CN100529933C - 透反射式液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

透反射式液晶显示器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

透反射式液晶显示器件及其制造方法。提供了一种液晶显示器件，其包括：选通线；该选通线上的第一绝缘膜；与该选通线交叉以限定像素区域的数据线，该像素区域具有透射区域和反射区域；与所述选通线和所述数据线相连的薄膜晶体管；形成在所述像素区域中的像素电极；所述薄膜晶体管上的第二绝缘膜；包括与所述选通线交叠的存储上电极的存储电容器；暴露出所述像素电极的至少一部分的透射孔；以及形成在所述像素区域的反射区域中的反射电极，该反射电极将像素电极与薄膜晶体管和存储上电极相连，其中该选通线和像素电极包括第一透明导电层。

Description

透反射式液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及透反射式液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
液晶显示器件通常分为两种类型：透射型，其中使用由背光单元提供的光来显示图像；以及反射型，其中使用从外部光源(例如自然光)反射的光来显示图像。存在下述的问题：在透射型中，背光单元的功耗较高，而反射型依赖于外部光，从而在较暗环境中不能显示图像。
为了解决这种问题，提出了透反射式液晶显示器件，其中透反射式液晶可以被选择为使用背光单元的透射模式，或者使用外部光的反射模式。如果外部光充足，则透反射式液晶显示器件在反射模式下进行工作，而如果外部光不足，则透反射式液晶显示器件在透射模式下进行工作，由此与透射式液晶显示器件相比，能够降低功耗，并且与反射式液晶显示器件不同，其不受外部光的限制。
通常，如图1所述，透反射式液晶显示器件包括：滤色器基板和薄膜晶体管基板，其接合在一起，并且其间具有液晶层(未示出)；以及背光单元，设置在薄膜晶体管基板的后面。透反射式液晶显示板的每一个像素都分为其中形成有反射电极28的反射区域，以及其中未形成有反射电极28的透射区域。
滤色器基板包括形成在上基板52上的黑底(未示出)和滤色器54，以及形成在它们上方的公共电极56和配向膜(未示出)。
薄膜晶体管基板包括：形成在下基板2上的选通线4和数据线(未示出)，该选通线和数据线限定各个像素区域；与选通线4和数据线相连的薄膜晶体管；形成在像素区域并与薄膜晶体管相连的像素电极32；以及形成在各个像素的反射区域以与像素电极交叠的反射电极28。
薄膜晶体管包括：与选通线4相连的栅极6；与数据线相连的源极16；与源极16相对的漏极18；与栅极6交叠的有源层，在栅极6和有源层之间具有栅极绝缘膜8，以在源极16和漏极18之间形成沟道；以及欧姆接触层12，用于使有源层10与源极16和漏极18欧姆接触。薄膜晶体管响应于选通线4的扫描信号，使数据线上的视频信号充入并保持在像素电极32中。
反射电极28将穿过滤色器基板入射的外部光朝向滤色器基板反射。形成在反射电极28下面的有机膜24的表面具有隆起或凸起的形状，因此形成在该有机膜顶部的反射电极28也具有隆起的形状。结果，由于隆起表面的散射效果而使反射电极28的反射效率提高。
当通过薄膜晶体管将像素信号施加给像素电极32时，在公共电极56和像素电极28之间产生电位差。该电位差使得具有介电各向异性液晶旋转，由此在反射区域和透射区域中对穿过液晶层的光的透射率进行控制，因此，其亮度根据视频信号而变化。
在该示例中，在透射区域处的相对较厚的有机膜24中形成透射孔36，以使得反射区域中穿过液晶层的光程长度与透射区域中的相同。结果，入射到反射区域的环境光传播的光程长度RL与来自背光单元60的透射光的光程长度TL相同，因此，在反射模式和透射模式下透射效率相同。
薄膜晶体管基板还包括存储电容器，该存储电容器与像素电极32相连，以稳定地保持提供给像素电极32的视频信号。该存储电容器被形成为具有与选通线4交叠的存储上电极20，在选通线4和存储上电极20之间具有栅极绝缘膜，其中存储上电极20与像素电极32相连。在该处理中，欧姆接触层12和有源层10还在存储上电极20下方交叠。
薄膜晶体管基板还包括：第一钝化膜22，位于薄膜晶体管和有机膜24之间；第二钝化膜，位于有机膜24和反射电极28之间；以及第三钝化膜30，位于反射电极28和像素电极32之间。因此，像素电极32通过穿透第一到第三钝化膜22、26、30、有机膜24以及反射电极28的第一和第二接触孔34、38中的每一个与漏极28和存储上电极20相连。
在这种透反射式液晶显示板中，薄膜晶体管基板的制造包括半导体工艺，并且需要多个掩模工艺，因此，其制造工艺复杂，从而这成为液晶显示板的制造成本增加的主要原因。在下文中，将参照图2A到2F来描述透反射式薄膜晶体管基板的制造方法。
参照图2A，使用诸如溅射的淀积方法在下基板2上形成栅金属层。随后，使用光刻工艺和蚀刻工艺，利用第一掩模对该栅金属层进行构图，由此形成包括选通线4和栅极6的栅极图案。该栅金属层可以是诸如Al、Mo、Cr的单层或双层金属。
接下来，在形成有栅极图案的基板2上形成栅极绝缘膜8，并且如图2B所示，使用第二掩模工艺，在该栅极绝缘膜8的顶部形成源极/漏极图案。该源极/漏极图案包括数据线、源极16、漏极18以及存储上电极20。
在形成有栅极图案的下基板2上依次形成栅极绝缘膜8、非晶硅层10、掺杂非晶硅层12、以及源极/漏极金属层。栅极绝缘膜8为诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘材料，而源极/漏极金属层为诸如Al、Mo等的单层或双层金属结构。
使用第二掩模和光刻工艺在源极/漏极金属层的顶部形成光刻胶图案。在该工艺中，使用在薄膜晶体管的沟道部分处具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模作为该第二掩模，由此使沟道部分的光刻胶图案的高度比源极/漏极图案部分低。
此后，通过使用该光刻胶图案进行湿蚀刻来对源极/漏极金属层进行构图，以形成源极/漏极图案，该源极/漏极图案包括数据线、源极16、与源极16集成在一起的漏极18、以及存储上电极20。
接下来，通过使用同一光刻胶图案进行干蚀刻来同时对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行构图，由此形成欧姆接触层12和有源层10。
在通过灰化处理(ashing)去除在沟道部分处具有相对较低高度的光刻胶图案之后，对沟道部分的源极/漏极图案和欧姆接触层12进行干蚀刻。因此，暴露出沟道部分的有源部分10，以分离源极16和漏极18。此后，使用剥离工艺来去除剩余在源极/漏极图案上的光刻胶图案。
参照图2C，在形成有源极/漏极图案的栅极绝缘膜8上形成第一钝化膜22，并且使用第三掩模工艺在该第一钝化膜22的顶部形成有机膜24，以使有机膜24具有第一和第二初始接触孔34、38，以及透射孔36，该有机膜24具有隆起形状的表面。
在形成有源极/漏极图案的栅极绝缘膜8上依次形成第一钝化膜22和有机膜24。第一钝化膜22是与栅极绝缘膜8相同的无机绝缘材料，而有机膜24为诸如丙烯酸树脂的感光有机材料。
然后，使用第三掩模对有机膜24进行构图，由此与第三掩模的透射部分相对应地形成穿透有机膜24的第一和第二开孔35、37以及透射孔36。该第三掩模具有下述的结构：在透射部分以外的其余区域重复出现屏蔽部分和衍射曝光部分。对与第三掩模相对应的剩余有机膜24进行构图，以使其具有下述的结构：重复出现具有台阶差的屏蔽部分(凸起部分)和衍射曝光部分(沟槽部分)。随后，使重复出现凸起部分和沟槽部分的有机膜24固化，以使有机膜24的表面具有隆起形状。
参照图2D，在有机膜24上形成第二钝化膜26，并且使用第四掩模工艺在该第二钝化膜26上形成反射电极28。对第二钝化膜26和反射金属层进行淀积，以在有机膜24(具有相同的隆起表面)的顶部保持它们的隆起形状。该第二钝化膜26是诸如第一钝化层22的无机绝缘材料，而该反射金属层为诸如AlNd的具有高反射率的金属。
随后，使用第四掩模和蚀刻工艺对反射金属层进行构图，由此形成反射电极28，其中该反射电极对于每一个像素是独立的，并且在有机膜24的透射孔36以及第一和第二开孔35、37处开口。
参照图2E，使用第五掩模工艺形成覆盖反射电极28的第三钝化膜30，并且形成穿透第一到第三钝化膜22、26、30的第一和第二接触孔34、38。使用光刻或蚀刻工艺，利用第五掩模来形成覆盖反射电极28的第三钝化膜30以及第一和第二接触孔34、38，以使第一和第二接触孔34、38在有机膜24的第一和第二开孔35、37处穿透第一到第三钝化膜22、26、30。第一和第二接触孔34、38分别暴露出漏极18和存储上电极20。第三钝化膜是与第二钝化膜相同的无机绝缘材料。
参照图2F，使用第六掩模工艺在第三钝化膜30上形成像素电极32。更具体地，使用诸如溅射的淀积方法在钝化膜30上形成透明导电层，并且通过使用第六掩模的光刻工艺以及蚀刻工艺对该透明导电层进行构图，以在各个像素区域形成像素电极。像素电极32通过第一和第二接触孔34和38与漏极18和存储上电极20相连。该透明导电层为铟锡氧化物ITO。
因此，使用6个不同的掩模工艺形成了现有技术的透反射式薄膜晶体管基板，因此，其具有制造工艺复杂的缺点。此外，在现有技术的透反射式薄膜晶体管基板中，应该充分固定第一和第二接触孔34、38的边缘，以使像素电极32与漏极18和存储上电极20相连。因此，存在透射区域的孔径比减小的缺点。
发明内容
因此，本发明致力于一种透反射式液晶显示器件及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或更多个问题。
因此，本发明的优点在于提供了一种在透射区域中具有增大的孔径比的透反射式薄膜晶体管基板，及其简化的制造方法。
将在以下说明书中阐述本发明的其它特征和优点，这些特征和优点将部分地根据本说明书而明了，或者可以通过实施本发明而习得。将通过在所写说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构，实现和达到本发明的这些目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如具体实施和广泛描述的，一种液晶显示器件，其包括：选通线；该选通线上的第一绝缘膜；与该选通线交叉以限定像素区域的数据线，该像素区域具有透射区域和反射区域；与该选通线和数据线相连的薄膜晶体管；形成在该像素区域中的像素电极；该薄膜晶体管上的第二绝缘膜；包括与该选通线交叠的存储上电极在内的存储电容器；暴露该像素电极的至少一部分的透射孔；以及形成在像素区域的反射区域中的反射电极，该反射电极在所述透射孔的边缘部分将像素电极与薄膜晶体管和存储上电极相连，其中该选通线和像素电极包括第一透明导电层。
在本发明的另一方面，提供了一种制造液晶显示器件的方法，包括：使用第一掩模形成包括第一透明导电层在内的栅极图案，该栅极图案包括像素电极、栅极和选通线；在该栅极图案上形成第一绝缘膜；使用第二掩模在该第一绝缘膜上形成半导体层和源极/漏极图案，该源极/漏极图案具有存储上电极、漏极、源极和数据线；使用第三掩模在源极/漏极图案上形成第二绝缘膜，使第二绝缘膜在像素区域的透射区域中具有孔径部分；使用第四掩模形成暴露像素电极的第一透明导电层的透射孔；以及使用第五掩模在反射区域中形成反射电极；该反射电极通过透射孔将像素电极与漏极和存储上电极相连。
在本发明的另一方面，提供了一种制造液晶显示器件的方法，包括：使用第一掩模形成具有第一透明导电层和第二不透明导电层的栅极图案，该栅极图案包括像素电极、栅极和选通线；在栅极图案上形成第一绝缘膜和半导体层，并且使用第二掩模形成具有存储上电极、漏极、源极、数据线的源极/漏极图案；使用第三掩模在透射区域中形成暴露像素电极的第一导电层的透射孔；使用第四掩模在源极/漏极图案上形成第二绝缘膜；以及使用第五掩模在反射区域中形成反射电极，该反射电极通过透射孔将像素电极与漏极和存储上电极相连。
应该理解，前面的总体说明和以下的详细说明都是示例性和解释性的，旨在提供对要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
包含附图以提供对本发明的进一步理解，并且将其并入，构成本说明书的一部分，附图说明的本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是表示现有技术的透反射式液晶显示板的一部分的剖视图；
图2A到2F是表示制造根据现有技术的透反射式薄膜晶体管基板的方法的剖视图；
图3是表示根据本发明实施例的透反射式薄膜晶体管的平面图；
图4是表示沿线II-II’、III-III’、IV-IV’截取的图3所示的透反射式薄膜晶体管的剖视图；
图5A和5B是分别表示根据本发明实施例的第一掩模工艺的平面图和剖视图；
图6A和6B是分别表示根据本发明实施例的第二掩模工艺的平面图和剖视图；
图7A和7E是进一步表示本发明的第二掩模工艺的剖视图；
图8A和8B是分别表示根据本发明实施例的第三掩模工艺的平面图和剖视图；
图9A和9B是分别表示根据本发明实施例的第四掩模工艺的平面图和剖视图；
图10A和10B是分别表示根据本发明实施例的第五掩模工艺的平面图和剖视图；
图11是表示根据本发明的具有中心围绕部分的透反射式薄膜晶体管基板的平面图；
图12是表示图11中所示的数据传输器(data link)和数据线的防静电器件区域和接触区域的平面图；
图13是表示沿线V-V’和VI-VI’截取的图12所示的透反射式薄膜晶体管基板的剖视图；
图14A和14B分别表示根据本发明另一实施例的第一掩模工艺的平面图和剖视图；
图15A和15B分别表示根据本发明另一实施例的第二掩模工艺的平面图和剖视图；
图16A和16B分别表示根据本发明另一实施例的第三掩模工艺的平面图和剖视图；
图17A和17B分别表示根据本发明另一实施例的第四掩模工艺的平面图和剖视图；
图18A和18B分别表示根据本发明另一实施例的第五掩模工艺的平面图和剖视图；
图19是表示根据本发明另一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图；
图20是表示根据本发明另一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图；
图21A到21E是表示制造图20所示的透反射式薄膜晶体管基板的方法的剖视图。
具体实施方式
现将详细描述本发明的实施例，在附图中示出了其示例。
图3是表示根据本发明的透反射式薄膜晶体管基板的平面图，图4是表示沿线II-II’、III-III’、IV-IV’截取的图3所示的透反射式薄膜晶体管基板的剖视图。
参照图3和4，透反射式薄膜晶体管基板包括：选通线102和数据线104，其通过相互交叉在下基板142上限定像素区域，并且其间具有栅极绝缘膜144；薄膜晶体管106，与选通线102和数据线104相连；反射电极152，形成在各个像素的反射区域中；以及像素电极118，形成在各个像素区域中，并通过反射电极152与薄膜晶体管106相连。该透反射式薄膜晶体管基板还包括：存储电容器120，其通过将前一级选通线102与通过反射电极152连接到像素电极118的存储上电极122交叠而形成；选通焊盘128，与选通线102相连；以及数据焊盘138，与数据线104相连。该透反射式薄膜晶体管基板将各个像素区域分为其中形成有反射电极152的反射区域以及其中未形成有反射电极152的透射区域。
薄膜晶体管106包括：与选通线102相连的栅极108；与数据线104相连的源极110；与源极110相对并与像素电极118相连的漏极112；有源层114，与栅极108交叠，并且其间具有栅极绝缘膜144，以在源极110和漏极112之间形成沟道；以及欧姆接触层116，其形成在除沟道部分以外的有源层114上，以与源极110和漏极112接触。
薄膜晶体管106对选通线102上的扫描信号进行响应，以使数据线104上的视频信号充入并保持在像素电极118中。
如图4所示，选通线102和栅极108具有包括第一透明导电层101和淀积在第一透明导电层101顶部的第二导电金属层103在内的双层结构。形成包括有源层114和欧姆接触层116在内的半导体图案115，以使其与数据线104交叠。
在各个像素的反射区域中形成反射电极152，以反射外部光。反射电极152具有与第二钝化膜150和其下方的有机膜148的形状相对应的隆起形状。反射电极的隆起表面由于其散射效果而提高了其反射效率。
像素电极118形成在各个像素区域中，并通过反射电极152与漏极112相连，该反射电极152穿过透射孔154的边缘部分。类似于选通线102，像素电极118具有其中形成有第一和第二导电层101、103的双层结构，并且其通过透射孔154开口，以使得作为透明导电层的第一导电层101暴露给透射区域。
像素电极118通过由薄膜晶体管提供的像素信号产生与滤色器基板(未示出)的公共电极的电位差。该电位差使得具有介电各向异性的液晶产生旋转，从而对穿过各个反射区域和透射区域的液晶层的光的透射率进行控制，由此根据视频信号来改变其亮度。
透射区域中形成有透射孔154，以穿透像素电极118上的栅极绝缘膜144以及薄膜晶体管106上的第一钝化膜146、有机膜148和第二钝化膜150。因此，在反射区域和透射区域中，穿过液晶层的光程的长度相同，由此，反射模式和透射模式的透射效率相同。
连接到像素电极118的存储上电极122与前一级选通线102交叠，并且其间具有栅极绝缘膜144，由此形成存储电容器120。存储上电极122通过反射电极152与像素电极118相连，该反射电极152穿过透射孔154的边缘部分，并且存储上电极122还与存储上电极122下面的半导体图案115交叠。
选通线102通过选通焊盘128与选通驱动器(未示出)相连。选通线102的第一和第二导电层101、103延伸，以形成选通焊盘128，并且通过从第二钝化膜150穿透到第二导电层103的第一接触孔130来暴露第一导电层101。
数据线104通过数据焊盘138与数据驱动器(未示出)相连。与选通焊盘128相似，数据焊盘138具有其中形成有第一和第二导电层101、103的双层结构，并且通过从第二钝化膜150穿透到第二导电层103的第二接触孔140来暴露第一导电层101。数据焊盘138通过单独的接触电极(未示出)与数据线104相连。
通过这种方式，根据本发明该实施例的透反射式薄膜晶体管基板具有通过反射电极与漏极112和存储上电极122相连的像素电极118，该反射电极穿过透射孔154的边缘部分。因此，不需要具有用于将像素电极118与漏极112和存储上电极122相连的单独的接触孔，由此可以大大提高透射区域的孔径比。
反射电极152还与像素电极118的第一和第二导电层101、103相连。因此，在将AlNd用于反射电极152，将ITO用于像素电极118的第一导电层101，而将Mo用于第二导电层103的情况下，AlNd和ITO通过Mo相连，因此能够减小由于产生Al2O3而导致的AlNd和ITO的接触电阻。
图5A和5B分别表示根据本发明实施例的第一掩模工艺的平面图和剖视图。首先，使用第一掩模(未示出)形成具有双层结构的栅极图案，其中该栅极图案包括像素电极118、数据焊盘138、与选通线102相连的栅极108、以及下基板142上的选通线102。该双层结构包括第一和第二导电层101、103。
具体地，使用诸如溅射的淀积方法在下基板102上形成第一和第二导电层101、103。然后使用第一掩模(该第一掩模是使用光刻工艺和蚀刻工艺而形成的)对第一和第二导电层101、103进行构图，由此形成如图5A和5B所示的栅极图案。该栅极图案包括选通线102、栅极108、选通焊盘128、数据焊盘138、像素电极118。第一导电层101是诸如ITO、TO、IZO的透明导电材料，而第二导电层103是诸如Mo、Ti、Cu、Al(Nd)等的金属材料。
图6A和6B分别表示根据本发明实施例的第二掩模工艺的平面图和剖视图。参照图6B，在已经形成有栅极图案的下基板142上形成栅极绝缘膜144。然后，利用第二掩模工艺，在栅极绝缘膜144顶部形成源极/漏极图案(包括数据线104、源极110、漏极112以及存储上电极122)、半导体图案115(包括沿源极/漏极图案的后表面交叠的有源层114和欧姆接触层116)。通过利用衍射曝光掩模，使用单个掩模工艺来形成半导体图案115和源极/漏极图案。
参照图7A，首先，在下基板142上，在栅极图案的上方依次形成栅极绝缘膜144、非晶硅层105、掺杂有n+或p+的非晶硅层107、以及源极/漏极金属层109。例如，使用PECVD形成栅极绝缘膜144、非晶硅层105、掺杂非晶硅层107，而使用溅射形成源极/漏极金属层109。栅极绝缘膜144为无机绝缘材料，例如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx，而源极/漏极金属层109为Cr、Mo、MoW、Al/Cr、Cu、Al(Nd)、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti等。当该双层结构为Al/Cr时，在Cr层之后形成Al层。
将光刻胶219涂布在源极/漏极金属层109上，然后使用衍射曝光掩模210对其进行曝光和显影。该衍射曝光掩模210包括：透明石英基底212、在透明石英基底212顶部由诸如Cr的金属层构成的屏蔽层214；以及衍射曝光狭缝216。屏蔽层214位于要形成半导体图案和源极/漏极图案的区域处。衍射曝光狭缝216位于要形成薄膜晶体管的沟道的区域处。因此，在显影之后，形成了图7B所示的具有台阶结构的光刻胶图案220。
参照图7B，在处理过程中，该屏蔽层214阻挡紫外线，由此留下第一光刻胶图案(resist pattern)220A。在处理过程中，衍射曝光狭缝216对紫外线进行衍射，由此留下比第一光刻胶图案220A薄的第二光刻胶图案220B。
然后，使用光刻胶图案220对源极/漏极金属层109进行蚀刻，以形成如图7C所示的源极/漏极图案和半导体图案115。在该工艺的这个时候，源极110和漏极112集成在源极/漏极图案内，即源极和漏极之间没有断开。
接下来，使用氧O2等离子体对光刻胶图案220进行灰化处理。因为第一光刻胶图案220A的厚度，而使该第一光刻胶图案下方各层保持不变，即，仅光刻胶的厚度变薄。然而，在蚀刻工艺过程中，去除了较薄的第二光刻胶图案220B下方的各层，由此将源极110与漏极112分离，并且暴露出有源层114，如图7D所示。因此，在源极110和漏极112之间的有源层114中形成了沟道。此外，沿经过灰化处理的第一光刻胶图案220A对源极/漏极图案的两侧再次进行蚀刻，由此使源极/漏极图案和半导体图案115具有阶梯形状的固定台阶差。如图7E所示，通过剥离工艺去除剩余在源极/漏极图案上的第一光刻胶图案220A。
图8A和8B分别表示用来制造根据本发明实施例的透反射式薄膜晶体管基板的第三掩模工艺的平面图和剖视图。参照图8A和8B，在薄膜晶体管基板的包括例如使用诸如溅射的淀积方法形成有源极/漏极图案的的区域在内的表面上，形成第一钝化膜146。然后，例如使用旋涂法在第一钝化膜146的顶部形成有机膜148，并且随后使用第三掩模工艺进行构图，以使有机膜148在透射区域中具有孔径部分，而在反射区域中具有隆起表面。
第一钝化膜146为诸如栅极绝缘膜144的无机绝缘材料，而有机膜148是诸如丙烯酸树脂的感光有机材料。使用第三掩模对有机膜148进行构图，从而在透射区域中与该第三掩模的透射部分相对应地形成穿透有机膜148地孔径部分155，并去除形成有选通焊盘128和数据焊盘138地焊盘区域的有机膜148。此外，第三掩模中除了透射部分以外的剩余部分具有下述的结构：屏蔽部分和衍射曝光部分(或透反射部分)重复出现，与该结构相对应，将有机膜148构图为具有下述的结构：在反射区域中重复出现具有台阶差的屏蔽区域(凸起部分)和衍射曝光区域(沟槽部分)。随后，对具有重复的凸起部分和构造部分的有机膜148进行烧结(fired)，以在反射区域的有机膜148的表面上形成隆起形状。另一方面，有机膜148的孔径部分155的边缘部分与漏极112和存储上电极122交叠，由此使存储上电极122和漏极112的边缘部分朝向孔径部分155凸出。
图9A和9B分别表示用来制造根据本发明实施例的透反射式薄膜晶体管基板的第四掩模工艺的平面图和剖视图。参照图9B，使用第四掩模工艺在有机膜148上形成具有隆起形状的第二钝化层150，并且形成从栅极图案的第二钝化膜150穿透到第二导电层103的第一和第二接触孔130、140以及透射孔。
具体地，使用诸如PECVD的淀积方法在有机膜148上形成第二钝化膜150。第二钝化层150是与第一钝化膜146相同的无机绝缘材料。随后，在形成了有机膜148的孔径部分155的各个像素的透射区域中形成透射孔154，并且在焊盘区域中形成第一和第二接触孔130、140。透射孔154穿透有机膜148的孔径部分155中的像素电极118的第二钝化膜150、第一钝化膜146、栅极绝缘膜144以及第二导电层103。因此，通过透射孔154暴露出像素电极118的第一导电层101，并且第二导电层103仅剩余在像素电极的边界处，在该边界处没有暴露出第一导电层101。此外，暴露出朝向穿过透射孔154的边缘部分的有机膜148的孔径部分155凸出的漏极112，以及存储上电极122的边缘部分。第一和第二接触孔130、140从第二钝化膜150分别穿透到选通焊盘128和选通焊盘128顶部的数据焊盘138的第二导电层103、数据焊盘138。因此，通过第一和第二接触孔130、140中的每一个暴露出选通焊盘128和数据焊盘138的第一导电层101，并且第二导电层103仅保留在未暴露出第一导电层101的边界处。
图10A和10B分别表示用来制造根据本发明实施例的透反射式薄膜晶体管基板的第五掩模工艺的平面图和剖视图。参照图10B，在保持隆起形状的第二钝化膜150上形成反射金属层。该反射金属层是具有高反射率的金属，例如AlNd。此后，通过使用第五掩模的光刻工艺以及蚀刻工艺对该反射金属层进行构图，由此，在各个像素的反射区域中形成反射电极152。反射电极152通过透射孔154的边缘部分将漏极112与像素电极118相连，并且将存储上电极122与像素电极118相连。因此，不需要单独的接触孔来将像素电极118与漏极112和存储上电极122相连，因此提高了透射区域中的孔径比。此外，反射电极152通过透射孔154的边缘部分与像素电极118的第一导电层101相连，并与所暴露的第二导电层103 Mo的边缘部分相连，由此减小了反射电极152 AlNd与第一导电层101 ITO的接触电阻。
根据本发明的透反射式薄膜晶体管基板使用反射电极152将像素电极118与漏极112和存储上电极122相连，并且与需要六个掩模工艺的现有技术相比，将制造工艺减少为五个掩模工艺。
图11表示根据本发明实施例的透反射式薄膜晶体管基板的周边部分。
图11所示的透反射式薄膜晶体管基板100包括接触电极160，以使形成在与选通焊盘128相同的层中的数据焊盘138与数据线104相连。换句话说，接触电极160将从数据焊盘138延伸的数据传输器136与数据线104相连。这里，接触电极160由与形成在有源区的反射电极152相同的金属层AlNd、AlNd/Mo构成。接触电极160存在下述的问题：当将其暴露在外部时，其会由于氧化而被腐蚀，因此，接触电极160位于由密封剂180密封的区域，即，密封剂180与有源区182之间。
此外，该薄膜晶体管基板100包括静电放电装置190，用于防止静电流入有源区182。该静电放电装置190与数据线104或者选通线102相连，并由具有相互连接关系的多个薄膜晶体管300、310、320组成。静电放电装置190通过使静电在高压区具有低阻抗，来释放任何过电流，由此防止静电流入。通过在正常驱动条件下具有高阻抗，而使得对通过选通线102或数据线104提供的驱动信号没有影响。静电放电装置190需要用于相互连接薄膜晶体管300、310、320的多个接触电极。这些接触电极也由与反射电极152相同的金属层AlNd、AlNd/Mo形成。因此，静电放电装置190也形成在由密封剂180密封的区域中，即，密封剂180和有源区182之间。
图12是表示与图11中所示的数据线104相连的静电放电装置190和接触电极160的平面图。参照图12，在由密封剂180密封的区域中，数据线104通过第一接触电极160与从数据焊盘138延伸的数据传输器136相连。与数据焊盘138(如上所述)相似，数据传输器136具有包括第一和第二导电层101、103在内的双层结构。第一接触电极160通过从第二钝化膜150穿透到数据线104和半导体图案115的第三接触孔162并排地连接到数据线104。此外，接触电极160通过从第二钝化膜150穿透到数据传输器136的第二导电层103的第四接触孔164与数据传输器136相连，如图13所示。
与数据线104相连的静电放电装置包括薄膜晶体管300、310、320。第二薄膜晶体管300包括：与数据线104相连的第二源极304；与第二源极304相对的第二漏极；以及具有双层结构的第二栅极302，该第二栅极302与第二源极304和第二漏极306交叠，并且其间具有半导体图案115和栅极绝缘膜144。第二栅极302的双层结构包括第一和第二导电层101、103。
第三薄膜晶体管310以二极管的形式与第二薄膜晶体管的第二源极304和第二栅极302相连。第三薄膜晶体管310包括：与第二源极304相连的第三源极314；与第三源极314相对的第三漏极316；以及与第三源极314和第三漏极316交叠的第三栅极312，并且其间具有半导体图案115和栅极绝缘层144。与第二栅极相似，第三栅极312具有包括第一和第二导电层101、103在内的双层结构。第三栅极312还通过第二接触电极332与第三源极314相连。换句话说，第三接触电极332被形成为从第五接触孔340(从第二钝化膜150穿透到第三漏极316和半导体图案115)设置到第六接触孔(从第二钝化膜150穿透到第三栅极312的第二导电层103)，由此连接第三漏极316和第三栅极312。
第四薄膜晶体管320以二极管的形式与第二薄膜晶体管的第二漏极306和第二栅极302相连。第四薄膜晶体管320包括：与第二漏极306相连的第四源极324；与第四源极324相对的第四漏极326；以及与第四源极324和第四漏极326交叠的第四栅极322，并且其间具有半导体图案115和栅极绝缘膜144。第四栅极322具有包括第一和第二导电层101、103的双层结构。第四漏极326还与第三漏极316相连，并且通过第三接触电极334与第二栅极302相连，该第三接触电极334被形成为设置在第七接触孔344和第八接触孔346上。此外，第四栅极332通过第四接触电极336与第四源极324相连，第四接触电极336被形成为设置在第九接触孔348和第十接触孔350上。
第一到第四接触电极160、332、334、336由与如上所述的反射电极152相同的金属层形成。
使用如上所述的五个掩模工艺形成具有这种结构的透反射式薄膜晶体管基板。将参照图14A到18B对此进行说明。
参照图14A到14B，通过第一掩模工艺在下基板142上形成栅极图案，其中该栅极图案包括数据传输器136和数据焊盘138，以及第二到第四栅极302、312、322。该第一掩模工艺与图5A和5B中所述的相同。
然后，如图15A和15B中所示，使用第二掩模工艺形成栅极绝缘膜144、包括有源层114和欧姆接触层116在内的半导体图案115、以及包括数据线104、第二到第四源极304、314、324、第二到第四漏极306、316、326在内的源极/漏极图案。该第二掩模工艺与图6A和7E中所述的相同。
然后，形成第一钝化膜146及其顶部的有机膜148，并使用第三掩模工艺对有机膜148进行构图。如图16B所示，有机膜148具有第三到第十孔径部分161、163、339、341、343、345、347、349。该第三掩模工艺与图8A和8B中所述的相同。在本示例中，在焊盘区域中去除该有机膜，并且该有机膜在未形成反射电极152的区域(即像素区域)中不具有隆起表面。
参照图17A和17B，使用第四掩模工艺形成第二钝化膜150，并且形成第三到第十接触孔162、164、340、342、344、346、348、350，以与有机膜148的第三到第十孔径部分161、163、339、341、343、345、347、349交叠。该第四掩模工艺与图9A和9B中所述的相同。
参照图18A和18B，使用第五掩模工艺，由与前述反射电极152相同的金属形成第一到第四接触电极160、332、334、336。该第五掩模工艺与图10A和10B中所述的相同。
图19是表示根据本发明第二实施例的透反射式薄膜晶体管基板中，像素区域沿线II-II’的剖视图，以及数据传输器136与数据线104的接触区域沿线V-V’的剖视图。
除了被形成为第一和第二导电层254、256的双层结构的反射电极252和第一接触电极262以外，图19中所示的透反射式薄膜晶体管基板包括与图4和13中所示的透反射式薄膜晶体管基板相同的组件。因此，省略对重复组件的说明。
图19中所示的反射电极252和第一接触电极262中的第一导电层254为数据传输器136和像素电极118的透明第一导电层101，其具有低的接触阻抗，例如Mo。而第二导电层256为具有高反射性的金属，例如AlNd。因此，第一接触电极262和反射电极252的第二导电层256 AlNd与数据传输器136和像素电极118的第一导电层101 ITO直接相连，由此防止产生Al2O3层。因此，减小了反射电极252和像素电极118的接触电阻，以及第一接触电极160和数据传输器136的接触电极。
图20是表示根据本发明第三实施例的透反射式薄膜晶体管基板中，像素区域沿线II-II’的剖视图，以及数据传输器136和数据线104的接触区域沿线V-V’的剖视图。
除了去除了有机膜148上的第二钝化膜150以外，图20中所示的透反射式薄膜晶体管基板包括与图4和13中所示的透反射式薄膜晶体管基板相同的组件。因此，省略对重复组件的说明。
图4和13中所示的第二钝化膜150增强了有机膜148与反射电极152的粘合力，但是可以将其省略。参照图20，省略了第二钝化膜150，在形成有机膜148之前，在第一钝化膜146工艺中形成透射孔154以及第一到第四接触孔130、140、162、164。具有这种结构的透反射式薄膜晶体管基板的制造方法如下。
图21A到21E是表示图20中所示的透反射式薄膜晶体管基板的制造方法的剖视图。参照图21A，首先，使用第一掩模工艺在下基板142上形成栅极图案，该栅极图案包括选通线102、栅极108、像素电极118以及数据传输器136。该栅极图案具有双层结构，该双层结构包括透明第一导电层101和第二导电层103。该第一掩模工艺与图5A和5B中所述的相同。
然后，如图21B所示，使用第二掩模工艺形成栅极绝缘层144、包括有源层114和欧姆接触层116在内的半导体层115、以及包括数据线104、源极110、漏极112和存储上电极122在内的源极/漏极图案。该第二掩模工艺与图6A和7E中所述的相同。
参照图21C，使用第三掩模工艺形成覆盖源极/漏极图案的钝化膜146，以使得：在透射区域中具有透射孔154，以暴露像素电极的第一导电层；在接触区域中具有第三接触孔，以通过穿透数据线104和半导体图案115来暴露数据线104的侧面；以及具有第四接触孔164，以暴露数据传输器136的第一导电层101。
参照图21D，使用第四掩模工艺在钝化膜146上形成有机膜148，从而在透射孔154以及第三和第四接触孔162、164中去除有机膜148。此外，在焊盘区域中使有机膜148开口，并且该有机膜148仅在反射区域(在后续工艺中，要在该反射区域中形成反射电极152)中具有隆起表面。该第四掩模工艺与图8A和8B中所述的相同。
参照图21E，使用第五掩模工艺形成反射电极152和接触电极160。该第五掩模工艺与图10A和10B中所述的相同。
如上所述，根据本发明的透反射式液晶显示器件及其制造方法使用穿过透射孔的边缘部分的反射电极将像素电极与漏极和存储上电极相连。因此，可以将薄膜晶体管基板的制造工艺简化为五个掩模工艺，由此减少了一个掩模工艺，并且不需要单独的接触孔将像素电极与漏极故和存储上电极相连，由此提高了透射区域的孔径比。
此外，根据本发明的透反射式液晶显示器件及其制造方法通过使用与反射电极相同金属的接触电极将数据传输器与数据线相连，该数据传输器和数据线被形成为多个不同的层，并且根据本发明的透反射式液晶显示器件及其制造方法将静电放电装置的薄膜晶体管相互连接。因此，可以将薄膜晶体管的制造工艺简化为五个掩模工艺。
此外，根据本发明的透反射式液晶显示器件通过像素电极的第二导电层Mo将反射电极AlNd与第一导电层ITO相连，由此可以减小反射电极与像素电极的接触电阻。此外，将反射电极形成为AlNd/Mo的双层结构，以使得能够进一步减小与像素电极的第一导电层ITO的接触电阻。
对于本领域的技术人员来说，显然在不脱离本发明的主旨和范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物范围内的本发明的这些修改和变化。
本申请要求于2004年6月5日提交的韩国专利申请NO.P2004-041141的优先权，在此通过引用并入其全部内容。

Claims (63)

1、一种液晶显示器件，其包括：
选通线，包括第一透明导电层；
所述选通线上的第一绝缘膜；
与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线，所述像素区域具有透射区域和反射区域；
与所述选通线和所述数据线相连的薄膜晶体管；
具有第一透明导电层的像素电极；
存储电容器，包括与所述选通线交叠的存储上电极；
透射孔，其暴露出所述像素电极的所述第一透明导电层的至少一部分；以及
形成在所述像素区域的反射区域中的反射电极，该反射电极在所述透射孔的边缘部分将所述像素电极与薄膜晶体管和所述存储上电极相连。
2、根据权利要求1所述的器件，还包括第二导电层，位于所述选通线的所述第一透明导电层上。
3、根据权利要求1所述的器件，还包括第二导电层，位于所述像素电极的所述第一透明导电层的边界上。
4、根据权利要求2所述的器件，还包括：
从所述选通线延伸的双层选通焊盘，其中通过穿透所述第一绝缘膜和所述双层选通焊盘的第二导电层的第一接触孔暴露出所述双层选通焊盘的第一导电层的一部分。
5、根据权利要求4所述的器件，还包括：
与所述数据线相连的双层数据焊盘，其中通过穿透所述第一绝缘膜和所述双层数据焊盘的第二导电层的第二接触孔暴露出所述双层数据焊盘的第一导电层的一部分。
6、根据权利要求5所述的器件，还包括在所述薄膜晶体管和第一绝缘膜上的第二绝缘膜。
7、根据权利要求6所述的器件，其中在所述双层选通焊盘和所述双层数据焊盘的露出的第一导电层上去除第二绝缘膜。
8、根据权利要求6所述的器件，还包括所述薄膜晶体管和所述第二绝缘膜之间的第三绝缘膜。
9、根据权利要求8所述的器件，其中所述第三绝缘膜为无机绝缘材料。
10、根据权利要求6所述的器件，还包括所述第二绝缘膜和所述反射电极之间的第三绝缘膜。
11、根据权利要求10所述的器件，其中所述第三绝缘膜为无机绝缘材料。
12、根据权利要求3所述的器件，其中所述反射电极与所述像素电极的所述第一透明导电层直接连接，并且通过所述透射孔与所述像素电极的所述第二导电层基本上横向连接。
13、根据权利要求5所述的器件，还包括：
从所述数据焊盘延伸的双层数据传输器；以及
与所述反射电极相同金属的第一接触电极，其通过暴露所述数据线和所述数据传输器的第三和第四接触孔来连接所述数据线和所述数据传输器。
14、根据权利要求13所述的器件，还包括与所述数据线和所述选通线之一相连的静电放电装置。
15、根据权利要求14所述的器件，其中所述静电放电装置包括：
第二薄膜晶体管，其源极与所述选通线和所述数据线之一相连；
第三薄膜晶体管，以二极管的形式连接在所述第二薄膜晶体管的栅极和源极之间；
第四薄膜晶体管，以二极管的形式连接在所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极之间；
第二接触电极，其通过暴露出所述第三薄膜晶体管的源极和栅极的第五接触孔和第六接触孔与所述第三薄膜晶体管的源极和栅极相连；
第三接触电极，其通过暴露出所述第三薄膜晶体管或所述第四薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极的第七接触孔和第八接触孔与所述第三或第四薄膜晶体管的漏极以及所述第二薄膜晶体管的栅极相连；以及
第四接触电极，其通过暴露出所述第四薄膜晶体管的源极和栅极的第九接触孔和第十接触孔与所述第四薄膜晶体管的源极和栅极相连。
16、根据权利要求15所述的器件，其中所述第二、第三和第四接触电极由与所述反射电极相同的金属形成。
17、根据权利要求15所述的器件，其中所述薄膜晶体管、第二到第四薄膜晶体管的栅极都具有包含第一导电层和第二导电层的双层结构。
18、根据权利要求17所述的器件，其中所述第六接触孔通过穿透所述第三薄膜晶体管的栅极的第二导电层来暴露出第三薄膜晶体管的栅极第一导电层，第八接触孔通过穿透所述第二薄膜晶体管的栅极的第二导电层来暴露出第二薄膜晶体管的栅极的第一导电层、第十接触孔通过穿透所述第四薄膜晶体管的栅极的第二导电层来暴露出第四薄膜晶体管的栅极的第一导电层。
19、根据权利要求15所述的器件，其中所述第一到第四接触电极形成在密封剂密封的区域内部。
20、根据权利要求15所述的器件，其中所述反射电极和所述第一到第四接触电极是由AlNd形成的单层结构、或者是由第一导电层AlNd和第二导电层Mo形成的双层结构。
21、根据权利要求6所述的器件，其中所述第二绝缘膜具有隆起表面。
22、根据权利要求21所述的器件，其中所述反射电极在反射区域中具有隆起表面。
23、根据权利要求6所述的器件，其中所述第二绝缘膜为有机材料。
24、根据权利要求1所述的器件，其中所述存储上电极沿所述数据线的方向基本上与所述选通线的一半以上交叠。
25、一种用于制造液晶显示器件的方法，所述液晶显示器件包括具有透射区域和反射区域的像素区域，该制造液晶显示器件的方法包括：
使用第一掩模形成包括第一透明导电层的栅极图案，该栅极图案包括像素电极、栅极和选通线；
在所述栅极图案上形成第一绝缘膜；
使用第二掩模在所述第一绝缘膜上形成半导体层、源极和漏极图案，该源极和漏极图案具有存储上电极、漏极、源极和数据线；
使用第三掩模在所述源极和漏极图案上形成第二绝缘膜，使第二绝缘膜在像素区域的透射区域中具有孔径部分；
使用第四掩模形成暴露出所述像素电极的所述第一透明导电层的透射孔；以及
使用第五掩模在反射区域中形成反射电极，该反射电极通过所述透射孔将所述像素电极与所述漏极和所述存储上电极相连。
26、根据权利要求25所述的方法，其中所述半导体层与所述数据线交叠。
27、根据权利要求25所述的方法，其中所述像素电极还包括在所述第一透明导电层的边界上的第二导电层，所述透射孔穿透所述第一绝缘膜和所述像素电极的第二导电层。
28、根据权利要求25所述的方法，其中所述透射孔与所述第二绝缘膜的孔径部分交叠。
29、根据权利要求27所述的方法，还包括在所述源极和漏极图案以及所述第二绝缘膜中的至少一个上的第三绝缘膜。
30、根据权利要求29所述的方法，其中所述透射孔穿透所述第三绝缘膜。
31、根据权利要求25所述的方法，其中所述栅极图案由具有第一导电层和第二导电层的双层形成。
32、根据权利要求31所述的方法，还包括：
使用所述第一掩模形成双层选通焊盘，该双层选通焊盘与所述选通线相连；
使用所述第一掩模形成双层数据焊盘，该双层数据焊盘与所述数据线相连；
使用所述第三掩模去除所述双层选通焊盘和所述双层数据焊盘的焊盘区域中的所述第二绝缘膜；以及
使用所述第四掩模形成暴露出双层选通焊盘和双层数据焊盘的第一导电层的第一和第二接触孔。
33、根据权利要求32所述的方法，还包括：
使用所述第一掩模形成从所述数据焊盘延伸的双层数据传输器；
使用所述第三掩模形成第二和第三孔径部分；
使用所述第四掩模形成暴露出所述数据线和所述数据传输器的第三和第四接触孔；以及
使用所述第五掩模形成通过所述第三和第四接触孔连接所述数据线和所述数据传输器的第一接触电极。
34、根据权利要求33所述的方法，其中第二和第三孔径部分与所述数据线和所述数据传输器交叠。
35、根据权利要求33所述的方法，还包括：
形成静电放电装置，其具有：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线和所述选通线之一相连；以二极管的方式连接在所述第二薄膜晶体管的栅极和源极之间的第三薄膜晶体管；以及以二极管的方式连接在所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极之间的第四薄膜晶体管。
36、根据权利要求35所述的方法，其中形成所述静电放电装置的步骤包括：
使用所述第一掩模形成所述第二到第四薄膜晶体管的栅极；
使用所述第二掩模在所述第一绝缘膜上形成所述半导体层、所述第二到第四薄膜晶体管的源极和漏极；
使用所述第三掩模在所述第二绝缘膜上形成第四到第九孔径部分；
其中所述第四和第五孔径部分与所述第三薄膜晶体管的源极和栅极交叠，所述第六和第七孔径部分与所述第三或第四薄膜晶体管的漏极以及所述第二薄膜晶体管的栅极交叠，所述第八和第九孔径部分与所述第四薄膜晶体管的源极和栅极交叠；
使用所述第四掩模形成暴露出与所述第四到第九孔径部分交叠的电极的第五到第十接触孔；以及
使用所述第五掩模形成第二到第四接触电极。
37、根据权利要求36所述的方法，其中所述第二接触电极通过所述第五和第六接触孔与所述第三薄膜晶体管的源极和栅极相连。
38、根据权利要求36所述的方法，其中所述第三接触电极通过所述第七和第八接触孔与所述第三或第四薄膜晶体管的漏极以及所述第二薄膜晶体管的栅极相连。
39、根据权利要求36所述的方法，其中所述第四接触电极通过所述第九和第十接触孔与所述第四薄膜晶体管的源极和栅极相连。
40、根据权利要求36所述的方法，其中所述第一到第四接触电极形成在密封剂密封的区域内部。
41、根据权利要求36所述的方法，其中所述反射电极和所述第一到第四接触电极是由AlNd形成的单层结构、或者是由第一导电层AlNd和第二导电层Mo形成的双层结构。
42、根据权利要求25所述的方法，其中所述第二绝缘膜为有机材料。
43、根据权利要求25所述的方法，其中所述第二绝缘膜具有隆起表面。
44、根据权利要求25所述的方法，其中所述反射电极具有隆起表面。
45、一种用于制造液晶显示器件的方法，所述液晶显示器件包括具有透射区域和反射区域的像素区域，包括：
使用第一掩模形成具有第一透明导电层和第二不透明导电层的栅极图案，该栅极图案包括像素电极、栅极和选通线；
使用第二掩模在所述栅极图案上形成第一绝缘膜和半导体层，以及具有存储上电极、漏极、源极、数据线的源极和漏极图案；
使用第三掩模在透射区域中形成暴露出所述像素电极的所述第一透明导电层的透射孔；
使用第四掩模在所述源极和漏极图案上形成第二绝缘膜；以及
使用第五掩模在反射区域中形成反射电极，该反射电极通过所述透射孔将所述像素电极与所述漏极和所述存储上电极相连。
46、根据权利要求45所述的方法，其中所述半导体层与所述数据线交叠。
47、根据权利要求45所述的方法，其中形成所述透射孔的步骤还包括：
形成覆盖所述源极和漏极图案的第三绝缘膜。
48、根据权利要求47所述的方法，其中所述透射孔从第三绝缘膜穿透到所述像素电极的第二不透明导电层。
49、根据权利要求45所述的方法，还包括：
使用所述第一掩模形成双层选通焊盘，该双层选通焊盘与所述选通线相连；
使用所述第一掩模形成双层数据焊盘，该双层数据焊盘与所述数据线相连；
使用所述第三掩模形成暴露出所述双层选通焊盘和所述双层数据焊盘的第一导电层的第一和第二接触孔；以及
使用第四掩模去除所述双层选通焊盘和所述双层数据焊盘的焊盘区域中的第二绝缘膜。
50、根据权利要求49所述的方法，还包括：
使用所述第一掩模形成双层数据传输器，该数据传输器从所述双层数据焊盘延伸；
使用所述第三掩模形成暴露出所述数据线和所述数据传输器的第三和第四接触孔；
使用所述第四掩模将所述第三和第四接触孔延伸到所述第二绝缘膜；以及
使用所述第五掩模形成第一接触电极，以通过所述第三和第四接触孔连接所述数据线和所述数据传输器。
51、根据权利要求50所述的方法，还包括：
形成静电放电装置，该静电放电装置具有：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线和选通线之一相连；以二极管的方式连接在所述第二薄膜晶体管的栅极和源极之间的第三薄膜晶体管；以及以二极管的方式连接在所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极之间的第四薄膜晶体管。
52、根据权利要求51所述的方法，其中形成所述静电放电装置的步骤包括：
使用所述第一掩模形成所述第二到第四薄膜晶体管的栅极；
使用所述第二掩模在所述第一绝缘膜上形成所述半导体层、所述第二到第四薄膜晶体管的源极和漏极；
使用所述第三掩模形成第五到第十接触孔；
使用所述第四掩模将所述第五到第十接触孔延伸到所述第二绝缘膜；以及
使用所述第五掩模形成第二到第四接触电极。
53、根据权利要求52所述的方法，其中所述第五和第六接触孔暴露所述第三薄膜晶体管的栅极和源极。
54、根据权利要求52所述的方法，其中所述第七和第八接触孔暴露所述第三或第四薄膜晶体管的漏极以及所述第二薄膜晶体管的栅极。
55、根据权利要求52所述的方法，其中所述第九和第十接触孔暴露所述第四薄膜晶体管的栅极和源极。
56、根据权利要求52所述的方法，其中所述第二接触电极通过所述第五和第六接触孔与所述第三薄膜晶体管的栅极和源极相连。
57、根据权利要求52所述的方法，其中所述第三接触电极通过所述第七和第八接触孔连接所述第三或第四薄膜晶体管的漏极以及所述第二薄膜晶体管的栅极。
58、根据权利要求52所述的方法，其中所述第四接触电极通过所述第九和第十接触孔连接所述第四薄膜晶体管的栅极和源极。
59、根据权利要求52所述的方法，其中所述第一到第四接触电极形成在密封剂密封的区域内部。
60、根据权利要求52所述的方法，其中所述反射电极和所述第一到第四接触电极是由AlNd形成的单层结构、或者是由第一导电层AlNd和第二导电层Mo形成的双层结构。
61、根据权利要求45所述的方法，其中所述第二绝缘膜是有机材料。
62、根据权利要求45所述的方法，其中所述第二绝缘膜具有隆起表面。
63、根据权利要求45所述的方法，其中所述反射电极具有隆起表面。
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