有する反射型基板４１を形成することができる。
ホワイト表示が可能な反射電極４６を１つの画素領域内
に有する反射型基板４１を形成することができる。
【００４７】その際に、上記絶縁性基板４２上全面に反
射電極４６を成膜する際にはＭoＮ膜４５上に成膜して
いる。そのために、図５(f)に示すように、Ａl膜である
反射電極４６と信号入力端子部５６を構成するＩＴＯか
ら成る端子部接続電極部５８との間にはＭoＮ膜４５が
存在することになる。したがって、ＭoＮ層４５と反射
電極４６との積層膜をパターニングするに際して、フォ
トリソによるレジスト膜の形成時にアルカリ系の現像液
を使用しても、ＭoＮ層４５の存在によってＩＴＯ膜と
Ａl膜との間で電食現象は発生しないのである。
射電極４６を成膜する際にはＭoＮ膜４５上に成膜して
いる。そのために、図５(f)に示すように、Ａl膜である
反射電極４６と信号入力端子部５６を構成するＩＴＯか
ら成る端子部接続電極部５８との間にはＭoＮ膜４５が
存在することになる。したがって、ＭoＮ層４５と反射
電極４６との積層膜をパターニングするに際して、フォ
トリソによるレジスト膜の形成時にアルカリ系の現像液
を使用しても、ＭoＮ層４５の存在によってＩＴＯ膜と
Ａl膜との間で電食現象は発生しないのである。
【００４８】また、上記感光性樹脂４４上にＭoＮ膜４
５を成膜する場合、Ｎ2の含有量が５原子％より小さい
場合には感光性樹脂(アクリル樹脂)４４に対するＭoＮ
層４５の密着力は低く、実用的ではない。また、３０原
子％より大きい場合にはエッチングレートが低下してし
まい、エッチング処理に時間を要してしまう。その場合
には、ＭoＮ層４５と反射電極４６とのパターニング工
程のスループットが悪化してしまう。すなわち、本実施
の形態においては、ＭoＮ膜４５におけるＮ2の含有量を
５原子％以上且つ３０原子％以下にすることによって、
感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得
ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制し
てパターニング工程のスループットの悪化を防止できる
のである。
５を成膜する場合、Ｎ2の含有量が５原子％より小さい
場合には感光性樹脂(アクリル樹脂)４４に対するＭoＮ
層４５の密着力は低く、実用的ではない。また、３０原
子％より大きい場合にはエッチングレートが低下してし
まい、エッチング処理に時間を要してしまう。その場合
には、ＭoＮ層４５と反射電極４６とのパターニング工
程のスループットが悪化してしまう。すなわち、本実施
の形態においては、ＭoＮ膜４５におけるＮ2の含有量を
５原子％以上且つ３０原子％以下にすることによって、
感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得
ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制し
てパターニング工程のスループットの悪化を防止できる
のである。
【００４９】＜第２実施の形態＞図８は、本実施の形態
の液晶表示装置としての透過/反射両用型液晶表示装置
の画素領域部分における平面図である。また、図９は、
図８におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。
の液晶表示装置としての透過/反射両用型液晶表示装置
の画素領域部分における平面図である。また、図９は、
図８におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。
【００５０】本実施の形態における透過/反射両用型液
晶表示装置においては、図９に示すように、絶縁性基板
２上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ３が形成され
ている。そして、このＴＦＴ３を含む絶縁性基板２上に
は、凹凸形状を有する層間絶縁膜としての感光性樹脂
４,ＭoＮ膜５及び反射電極６が順次形成されて、透過/
反射両用基板１を構成している。さらに、絶縁性基板２
上には透明電極７が形成されている。尚、上記ＭoＮ層
５は、密着力を有して耐電食機能を備えている。また、
反射電極６はＡlで形成され、透明電極７はＩＴＯで形
成されている。そして、反射電極６および透明電極７に
よって、画素領域の反射部および透過部を構成している
のである。
晶表示装置においては、図９に示すように、絶縁性基板
２上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ３が形成され
ている。そして、このＴＦＴ３を含む絶縁性基板２上に
は、凹凸形状を有する層間絶縁膜としての感光性樹脂
４,ＭoＮ膜５及び反射電極６が順次形成されて、透過/
反射両用基板１を構成している。さらに、絶縁性基板２
上には透明電極７が形成されている。尚、上記ＭoＮ層
５は、密着力を有して耐電食機能を備えている。また、
反射電極６はＡlで形成され、透明電極７はＩＴＯで形
成されている。そして、反射電極６および透明電極７に
よって、画素領域の反射部および透過部を構成している
のである。
【００５１】また、上記透過/反射両用基板１に対向す
るカラーフィルタ基板８上には、カラーフィルタ層９と
透明電極１０とが順次形成されている。そして、透明電
極１０側を反射電極６側に向けて互いに対向した透過/
反射両用基板１とカラーフィルタ基板８との間には、液
晶層１１が設けられている。また、両基板１,８の外側
には、位相差板１２,１２と偏光板１３,１３とが配置さ
れている。さらに、透過/反射両用基板１側の最も外側
には、バックライト１４が配置されている。
るカラーフィルタ基板８上には、カラーフィルタ層９と
透明電極１０とが順次形成されている。そして、透明電
極１０側を反射電極６側に向けて互いに対向した透過/
反射両用基板１とカラーフィルタ基板８との間には、液
晶層１１が設けられている。また、両基板１,８の外側
には、位相差板１２,１２と偏光板１３,１３とが配置さ
れている。さらに、透過/反射両用基板１側の最も外側
には、バックライト１４が配置されている。
【００５２】尚、本実施の形態においては、液晶表示モ
ードとして偏光モードを使用しているが、この発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、ゲストホストモ
ードを使用すれば、位相差板１２および偏光板１３は省
略することが可能になる。
ードとして偏光モードを使用しているが、この発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、ゲストホストモ
ードを使用すれば、位相差板１２および偏光板１３は省
略することが可能になる。
【００５３】上述のごとく、図８および図９に示すよう
に、ガラス等で成る絶縁性基板２上にＴＦＴ３が形成さ
れている。このＴＦＴ３は、絶縁性基板２上に、走査信
号線であるゲートバスライン１５、このゲートバスライ
ン１５から分岐したＴaで成るゲート電極１７、ＳiＮx
で成るゲート絶縁層１８、ａ‐Ｓiで成る半導体層１
９、ｎ型ａ‐Ｓiで成るｎ型半導体層２０、データバス
ライン１６、このデータバスライン１６から分岐したＴ
aとＩＴＯとの積層膜で成るソース電極２１、ＴaとＩＴ
Ｏとの積層膜で成るドレイン電極２２等が順次成膜され
て構成される。このＴＦＴ３は、ドレイン電極２２をデ
ータバスライン１６に接続するスイッチング素子として
機能する。尚、２３は、半導体層１９に形成されるチャ
ネル領域である。
に、ガラス等で成る絶縁性基板２上にＴＦＴ３が形成さ
れている。このＴＦＴ３は、絶縁性基板２上に、走査信
号線であるゲートバスライン１５、このゲートバスライ
ン１５から分岐したＴaで成るゲート電極１７、ＳiＮx
で成るゲート絶縁層１８、ａ‐Ｓiで成る半導体層１
９、ｎ型ａ‐Ｓiで成るｎ型半導体層２０、データバス
ライン１６、このデータバスライン１６から分岐したＴ
aとＩＴＯとの積層膜で成るソース電極２１、ＴaとＩＴ
Ｏとの積層膜で成るドレイン電極２２等が順次成膜され
て構成される。このＴＦＴ３は、ドレイン電極２２をデ
ータバスライン１６に接続するスイッチング素子として
機能する。尚、２３は、半導体層１９に形成されるチャ
ネル領域である。
【００５４】上記ドレイン電極２２の延長部はＩＴＯの
みで形成されており、このＩＴＯ部分が画素電極の一部
を構成する透明電極７となっている。また、上述のよう
に上記画素電極の一部を構成する反射電極６は、ＭoＮ
層５およびコンタクトホール２４を介してドレイン電極
２２に接続されており、層間絶縁膜としての感光性樹脂
４を介して透明電極７上に延在している。尚、ＭoＮ層
５のＮ2含有量は、上記第１実施の形態と同様に５％以
上且つ３０％以下である。
みで形成されており、このＩＴＯ部分が画素電極の一部
を構成する透明電極７となっている。また、上述のよう
に上記画素電極の一部を構成する反射電極６は、ＭoＮ
層５およびコンタクトホール２４を介してドレイン電極
２２に接続されており、層間絶縁膜としての感光性樹脂
４を介して透明電極７上に延在している。尚、ＭoＮ層
５のＮ2含有量は、上記第１実施の形態と同様に５％以
上且つ３０％以下である。
【００５５】次に、本透過/反射両用型液晶表示装置に
おける透過/反射両用基板１の製造工程、特に感光性樹
脂４上に対するＭoＮ層(凹凸形状を有して密着力を持つ
電食防止膜)５およびＡlで成る反射電極６の形成工程に
ついて説明する。図１０は、図９における透過/反射両
用基板１の製造工程を示すプロセス断面図である。尚、
本実施の形態においても、上記第１実施の形態の場合と
同様に、端子部電極とＩＴＯから成る端子部接続電極部
との２層構成を有する信号入力端子部を備えている。し
かしながら、この信号入力端子部に対する製造プロセス
は上記第１実施の形態の場合と同じであるため図１０に
おいては省略し、画素領域のみを記載している。
おける透過/反射両用基板１の製造工程、特に感光性樹
脂４上に対するＭoＮ層(凹凸形状を有して密着力を持つ
電食防止膜)５およびＡlで成る反射電極６の形成工程に
ついて説明する。図１０は、図９における透過/反射両
用基板１の製造工程を示すプロセス断面図である。尚、
本実施の形態においても、上記第１実施の形態の場合と
同様に、端子部電極とＩＴＯから成る端子部接続電極部
との２層構成を有する信号入力端子部を備えている。し
かしながら、この信号入力端子部に対する製造プロセス
は上記第１実施の形態の場合と同じであるため図１０に
おいては省略し、画素領域のみを記載している。
【００５６】先ず、図１０(a)に示すように、上記ＴＦ
Ｔ３および透明電極７が形成された絶縁性基板２の表面
に、層間絶縁膜としての感光性樹脂４を１μm〜５μmの
厚さに塗布する。本実施の形態においては４μmで成膜
した。そして、この状態で、図１１に示すような第１フ
ォトマスク２５を配置して、５２mｊで第１の露光を行
う。次に、図１０(b)に示すように、図１２に示すよう
な第２フォトマスク２６を配置して第２の露光を行う。
Ｔ３および透明電極７が形成された絶縁性基板２の表面
に、層間絶縁膜としての感光性樹脂４を１μm〜５μmの
厚さに塗布する。本実施の形態においては４μmで成膜
した。そして、この状態で、図１１に示すような第１フ
ォトマスク２５を配置して、５２mｊで第１の露光を行
う。次に、図１０(b)に示すように、図１２に示すよう
な第２フォトマスク２６を配置して第２の露光を行う。
【００５７】ここで、上記第１フォトマスク２５は、図
１１に示すように、ＴＦＴ３に対応する領域２７は完全
に遮光し、コンタクトホール２４に対応する領域２８お
よび上記透過領域に対応する領域２９は完全に開口し、
その他の領域には円形遮光部３０を散在させて構成され
ている。また、第２フォトマスク２６は、図１２に示す
ように、コンタクトホール２４に対応する領域３１およ
び上記透過領域に対応する領域３２のみを完全に開口し
て構成されている。
１１に示すように、ＴＦＴ３に対応する領域２７は完全
に遮光し、コンタクトホール２４に対応する領域２８お
よび上記透過領域に対応する領域２９は完全に開口し、
その他の領域には円形遮光部３０を散在させて構成され
ている。また、第２フォトマスク２６は、図１２に示す
ように、コンタクトホール２４に対応する領域３１およ
び上記透過領域に対応する領域３２のみを完全に開口し
て構成されている。
【００５８】そうした後に、絶縁性基板２上の感光性樹
脂４を現像する。そうすると、上記第１の露光のみによ
って光が照射された領域の感光性樹脂４は、１回だけの
露光であるため露光強度が弱い。したがって、完全に除
去されることはなく、且つ、両フォトマスク２５,２６
で覆われて全く露光されていない領域(ＴＦＴ３上の領
域)よりも１０〜５０％膜減りする。その結果、図１０
(c)に示すように、表面に凹凸形状が形成された状態と
なる。
脂４を現像する。そうすると、上記第１の露光のみによ
って光が照射された領域の感光性樹脂４は、１回だけの
露光であるため露光強度が弱い。したがって、完全に除
去されることはなく、且つ、両フォトマスク２５,２６
で覆われて全く露光されていない領域(ＴＦＴ３上の領
域)よりも１０〜５０％膜減りする。その結果、図１０
(c)に示すように、表面に凹凸形状が形成された状態と
なる。
【００５９】これに対して、上記第１,第２の露光によ
って光が照射された領域(コンタクトホール２４形成部
と透過部との領域)の感光性樹脂４は、２回の露光であ
るため露光強度が強く、図１０(c)に示すように、完全
に除去されることになる。
って光が照射された領域(コンタクトホール２４形成部
と透過部との領域)の感光性樹脂４は、２回の露光であ
るため露光強度が強く、図１０(c)に示すように、完全
に除去されることになる。
【００６０】次に、図１０(d)に示すように、上述のご
とく滑らかな凹凸が形成された感光性樹脂４上に、Ｍo
ＮとＡlとをスパッタリングによって５００Å,１０００
Å程度の膜厚に順次形成する。そして、１つのＴＦＴ３
上に１つの反射電極６が存在するようにパターニングを
行い、ＭoＮ層５とＡlの反射電極６との積層膜を形成す
るのである。
とく滑らかな凹凸が形成された感光性樹脂４上に、Ｍo
ＮとＡlとをスパッタリングによって５００Å,１０００
Å程度の膜厚に順次形成する。そして、１つのＴＦＴ３
上に１つの反射電極６が存在するようにパターニングを
行い、ＭoＮ層５とＡlの反射電極６との積層膜を形成す
るのである。
【００６１】尚、上記ＭoＮ膜は、ＤＣマグネトロンス
パッタ法によって、１００sccmのＡr,４０sccmのＮ2に
よって、ガス圧が０.５Ｐaの雰囲気下で成膜する。ま
た、上記Ａl膜は、１００sccmのＡr、ガス圧が０.４Ｐa
の雰囲気下で成膜する。また、上記パターニングは、フ
ォトリソによるマスクパターン形成後、リン酸,硝酸,酢
酸および水からなる混合液によって上記ＭoＮ膜とＡl膜
との２層を同時にエッチングすることによって行う。
パッタ法によって、１００sccmのＡr,４０sccmのＮ2に
よって、ガス圧が０.５Ｐaの雰囲気下で成膜する。ま
た、上記Ａl膜は、１００sccmのＡr、ガス圧が０.４Ｐa
の雰囲気下で成膜する。また、上記パターニングは、フ
ォトリソによるマスクパターン形成後、リン酸,硝酸,酢
酸および水からなる混合液によって上記ＭoＮ膜とＡl膜
との２層を同時にエッチングすることによって行う。
【００６２】また、上記反射電極６は、コンタクトホー
ル２４を介してＴＦＴ３のドレイン電極２２に接続され
ると共に、感光性樹脂４上に形成された滑らかな凹凸に
沿って形成されている。したがって、表示に寄与する反
射電極６の表面にも、感光性樹脂４の凹凸に応じた不規
則な円形の凹凸が存在するのである。
ル２４を介してＴＦＴ３のドレイン電極２２に接続され
ると共に、感光性樹脂４上に形成された滑らかな凹凸に
沿って形成されている。したがって、表示に寄与する反
射電極６の表面にも、感光性樹脂４の凹凸に応じた不規
則な円形の凹凸が存在するのである。
【００６３】上述のように、本実施の形態においては、
透過/反射両用型液晶表示装置を作成するに際して、絶
縁性基板２上にＴＦＴ３及び透明電極７を形成し、さら
にＴＦＴ３を覆う反射部には層間絶縁膜としての感光性
樹脂４を成膜する。そして、円形遮光部３０が散在され
た第１フォトマスク２５と第２フォトマスク２６とで２
回の露光を行い、感光性樹脂４にコンタクトホール２４
および上記透過領域を形成すると共に、ＴＦＴ３以外の
領域に滑らかな凹凸を形成する。その後、上記凹凸が形
成された感光性樹脂４上にＭoＮ膜５および反射電極６
とを順次積層して、滑らかで高密度な凹凸を有する反射
電極６を形成するようにしている。
透過/反射両用型液晶表示装置を作成するに際して、絶
縁性基板２上にＴＦＴ３及び透明電極７を形成し、さら
にＴＦＴ３を覆う反射部には層間絶縁膜としての感光性
樹脂４を成膜する。そして、円形遮光部３０が散在され
た第１フォトマスク２５と第２フォトマスク２６とで２
回の露光を行い、感光性樹脂４にコンタクトホール２４
および上記透過領域を形成すると共に、ＴＦＴ３以外の
領域に滑らかな凹凸を形成する。その後、上記凹凸が形
成された感光性樹脂４上にＭoＮ膜５および反射電極６
とを順次積層して、滑らかで高密度な凹凸を有する反射
電極６を形成するようにしている。
【００６４】したがって、正反射成分が少なくペーパー
ホワイト表示が可能な反射電極６と透明電極７とを１つ
の画素領域内に有する透過/反射両用型基板１を形成す
ることができる。
ホワイト表示が可能な反射電極６と透明電極７とを１つ
の画素領域内に有する透過/反射両用型基板１を形成す
ることができる。
【００６５】その際に、上記Ａl膜である反射電極６
は、ＩＴＯ膜である透明電極７やＩＴＯとＴaとの２層
膜であるソース電極２１およびドレイン電極２２と、層
間絶縁膜としての感光性樹脂４およびＭoＮ膜５を介し
て対向している。したがって、ＭoＮ層５と反射電極６
との積層膜をパターニングするに際して、フォトリソに
よるレジスト膜の形成時にアルカリ系の現像液を使用し
ても、ＭoＮ層５の存在によってＩＴＯ膜とＡl膜との間
で電食現象は発生しないのである。
は、ＩＴＯ膜である透明電極７やＩＴＯとＴaとの２層
膜であるソース電極２１およびドレイン電極２２と、層
間絶縁膜としての感光性樹脂４およびＭoＮ膜５を介し
て対向している。したがって、ＭoＮ層５と反射電極６
との積層膜をパターニングするに際して、フォトリソに
よるレジスト膜の形成時にアルカリ系の現像液を使用し
ても、ＭoＮ層５の存在によってＩＴＯ膜とＡl膜との間
で電食現象は発生しないのである。
【００６６】また、上記説明では省略しているが、上記
感光性樹脂４上にＡl膜である反射電極６を成膜する際
にはＭoＮ膜５上に成膜している。そのために、上述の
ごとくＩＴＯから成る端子部接続電極部上に反射電極６
が成膜された場合には、端子部接続電極部(ＩＴＯ)とＡ
l膜(反射電極６)との間にはＭoＮ膜５が存在することに
なる。したがって、ＭoＮ層５と反射電極６との積層膜
をパターニングするに際してアルカリ系の現像液を使用
しても、ＭoＮ層５の存在によってＩＴＯ膜(端子部接続
電極部)とＡl膜(反射電極６)との間で電食現象は発生し
ないのである。
感光性樹脂４上にＡl膜である反射電極６を成膜する際
にはＭoＮ膜５上に成膜している。そのために、上述の
ごとくＩＴＯから成る端子部接続電極部上に反射電極６
が成膜された場合には、端子部接続電極部(ＩＴＯ)とＡ
l膜(反射電極６)との間にはＭoＮ膜５が存在することに
なる。したがって、ＭoＮ層５と反射電極６との積層膜
をパターニングするに際してアルカリ系の現像液を使用
しても、ＭoＮ層５の存在によってＩＴＯ膜(端子部接続
電極部)とＡl膜(反射電極６)との間で電食現象は発生し
ないのである。
【００６７】また、本実施の形態においても、上記Ｍo
Ｎ膜５におけるＮ2の含有量を５原子％以上で且つ３０
原子％以下にすることによって、感光性樹脂４に対する
ＭoＮ層５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッ
チングレートの低下を抑制してパターニング工程のスル
ープットの悪化を防止できるのである。
Ｎ膜５におけるＮ2の含有量を５原子％以上で且つ３０
原子％以下にすることによって、感光性樹脂４に対する
ＭoＮ層５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッ
チングレートの低下を抑制してパターニング工程のスル
ープットの悪化を防止できるのである。
【００６８】＜第３実施の形態＞上述したように、Ｎ2
含有量が５原子％以上且つ３０％以下であるＭoＮ層
は、高分子樹脂に対して高い密着力を得ることができ、
且つ、エッチングレートの低下を抑制してパターニング
工程のスループットの悪化を防止できる。本実施の形態
は、上記ＭoＮの利点を利用して、樹脂上にＭoＮの配線
パターンを形成して成る配線基板に関する。
含有量が５原子％以上且つ３０％以下であるＭoＮ層
は、高分子樹脂に対して高い密着力を得ることができ、
且つ、エッチングレートの低下を抑制してパターニング
工程のスループットの悪化を防止できる。本実施の形態
は、上記ＭoＮの利点を利用して、樹脂上にＭoＮの配線
パターンを形成して成る配線基板に関する。
【００６９】図１３は、本実施の形態の配線基板の部分
断面図である。７１はＰＥＴフィルムであり、７２はＭ
oＮ配線であり、７３はＭo配線である。上記構成の配線
基板は、次のようにして形成される。
断面図である。７１はＰＥＴフィルムであり、７２はＭ
oＮ配線であり、７３はＭo配線である。上記構成の配線
基板は、次のようにして形成される。
【００７０】先ず、上記ＰＥＴフィルム７１上に、Ａr
ガス流量１００sccm,Ｎ2ガス流量４０sccm,真空度０.５
０Ｐaの雰囲気で、ＭoＮ膜を成膜する。さらに、Ａrガ
ス流量１００sccm,真空度０.５０Ｐaの雰囲気で、Ｍo膜
を約１０００Åの膜厚で成膜する。その後、フォトリソ
およびエッチングを行って上記ＭoＮ膜およびＭo膜を所
定の配線形状にパターンニングする。こうして、ＭoＮ
配線７２およびＭo配線７３が形成されるのである。
ガス流量１００sccm,Ｎ2ガス流量４０sccm,真空度０.５
０Ｐaの雰囲気で、ＭoＮ膜を成膜する。さらに、Ａrガ
ス流量１００sccm,真空度０.５０Ｐaの雰囲気で、Ｍo膜
を約１０００Åの膜厚で成膜する。その後、フォトリソ
およびエッチングを行って上記ＭoＮ膜およびＭo膜を所
定の配線形状にパターンニングする。こうして、ＭoＮ
配線７２およびＭo配線７３が形成されるのである。
【００７１】ここで、上記ＭoＮ配線７２とＭo配線７３
との二層構造に成膜するのは、ＭoＮ配線７２のみでは
抵抗値が高く、単独では配線として使用することが不可
能であるためである。尚、本実施の形態におけるＭoＮ
膜形成時のＮ2ガス流量は、４０sccmに限定するもので
はなく、上記第１,第２実施の形態の場合と同様に、２
０sccm以上で且つ１００sccmの範囲であればよい。そう
することによって、ＭoＮ膜におけるＮ2含有量を５原子
％以上で且つ３０原子％以下にすることができる。その
結果、ＰＥＴフィルム７１に対するＭoＮ配線７２の高
い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの
低下を抑制してパターニング工程のスループットの悪化
を防止できるのである。また、得られた配線基板の用途
は特に限定するものではないが、上記第１,第２実施の
形態の液晶表示装置に適用しても差し支えない。
との二層構造に成膜するのは、ＭoＮ配線７２のみでは
抵抗値が高く、単独では配線として使用することが不可
能であるためである。尚、本実施の形態におけるＭoＮ
膜形成時のＮ2ガス流量は、４０sccmに限定するもので
はなく、上記第１,第２実施の形態の場合と同様に、２
０sccm以上で且つ１００sccmの範囲であればよい。そう
することによって、ＭoＮ膜におけるＮ2含有量を５原子
％以上で且つ３０原子％以下にすることができる。その
結果、ＰＥＴフィルム７１に対するＭoＮ配線７２の高
い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの
低下を抑制してパターニング工程のスループットの悪化
を防止できるのである。また、得られた配線基板の用途
は特に限定するものではないが、上記第１,第２実施の
形態の液晶表示装置に適用しても差し支えない。
【００７２】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
配線板は、配線を構成する金属膜における少なくとも上
記絶縁膜と接する側にＭoＮ膜が形成されているので、
上記絶縁膜としてＰＥＴフィルムを用いた場合であって
も、上記ＰＥＴフィルムと金属膜(配線)との密着性を向
上することができる。したがって、製品歩留りおよび信
頼性を向上できる。
配線板は、配線を構成する金属膜における少なくとも上
記絶縁膜と接する側にＭoＮ膜が形成されているので、
上記絶縁膜としてＰＥＴフィルムを用いた場合であって
も、上記ＰＥＴフィルムと金属膜(配線)との密着性を向
上することができる。したがって、製品歩留りおよび信
頼性を向上できる。
【００７３】また、上記第１の発明の配線基板は、上記
ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０％以
下にすれば、上記ＭoＮ膜の窒素含有量を５％以上にし
て上記ＭoＮ膜と金属膜との密着性を十分に向上でき
る。また、上記窒素含有量を３０％以下にして上記Ｍo
Ｎ膜のエッチングレートの低下を抑制できる。したがっ
て、上記金属膜のエッチング処理に時間を要することに
よるパターニング工程のスループットの悪化を防止でき
る。
ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０％以
下にすれば、上記ＭoＮ膜の窒素含有量を５％以上にし
て上記ＭoＮ膜と金属膜との密着性を十分に向上でき
る。また、上記窒素含有量を３０％以下にして上記Ｍo
Ｎ膜のエッチングレートの低下を抑制できる。したがっ
て、上記金属膜のエッチング処理に時間を要することに
よるパターニング工程のスループットの悪化を防止でき
る。
【００７４】また、第２の発明の液晶表示装置は上記第
１の発明の配線基板を備えたので、上記絶縁膜上に密着
性よく配線が形成されている。したがって、液晶表示装
置の製品歩留りおよび信頼性を向上できる。
１の発明の配線基板を備えたので、上記絶縁膜上に密着
性よく配線が形成されている。したがって、液晶表示装
置の製品歩留りおよび信頼性を向上できる。
【００７５】また、第３の発明の液晶表示装置は、画素
領域内に設けられた反射金属膜は、基板側から絶縁膜お
よびＭoＮ膜の順に積層されて成る積層構造体上に形成
されているので、上記絶縁膜と反射金属膜との間には、
上記絶縁膜との密着性が高いＭoＮ膜を介在させること
ができる。したがって、上記絶縁膜としてアクリル樹脂
を用いた場合であっても、上記アクリル樹脂と反射金属
膜との密着性を向上できる。
領域内に設けられた反射金属膜は、基板側から絶縁膜お
よびＭoＮ膜の順に積層されて成る積層構造体上に形成
されているので、上記絶縁膜と反射金属膜との間には、
上記絶縁膜との密着性が高いＭoＮ膜を介在させること
ができる。したがって、上記絶縁膜としてアクリル樹脂
を用いた場合であっても、上記アクリル樹脂と反射金属
膜との密着性を向上できる。
【００７６】すなわち、この発明によれば、上記反射金
属膜がアクリル樹脂から剥がれることを防止して、製品
歩留りおよび信頼性の高い液晶表示装置を提供すること
ができるのである。
属膜がアクリル樹脂から剥がれることを防止して、製品
歩留りおよび信頼性の高い液晶表示装置を提供すること
ができるのである。
【００７７】また、上記第３の発明の液晶表示装置は、
上記ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０
％以下にすれば、上記ＭoＮ膜における窒素含有量を５
％以上にして上記絶縁膜と反射金属膜との密着性を十分
向上できる。また、上記窒素含有量を３０％以下にして
エッチングレートの低下を抑制できる。したがって、上
記ＭoＮ膜および反射金属膜のエッチング処理に時間を
要することによるパターニング工程のスループットの悪
化を防止できる。
上記ＭoＮ膜の窒素含有量(原子％)を５％以上且つ３０
％以下にすれば、上記ＭoＮ膜における窒素含有量を５
％以上にして上記絶縁膜と反射金属膜との密着性を十分
向上できる。また、上記窒素含有量を３０％以下にして
エッチングレートの低下を抑制できる。したがって、上
記ＭoＮ膜および反射金属膜のエッチング処理に時間を
要することによるパターニング工程のスループットの悪
化を防止できる。
【００７８】また、上記第３の発明の液晶表示装置は、
上記反射金属膜を、上記液晶層に電圧を印加するための
電極を兼ねるように成せば、上記絶縁膜と反射/画素電
極との密着性を向上させて、製品歩留りおよび信頼性の
高い反射型の液晶表示装置を提供できる。
上記反射金属膜を、上記液晶層に電圧を印加するための
電極を兼ねるように成せば、上記絶縁膜と反射/画素電
極との密着性を向上させて、製品歩留りおよび信頼性の
高い反射型の液晶表示装置を提供できる。
【００７９】また、上記第３の発明の液晶表示装置は、
上記反射金属膜が形成されている側の基板上にＩＴＯ膜
(ドライバとの接続端子や透明電極)を形成すれば、上記
反射金属膜としてＡl系金属膜を上記ＩＴＯ膜上に形成
してパターニングを行う場合でも、上記Ａl系金属膜と
ＩＴＯ膜との間には上記Ｍo膜が形成されているため、
上記Ａl系金属とＩＴＯとの電食反応を防止できる。
上記反射金属膜が形成されている側の基板上にＩＴＯ膜
(ドライバとの接続端子や透明電極)を形成すれば、上記
反射金属膜としてＡl系金属膜を上記ＩＴＯ膜上に形成
してパターニングを行う場合でも、上記Ａl系金属膜と
ＩＴＯ膜との間には上記Ｍo膜が形成されているため、
上記Ａl系金属とＩＴＯとの電食反応を防止できる。
【図１】 この発明の液晶表示装置としての反射型液晶
表示装置の画素領域部分における平面図である。
表示装置の画素領域部分における平面図である。
【図２】 図１における反射基板を含む縦断面図であ
る。
る。
【図３】 ＭoＮ膜の成膜時におけるＮ2の流量と密着力
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図４】 反射基板の製造工程を示すプロセス断面図で
ある。
ある。
【図５】 図４に続く示すプロセス断面図である。
【図６】 図４における第１フォトマスクの平面図であ
る。
る。
【図７】 図４における第２フォトマスクの平面図であ
る。
る。
【図８】 この発明の液晶表示装置としての透過/反射
両用型液晶表示装置の画素領域部分における平面図であ
る。
両用型液晶表示装置の画素領域部分における平面図であ
る。
【図９】 図８におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。
【図１０】 図９における透過/反射両用基板の製造工
程を示すプロセス断面図である。
程を示すプロセス断面図である。
【図１１】 図１０における第１フォトマスクの平面図
である。
である。
【図１２】 図１０における第２フォトマスクの平面図
である。
である。
【図１３】 この発明の配線基板における部分断面図で
ある。
ある。
１…透過/反射両用基板、 ２,４２…絶縁性基板、 ３,４３…ＴＦＴ、 ４,４４…感光性樹脂、 ５,４５…ＭoＮ膜、 ６,４６…反射電極、 ７,１０…透明電極、 ８…カラーフィルタ基板、 １１…液晶層、 １７,４８…ゲート電極、 １９,５０…半導体層、 ２０,５１…ｎ型半導体層、 ２１,５３…ソース電極、 ２２,５４…ドレイン電極、 ２４,６６…コンタクトホール、 ２５,６１…第１フォトマスク、 ２６,６５…第２フォトマスク、 ３０,６２…円形遮光部、 ４１…反射基板、 ５６…信号入力端子部、 ５７…端子部電極、 ５８…端子部接続電極部、 ６９…フォトレジスト、 ７１…ＰＥＴフィルム、 ７２…ＭoＮ配線、 ７３…Ｍo配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 尚幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HD05 HD08 LA01 LA20 2H092 HA05 HA06 JA24 JB07 KA05 KA12 KA18 KB25 MA05 MA13 MA18 NA17 NA18 NA27 NA28 NA29 PA08 PA10 PA12 PA13 5C094 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 DA13 DB04 EA04 EA05 EA06 EB02 ED11 ED13 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA01
Claims (9)
- 【請求項１】 金属膜と、この金属膜に接する絶縁膜を
有する配線板において、 上記金属膜における少なくとも上記絶縁膜と接する側
に、窒化モリブデン膜が形成されていることを特徴とす
る配線基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の配線基板において、 上記窒化モリブデン膜は、窒素含有量(原子％)が５％以
上且つ３０％以下であることを特徴とする配線基板。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の配線
基板において、 上記絶縁膜は、支持基板を兼ねていることを特徴とする
配線基板。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３の何れか１つに記
載の配線基板において、 上記絶縁膜は、高分子樹脂からなることを特徴とする配
線基板。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４の何れか１つに記
載の配線基板を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 一対の基板間に液晶層が挟持され、この
液晶層が複数に分割されて成る画素領域内に光反射機能
を有する反射金属膜を備えて、上記画素領域毎に上記液
晶層に印加する電圧が制御される液晶表示装置におい
て、 上記反射金属膜は、上記基板側から絶縁膜および窒化モ
リブデン膜の順に積層されて成る積層構造体上に形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の液晶表示装置におい
て、 上記窒化モリブデン膜は、窒素含有量(原子％)が５％以
上且つ３０％以下であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項８】 請求項６あるいは請求項７に記載の液晶
表示装置において、 上記反射金属膜は、上記液晶層に電圧を印加するための
電極を兼ねていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項６乃至請求項８の何れか１つに記
載の液晶表示装置において、 上記反射金属膜が形成されている側の基板上には、イン
ジュウム錫酸化膜が形成されていることを特徴とする液
晶表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257232A JP3488681B2 (ja) | 1999-10-26 | 2000-08-28 | 液晶表示装置 |
| KR1020000062922A KR20010040173A (ko) | 1999-10-26 | 2000-10-25 | 패터닝된 기판 및 그를 포함하는 액정 표시장치 |
| TW89122551A TW479214B (en) | 1999-10-26 | 2000-10-26 | Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith |
| US09/696,220 US7029727B1 (en) | 1999-10-26 | 2000-10-26 | Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith |
| KR10-2003-0044155A KR100473359B1 (ko) | 1999-10-26 | 2003-07-01 | 패터닝된 기판 |
| KR1020030099670A KR20040005807A (ko) | 1999-10-26 | 2003-12-30 | 액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-303823 | 1999-10-26 | ||
| JP30382399 | 1999-10-26 | ||
| JP2000257232A JP3488681B2 (ja) | 1999-10-26 | 2000-08-28 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003320073A Division JP2004004992A (ja) | 1999-10-26 | 2003-09-11 | 配線板および液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001194677A true JP2001194677A (ja) | 2001-07-19 |
| JP3488681B2 JP3488681B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=26563645
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000257232A Expired - Fee Related JP3488681B2 (ja) | 1999-10-26 | 2000-08-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7029727B1 (ja) |
| JP (1) | JP3488681B2 (ja) |
| KR (3) | KR20010040173A (ja) |
| TW (1) | TW479214B (ja) |
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| JP2004093746A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
| KR100433805B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| WO2004061521A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | 電子装置製造方法及び電子装置 |
| US6882394B2 (en) | 2002-05-30 | 2005-04-19 | Fujitsu-Display Technologies Corporation | Reflective liquid crystal display including a step of applying charged particles on the organic resin and film method of manufacturing |
| KR100487899B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2005-05-06 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100811646B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2008-03-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100848086B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100934710B1 (ko) | 2002-12-30 | 2009-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
| CN1499274B (zh) * | 2002-10-31 | 2010-06-23 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置和电子设备 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4583650B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2010-11-17 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | カラー液晶パネル、その製造方法及びカラー液晶表示装置 |
| KR100806888B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2008-02-22 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| KR20030044518A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 에이유 오프트로닉스 코퍼레이션 | 거친 확산기를 갖는 반사형 ｔｆｔ-ｌｃｄ 제조 방법 |
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- 2000-08-28 JP JP2000257232A patent/JP3488681B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-25 KR KR1020000062922A patent/KR20010040173A/ko active Search and Examination
- 2000-10-26 US US09/696,220 patent/US7029727B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-26 TW TW89122551A patent/TW479214B/zh not_active IP Right Cessation
-
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- 2003-07-01 KR KR10-2003-0044155A patent/KR100473359B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3488681B2 (ja) | 2004-01-19 |
| KR20030063284A (ko) | 2003-07-28 |
| KR20040005807A (ko) | 2004-01-16 |
| TW479214B (en) | 2002-03-11 |
| US7029727B1 (en) | 2006-04-18 |
| KR100473359B1 (ko) | 2005-03-14 |
| KR20010040173A (ko) | 2001-05-15 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071031 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101031 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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