TW479214B - Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith - Google Patents

Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith Download PDF

Info

Publication number
TW479214B
TW479214B TW89122551A TW89122551A TW479214B TW 479214 B TW479214 B TW 479214B TW 89122551 A TW89122551 A TW 89122551A TW 89122551 A TW89122551 A TW 89122551A TW 479214 B TW479214 B TW 479214B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
liquid crystal
reflective
substrate
crystal display
Prior art date
Application number
TW89122551A
Other languages
English (en)
Inventor
Masafumi Ogura
Yoshiharu Kataoka
Naoyuki Shimada
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW479214B publication Critical patent/TW479214B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/05—Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/05—Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
    • C09K2323/051—Inorganic, e.g. glass or silicon oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/06—Substrate layer characterised by chemical composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/06—Substrate layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/061—Inorganic, e.g. ceramic, metallic or glass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/28—Adhesive materials or arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

479214 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_；_ 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明有關一種經圖型化之基材及使用彼者之液晶顯示 器。本發明所述之經圖型化基材係意指導電性材料經圖型 化基材。 因爲近年來辦公室自動化設備諸如個人電腦等設備已逐 漸變成攜帶式，故重點係於低成本下製造使用於該種辦公 室自動化設備中之顯示裝置。此種顯示裝置係藉著於一對 上層形成有電極之基材間夾置具有電光學性質之顯示媒體 而形成。於此等電極間施加電壓，以改變該顯示媒體之電 光性質，而進行顯示。 主動式陣列型顯示裝置因爲其顯示性能而成爲主流。該 主動式陣列型顯示裝置中，每個像素皆具有可增加掃描線 數目之切換元件。使用可增加前述掃描線等之數目的技術 ，可達成較高解析度、較高光學反差比、更多階度、及更 寬幅之可見角度。 該主動式陣列型液晶顯示器中，像素電極係經由主動元 件（前述切換元件）電聯。該主動元件係包括雙接頭非線性元 件（MIM)及三接頭非線性元件。目前使用之主動元件一般係 爲薄膜電晶體（TFT)，其係爲三接頭非線性元件。 近年來，隨著低能量消耗電極之需求的增加，逐漸發展 反射型液晶顯示器及反射型/透射型液晶顯示器以取代通常 需要後照光之透射型液晶顯示器。 爲了於反射型液晶頭TF备中付到明党之頭不’放大反射 型電極面積。此外，就反射型電極而言，A1薄膜係形成於 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 五、發明說明（2 ) 具有多個形成於其上層以散射入射光之凹陷部分及隆突部 分的樹脂膜上。而且，傳遞圖像信號之線路及用以驅動液 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶顯tf器之驅動器係使用供透明電極部分等使用之IT〇（氧 化鋼錫）連接，以防止因後續處理期間之氧化而產生較高之 電阻。 然而，前述習用液晶顯示器具有下述問題。即，藉著於 七述上層形成有多個凹陷部分及隆突部分之樹脂膜上形成 Α1金屬膜而形成反射型電極時，無法部分地形成A1金屬膜 ’尤其是大量生產時，除非使用特，定之膜形成方法，諸如 掩模沉積等方法。因此，於液晶顯示面板包括氧化銦錫 (ITO)部分之整體表面，諸如用以連接線路及驅動器、透明 電極等之接頭部分上形成該A1屬膜。然而，當此種反射型 電極膜（A1金屬膜）進行圖型化時，導致以下問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當該A1膜於層壓該氧化銦錫（IT0)膜及該Ai膜之情況下經 蚀刻以成爲預定形狀時，進行微影法。此種情況下，進行 曝光及顯影以形成抗蝕劑薄膜時，因爲使用鹼顯影劑而於 該氧化銦錫（ΙΤΟ)膜與該Α1膜之間構成電池。結果，該Α1膜 及S氧化銦錫（Iτ〇)膜被腐蚀及溶化，而降低良率。此種現 象稱爲電解腐蝕，不僅發生於氧化銦錫（ΙΤ〇）膜與Α1膜組合 之情況’亦發生於使用驗顯影劑而導致電池反應之任何組 合情況。 爲了解決此種電解腐蝕之問題，有一種建議是於形成金 屬膜諸如Α1等薄膜前先形成Mo(鉬）薄膜，以製得雙層結構 。根據此種技術，可連續地形成該A1層及Mo層。而且，因 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
479214 五、發明說明（3 ) 爲該兩層錢用包含⑽、确酸' 乙酸及水之液體混合物 同時蝕刻，故反射型電極膜（A1膜）可經圖型化，而不增加程 序數目或導致電解腐蝕。 而且，若使形成於該樹脂膜上作爲反射型電極或透明導 電膜之金屬膜A1等進行圖型化，則該金屬膜經常剝落，因 爲咸树如膜與該金屬膜之間的黏著性因爲該樹脂膜被抗蝕 劑移除劑潤脹而變弱。當該M〇膜形成於丙烯酸樹脂上而經 圖土化之後，削述Mo層亦於剝離試驗時自該樹脂膜剝離。 結果，降低良率。 - 遇常，於絕緣體諸如聚合物膜等物上提供金屬線路時， 問題在於該聚合物膜與該金屬膜之間的黏著性弱。因此， 傳統上進行各式各樣之嚐試。例如，形成金屬膜時，顯然 濺鍍較蒸汽沉積更有效於得到強黏著性。然而，即使藉濺 鍍形成前述Mo膜，仍存有無法得到充分之黏著性的問題。 發明概述 是故，本發明目的係於高產品良率及可信度下提出一種 經圖型化基材及具有該基材之顯示器，其係改善形成於該 絕緣膜上之金屬膜對於該絕緣膜之黏著性。 爲了達到前述目的，本發明提出一種經圖型化基材，其 包括：一金屬膜，一與該金屬膜相鄰之絕緣膜，及一氮化 翻薄膜，至少形成於該金屬膜與該絕緣膜接觸之側面上。 根據酌述結構’當Mo之結晶結構藉著將M〇氮化而改變時 ’改吾其與包含聚合物樹脂等物之絕緣膜的黏著性。M〇N 薄膜係至少形成於構成電極或線路之金屬膜與該絕緣膜接 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « — — — — — — I —
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^_I___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479214 Α7 _ Β7 發明說明（4 ) 觸之侧面上。因此，即使使用聚對苯二甲酸乙二酯（PET)膜 作爲絕緣膜，該聚對苯二甲酸乙二酯PET膜與該金屬膜（線 路）間之&著性仍可改善，而改善該產品良率及可信度。 本發明之一具體實例中，氮化鉬膜具有介於5原子百分比 與3 0原子百分比之間並包括該兩値之氮含量。 根據前述結構，因爲該MoN膜中之氮含量係爲5原子百分 比或更咼’故該絕緣膜與該金屬膜間之黏著性可充分改善 。因爲該氮含量係爲30原子百分比或較低，故該m〇N膜之 蚀刻速率不降低。因此，防止該圖型化方法之通量因爲蝕 刻金屬膜之耗時過程而降低。 本發明之一具體實例中，液晶顯示器係具有前述經圖型 化基材。 根據前述結構，因爲線路係形成於具有較佳黏著性之絕 緣膜上，故改善液晶顯示器之產品良率及可信度。 本發明亦提出一種液晶顯示器，其包括：一對基材，夾 置於該對基材間之液晶層，一提供於至少一基材上之層壓 層，其中該層壓層係藉著將絕緣膜及氮化鉬膜層壓於該基 材上而形成，及一反射型金屬膜，其具有反射功能，且位 於藉著將液晶層分割成多個區段所得之像素區域中，其中 該反射型金屬膜係形成於層壓層上。 根據本發明，包含聚合物樹脂等物之絕緣膜與該膜間 之黏#性係藉著使Μ 〇氮化而改善。該Μ ο N膜及該反射型金 屬膜係連績層壓於該絕緣膜上。因此，即使使用丙晞酸樹 脂作爲絕緣膜，該丙烯酸樹脂與該反射型金屬膜間之黏著 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-ϋ n I n I n 一 δ、I ϋ I- -1 n t I I I
479214 Α7 Β7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（5 ) 性仍可改善’以改善該產品良率及可信度。 本發明之一具體貫例中，氮化鉬膜具有介於5原子百分比 及30原子百分比且包括兩値之氮含量。 根據前述結構’因爲該MoN膜之氮含量係爲5原子百分比 或較高’故可充分改善該絕緣膜與該反射型金屬膜間之黏 著性。因爲氮含昼係爲3 0原子百分比或較低，故該蚀刻速 率不降低。因此’防止該圖型化方法之通量因爲蝕刻該 MoN膜及反射型金屬膜之耗時過程而降低。 本發明心一具體貫例中，該反射型金屬膜係作爲用以施 加電壓:於該液晶層之電極。 根據前述結構’因爲絕緣膜與反射型/像素電極間之黏著 性改善’故可彳于到向產品良率及可信度之反射型液晶顯示 本發明之一具體實例中，於基材形成該反射型金屬膜之 側面上形成氧化銦錫膜。 根據别述結構’使用A1金屬膜作爲反射型金屬膜及氧化 銦錫（ITO)膜，作爲連接驅動器之接頭，並於該基材上形成 透明電極。即使形成於該氧化銦錫膜上之A1金屬膜進行圖 型化’仍可防止因爲該A1金屬膜與該氧化銦錫（ίτ〇）膜間形 成Mo膜’而於該Α1金屬膜與該氧化銦錫（ΙΤ〇）膜間產生電解 腐蝕。 圖式簡單説明 參知、以下附圖詳述而進一步明瞭本發明，其僅供説明， 而不限制本發明，其中： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
~ ϋ n 1 1_Β— 1 n n 一 ον f ϋ ·ϋ ·ϋ —amm n ϋ I I
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 " '"""一 ________ _________； 五、發明說明（6 ) 圖1係爲顯示作爲本發明液晶顯示器之反射蜇液晶顯示器 像素區的平面圖； 圖2 A係爲圖1之反射型基材之縱切面圖； 圖2B係爲信號輸入接頭之縱切面圖； 圖3係爲顯示形成m〇N膜期間於黏著性與n2流速之間的關 係之表； 圖4A至4K係爲顯示製造該反射型基材的方法之剖面圖； 圖5係爲顯示圖4B之第一個光罩之平面圖； 圖6係爲顯示圖4C中之第二個光罩·的平面圖； 圖7係爲顯示本發明中作爲液晶顯示器之透射型/反射型液 晶顯示器之像素區的平面圖； 圖8係爲沿著圖7之線A-A’所得的剖面圖； 圖9A至9D係爲顯示製造圖8之透射性/反射型基材之方法 的剖面圖； 圖係爲顯示圖9A中之第一個光罩的平面圖； 圖11係爲顯示圖9B中之第二個光罩的平面圖；且 圖12係爲本發明經圖型化基材之部分剖面圖。 較佳具體實例描述 下文參照附圖所示之具體實例詳述本發明，但本發明不 限於下文所述之具體實例。 [第一具體實例] 圖1係爲本發明作爲液晶顯示器之反射型液晶顯示器的像 素區之平面圖。圖2A係爲縱切圖，包括圖1中之反射型基 材〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479214 A7 B7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此具體實例之反射型液晶顯示器中，如圖2A所示，切換 元件用之薄腠電晶體（TFT) 43係形成於包含坡璃等物之絕緣 基材42上。此外，感光性樹脂44、ΜoN薄膜45及反射型電 極46係連續形成於包括此薄膜電晶體TFT之絕緣基材42上， 以構成具有光滑凹陷邵分及隆突部分之反射型基材4 1上。 該感光性樹脂44具有作爲具有凹陷部分及隆突部分之中間 層絕緣膜之功能。已知該MoN層45具有黏著性及電解腐蝕 防止功能。A1形成反射型電極46。 薄膜黾日曰a豆T F T 4 j藉著連績層壓閘極4 8、閘極絕緣層4 9 、半導體層50、η型半導體層51、數據匯流排線52 (未示）、 源極53及没極54於玻璃等絕緣基材42上而形成，如圖2八所 示。 該閘極48係包括Ta (鈕），由該閘極匯流排線47 —掃描信號 線一分支。該閘極絕緣層49係包含SiNx。該半導體層5〇係包 含a-Si (非晶矽）。該11型半導體層51係包含11型心以。該源極 53係包含氧化銦錫（it〇)，而自該數據匯流排線52分支。該 汲極54係包含Ti (鈦）等。編號55係表示蝕刻終止劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖2B所示，用以將信號輸入閘極匯流排線（未示）及源極 匯心排線（未示）之仏號輸入接頭5 6係由兩層接頭電極$ 7及接 頭連接電極5 8構成。該接頭電極5 7係包含τ a，與閘極匯流 排線47及閘極48同時地經圖型化。該接頭連接電極58係包 含氧化銦錫（ITO)。 iVIoN層45之結構係描述於下文。圖3係顯示當該m〇n膜45 形成於丙烯酸樹脂之感光性樹脂44上時，黏著性與n2 (氮） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 479214 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) 氣與Ar (氬）氣之成分比例—即Ν2/Αγ間之關係。 當該Μ 〇膜於1 〇 〇 s c c m (標準立方厘米每分鐘）流速下僅使 用Ar而形成於該感光性樹脂44上時，因下述之剝離試驗之 結果而剝除1〇〇方塊中之1〇〇個方塊。然而，當乂於2〇 sccn] 况速下添加於Ar時，僅剝除4 8個方塊，即，大幅改善該黏 著性。此外，當N2增加而於40 seem流速下添加時，未剝離 方塊。此情況下，使用Auger光譜系統偵測n2含量（原子百 分比）之結果，仏含量係約10百分比。 當N2於60 sccm、80 seem及100 sdem流速下添加於Ar時， 未與於40 seem流速下添加N2相同地有方塊剥離。已知當义 流速係爲80 sccm及1〇〇 sccm時，A含量（原子百分比）係個 別約25百分比及3 〇百分比。 前述剝離試驗係定義爲檢測該薄膜對於基材之黏著性強 度的試驗，其係將具有黏性之膠帶黏著於該基材上之薄膜 上，並於剥除該膠帶時檢測，不論該薄膜係停留於該基材 侧面上或黏著於該·膠帶上。詳言之， U)根據JIS標準（JIS K-5400)，上層形成有試驗薄膜之樹 脂膜係使用裁刀製造100個尺寸爲i乘i毫米之方塊而切開。 (2) 膠帶黏著於裁成方塊之試驗薄膜時， A狩疋剝離角 下剝除該膠帶。 (3) 之後，藉著檢測100個試驗薄膜方塊中古户，、 、 尾甲有多少万塊剥 而評估試驗薄膜與樹脂膜之間的黏著性。 -、坫丨、 一 有1即，右剥除100 万鬼，則砰估黏著性弱，而若無方塊剝離， 著性充足。 丄干估馬黏 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇 x 297公爱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479214 Α7 Β7 五、發明說明（） 使用Auger光譜系統測量該队含量之條件如下： -Auger 光譜系統：Perkin Elmer Instruments，Inc.製造之 SAM670 〇 - 電子束加速電壓：3仟伏特 電子束電流：2 2當微安培 - 電子束直徑：1600埃 - 電子束入射角：60° 前述結果顯示該感光性樹脂（丙烯酸樹脂）44與ΜοΝ層45 間之黏著性可藉著使形成於該感光性樹脂44上之Mo膜氮化 而增進。此情況下，該蝕刻速率因爲該Mo膜之氮化而降低 。如圖3所示，當N2之流速係爲0 seem時，Mo膜之蚀刻速率 最大。當N2之流速增加時，蝕刻速率降低。當N2之流速係 爲100 seem時，蝕刻速率係爲該流速係爲0 seem時之蝕刻速 率的三分之一。該蝕刻速率愈小，需要之蝕刻次數愈多， 而降低通量。因此，本發明中，通量降低至三分之一係構 成限制，而該ΜοΝ層中之N2含量係調至5原子百分比與30原 子百分比之間，並包括該兩値。 如前文所述，該Mo層係經氮化，以增加形成於該感光性 樹脂44上之Mo層的黏著性。此情況下，已知形成於該m〇n 膜45上作爲反射型電極46之Α1膜與該ΜοΝ膜間之黏著性不 比該Α1膜與該Mo膜間之黏著性弱。 下文描述於本發明反射型液晶顯示器中製造反射型基材 41之方法，尤其是於該感光性樹脂44及包含八丨之反射型電 極46上形成ΜοΝ層45 (電解腐蝕防止膜，具有用以得到黏著 -12 - 本紙張尺度朗巾國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） .IJ —»--------------^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479214 A7 五、發明說明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 性之凹陷部分及隆突部分）。K4Amk係爲顯示製造圖以 中反射型基材41之方法的剖面圖。已知顯示用以形成像素 區之方法的剖面圖係出示於圖之左側’而顯示形成信號輸 入接頭區之方法的剖面圖係出示於右側。 如圖4Α所示，作爲中間層絕緣膜而厚度爲1-5微米之正感 光性樹脂 44 (產品名稱：〇FpR_8〇〇, T〇ky。〇hka Co·,Ltd.製)係塗佈於絕緣基材42諸如玻璃等物上，其上 層形成有前述薄膜電晶體TFT 43 (未示於圖4八至4反）。該正 感光性樹脂44於此具體實例中係塗佈至厚度3微米。之後， 如圖4B所示，其中圖5所示之圓形遮光部分62於面積佔有率 介於20百分比及40百分比間且包括該兩値之間形成之第一 光掩模61係使用具有低照度之紫外光64均勻地進行第一次 曝光。之後，如圖4C所示，配置圖6所示之第二光罩幻，以 使用具有高照度之紫外光64進行接觸孔66形成部分之第二 次曝光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 忒第一光罩61係具有對應於薄膜電晶體43位置之遮光部 分（未出示於圖5)及對應於接觸孔66位置之開口位置（未出示 於圖5)。此外，孩圓形遮光部分62係任意配置使相鄰圓形 遮光部分62間之中心距離係介於5微米及5〇微米之間且包括 孩兩値，以10微米至20微米爲佳。已知編號63係表示圖5中 之透明部分。如圖6所示，第二光罩65具有開向該接觸孔％ 位置之透光部分67。光罩61、65兩者之結構皆係使信號輸 入接頭5 6與該透光邶分相符。因此，該信號輸入接頭5 6可 殺該接觸孔66曝光之同時藉紫外光64曝光。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —-—___B7_____ 五、發明說明（11 ) 之 ’ 如圖4D所示，使用 Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd.製 造之TMAH (氫氧化四甲基銨）作爲顯影劑進行顯影，以完 全移除前述高照度曝光部分（前述曝光兩次之接觸孔66及信 號輸入接頭56部分）之感光性樹脂44。該低照度曝光部分68 之感光性樹脂44 (藉前述第一次曝光曝光一次之透明部分 63)係保持該原始膜厚之約4〇百分比。未曝光部分之感光性 樹脂44 (薄膜電晶體TFT 43之部分及圓形遮光部分62)係保 持於原始膜厚之約80百分比。 結果，於200°C下進行熱處理60分鐘，以藉熱垂使該感光 性樹脂44變形，以於表面上形成光滑之凹陷部分及隆突部 分’如圖4E所示。之後，藉濺鍍於該絕緣基材42上個別形 成厚度爲500埃及1〇〇〇埃之m〇N膜45及A1膜46，如圖4F所示 。於氣壓爲0.5帕司卡之氛圍下於100 sCCm Ar及40 sctm N2 下藉DC磁控管濺鍍形成該m〇N膜45。A1膜46係於氣壓爲0.4 帕司卡之氛圍下使用100 seem之Ar形成。 之後，如圖4G至4Κ所示，進行圖型化，使得一薄膜電晶 體TFT 43上具有一反射型電極46。詳言之，爲了使層壓有 MoN膜45及反射型電極46之膜圖型化，施加光阻69，如圖 4G所示。之後，用以隔離個別像素電極及信號輸入接頭兄 之多孔部分使用紫外光64曝光，如圖4H之右側部分所示。 之後，如圖41至4K所示般地進行顯影方法、蝕刻方法及移 除方法。 藉前述方法可於高密度下形成具有光滑凹陷部分及隆突 邶分的反射型電極46。因爲該種反射型電極46係具有較少 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） _ ·ϋ ·ϋ ϋ n ϋ n ϋ J， ϋ ϋ n ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479214 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) 平面部分，故可達成具有較低鏡面反射型分量之理想反射 特性。而且’可減少用於感光性樹脂44之光方法數目，亦 可降低製造反射型電極46所需之成本。 最後’七述形成之反射型基材41 (未示於圖4八至4反）及用 以支撑孩透明電極（未出示於圖4八至4幻之濾色器基材係經 由間隔物層壓，而液晶係注射於此等基材之間。之後，將 相差板及偏光板層壓於濾色器基材上，以完成反射型液晶 顯示器。 如前文所述’製造反射型液晶顯·示器時，此具體實例中 薄膜電晶體TFT 43係形成於該絕緣基材42上，而該感光性
樹脂44膜係另外形成爲中間層絕緣膜，覆蓋薄膜電晶體TFT 43使用具有分散圓形遮光邵分62之第一光罩61及第二光 罩65進行兩次曝光，以於該感光性樹脂料中形成接觸孔66 並於薄膜電晶體43以外之區域上形成平滑之凹陷部分及隆 哭邰分。之後’ MoN膜45及反射型電極46係連續層壓於該 感光性樹脂44上，其上形成有凹陷部分及隆突部分，因此 形成具有咼密度平滑凹陷部分及隆突部分之反射型電極46。 因此’可形成具有反射型電極46之反射型基材41，其具 有極小之鏡面反射分量，而可於一像素區中達到紙白色顯 示。 此情況下’如圖4F所示，形成於該絕緣基材42之整體表 面上 < 反射型電極46膜係形成於該MoN膜45上。結果，該 MoN膜45係存在於包括A1膜之反射型電極46及包括構成信 號輸入接頭56之氧化銦錫（ΙΊΓ〇）的接頭連接電極58之間，如 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13 ) 圖4G所示。因此，當由MoN層45及該反射型電極46所形成 足層壓膜經圖型化時，該氧化銦錫（11[〇)膜與該八丨膜間因爲 存在MoN層45，故即使使用鹼顯影劑以藉微影術形成抗蝕 劑膜’仍不發生電解腐蚀。 如圖3所示，當“—膜45形成於感光性樹脂44上期間，凡 έ 1低於5原子百分比時，該m〇n層45相對於感光性樹脂44 (丙晞酸樹脂）之黏著性弱，無法實際應用。另一方面，當該 化含量高於30原子百分比時，蚀刻速率降低，而延長蝕刻 所需之時間。此情況下，使該MoN層45及該反射型電極46 圖型化之方法的通量受損。即，該MoN層45可相對於該感 光性樹脂44得到強黏著性，且該圖型化方法之通量的降低 可藉著使該N2含量介於5原子百分比及3 〇原子百分比之間且 包括邊兩値以防止银刻速率降低而預防。 .
[第二具體實例] 圖7係顯示此具體實例作爲液晶顯示器之透射型/反射型液 晶顯不器的像素區的平面圖。圖8係爲沿圖7之線A-A，所得 之剖面圖。 此具體實例之透射型/反射型液晶顯示器中，如圖8所示， 於絶緣基材2上形成作爲切換元件之薄膜電晶體TFT 3。連 續於包括此薄膜電晶體71；丁 3之絕緣基板2上形成作爲中間 層絕緣膜而具有凹陷部分及隆突部分之感光性樹脂4、m〇n 膜5及反射型電極6，以構成透射性/反射型基材1。此外， 透明電極7係形成於該絕緣基材2上。已知該M〇N層5具有黏 著性及電解腐蝕防止功能。該反射型電極6係由A1形成，而 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^/^214 A7 B7 14 五、發明說明（ 迟明電極7係由氧化銦錫（IT〇)形成。反射型電極6及透明電 極7構成該像素區之反射型部分及透射性部分。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 遽色器層9及透明電極1〇係連續形成於濾色器基材8上， 與迻射性及反射型基材丨相對。之後，於該透射性/反射型 基材1與濾色器基材8之間提供液晶層1 i，彼此相對，使該 透明電極ίο面向該反射型電極6。相差板12、12及偏光板13 ，b係配置於兩基材1，8之外側。此外，後照光14係配置 於該透射性/反射型基材1之最外側。 已知此具體貫例採用偏光模式作爲液晶顯示模式，但本 發明不限於此種模式。例如，若採用主客型模式，則可省 略該相差板12及該偏光板13。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如前文所述，該薄膜電晶體TFT 3係形成於包括玻璃等材 料之絕緣基材2上’如圖7及8所示。該薄膜電晶體TFT 3係 藉著連續形成閘極匯流排線15而建構於該絕緣基材2上，其 係爲掃描信號線，包括由該閘極匯流排線15分支之Ta的閘 極17，包括SiNx之閘極絕緣層18，包括a-Si之半導體層19、 包括η型a-Siin型半導體層2〇，數據匯流排線16，包括丁&及 氧化銦錫（IT〇）層壓膜而由該數據匯流排線1 6分支之源極2 1 ，包括Ta及氧化銦錫（ΙΤ〇）等之汲極22。此種薄膜電晶體 TFT 3係作爲將該汲極22連接於數據匯流排線16之切換元件 。已知編號23係表示形成於該半導體層19中之通道區。 没極22之延伸部分僅由氧化銦錫（ITO)形成。該氧化銦錫 (ITO)部分係爲構成像素電極之一部分的透明電極7。如前 文所述，構成該像素電極之一部分之反射型電極6經m〇N層 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 479214 ^_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（15 ) 5及接觸孔24連接於該_22。反射型電極6係經由作爲中 間層絕緣膜之感光性樹脂4延伸於該透明 層5中之N2含量係介於5百分比及30百分比之— 間而包括該兩 値，如同第一具體實例。 製造本發明透射性/反射型液晶顯示器中透射性/反射型基 材1之方法，尤其是形成％0>^層5 (具有凹陷部分及隆突部分 以得到黏著性之電解腐㈣止膜）及反射开^電極6於該感光 性樹脂4上之方法將描述於下文。圖从至扣係爲顯示製造 圖8中之透射型/反射型基材丨之方法的剖面圖。此具體實例 吓提出一種信號輸入接頭，具有接頭電極及連接電極之接 頭的雙層結構，如同第-具體實例包括氧化銦錫（ιτ〇)。然 而，僅出示一像素區，而圖9八至9〇省略製造此信號輸入接 頭之方法，因爲該方法係與第一具體實例相同。 、如圖9Α所$，作爲中間層絕緣膜之感光性樹脂4係施加於 孩絕緣基材2形成有薄膜電晶體^丁 3及透明電極7之表面上 ’厚度1微米-5微米。此具體實例中，形成仁微米厚之薄膜 。此情況下，配置圖10所示之第一光罩25，以於52毫焦耳 下進行第一次曝光。之後，配置圖丨丨所示之第二光罩，以 進行第二次曝光，如圖9Β所示。 。如圖10所不，该第一光罩25於對應於薄膜電晶體丁FT 3之 區域27中完全遮光，而對應於接觸孔24之區域“及對應於 透射區之區域29係完全開口。第一光罩乃非前述區域27、 28、29之部分係由該圓形遮光部分3〇所散射。該第二光罩 %僅於對應於接觸孔24之區域31及對應於透射區之區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··! -18- 479214 五 _I___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（16 ) 冗全開口，如圖11所示。 之後，使位於該絕緣基材2上之感光性樹脂4顯影。此情 況下’感光性樹脂4於第一次曝光照光之區域係接受弱曝光 ，因爲僅有一次曝光。因此，感光性樹脂4未被完全移除， 車父因爲同時覆有光罩25，26而完全未曝光之區域（薄膜電晶 體TFT j上之區域）減少1 〇百分比至5 〇百分比之膜厚。結果 ，於該表面上形成凹陷部分及隆突部分，如圖9C所示。 另一方面，藉第一次及第二次曝光而照光之區域的感光 性樹脂4 (接觸孔24形成區域及透射部分之區域）係接受強曝 光’因爲進行兩次曝光，而被完全移除，如圖9 c所示。 之後，如9D所示，於前述具有平滑之凹陷部分及隆突部 分之感光性樹脂4上，藉著濺鍍厚度約500埃至1〇〇〇埃而連 續形成MoN膜及A1膜。之後，進行圖型化，以於一薄膜電 晶體TFT 3上提供一反射型電極6,而形成包括MoN層5及反 射型A1電極6之層壓膜。 該MoN膜係藉著DC磁控管濺鍍於具有〇·5帕司卡氣壓之氛 圍下於100 sccm之ΑΓ及40 seem之N2下濺鍍。於具有〇 4帕司 卡氣壓之氣圍下使用1〇〇 seem之Ar形成該A1膜。使用微影 術形成掩模圖型，之後使用包含磷酸、硝酸、乙酸及水之 混合物液體同時蚀刻兩層MoN膜及Α1膜，而進行圖型化。 该反射型電極6係經由接觸孔24連接於該薄膜電晶體 3之汲極22，沿著形成於該感光性樹脂4上之平滑凹陷部分 及隆哭部分形成。因此，根據該感光性樹脂4之凹陷部分及 隆哭邵分，用以顯示之反射型電極6之表面亦具有不規則之 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ·« 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 479214 A7 ___B7 _______ 五、發明說明（17 ) 圓形隆突及凹陷。 如前文所述，當根據此具體實例製造透射型/反射型液晶 顯示器時，該薄膜電晶體TFT 3及該透明電極7係形成於該 絕緣基材2上，而該感光性樹脂膜4再形成爲中間層絕緣膜 ，覆蓋該薄膜電晶體TFT 3。之後，使用分散有多個圓形遮 光部分30之第一光罩25及第二光罩26進行兩次曝光，以於 該感光性樹脂4及該透射區中形成接觸孔24，而於非薄膜電 晶體TFT 3之區域上形成平滑之凹陷部分及隆突部分。之後 ，MoN膜5及反射型電極6係連續層壓於該感光性樹脂4上， 其上層形成有凹陷部分及隆突部分，以形成高密度具有平 滑凹陷部分及隆突部分的反射型電極6。 因此，該透射型/反射型基材1係形成以具有反射型電極6 ，其具有極小之鏡面反射分量，可於一像素區中達到紙白 色顯示。 此情況下，A1膜之反射型電極6係經由作爲中間層絕緣膜 之感光性樹脂4及MoN膜5與氧化銦錫（ITO)膜之透明電極7 、該源極2 1及没極22相對’該2 1，22係由氧化銦錫（ιτ〇）及 Ta之雙層薄膜製得。因此，當該m〇N層5與反射型電極6之 層壓膜經圖型化時，即使使用鹼顯影劑以藉微影術形成抗 蝕劑膜，該氧化銦錫（ITO)膜與該A1膜之間仍不產生電解腐 蚀，因爲其間存在MoN層5。 當A1膜之反射型電極6係形成於該感光性樹脂4上時，該 反射型電極6係經由MoN膜5形成於該感光性樹脂4上。因此 ’當该反射型電極6係形成於前述包括氧化鋼錫（it〇）之接 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >aj« 479214
發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 颈k接弘fe上時，該M〇N膜係存在於該接頭連接電極（IT〇) 與該A1膜（反射型電極6)之間。因此，當該ΜοΝ層5與反射型 電極6之層壓膜係經圖型化時，即使使用鹼顯影劑以藉微影 術形成抗蝕劑膜，該氧化銦錫（ΙΤΟ)膜（接頭連接電極）與… 膜（反射型電極6)間仍不產生電解腐蚀，因爲其間存在ΜοΝ 層5。 此具體貫例中，該ΜοΝ層5可相同地得到針對於感光性樹 脂4之強黏著性，圖型化方法之通量的降低可藉著使乂含量 介於5原子百分比及3〇原子百分比之間並包括該兩値，而防 止該姓刻速率降低。 [第三具體實例；| 此具體實例係有關藉著使用ΜοΝ之優點而於樹脂上形成 ΜοΝ互連圖型所得之經圖型化基材。 圖12係爲此具體實例之經圖型化基材的部分剖面圖。編 號71係表示聚對苯二甲酸乙二酯pet膜。編號72係表示μ〇Ν 線路。編號73係表示Mo線路。具有如前文所述之結構的經 圖型化基材係如下文所述般形成。 首先’該ΜοΝ膜係於眞空度〇·5帕司卡之氛圍下使用流速 爲100 seem之Ar氣體及流速爲40 seem之Ν2氣體形成於該聚 對苯二曱酸乙二酯ΡΕΤ膜71上。該Μ〇膜係於具有〇.5帕司卡 具2度之氛圍下使用流速爲1〇〇 sccin之Ar氣體形成，厚度 約1000埃。之後，進行微影術及姓刻，以使該M〇n膜及Mo 膜圖型化成爲預定電路圖型。因而形成ΜοΝ線路72及Mo線 路73。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公1 " —l· ! ϋ ϋ n n n - · I I l ·ϋ I I n 一 δτ I I I i n n ϋ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /^4五 、發明說明（ 19 因爲單獨使用MoN線路72產生高電阻而無法實際應用， 故形成MoN線路72與Mo線路73之雙層結構。已知此具體竇 例形成該MoN膜時之n2流速不限於40 seem，但如同第一及 第二具體實例，其可介於2〇 sccm及1〇〇 seem範圍内。因此 ’邊MoN膜中之队含量可調成介於5原子百分比及3〇原子百 刀比範圍内’並包括該兩値。結果，該線路72可針對 於孩聚對苯二甲酸乙二酯四丁膜乃得到強黏著性，而藉著防 止该姓刻速率降低而防止圖型化方法之通量降低。而且， 形成於聚合物膜諸如聚對苯二甲酸乙二酯PET膜上iM〇N互 連圖型使泫膜保持較薄，較輕而可撓。此外，所得之經圖 型化基材之應用不特別限制，但可應用於該第一或第二具 體實例之液晶顯示器。 因此描述了本發明，顯然本發明可於許多方式下變化。 该種變化未被視爲偏離本發明之精神及範疇，而熟習此技 藝者已知所有該種修飾皆包括於以下申請專利範圍内。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^797公爱） 479214 A7 B7 五、發明說明（ 20 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考編號描述 1 2，42 3，43 4，44 5，45 6，46 7，10 8 11 17，48 19，50 20，51 2卜53 22，54 24，66 25，61 26，65 30，62 41 56 57 58 69 71 72 73 透射/反射型基材 絕緣基材 薄膜電晶體TFT 感光性樹脂 MoN膜 反射型電極 透明電極 濾色器基材 液晶層 問極 半導體層 η-型半導體層 源極 汲極 接觸孔 第一光罩 第二光罩 圓形遮光部分 反射型基材 信號輸入接頭 接頭電極 接頭連接電極 光阻 聚對苯二甲酸乙二酯PET膜 MoN線路 Μ 〇線路 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------·

Claims (1)

  1. 弟89丨2255丨號專利申請案 運 土文令請專利範圍修正本⑽车6 ^ ) D8六、申請專利範圍 種圖案基材，其包括·· 一金屬膜， 一與違金屬膜相鄰之絕緣膜
    及 2. 3. 4. 5. 6. 7. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一氮化銷薄膜’至少形成於該金屬膜與該絕緣膜接觸 之側面上。 如申請專利範圍第1項之圖案基材，其中 遠金屬薄膜係形成一電極。 如申請專利範圍第1項之圖案基材，其中 泫氮化鉬薄膜係具有介於5原子百分比及30原子百分比 且包括該兩值之氮含量。 如申請專利範圍第1至3項中任一項之圖案基材，其中 該絕緣膜亦作為承載基材。 如申請專利範圍第1至3項中任一項之圖案基材，其中 該絕緣膜係包含聚合物樹脂。 一種液晶顯示器，其具有如申請專利範圍第1至3項中任 一項之圖案基材。 一種液晶顯示器，其包括： 一對基材， 一液晶層，夾置於該對基材之間， 一提供於至少一基材上之層壓層，其中該層壓層係藉 著將絕緣膜及氮化鉬膜層壓於該基材上而形成，及 一反射型金屬膜，其具有反射功能，且位於藉著將液 晶層分割成多個區段所得之像素區域中，其中該反射型 金屬膜係形成於層壓層上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---：----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六 A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 8·如申請專利範圍第7項之液晶顯示器，其中 孩氮化鉬膜係具有介於5原子百分比及3〇原子百分比且 包括該兩值之氮含量。 9·如申請專利範圍第7或8項之液晶顯示器，其中 該反射型金屬膜係作為提供電壓於該液晶層之電極。 10.如_請專利範圍第7至8項中任一項之液晶顯示器，其中 氧化銦錫薄膜係形成於基材上層形成有反射型 之側面上。 ’’碉胰 --------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2 - 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
TW89122551A 1999-10-26 2000-10-26 Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith TW479214B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30382399 1999-10-26
JP2000257232A JP3488681B2 (ja) 1999-10-26 2000-08-28 液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW479214B true TW479214B (en) 2002-03-11

Family

ID=26563645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW89122551A TW479214B (en) 1999-10-26 2000-10-26 Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7029727B1 (zh)
JP (1) JP3488681B2 (zh)
KR (3) KR20010040173A (zh)
TW (1) TW479214B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4583650B2 (ja) * 2001-04-16 2010-11-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶パネル、その製造方法及びカラー液晶表示装置
KR100806888B1 (ko) * 2001-06-14 2008-02-22 삼성전자주식회사 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100433805B1 (ko) * 2001-10-11 2004-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
TWI226965B (en) * 2001-10-30 2005-01-21 Nec Lcd Technologies Ltd Semi-transmission type liquid crystal display and fabrication method thereof
KR100848086B1 (ko) * 2001-11-08 2008-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20030044518A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 에이유 오프트로닉스 코퍼레이션 거친 확산기를 갖는 반사형 ｔｆｔ-ｌｃｄ 제조 방법
KR100441915B1 (ko) * 2002-01-10 2004-07-27 에이유 오프트로닉스 코퍼레이션 거친 확산 부재를 갖는 반사형 ｔｆｔ-ｌｃｄ 제조방법
KR100789146B1 (ko) * 2002-01-22 2007-12-28 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법
TWI227806B (en) 2002-05-30 2005-02-11 Fujitsu Display Tech Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same
JP4060125B2 (ja) * 2002-05-30 2008-03-12 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
KR100811646B1 (ko) * 2002-06-24 2008-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3992569B2 (ja) * 2002-08-30 2007-10-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
JP3791517B2 (ja) * 2002-10-31 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101052401B1 (ko) * 2002-12-27 2011-07-28 티피오 홍콩 홀딩 리미티드 전자 장치, 전자 장치 제조 방법 및 전자 장치를 포함하는 화상 표시 장치
KR100934710B1 (ko) 2002-12-30 2009-12-29 엘지디스플레이 주식회사 반사형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100936889B1 (ko) * 2002-12-31 2010-01-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101000451B1 (ko) * 2004-02-05 2010-12-13 삼성전자주식회사 Ｔｆｔ ｌｃｄ 기판의 알루미늄 배선 형성방법과 이에의한 ｔｆｔ ｌｃｄ 기판
KR101085450B1 (ko) * 2005-02-07 2011-11-21 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법
KR101255512B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-16 엘지디스플레이 주식회사 Ｔｆｔ 어레이 기판의 제조방법
JP5571870B2 (ja) * 2007-09-21 2014-08-13 株式会社東芝 極微細構造を有する光透過型金属電極およびその製造方法
CN109786258A (zh) * 2019-01-18 2019-05-21 惠科股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法及显示装置
CN109979946B (zh) * 2019-03-15 2021-06-11 惠科股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法和显示面板
KR102462323B1 (ko) 2022-04-25 2022-11-03 이주성 공압을 이용한 알루미늄캔 압축장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093711A (en) * 1988-10-14 1992-03-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device
EP0536898B1 (en) * 1991-09-10 1997-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2825713B2 (ja) 1991-09-10 1998-11-18 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP3114372B2 (ja) * 1992-07-14 2000-12-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス表示パネル
JPH06130405A (ja) * 1992-10-21 1994-05-13 Fujitsu Ltd 液晶表示装置の製造方法
JP3167817B2 (ja) * 1993-02-16 2001-05-21 シャープ株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置
KR970010685B1 (ko) * 1993-10-30 1997-06-30 삼성전자 주식회사 누설전류가 감소된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3302240B2 (ja) 1995-11-28 2002-07-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH09179140A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Toshiba Corp 液晶表示装置の製造方法
JP2988399B2 (ja) * 1996-11-28 1999-12-13 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板
JPH1195248A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
KR100338008B1 (ko) * 1997-11-20 2002-10-25 삼성전자 주식회사 질화 몰리브덴-금속 합금막과 그의 제조 방법, 액정표시장치용 배선과 그의 제조 방법 및 액정 표시 장치와 그의 제조방법
JPH11258625A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001194677A (ja) 2001-07-19
KR100473359B1 (ko) 2005-03-14
KR20010040173A (ko) 2001-05-15
KR20030063284A (ko) 2003-07-28
US7029727B1 (en) 2006-04-18
KR20040005807A (ko) 2004-01-16
JP3488681B2 (ja) 2004-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW479214B (en) Patterned substrate and liquid crystal display provided therewith
JP3977099B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR100746779B1 (ko) 반투과형 엘씨디와 그 제조 방법
US6744486B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20070109455A1 (en) Method for manufacturing array substrate of translucent LCD
KR100497759B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3670577B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
US7335538B2 (en) Method for manufacturing bottom substrate of liquid crystal display device
US20010040663A1 (en) Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating the same
JP5007171B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置
US20040048407A1 (en) Method of fabricating liquid crystal display
US20050088591A1 (en) Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR20050067934A (ko) 금속 배선의 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법
JP2008281813A (ja) 表示装置と表示装置の製造方法
US7567321B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US8169571B2 (en) Transflective LCD device and method with a jumping electrode formed of the same material as a reflective electrode
TW578240B (en) Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same
US7456910B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
JP2005301255A (ja) 液晶表示装置、配線基板およびこれらの製造方法
JP2000180882A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR100803165B1 (ko) 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4219717B2 (ja) 表示装置の製造方法、液晶表示装置並びに金属膜のパターニング方法。
KR20010019666A (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치
JP2007114811A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR100701667B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees