JP5007171B2 - 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 - Google Patents
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Description
前記画素電極は、前記ドレイン電極に含まれる透明導電膜から延在された透明導電膜と、前記ドレイン電極に含まれる金属膜から延在された金属膜とを含み、
前記ゲート絶縁膜と前記透明導電膜との間に、前記画素電極の前記金属膜と重複するよう形成され、凹凸形状を有する凹凸パターンを有するものである。
始めに、図1を用いて、本発明に係る表示装置について説明する。図1は、液晶表示装置に用いられるTFTアレイ基板の構成を示す正面図である。本発明に係る表示装置は、液晶表示装置を例として説明するが、あくまでも例示的なものであり、有機EL表示装置等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)等を用いることも可能である。この液晶表示装置の全体構成については、以下に述べる第1〜第7の実施形態で共通である。
次に、図7を用いて、本実施の形態2に係るTFTアレイ基板62について説明する。本実施の形態では、実施の形態1と異なる画素電極部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1と同様であるため説明を省略する。図7は、本実施の形態2に係るTFTアレイ基板62の断面構造を示す図である。図7において、本実施の形態では、透過画素電極10aの表面が露出した画素電極部の構成を有する。
図8及び図9を用いて、本実施の形態3に係るTFTアレイ基板63について説明する。本実施の形態では、実施の形態1、2と異なる画素電極部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1、2と同様であるため説明を省略する。実施の形態1、2のTFTアレイ基板は、例えば透過型液晶表示装置に用いられるようなTFTアレイ基板であり、画素電極部は透過部により構成されている。本実施の形態のTFTアレイ基板は、例えば半透過型液晶表示装置等に用いられ、画素電極部は透過部および反射部により構成されている。図8は、本実施の形態3に係るTFTアレイ基板63の上面図であり、図9は図8のB−B断面図である。なお、図8では、ゲート絶縁膜6及びパッシベーション膜23はコンタクトホールのみが記載されている。
図11及び12を用いて、本実施の形態4に係るTFTアレイ基板65について説明する。本実施の形態では、実施の形態1〜3と異なる画素電極部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1〜3と同様であるため説明を省略する。実施の形態1、2のTFTアレイ基板は、例えば透過型液晶表示装置に用いられるようなTFTアレイ基板であり、画素電極部は透過部により構成されている。また、実施の形態3は、例えば半透過型液晶表示装置等に用いられるようなTFTアレイ基板であり、画素電極部は透過部および反射部により構成されている。一方、本実施の形態のTFTアレイ基板は、例えば反射型液晶表示装置等に用いられ、画素電極部は反射部により構成されている。図11は、本実施の形態4に係るTFTアレイ基板65の上面図であり、図12は図11のC−C断面図である。なお、図11では、ゲート絶縁膜6及びパッシベーション膜23はコンタクトホールのみが記載されている。
次に、図14を用いて、本実施の形態5に係るTFTアレイ基板67について説明する。本実施の形態では、実施の形態1〜4と異なる層を有する構成となっていて、それ以外の構成については実施の形態1〜4と同様であるため説明を省略する。図14は、本実施の形態5に係るTFTアレイ基板67の断面構造を示す図である。
次に、図15を用いて、本実施の形態6に係るTFTアレイ基板68について説明する。本実施の形態では、実施の形態1〜4と異なるTFT部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1〜4と同様であるため、説明を省略する。図15は、本実施の形態6に係るTFTアレイ基板68の断面構造を示す図である。
図16及び図17を用いて、本実施の形態7に係るTFTアレイ基板69について説明する。本実施の形態では、実施の形態3のTFTアレイ基板63に凹凸パターンをさらに設けた構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態3と同様であるため説明を省略する。図16は、本実施の形態7に係るTFTアレイ基板69の上面図であり、図17は図16のD−D断面図である。なお、図16では、ゲート絶縁膜6及びパッシベーション膜23はコンタクトホールのみが記載されている。
透明導電膜7からなる透過画素電極10aは、この凹凸パターン27を覆うように形成されている。反射部では、透過画素電極10aの上に、さらに第2の金属膜8からなる反射画素電極10bが形成されている。すなわち、凹凸パターン27は、反射画素電極10bと重複するよう配設されている。したがって、反射画素電極10bは、その表面が凹凸パターン27に沿った凹凸形状に形成される。反射画素電極10bのこの凹凸によって、外光は効果的に散乱され、反射部の表示特性が改善する。
6 ゲート絶縁膜、7 透明導電膜、8 第2の金属薄膜、
9、9a、9b ドレイン電極、
10a 透過画素電極、10b 反射画素電極
11、11a、11b ソース電極、
13、13a、13b ソース端子、
14 フォトレジスト、15 第1の露光部、16 第2の露光部、
17 遮光部、18 フォトマスク、
19、19a、20 レジストパターン、
21 半導体膜、22 チャネル領域、23 パッシベーション膜、
24 ゲート端子開口部、25 ソース端子開口部、
26 オーミックコンタクト膜、
27 凹凸パターン、27a 凹部、27b 凸部、
28 絶縁パターン、29 有機膜、30 フォトマスク、
41 表示領域、42 額縁領域、43 ゲート配線、44 ソース配線、
45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、
47 画素、48、49 外部配線、50 TFT
61、62、63、64、65、66、67、68 TFTアレイ基板、
69、70、71 TFTアレイ基板
Claims (18)
- 基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
透明導電膜および前記透明導電膜上に形成された金属膜を含み、前記ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続されている半導体膜と、
前記ドレイン電極より延在して形成された画素電極とを有し、
前記画素電極は、前記ドレイン電極に含まれる透明導電膜から延在された透明導電膜と、前記ドレイン電極に含まれる金属膜から延在された金属膜とを含み、
前記ゲート絶縁膜と前記透明導電膜との間に、前記画素電極の前記金属膜と重複するよう形成され、凹凸形状を有する凹凸パターンを有する薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記画素電極内に金属膜の形成されない領域を有する請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記凹凸パターンは、有機膜によって形成されている請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記半導体膜との間に形成されたオーミックコンタクト膜をさらに有し、
前記オーミックコンタクト膜を介して前記半導体膜が前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続されている請求項1乃至3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記オーミックコンタクト膜は、Crに酸素原子を添加した導電性の金属酸化膜である請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記オーミックコンタクト膜は、導電性の金属窒化物である請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記半導体膜の下面は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記金属膜と接触している請求項1乃至3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記半導体膜の下面は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記透明導電膜と接触している請求項1乃至3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板を有する表示装置。
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜上に金属膜を形成する工程と、
複数階調露光によって前記金属膜の上に膜厚差を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記膜厚差を有するレジストパターンを介して前記透明導電膜および前記金属膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記膜厚差を有するレジストパターンをアッシングして前記レジストパターンの薄膜部を除去する工程と、
前記薄膜部が除去されたレジストパターンを介して前記金属膜をエッチングし、画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を形成した後、前記薄膜部が除去されたレジストパターンを除去し、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に半導体膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜を形成後、前記透明導電膜を形成する前に、前記画素電極となる領域の少なくとも一部に凹凸パターンを形成する工程をさらに有し、
前記画素電極を形成する工程では、前記凹凸パターン上に前記金属膜を残存させるようにエッチングをする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記凹凸パターンを形成する工程では、前記ゲート絶縁膜の上に感光性樹脂膜を形成し、複数階調露光によって膜厚差を有する前記凹凸パターンを形成する請求項10に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記感光性樹脂膜はレジストである請求項11に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記感光性樹脂膜はアクリル系の有機樹脂膜である請求項11に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記金属膜上にオーミックコンタクト膜を形成する工程をさらに有し、
前記ソース電極およびドレイン電極を形成する工程では、前記オーミックコンタクト膜をエッチングし、
前記画素電極を形成する工程では、前記オーミックコンタクト膜をエッチングし、
前記半導体膜を形成する工程では、前記半導体膜が前記オーミックコンタクト膜と接触するよう形成する請求項10乃至13のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記オーミックコンタクト膜は、Crに酸素原子を添加した導電性の金属酸化膜である請求項14に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記オーミックコンタクト膜は、導電性の金属窒化物である請求項14に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体膜を形成する工程では、前記半導体膜が前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記金属膜と接触するよう形成する請求項10乃至13のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記薄膜部が除去されたレジストパターンを介して前記金属膜をエッチングする工程では、前記ソース電極および前記ドレイン電極となる領域の前記金属膜をエッチングして除去し、
前記半導体膜を形成する工程では、前記半導体膜が前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記透明導電膜と接触するよう形成する請求項10乃至13のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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WO2011010545A1 (en) * | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102024757B (zh) * | 2009-09-22 | 2013-03-27 | 群康科技(深圳)有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
US20130023086A1 (en) * | 2009-12-21 | 2013-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display panel provided with same, and method for manufacturing active matrix substrate |
JP5523225B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-06-18 | 日本電産サンキョー株式会社 | 媒体搬送方向切替機構および媒体発行回収装置 |
JP2012129444A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板、及び液晶装置 |
JP6103854B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2017-03-29 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板 |
TWI513005B (zh) * | 2013-09-13 | 2015-12-11 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體及其製造方法 |
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JPH08236775A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-13 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2003508797A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-03-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
KR100766493B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 |
JP2004029650A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR100770472B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2007-10-26 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법 |
JP2004349583A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sharp Corp | トランジスタの製造方法 |
JP2005327793A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
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