JP2008227442A - 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008227442A JP2008227442A JP2007192482A JP2007192482A JP2008227442A JP 2008227442 A JP2008227442 A JP 2008227442A JP 2007192482 A JP2007192482 A JP 2007192482A JP 2007192482 A JP2007192482 A JP 2007192482A JP 2008227442 A JP2008227442 A JP 2008227442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- array substrate
- electrode
- transistor array
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 330
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 26
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 6
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019923 CrOx Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021472 group 8 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、絶縁基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁膜6と、透明導電膜7および透明導電膜7上に形成された第2の金属膜8を含み、ゲート絶縁膜6上に形成されたソース電極11およびドレイン電極9と、ソース電極11およびドレイン電極9の上に形成され、ソース電極11およびドレイン電極9と電気的に接続されている半導体膜21と、ドレイン電極9より延在して形成された透過画素電極10aと、を有するものである。
【選択図】 図3
Description
始めに、図1を用いて、本発明に係る表示装置について説明する。図1は、液晶表示装置に用いられるTFTアレイ基板の構成を示す正面図である。本発明に係る表示装置は、液晶表示装置を例として説明するが、あくまでも例示的なものであり、有機EL表示装置等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)等を用いることも可能である。この液晶表示装置の全体構成については、以下に述べる第1〜第7の実施形態で共通である。
次に、図7を用いて、本実施の形態2に係るTFTアレイ基板62について説明する。本実施の形態では、実施の形態1と異なる画素電極部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1と同様であるため説明を省略する。図7は、本実施の形態2に係るTFTアレイ基板62の断面構造を示す図である。図7において、本実施の形態では、透過画素電極10aの表面が露出した画素電極部の構成を有する。
図8及び図9を用いて、本実施の形態3に係るTFTアレイ基板63について説明する。本実施の形態では、実施の形態1、2と異なる画素電極部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1、2と同様であるため説明を省略する。実施の形態1、2のTFTアレイ基板は、例えば透過型液晶表示装置に用いられるようなTFTアレイ基板であり、画素電極部は透過部により構成されている。本実施の形態のTFTアレイ基板は、例えば半透過型液晶表示装置等に用いられ、画素電極部は透過部および反射部により構成されている。図8は、本実施の形態3に係るTFTアレイ基板63の上面図であり、図9は図8のB−B断面図である。なお、図8では、ゲート絶縁膜6及びパッシベーション膜23はコンタクトホールのみが記載されている。
図11及び12を用いて、本実施の形態4に係るTFTアレイ基板65について説明する。本実施の形態では、実施の形態1〜3と異なる画素電極部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1〜3と同様であるため説明を省略する。実施の形態1、2のTFTアレイ基板は、例えば透過型液晶表示装置に用いられるようなTFTアレイ基板であり、画素電極部は透過部により構成されている。また、実施の形態3は、例えば半透過型液晶表示装置等に用いられるようなTFTアレイ基板であり、画素電極部は透過部および反射部により構成されている。一方、本実施の形態のTFTアレイ基板は、例えば反射型液晶表示装置等に用いられ、画素電極部は反射部により構成されている。図11は、本実施の形態4に係るTFTアレイ基板65の上面図であり、図12は図11のC−C断面図である。なお、図11では、ゲート絶縁膜6及びパッシベーション膜23はコンタクトホールのみが記載されている。
次に、図14を用いて、本実施の形態5に係るTFTアレイ基板67について説明する。本実施の形態では、実施の形態1〜4と異なる層を有する構成となっていて、それ以外の構成については実施の形態1〜4と同様であるため説明を省略する。図14は、本実施の形態5に係るTFTアレイ基板67の断面構造を示す図である。
次に、図15を用いて、本実施の形態6に係るTFTアレイ基板68について説明する。本実施の形態では、実施の形態1〜4と異なるTFT部の構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態1〜4と同様であるため、説明を省略する。図15は、本実施の形態6に係るTFTアレイ基板68の断面構造を示す図である。
図16及び図17を用いて、本実施の形態7に係るTFTアレイ基板69について説明する。本実施の形態では、実施の形態3のTFTアレイ基板63に凹凸パターンをさらに設けた構成を有していて、それ以外の構成については実施の形態3と同様であるため説明を省略する。図16は、本実施の形態7に係るTFTアレイ基板69の上面図であり、図17は図16のD−D断面図である。なお、図16では、ゲート絶縁膜6及びパッシベーション膜23はコンタクトホールのみが記載されている。
透明導電膜7からなる透過画素電極10aは、この凹凸パターン27を覆うように形成されている。反射部では、透過画素電極10aの上に、さらに第2の金属膜8からなる反射画素電極10bが形成されている。すなわち、凹凸パターン27は、反射画素電極10bと重複するよう配設されている。したがって、反射画素電極10bは、その表面が凹凸パターン27に沿った凹凸形状に形成される。反射画素電極10bのこの凹凸によって、外光は効果的に散乱され、反射部の表示特性が改善する。
6 ゲート絶縁膜、7 透明導電膜、8 第2の金属薄膜、
9、9a、9b ドレイン電極、
10a 透過画素電極、10b 反射画素電極
11、11a、11b ソース電極、
13、13a、13b ソース端子、
14 フォトレジスト、15 第1の露光部、16 第2の露光部、
17 遮光部、18 フォトマスク、
19、19a、20 レジストパターン、
21 半導体膜、22 チャネル領域、23 パッシベーション膜、
24 ゲート端子開口部、25 ソース端子開口部、
26 オーミックコンタクト膜、
27 凹凸パターン、27a 凹部、27b 凸部、
28 絶縁パターン、29 有機膜、30 フォトマスク、
41 表示領域、42 額縁領域、43 ゲート配線、44 ソース配線、
45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、
47 画素、48、49 外部配線、50 TFT
61、62、63、64、65、66、67、68 TFTアレイ基板、
69、70、71 TFTアレイ基板
Claims (22)
- 基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
透明導電膜および前記透明導電膜上に形成された金属膜を含み、前記ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続されている半導体膜と、
前記ドレイン電極より延在して形成された画素電極と、を有する薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記画素電極は、前記ドレイン電極に含まれる透明導電膜から延在された透明導電膜を含む請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、前記ドレイン電極に含まれる金属膜から延在された金属膜を含む請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極内に金属膜の形成されない領域を有する請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ゲート絶縁膜と前記透明導電膜との間に、前記画素電極の金属膜と重複するよう形成され、凹凸形状を有する凹凸パターンをさらに有する請求項3又は4に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記凹凸パターンは、有機膜によって形成されている請求項5に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記半導体膜との間に形成されたオーミックコンタクト膜をさらに有し、
前記オーミックコンタクト膜を介して前記半導体膜が前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続されている請求項1乃至6のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記オーミックコンタクト膜は、Al、Cr、またはTiに酸素原子を添加した導電性の金属酸化膜である請求項7に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記オーミックコンタクト膜は、導電性の金属窒化物である請求項7に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記半導体膜の下面は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記金属膜と接触している請求項1乃至6のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記半導体膜の下面は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記透明導電膜と接触している請求項1乃至6のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板を有する表示装置。
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜上に金属膜を形成する工程と、
複数階調露光によって前記金属膜の上に膜厚差を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記膜厚差を有するレジストパターンを介して前記透明導電膜および前記金属膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記膜厚差を有するレジストパターンをアッシングして前記レジストパターンの薄膜部を除去する工程と、
前記薄膜部が除去されたレジストパターンを介して前記金属膜をエッチングし、画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を形成した後、前記薄膜部が除去されたレジストパターンを除去し、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に半導体膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜を形成後、前記透明導電膜を形成する前に、前記画素電極となる領域の少なくとも一部に凹凸パターンを形成する工程をさらに有し、
前記画素電極を形成する工程では、前記凹凸パターン上に前記金属膜を残存させるようにエッチングをする請求項13に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記凹凸パターンを形成する工程では、前記ゲート絶縁膜の上に感光性樹脂膜を形成し、複数階調露光によって膜厚差を有する前記凹凸パターンを形成する請求項14に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記感光性樹脂膜はレジストである請求項15に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記感光性樹脂膜はアクリル系の有機樹脂膜である請求項15に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記金属膜上にオーミックコンタクト膜を形成する工程をさらに有し、
前記ソース電極およびドレイン電極を形成する工程では、前記オーミックコンタクト膜をエッチングし、
前記画素電極を形成する工程では、前記オーミックコンタクト膜をエッチングし、
前記半導体膜を形成する工程では、前記半導体膜が前記オーミックコンタクト膜と接触するよう形成する請求項13乃至17のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記オーミックコンタクト膜は、Al、Cr、またはTiに酸素原子を添加した導電性の金属酸化膜である請求項18に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記オーミックコンタクト膜は、導電性の金属窒化物である請求項18に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体膜を形成する工程では、前記半導体膜が前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記金属膜と接触するよう形成する請求項13乃至17のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記薄膜部が除去されたレジストパターンを介して前記金属膜をエッチングする工程では、前記ソース電極および前記ドレイン電極となる領域の前記金属膜をエッチングして除去し、
前記半導体膜を形成する工程では、前記半導体膜が前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる前記透明導電膜と接触するよう形成する請求項13乃至17のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007192482A JP5007171B2 (ja) | 2007-02-13 | 2007-07-24 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 |
US12/029,958 US20080191211A1 (en) | 2007-02-13 | 2008-02-12 | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007031929 | 2007-02-13 | ||
JP2007031929 | 2007-02-13 | ||
JP2007192482A JP5007171B2 (ja) | 2007-02-13 | 2007-07-24 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008227442A true JP2008227442A (ja) | 2008-09-25 |
JP5007171B2 JP5007171B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=39845651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007192482A Active JP5007171B2 (ja) | 2007-02-13 | 2007-07-24 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5007171B2 (ja) |
CN (1) | CN101257032A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012129444A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板、及び液晶装置 |
JP2014036189A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ基板 |
JP2015135977A (ja) * | 2009-03-05 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、テレビジョン装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2015164205A (ja) * | 2008-12-25 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019179930A (ja) * | 2009-07-18 | 2019-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102024757B (zh) * | 2009-09-22 | 2013-03-27 | 群康科技(深圳)有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
US20130023086A1 (en) * | 2009-12-21 | 2013-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display panel provided with same, and method for manufacturing active matrix substrate |
JP5523225B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-06-18 | 日本電産サンキョー株式会社 | 媒体搬送方向切替機構および媒体発行回収装置 |
TWI513005B (zh) * | 2013-09-13 | 2015-12-11 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體及其製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236775A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-13 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2002258325A (ja) * | 2001-02-12 | 2002-09-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 |
JP2003508797A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-03-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
JP2004029650A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2004295082A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | 反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法 |
JP2004349583A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sharp Corp | トランジスタの製造方法 |
JP2005327793A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-07-24 JP JP2007192482A patent/JP5007171B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-13 CN CNA2008100920376A patent/CN101257032A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236775A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-13 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2003508797A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-03-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
JP2002258325A (ja) * | 2001-02-12 | 2002-09-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 |
JP2004029650A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2004295082A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | 反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法 |
JP2004349583A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sharp Corp | トランジスタの製造方法 |
JP2005327793A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015164205A (ja) * | 2008-12-25 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015135977A (ja) * | 2009-03-05 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、テレビジョン装置、及び半導体装置の作製方法 |
US9941393B2 (en) | 2009-03-05 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10326008B2 (en) | 2009-03-05 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019159339A (ja) * | 2009-03-05 | 2019-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10686061B2 (en) | 2009-03-05 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11955537B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019179930A (ja) * | 2009-07-18 | 2019-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2012129444A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板、及び液晶装置 |
JP2014036189A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ基板 |
US9076875B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin film transistor substrate with pixel matrix |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101257032A (zh) | 2008-09-03 |
JP5007171B2 (ja) | 2012-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5007171B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 | |
US7839475B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
US7872721B2 (en) | Horizontal electric field switching liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
US8045078B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US7488983B2 (en) | Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US20140285745A1 (en) | Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device | |
US8263442B2 (en) | Thin film transistor substrate of horizontal electric field type liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
US7118947B2 (en) | Thin film transistor substrate of a horizontal electric field type LCD and fabricating method thereof | |
US7576822B2 (en) | Thin film transistor substrate using horizontal electric field and fabricating method thereof | |
US20110136274A1 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
JP2009122697A (ja) | 液晶表示装置 | |
US6970209B2 (en) | Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating the same | |
US7167217B2 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
US6853405B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display | |
US20100001277A1 (en) | Thin film transistor array and method of manufacturing the same | |
US7880700B2 (en) | Liquid crystal display panel of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof | |
US7567321B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US20070188682A1 (en) | Method for manufacturing a display device | |
US20040263751A1 (en) | Liquid crystal display device of a horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof | |
US20080191211A1 (en) | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device | |
JP5525773B2 (ja) | Tft基板及びその製造方法 | |
US7563655B2 (en) | Method of fabricating the liquid crystal display device | |
US8294862B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US7737446B2 (en) | Thin films transistor array substrate and fabricating method thereof | |
US20080143907A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120528 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5007171 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |