CN100407029C - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种能够制造小尺寸并且缩短工艺时间的液晶显示器件及其制造方法。按照本发明实施方式的液晶显示器件包括形成有公共电极的上基板；与上基板相对的下基板；向位于下基板上的栅线供应栅信号的多个栅驱动集成电路；向位于下基板上的数据线供应数据信号的多个数据驱动集成电路；在驱动液晶时通过栅驱动集成电路和数据驱动集成电路向公共电极供应公共电压的公共线，公共线与栅线和数据线中的任一信号线重叠，并且在公共线与栅线和数据线中的任一信号线之间具有至少一层绝缘膜；和包括将上基板粘结到下基板并且在相邻的栅驱动集成电路之间和在相邻的数据驱动集成电路之间其中之一的区域内将公共电极电连接到公共线的导电衬垫料的导电密封剂。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2004年12月23日和2005年10月19日提交的韩国专利申请P2004-110885和P2005-98755的优先权，在此引入其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及液晶显示器件及其制造方法，尤其涉及具有短的工艺时间的小液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
液晶显示器件利用电场控制液晶的透光率，由此显示图像。如图1和图2所示，液晶显示器件包括薄膜晶体管阵列基板70和滤色片阵列基板80，二者彼此相对并在其间具有液晶50。
薄膜晶体管阵列基板70包括：位于下基板1上彼此交叉的栅线2和数据线4；在栅线2和数据线4交叉处形成的薄膜晶体管30；与薄膜晶体管30相连的像素电极22；和分散在上面用于排列液晶的下定向膜。
滤色片阵列基板80包括：形成于上基板11上用于防止漏光的黑矩阵18；实现色彩的滤色片12；与像素电极22形成垂直电场的公共电极14；以及分散在上面用于排列液晶的上定向膜。
如图2所示，在密封剂16的外面形成银点10，以将公共电压施加到滤色片阵列基板80的公共电极14上。银点10置于薄膜晶体管基板70和滤色片基板80之间。然后利用密封剂将两个基板70和80粘结起来。由于在将基板1、11粘结起来时施加其上的压力，银点10扩展到相邻的区域。为了使银点10扩展到相邻的区域而且不会因划线工艺受损伤，需要有较宽的银点区域处于划线内。此外，对于小液晶显示器件来说，在母基板上形成多个小面板区域后，要在所有的面板区域上实施银点工序，因而存在的问题是该工艺变得更为复杂并且需要比大液晶显示器件更多的工艺时间。
发明内容
因此，本发明致力于一种液晶显示器件及其制造方法，其基本上克服了因相关技术的局限性和缺点造成的一个或者多个问题。
本发明的一个优点是提供一种小尺寸并且减少了工艺时间的液晶显示器件及其制造方法。
本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中加以阐述，并且一部分从该描述中可显然获知，或者可以通过实施本发明而了解。本发明的目的和其它优点将通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构中实现和获得。
为了实现本发明的这些和其它目的，按照本发明一方面的液晶显示器件包括形成有公共电极的上基板；与所述上基板相对的下基板；向位于下基板上的栅线供应栅信号的多个栅驱动集成电路；向位于下基板上的数据线供应数据信号的多个数据驱动集成电路；在驱动液晶时通过栅驱动集成电路和数据驱动集成电路向公共电极供应公共电压的公共线，该公共线与所述栅线和数据线中的任一信号线重叠，并且在该公共线与所述栅线和数据线中的任一信号线之间具有至少一层绝缘膜；和包括将所述上基板粘结到下基板并且在相邻的栅驱动集成电路之间和在相邻的数据驱动集成电路之间其中之一的区域内将公共电极电连接到公共线的导电衬垫料的导电密封剂。
按照本发明另一方面的液晶显示器件包括位于上基板上的公共电极；与位于与该上基板相对的下基板上的信号线重叠的供应图案并且在该供应图案与信号线之间具有至少一层绝缘膜，以将公共电压供应给该公共电极；和包括将该上基板粘结到下基板并且将该公共电极电连接到该供应图案的导电衬垫料的导电密封剂。
按照本发明又一方面的液晶显示器件的制造方法包括提供形成有公共电极的上基板；提供向其供应来自栅驱动集成电路的栅信号和来自数据驱动集成电路的数据信号的下基板；用导电密封剂粘结该上基板和下基板，并且其中提供该下基板的步骤包括：形成与栅线和数据线中的任一信号线重叠的公共线，以在驱动液晶时通过该栅驱动集成电路和该数据驱动集成电路将公共电压供应给该公共电极，在该公共线与所述栅线和数据线中的任一信号线之间具有至少一层绝缘膜；以及在位于相邻的栅驱动集成电路之间和位于相邻的数据驱动集成电路之间其中之一的区域内通过包括导电衬垫料的该导电密封剂将该公共电极电连接到该公共线。
按照本发明再一方面的液晶显示器件的制造方法包括提供形成有公共电极的上基板；提供下基板，其中形成有公共图案，该公共图案与信号线重叠并且在该公共图案与该信号线之间具有至少一层绝缘膜，以将公共电压供应给该公共电极；以及利用包括有导电衬垫料的密封剂将该上基板和该下基板粘结在一起，该导电衬垫料将公共电极电连接到公共图案。
应该理解，上面的概述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，意欲对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图提供了对本发明的进一步的理解，其与本说明书结合并且构成其一部分，示出了本发明的实施例，并且连同说明书一起用来解释本发明的原理。
在图中：
图1是表示现有技术的液晶显示器件的平面图；
图2是表示为向图1所示的公共电极施加公共电压的银点的平面图；
图3是表示按照本发明第一实施方式的液晶显示器件的平面图；
图4是图3所示的区域A的放大平面图；
图5是表示沿图4中II-II’线提取的液晶显示器件的截面图；
图6是表示按照本发明第二实施方式的液晶显示器件的平面图；
图7是沿图6中III-III’、IV-IV’线提取的液晶显示器件的截面图；
图8是表示具有与第二供应图案同时形成的反射电极的透反型液晶显示器件的截面图；
图9A到9F是表示图7和图8所示的薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图。
图10是表示按照本发明第三实施方式的液晶显示器件的视图；
图11A和11B是图10中区域B的放大图；
图12A和12B是图10中区域C的放大图；
图13A到13D是表示按照本发明第三实施方式的液晶显示器件的制造方法的视图；以及
图14是表示包括在图11B和12B所示的导电密封剂中的导电球的制造步骤的视图。
具体实施方式
现在将详细地讨论本发明的实施方式，其实施例示于附图中。
参照图3到图14，将对本发明的实施方式作如下解释。
图3是用于解释按照本发明第一实施方式的液晶显示器件的平面图。
图3所示的液晶显示器件包括：其中形成有薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管基板170；其中形成有滤色片阵列的滤色片基板180；和用于将薄膜晶体管基板170和滤色片基板180粘结在一起的密封剂186。
薄膜晶体管阵列基板170具有在下基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中该薄膜晶体管阵列包括彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；形成在其交叉部分的薄膜晶体管；与薄膜晶体管连接的像素电极；分散在上面用于排列液晶的下定向膜。
如图5所示，滤色片阵列基板180具有在上基板111上形成的滤色片阵列，
其中该滤色片阵列包括用于防止漏光的黑矩阵；用于实现色彩的滤色片；用于与像素电极产生垂直电场的公共电极182；和分散在上面用于排列液晶的上定向膜。
通过密封剂186连接到公共电极182的连接部分190形成在下基板101上，以将公共电压施加到公共电极182。如图4和图5所示，连接部分190包括第一供给图案192，其形成在沿密封剂186与密封剂186重叠的区域；第二供给图案196，其通过贯穿至少一层绝缘膜150的供给接触孔194连接到第一供给图案192；和用于连接第二供给图案196和公共电极182的导电衬垫料184。
第一供给图案192由与连接到栅线的栅接线(gate link)102相同的金属形成，并且二者形成在同一层上，因而第一供给图案192与栅接线102彼此分隔开一段距离形成。第一供给图案192从连接到电源(未示出)的供给焊盘188延伸形成。
第二供给图案196由与像素电极(未示出)相同的金属形成，并且二者形成在同一层上。第二供给图案196以与形成为线形的第一供给图案192相同的方式形成为线形，或者形成为点形，以与第一供给图案192部分重叠。
如果是透射型液晶显示器件，则供给接触孔194贯穿包括栅绝缘膜和钝化膜的绝缘膜150以暴露第一供应图案192。对于透反型液晶显示器件，则供给接触孔194贯穿包括栅绝缘膜、钝化膜和有机膜的至少其中一个的绝缘膜150以包括第一供应图案192。
导电衬垫料184由导电玻璃纤维和导电球的至少其中之一形成。这里，该导电球通过在球状衬垫料外侧涂布导电材料例如银Ag、金Au以使之导电而形成。所述导电球即使在预定压力下也可以固定基板之间的间隙，这不同于包括在各向异性导电膜ACF中的导电球。
该导电衬垫料184与密封剂186混合分散在基板上，或者密封剂186分散在其上形成有导电衬垫料184的基板上。
按照这种方式，按照本发明第一实施方式的液晶显示器件利用包括导电衬垫料的密封剂将形成于上基板上的公共电极连接到形成于下基板上的连接部件。在这种情况下，不需要单独的银点工艺，因此制造工艺得到简化。
另一方面，按照本发明第一实施方式的液晶显示器件具有沿基板101的外部区域与栅接线102以预定间距形成的第一供应图案192。该第一供应图案192增大了液晶的边缘区域，即注入了液晶但是没有包括在有效图像区域的区域，因而对于小尺寸的基板101存在困难。
图6是用于解释按照本发明第二实施方式的液晶显示器件的平面图，图7是用于解释图6中液晶显示器件沿线III-III’、IV-IV’提取的截面图。
图6和图7所示的液晶显示器件包括与图4和图5所示的液晶显示器件相同的元件，除了连接部件190与栅接线102重叠地形成之外。因而，省去对相同元件的详细描述。
连接部件190包括第一供应图案192；通过贯穿至少一层的绝缘膜150的供应接触孔194连接到第一供应图案192的第二供应图案196；和用于将第二供应图案196连接到公共电极182的导电衬垫料184。
第一供应图案192形成在基板101的一侧，以与位于基板101最外区域的最后栅接线102的倾斜区域相邻。第一供应图案192从与电源(未示出)相连的供应焊盘188延伸形成。
第二供应图案196沿密封剂186与密封剂186重叠地形成以通过供应接触孔194与第一供应图案192相连。此外，第二供应图案196形成为与栅接线102重叠，并且其间具有至少一层绝缘膜。这里，供应接触孔194形成在与密封剂186重叠的区域。
如图8所示，对于在反射模式和透射模式工作的透反型液晶显示器件，第二供应图案196由与反射电极130相同的材料形成，并且二者形成在同一层上。这时，第二供应图案196形成为与第一供应图案192重叠，并且其间具有栅绝缘膜112、第一钝化膜118和有机膜128。供应接触孔120贯穿栅绝缘膜112、钝化膜118和有机膜128以暴露第一供应图案192。另一方面，如果外部光充足，则透反型液晶显示器件以反射模式显示图像，也即，外部光如自然光在形成有反射电极的反射区域反射，而如果外部光不充足，则透反型液晶显示器件以透射模式显示图像，即，在未形成反射电极的透射区域中利用从背光单元入射的光显示图像。
对于利用从背光单元入射的光显示图像的透射型液晶显示器件，第二供应图案196由与图8所示的像素电极122相同的材料形成，并且二者形成在同一层上。此外，第二供应图案196形成为与第一供应图案192重叠，其间具有栅绝缘膜112和钝化膜118。供应接触孔194贯穿栅绝缘膜112和钝化膜118以暴露第一供应图案192。
导电衬垫料184由导电玻璃纤维或者导电球形成。导电衬垫料184与密封剂186混合分散在基板上，或者密封剂186分散在其上形成有导电衬垫料184的基板上。
以这种方式，按照本发明第二实施方式的液晶显示器件具有与密封剂区域和栅接线重叠地形成的连接部件。这时，公共电极和连接部件利用密封剂中所包括的导电衬垫料相连，因而不需要单独的银点工艺，工艺得以简化。此外，连接部件中所包括的供应图案形成为与栅接线重叠，因而可以将液晶边缘区域减小供应图案的宽度那么多，由此能够制造小尺寸的液晶显示器件。
另一方面，图8所示的透反型液晶显示器件的薄膜晶体管阵列基板包括限定像素区域的栅线和数据线；与栅线和数据线相连的薄膜晶体管；在像素区域形成并与薄膜晶体管相连的像素电极122；和在像素区域的反射区域形成的反射电极130。
薄膜晶体管响应来自栅线的栅信号向像素电极122选择性施加来自数据线的数据信号。为此，薄膜晶体管包括与栅线相连的栅极106；与数据线相连的源极108；与像素电极122相连的漏极110；与栅极106重叠且其间有栅绝缘膜112并且在源极108和漏极110之间形成沟道的有源层114；和用于提供源极118和漏极110与有源层114之间欧姆接触的欧姆接触层116。
像素电极122在由数据线和栅线交叉限定的像素区域中形成，并且像素电极122与漏极110相连。像素电极122利用由薄膜晶体管所施加的数据信号与公共电极(未示出)之间产生电势差。该电势差引起液晶的旋转，因而透光率由位于各反射区域和透射区域中的液晶的旋转程度所确定。
反射电极130将通过滤色片基板(未示出)的外部光反射到滤色片基板。反射电极130沿形成为具有浮雕表面的有机膜128而具有浮雕形状，因此通过散射光而增加了反射效率。形成反射电极130的区域是位于各像素区域中的反射区域，并且没有形成反射电极130的区域是位于各像素区域中的透射区域。
在透射区域形成贯穿有机膜128的透射孔132，使得通过反射区域和透射区域的液晶的光路径长度相等。结果，入射到反射区域上的反射光通过液晶层在反射电极130上反射，并且通过液晶层出射到外面。入射到透射区域的背光单元(未示出)的透射光透射通过液晶层出射到外面。因此，光路径的长度在反射区域和透射区域相等，因而液晶显示器件的反射模式的透射效率就与液晶显示器件的透射模式的相同。
图9A到9F是用于解释按照本发明的透反型薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图。
参照图9A，在下基板101上形成第一导电图案组，其包括栅接线102、栅极106和第一供应图案192。
通过沉积方法例如溅射法在下基板101上形成栅金属层。通过光刻工艺和蚀刻工艺对该栅金属层构图，以形成包括栅接线102、栅极106和第一供应图案192的第一图案组。该栅金属层是由金属例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金或者Cu合金构成的单层或者多层结构。
参照图9B，在形成有第一导电图案组的下基板101上形成栅绝缘膜112。接着，在其上形成包括有源层和欧姆接触层的半导体图案以及包括数据线、源极108和漏极110的第二导电图案组。
通过沉积方法例如PECVD和溅射法在形成有第一导电图案组的下基板101上依次形成栅绝缘膜112、非晶硅层、掺有杂质的非晶硅层和源/漏金属层。栅绝缘膜112可以由无机绝缘材料例如氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx形成，而源/漏金属层可以由金属例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金或者Cu合金以单层或者双层结构形成。
形成光致抗蚀剂图案，其位于源/漏金属层上的沟道区域具有的高度比整个源/漏区域上的光致抗蚀剂要低。对源/漏金属层利用光致抗蚀剂图案通过湿刻工艺进行构图，由此形成第二导电图案组，其包括数据线、源极108、和与源极108成一整体的漏极110。
然后，利用同一光致抗蚀剂图案通过干刻工艺对掺有杂质的非晶硅层和非晶硅层同时构图，由此形成欧姆接触层116和有源层114。
在通过灰化工艺除去位于沟道区域内高度较低的光致抗蚀剂图案之后，沟道区域的欧姆接触层116和源/漏图案通过干刻工艺被蚀刻掉。因而，沟道部分的有源层114暴露出来，并且源极108和漏极彼此分开。
随后，通过剥离工艺将残留在第二导电图案组上的光致抗蚀剂图案除去。
参照图9C，在形成有第二导电图案组的基板101上形成第一钝化膜118，并且在其上形成有机膜128，其中该有机膜128具有孔和透射孔132并且具有浮雕表面。
第一钝化膜118和有机膜128在形成有第二导电图案组的栅绝缘膜112上顺序形成。第一钝化膜118可以由无机绝缘材料例如栅绝缘膜112形成，有机膜128可以由无机绝缘材料例如丙烯酸树脂形成。
然后，通过光刻工艺对有机膜128构图，由此形成孔和透射孔132。这里，用于形成有机膜128的掩模具有这样的结构：在除了与透射孔对应的透射区域之外的其余区域内屏蔽区域和衍射曝光区域重复出现。因而，有机膜128构图为这样的结构：具有台阶形状的屏蔽区域(凸起)和衍射曝光区域(槽)重复出现。随后，焙烧凸起和槽重复出现的有机膜128，由此使台阶边缘平滑并且在有机膜128的表面形成浮雕形状。特别是，形成有机膜128以使得像素区域与密封剂接触的区域具有浮雕形状。
另一方面，可以将开口孔和透射孔132形成为贯穿栅绝缘膜112、第一钝化膜118以及有机膜128，以与供应接触孔194相同的方式形成。
参照图9D，在具有浮雕形状的有机膜128上形成第三导电图案组，其包括反射电极130和第二供应图案196。
反射金属层呈现浮雕形状并且沉积在有机膜128上。该反射金属层可以由具有高反射率的金属例如Al或者AlNd形成。随后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对该反射金属层构图，由此形成包括反射电极130和第二供应图案196的第三导电图案组。
参照图9E，在形成有第三导电图案组的有机膜128上形成具有接触孔120的第二钝化膜136。也可以省去第二钝化膜136。
第二钝化膜在形成有第三导电图案组的有机膜上形成。第二钝化膜136可以由例如第一钝化膜118这样的无机绝缘材料形成。然后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对第二钝化膜136构图，以形成接触孔120。接触孔120将薄膜晶体管的漏极110暴露出来。
参照图9F，在第二钝化膜136上形成第四导电图案组，其包括像素电极122。
在第二钝化膜136的整个表面上形成透明导电层。氧化铟锡ITO、氧化锡TO、氧化铟锌IZO和氧化铟锡锌ITZO可以用作透明导电层。通过光刻工艺和蚀刻工艺对该透明导电层构图，由此形成包括像素电极122的第四导电图案组。
图10是用于解释按照本发明第三实施方式的液晶显示器件的视图。
图10所示的液晶显示器件包括：其中形成有薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管基板270；其中形成有滤色片阵列的滤色片基板180；和用于将该薄膜晶体管基板270和该滤色片基板180粘结在一起的导电密封剂186。
薄膜晶体管阵列基板270包括：彼此交叉以限定像素单元的栅线220和数据线230；在各交叉区域处形成的薄膜晶体管；与该薄膜晶体管相连的像素电极；和分散在其上用于排列液晶的下定向膜。
此外，栅线220与驱动栅线220的栅驱动集成电路(以下称之为“D-IC”)223电连接。栅线220和栅D-IC通过从栅线220延伸的栅接线221相连。数据线230与驱动数据线230的数据驱动集成电路(以下称之为“D-IC”)233电连接。数据线230和数据D-IC通过从数据线230延伸的数据接线231相连。
参照后面要描述的图11B或者12B，在滤色片阵列基板180上形成滤色片阵列，其包括：用于防止漏光的黑矩阵；用于实现色彩的滤色片；与像素电极形成垂直电场的公共电极182；和分散在其上用于排列液晶的上定向膜。
在下基板上形成连接部件291、292、291A和292A，其通过导电密封剂186与公共电极182相连，以向公共电极182施加公共电压。如图10所示，连接部件291、292、291A和292A可以在相邻的栅D-IC 223和数据D-IC 233的至少任一区域形成。
另一方面，薄膜晶体管阵列基板270分为其中设有多个像素单元的阵列区域和包围该阵列区域的非阵列区域。在薄膜晶体管阵列基板270中所形成的连接部件291、292、291A和292A可以沿与数据D-IC 233或者栅D-IC 223相反的方向延伸到非阵列区域，其中数据D-IC 233或者栅D-IC 223之间具有阵列区域。
此外，可以这样形成连接部件291、292、291A和292A，使之分为连接到栅D-IC 223的第一连接部件291和连接到数据D-IC 233的第二连接部件292。第一连接部件291可以由与位于相对侧的连接部件291A相同的组件形成，其间具有阵列区域，并且第二连接部件292可以由与相对侧的连接部件292A相同的组件形成，其间具有阵列区域。下面将参照图11A到图12B对连接部件291、292、291A和292A的组件进行描述。
前述的连接部件291、292、291A、292A与栅D-IC 223和数据D-IC 233电连接，栅D-IC 223和数据D-IC 233与信号线261电连接，而信号线261与施加公共电压的电源260相连，由此接收公共电压。
本发明包括从数据D-IC 233和栅D-IC 223延伸的连接部件291A和292A，由此可以增加电连接到公共电极182的点的数目。第一和第二连接部件291A、292A可以设在与一个栅D-IC 223和一个数据D-IC 233相连的栅接线221和数据接线231的外面。位于与一个D-IC 223、233外面相连的接线221、231和与相邻的D-IC 223、233外面相连的接线221、231之间的空间比位于这些接线221、231之间的空间要大。如果在宽裕的区域内执行形成连接部件291、292的工艺，可以防止各线之间产生短路的现象，由此提高了工艺的可靠性。
以这种方式，连接部件291、292、291A、292A以各种方式在相邻的栅D-IC223和数据D-IC之间形成，并且通过信号线261、栅D-IC 223和数据D-IC接收由电源260提供的公共电压。
图11A和11B是示出与图10中的栅D-IC 223相连的第一连接部件291的部分区域B的放大图。
如图11A和11B所示，第一连接部件291包括在沿密封剂186与密封剂186重叠的区域内形成的第一公共线290A；贯穿栅绝缘膜250和钝化膜253以暴露第一公共线290A暴露出来的第一供应接触孔294A；通过第一供应接触孔294A与第一公共线290A相连的第一导电图案296A；和用于将第一导电图案296A连接到公共电极182的导电衬垫料184。
第一公共线290A以与连接到栅线的栅接线221相同的金属形成在同一平面内，因而第一公共线290A与栅接线221分隔开预定的间隙。第一公共线290A的一侧与栅D-IC 223相连，而第一公共线290A的另一侧连接到与连接到第一公共线290A一侧的栅D-IC 223相邻的栅D-IC 223。
第一导电图案296A由与像素电极相同的材料在同一时间形成。第一导电图案296A沿形成为线形的第一公共线290A形成为线形，或者第一导电图案296A形成为点形，以与第一公共线290A部分重叠。
此外，第一导电图案296A形成在不与栅接线221重叠的区域内。在不与栅接线221重叠的区域内形成第一导电图案296A的原因是为了防止出现这种现象：在实施制造工艺时，第一导电图案296A与栅接线221短路。
形成至少一个第一供应接触孔294A，并且该第一供应接触孔贯穿栅绝缘膜250和钝化膜253，以暴露第一公共线290A。通过第一供应接触孔294A暴露的第一公共线290A与第一导电图案296A接触。
图10中所描述的位于第一连接部件291相对侧并且其间具有阵列区域的连接部件291A可以由与第一连接部件291相同的组件(第一公共线、第一导电层、第一供应接触孔)形成。此外，可以形成连接部件291A与导电密封剂186电接触的区域，以与第一连接部件291与导电密封剂186电接触的部分对称。
图12A和12B是示出与图10中的数据D-IC 233相连的第二连接部件292的部分区域C的放大图。
如图12A和12B所示，第二连接部件292包括在沿密封剂186与密封剂186重叠的区域内形成的第二公共线290B；贯穿钝化膜253以将第二公共线290B暴露出来的第二供应接触孔294B；通过第二供应接触孔294B与第二公共线290B相连的第二导电图案296B；和用于将第二导电图案296B连接到公共电极182的导电衬垫料184。
第二公共线290B以与连接到数据线的数据接线231相同的金属形成在同一平面内，因而第二公共线290B形成为与数据接线231分隔开预定间隙。第二公共线290B的一侧与数据D-IC 233相连，而第二公共线290B的另一侧连接到与连接到第二公共线290B的一侧的数据D-IC 233相邻的数据D-IC 233。
与数据线相连的数据接线231和第二公共线290B由包括有源层255和欧姆接触层257的半导体图案和该半导体图案上部的数据金属图案230形成。
第二导电图案296B由与像素电极相同的材料在同一时间形成。第二导电图案296B沿形成为线形的第二公共线290B形成为线形，或者第二导电图案296B可以形成为点形，以与第二公共线290B部分重叠。
此外，第二导电图案296B形成在不与数据接线231重叠的区域内。在不与数据接线231重叠的区域内形成第二导电图案296B的原因是为了防止出现这种现象：在实施制造工艺时，第二导电图案296B与数据接线231短路。
形成至少一个第二供应接触孔294B，并且第二供应接触孔贯穿钝化膜253、数据金属图案230和欧姆接触层257以暴露部分第二公共线290B。第二供应接触孔294B也可以通过贯穿钝化膜253形成以暴露第二公共线290B的数据金属图案230的上部。
通过第二供应接触孔294暴露出来的第二公共线290B与第二导电图案296B接触。
图10中所述的位于第二连接部件292相对侧并且其间具有阵列区域的连接部件292A可以由与第二连接部件292相同的组件(第二公共线、第二导电层、第二供应接触孔)形成。此外，可以形成连接部件292A与导电密封剂186电接触的部分以与第二连接部件292与导电密封剂186电接触的部分对称。
图11A到图12B所示的导电衬垫料184可以由导电玻璃纤维和导电球制成。
导电衬垫料184与密封剂186混合分散在基板上，或者密封剂186分散在形成有导电衬垫料184的基板上。
按照本发明第三实施方式的液晶显示器件利用包括导电衬垫料的密封剂将形成于上基板上的公共电极连接到形成于下基板上的连接部件。此外，按照本发明第三实施方式的液晶显示器件通过改变形成于薄膜晶体管基板中的图案而增加了将公共电压施加到滤色片基板的点，由此可以比在以银点方式向滤色片基板供应公共电压时更稳定的供应电压。因为公共电压稳定地供应到滤色片基板，因此按照本发明第三实施例的液晶显示器件可以改善例如呈绿色、图像残留等缺陷。
图13A到13D是用于解释按照本发明第三实施方式的液晶显示器件的薄膜晶体管阵列基板的制造方法的视图。
参照图13A，在下基板201上形成第一导电图案组，其包括栅接线221和第一公共线290A。
为了详细描述形成第一导电图案组的工艺，通过沉积方法例如溅射法在下基板201上形成栅金属层。通过光刻工艺和蚀刻工艺对该栅金属层构图，由此形成包括栅接线221和第一公共线290A的第一导电图案组。这里，栅金属层可以形成为金属例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金、Cu合金等的单层或者多层结构。
参照图13B，在形成有第一导电图案组的下基板201上形成栅绝缘膜250，并且在该栅绝缘膜250上形成包括数据接线231和第二公共线290B的第二导电图案组，该数据接线231和第二公共线290B包括数据金属图案230和包含有源层255和欧姆接触层257的半导体图案。
为了详细描述形成第二导电图案组的步骤，通过沉积方法例如PECVD、溅射法在形成有第一导电图案组的下基板201上顺序形成栅绝缘膜250、非晶硅层、n+非晶硅层和数据金属层。这里，栅绝缘膜250的材料可以是无机绝缘材料例如氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx。数据金属层可以由金属例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金或者Cu合金的单层或者双层结构形成。
随后，在数据金属层上要形成第二供应接触孔部分的区域形成光致抗蚀剂图案，利用光致抗蚀剂图案通过湿刻工艺对该数据金属层进行构图，由此形成包括数据接线231和第二公共线290B的第二导电图案组。
在通过灰化工艺除去在第二供应接触区域中具有较低高度的这部分光致抗蚀剂图案之后，通过干刻工艺对第二供应接触孔的欧姆接触层和数据金属图案230进行蚀刻。因而，数据供应接触孔部分的有源层255的上平面以及金属层230和欧姆接触层257的侧面暴露出来以形成初始第二供应接触孔294B’。
随后，通过剥离工艺将残留在第二导电图案组上的光致抗蚀剂图案除去。
参照图13C，在形成有第二导电图案组的栅绝缘膜250上形成钝化膜253，并且在其上形成第一供应接触孔294A和第二供应接触孔294B。
为了详细描述图13C的工艺，通过沉积方法例如PECVD等在形成有第二导电图案组的栅绝缘膜250的整个表面上形成钝化膜253。随后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对钝化膜253构图，由此形成第一供应接触孔294A和第二供应接触孔294B。第一供应接触孔294A贯穿钝化膜253和绝缘膜250以暴露第一公共线290A，而第二供应接触孔294B贯穿钝化膜253以将有源层255的上平面以及金属层230和欧姆接触层257的侧面暴露出来。
钝化膜253可以是如栅绝缘膜250一样的无机绝缘材料或者例如PFCB、BCB或者丙烯酸有机化合物等具有低介电常数的有机绝缘材料。
可以将图13B和13C中的第二供应接触孔294B形成为仅暴露金属层230的上平面。
参照图13D，随着在钝化膜253上形成第一导电图案296A和第二导电图案296B，就形成了第一连接部件291和第二连接部件292。
为了详细描述形成第一导电图案296A和第二导电图案296B，通过沉积方法例如溅射法在整个钝化膜253上分散透明导电金属层。随后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对该透明导电金属层构图，由此形成第一导电图案296A和第二导电图案296B。
这里，氧化铟锡ITO、氧化锡TO、氧化铟锌IZO和氧化铟锡锌ITZO中任何一种都可以用作透明导电金属层的材料。
第一导电图案296A通过第一供应接触孔294A与第一公共线290A相连，而第二导电图案296B通过第二供应接触孔294B与第二公共线290B相连。
在前述图11A到图13D中仅示出了包括以不同结构形成的第一连接部件291和第二连接部件292在内的薄膜晶体管阵列基板，但是按照本发明的薄膜晶体管阵列基板可以形成为具有第一连接部件291和第二连接部件292中任何一个。
当按照本发明的薄膜晶体管阵列基板形成为包括第一连接部件291和第二连接部件292两者时，通过将第一导电图案和第二导电图案形成为相连的状态而将第一连接部件291和第二连接部件292相连。
图14是用于显示包括在图11B和图12B所示的导电衬垫料中的导电球的制造步骤的视图。
参照图14，该导电球通过在陶瓷材料的球形衬垫料外面涂布导电材料例如银Ag、金Au等形成，以使之具有导电性并且保持其高度。该球形衬垫料的材料可以是代替陶瓷的硅或者塑料。相比于包括在各向异性导电膜ACF中的导电球，本发明的导电球即使受到给定的压力也可以保持其高度。
如上所述，按照本发明的液晶显示器件及其制造方法使供应图案形成为与密封剂和栅接线重叠，其中要求该供应图案向公共电极供应电压。这种供应图案与点形供应图案相比使得电阻减小，因而功耗降低并且由线电阻引起的公共电压的变化得以避免，由此提高了图像质量。此外，按照本发明的液晶显示器件及其制造方法使供应图案形成为与密封剂重叠，从而使得液晶边缘区域减小了该供应图案的宽度。因而可以制造小尺寸的液晶显示器件。此外，按照本发明的液晶显示器件及其制造方法利用包括在密封剂中的导电衬垫料将公共电极和连接部件连接起来，因而不需要单独的银点工艺，因此工艺得以简化。
此外，按照本发明的液晶显示器件及其制造方法通过改变形成于薄膜晶体管基板上的图案增加了向滤色片基板供应公共电压的点，由此使得与通过银点向滤色片基板供应公共电压的方式相比，供应公共电压能够更稳定。因为公共电压稳定地供应到滤色片基板，因此按照本发明第三实施方式的液晶显示器件能够克服例如呈绿色、图像残留等缺陷。
按照本发明的液晶显示器件及其制造方法将供应公共电压的导电图案形成为不与数据线和数据接线重叠，由此能够防止先前的栅接线和数据接线与导电图案短路的现象。
对本领域普通技术人员来说，显然，本发明能够在不脱离发明的精神和范围的前提下进行各种修改和变化。因而，本发明意欲包括本发明的这些修改和变化，只要它们落在所附权利要求及其等效物的范围内。

Claims (44)

1.一种液晶显示器件，包括：
形成有公共电极的上基板；
与上基板相对的下基板；
向位于下基板上的栅线供应栅信号的多个栅驱动集成电路；
向位于下基板上的数据线供应数据信号的多个数据驱动集成电路；
在驱动液晶时通过栅驱动集成电路和数据驱动集成电路向公共电极供应公共电压的公共线，该公共线与所述栅线和数据线中的任一信号线重叠，并且在该公共线与所述栅线和数据线中的任一信号线之间具有至少一层绝缘膜；和
包括将所述上基板粘结到下基板并且在相邻的栅驱动集成电路之间和在相邻的数据驱动集成电路之间的区域其中之一内将公共电极电连接到公共线的导电衬垫料的导电密封剂。
2.如权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述下基板分为设有多个像素单元的阵列区域和包围该阵列区域的非阵列区域，所述公共线延伸到与数据驱动集成电路相对的非阵列区域。
3.如权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述下基板分为设有多个像素单元的阵列区域和包围该阵列区域的非阵列区域，该公共线延伸到与栅驱动集成电路相对的非阵列区域。
4.如权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述导电衬垫料包括导电玻璃纤维或者导电球其中之一。
5.如权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，所述导电球包括由陶瓷、硅和塑料其中之一制成的球形衬垫料。
6.如权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述公共线包括：
穿过所述栅驱动集成电路的第一公共线；和
穿过所述数据驱动集成电路的第二公共线。
7.如权利要求6所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
从连接到所述栅驱动集成电路的栅线延伸出的栅接线；和
从连接到所述数据驱动集成电路的数据接线延伸出的数据接线。
8.如权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述公共线位于与一个栅驱动集成电路共同连接的栅接线的外面部分。
9.如权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述公共线位于与一个数据驱动集成电路共同连接的数据接线的外面部分。
10.如权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一公共线和第二公共线由与所述栅接线相同的材料在同一时间形成。
11.如权利要求10所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
覆盖所述第一和第二公共线的栅绝缘膜；
形成于所述栅绝缘膜上的钝化膜；
贯穿所述栅绝缘膜和钝化膜以暴露所述第一公共线的第一供应接触孔；
贯穿所述栅绝缘膜和钝化膜以暴露所述第二公共线的第二供应接触孔；
通过所述第一供应接触孔与第一公共线接触并且与该导电密封剂接触的第一导电图案；和
通过所述第二供应接触孔与第二公共线接触并且与该导电密封剂接触的第二导电图案。
12.如权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一和第二导电图案在不与所述栅接线重叠的区域内形成。
13.如权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一公共线和第二公共线由与所述数据接线相同的材料在同一时间形成。
14.如权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
覆盖所述第一和第二公共线的钝化膜；
贯穿所述钝化膜以暴露所述第一公共线的第一供应接触孔；
贯穿所述钝化膜以暴露所述第二公共线的第二供应接触孔；
通过所述第一供应接触孔与第一公共线接触并且与该导电密封剂接触的第一导电图案；以及
通过所述第二供应接触孔与第二公共线接触并且与该导电密封剂接触的第二导电图案。
15.如权利要求14所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一和第二导电图案在不与所述数据接线重叠的区域形成。
16.如权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一公共线由与所述栅接线相同的材料并且在同一时间形成，而所述第二公共线由与所述数据接线相同的材料并且在同一时间形成。
17.如权利要求16所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
覆盖所述第一公共线的栅绝缘膜；
覆盖位于所述栅绝缘膜上的第二公共线的钝化膜；
贯穿所述栅绝缘膜和钝化膜以暴露所述第一公共线的第一供应接触孔；
贯穿所述钝化膜以暴露第二公共线的第二供应接触孔；
通过所述第一供应接触孔与第一公共线接触并且与该导电密封剂接触的第一导电图案；和
通过所述第二供应接触孔与第二公共线接触并且与该导电密封剂接触的第二导电图案。
18.如权利要求17所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一和第二导电图案在不与所述栅接线和数据接线重叠的区域内形成。
19.一种液晶显示器件，包括：
位于上基板上的公共电极；
与位于与该上基板相对的下基板上的信号线重叠的供应图案并且在该供应图案与信号线之间具有至少一层绝缘膜，以将公共电压供应给所述公共电极；和
包括将所述上基板粘结到下基板并且将所述公共电极电连接到供应图案的导电衬垫料的导电密封剂。
20.如权利要求19所述的液晶显示器件，其特征在于，所述导电衬垫料由导电玻璃纤维和导电球之一形成。
21.如权利要求19所述的液晶显示器件，其特征在于，所述信号线是形成于所述下基板上的栅线和数据线其中之一。
22.如权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
形成于所述下基板一侧上与所述栅线相邻的第二公共线；和
贯穿所述至少一层的绝缘膜以暴露所述第二公共线的接触孔。
23.如权利要求22所述的液晶显示器件，其特征在于，所述接触孔在与所述密封剂重叠的区域内形成。
24.如权利要求19所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
位于像素区域内与该所述公共电极一起产生电场的像素电极。
25.如权利要求24所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括：
形成于所述像素区域的反射区域中的反射电极。
26.如权利要求24所述的液晶显示器件，其特征在于，所述供应图案由与所述像素电极和反射电极其中之一相同的材料形成。
27.一种制造液晶显示器件的方法，包括：
提供形成有公共电极的上基板；
提供向其施加来自栅驱动集成电路的栅信号和来自数据驱动集成电路的数据信号的下基板；
用导电密封剂粘结所述上基板和下基板，
并且其中提供所述下基板的步骤包括：
形成与栅线和数据线中的任一信号线重叠的公共线，以在驱动液晶时通过所述栅驱动集成电路和数据驱动集成电路将公共电压供应给所述公共电极，在该公共线与所述栅线和数据线中的任一信号线之间具有至少一层绝缘膜；以及
在位于相邻的栅驱动集成电路之间和位于相邻的数据驱动集成电路之间之一的区域内通过包括导电衬垫料的所述导电密封剂将所述公共电极电连接到所述公共线。
28.如权利要求27所述的方法，其特征在于，所述导电密封剂包括导电玻璃纤维和导电球其中之一。
29.如权利要求28所述的方法，其特征在于，所述导电球包括由陶瓷、硅和塑料其中之一制成的球形衬垫料。
30.如权利要求27所述的方法，其特征在于，所述形成公共线包括：
形成穿过所述栅驱动集成电路的第一公共线和穿过所述数据驱动集成电路的第二公共线。
31.如权利要求30所述的方法，其特征在于，还包括：
形成从所述栅驱动集成电路接收扫描信号的栅线以及将该栅线连接到该栅驱动集成电路的栅接线；和
形成从所述数据驱动集成电路接收数据信号的数据线以及将该数据线连接到该数据驱动集成电路的数据接线。
32.如权利要求31所述的方法，其特征在于，所述第一和第二公共线由与所述栅接线和栅线相同的材料并且在同一时间形成。
33.如权利要求32所述的方法，其特征在于，通过所述导电密封剂将公共线电连接到该公共电极包括：
形成覆盖所述第一和第二公共线的栅绝缘膜；
在该栅绝缘膜上形成钝化膜；
形成贯穿所述栅绝缘膜和钝化膜以暴露所述第一公共线的第一供应接触孔，以及贯穿所述栅绝缘膜和钝化膜以暴露所述第二公共线的第二供应接触孔；和
形成通过所述第一供应接触孔与第一公共线接触并且与该导电密封剂接触的第一导电图案，和通过所述第二供应接触孔与第二公共线接触并且与该导电密封剂接触的第二导电图案。
34.如权利要求31所述的方法，其特征在于，所述第一和第二公共线由与所述数据接线和数据线相同的材料并且在同一时间形成。
35.如权利要求34所述的方法，其特征在于，通过所述导电密封剂将公共线电连接到该公共电极包括：
形成覆盖所述第一和第二公共线的钝化膜；
形成贯穿所述钝化膜以暴露所述第一公共线的第一供应接触孔，以及贯穿所述钝化膜以暴露所述第二公共线的第二供应接触孔；和
形成通过所述第一供应接触孔与第一公共线接触并且与该导电密封剂接触的第一导电图案，和通过所述第二供应接触孔与第二公共线接触并且与该导电密封剂接触的第二导电图案。
36.如权利要求31所述的方法，其特征在于，所述第一公共线由与所述栅接线和栅线相同的材料并且在同一时间形成，并且所述第二公共线由与所述数据接线和数据线相同的材料并且在同一时间形成。
37.如权利要求36所述的方法，其特征在于，所述通过导电密封剂将公共线电连接到该公共电极的步骤包括：
形成覆盖所述第一公共线的栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成第二公共线；
形成覆盖所述第二公共线的钝化膜；
形成贯穿所述栅绝缘膜和钝化膜以暴露所述第一公共线的第一供应接触孔，以及贯穿所述钝化膜以暴露所述第二公共线的第二供应接触孔；和
形成通过所述第一供应接触孔与第一公共线接触并且与该导电密封剂接触的第一导电图案，和通过所述第二供应接触孔与第二公共线接触并且与该导电密封剂接触的第二导电图案。
38.一种制造液晶显示器件的方法，包括：
提供形成有公共电极的上基板；
提供下基板，其中形成有公共图案，该公共图案与信号线重叠并且在该公共图案与该信号线之间具有至少一层绝缘膜，以将公共电压供应给所述公共电极；以及
利用包括有导电衬垫料的密封剂将该上基板和该下基板粘结在一起，该导电衬垫料将所述公共电极电连接到公共图案。
39.如权利要求38所述的方法，其特征在于，所述导电衬垫料是导电玻璃纤维和导电球其中之一。
40.如权利要求38所述的方法，其特征在于，还包括：
在下基板上与所述信号线相邻的一侧形成第二公共图案；和
形成贯穿所述至少一层的绝缘膜以暴露所述第二公共图案的接触孔。
41.如权利要求40所述的方法，其特征在于，所述接触孔在与所述密封剂重叠的区域中形成。
42.如权利要求38所述的方法，其特征在于，还包括：
在像素区域内形成与公共电极一起产生电场的像素电极。
43.如权利要求42所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述像素区域的反射区域中形成反射电极。
44.如权利要求38所述的方法，其特征在于，所述供应图案由与所述像素电极和反射电极其中之一相同的材料形成。
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