KR100897741B1 - 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 반사-투과형 액정표시장치는 제 1 투명 기판에 형성된 복수개의 픽셀 영역에 제 1 전압을 공급하는 전원 공급 장치, 전원 공급 장치의 출력단 위치에 형성된 콘택홀 및 상기 픽셀 영역마다 광이 통과하는 광 투과 영역이 형성된 불투명 유기막, 불투명 유기막의 상면에 반사 전극 및 투명 전극이 형성된 제 1 기판, 제 2 투명 기판에 형성된 공통전극을 포함하는 제 2 기판, 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함한다. 불투명 유기막을 사용하여 반사 전극에서의 휘도 및 투명 전극에서의 휘도 편차를 감소시킨다.
반사-투과형 액정표시장치, 불투명 유기막

Description

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법{TRANSREFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치를 도시한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의하여 제 1 기판에 형성된 복수개의 픽셀 중 1 개를 도시한 블록도이다.
도 3은 도 2의 A-A 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 제 2 기판의 평면도이다.
도 5는 도 4의 C-C 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 의하여 제 1 기판 및 제 2 기판이 조립된 액정표시장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 제 1 기판에 박막 트랜지스터를 형성하는 것을 도시한 공정도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 제 1 투명 기판에 불투명 유기막이 형성된 것을 도시한 공정도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 패터닝된 불투명 유기막을 도시한 공정도이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 제 2 기판을 제조하는 과정을 도시한 공정도이다.
본 발명은 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 디스플레이 특성을 향상시킨 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display device)는 액정으로 정보를 디스플레이 한다.
액정은 자기장에 의하여 배열이 변경되는 전기적 특성 및 배열에 의하여 광투과도가 변경되는 광학적 특성을 갖는다.
액정은 스스로 광을 발생시키지 못한다. 따라서, 액정표시장치로 영상을 디스플레이 하기 위해서는 광을 필요로 한다.
액정표시장치는 광의 이용 방법에 따라, 반사형 액정표시장치(reflective LCD), 투과형 액정표시장치(transmissive LCD) 및 반사-투과형 액정표시장치(transreflective LCD)로 나뉜다.
반사형 액정표시장치는 소형 디스플레이 장치에 주로 사용되며, 투과형 액정표시장치는 소형으로부터 초대형 액정표시장치에 폭넓게 사용되고 있다.
반사형 액정표시장치는 소비전력이 매우 작은 장점 및 광이 없는 곳에서는 디스플레이가 불가능한 단점을 갖고 있으며, 투과형 액정표시장치는 광에 구애받지 않고 어디서나 자유롭게 디스플레이를 수행할 수 있는 장점 및 소비전력이 지나치게 큰 단점을 갖고 있다.
반사-투과형 액정표시장치는 저소비전력을 갖는 장점 및 어디서나 디스플레이를 수행할 수 있는 장점을 함께 갖는다.
구조적으로 반사-투과형 액정표시장치는 TFT 기판(Thin Film Transistor substrate), 컬러필터 기판(Color Filter substrate) 및 액정(Liquid Crystal)으로 구성된다.
TFT 기판은 다시 투명 기판(transparent substrate), 박막 트랜지스터(Thin Film transistor), 투명 유기막(transparent organic film), 반사 전극(reflective electrode), 투명 전극(transparent electrode)을 포함한다.
박막 트랜지스터는 투명기판에 매트릭스 형태로 배치된다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극(gate electrode), 소오스 전극(source electrode), 드레인 전극(drain electrode) 및 채널층(channel layer)으로 구성된다.
투명 유기막은 박막 트랜지스터가 덮이도록 투명기판의 전면적에 걸쳐 후박하게 형성된다. 투명 기판에 형성된 투명 유기막에는 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 개구되도록 콘택홀(contact hole) 및 올록볼록한 엠보싱 요철이 함께 형성된다.
반사 전극은 투명 유기막에 형성되며 일부는 드레인 전극에 연결된다. 이때, 하나의 반사 전극에는 하나의 박막 트랜지스터가 연결된다. 또한, 반사 전극에는 투명 기판 및 투명 유기막을 통하여 외부광이 입사되도록 개구창이 형성된다.
투명 전극은 반사 전극의 전체 및 개구창이 형성된 부분에까지 형성된다. 하나의 반사 전극에는 하나의 투명 전극이 연결된다.
컬러필터 기판은 다시 투명 기판, 블랙 매트릭스(black matrix), 컬러필터 (color filter) 및 공통전극(common electrode)을 포함한다.
투명 기판에는 격자 형상을 갖는 블랙 매트릭스가 형성된다. 블랙 매트릭스는 TFT 기판에 형성된 박막 트랜지스터를 가리고, 외부광을 흡수하여 휘도를 향상시키며, 반사 전극과 반사 전극의 사이를 가려 광 누설을 방지하는 역할들을 겸한다.
컬러필터는 블랙 매트릭스에 의하여 구획된 영역마다 형성된다. 컬러필터는 레드 파장을 필터링 하는 레드 컬러필터, 그린 파장을 필터링 하는 그린 컬러필터 및 블루 파장을 필터링 하는 블루 컬러필터로 구성된다.
공통전극은 컬러필터가 덮이도록 투명기판의 전면적에 걸쳐 형성된다.
TFT 기판 및 컬러필터 기판은 상호 어셈블리 되고, TFT 기판과 컬러필터 기판의 사이에는 액정이 주입되어 반사-투과형 액정표시장치가 제작된다.
그러나, 이와 같은 종래 반사-투과형 액정표시장치는 TFT 기판 및 컬러필터 기판의 얼라인을 정밀하게 수행하지 않을 경우, 블랙 매트릭스가 반사 전극의 일부를 가리게 되어 개구율이 감소되어 디스플레이 성능이 저하되는 문제점을 갖는다.
또한, 종래 반사-투과형 액정표시장치는 반사 전극에서의 디스플레이 휘도와 투명 전극에서의 디스플레이 휘도가 동일하지 않고, 이에 따라 디스플레이 성능이 저하되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 제1 목적은 광 반사 영역 및 광 투과 영역에서의 휘도 편차를 감소시켜 고품질 디스플레이를 구현할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 제 2 목적은 광 반사 영역 및 광 투과 영역에서의 휘도 편차를 감소시켜 고품질 디스플레이를 구현할 수 있는 액정표시장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 제 1 투명 기판, 제 1 투명 기판에 형성된 복수개의 픽셀 영역에 제 1 전압을 공급하는 전원 공급 수단, 전원 공급 수단의 출력단 위치에 형성된 콘택홀 및 픽셀 영역마다 광이 통과하는 광 투과 영역이 형성된 불투명 유기막, 픽셀 영역마다 출력단을 통하여 픽셀 영역 중 광 투과 영역을 제외한 광 반사 영역에 제 1 전압을 인가하는 반사 전극 및 출력단을 통하여 광 투과 영역에 제 1 전압을 인가하는 투명 전극을 포함하는 화소 전극을 포함하는 제 1 기판, 제 2 투명 기판, 제 2 투명 기판에 형성된 공통전극을 포함하는 제 2 기판 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함하는 반사-투과형 액정표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 2 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 제 1 투명 기판에 형성된 복수개의 픽셀 영역에 제 1 전압을 공급하는 전원 공급 수단을 형성하는 단 계, 전원 공급 수단의 출력단 위치에 콘택홀을 형성 및 픽셀 영역마다 광이 통과하는 광 투과 영역이 형성된 불투명 유기막을 형성하는 단계, 픽셀 영역마다 출력단을 통하여 픽셀 영역 중 광 투과 영역을 제외한 광 반사 영역에 반사 전극을 형성 및 출력단을 통하여 광 투과 영역에 투명 전극을 형성하여 제 1 기판을 제조하는 단계, 제 2 투명 기판에 공통전극을 형성하여 제 2 기판을 제조하는 단계 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
<실시예 1>
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치를 도시한 개념도이다.
도 1을 참조하면, 반사-투과형 액정표시장치(500)는 제 1 기판(100), 제 2 기판(200) 및 액정(300)으로 구성된다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의하여 제 1 기판에 형성된 복수개의 픽셀 중 1 개를 도시한 블록도이다. 도 3은 도 2의 A-A 단면도이다.
도 2 또는 도 3을 참조하면, 제 1 기판(100)은 제 1 투명 기판(110), 전압 공급 장치(120), 불투명 유기막(130) 및 화소 전극(140)을 포함한다.
제 1 투명 기판(110)은 바람직하게 광투과도가 뛰어난 유리 기판이다. 유리 기판에는 요구 해상도에 적합한 픽셀 영역(160)들이 형성된다. 픽셀 영역(160)의 개수는 해상도가 800 ×600일 때, 800 ×600 ×3개이다.
전압 공급 장치(120)는 제 1 투명 기판(110)에 형성된 픽셀 영역(160)마다 1 개씩 형성된다. 전압 공급 장치(120)는 다시 박막 트랜지스터(127), 게이트 라인(128) 및 데이터 라인(129)으로 구성된다.
박막 트랜지스터(127)는 게이트 전극(121), 채널층(122), 소오스 전극(123), 드레인 전극(124)으로 구성된다. 도 3에 도시된 미설명 도면부호 125는 게이트 전극(121) 및 채널층(122)을 절연시키는 절연막이다.
게이트 라인(128)은 게이트 전극(121)과 연결되고, 데이터 라인(129)은 소오스 전극(123)과 연결된다. 게이트 라인(128)과 데이터 라인(129)은 절연된 상태로 바람직하게 직교한다.
도 3에 도시된 불투명 유기막(130)은 제 1 투명 기판(110)에 전압 공급 장치(120)가 덮이도록 형성된다. 불투명 유기막(130)은 바람직하게 광투과도는 낮고 광 흡수율은 높으며, 광과 반응하여 제거되는 포지티브 감광물질로 이루어진다. 불투명 유기막(130)은 외부에서 인가된 광을 흡수하여 외부로 광이 재 반사되지 않도록 한다.
불투명 유기막(130)은 콘택홀(131), 광 투과창(132) 및 엠보싱 패턴(133)을 갖는다.
콘택홀(131)은 불투명 유기막(130)의 하부에 배치된 박막 트랜지스터(127)의 드레인 전극(124)을 개구시킨다.
광 투과창(132)은 도 2에 도시된 픽셀 영역(160)의 내부에 형성된다. 광 투 과창(132)은 제 1 투명 기판(110)을 통하여 광이 투과되도록 한다. 엠보싱 패턴(133)은 불투명 유기막(130)의 상면에 일정한 규칙을 갖는 반구 형상 또는 랜덤한 형상으로 형성된다. 불투명 유기막(130)은 게이트 라인(128) 및 데이터 라인(129)도 함께 덮는다.
도 3을 참조하면, 화소 전극(140)은 다시 반사 전극(142) 및 투명 전극(144)으로 구성된다.
반사 전극(142)은 각 픽셀 영역(160)마다 형성된다. 반사 전극(142)은 광반사율이 높은 알루미늄, 알루미늄 합금 재질로 제작되며, 반사 전극(142)의 일부는 콘택홀(131)에 의하여 노출된 박막 트랜지스터(127)의 드레인 전극(124)에 연결된다. 이때, 반사 전극(142)중 불투명 유기막(130)에 형성된 광 투과창(132)부분은 개구되어 광 투과창(132)을 통하여 입사되는 광이 반사 전극(142)에 의하여 가려지지 않도록 한다.
투명 전극(144)은 각 픽셀 영역(160)의 전면적에 형성된다. 투명 전극(144)은 도전성이면서 광이 투과되는 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 아연 산화막(Indium Zinc Oxide) 재질로 이루어진다.
이때, 반사 전극(142) 및 투명 전극(144)은 그 위치가 서로 바뀌어도 무방하다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 제 2 기판의 평면도이다. 도 5는 도 4의 C-C 단면도이다.
도 4 또는 도 5를 참조하면, 제 2 기판(200)은 다시 제 2 투명 기판(210), 컬러필터(250) 및 공통 전극(260)으로 구성된다.
제 2 투명 기판(210)은 광투과율이 높은 유리 기판이다. 제 2 투명 기판(210)에는 요구 해상도에 적합하도록 컬러필터 영역이 형성된다. 컬러필터 영역의 개수는 도 1에 도시된 제 1 기판(100)에 형성된 픽셀 영역(160)의 개수와 동일하며, 컬러필터 영역의 면적은 픽셀 영역(160)의 면적과 거의 동일하다.
컬러 필터(250)는 컬러필터 영역마다 형성된다. 컬러 필터(250)는 백색광 중 레드 파장의 광만을 출사시키는 레드 컬러 필터(220), 백색광 중 그린 파장의 광만을 출사시키는 그린 컬러 필터(230) 및 백색광 중 블루 파장의 광만을 출사시키는 블루 컬러필터(240)로 구성된다. 레드 컬러 필터(220), 그린 컬러 필터(230) 및 블루 컬러 필터(240)는 일정한 규칙으로 컬러 필터 영역마다 하나씩 형성된다.
이때, 레드 컬러 필터(220), 그린 컬러 필터(230) 및 블루 컬러 필터(240)의 에지는 상호 오버랩 되거나 오버랩 되지 않아도 무방하다.
공통 전극(260)은 다시 제 2 투명 기판(210)의 전면적에 걸쳐 형성된다. 공통 전극(260)은 도전성이면서 광투과도가 뛰어난 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 아연 산화막(Indium Zinc Oxide)이 사용될 수 있다.
공통 전극(260)은 공통 전극(260)과 화소 전극(140) 사이에 액정을 제어하기 위한 전계가 형성되도록 한다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 의하여 제 1 기판 및 제 2 기판이 조립된 액정표시장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 이와 같은 구성을 갖는 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200) 은 상호 지정된 셀 갭(cell gap)을 갖도록 어셈블리 된다.
액정(300)은 어셈블리 된 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)의 사이에 주입 또는 적하 된다.
이때, 광 투과창(132) 부분에서의 광이 투명 전극(144) 및 컬러 필터(250) 사이를 통과한 길이(D1)가 반사 전극(142) 부분에서 광이 컬러필터(250)-반사 전극(142)-컬러필터(250)를 통과한 길이(D2)와 거의 동일하다. 이처럼, 광 투과창(132) 부분에서 광이 통과한 길이 및 반사 전극(142) 부분에서 광이 통과한 길이가 동일해짐에 따라 광 투과창(132) 부분에서의 휘도 및 반사 전극(142) 부분에서의 휘도가 거의 동일해진다.
도 6에서 미설명 도면부호 170은 액정을 배향하기 위한 배향막이다.
<제 2 실시예>
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 제 1 기판에 박막 트랜지스터를 형성하는 것을 도시한 공정도이다.
도 7을 참조하면, 제 1 투명 기판(110)에는 먼저 게이트 전극(121) 및 게이트 라인(도 2참조, 128)이 형성된다.
게이트 전극(121) 및 게이트 라인(128)을 형성하기 위해서, 제 1 투명 기판(110)에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질인 게이트 메탈이 제 1 투명 기판(110)의 전면적에 걸쳐 증착된다. 제 1 투명 기판(110)에 증착된 게이트 메탈을 "게이트 박막"이라 정의하기로 한다.
제 1 투명 기판(110)에 형성된 게이트 박막은 사진 식각 공정을 거쳐 도 7에 도시된 바와 같이 게이트 전극(121) 및 게이트 라인(128)이 동시에 형성된다. 이때, 게이트 전극(121)은 요구 해상도에 적합하게 설정된 픽셀 영역(도 2참조, 160) 마다 하나씩 형성된다.
이어서, 절연막(125)이 게이트 전극(121) 및 게이트 라인(128)을 덮도록 제 1 투명 기판(110)의 전면적에 걸쳐 증착된다. 이때, 절연막(125)은 투명하면서 저항이 높은 물질이 사용된다.
절연막(125)이 제 1 투명 기판(110)에 형성된 후, 제 1 투명 기판(110)에는 채널층(120)인 아몰퍼스 실리콘층(122a) 및 n+ 아몰퍼스 실리콘층(122b)이 순차적으로 증착된다.
n+ 아몰퍼스 실리콘층(122b)은 게이트 전극(121)의 상부에서 상호 단락 되도록 패터닝되어 형성되고, 아몰퍼스 실리콘층(122a)은 게이트 전극(121)의 상부에서 상호 단락 되지 않도록 패터닝된다.
채널층(120)이 형성된 상태에서, 제 1 투명 기판(110)에는 다시 전면적에 걸쳐 소오스/드레인 메탈 박막이 형성된 후 패터닝되어 소오스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성된다. 도 2에 도시된 데이터 라인(129)은 소오스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성되는 과정에서 형성된다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 제 1 투명 기판에 불투명 유기막이 형성된 것을 도시한 공정도이다. 도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 패터닝된 불투명 유기막을 도시한 공정도이다.
도 8 또는 도 9를 참조하면, 제 1 투명 기판(110)에는 박막 트랜지스터(127)가 모두 덮이도록 불투명 유기물질이 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 도포되어 패터닝되지 않은 불투명 유기막(135)이 형성된다.
불투명 유기막(135)이 형성된 상태에서 불투명 유기막(135)의 상면에는 다시 패턴 마스크(139)가 얼라인 된다.
패턴 마스크(139)는 크게 3 개의 서로 다른 패턴을 갖는다. 패턴 마스크(139)에 형성된 첫 번째 패턴(136)은 불투명 유기막(135)의 상면에 엠보싱 요철을 형성하기 위한 패턴으로 슬릿 형태 패턴이다.
두 번째 패턴(137)은 불투명 유기막(135)에 콘택홀이 형성되도록 한다. 두 번째 패턴(137)에 의하여 불투명 유기막(135)중 박막 트랜지스터(127)의 드레인 전극(124) 부분에는 콘택홀이 형성된다.
세 번째 패턴(138)은 불투명 유기막(135)에 광 투과창이 형성되도록 한다. 세 번째 패턴(138)에 의하여 불투명 유기막(135)에는 광 투과창이 형성된다.
이와 같은 패턴(136, 137, 138)이 형성된 패턴 마스크(139)는 불투명 유기막(135)의 상면에 얼라인 된 상태에서 노광이 수행된다.
노광에 의하여 도 9에 도시된 바와 같이 불투명 유기막(135)은 패터닝된다. 이하, 패터닝된 불투명 유기막에 도면부호 130을 부여하기로 한다.
패터닝된 불투명 유기막(130)에는 엠보싱 요철(133), 콘택홀(131) 및 광 투과창(132)이 형성된다.
불투명 유기막(130)에 엠보싱 요철(133), 콘택홀(131) 및 광 투과창(132)이 형성된 상태에서 불투명 유기막(130)에는 전면적에 걸쳐 화소 전극(140)이 형성된다.
불투명 유기막(130)에는 전면적에 걸쳐 소오스/드레인 메탈이 형성되고, 소오스/드레인 메탈은 사진, 식각 공정에 의하여 패터닝되어 반사 전극(142)이 형성된다.
반사 전극(142)이 형성된 상태에서 불투명 유기막(130)의 상면에는 다시 인듐 주석 산화막이 전면적에 걸쳐 형성된다. 이후, 인듐 주석 산화막은 픽셀 영역에만 남도록 패터닝되어 투명 전극(144)이 형성된다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 제 2 기판을 제조하는 과정을 도시한 공정도이다.
도 10을 참조하면, 먼저, 제 2 투명 기판(210)에는 컬러필터(250)가 제작된다. 컬러필터(250)는 레드 컬러필터(220)를 전면 증착한 후 패터닝, 그린 컬러필터(230)를 전면 증착한 후 패터닝 및 블루 컬러필터(240)를 전면 증착한 후 패터닝하는 과정을 거처 제작된다.
이때, 각 컬러필터(250)의 에지는 상호 오버랩 되거나, 오버랩 되지 않을 수 있다.
컬러필터(250)까지 형성된 상태에서 제 2 투명 기판(210)에는 공통 전극(260)이 형성된다. 공통 전극(260)은 인듐 주석 산화막 또는 인듐 아연 산화막으로 제작되며, 제 2 투명 기판(210)의 전면적에 걸쳐 형성된다.
이와 같은 과정을 거쳐 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)이 형성된 상태에 서 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)은 상호 어셈블리 되는 과정을 거친다.
어셈블리 된 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)에는 액정(300)이 주입되어 액정표시장치가 제작된다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 반사-투과형 액정표시장치에서 반사 전극 및 투명 전극을 형성하기 위한 유기막을 광 흡수율은 높고 광반사율은 낮은 불투명 유기막을 사용함으로써 반사 전극 부분에서의 휘도 및 투명 전극 부분에서의 휘도 편차를 감소시킬 수 있으며, 컬러필터가 형성된 기판과 박막 트랜지스터, 화소전극이 형성된 기판의 미스 얼라인에 의한 개구율 변화를 최소화할 수 있는 장점을 갖는다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. (a) 제 1 투명 기판, (b) 상기 제 1 투명 기판에 형성된 복수개의 픽셀 영역에 제 1 전압을 공급하는 전원 공급 수단, (c) 상기 전원 공급 수단의 출력단 위치에 형성된 콘택홀 및 상기 픽셀 영역마다 광이 통과하는 광 투과 영역을 갖는 불투명 유기막, (d) 상기 픽셀 영역마다 상기 출력단을 통하여 상기 광 투과 영역을 제외한 광 반사 영역에 상기 제 1 전압을 인가하는 반사 전극 및 상기 출력단을 통하여 상기 광 투과 영역에 상기 제 1 전압을 인가하는 투명 전극을 포함하는 화소 전극을 포함하는 제 1 기판;
    제 2 투명 기판, 상기 제 2 투명 기판에 형성된 공통전극을 포함하는 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함하고,
    상기 투명 전극은 상기 반사 전극에 접촉하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 불투명 유기막의 상면에는 엠보싱 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 불투명 유기막은 포지티브 블랙 포토레지스트 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 각 픽셀 영역 중 제 2 기판 및 상기 공통 전극의 사이에는 컬러필터가 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 상기 반사 전극의 상면에 접촉하여 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 전원 공급 수단은 상기 픽셀 영역마다 형성된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 계조 전압을 인가하는 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터를 스위칭 하여 상기 계조 전압을 상기 화소 전극으로 인가하는 게이트 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치.
  7. 제 1 투명 기판에 형성된 복수개의 픽셀 영역에 제 1 전압을 공급하는 전원 공급 수단을 형성하는 단계, 상기 전원 공급 수단의 출력단 위치에 콘택홀을 형성 및 상기 픽셀 영역마다 광이 통과하는 광 투과 영역이 형성된 불투명 유기막을 형성하는 단계, 상기 픽셀 영역마다 상기 출력단을 통하여 상기 픽셀 영역 중 상기 광 투과 영역을 제외한 광 반사 영역에 반사 전극을 상기 불투명 유기막의 상면에 형성 및 상기 출력단을 통하여 상기 광 투과 영역에 상기 반사전극과 접촉하는 투명 전극을 형성하여 제 1 기판을 제조하는 단계;
    제 2 투명 기판에 공통전극을 형성하여 제 2 기판을 제조하는 단계; 및
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 불투명 유기막을 형성하는 단계에서는 상기 불투명 유기막의 상면에 엠보싱 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는 상기 불투명 유기막의 상면에 상기 반사 전극을 형성한 후 상기 반사 전극의 상면에 상기 투명 전극을 접촉하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법.
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