KR100811646B1 - 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는, 기판 상에 서로 교차되게 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소영역으로 정의되고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 지점에 형성된 스위칭 소자(switching device)와; 상기 스위칭 소자를 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 화소 영역에서 상부 방향으로 반구 형상의 엠보싱 패턴을 가지고, BCB(benzocyclobutene)로 이루어진 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층을 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 엠보싱 패턴(embossing pattern)과 대응되는 패턴 구조를 가지는 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 상부의 화소 영역에 위치하며, 상기 스위칭 소자와 연결된 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어진 화소전극을 포함하며, 상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴은 PR(photo resist)을 이용한 사진식각(photolithography) 공정에 의해 이루어지고, 상기 엠보싱 패턴부에서는 상기 PR을 상부층으로 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판을 제공함으로써, 별도의 공정이 필요없이 휘도를 향상할 수 있어 공정 비용을 낮추고 제품 경쟁력을 높일 수 있다.
BCB, 반사판, 엠보싱구조, PR, 액정표시장치

Description

반사형 액정표시장치 및 그 제조방법{Reflective Type Liquid Crystal Display and Method for Fabricating the same}
도 1은 종래의 반사형 액정표시장치의 평면도.
도 2는 도 1의 절단선 A-A에 따라 절단된 단면을 도시한 단면도.
도 3은 일반적인 반사형 액정표시장치에서의 입사광 경로를 나타낸 도면.
도 4a, 4b는 엠보싱 형상의 유기막을 형성하는 제 1 방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도.
도 5a 내지 도 5c는 엠보싱 형상의 유기막을 형성하는 제 2 방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도.
도 6은 일반적인 BCB를 이용한 엠보싱 패턴을 도시한 도면.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
108 : 게이트 전극 112 : 액티브층
113 : 오믹콘택층 114 : 소스전극
115 : 드레인전극 117 : 데이터 배선
116 : 제 1 보호막 162 : 제 2 보호막
160 : PR 164 : 화소전극
본 발명은 액정표시장치에 관한 것이며, 특히 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치는 광원의 이용방법에 따라 백라이트를 이용하는 투과형 액정표시 장치와 외부의 광원을 이용하는 반사형 액정표시 장치로 분류할 수 있다. 투과형 액정표시장치는 백라이트를 광원으로 사용하여 전체 전력의 2/3 이상을 소비하는 반면에 반사형 액정표시장치는 별도의 백라이트를 생략하고 외부광을 이용하기 때문에 전력 및 배터리 소모를 줄일 수 있다.
도 1은 종래의 반사형 액정표시장치에 대한 평면도로서, 도시한 바와 같이 데이터 배선(17)과 게이트 배선(5)이 교차하고, 상기 데이터 배선(17)과 게이트 배선(5)이 교차하는 지점에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 다음으로, 상기 데이터 배선(17)과 게이트 배선(5)이 교차하여 정의되는 영역인 화소영역(P)에 위치하며, 휘도효과를 높이기 위해서 이웃하는 게이트 및 데이터 배선(5,17)까지 일부 중첩되게 형성한 화소전극(18)이 있다. 상기 화소전극(18)은 반사특성을 가지는 불투명한 물질로 이루어져 있으며, 도면으로 상세히 제시하지는 않았지만, 엠보싱구조로 이루어진다.
도면에서, 빗금친 영역(21)은 비화소 영역에서의 빛을 차단하는 블랙매트릭스 형성 영역에 해당된다.
이러한 반사형 액정표시장치는 휘도가 충분치 않기 때문에 색특성이 떨어지는 문제점을 가지고 있어, 이러한 휘도를 개선하기 위해서는 액정셀의 구조 및 새로운 물질의 개발, 반사층, 광학필터 등의 향상이 필요하다. 일반적인 반사층은 평탄한 상부면을 가지고 있어, 광원의 위치에 따라 입사광의 정반사 방향에서만 빛의 휘도가 높고 주시야각에 영향을 미치는 정면의 휘도는 낮은 문제가 있다.
따라서, 빛을 여러 방향으로 산란시켜 광학효율을 높이기 위해 엠보싱 형태의 반사판을 이용한 예가 제시되었다.
도 2는 도 1의 절단선 A-A에 따라 절단된 단면을 도시한 단면도로서, 제 1 기판(6) 상에 게이트 전극(8)이 형성되어 있고, 게이트 전극(8)을 덮는 기판(6) 전면에 게이트 절연막(10)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(10) 상부의 게이트 전극(8)을 덮는 위치에 액티브층(12), 오믹콘택층(13)이 차례대로 형성되어 있고, 오믹콘택층(13) 상부에서 서로 일정간격 이격되게 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)이 형성되어 있다. 이때, 전술한 오믹콘택층(13)은 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)의 이격 구간에서 제거되어 그 하부층을 이루는 액티브층(12)을 일부 노출시켜 채널을 구성한다.
상기 게이트 전극(8),액티브층(12) 및 오믹콘택층(13) 그리고, 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다.
상기 박막트랜지스터(T)를 덮는 기판(6) 전면에 위치하며, 상기 드레인 전극(15)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 가지고, 상부면이 엠보싱형상으로 이루어진 보호층(16)이 형성되어 있고, 보호층(16) 상부에서 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극(15)과 연결되며, 보호층(16)의 엠보싱형상을 따라 상부표면이 엠보싱 패턴을 이루고, 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어진 화소전극(18)이 형성되어 있다.
그리고, 제 2 기판(24)의 내부면에는 블랙매트릭스(21)와 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀 단위로 적, 녹, 청 컬러필터(22a, 22b, 22c)가 차례대로 배열되어 있고, 블랙매트릭스(21) 및 컬러필터(22a,22b,22c) 하부를 덮는 기판(6) 전면에는 공통전극(23)이 형성되어 있다.
상기 공통전극(23)과 화소전극(18) 사이 구간에는 액정층(20)이 개재되어 있고,
도면으로 상세히 도시하지는 않았지만, 전술한 소스 전극(14)과 연결되어 데이터 배선(17)이 형성되어 있으며, 상기 화소전극(18)은 이웃하는 데이터 배선(17)과 일부 중첩되게 위치하는 고개구율 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.
도 3은 일반적인 반사형 액정표시장치에서의 입사광 경로를 나타낸 것으로, 공기중으로부터 입사광(L1)이 상부기판(36)을 지나 액정(34)을 통과한 후 엠보싱형 반사판(32)에 반사되어 디스플레이되는 과정을 도시하였다.
한 예로, 입사광(L1)의 각도인 α가 30° 일때, 스넬(Snell)의 굴절법칙에 의하여 기판의 수직방향에 대비하여 반사각인 β가 20°로 빛이 굴절(L2)된다. 이때, 반사각 β가 일반적인 주시야각인 0~10°로 반사되기 위해서는 반사막의 경사각인 θ가 6~10°내외가 되어야 한다. 그러므로 입사광(L1)의 입사각(α)이 주시야각(γ)으로 반사광(L3)이 되기 위해서는 엠보싱의 경사각 조절이 요구된다.
이 엠보싱의 경사각은 유기막을 엠보싱형상으로 형성하는 과정에서 제어가 가능한데, 그 방법은 크게 다음과 같이 2가지가 있다.
이하, 도 4a 와 도 4b는 엠보싱 형상의 유기막을 형성하는 제 1 방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 기판(40)위에 유기막을 도포하고 패터닝하여 중첩 또는 이격되도록 유기막 패턴(42)을 형성한다. 유기막 패턴(42)간의 간격 및 중첩 및 이격되는 정도는 조절이 가능하다. 다음, 도 4b에서 도시한 바와 같이 열처리를 통해 유기막을 용융(melting)시키면, 유기막 패턴은 엠보싱(embossing) 형태로 변화된다. 이러한 유기막 패턴(43a)은 경화(cure)과정을 거쳐 단단하게 된다.
이 방법에서, 사각 형상의 유기막 패턴(42)을 열처리를 통해 원하는 경사각을 가지도록 제어하는 것이 핵심이지만, 이러한 방법은 경사각을 형성하기 위한 용융공정이 까다롭고, 재현성을 확보하는 것이 어렵다.
이하, 도 5a 내지 도 5c는 엠보싱 형상의 유기막을 형성하는 제 2 방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이 기판(40)위에 소정 간격 이격되도록 유기막 패턴(52)을 형성한 후, 도 5b에 도시한 바와 같이 열처리하여 엠보싱 형태로 제 1 유기막 패턴(53a)으로 형성한다. 다음으로 도 5c에 도시한 바와 같이, 엠보싱 형태의 제 1 유기막 패턴(53a) 상부에 제 2 유기막(54)을 전면에 도포하여 반사막의 경사각(θ)을 조절한다.
이 방법은, 제 1 유기막(53a)을 일정간격 이격시켜 패턴하는 기술과 이격된 패턴의 상부에 제 2 유기막(54) 두께를 조절하는 방법에 의해 유효 경사각(θ)을 얻는 것이 그 핵심이다. 이 방법은 도 5a와 도 5b에 도시한 방법에 비하여 유효 경사각을 형성시 재현성을 확보할 수 있다.
전술한 바와 같은 제 1 및 제 2 유기막(53a, 54)을 포함하는 유기막을 이루는 물질로는 포토아크릴(photo acryl)이 가능하다. 상기 포토아크릴은 패턴된 이후 일정한 온도에서 열처리를 하게 되면, 자연스럽게 패턴한 영역의 표면이 볼록한 엠보싱 형태로 변형되는 특성을 가지고 있다.
그러나, 유기막을 포토아크릴로 사용하게 될 경우는 기존의 반도체 노광공정인 PR를 패턴하려는 층에 적층하고 노광한 다음, 패턴하는 방식을 사용하지 못하기 때문에, 감광성 아크릴을 노광하기 위한 장비가 새로 필요하게 된다. 또한, 아크릴은 열처리 이후 경화시키는 공정이 추가적으로 필요하기 때문에, 결과적으로 공정비용이 증가하게 된다.
그런데 여기서, 일반적으로 반도체 공정에서 유기절연막으로 사용하고 있는BCB(Benzocyclobutene)를 사용하게 되면, 기존의 반도체 노광공정은 그대로 사용하면서 새로운 물질은 추가하지 않아도 되기 때문에 공정비용면에서 유리하게 된 다.
도 6은 일반적인 BCB를 이용한 엠보싱 패턴을 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 기판(40)상에 적층된 BCB 층을 엠보싱형상으로 형성하기 위하여 에칭을 하는데, 이때 건식식각(dry etching)을 거치게 된다. 건식식각을 하게 되면 A 영역과 같이 표면이 평탄하게 깎이기 때문에, 도시한 바와 같이 엠보싱형상(55)의 엠보싱 패턴이 제대로 구현되지 않는다.
반사형 액정표시장치에서는 높은 휘도특성을 얻기 위하여 화소전극을 엠보싱형상으로 패턴하게 되는데, 전술한 바와 같이 공정비용을 낮추기 위하여 BCB를 보호층으로 사용했을 때 엠보싱형상의 엠보싱 패턴이 제대로 구현되지 않아 결과적으로 휘도가 낮아지게 된다. 이는 색 대비비(contrast ratio)나 명도를 떨어뜨려 제품의 품질과 신뢰도를 저하시키는 문제점이 있다.
상기 문제점를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 엠보싱형상을 가지는 반사형 액정표시장치를 제공함에 있어서, 재료 비용이 저렴하고 고개구율 구조용 보호층 물질로 적절한 BCB를 엠보싱형상의 보호층으로 하는 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 기판 상에 서로 교차되게 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소영역으로 정의되고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 지점에 형성된 스위칭 소자(switching device)와; 상기 스위칭 소자를 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 화소 영역에서 상부 방향으로 반구 형상의 엠보싱 패턴을 가지고, BCB(benzocyclobutene)로 이루어진 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층을 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 엠보싱 패턴(embossing pattern)과 대응되는 패턴 구조를 가지는 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 상부의 화소 영역에 위치하며, 상기 스위칭 소자와 연결된 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어진 화소전극을 포함하며, 상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴은 PR(photo resist)을 이용한 사진식각(photolithography) 공정에 의해 이루어지고, 상기 엠보싱 패턴부에서는 상기 PR을 상부층으로 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
상기 제 2 보호층은 유기절연물질에서 선택되고, 상기 스위칭 소자는, 상기 게이트 배선에서 분기된 게이트 전극과, 상기 데이터 배선에서 분기된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 일정간격 이격되게 위치하는 드레인 전극으로 이루어지며, 상기 제 1, 2 보호층에는 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(contact hole)이 형성되어 있고, 상기 화소 전극은 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 반사전극을 이루는 물질은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 또는 은(Ag)중 어느 하나에서 선택된다.
본 발명의 또 하나의 특징에서는, 기판 상에 제 1 방향으로 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소 영역으로 정의되며, 상기 교차 지점에 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자를 덮는 기판 전면에 BCB로 이루어진 제 1 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 보호층의 상부에 PR을 코팅하는 단계와; 상기 PR을 노광, 현상하는 사진식각 공정에 의해 상기 화소영역에 위치하는 제 1 보호층 영역에 엠보싱 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴에 PR이 남겨진 상태에서, 상기 제 1 보호층을 덮는 기판 전면에 제 2 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 보호층 상부에 스위칭 소자와 연결되며, 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어진 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 사진식각 공정에서는, 차단영역과 투과영역으로 구성되는 마스크를 이용하며, 상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴을 형성하는 단계에서는, 상기 제 1 보호층의 사진식각 공정 다음에 건식식각 단계를 더욱 포함한다.
그리고, 상기 제 1, 2 보호층은 스핀코팅 또는 스퀴즈 방법을 통하여 도포하고, 상기 PR은 포지티브 타입(positive type)인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
--실시예--
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면이다.
도 7a에서는 기판상에 데이터 배선(117)과 박막트랜지스터(T)를 형성한 다음, 보호층을 적층하는 과정을 도시하였다.
도 7a에서는, 기판(90) 상에 게이트 전극(108)을 형성하는 단계와, 게이트 전극(108)을 덮는 기판에 게이트 절연막(100)을 형성하는 단계와, 게이트 절연막(100) 상부의 게이트 전극(108)을 덮는 위치에 액티브층(112) 및 오믹콘택층(113)을 차례대로 형성하는 단계와, 오믹콘택층(113) 상부에 서로 일정간격 이격되는 소스 전극(114) 및 드레인 전극(115) 그리고, 소스 전극(114)과 연결되는 데이터 배선(117)을 형성하는 단계와, 소스 전극(114) 및 드레인 전극(115) 사이 이격구간에 위치하는 오믹콘택층(113)을 제거하여, 그 하부층을 이루는 액티브층(112) 영역을 채널(미도시)로 구성하는 단계와, 소스 전극(114) 및 드레인 전극(115) 그리고 데이터 배선(117)을 덮는 기판 전면에 제 1 보호층(116)을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제 1 보호층(116)을 이루는 물질은 BCB이며, 스핀코팅(spin coating) 또는 스퀴즈(squeeze) 방법에 의해 형성할 수 있다.
도 7b에서는, 상기 제 1 보호층(116)을 엠보싱형상으로 패턴하기 위하여 제 1 보호층(116)의 상부에 PR(160;photo resist)를 도포하고 차단영역(172)과 투과영역(174)이 형성된 마스크(170)를 위치시켜 노광하는 과정을 도시하였다.
상기 PR(160)은 크게 두 종류가 있다. 포지티브 타입(positive type)과 네거티브 타입(negative type)이 있는데, 이중 포지티브 타입은 빛을 받은 부분이 추후 현상에서 제거되고, 네거티브타입은 반대로 빛을 받은 부분이 추후 현상에서 남게 된다. 본 발명에서는 포지티브 타입과 네거티브 타입이 모두 가능하나, 편의상 실시예는 포지티브 타입의 PR을 사용하여 엠보싱형상의 유기막을 형성하였다.
도 7c에서는, 상기 PR(160)을 현상하고, 제 1 보호층(116)을 건식식각하는 단계로서, 이 단계에서는 제 1 보호층(116)의 상부에 위치하는 PR(160)의 제거 공정을 생략하는 것을 특징으로 한다. 그 이유는, 아크릴계 유기막은 패턴한 다음 열처리를 하게 되면 표면이 엠보싱 형태로 둥글게 변하는데 비하여, BCB는 건식식각이후 평탄화된 엠보싱표면이 열처리를 하더라도 패턴한 형태로 형상이 유지되어, 입사광이 주시야각으로 반사하는 경사각을 형성하지 못하므로, 전술한 PR(160)이 제 1 보호층(116)의 둥근 엠보싱 패턴을 형성하도록 한다.
이러한 PR(160) 표면의 엠보싱 형태의 엠보싱패턴형상은 주시야각으로 입사된 빛이 반사되도록 드라이에칭시 제 1 보호층(116)을 식각하는 속도와 정도를 조절하여 형성한다.
다음으로 도 7d에서는 패턴된 제 1 보호층(116)과 그 상부의 PR층을 포함한 기판의 전면에 BCB로 이루어진 제 2 보호층(162)을 적층한다. 상기 제 2 보호층(162)은 제 1 보호층(116)과 그 상부의 PR(160)으로 인하여 엠보싱형상으로 경사각을 갖도록 코팅된다. 이때, 제 2 보호층의 점도와 스핀코팅하는 속도를 조절하여 전술한 바와 같은 주시야각으로 반사하는 엠보싱의 각도를 구현한다.
도 7e에서는 이후의 화소전극과 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(115)을 연결하기 위하여 제 1 및 제 2 보호층(116, 162)에 콘택홀(164)을 형성한다.
마지막으로 도 7f에서는 제 2 보호층(162)까지 형성된 기판(90)의 상부에 반사특성을 가지는 금속물질을 이용하여 화소전극(164)을 형성하는 단계이다.
상기 반사특성을 가지는 금속물질로는, 반사도가 높은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy), 그리고 은(Ag) 중 어느 한 물질에서 선택되는 것이 바람직하다.
이렇게 화소전극(164)까지 형성하게 되면, 본 실시예에 따라 액정표시장치용 박막트랜지스터 어레이를 완성하게 된다.
그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 엠보싱 패턴 구조를 가지는 BCB를 이용하여 반사형 액정표시장치를 제조하게 되면, 별도의 공정이 필요없이 휘도를 향상할 수 있어 공정 비용을 낮추고 제품 경쟁력을 높일 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 서로 교차되게 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소영역으로 정의되고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 지점에 형성된 스위칭 소자(switching device)와;
    상기 스위칭 소자를 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 화소 영역에서 상부 방향으로 반구 형상의 엠보싱 패턴을 가지고, BCB(benzocyclobutene)로 이루어진 제 1 보호층과;
    상기 제 1 보호층을 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 엠보싱 패턴(embossing pattern)과 대응되는 패턴 구조를 가지는 제 2 보호층과;
    상기 제 2 보호층 상부의 화소 영역에 위치하며, 상기 스위칭 소자와 연결된 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어진 화소전극
    을 포함하며, 상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴은 PR(photo resist)을 이용한 사진식각(photolithography) 공정에 의해 이루어지고, 상기 엠보싱 패턴부에서는 상기 PR을 상부층으로 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 보호층은 유기절연물질에서 선택되는 반사형 액정표시장치용 어레 이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는, 상기 게이트 배선에서 분기된 게이트 전극과, 상기 데이터 배선에서 분기된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 일정간격 이격되게 위치하는 드레인 전극으로 이루어지며, 상기 제 1, 2 보호층에는 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(contact hole)이 형성되어 있고, 상기 화소 전극은 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사전극을 이루는 물질은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 또는 은(Ag)중 어느 하나에서 선택되는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 기판 상에 제 1 방향으로 게이트 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소 영역으로 정의되 며, 상기 교차 지점에 스위칭 소자를 형성하는 단계와;
    상기 스위칭 소자를 덮는 기판 전면에 BCB로 이루어진 제 1 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 보호층의 상부에 PR을 코팅하는 단계와;
    상기 PR을 노광, 현상하는 사진식각 공정에 의해 상기 화소영역에 위치하는 제 1 보호층 영역에 엠보싱 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴에 PR이 남겨진 상태에서, 상기 제 1 보호층을 덮는 기판 전면에 제 2 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 보호층 상부에 스위칭 소자와 연결되며, 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어진 화소전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 사진식각 공정에서는, 차단영역과 투과영역으로 구성되는 마스크를 이용하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층의 엠보싱 패턴을 형성하는 단계에서는, 상기 제 1 보호층 의 사진식각 공정 다음에 건식식각 단계를 더욱 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 보호층은 스핀코팅 또는 스퀴즈 방법을 통하여 도포하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 PR은 포지티브 타입(positive type)인 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
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