KR20060072318A - 액정 표시 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20060072318A
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Abstract

본 발명은 공정 시간을 단축함과 아울러 소형화가 가능한 액정 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 상부기판 상에 형성된 공통전극과; 상기 상부기판과 대향하는 하부기판 상에 형성된 신호라인과 적어도 한 층의 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성되며 상기 공통전극에 공통전압을 공급하는 공통패턴과; 상기 상부기판과 하부기판을 합착시킴과 아울러 상기 공통전극과 공통패턴을 전기적으로 연결하기 위한 도전성 스페이서를 포함하는 실링재를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 패널 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Panel And Method Of Fabricating The Same}
도 1은 종래 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 공통전극에 공통전압을 공급하기 위한 은 도트를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3에서 A영역을 확대한 평면도이다.
도 5는 도 4에서 선"Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취한 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6에서 선"Ⅲ-Ⅲ'", "Ⅳ-Ⅳ'"를 따라 절취한 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 8은 제2 공급패턴과 동시에 형성되는 반사전극을 가지는 반투과형 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 9a 내지 도 9f는 도 7 및 도 8에 도시된 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
170 : 박막트랜지스터 어레이 기판 180 : 컬러필터 어레이 기판
186 : 실링재 190 : 연결부
192,196 : 공급패턴 194 : 공급콘택홀
본 발명은 액정 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 공정 시간을 단축함과 아울러 소형화가 가능한 액정 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정 표시 장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 액정(50)을 사이에 두고 서로 대향하는 박막 트랜지스터 어레이 기판(70) 및 칼러 필터 어레이 기판(80)을 구비한다.
박막 트랜지스터 어레이 기판(70)은 하부기판(1) 상에 서로 교차되게 형성된 게이트라인(2) 및 데이터라인(4)과, 그들(2,4)의 교차부에 형성된 박막트랜지스터(30)와, 박막트랜지스터(30)와 접속된 화소전극(22)과, 그들 위에 액정 배향을 위 해 도포된 하부 배향막을 포함한다.
칼라 필터 어레이 기판(80)은 상부기판(11) 상에 형성되어 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(18)와, 칼러 구현을 위한 칼러 필터(12), 화소전극(22)과 수직전계를 이루는 공통전극(14)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막을 포함한다.
한편, 칼라필터 어레이 기판(80)의 공통전극(14)에 공통전압을 인가하기 위해서 도 2에 도시된 바와 같이 실링재(16) 바깥쪽으로 형성된 은 도트(10)를 구비한다. 이 은 도트(10)는 페이스트 상태로 박막트랜지스터 기판(70)과 칼라 필터 기판(80) 사이에 도팅된 후 두 기판(70,80)은 실링재를 이용하여 합착된다. 합착시 기판(1,11)에 가해지는 압력에 의해 은 도트(10)가 인접영역으로 퍼지게 된다. 이 때, 인접영역으로 확장된 은 도트(6)가 스크라이빙 공정에 의해 손상되지 않기 위해서는 스크라이빙 라인 안쪽으로 상대적으로 많은 은 도트 영역이 필요로 한다. 또한, 소형 액정 표시 패널은 모기판 상에 다수의 소형 패널 영역을 형성한 후 모든 패널 영역에 은 도트공정을 해야 하므로 대형 액정 표시 패널에 비해 공정이 복잡함과 아울러 공정시간이 많이 필요로 하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 공정 시간을 단축함과 아울러 소형화가 가능한 액정 표시 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 상부기판 상에 형성된 공통전극과; 상기 상부기판과 대향하는 하부기판 상에 형성된 신호라인과 적어도 한 층의 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성되며 상기 공통전극에 공통전압을 공급하는 공통패턴과; 상기 상부기판과 하부기판을 합착시킴과 아울러 상기 공통전극과 공통패턴을 전기적으로 연결하기 위한 도전성 스페이서를 포함하는 실링재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 제조방법은 공통전극이 형성된 상부기판을 마련하는 단계와; 상기 공통전극에 공통전압을 공급하며 신호라인과 적어도 한 층의 절연막을 사이에 두고 중첩되는 공급패턴이 형성된 하부기판을 마련하는 단계와; 상기 공통전극과 공통패턴을 전기적으로 연결하기 위한 도전성 스페이서를 포함하는 실링재를 이용하여 상기 상부기판과 하부기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 3 내지 도 9f를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도다.
도 3에 도시된 액정 표시 패널은 박막트랜지스터 어레이가 형성된 박막트랜지스터 기판(170)과; 컬러필터 어레이가 형성된 칼라필터 기판(180)과, 박막트랜지 스터 기판(170)과 컬러필터 기판(180)을 합착하기 위한 실링재(186)를 구비한다.
박막 트랜지스터 어레이 기판(170)은 서로 교차되게 형성된 게이트라인 및 데이터라인과, 그들의 교차부에 형성된 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터와 접속된 화소전극과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막을 포함하는 박막트랜지스터 어레이가 하부 기판 상에 형성된다.
칼라 필터 어레이 기판(180)에는 도 5에 도시된 바와 같이 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스와, 칼러 구현을 위한 칼러 필터, 화소전극과 수직전계를 이루는 공통전극(182)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막을 포함하는 컬러필터 어레이가 상부기판(111) 상에 형성된다.
공통 전극(182)에 공통전압을 인가하기 위해서 실링재(186)를 통해 공통전극(182)과 접속되는 연결부(190)가 하부기판(101) 상에 형성된다. 연결부(190)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 실링재(186)를 따라서 실링재(186)와 중첩되는 영역에 형성되는 제1 공급패턴(192)과, 그 제1 공급패턴(192)과 적어도 한 층의 절연막(150)을 관통하는 공급 콘택홀(194)을 통해 접속되는 제2 공급패턴(196)과, 제2 공급패턴(196)과 공통전극(182)을 연결하기 위한 도전성 스페이서(184)를 구비한다.
제1 공급패턴(192)은 게이트라인과 접속된 게이트 링크(102)와 동일 금속으로 동일 평면 상에 형성되므로 게이트 링크(102)와 소정 간격 이격되어 형성된다. 이 제1 공급패턴(192)은 전원 공급부(도시하지 않음)와 접속된 공급패드(188)로부터 신장되어 형성된다.
제2 공급패턴(196)은 화소전극(도시하지 않음)과 동일 물질로 동일 평면 상 에 형성된다. 이 제2 공급패턴(196)은 라인 형태로 형성되는 제1 공급패턴(192)을 따라 라인 형태로 형성되거나 제1 공급패턴(192)과 부분적으로 중첩되도록 도트 형태로 형성된다.
공급 콘택홀(194)은 투과형 액정 표시 패널인 경우 게이트절연막 및 보호막을 포함하는 절연막(150)을 관통하여 제1 공급패턴(192)을 노출시킨다. 반투과형 액정 표시 패널인 경우 공급 콘택홀(194)은 게이트절연막, 보호막 및 유기막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 절연막(150)을 관통하여 제1 공급패턴(192)을 노출시킨다.
도전성 스페이서(184)는 도전성 글래스 파이버 및 도전성 볼 중 적어도 어느 하나가 이용된다. 여기서, 도전성 볼은 도전성을 가짐과 아울러 높이를 유지할 수 있도록 볼 스페이서의 외측에 은(Ag), 금(Au) 등의 도전성 물질이 덮혀져 형성된다. 이 도전성 볼은 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film ; ACF)에 포함된 도전성 볼과 달리 소정 압력에도 높이를 유지할 수 있다.
이러한 도전성 스페이서(184)는 실링재(186)와 혼합되어 기판 상에 도포되거나 도전성 스페이서(184)가 형성된 기판 상에 실링재(186)가 도포된다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 표시 패널은 상부기판 상에 형성된 공통전극과 하부기판 상에 형성된 연결부를 도전성 스페이서를 포함하는 실링재를 이용하여 접속시킨다. 이 경우, 별도의 은 도팅 공정이 불필요하여 공정이 단순화된다.
한편, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 표시 패널은 제1 공급패턴(192)이 게이트 링크(102)와 소정 간격을 사이에 두고 기판(101)의 외곽을 따라 형성된다. 이러한 제1 공급패턴(192)에 의해 액정 마진 영역(액정이 주입되는 영역이지만 화상 구현 영역에 포함되지 않는 영역)이 증가하게 되어 기판(101)을 소형화하는 데 어려움이 있다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이며, 도 7은 도 6에서 선"Ⅲ-Ⅲ'", "Ⅳ-Ⅳ'"를 따라 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시된 액정 표시 패널은 도 4 및 도 5에 도시된 액정 표시 패널과 대비하여 게이트 링크(102)와 중첩되게 형성되는 연결부(190)를 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
연결부(190)는 제1 공급패턴(192)과, 그 제1 공급패턴(192)과 적어도 한 층의 절연막(150)을 관통하는 공급 콘택홀(194)을 통해 접속되는 제2 공급패턴(196)과, 제2 공급패턴(196)과 공통전극(182)을 연결하기 위한 도전성 스페이서(184)를 구비한다.
제1 공급패턴(192)은 기판(101)의 최외곽에 위치하는 마지막번째 게이트 링크(102)의 경사진 영역과 인접되게 기판(101)의 일측에 형성된다. 이 제1 공급패턴(192)은 전원 공급부(도시하지 않음)와 접속된 공급패드(188)로부터 신장되어 형성된다.
제2 공급패턴(196)은 실링재(186)를 따라 실링재(186)와 중첩되게 형성되며 공급 콘택홀(194)을 통해 제1 공급패턴(192)과 접속된다. 또한, 제2 공급패턴(196)은 게이트 링크(102)와 적어도 한층의 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성된다. 여기서, 공급 콘택홀(194)은 실링재(186)와 중첩되는 영역에 형성된다.
이러한 제2 공급패턴(196)은 반사모드와 투과모드로 동작하는 반투과형 액정 표시 패널인 경우 도 8에 도시된 반사전극(130)과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성된다. 이 경우, 제2 공급패턴(196)은 게이트 절연막(112), 제1 보호막(118) 및 유기막(128)을 사이에 두고 제1 공급패턴(192)과 중첩되게 형성된다. 공급 콘택홀(194)은 게이트절연막(112), 보호막(118) 및 유기막(128)을 관통하여 제1 공급패턴(192)을 노출시킨다. 한편, 반투과형 액정 표시 패널은 외부광이 충분하면 반사모드, 즉 자연광과 같은 외부광을 반사전극이 형성된 반사영역에서 반사시켜 화상을 표시하고, 불충분하면 투과모드, 즉 백라이트 유닛으로부터 입사된 광을 이용하여 반사전극이 형성되지 않은 투과영역에서 화상을 표시한다.
제2 공급패턴(196)은 백라이트 유닛으로부터 입사된 광을 이용하여 화상을 표시하는 투과형 액정 표시 패널인 경우, 도 8에 도시된 화소전극(122)과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성된다. 또한, 제2 공급패턴(196)은 게이트 절연막(112), 보호막(118)을 사이에 두고 제1 공급패턴(192)과 중첩되게 형성된다. 공급 콘택홀(194)은 게이트절연막(112) 및 보호막(118)을 관통하여 제1 공급패턴(192)을 노출시킨다.
도전성 스페이서(184)는 도전성 글래스 파이버 및 도전성 볼 중 적어도 어느 하나가 이용된다. 이 도전성 스페이서(184)는 실링재(186)와 혼합되어 기판 상에 도포되거나 도전성 스페이서(184)가 형성된 기판 상에 실링재(186)가 도포된다.
이와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 표시 패널은 실링재 영역과 중첩됨과 아울러 게이트 링크와 중첩되도록 연결부가 형성된다. 이 경우, 실링재에 포함된 도전성 스페이서를 이용하여 공통전극과 연결부가 접속되므로 별도의 은 도팅 공정이 불필요하여 공정이 단순화된다. 또한, 연결부에 포함된 공급패턴이 게이트링크와 중첩되게 형성되므로 공급 패턴의 폭 만큼 액정 마진 영역을 감소시킬 수 있어 액정 표시 패널을 소형화할 수 있다.
한편, 도 8에 도시된 반투과형 액정 표시 패널의 박막트랜지스터 어레이 기판은 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인, 그 게이트 라인 및 데이터라인과 접속된 박막트랜지스터와, 화소영역에 형성되어 박막트랜지스터와 접속된 화소 전극(122)과, 화소영역의 반사영역에 형성된 반사전극(130)을 구비한다.
박막트랜지스터는 게이트라인으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소 전극(122)에 공급한다. 이를 위해, 박막트랜지스터는 게이트 라인과 접속된 게이트 전극(106), 데이터 라인과 접속된 소스 전극(108), 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 게이트 전극(106)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 활성층(114)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(116)을 구비한다.
화소 전극(122)은 데이터라인(104)과 게이트라인(102)의 교차로 마련된 화소영역에 형성되며, 드레인 전극(110)과 접속된다. 화소 전극(122)은 박막트랜지스 터를 통해 공급된 데이터 신호에 의해 공통전극(도시하지 않음)과 전위차를 발생시킨다. 이 전위차에 의해 액정이 회전하게 되며 반사영역과 투과영역 각각의 액정의 회전 정도에 따라서 광투과량이 결정된다.
반사전극(130)은 칼라 필터 기판(도시하지 않음)을 통해 입사되는 외부광을 칼라필터 기판 쪽으로 반사시킨다. 이 반사전극(130)은 그 하부에 엠보싱 표면을 갖도록 형성된 유기막(128)을 따라 엠보싱 형상을 갖게 됨으로써 산란효과로 반사효율이 증대된다. 이러한 반사전극(130)이 형성된 영역은 각 화소영역 중 반사영역이 되며, 반사전극(130)이 형성되지 않은 영역은 각 화소영역 중 투과영역이 된다.
이 반사영역과 투과영역에서 액정층을 경유하는 광 경로의 길이가 동일하도록 투과영역에 유기막(128)을 관통하는 투과홀(132)이 형성된다. 이 결과, 반사영역으로 입사된 반사광은 액정층을 경유하여 반사전극(130)에서 반사되어 액정층을 경유하여 외부로 방출된다. 그리고, 투과영역으로 입사된 백라이트 유닛(도시하지 않음)의 투과광은 액정층을 투과하여 외부로 방출된다. 이에 따라서, 반사영역과 투과영역에서의 광 경로의 길이가 동일하므로 액정표시장치의 반사모드와 투과모드의 투과효율이 같아진다.
도 9a 내지 도 9f는 본 발명에 따른 반투과형 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 9a를 참조하면, 하부기판(101) 상에 게이트 링크(102), 게이트전극(106), 제1 공급패턴(192)을 포함하는 제1 도전패턴군이 형성된다.
하부기판(101) 상에 스퍼터링 등의 증착방법을 통해 게이트금속층이 형성된다. 이 게이트금속층이 포토리소그래피공정과 식각공정으로 패터닝됨으로써 게이트 링크(102), 게이트전극(106) 및 제1 공급패턴(192)을 포함하는 제1 도전패턴군이 형성된다. 게이트금속층으로는 Al, Mo, Cr, Cu, Al합금, Mo합금, Cr합금, Cu합금 등의 금속이 단일층 또는 다중층 구조가 이용된다.
도 9b를 참조하면, 제1 도전패턴군이 형성된 하부기판(101) 상에 게이트절연막(112)이 형성되고, 그 위에 활성층 및 오믹접촉층을 포함하는 반도체패턴과; 데이터라인(104), 소스전극(108), 및 드레인전극(110)을 포함하는 제2 도전패턴군이 형성된다.
제1 도전패턴군이 형성된 하부 기판(101) 상에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 게이트 절연막(112), 비정질 실리콘층, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층, 그리고 소스/드레인 금속층이 순차적으로 형성된다. 게이트 절연막(112)으로는 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질이, 소스/드레인 금속층으로는 Al, Mo, Cr, Cu, Al합금, Mo합금, Cr합금, Cu합금 등의 금속 단일층 또는 이중층 구조가 이용된다.
그리고, 소스/드레인 금속층 위에 채널부가 다른 소스/드레인패턴부보다 낮은 높이를 가지는 포토레지스트패턴이 형성된다. 이 포토레지스트 패턴을 이용한 습식 식각 공정으로 소스/드레인 금속층이 패터닝됨으로써 데이터 라인(104), 소스 전극(108), 그 소스 전극(108)과 일체화된 드레인 전극(110)을 포함하는 제2 도전패턴군이 형성된다.
그 다음, 동일한 포토레지스트 패턴을 이용한 건식 식각공정으로 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층과 비정질 실리콘층이 동시에 패터닝됨으로써 오믹 접촉층(116)과 활성층(114)이 형성된다.
그리고, 애싱(Ashing) 공정으로 채널부에서 상대적으로 낮은 높이를 갖는 포토레지스트 패턴이 제거된 후 건식 식각 공정으로 채널부의 소스/드레인 패턴 및 오믹 접촉층(116)이 식각된다. 이에 따라, 채널부의 활성층(114)이 노출되고 소스 전극(108)과 드레인 전극(110)은 분리된다.
이어서, 스트립 공정으로 제2 도전패턴군 위에 남아 있는 포토레지스트 패턴이 제거된다.
도 9c를 참조하면, 제2 도전 패턴군이 형성된 기판(101) 상에 제1 보호막(118)이 형성되고, 그 위에 오픈홀(134)과 투과홀(132)을 가지며 엠보싱 형상의 표면을 갖는 유기막(128)이 형성된다.
제2 도전 패턴군이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 제1 보호막(118)과 유기막(128)이 순차적으로 형성된다. 제1 보호막(118)은 게이트 절연막(112)과 같은 무기 절연 물질 등으로 형성되며, 유기막(128)은 아크릴 등과 같은 유기 절연 물질 등으로 형성된다.
그런 다음, 유기막(128)이 포토리소그래피공정으로 패터닝됨으로써 오픈홀(134)과 투과홀(132)이 형성된다. 이 때, 유기막(128)을 형성하기 위한 마스크는 투과홀과 대응하는 투과부를 제외한 나머지 부분이 차단부와 회절 노광부가 반복되는 구조를 가진다. 이에 따라, 유기막(128)은 단차를 가지는 차단영역(돌출부) 및 회절 노광 영역(홈부)이 반복되는 구조로 패터닝된다. 이어서, 돌출부 및 홈부가 반복된 유기막(128)을 소성함으로써 유기막(128)의 표면이 엠보싱 형상을 갖게 된다. 특히, 유기막(128)은 화소영역과 실링재와 접촉하는 영역이 엠보싱 형상을 갖도록 형성된다.
한편, 오픈홀(134)과 투과홀(132)은 공급 콘택홀(194)과 마찬가지로 게이트 절연막(112), 제1 보호막(118) 및 유기막(128)을 관통하도록 형성될 수도 있다.
도 9d를 참조하면, 엠보싱 형상을 갖는 유기막(128) 상에 반사전극(130) 및 제2 공급패턴(196)을 포함하는 제3 도전 패턴군이 형성된다.
유기막(128) 상에 반사금속층이 엠보싱 형상을 유지하며 적층된다. 반사금속층은 Al, AlNd 등과 같은 반사율이 높은 금속으로 형성된다. 이어서, 반사금속층이 포토리소그래피 공정과 식각공정으로 패터닝됨으로써 반사전극(130) 및 제2 공급패턴(196)을 포함하는 제3 도전 패턴군이 형성된다.
도 9e를 참조하면, 제3 도전 패턴군이 형성된 유기막(128) 상에 콘택홀(120)을 가지는 제2 보호막(136)이 형성된다. 상기 제2 보호막(136)은 형성되지 않을 수도 있다.
제3 도전 패턴군이 형성된 유기막(128) 상에 제2 보호막이 형성된다. 제2 보호막(136)은 제1 보호막(118)과 같은 무기 절연물질로 형성된다. 그런 다음, 제2 보호막(136)이 포토리소그래피공정과 식각공정으로 패터닝됨으로써 콘택홀(120)이 형성된다. 콘택홀(120)은 박막트랜지스터의 드레인전극(110)을 노출시킨다.
도 9f를 참조하면, 제2 보호막(136) 상에 화소전극(122)을 포함하는 제4 도 전패턴군이 형성된다.
제2 보호막(136) 상에 투명도전층이 전면 형성된다. 투명 도전층으로는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO) 등이 이용된다. 그리고, 투명 도전층이 포토리소그래피공정과 식각공정으로 패터닝됨으로써 화소 전극(122)을 포함하는 제4 도전패턴군이 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널 및 그 제조방법은 공통전극에 전압을 공급하는 데 필요로 하는 공급패턴을 실링재와 중첩되게 형성함과 아울러 게이트링크와 중첩되게 형성된다. 이러한 공급패턴에 의해 도트 형태의 공급패턴에 비해 저항이 감소되어 소비전력이 낮아짐과 아울러 라인 저항에 의한 공통전압 변화를 방지할 수 있어 화질이 개선된다. 또한, 본 발명에 따른 액정 표시 패널 및 그 제조방법은 실링재와 중첩되게 공급패턴이 형성됨으로써 공급패턴의 폭 만큼 액정 마진 영역이 감소되므로 액정 표시 패널을 소형화할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 따른 액정 표시 패널 및 그 제조방법은 실링재에 포함된 도전성 스페이서를 이용하여 공통전극과 연결부가 접속되므로 별도의 은 도팅 공정이 불필요하여 공정이 단순화된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발 명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (15)

  1. 상부기판 상에 형성된 공통전극과;
    상기 상부기판과 대향하는 하부기판 상에 형성된 신호라인과 적어도 한 층의 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성되며 상기 공통전극에 공통전압을 공급하는 공통패턴과;
    상기 상부기판과 하부기판을 합착시킴과 아울러 상기 공통전극과 공통패턴을 전기적으로 연결하기 위한 도전성 스페이서를 포함하는 실링재를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 스페이서는 도전성 글래스 파이버 및 도전성 볼 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호라인은
    상기 하부 기판 상에 형성된 게이트라인과;
    상기 게이트 라인과 교차하는 데이터라인 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 게이트 라인과 인접되게 상기 하부기판의 일측에 형성되는 제2 공통패턴과;
    상기 적어도 한 층의 절연막을 관통하여 상기 제2 공통패턴을 노출시키는 콘택홀을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 실링재와 중첩되는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극과 전계를 이루며 화소영역에 형성된 화소전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소영역의 반사영역에 형성된 반사전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  8. 제 6 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급패턴은 상기 화소전극 및 반사전극 중 적어도 어느 하나와 동일 재 질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  9. 공통전극이 형성된 상부기판을 마련하는 단계와;
    상기 공통전극에 공통전압을 공급하며 신호라인과 적어도 한 층의 절연막을 사이에 두고 중첩되는 공급패턴이 형성된 하부기판을 마련하는 단계와;
    상기 공통전극과 공통패턴을 전기적으로 연결하기 위한 도전성 스페이서를 포함하는 실링재를 이용하여 상기 상부기판과 하부기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 도전성 스페이서는 도전성 글래스 파이버 및 도전성 볼 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 신호라인과 인접되게 상기 하부기판의 일측에 제2 공통패턴을 형성하는 단계와;
    상기 적어도 한 층의 절연막을 관통하여 상기 제2 공통패턴을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 실링재와 중첩되는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 공통전극과 전계를 이루는 화소전극을 화소영역에 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 화소영역의 반사영역에 반사전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  15. 제 13 항 및 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급패턴은 상기 화소전극 및 반사전극 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
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