JP2004295082A - 反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板100上にゲート電極110を形成し、その上にゲート絶縁膜120を形成する段階と、ゲート絶縁膜120の上にアクティブ層130とオーミックコンタクト層140を形成し、その上にオーミックコンタクト層140と重なるようにソース、ドレイン電極150,152を形成する段階と、その上に保護膜160を形成した後に、保護膜160上にレジン層180を形成する段階と、レジン層180を、一枚のマスクを使い同一露光量で一度露光する露光工程で処理することにより、レジン層180の一領域にコンタクトホールを、別の一領域に所定の凹凸角度を有する凹凸部を各々形成する段階と、その全体の上に反射電極188を形成する段階とを含む。
【選択図】図5
Description
本発明による液晶表示装置の製造方法の内、有機絶縁膜(レジン)の形成に係る工程以外の工程に関しては、従来技術によるのと同一であるから、詳細な説明は省略する。
この結果、図3に示すように、コンタクトホール182aと「凹凸部」184が形成される。
ここで、「凹凸部」184の個々の凹凸184aと前記ガラス基板100がなす角度、すなわち凹凸角度の調節は、マスクパターンの形状と、工程条件のうちでは印加される露光量と最も大きい関係があるので、露光量を調節して望みの凹凸角度を得る。
この露光量は、有機絶縁膜180全体に均一に印加され、コンタクトホール形成のための露光量(Eop)より少ないので、凹凸部の形成領域に対しては、望みの凹凸角度の凹凸部184を形成できるのに対して、コンタクトホール182aには、前記有機絶縁膜180の一部が残留する。すなわち、透明電極170が露出せず、コンタクトホールとして完成しない。
例えば、典型値100mJ/cm2(2500msec)の露光量で露光した場合に残留する有機絶縁膜の厚さは、現像液の種類と現象時間によって異なるが、厚さ2.5μmの有機絶縁膜180の場合、概略1μmの厚さの有機絶縁膜が前記コンタクトホール182a内に残留する。
最初に、再び図3を参照すると、前記OMOE工程に用いる前記(1枚の)マスク(図示せず)において、前記コンタクトホール182aに対応する開口部のサイズは、通常前記「凹凸部」の凹部に対応する開口部のサイズより大きいが、これをさらに大きく形成すると、前記コンタクトホール182a内に残留する有機絶縁膜の厚さはさらに減ってその除去が容易になる。
前記後面露光には、透明電極170が露出し、コンタクトホール182bが完成するのに必要十分な時間をかける。
こうして、前記透明電極170は、前記コンタクトホール182bを通じて後続工程で形成される反射電極188と連結される。
また、このような後面露光は、有機絶縁膜180の内、(不透明な)金属層であるドレイン電極152の上にある部分でのみ反射光により進行し、透明電極170の上では入射露光光線が反射されず透過してしまい進行しないので、「凹凸部」184の凹凸が追加して露光されることはない。
以下では前に説明した第1実施例と同一の部分に対する説明は便宜上省略する。
すなわち、前記OMOE工程によるコンタクトホール282の形成時に、前記マスクの開口部の形状を、中心コンタクトホール282aと共に寄生コンタクトホール282bを前記有機絶縁膜280内に形成できるようにしておくと、前記その上にコンタクトホールを形成すべき部分265aの上の有機絶縁膜280は、さらに効果的に除去されてコンタクトホール形成に有利である。
ここで、前記透明電極370は反射透過複合型液晶表示装置の場合のみ形成する。
110、210a、310 ゲート電極
210b ダミーゲート電極
120、220、320 ゲート絶縁膜
130、230、330 アクティブ層
140、240、340 オーミックコンタクト層
150、152、250、252、350、352 ソース、ドレイン電極
153、253、353 データライン
160、260、360 保護膜
170、270、370 透明電極
180、280、380 レジン層
182a、182b、282、382 コンタクトホール
184、284、384 「凹凸部」
184a、284a、384a 「凹凸部」の個々の凹凸
186a、286a、386a バッファー層(Mo)
186b、286b、386b 反射電極(AlNd)
400 画素
420 扇形凹凸
Claims (22)
- 絶縁基板上にゲート電極を形成した後に、前記ゲート電極を含む絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上にアクティブ層とオーミックコンタクト層を形成した後に、前記アクティブ層とオーミックコンタクト層を含む絶縁基板上に前記オーミックコンタクト層と重なるようにソース、ドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース、ドレイン電極を含む絶縁基板上に保護膜を形成した後に、前記保護膜上にレジン層を形成する段階と、
前記レジン層を、一枚のマスクを使い同一露光量で一度露光する露光工程で処理することにより、前記レジン層の一領域にコンタクトホールを、別の一領域に所定の凹凸角度を有する凹凸部を各々形成する段階と、及び
前記コンタクトホールと凹凸部を含む結果物の全体上部に反射板を形成する段階と、
を含んで構成されることを特徴とする反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。 - 前記露光工程の段階において、後面露光を進行して前記コンタクトホール内に残留するレジン層を除去する処理をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記レジン層を形成する段階の前に、前記保護膜を形成した後に、前記保護膜の一部を除去して前記ドレイン電極の一部と前記絶縁基板の一部を露出する段階と、前記露出したドレイン電極の一部と絶縁基板の一部の上に透明電極を形成する段階とを、さらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記レジン層は1ないし4μmの厚さまたは2.5ないし3μmの厚さで形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記凹凸角度はピーク値が4ないし8゜のガウシャン分布を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記後面露光は350ないし3500mJ/cm2の露光量で進行することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールを形成する領域における前記レジン層の厚さが、前記凹凸部を形成する領域における前記レジン層の厚さより実質的に薄いことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールは、少なくとも前記ドレイン電極の延長部と前記ゲート絶縁膜とダミーゲート電極とからなる3重層構造の上に形成され、一方、前記凹凸部は、単一の絶縁層又は単一の金属層の上に形成されることを特徴とする請求項7に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記レジン層の厚さの差は0.3ないし1.0μmであることを特徴とする請求項7又は8に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記露光工程において、前記コンタクトホール内のレジンが除去されてその下部層が露出し、前記凹凸部のレジンには所定の凹凸角度を有する凹凸部が形成されることを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記凹凸部の下の保護膜を除去して概略4000Å以上の段差をさらに形成することを特徴とする請求項7ないし10のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記有機絶縁膜内に形成したコンタクトホールは中心コンタクトホールと寄生コンタクトホールからなることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールを通じて前記反射板と前記ドレイン電極が3ないし5μmの幅で連結されていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールを通じて前記反射板と前記透明電極が3ないし5μmの幅で連結されていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールは画素の透過領域の上部に形成されることを特徴とする請求項1、3ないし6のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記凹凸部を構成する凹凸は多角形、円形、扇形または線形であることを特徴とする請求項1ないし15のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記扇形の凹凸の、半径長さ、中心角大きさ、中心間の間隔または画素上の配列位置によって前期凹凸部の光特性を調整することを特徴とする請求項16に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記扇形の凹凸は一つの画素に多数個を配置するか、または多数個の画素に一個を配置することを特徴とする請求項17に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記扇形の凹凸の前記半径長さは3ないし6μmであり、前記中心角の大きさは45ないし180゜であることを特徴とする請求項17または18に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記中心角の大きさは60゜であることを特徴とする請求項17に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記一個の画素に多数個の扇形凹凸を配置する場合、前記中心間の間隔が0ないし3μmであるグループと8ないし12μmであるグループに分けて画素上に具現することを特徴とする請求項18ないし20のいずれかに記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
- 前記線形凹凸はその線幅が3ないし5μmであることを特徴とする請求項16に記載の反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の製造方法。
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